JP2000143660A - ２−｛［（２−ピリジル）メチル］チオ｝−１ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の製造方法 - Google Patents
２−｛［（２−ピリジル）メチル］チオ｝−１ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の製造方法Info
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- JP2000143660A JP2000143660A JP10323654A JP32365498A JP2000143660A JP 2000143660 A JP2000143660 A JP 2000143660A JP 10323654 A JP10323654 A JP 10323654A JP 32365498 A JP32365498 A JP 32365498A JP 2000143660 A JP2000143660 A JP 2000143660A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】２−｛［（２−ピリジル）メチル］スルフィニ
ル｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の合成中間体と
して有用な２−｛［（２−ピリジル）メチル］チオ｝−
１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を、短工程で効率良く
製造する。 【解決手段】有機リチウム化合物存在下、２−メチルチ
オ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体と、４−ハロゲン
−２−スルホニルピリジン誘導体を反応させることによ
って、２−｛［（４−ハロゲノ−２−ピリジル）メチ
ル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を得る。
更に金属アルコキシドと反応させることにより、２−
｛［（４−アルコキシ−２−ピリジル）メチル］チオ｝
−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を得る。
ル｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の合成中間体と
して有用な２−｛［（２−ピリジル）メチル］チオ｝−
１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を、短工程で効率良く
製造する。 【解決手段】有機リチウム化合物存在下、２−メチルチ
オ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体と、４−ハロゲン
−２−スルホニルピリジン誘導体を反応させることによ
って、２−｛［（４−ハロゲノ−２−ピリジル）メチ
ル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を得る。
更に金属アルコキシドと反応させることにより、２−
｛［（４−アルコキシ−２−ピリジル）メチル］チオ｝
−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は２−｛［（２−ピリ
ジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導
体の製造方法に関する。本発明によって得られる２−
｛［（２−ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイ
ミダゾール誘導体は、例えば抗潰瘍剤として有用なオメ
プラゾール関連化合物である２−｛［（２−ピリジル）
メチル］スルフィニル｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘
導体の中間体として有用である。
ジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導
体の製造方法に関する。本発明によって得られる２−
｛［（２−ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイ
ミダゾール誘導体は、例えば抗潰瘍剤として有用なオメ
プラゾール関連化合物である２−｛［（２−ピリジル）
メチル］スルフィニル｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘
導体の中間体として有用である。
【０００２】
【従来の技術】２−｛［（２−ピリジル）メチル］チ
オ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の製造方法とし
ては、２−ハロメチルピリジン誘導体を２−メルカプト
−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の金属塩と反応させ
る方法が知られており、これを酸化すると２−｛［（２
−ピリジル）メチル］スルフィニル｝−１Ｈ−ベンズイ
ミダゾール誘導体を得ることができる（特開昭５４−１
４１７８３号公報参照）。この方法で原料として使用す
る２−ハロメチルピリジン誘導体は、２，３，５−トリ
メチルピリジンを出発原料として多段階を経て製造され
る（例えば特開昭６３−５３９８７号公報、特開平５−
７０４３４号公報参照）。
オ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の製造方法とし
ては、２−ハロメチルピリジン誘導体を２−メルカプト
−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の金属塩と反応させ
る方法が知られており、これを酸化すると２−｛［（２
−ピリジル）メチル］スルフィニル｝−１Ｈ−ベンズイ
ミダゾール誘導体を得ることができる（特開昭５４−１
４１７８３号公報参照）。この方法で原料として使用す
る２−ハロメチルピリジン誘導体は、２，３，５−トリ
メチルピリジンを出発原料として多段階を経て製造され
る（例えば特開昭６３−５３９８７号公報、特開平５−
７０４３４号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】２−｛［（２−ピリジ
ル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体
を製造する従来法では、原料の２−ハロメチルピリジン
誘導体の製造に多段階を要しており、効率的な生産方法
とは言えない。また、２−ハロメチルピリジン誘導体は
保存安定性が低く、合成後直ちに次の反応に用いる必然
性があるという問題点があった。
ル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体
を製造する従来法では、原料の２−ハロメチルピリジン
誘導体の製造に多段階を要しており、効率的な生産方法
とは言えない。また、２−ハロメチルピリジン誘導体は
保存安定性が低く、合成後直ちに次の反応に用いる必然
性があるという問題点があった。
【０００４】しかして、本発明の目的は、２−｛［（２
−ピリジル）メチル］スルフィニル｝−１Ｈ−ベンズイ
ミダゾール誘導体の前駆体である２−｛［（２−ピリジ
ル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体
を、短工程で効率よく合成できる新規な製法を提供する
ことにある。
−ピリジル）メチル］スルフィニル｝−１Ｈ−ベンズイ
ミダゾール誘導体の前駆体である２−｛［（２−ピリジ
ル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体
を、短工程で効率よく合成できる新規な製法を提供する
ことにある。
【０００５】本発明者らは、２−ハロメチルピリジン誘
導体を原料としない２−｛［（２−ピリジル）メチル］
チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の製造方法に
ついて鋭意検討を行なった結果、有機リチウム化合物の
存在下、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘
導体を２−スルホニルピリジン誘導体と反応させると、
１段階でかつ収率良く２−｛［（２−ピリジル）メチ
ル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール骨格を形成でき
ることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成し
た。
導体を原料としない２−｛［（２−ピリジル）メチル］
チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の製造方法に
ついて鋭意検討を行なった結果、有機リチウム化合物の
存在下、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘
導体を２−スルホニルピリジン誘導体と反応させると、
１段階でかつ収率良く２−｛［（２−ピリジル）メチ
ル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール骨格を形成でき
ることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成し
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、 一般式（ＩＩＩ）
【０００７】
【化１６】
【０００８】（式中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、置
換基を有してもよいアルキル基、アルケニル基、アリー
ル基、アラルキル基またはアルコキシル基を表し、Ｒ1
は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基また
はアリール基を表し、Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、
置換基を有していてもよいアルキル基またはアリール基
を表し、Ｒ3はハロゲン原子を表し、Ｒ4は水素原子、ハ
ロゲン原子、アルコキシル基、アルキルチオ基、シアノ
基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、保護され
た置換されていてもよいアミノ基、置換基を有していて
もよいアルキル基またはアリール基を表す。）で示され
る２−｛［（４−ハロゲノ−２−ピリジル）メチル］チ
オ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（以下、ハロゲ
ノピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導
体（ＩＩＩ）と略称する）を一般式（ＩＶ） Ｒ6ＯＭ （ＩＶ） （式中、Ｒ6はアルキル基を表し、Ｍはアルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属を表す。）で示される金属アルコ
キシド（以下、金属アルコキシド（ＩＶ）と略称する）
と反応させることを特徴とする一般式（Ｖ）
換基を有してもよいアルキル基、アルケニル基、アリー
ル基、アラルキル基またはアルコキシル基を表し、Ｒ1
は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基また
はアリール基を表し、Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、
置換基を有していてもよいアルキル基またはアリール基
を表し、Ｒ3はハロゲン原子を表し、Ｒ4は水素原子、ハ
ロゲン原子、アルコキシル基、アルキルチオ基、シアノ
基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、保護され
た置換されていてもよいアミノ基、置換基を有していて
もよいアルキル基またはアリール基を表す。）で示され
る２−｛［（４−ハロゲノ−２−ピリジル）メチル］チ
オ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（以下、ハロゲ
ノピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導
体（ＩＩＩ）と略称する）を一般式（ＩＶ） Ｒ6ＯＭ （ＩＶ） （式中、Ｒ6はアルキル基を表し、Ｍはアルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属を表す。）で示される金属アルコ
キシド（以下、金属アルコキシド（ＩＶ）と略称する）
と反応させることを特徴とする一般式（Ｖ）
【０００９】
【化１７】
【００１０】（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ6およびＸは前
記定義の通りである。）で示される２−｛［（４−アル
コキシ−２−ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズ
イミダゾール誘導体（以下、アルコキシピリジルメチル
チオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）と略称す
る）の製造方法、 有機リチウム化合物の存在下、一般式（Ｉ）
記定義の通りである。）で示される２−｛［（４−アル
コキシ−２−ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズ
イミダゾール誘導体（以下、アルコキシピリジルメチル
チオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）と略称す
る）の製造方法、 有機リチウム化合物の存在下、一般式（Ｉ）
【００１１】
【化１８】
【００１２】（式中、Ｘは前記定義の通りである。）で
示される２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘
導体（以下、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾー
ル誘導体（Ｉ）と略称する）を、一般式（ＩＩ）
示される２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘
導体（以下、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾー
ル誘導体（Ｉ）と略称する）を、一般式（ＩＩ）
【００１３】
【化１９】
【００１４】（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は前記定
義の通りであり、Ｒ5は置換基を有していてもよいアル
キル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキ
ル基を表す。）で示される４−ハロゲノ−２−スルホニ
ルピリジン誘導体（以下、４−ハロゲノ−２−スルホニ
ルピリジン誘導体（ＩＩ）と略称する）と反応させるこ
とによってハロゲノピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズ
イミダゾール誘導体（ＩＩＩ）を得、得られたハロゲノ
ピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体
（ＩＩＩ）を金属アルコキシド（ＩＶ）と反応させるこ
とを特徴とするアルコキシピリジルメチルチオ−１Ｈ−
ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）の製造方法、 有機リチウム化合物の存在下、２−メチルチオ−１Ｈ
−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）を、４−ハロゲノ−
２−スルホニルピリジン誘導体（ＩＩ）と反応させるこ
とを特徴とするハロゲノピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベ
ンズイミダゾール誘導体（ＩＩＩ）の製造方法、 有機リチウム化合物の存在下、２−メチルチオ−１Ｈ
−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）を、一般式（ＶＩＩ
Ｉ）
義の通りであり、Ｒ5は置換基を有していてもよいアル
キル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキ
ル基を表す。）で示される４−ハロゲノ−２−スルホニ
ルピリジン誘導体（以下、４−ハロゲノ−２−スルホニ
ルピリジン誘導体（ＩＩ）と略称する）と反応させるこ
とによってハロゲノピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズ
イミダゾール誘導体（ＩＩＩ）を得、得られたハロゲノ
ピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体
（ＩＩＩ）を金属アルコキシド（ＩＶ）と反応させるこ
とを特徴とするアルコキシピリジルメチルチオ−１Ｈ−
ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）の製造方法、 有機リチウム化合物の存在下、２−メチルチオ−１Ｈ
−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）を、４−ハロゲノ−
２−スルホニルピリジン誘導体（ＩＩ）と反応させるこ
とを特徴とするハロゲノピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベ
ンズイミダゾール誘導体（ＩＩＩ）の製造方法、 有機リチウム化合物の存在下、２−メチルチオ−１Ｈ
−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）を、一般式（ＶＩＩ
Ｉ）
【００１５】
【化２０】
【００１６】（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は
前記定義の通りである）で示される４−アルコキシ−２
−スルホニルピリジン誘導体（以下、４−アルコキシ−
２−スルホニルピリジン誘導体（ＶＩＩＩ）と略称す
る）と反応させることを特徴とするアルコキシピリジル
メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）の
製造方法、 一般式（ＩＩＩ）に包含される一般式（ＩＩＩ−１）
前記定義の通りである）で示される４−アルコキシ−２
−スルホニルピリジン誘導体（以下、４−アルコキシ−
２−スルホニルピリジン誘導体（ＶＩＩＩ）と略称す
る）と反応させることを特徴とするアルコキシピリジル
メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）の
製造方法、 一般式（ＩＩＩ）に包含される一般式（ＩＩＩ−１）
【００１７】
【化２１】
【００１８】(式中、Ｘは上記定義の通りである）で示
される２−｛［（４−クロロ−３，５−ジメチル−２−
ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール
誘導体、および 一般式（ＶＩＩＩ）に包含される一般式（ＶＩＩＩ−
１）
される２−｛［（４−クロロ−３，５−ジメチル−２−
ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール
誘導体、および 一般式（ＶＩＩＩ）に包含される一般式（ＶＩＩＩ−
１）
【００１９】
【化２２】
【００２０】(式中、Ｒ5は前記定義の通りである。）で
示される４−メトキシ−３，５−ジメチル−２−スルホ
ニルピリジン誘導体を提供することにより達成される。
示される４−メトキシ−３，５−ジメチル−２−スルホ
ニルピリジン誘導体を提供することにより達成される。
【００２１】
【発明の実施の形態】Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＸがそ
れぞれ表すアルキル基としては、例えばメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ
チル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基などの直鎖状
または分岐状のアルキル基が挙げられる。これらのアル
キル基は置換基を有していてもよく、かかる置換基とし
ては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素
原子などのハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシル基；水酸
基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、ｔｅｒ
ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基などの三置換シリ
ルオキシ基；ニトロ基などが挙げられる。
れぞれ表すアルキル基としては、例えばメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ
チル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基などの直鎖状
または分岐状のアルキル基が挙げられる。これらのアル
キル基は置換基を有していてもよく、かかる置換基とし
ては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素
原子などのハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシル基；水酸
基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、ｔｅｒ
ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基などの三置換シリ
ルオキシ基；ニトロ基などが挙げられる。
【００２２】Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＸがそれぞれ表
すアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基
などが挙げられる。これらのアリール基は置換基を有し
ていてもよく、かかる置換基としては、例えば塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子などのハロゲン
原子；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などのアルコキシル基；メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などのアルキル基；水酸基；ｔｅｒｔ
−ブチルジメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジ
フェニルシリルオキシ基などの三置換シリルオキシ基；
ニトロ基；フェニル基、ｐ−メトキシフェニル基などの
アリール基などが挙げられる。
すアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基
などが挙げられる。これらのアリール基は置換基を有し
ていてもよく、かかる置換基としては、例えば塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子などのハロゲン
原子；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などのアルコキシル基；メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などのアルキル基；水酸基；ｔｅｒｔ
−ブチルジメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジ
フェニルシリルオキシ基などの三置換シリルオキシ基；
ニトロ基；フェニル基、ｐ−メトキシフェニル基などの
アリール基などが挙げられる。
【００２３】Ｒ4が表すアルコキシル基としては、例え
ばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、フェノキシ基などが挙げられ、アルキルチオ基とし
ては、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、ブチルチオ基などが挙げられ、アシロキシ基とし
ては、例えばアセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ブ
タノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基などの脂肪族または芳香族アシロキシ基などが挙
げられ、アルコキシカルボニル基としては、例えばメト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキ
シカルボニル基などが挙げられ、保護された置換されて
いてもよいアミノ基としては、例えばアセチル基、ベン
ゾイル基、ベンゼンスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル基などの保護基で保護された、メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などのアルキル基などで
置換されていてもよいアミノ基が挙げられる。
ばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、フェノキシ基などが挙げられ、アルキルチオ基とし
ては、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、ブチルチオ基などが挙げられ、アシロキシ基とし
ては、例えばアセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ブ
タノイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基などの脂肪族または芳香族アシロキシ基などが挙
げられ、アルコキシカルボニル基としては、例えばメト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキ
シカルボニル基などが挙げられ、保護された置換されて
いてもよいアミノ基としては、例えばアセチル基、ベン
ゾイル基、ベンゼンスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル基などの保護基で保護された、メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などのアルキル基などで
置換されていてもよいアミノ基が挙げられる。
【００２４】Ｒ5が表すシクロアルキル基としては、例
えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基などが挙げられる。これらのシクロアルキル基は
置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例
えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子など
のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシル基；水酸基；ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチル
ジフェニルシリルオキシ基などの三置換シリルオキシ
基；ニトロ基；フェニル基、ｐ−メトキシフェニル基な
どのアリール基などが挙げられる。
えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基などが挙げられる。これらのシクロアルキル基は
置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例
えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子など
のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシル基；水酸基；ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチル
ジフェニルシリルオキシ基などの三置換シリルオキシ
基；ニトロ基；フェニル基、ｐ−メトキシフェニル基な
どのアリール基などが挙げられる。
【００２５】Ｒ5が表すアラルキル基としては、例えば
ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。これらの
アラルキル基は置換基を有していてもよく、かかる置換
基としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、
フッ素原子などのハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシル基；
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基；水酸基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基など
の三置換シリルオキシ基；ニトロ基；フェニル基、ｐ−
メトキシフェニル基などのアリール基などが挙げられ
る。
ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。これらの
アラルキル基は置換基を有していてもよく、かかる置換
基としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、
フッ素原子などのハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシル基；
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基；水酸基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基など
の三置換シリルオキシ基；ニトロ基；フェニル基、ｐ−
メトキシフェニル基などのアリール基などが挙げられ
る。
【００２６】Ｘが表すアルケニル基としては、例えばビ
ニル基、プロペニル基、メタリル基、ブテニル基、プレ
ニル基、オクテニル基などが挙げられ、アルコキシル基
としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポ
キシル基などが挙げられる。これらのアルケニル基およ
びアルコキシル基は置換基を有していてもよく、かかる
置換基としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子、フッ素原子などのハロゲン原子；メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシル
基；水酸基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基などの
三置換シリルオキシ基；ニトロ基；フェニル基、ｐ−メ
トキシフェニル基などのアリール基などが挙げられる。
ニル基、プロペニル基、メタリル基、ブテニル基、プレ
ニル基、オクテニル基などが挙げられ、アルコキシル基
としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポ
キシル基などが挙げられる。これらのアルケニル基およ
びアルコキシル基は置換基を有していてもよく、かかる
置換基としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子、フッ素原子などのハロゲン原子；メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシル
基；水酸基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基などの
三置換シリルオキシ基；ニトロ基；フェニル基、ｐ−メ
トキシフェニル基などのアリール基などが挙げられる。
【００２７】Ｘ、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4がそれぞれ表すハ
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子などが挙げられる。
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子などが挙げられる。
【００２８】Ｒ6が表すアルキル基としては、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチ
ル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基
などの直鎖状または分岐状のアルキル基が挙げられる。
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチ
ル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基
などの直鎖状または分岐状のアルキル基が挙げられる。
【００２９】Ｍが表すアルカリ金属としては、リチウ
ム、ナトリウム、カリウムなどが挙げられ、アルカリ土
類金属としては、マグネシウム、カルシウムなどが挙げ
られる。
ム、ナトリウム、カリウムなどが挙げられ、アルカリ土
類金属としては、マグネシウム、カルシウムなどが挙げ
られる。
【００３０】次に、本発明の製造方法を詳細に説明す
る。
る。
【００３１】工程１：有機リチウム化合物の存在下、２
−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）
を４−ハロゲノ−２−スルホニルピリジン誘導体（Ｉ
Ｉ）と反応させて、ハロゲノピリジルメチルチオ−１Ｈ
−ベンズイミダゾール誘導体（ＩＩＩ）を製造する工程
−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）
を４−ハロゲノ−２−スルホニルピリジン誘導体（Ｉ
Ｉ）と反応させて、ハロゲノピリジルメチルチオ−１Ｈ
−ベンズイミダゾール誘導体（ＩＩＩ）を製造する工程
【００３２】有機リチウム化合物としては、例えばメチ
ルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチ
ウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウ
ム化合物；フェニルリチウムなどのアリールリチウム化
合物；ビニルリチウムなどのアルケニルリチウム化合
物；リチウムジイソプロピルアミド、リチウムビストリ
メチルシリルアミドなどのリチウムアミド化合物などが
使用される。これらの中でもアルキルリチウム化合物を
用いるのが好ましい。有機リチウム化合物の使用量につ
いて厳密な意味での制限はないが、２−メチルチオ−１
Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）１モルに対して１
〜１０モルの範囲で用いるのが好ましく、反応を円滑に
進行させる観点からは、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズ
イミダゾール誘導体（Ｉ）１モルに対して２〜３モルの
範囲で使用することがより好ましい。
ルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチ
ウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウ
ム化合物；フェニルリチウムなどのアリールリチウム化
合物；ビニルリチウムなどのアルケニルリチウム化合
物；リチウムジイソプロピルアミド、リチウムビストリ
メチルシリルアミドなどのリチウムアミド化合物などが
使用される。これらの中でもアルキルリチウム化合物を
用いるのが好ましい。有機リチウム化合物の使用量につ
いて厳密な意味での制限はないが、２−メチルチオ−１
Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）１モルに対して１
〜１０モルの範囲で用いるのが好ましく、反応を円滑に
進行させる観点からは、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズ
イミダゾール誘導体（Ｉ）１モルに対して２〜３モルの
範囲で使用することがより好ましい。
【００３３】４−ハロゲノ−２−スルホニルピリジン誘
導体（ＩＩ）の使用量は、２−メチルチオ−１Ｈ−ベン
ズイミダゾール誘導体（Ｉ）１モルに対して１〜１０モ
ルの範囲が好ましく、１〜２モルの範囲がより好まし
い。
導体（ＩＩ）の使用量は、２−メチルチオ−１Ｈ−ベン
ズイミダゾール誘導体（Ｉ）１モルに対して１〜１０モ
ルの範囲が好ましく、１〜２モルの範囲がより好まし
い。
【００３４】反応は、溶媒の存在下に行うのが好まし
い。使用する溶媒は反応に悪影響を与えない限り特に限
定されるものではなく、例えばペンタン、ヘキサン、ヘ
プタン、オクタン、石油エーテルなどの脂肪族炭化水
素；ベンゼン、トルエン、キシレン、クメンなどの芳香
族炭化水素；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、ジブチル
エーテルなどのエーテルなどが挙げられる。これらの溶
媒は１種類を単独で用いてもよいし２種類以上を混合し
て用いても何ら差し支えない。溶媒の使用量は、２−メ
チルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）に対
して０．５〜５０倍重量の範囲が好ましく、３〜２０倍
重量の範囲がより好ましい。
い。使用する溶媒は反応に悪影響を与えない限り特に限
定されるものではなく、例えばペンタン、ヘキサン、ヘ
プタン、オクタン、石油エーテルなどの脂肪族炭化水
素；ベンゼン、トルエン、キシレン、クメンなどの芳香
族炭化水素；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、ジブチル
エーテルなどのエーテルなどが挙げられる。これらの溶
媒は１種類を単独で用いてもよいし２種類以上を混合し
て用いても何ら差し支えない。溶媒の使用量は、２−メ
チルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）に対
して０．５〜５０倍重量の範囲が好ましく、３〜２０倍
重量の範囲がより好ましい。
【００３５】また、反応を温和な条件で進行させる目的
で、反応系にさらにトリエチルアミン、トリブチルアミ
ン、トリオクチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメ
チルエチレンジアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．
２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．
０］−７−ウンデセンなどの３級アミン化合物を加えて
もよい。中でも１，４−ジアザ［２．２．２］ビシクロ
オクタンが好ましい。３級アミン化合物を加える場合、
その使用量には特に制限はないが、上記目的を達成する
観点からは、有機リチウム化合物１モルに対して１モル
以上が好ましく、１〜２モルの範囲がより好ましい。
で、反応系にさらにトリエチルアミン、トリブチルアミ
ン、トリオクチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメ
チルエチレンジアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．
２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．
０］−７−ウンデセンなどの３級アミン化合物を加えて
もよい。中でも１，４−ジアザ［２．２．２］ビシクロ
オクタンが好ましい。３級アミン化合物を加える場合、
その使用量には特に制限はないが、上記目的を達成する
観点からは、有機リチウム化合物１モルに対して１モル
以上が好ましく、１〜２モルの範囲がより好ましい。
【００３６】反応温度は、−１００℃から使用する溶媒
の沸点までの範囲を適宜選択することができ、−５０〜
０℃の範囲がより好ましい。
の沸点までの範囲を適宜選択することができ、−５０〜
０℃の範囲がより好ましい。
【００３７】本反応は例えば次のようにして実施され
る。すなわち、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾ
ール誘導体（Ｉ）と溶媒を混合して所定温度とし、これ
に有機リチウム化合物の溶液を滴下し、続いて溶媒に溶
解した４−ハロゲノ−２−スルホニルピリジン誘導体
（ＩＩ）を所定温度で滴下し、その後、同温度で２−メ
チルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）が消
失するまで反応混合物を攪拌することにより行う。３級
アミン化合物を加える場合は、有機リチウム化合物の溶
液を滴下する前に加えるのが好ましい。
る。すなわち、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾ
ール誘導体（Ｉ）と溶媒を混合して所定温度とし、これ
に有機リチウム化合物の溶液を滴下し、続いて溶媒に溶
解した４−ハロゲノ−２−スルホニルピリジン誘導体
（ＩＩ）を所定温度で滴下し、その後、同温度で２−メ
チルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ）が消
失するまで反応混合物を攪拌することにより行う。３級
アミン化合物を加える場合は、有機リチウム化合物の溶
液を滴下する前に加えるのが好ましい。
【００３８】このようにして得られたハロゲノピリジル
メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（ＩＩ
Ｉ）は、通常の有機化合物の単離・精製に用いられる方
法により単離・精製することができる。例えば、反応液
に水を加えて有機層を分離し、水層を有機溶剤で抽出
し、抽出液と有機層を合わせて乾燥後、濃縮して得られ
る生成物を必要に応じて再結晶、クロマトグラフィ等に
よりさらに精製することにより行う。また、この生成物
を精製せず、そのまま次に述べる第２工程に用いてもよ
い。
メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（ＩＩ
Ｉ）は、通常の有機化合物の単離・精製に用いられる方
法により単離・精製することができる。例えば、反応液
に水を加えて有機層を分離し、水層を有機溶剤で抽出
し、抽出液と有機層を合わせて乾燥後、濃縮して得られ
る生成物を必要に応じて再結晶、クロマトグラフィ等に
よりさらに精製することにより行う。また、この生成物
を精製せず、そのまま次に述べる第２工程に用いてもよ
い。
【００３９】第２工程：ハロゲノピリジルメチルチオ−
１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（ＩＩＩ） を金属ア
ルコキシド（ＩＶ）と反応させてアルコキシピリジルメ
チルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）を製
造する工程
１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（ＩＩＩ） を金属ア
ルコキシド（ＩＶ）と反応させてアルコキシピリジルメ
チルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）を製
造する工程
【００４０】金属アルコキシド（ＩＶ）としては、例え
ばナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリ
ウムメトキシド、リチウムメトキシド、ナトリウムイソ
プロポキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、マグネ
シウムジメトキシド、カルシウムジメトキシドなどが使
用され、なかでもナトリウムメトキシドが特に好まし
い。金属アルコキシド（ＩＶ）の使用量は、ハロゲノピ
リジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体
（ＩＩＩ）１モルに対して０．１〜１０モルの範囲が好
ましく、１〜２モルの範囲が特に好ましい。
ばナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリ
ウムメトキシド、リチウムメトキシド、ナトリウムイソ
プロポキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、マグネ
シウムジメトキシド、カルシウムジメトキシドなどが使
用され、なかでもナトリウムメトキシドが特に好まし
い。金属アルコキシド（ＩＶ）の使用量は、ハロゲノピ
リジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体
（ＩＩＩ）１モルに対して０．１〜１０モルの範囲が好
ましく、１〜２モルの範囲が特に好ましい。
【００４１】反応は、溶媒の存在下に行うのが好まし
い。使用する溶媒は反応に悪影響を与えない限り特に限
定されるものではなく、例えばメタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノールなどのア
ルコール；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、
石油エーテルなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、クメンなどの芳香族炭化水素；ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテ
ル、ジメトキシエタン、ジブチルエーテルなどのエーテ
ル；ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドなどの非プロトン性溶媒などが挙げられる。これら
の溶媒は１種類を単独で用いてもよいし２種類以上を混
合して用いても何ら差し支えない。溶媒の使用量は、ハ
ロゲノピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール
誘導体（ＩＩＩ）に対して０．５〜５０倍重量の範囲が
好ましく、３〜１０倍重量の範囲がより好ましい。
い。使用する溶媒は反応に悪影響を与えない限り特に限
定されるものではなく、例えばメタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノールなどのア
ルコール；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、
石油エーテルなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、クメンなどの芳香族炭化水素；ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテ
ル、ジメトキシエタン、ジブチルエーテルなどのエーテ
ル；ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドなどの非プロトン性溶媒などが挙げられる。これら
の溶媒は１種類を単独で用いてもよいし２種類以上を混
合して用いても何ら差し支えない。溶媒の使用量は、ハ
ロゲノピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール
誘導体（ＩＩＩ）に対して０．５〜５０倍重量の範囲が
好ましく、３〜１０倍重量の範囲がより好ましい。
【００４２】反応温度は、２０℃から使用する溶媒の沸
点までの範囲を適宜選択することができ、３０〜１００
℃の範囲がより好ましい。
点までの範囲を適宜選択することができ、３０〜１００
℃の範囲がより好ましい。
【００４３】本反応は、例えば次のようにして実施され
る。すなわち、所定量のハロゲノピリジルメチルチオ−
１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（ＩＩＩ）、金属アル
コキシド（ＩＶ）および溶媒を混合し、 ハロゲノピリ
ジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ
ＩＩ）が消失するまで所定温度で攪拌して行う。
る。すなわち、所定量のハロゲノピリジルメチルチオ−
１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（ＩＩＩ）、金属アル
コキシド（ＩＶ）および溶媒を混合し、 ハロゲノピリ
ジルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｉ
ＩＩ）が消失するまで所定温度で攪拌して行う。
【００４４】このようにして得られたアルコキシピリジ
ルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）
は、通常の有機化合物の単離・精製に用いられる方法に
より単離・精製することができる。例えば、反応液に水
を加えて有機層を分離し、水層を有機溶剤で抽出し、抽
出液と有機層を合わせて乾燥後、濃縮して得られる粗生
成物を必要に応じて再結晶、クロマトグラフィ等により
さらに精製することにより行う。
ルメチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）
は、通常の有機化合物の単離・精製に用いられる方法に
より単離・精製することができる。例えば、反応液に水
を加えて有機層を分離し、水層を有機溶剤で抽出し、抽
出液と有機層を合わせて乾燥後、濃縮して得られる粗生
成物を必要に応じて再結晶、クロマトグラフィ等により
さらに精製することにより行う。
【００４５】また、アルコキシピリジルメチルチオ−１
Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）は、有機リチウム
化合物の存在下、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダ
ゾール誘導体（Ｉ）を４−アルコキシ−２−スルホニル
ピリジン誘導体（ＶＩＩＩ）と工程１に述べた方法と同
様の条件下で反応させることによっても収率良く得るこ
とができる。
Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体（Ｖ）は、有機リチウム
化合物の存在下、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダ
ゾール誘導体（Ｉ）を４−アルコキシ−２−スルホニル
ピリジン誘導体（ＶＩＩＩ）と工程１に述べた方法と同
様の条件下で反応させることによっても収率良く得るこ
とができる。
【００４６】アルコキシピリジルメチルチオ−１Ｈ−ベ
ンズイミダゾール誘導体（Ｖ）は、酸化反応により、オ
メプラゾール（２−｛２−［（３，５−ジメチル−４−
メトキシピリジル）メチル］スルフィニル｝−（５−メ
トキシ）−１Ｈ−ベンズイミダゾール）に代表される２
−｛［（４−アルコキシ−２−ピリジル）メチル］スル
フィニル｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体へ容易に
変換することができる。
ンズイミダゾール誘導体（Ｖ）は、酸化反応により、オ
メプラゾール（２−｛２−［（３，５−ジメチル−４−
メトキシピリジル）メチル］スルフィニル｝−（５−メ
トキシ）−１Ｈ−ベンズイミダゾール）に代表される２
−｛［（４−アルコキシ−２−ピリジル）メチル］スル
フィニル｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体へ容易に
変換することができる。
【００４７】なお、本発明で用いる４−ハロゲノ−２−
スルホニルピリジン誘導体（ＩＩ）は、一般式（ＶＩ）
スルホニルピリジン誘導体（ＩＩ）は、一般式（ＶＩ）
【００４８】
【化２３】
【００４９】（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は前記定
義の通りである。）で示されるα，β−不飽和カルボニ
ル化合物（以下、α，β−不飽和カルボニル化合物（Ｖ
Ｉ）と略称する）を、一般式（ＶＩＩ） Ｒ5ＳＯ2ＣＮ （ＶＩＩ） （式中、Ｒ5は前記定義の通りである。）で示される有
機スルホニルシアニド（以下、スルホニルシアニド（Ｖ
ＩＩ）と略称する）と反応させることにより、簡便に収
率良く合成できる。
義の通りである。）で示されるα，β−不飽和カルボニ
ル化合物（以下、α，β−不飽和カルボニル化合物（Ｖ
Ｉ）と略称する）を、一般式（ＶＩＩ） Ｒ5ＳＯ2ＣＮ （ＶＩＩ） （式中、Ｒ5は前記定義の通りである。）で示される有
機スルホニルシアニド（以下、スルホニルシアニド（Ｖ
ＩＩ）と略称する）と反応させることにより、簡便に収
率良く合成できる。
【００５０】原料として用いるα，β−不飽和カルボニ
ル化合物（ＶＩ）およびスルホニルシアニド（ＶＩＩ）
はいずれも公知化合物であり、容易に入手あるいは製造
することができる。例えば、α，β−不飽和カルボニル
化合物（ＶＩ）はアルドール縮合反応により合成可能で
ある（例えば特開平９−５９２０１号および特開昭６３
−１３５３５６号公報参照）。また、スルホニルシアニ
ド（ＶＩＩ）は対応するスルフィン酸金属塩とハロゲン
化シアンを反応させて製造できる［オーガニック シン
セシス(Organic Synthesis)、６巻、７２７頁（１９８
８年）参照］。
ル化合物（ＶＩ）およびスルホニルシアニド（ＶＩＩ）
はいずれも公知化合物であり、容易に入手あるいは製造
することができる。例えば、α，β−不飽和カルボニル
化合物（ＶＩ）はアルドール縮合反応により合成可能で
ある（例えば特開平９−５９２０１号および特開昭６３
−１３５３５６号公報参照）。また、スルホニルシアニ
ド（ＶＩＩ）は対応するスルフィン酸金属塩とハロゲン
化シアンを反応させて製造できる［オーガニック シン
セシス(Organic Synthesis)、６巻、７２７頁（１９８
８年）参照］。
【００５１】また、２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミ
ダゾール誘導体（Ｉ）は、一般式（ＩＸ）
ダゾール誘導体（Ｉ）は、一般式（ＩＸ）
【００５２】
【化２４】
【００５３】（式中、Ｘは前記定義の通りである）で示
されるフェニレンジアミン誘導体を亜鉛金属と酸の存在
下、二硫化炭素と反応させることにより２−メルカプト
−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を得（例えば特開平
６−２７９４１６号公報参照）、次いで該２−メルカプ
ト−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体をメチル化するこ
とによって簡便に合成できる。
されるフェニレンジアミン誘導体を亜鉛金属と酸の存在
下、二硫化炭素と反応させることにより２−メルカプト
−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を得（例えば特開平
６−２７９４１６号公報参照）、次いで該２−メルカプ
ト−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体をメチル化するこ
とによって簡便に合成できる。
【００５４】さらに、４−アルコキシ−２−スルホニル
ピリジン誘導体（ＶＩＩＩ）は、一般式（Ｘ）
ピリジン誘導体（ＶＩＩＩ）は、一般式（Ｘ）
【００５５】
【化２５】
【００５６】（式中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ6は前記定義の
通りであり、Ｙはアシロキシ基を表す。）で示されるジ
エン化合物をスルホニルシアニド（ＶＩＩ）と反応させ
ることにより製造することができる。
通りであり、Ｙはアシロキシ基を表す。）で示されるジ
エン化合物をスルホニルシアニド（ＶＩＩ）と反応させ
ることにより製造することができる。
【００５７】なお、Ｙが表すアシロキシ基としては、ア
セトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ
基などを例示できる。
セトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ
基などを例示できる。
【００５８】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
【００５９】参考例１ 温度計、メカニカルスターラ、滴下漏斗を装備した内容
積３００ｍｌの３口フラスコに、２−メルカプト−５−
メトキシ−１Ｈ−ベンズイミダゾール１８．００ｇ（１
００ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム１６．８３ｇ（３００
ｍｍｏｌ）、エタノール７５ｍｌおよび水５０ｍｌを加
え、５℃に冷却した。この溶液に、ヨードメタン１５．
００ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を内温を１０℃以下を保ちな
がら３０分間で滴下し、その後、１０℃以下で２時間攪
拌した。反応液を２規定の塩酸水溶液で中和した後、エ
タノールを減圧下に除去すると無色固体が析出した。こ
の固体を濾過して減圧下で乾燥し、２−メチルチオ−５
−メトキシ−１Ｈ−ベンズイミダゾール１９．１９ｇを
得た（収率９８．９％）。
積３００ｍｌの３口フラスコに、２−メルカプト−５−
メトキシ−１Ｈ−ベンズイミダゾール１８．００ｇ（１
００ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム１６．８３ｇ（３００
ｍｍｏｌ）、エタノール７５ｍｌおよび水５０ｍｌを加
え、５℃に冷却した。この溶液に、ヨードメタン１５．
００ｇ（１０５ｍｍｏｌ）を内温を１０℃以下を保ちな
がら３０分間で滴下し、その後、１０℃以下で２時間攪
拌した。反応液を２規定の塩酸水溶液で中和した後、エ
タノールを減圧下に除去すると無色固体が析出した。こ
の固体を濾過して減圧下で乾燥し、２−メチルチオ−５
−メトキシ−１Ｈ−ベンズイミダゾール１９．１９ｇを
得た（収率９８．９％）。
【００６０】参考例２ 温度計、メカニカルスターラ、滴下漏斗を装備した内容
積３００ｍｌの３口フラスコに、３−ペンタノン４３．
１１ｇ（５０．１ｍｍｏｌ）、メタノール４３．１１ｇ
（１．３５ｍｍｏｌ）およびパラトルエンスルホン酸１
水和物０．４３ｇ（２．２６ｍｍｏｌ）を加え、５℃に
冷却した。この溶液にオルト酢酸トリメチル６３．０３
ｇ（５２５ｍｍｏｌ）を内温１０℃以下を保ちながら９
０分間で滴下した。その後、反応混合液を室温まで昇温
して２時間攪拌した。この反応混合液を２５％ナトリウ
ムメトキシド（メタノール溶液）１．０ｇ（４．６３ｍ
ｍｏｌ）で中和したのち、そのまま減圧蒸留することに
より３，３−ジメトキシペンタン５９．３４ｇを得た
（沸点：５５〜５７℃/５０torr、収率ほぼ１００
％）。次いで、温度計、メカニカルスターラ、滴下漏斗
を装備した内容積３００ｍｌの３口フラスコにＮ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド１５０．５８ｇ（２．０６ｍｏ
ｌ）を入れ、２０℃に保ちながらオキシ塩化リン７７ｍ
ｌ（０．８３ｍｏｌ）を滴下し、上記で得られた３，３
−ジメトキシペンタン５０．００ｇ（０．３８ｍｏｌ）
を３０℃以下に保ちながら滴下した。滴下終了後４０℃
で３０分間攪拌して室温まで冷却し、この反応液を１５
％炭酸水素ナトリウム水溶液１５００ｍｌ中に１０℃以
下に内温を保ちながら滴下し、その後室温で１時間攪拌
した。この混合物を酢酸エチル５００ｍｌで３回抽出
し、抽出液をあわせて無水硫酸マグネシウムで乾燥後、
溶媒を減圧下に除去し、得られた生成物をさらに減圧蒸
留して（Ｅ，Ｚ）−３−メトキシ−２−メチル−２−ペ
ンテナール２９．３２ｇを得た（沸点：７５〜８０℃／
１２torr、３，３−ジメトキシペンタン基準で収率６
１．２％）。
積３００ｍｌの３口フラスコに、３−ペンタノン４３．
１１ｇ（５０．１ｍｍｏｌ）、メタノール４３．１１ｇ
（１．３５ｍｍｏｌ）およびパラトルエンスルホン酸１
水和物０．４３ｇ（２．２６ｍｍｏｌ）を加え、５℃に
冷却した。この溶液にオルト酢酸トリメチル６３．０３
ｇ（５２５ｍｍｏｌ）を内温１０℃以下を保ちながら９
０分間で滴下した。その後、反応混合液を室温まで昇温
して２時間攪拌した。この反応混合液を２５％ナトリウ
ムメトキシド（メタノール溶液）１．０ｇ（４．６３ｍ
ｍｏｌ）で中和したのち、そのまま減圧蒸留することに
より３，３−ジメトキシペンタン５９．３４ｇを得た
（沸点：５５〜５７℃/５０torr、収率ほぼ１００
％）。次いで、温度計、メカニカルスターラ、滴下漏斗
を装備した内容積３００ｍｌの３口フラスコにＮ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド１５０．５８ｇ（２．０６ｍｏ
ｌ）を入れ、２０℃に保ちながらオキシ塩化リン７７ｍ
ｌ（０．８３ｍｏｌ）を滴下し、上記で得られた３，３
−ジメトキシペンタン５０．００ｇ（０．３８ｍｏｌ）
を３０℃以下に保ちながら滴下した。滴下終了後４０℃
で３０分間攪拌して室温まで冷却し、この反応液を１５
％炭酸水素ナトリウム水溶液１５００ｍｌ中に１０℃以
下に内温を保ちながら滴下し、その後室温で１時間攪拌
した。この混合物を酢酸エチル５００ｍｌで３回抽出
し、抽出液をあわせて無水硫酸マグネシウムで乾燥後、
溶媒を減圧下に除去し、得られた生成物をさらに減圧蒸
留して（Ｅ，Ｚ）−３−メトキシ−２−メチル−２−ペ
ンテナール２９．３２ｇを得た（沸点：７５〜８０℃／
１２torr、３，３−ジメトキシペンタン基準で収率６
１．２％）。
【００６１】次に、温度計、メカニカルスターラ、滴下
漏斗を装備した内容積３００ｍｌの３口フラスコに、上
記で得られた（Ｅ，Ｚ）−３−メトキシ−２−メチル−
２−ペンテナール１８．１６ｇ（１４１．９ｍｍｏ
ｌ）、無水酢酸４４．５５ｇ（４３６．８ｍｍｏｌ）、
酢酸ナトリウム３．６１ｇ（４４．０ｍｍｏｌ）および
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１．８０ｇ（１４．７
ｍｍｏｌ）を加え、９０℃で７時間攪拌した。反応液を
９％炭酸水素ナトリウム水溶液６００ｍｌに滴下して中
和し、酢酸エチル２００ｍｌで３回抽出した。有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に除去
し、得られた生成物をさらに減圧蒸留して１−アセトキ
シ−３−メトキシ−２−メチル−１，３−ペンタジエン
１４．４０ｇを得た（沸点：３６℃／０．１５torr、
（Ｅ，Ｚ）−３−メトキシ−２−メチル−２−ペンテナ
ール基準で収率５９．７％）。
漏斗を装備した内容積３００ｍｌの３口フラスコに、上
記で得られた（Ｅ，Ｚ）−３−メトキシ−２−メチル−
２−ペンテナール１８．１６ｇ（１４１．９ｍｍｏ
ｌ）、無水酢酸４４．５５ｇ（４３６．８ｍｍｏｌ）、
酢酸ナトリウム３．６１ｇ（４４．０ｍｍｏｌ）および
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１．８０ｇ（１４．７
ｍｍｏｌ）を加え、９０℃で７時間攪拌した。反応液を
９％炭酸水素ナトリウム水溶液６００ｍｌに滴下して中
和し、酢酸エチル２００ｍｌで３回抽出した。有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に除去
し、得られた生成物をさらに減圧蒸留して１−アセトキ
シ−３−メトキシ−２−メチル−１，３−ペンタジエン
１４．４０ｇを得た（沸点：３６℃／０．１５torr、
（Ｅ，Ｚ）−３−メトキシ−２−メチル−２−ペンテナ
ール基準で収率５９．７％）。
【００６２】参考例３ 温度計、メカニカルスターラ、滴下漏斗を装備した内容
積５０ｍｌの３口フラスコに、参考例２で得られた１−
アセトキシ−３−メトキシ−２−メチル−１，３−ペン
タジエン１０．０ｇ（５８．８ｍｍｏｌ）、ベンゼンス
ルホニルシアニド９．８２ｇ（１００ｍｍｏｌ）および
ヒドロキノン０．１ｇを加え、１１０℃で３時間攪拌し
た。反応液を室温まで冷却後、溶媒を減圧下に除去し、
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒：酢酸エチル/ヘキサン＝１/３）で精製して２−ベン
ゼンスルホニル−４−メトキシ−３，５−ジメチルピリ
ジン７．７７ｇを得た（ベンゼンスルホニルシアニド基
準で収率４７．８％）。
積５０ｍｌの３口フラスコに、参考例２で得られた１−
アセトキシ−３−メトキシ−２−メチル−１，３−ペン
タジエン１０．０ｇ（５８．８ｍｍｏｌ）、ベンゼンス
ルホニルシアニド９．８２ｇ（１００ｍｍｏｌ）および
ヒドロキノン０．１ｇを加え、１１０℃で３時間攪拌し
た。反応液を室温まで冷却後、溶媒を減圧下に除去し、
残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒：酢酸エチル/ヘキサン＝１/３）で精製して２−ベン
ゼンスルホニル−４−メトキシ−３，５−ジメチルピリ
ジン７．７７ｇを得た（ベンゼンスルホニルシアニド基
準で収率４７．８％）。
【００６３】1H-NMRスペクトル (270MHz, CDCl3, TMS,
ppm) δ：2.27(s, 3H), 2.62(s, 3H),3.78(s, 3H), 7.5
5(dd, 2H，J=6.9Hz,7.4Hz), 7.63(dd, 2H，J=6.9Hz,7.4
Hz),7.99(d, 2H，J=7.4Hz), 8.20(s, 1H)
ppm) δ：2.27(s, 3H), 2.62(s, 3H),3.78(s, 3H), 7.5
5(dd, 2H，J=6.9Hz,7.4Hz), 7.63(dd, 2H，J=6.9Hz,7.4
Hz),7.99(d, 2H，J=7.4Hz), 8.20(s, 1H)
【００６４】実施例１ 温度計、メカニカルスターラ、滴下漏斗を装備した内容
積５００ｍｌの３口フラスコに、オキシ塩化リン１００
ｍｌ（１６４．５ｇ、１．０７ｍｏｌ）を加えて０℃に
冷却し、攪拌しながらＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１
２０ｍｌを１時間かけて滴下した。内温を０℃に維持し
て２時間攪拌し、この反応混合液に３−ペンタノン１０
０ｍｌ（８５．３ｇ、０．９９ｍｏｌ）を１時間かけて
滴下した。滴下終了後、内温を室温まで上昇させてさら
に２時間攪拌したのち、反応混合液を５００ｇの氷に滴
下した。この混合物を分液して有機層を分離し、水層を
酢酸エチル５００ｍｌで２回抽出した。抽出液と先の有
機層とを合わせて無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を減圧下に除去し、３−クロロ−２−メチル−２−ペン
テナール１３０．２ｇを得た（ほぼ１００％収率）。次
に、温度計、マグネチックスターラ、ディーンシュター
ク型水分定量受器、冷却管を装備した内容積５０ｍｌの
３口フラスコに、上記で得た３−クロロ−２−メチル−
２−ペンテナール１３．２５ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ベ
ンゼンスルホニルシアニド８．３５ｇ（５０．０ｍｍｏ
ｌ）を入れ、溶媒としてトルエン１５ｍｌおよびブタノ
ール０．７ｍｌを加え、続いてホウ酸トリブチル１．１
５ｇ（５．００ｍｍｏｌ）を添加した後、窒素雰囲気下
として内温１２２℃にて攪拌し、生成する水を分離除去
しながら４時間加熱還流した。この溶液を室温まで冷却
後、溶媒などの低沸成分を減圧下に除去し、氷浴中で冷
却して結晶を析出させた。この結晶をグラスフィルター
で濾過し、５℃以下に冷却したトルエン１０ｍｌで洗浄
後、真空ポンプで２時間真空乾燥し、淡黄色の結晶とし
て、下記の物性を有する２−ベンゼンスルホニル−４−
クロロ−３，５−ジメチルピリジン１３．０９ｇを得た
（純度９９％、ベンゼンスルホニルシアニド基準で収率
９３％）。
積５００ｍｌの３口フラスコに、オキシ塩化リン１００
ｍｌ（１６４．５ｇ、１．０７ｍｏｌ）を加えて０℃に
冷却し、攪拌しながらＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１
２０ｍｌを１時間かけて滴下した。内温を０℃に維持し
て２時間攪拌し、この反応混合液に３−ペンタノン１０
０ｍｌ（８５．３ｇ、０．９９ｍｏｌ）を１時間かけて
滴下した。滴下終了後、内温を室温まで上昇させてさら
に２時間攪拌したのち、反応混合液を５００ｇの氷に滴
下した。この混合物を分液して有機層を分離し、水層を
酢酸エチル５００ｍｌで２回抽出した。抽出液と先の有
機層とを合わせて無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を減圧下に除去し、３−クロロ−２−メチル−２−ペン
テナール１３０．２ｇを得た（ほぼ１００％収率）。次
に、温度計、マグネチックスターラ、ディーンシュター
ク型水分定量受器、冷却管を装備した内容積５０ｍｌの
３口フラスコに、上記で得た３−クロロ−２−メチル−
２−ペンテナール１３．２５ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ベ
ンゼンスルホニルシアニド８．３５ｇ（５０．０ｍｍｏ
ｌ）を入れ、溶媒としてトルエン１５ｍｌおよびブタノ
ール０．７ｍｌを加え、続いてホウ酸トリブチル１．１
５ｇ（５．００ｍｍｏｌ）を添加した後、窒素雰囲気下
として内温１２２℃にて攪拌し、生成する水を分離除去
しながら４時間加熱還流した。この溶液を室温まで冷却
後、溶媒などの低沸成分を減圧下に除去し、氷浴中で冷
却して結晶を析出させた。この結晶をグラスフィルター
で濾過し、５℃以下に冷却したトルエン１０ｍｌで洗浄
後、真空ポンプで２時間真空乾燥し、淡黄色の結晶とし
て、下記の物性を有する２−ベンゼンスルホニル−４−
クロロ−３，５−ジメチルピリジン１３．０９ｇを得た
（純度９９％、ベンゼンスルホニルシアニド基準で収率
９３％）。
【００６５】融点：９１〜９２℃1 H-NMRスペクトル (270MHz, CDCl3, TMS, ppm) d:2.38
(s, 3H), 2.79(s, 3H), 7.53-7.68(m, 3H), 7.97-8.00
(m, 2H), 8.20(s, 1H)
(s, 3H), 2.79(s, 3H), 7.53-7.68(m, 3H), 7.97-8.00
(m, 2H), 8.20(s, 1H)
【００６６】温度計およびマグネチックスターラを装備
した内容積５０ｍｌの３口フラスコに、窒素雰囲気下
で、参考例１で得られた５−メトキシ−２−メチルチオ
−１Ｈ−ベンズイミダゾール０．９７０ｇ（５ｍｍｏ
ｌ）、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン
１．１２ｇ（１０ｍｍｏｌ）および溶媒としてテトラヒ
ドロフラン５ｍｌを加え、０℃まで冷却した。これにｎ
−ブチルリチウムのヘキサン溶液６．１ｍｌ（１．６６
ｍｏｌ／ｌ、１０．１ｍｍｏｌ）を内温５℃以下に保ち
ながら滴下した。反応混合物を５℃で１時間攪拌した
後、−４０℃に冷却し、これに上記で得られた２−ベン
ゼンスルホニル−４−クロロ−３，５−ジメチルピリジ
ン１．４１ｇ（５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液
５ｍｌを内温を−４０℃以下に保ちながら滴下した。滴
下終了後、この反応混合物を内温−４０℃にて１時間攪
拌し水１０ｍｌを添加した。反応液を分液して有機層を
分離し、水層を酢酸エチル１０ｍｌで２回抽出した。抽
出液と先の有機層をあわせて無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を減圧下に除去して５−メトキシ−２−
｛［（４−クロロ−３，５−ジメチル−２−ピリジル）
メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール１．３９ｇ
を得た（収率９２％）。
した内容積５０ｍｌの３口フラスコに、窒素雰囲気下
で、参考例１で得られた５−メトキシ−２−メチルチオ
−１Ｈ−ベンズイミダゾール０．９７０ｇ（５ｍｍｏ
ｌ）、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン
１．１２ｇ（１０ｍｍｏｌ）および溶媒としてテトラヒ
ドロフラン５ｍｌを加え、０℃まで冷却した。これにｎ
−ブチルリチウムのヘキサン溶液６．１ｍｌ（１．６６
ｍｏｌ／ｌ、１０．１ｍｍｏｌ）を内温５℃以下に保ち
ながら滴下した。反応混合物を５℃で１時間攪拌した
後、−４０℃に冷却し、これに上記で得られた２−ベン
ゼンスルホニル−４−クロロ−３，５−ジメチルピリジ
ン１．４１ｇ（５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液
５ｍｌを内温を−４０℃以下に保ちながら滴下した。滴
下終了後、この反応混合物を内温−４０℃にて１時間攪
拌し水１０ｍｌを添加した。反応液を分液して有機層を
分離し、水層を酢酸エチル１０ｍｌで２回抽出した。抽
出液と先の有機層をあわせて無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を減圧下に除去して５−メトキシ−２−
｛［（４−クロロ−３，５−ジメチル−２−ピリジル）
メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール１．３９ｇ
を得た（収率９２％）。
【００６７】1H-NMRスペクトル (270MHz, DMSO-d6, TM
S, ppm) δ：2.31(s, 3H), 2.44(s, 3H), 3.77(s, 3H),
4.71(s, 2H), 6.74(dd, 1H，Ｊ＝2.5，8.9Ｈｚ), 6.96
(bs, 1H), 7.33(d, 1H，J=8.9 Hz), 8.27(s, 1H), 12.4
0(bs, 1H)
S, ppm) δ：2.31(s, 3H), 2.44(s, 3H), 3.77(s, 3H),
4.71(s, 2H), 6.74(dd, 1H，Ｊ＝2.5，8.9Ｈｚ), 6.96
(bs, 1H), 7.33(d, 1H，J=8.9 Hz), 8.27(s, 1H), 12.4
0(bs, 1H)
【００６８】実施例２ 温度計、マグネチックスターラおよび冷却管を装備した
内容積３０ｍｌの３口フラスコに、実施例１で得られた
５−メトキシ−２−｛［（４−クロロ−３，５−ジメチ
ル−２−ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミ
ダゾール２７７ｍｇ（０．９２ｍｍｏｌ）およびナトリ
ウムメトキシドの２８％メタノール溶液１．００ｇ
（５．２０ｍｍｏｌ）を加え、混合物を穏やかに還流さ
せながら１０時間攪拌して反応させた後、希塩酸により
中和した。これに酢酸エチル１０ｍｌを加えて有機層を
分離し、水層を酢酸エチル１０ｍｌで２回抽出した。抽
出液と先の有機層をあわせて無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を減圧下に除去して５−メトキシ−２−
｛［（４−メトキシ−３，５−ジメチル−２−ピリジ
ル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール２３２
ｍｇを得た（収率８５％）。
内容積３０ｍｌの３口フラスコに、実施例１で得られた
５−メトキシ−２−｛［（４−クロロ−３，５−ジメチ
ル−２−ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミ
ダゾール２７７ｍｇ（０．９２ｍｍｏｌ）およびナトリ
ウムメトキシドの２８％メタノール溶液１．００ｇ
（５．２０ｍｍｏｌ）を加え、混合物を穏やかに還流さ
せながら１０時間攪拌して反応させた後、希塩酸により
中和した。これに酢酸エチル１０ｍｌを加えて有機層を
分離し、水層を酢酸エチル１０ｍｌで２回抽出した。抽
出液と先の有機層をあわせて無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を減圧下に除去して５−メトキシ−２−
｛［（４−メトキシ−３，５−ジメチル−２−ピリジ
ル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール２３２
ｍｇを得た（収率８５％）。
【００６９】1H-NMRスペクトル (270MHz, DMSO-d6, TM
S, ppm) δ：2.26(s, 3H), 2.42(s, 3H) , 3.59(s, 3
H), 3.77(s, 3H), 4.62(s, 2H), 6.70(dd, 1H，J=3.0，
8.9 Hz),6.90(bs, 1H), 7.27(d, 1H，J=8.9 Hz), 8.07
(s, 1H), 12.30(bs, 1H)
S, ppm) δ：2.26(s, 3H), 2.42(s, 3H) , 3.59(s, 3
H), 3.77(s, 3H), 4.62(s, 2H), 6.70(dd, 1H，J=3.0，
8.9 Hz),6.90(bs, 1H), 7.27(d, 1H，J=8.9 Hz), 8.07
(s, 1H), 12.30(bs, 1H)
【００７０】実施例３ 温度計およびマグネチックスターラを装備した内容積５
０ｍｌの３口フラスコに、窒素雰囲気下で、参考例１で
得られた５−メトキシ−２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズ
イミダゾール０．５８２ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、１，４
−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．６７２ｇ
（６．０ｍｍｏｌ）および溶媒としてテトロヒドロフラ
ン２０ｍｌを加え、−６０℃に冷却した。この溶液にｓ
ｅｃ−ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液６．２ｍｌ
（１．０１ｍｏｌ／ｌ、６．３ｍｍｏｌ）を内温−５０
℃以下に保ちながら滴下した。反応混合物を−５０℃で
１時間攪拌し、次いで参考例３で得られた２−ベンゼン
スルホニル−４−メトキシ−３，５−ジメチルピリジン
０．８３１ｇ（３．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン
５ｍｌに溶解した溶液を内温を−５０℃以下に保ちなが
ら滴下した。−５０℃で３０分間攪拌後、反応混合物に
水１０ｍｌを加えた。有機層を分離し、水層を酢酸エチ
ル２０ｍｌで３回抽出した。抽出液と先の有機層をあわ
せて無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に除
去して５−メトキシ−２−｛［（４−メトキシ−３，５
−ジメチル−２−ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベ
ンズイミダゾール０．９２４ｇを得た（収率９４％）。
０ｍｌの３口フラスコに、窒素雰囲気下で、参考例１で
得られた５−メトキシ−２−メチルチオ−１Ｈ−ベンズ
イミダゾール０．５８２ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、１，４
−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．６７２ｇ
（６．０ｍｍｏｌ）および溶媒としてテトロヒドロフラ
ン２０ｍｌを加え、−６０℃に冷却した。この溶液にｓ
ｅｃ−ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液６．２ｍｌ
（１．０１ｍｏｌ／ｌ、６．３ｍｍｏｌ）を内温−５０
℃以下に保ちながら滴下した。反応混合物を−５０℃で
１時間攪拌し、次いで参考例３で得られた２−ベンゼン
スルホニル−４−メトキシ−３，５−ジメチルピリジン
０．８３１ｇ（３．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン
５ｍｌに溶解した溶液を内温を−５０℃以下に保ちなが
ら滴下した。−５０℃で３０分間攪拌後、反応混合物に
水１０ｍｌを加えた。有機層を分離し、水層を酢酸エチ
ル２０ｍｌで３回抽出した。抽出液と先の有機層をあわ
せて無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に除
去して５−メトキシ−２−｛［（４−メトキシ−３，５
−ジメチル−２−ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベ
ンズイミダゾール０．９２４ｇを得た（収率９４％）。
【００７１】
【発明の効果】２−｛［（２−ピリジル）メチル］スル
フィニル｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の合成中
間体として有用な２−｛［（２−ピリジル）メチル］チ
オ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を、短工程で効
率良く製造することができる。
フィニル｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の合成中
間体として有用な２−｛［（２−ピリジル）メチル］チ
オ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を、短工程で効
率良く製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4C055 AA01 BA02 BA46 CA03 CA06 DA37 4C063 AA01 BB08 CC26 DD12 EE05
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式（ＩＩＩ） 【化１】 （式中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、置換基を有して
もよいアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラル
キル基またはアルコキシル基を表し、Ｒ1は水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基またはアリール基
を表し、Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、置換基を有し
ていてもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ3
はハロゲン原子を表し、Ｒ4は水素原子、ハロゲン原
子、アルコキシル基、アルキルチオ基、シアノ基、アシ
ロキシ基、アルコキシカルボニル基、保護された置換さ
れていてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいア
ルキル基またはアリール基を表す。）で示される２−
｛［（４−ハロゲノ−２−ピリジル）メチル］チオ｝−
１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を一般式（ＩＶ） Ｒ6ＯＭ （ＩＶ） （式中、Ｒ6はアルキル基を表し、Ｍはアルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属を表す。）で示される金属アルコ
キシドと反応させることを特徴とする一般式（Ｖ） 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ6およびＸは前記定義の通り
である。）で示される２−｛［（４−アルコキシ−２−
ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール
誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 有機リチウム化合物の存在下、一般式
（Ｉ） 【化３】 （式中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、置換基を有して
もよいアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラル
キル基またはアルコキシル基を表す。）で示される２−
メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を、一般
式（ＩＩ） 【化４】 （式中、Ｒ1は水素原子、置換基を有していてもよいア
ルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2は水素原子、ハ
ロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基また
はアリール基を表し、Ｒ3はハロゲン原子を表し、Ｒ4は
水素原子、ハロゲン原子、アルコキシル基、アルキルチ
オ基、シアノ基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル
基、保護された置換されていてもよいアミノ基、置換基
を有していてもよいアルキル基またはアリール基を表
し、Ｒ5は置換基を有していてもよいアルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表
す。）で示される４−ハロゲノ−２−スルホニルピリジ
ン誘導体と反応させることによって一般式（ＩＩＩ） 【化５】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＸは前記定義の通り
である。）で示される２−｛［（４−ハロゲノ−２−ピ
リジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘
導体を得、得られた２−｛［（４−ハロゲノ−２−ピリ
ジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導
体を一般式（ＩＶ） Ｒ6ＯＭ （ＩＶ） （式中、Ｒ6はアルキル基を表し、Ｍはアルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属を表す。）で示される金属アルコ
キシドと反応させることを特徴とする一般式（Ｖ） 【化６】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ6およびＸは前記定義の通り
である。）で示される２−｛［（４−アルコキシ−２−
ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール
誘導体の製造方法。 - 【請求項３】 有機リチウム化合物の存在下、一般式
（Ｉ） 【化７】 （式中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、置換基を有して
もよいアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラル
キル基またはアルコキシル基を表す。）で示される２−
メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を、一般
式（ＩＩ） 【化８】 （式中、Ｒ1は水素原子、置換基を有していてもよいア
ルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2は水素原子、ハ
ロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基また
はアリール基を表し、Ｒ3はハロゲン原子を表し、Ｒ4は
水素原子、ハロゲン原子、アルコキシル基、アルキルチ
オ基、シアノ基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル
基、保護された置換されていてもよいアミノ基、置換基
を有していてもよいアルキル基またはアリール基を表
し、Ｒ5は置換基を有していてもよいアルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表
す。）で示される４−ハロゲノ−２−スルホニルピリジ
ン誘導体と反応させることを特徴とする一般式（ＩＩ
Ｉ） 【化９】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＸは前記定義の通り
である。）で示される２−｛［（４−ハロゲノ−２−ピ
リジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘
導体の製造方法。 - 【請求項４】 一般式（ＩＩ）で示される４−ハロゲノ
−２−スルホニルピリジン誘導体が、一般式（ＶＩ） 【化１０】 （式中、Ｒ1は水素原子、置換基を有していてもよいア
ルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2は水素原子、ハ
ロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基また
はアリール基を表し、Ｒ3はハロゲン原子を表し、Ｒ4は
水素原子、ハロゲン原子、アルコキシル基、アルキルチ
オ基、シアノ基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル
基、保護された置換されていてもよいアミノ基、置換基
を有していてもよいアルキル基またはアリール基を表
す。）で示されるα，β−不飽和カルボニル化合物を、
一般式（ＶＩＩ） Ｒ5ＳＯ2ＣＮ （ＶＩＩ） （式中、Ｒ5は置換基を有していてもよいアルキル基、
シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表
す。）で示される有機スルホニルシアニドと反応させる
ことによって製造されたものであることを特徴とする請
求項２または請求項３に記載の製造方法。 - 【請求項５】 有機リチウム化合物存在下、一般式
（Ｉ） 【化１１】 （式中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、置換基を有して
もよいアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラル
キル基またはアルコキシル基を表す。）で示される２−
メチルチオ−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導体を、一般
式（ＶＩＩＩ） 【化１２】 （式中、Ｒ1は水素原子、置換基を有していてもよいア
ルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2は水素原子、ハ
ロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基また
はアリール基を表し、Ｒ4は水素原子、ハロゲン原子、
アルコキシル基、アルキルチオ基、シアノ基、アシロキ
シ基、アルコキシカルボニル基、保護された置換されて
いてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアルキ
ル基またはアリール基を表し、Ｒ5は置換基を有してい
てもよいアルキル基、シクロアルキル基、アリール基ま
たはアラルキル基を表し、Ｒ6はアルキル基を表す。）
で示される４−アルコキシ−２−スルホニルピリジン誘
導体と反応させることを特徴とする一般式（Ｖ） 【化１３】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ6およびＸは前記定義の通り
である。）で示される２−｛［（４−アルコキシ−２−
ピリジル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール
誘導体の製造方法。 - 【請求項６】 一般式（ＩＩＩ−１） 【化１４】 (式中、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、置換基を有して
いてもよいアルキル基、アルケニル基、アリール基、ア
ラルキル基またはアルコキシル基を表す。）で示される
２−｛［（４−クロロ−３，５−ジメチル−２−ピリジ
ル）メチル］チオ｝−１Ｈ−ベンズイミダゾール誘導
体。 - 【請求項７】 一般式（ＶＩＩＩ−１） 【化１５】 (式中、Ｒ5は置換基を有していてもよいアルキル基、シ
クロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を表
す。）で示される４−メトキシ−３，５ージメチル−２
−スルホニルピリジン誘導体。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10323654A JP2000143660A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | ２−｛［（２−ピリジル）メチル］チオ｝−１ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の製造方法 |
| KR10-1999-0002234A KR100396431B1 (ko) | 1998-01-26 | 1999-01-25 | 2-술포닐피리딘 유도체 및 2-[((2-피리딜)메틸)티오]-1ｈ-벤즈이 |
| US09/236,444 US6197962B1 (en) | 1998-01-26 | 1999-01-25 | Method for producing 2-sulfonylpyridine derivatives and method for producing 2-{[(2-pyridyl)methyl]thio}-1H-benzimidazole derivatives |
| EP99101402A EP0931790B1 (en) | 1998-01-26 | 1999-01-26 | Method for producing 2-sulfonylpyridine derivates and method for producing 2-( (2-pyridyl)methyl)thio)-1H-benzimidazole derivates |
| DE69907769T DE69907769T2 (de) | 1998-01-26 | 1999-01-26 | Verfahren zur Herstellung von 2-Sulfonylpyridinderivaten und 2-( (2-Pyridyl)methyl)thio)-1H-benzimidazolderivaten |
| CN99102712A CN1115333C (zh) | 1998-01-26 | 1999-01-26 | 生产2－磺酰基吡啶衍生物和生产2－{[（2－吡啶基）甲基]硫基}－1h－苯并咪唑衍生物的方法 |
| ES99101402T ES2200411T3 (es) | 1998-01-26 | 1999-01-26 | Procedimiento de produccion de derivados 2-sulfonilpiridina y proced imiento para producir derivados 2-((2 - piridil)metil)tio)-1h-bencimidazol. |
| HK00102207A HK1023117A1 (en) | 1998-01-26 | 2000-04-12 | Method for producing 2-sulfonylpyridine derivatives and method for producing 2-{[(2-pyridyl)methyl]thio} -1h-benzimidazole derivatives |
| US09/730,594 US6350876B2 (en) | 1998-01-26 | 2000-12-07 | 4-chloro-3,5-dimethyl-2-sulfonyl pyridines |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10323654A JP2000143660A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | ２−｛［（２−ピリジル）メチル］チオ｝−１ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000143660A true JP2000143660A (ja) | 2000-05-26 |
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ID=18157130
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10323654A Withdrawn JP2000143660A (ja) | 1998-01-26 | 1998-11-13 | ２−｛［（２−ピリジル）メチル］チオ｝−１ｈ−ベンズイミダゾール誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000143660A (ja) |
-
1998
- 1998-11-13 JP JP10323654A patent/JP2000143660A/ja not_active Withdrawn
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