JP2000137162A - 投影光学系及び投影露光装置 - Google Patents
投影光学系及び投影露光装置Info
- Publication number
- JP2000137162A JP2000137162A JP10309678A JP30967898A JP2000137162A JP 2000137162 A JP2000137162 A JP 2000137162A JP 10309678 A JP10309678 A JP 10309678A JP 30967898 A JP30967898 A JP 30967898A JP 2000137162 A JP2000137162 A JP 2000137162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- lens group
- optical system
- projection optical
- refractive power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】主として液晶表示素子の投影転写に用いられ、
解像力が十分に高く、しかも十分に広い露光フィールド
を有する投影光学系を提供する。 【解決手段】第１面Ｒの像を第２面Ｐ上に形成する投影
光学系において、最大像高をＹ（ｍｍ）とし、像側最大
開口数をＮＡとし、使用波長をλ（μｍ）とし、前記第
１面から第２面までの光軸上の距離をＬ（ｍｍ）とする
とき、Ｙ≧５３、λ／ＮＡ≦２．１、０．８＜π×Ｙ2
×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＜２．５なる各条件式を満たす。
解像力が十分に高く、しかも十分に広い露光フィールド
を有する投影光学系を提供する。 【解決手段】第１面Ｒの像を第２面Ｐ上に形成する投影
光学系において、最大像高をＹ（ｍｍ）とし、像側最大
開口数をＮＡとし、使用波長をλ（μｍ）とし、前記第
１面から第２面までの光軸上の距離をＬ（ｍｍ）とする
とき、Ｙ≧５３、λ／ＮＡ≦２．１、０．８＜π×Ｙ2
×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＜２．５なる各条件式を満たす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、第１面の像を第２
面上に形成する投影光学系に関し、特にマスク上のパタ
ーンの像をガラスプレートの感光面上に投影して転写す
る投影光学系に関する。
面上に形成する投影光学系に関し、特にマスク上のパタ
ーンの像をガラスプレートの感光面上に投影して転写す
る投影光学系に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高精細フラットパネルディスプレ
イとして、高解像度及び低消費電力性に優れた、低温ポ
リシリコンＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＦＥＤ（フィ
ールドエミッションディスプレイ）が注目されている。
しかし、これらのＬＣＤ（液晶表示素子）は微細加工を
必要とし、それぞれに要求されるパターンルールは、低
温ポリシリコンＴＦＴ−ＬＣＤにおいて２μｍ以下、ま
たＦＥＤにおいては１μｍ以下であり、半導体露光装置
並みの解像性能が必要となる。また、パネルディスプレ
イサイズの大型化とコストダウンが必要なため、比較的
大きな露光フィールドを有する露光装置が必要となる。
イとして、高解像度及び低消費電力性に優れた、低温ポ
リシリコンＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＦＥＤ（フィ
ールドエミッションディスプレイ）が注目されている。
しかし、これらのＬＣＤ（液晶表示素子）は微細加工を
必要とし、それぞれに要求されるパターンルールは、低
温ポリシリコンＴＦＴ−ＬＣＤにおいて２μｍ以下、ま
たＦＥＤにおいては１μｍ以下であり、半導体露光装置
並みの解像性能が必要となる。また、パネルディスプレ
イサイズの大型化とコストダウンが必要なため、比較的
大きな露光フィールドを有する露光装置が必要となる。
【０００３】そこで、２μｍ以下の解像度が必要な低温
ポリシリコンＴＦＴ−ＬＣＤを製造するための露光装置
として、例えば株式会社ニコンの製品に、露光波長がｇ
線、ＮＡ＝０．１５、露光フィールドが７５ｍｍ×７５
ｍｍの正方形、解像度が２μｍ程度以下を達成した露光
装置がある。また、１μｍ以下の解像度が必要なＦＥＤ
を製造するための露光装置としては、露光波長がｉ線、
ＮＡ＝０．３、露光フィールドが４４ｍｍ×４４ｍｍの
正方形、解像度が１μｍ程度以下を達成した露光装置が
ある。
ポリシリコンＴＦＴ−ＬＣＤを製造するための露光装置
として、例えば株式会社ニコンの製品に、露光波長がｇ
線、ＮＡ＝０．１５、露光フィールドが７５ｍｍ×７５
ｍｍの正方形、解像度が２μｍ程度以下を達成した露光
装置がある。また、１μｍ以下の解像度が必要なＦＥＤ
を製造するための露光装置としては、露光波長がｉ線、
ＮＡ＝０．３、露光フィールドが４４ｍｍ×４４ｍｍの
正方形、解像度が１μｍ程度以下を達成した露光装置が
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示素子では、近
年、表示素子の周辺部分に、表示素子を駆動する駆動回
路を同時に焼き付ける傾向にある。そのため、上記従来
の投影光学系を用いれば、表示素子部分については高精
細フラットパネルディスプレイの製造が可能になるもの
の、駆動回路部分の露光のためには、必ずしも十分な解
像力を持つとは言えなかった。他方、解像力が十分に高
い製品としては、０．５μｍ以下の解像度を達成できる
投影光学系が存在するが、この製品の投影倍率は１／５
倍で、露光フィールドは２２ｍｍ×２２ｍｍの正方形程
度しかない。したがって一度に露光できる領域が小さい
ために、比較的大きなフラットパネルディスプレイの製
造においてはスループットが向上しないと言う問題点が
ある。したがって本発明は、主として液晶表示素子の投
影転写に用いられ、解像力が十分に高く、しかも十分に
広い露光フィールドを有する投影光学系を提供すること
を課題とする。
年、表示素子の周辺部分に、表示素子を駆動する駆動回
路を同時に焼き付ける傾向にある。そのため、上記従来
の投影光学系を用いれば、表示素子部分については高精
細フラットパネルディスプレイの製造が可能になるもの
の、駆動回路部分の露光のためには、必ずしも十分な解
像力を持つとは言えなかった。他方、解像力が十分に高
い製品としては、０．５μｍ以下の解像度を達成できる
投影光学系が存在するが、この製品の投影倍率は１／５
倍で、露光フィールドは２２ｍｍ×２２ｍｍの正方形程
度しかない。したがって一度に露光できる領域が小さい
ために、比較的大きなフラットパネルディスプレイの製
造においてはスループットが向上しないと言う問題点が
ある。したがって本発明は、主として液晶表示素子の投
影転写に用いられ、解像力が十分に高く、しかも十分に
広い露光フィールドを有する投影光学系を提供すること
を課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたものであり、すなわち、請求項１の
発明は、第１面の像を第２面上に形成する投影光学系に
おいて、最大像高をＹ（ｍｍ）とし、像側最大開口数を
ＮＡとし、使用波長をλ（μｍ）とし、前記第１面から
第２面までの光軸上の距離をＬ（ｍｍ）とするとき、 Ｙ≧５３ λ／ＮＡ≦２．１ ０．８＜π×Ｙ2×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＜２．５ ‥‥（２） なる各条件式を満たすことを特徴とする投影光学系であ
る。その際、λ＝０．３６５μｍとすることができる。
するためになされたものであり、すなわち、請求項１の
発明は、第１面の像を第２面上に形成する投影光学系に
おいて、最大像高をＹ（ｍｍ）とし、像側最大開口数を
ＮＡとし、使用波長をλ（μｍ）とし、前記第１面から
第２面までの光軸上の距離をＬ（ｍｍ）とするとき、 Ｙ≧５３ λ／ＮＡ≦２．１ ０．８＜π×Ｙ2×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＜２．５ ‥‥（２） なる各条件式を満たすことを特徴とする投影光学系であ
る。その際、λ＝０．３６５μｍとすることができる。
【０００６】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記第１面側から順に、正の屈折力を有する第１レ
ンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群と、正の屈
折力を有する第３レンズ群と、負の屈折力を有する第４
レンズ群と、正の屈折力を有する第５レンズ群と、負の
屈折力を有する第６レンズ群と、正の屈折力を有する第
７レンズ群からなり、前記第１レンズ群の最も前記第１
面側に配置されるレンズは、前記第２面側に凹面を向け
た負レンズであり、前記第２レンズ群と第４レンズ群と
第６レンズ群は、それぞれ、前記第１面側から順に、前
記第２面側に凹面を向けた第１の負レンズと、第２の負
レンズと、前記第１面側に凹面を向けた第３の負レンズ
を有することを特徴とする投影光学系である。
て、前記第１面側から順に、正の屈折力を有する第１レ
ンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群と、正の屈
折力を有する第３レンズ群と、負の屈折力を有する第４
レンズ群と、正の屈折力を有する第５レンズ群と、負の
屈折力を有する第６レンズ群と、正の屈折力を有する第
７レンズ群からなり、前記第１レンズ群の最も前記第１
面側に配置されるレンズは、前記第２面側に凹面を向け
た負レンズであり、前記第２レンズ群と第４レンズ群と
第６レンズ群は、それぞれ、前記第１面側から順に、前
記第２面側に凹面を向けた第１の負レンズと、第２の負
レンズと、前記第１面側に凹面を向けた第３の負レンズ
を有することを特徴とする投影光学系である。
【０００７】請求項３の発明は、 Ｙ≧３１ λ／ＮＡ≦０．９ ２．５＜π×Ｙ2×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＜７．５ ‥‥（３） なる各条件式を満たすことを特徴とする投影光学系であ
る。その際、λ≦０．２４８μｍとすることができる。
る。その際、λ≦０．２４８μｍとすることができる。
【０００８】請求項４の発明は、請求項３の発明におい
て、前記第１面側から順に、正の屈折力を有する第１レ
ンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群と、正の屈
折力を有する第３レンズ群と、負の屈折力を有する第４
レンズ群と、正の屈折力を有する第５レンズ群からな
り、前記第１レンズ群の最も前記第１面側に配置される
レンズは、前記第２面側に凹面を向けた負レンズであ
り、前記第２レンズ群と第４レンズ群は、それぞれ、前
記第１面側から順に、前記第２面側に凹面を向けた第１
の負レンズと、第２の負レンズと、前記第１面側に凹面
を向けた第３の負レンズを有することを特徴とする投影
光学系である。
て、前記第１面側から順に、正の屈折力を有する第１レ
ンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群と、正の屈
折力を有する第３レンズ群と、負の屈折力を有する第４
レンズ群と、正の屈折力を有する第５レンズ群からな
り、前記第１レンズ群の最も前記第１面側に配置される
レンズは、前記第２面側に凹面を向けた負レンズであ
り、前記第２レンズ群と第４レンズ群は、それぞれ、前
記第１面側から順に、前記第２面側に凹面を向けた第１
の負レンズと、第２の負レンズと、前記第１面側に凹面
を向けた第３の負レンズを有することを特徴とする投影
光学系である。
【０００９】請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれ
か１項記載の投影光学系と、前記第１面を照明する照明
光学系を有することを特徴とする投影露光装置である。
本発明は更に、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
投影光学系を用いた露光方法において、前記第１面に設
定されたマスクを照明する工程と、前記投影光学系によ
って前記マスクのパターン像を前記第２面に設定された
感光性基板へ投影露光する工程を含む露光方法である。
か１項記載の投影光学系と、前記第１面を照明する照明
光学系を有することを特徴とする投影露光装置である。
本発明は更に、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
投影光学系を用いた露光方法において、前記第１面に設
定されたマスクを照明する工程と、前記投影光学系によ
って前記マスクのパターン像を前記第２面に設定された
感光性基板へ投影露光する工程を含む露光方法である。
【００１０】一般に投影光学系の解像力はλ／ＮＡに比
例し、露光フィールドの面積はＹ2に比例する。そして
λ／ＮＡと、Ｙ2と、Ｌとの間には、 α＜π×Ｙ2×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＜β ‥‥（１） なる関係がある。条件式（１）は、投影光学系の解像力
と露光フィールドと全長の最適値を示している。解像度
を保ったまま露光フィールドを拡大するためは、全長を
拡大する必要があることをあらわしている。または、解
像度を上げるには露光フィールドを縮小するか、全長を
拡大する必要があることをあらわしている。また別の見
方をすれば、全長を短くするためには解像度を下げる
か、露光フィールドを小さくするかをあらわしている。
例し、露光フィールドの面積はＹ2に比例する。そして
λ／ＮＡと、Ｙ2と、Ｌとの間には、 α＜π×Ｙ2×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＜β ‥‥（１） なる関係がある。条件式（１）は、投影光学系の解像力
と露光フィールドと全長の最適値を示している。解像度
を保ったまま露光フィールドを拡大するためは、全長を
拡大する必要があることをあらわしている。または、解
像度を上げるには露光フィールドを縮小するか、全長を
拡大する必要があることをあらわしている。また別の見
方をすれば、全長を短くするためには解像度を下げる
か、露光フィールドを小さくするかをあらわしている。
【００１１】投影光学系の全長は、露光装置の高さを決
定する要因の１つであり、使用するクリーンルーム環境
にも高さ制限があるため全長の最大値には制限が存在す
る。このため、下限値αは解像度と露光フィールドに対
する投影光学系の全長の最大値を決定するものである。
また、高い解像度を保ったまま一度に露光できる領域が
大きいほどスループットが向上できるため、投影光学系
の理想値は条件式（１）の上限βに近づく。しかし、全
長を拡大せず、高い解像度を保ったまま一度に露光でき
る領域を拡大すると露光フィールド内において結像性能
が悪化することになる。また、全長、露光フィールドを
一定に保ったまま解像度を上げると露光フィールド内に
おいて結像性能が悪化することになるし、解像度、露光
フィールドを一定に保ったまま全長を短くすると露光フ
ィールド内において結像性能が悪化することになる。
定する要因の１つであり、使用するクリーンルーム環境
にも高さ制限があるため全長の最大値には制限が存在す
る。このため、下限値αは解像度と露光フィールドに対
する投影光学系の全長の最大値を決定するものである。
また、高い解像度を保ったまま一度に露光できる領域が
大きいほどスループットが向上できるため、投影光学系
の理想値は条件式（１）の上限βに近づく。しかし、全
長を拡大せず、高い解像度を保ったまま一度に露光でき
る領域を拡大すると露光フィールド内において結像性能
が悪化することになる。また、全長、露光フィールドを
一定に保ったまま解像度を上げると露光フィールド内に
おいて結像性能が悪化することになるし、解像度、露光
フィールドを一定に保ったまま全長を短くすると露光フ
ィールド内において結像性能が悪化することになる。
【００１２】条件式（２）は、露光波長がｉ線程度のと
きにおける投影光学系の解像力と露光フィールドと全長
の最適値を示している。解像度を保ったまま露光フィー
ルドを拡大するためは、全長を拡大する必要があること
をあらわしている。露光波長ｉ線に対する半値幅を考慮
すると、色収差補正が必須であり投影光学系の設計自由
度が減少するため、条件式（２）は（１）に比べて狭く
なる。特に、上限値が狭まる。
きにおける投影光学系の解像力と露光フィールドと全長
の最適値を示している。解像度を保ったまま露光フィー
ルドを拡大するためは、全長を拡大する必要があること
をあらわしている。露光波長ｉ線に対する半値幅を考慮
すると、色収差補正が必須であり投影光学系の設計自由
度が減少するため、条件式（２）は（１）に比べて狭く
なる。特に、上限値が狭まる。
【００１３】条件式（３）は、露光波長がλ≦０．２４
８μｍ程度のときにおける投影光学系の解像力と露光フ
ィールドと全長の最適値を示している。解像度を保った
まま露光フィールドを拡大するためは、全長を拡大する
必要があることをあらわしている。露光光に対する半値
幅は狭帯化されるため、色収差補正範囲が狭くなり投影
光学系の設計自由度が増加し、条件式（３）は（２）に
比べ、上限値を大きくできる。
８μｍ程度のときにおける投影光学系の解像力と露光フ
ィールドと全長の最適値を示している。解像度を保った
まま露光フィールドを拡大するためは、全長を拡大する
必要があることをあらわしている。露光光に対する半値
幅は狭帯化されるため、色収差補正範囲が狭くなり投影
光学系の設計自由度が増加し、条件式（３）は（２）に
比べ、上限値を大きくできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面によっ
て説明する。図１は本発明による投影光学系を備えた投
影露光装置の一例を示す概略図である。照明光学系ＩＬ
から発した照明光束は、レチクルステージＲＳ上に載置
されたレチクルＲ上のパターン面のうちの、照明フィー
ルドＩＡ内のパターン面を、均一に照明する。照明フィ
ールドＩＡ内のパターン面を通過した光束は、開口絞り
ＡＳを有する投影光学系ＰＬを通過し、ウエハステージ
ＷＳ上に載置されたウエハＷ上の感光面のうちの、露光
フィールドＥＡ内の感光面に、照明フィールドＩＡ内の
パターン面の像を投影する。こうして照明フィールドＩ
Ａ内のパターン面の像が、ウエハＷ上の感光面に転写さ
れる。
て説明する。図１は本発明による投影光学系を備えた投
影露光装置の一例を示す概略図である。照明光学系ＩＬ
から発した照明光束は、レチクルステージＲＳ上に載置
されたレチクルＲ上のパターン面のうちの、照明フィー
ルドＩＡ内のパターン面を、均一に照明する。照明フィ
ールドＩＡ内のパターン面を通過した光束は、開口絞り
ＡＳを有する投影光学系ＰＬを通過し、ウエハステージ
ＷＳ上に載置されたウエハＷ上の感光面のうちの、露光
フィールドＥＡ内の感光面に、照明フィールドＩＡ内の
パターン面の像を投影する。こうして照明フィールドＩ
Ａ内のパターン面の像が、ウエハＷ上の感光面に転写さ
れる。
【００１５】図２は投影露光装置の他の例を示す概略図
である。図１に示す露光装置は、レチクルＲ上のパター
ンを一括してウエハＷ上に転写する一括露光型の露光装
置であるが、図２に示す露光装置は、走査露光型の露光
装置である。この装置では、照明フィールドＩＡが細長
いスリット状に形成されており、したがって露光フィー
ルドＥＡもスリット状となる。レチクルＲ及びウエハＷ
は、スリット状の照明フィールドＩＡ及び露光フィール
ドＥＡの短手方向に、投影光学系ＰＬの投影倍率に対応
した速度比にて、互いに同期して移動する。これによ
り、スリット状の照明フィールドＩＡを短手方向に拡大
した範囲のパターンが、ウエハＷ上の感光面に転写され
る。なお、上記の露光装置では、ウエハＷにパターンを
転写する場合について説明したが、ウエハに代えてガラ
スプレートを用いることもできる。
である。図１に示す露光装置は、レチクルＲ上のパター
ンを一括してウエハＷ上に転写する一括露光型の露光装
置であるが、図２に示す露光装置は、走査露光型の露光
装置である。この装置では、照明フィールドＩＡが細長
いスリット状に形成されており、したがって露光フィー
ルドＥＡもスリット状となる。レチクルＲ及びウエハＷ
は、スリット状の照明フィールドＩＡ及び露光フィール
ドＥＡの短手方向に、投影光学系ＰＬの投影倍率に対応
した速度比にて、互いに同期して移動する。これによ
り、スリット状の照明フィールドＩＡを短手方向に拡大
した範囲のパターンが、ウエハＷ上の感光面に転写され
る。なお、上記の露光装置では、ウエハＷにパターンを
転写する場合について説明したが、ウエハに代えてガラ
スプレートを用いることもできる。
【００１６】図３は、本発明による投影光学系の第１実
施例を示し、感光基板としてガラスプレートＰを用いて
いる。この投影光学系は、低温ポリシリコンＴＦＴ等の
露光装置に組み込まれる両側テレセントリックな投影光
学系である。この投影光学系は、レチクルＲ側から順
に、正の屈折力を有する第１レンズ群Ｇ1と、負の屈折
力を有する第２レンズ群Ｇ2と、正の屈折力を有する第
３レンズ群Ｇ3と、負の屈折力を有する第４レンズ群Ｇ4
と、正の屈折力を有する第５レンズ群Ｇ5と、負の屈折
力を有する第６レンズ群Ｇ6と、正の屈折力を有する第
７レンズ群Ｇ7からなる。
施例を示し、感光基板としてガラスプレートＰを用いて
いる。この投影光学系は、低温ポリシリコンＴＦＴ等の
露光装置に組み込まれる両側テレセントリックな投影光
学系である。この投影光学系は、レチクルＲ側から順
に、正の屈折力を有する第１レンズ群Ｇ1と、負の屈折
力を有する第２レンズ群Ｇ2と、正の屈折力を有する第
３レンズ群Ｇ3と、負の屈折力を有する第４レンズ群Ｇ4
と、正の屈折力を有する第５レンズ群Ｇ5と、負の屈折
力を有する第６レンズ群Ｇ6と、正の屈折力を有する第
７レンズ群Ｇ7からなる。
【００１７】第１レンズ群Ｇ1の最もレチクルＲ側に配
置されるレンズＬ11は、ガラスプレートＰ側に凹面を向
けた負レンズである。また、第２レンズ群Ｇ2には、レ
チクルＲ側から順に、ガラスプレートＰ側に凹面を向け
た負レンズＬ21と、負レンズＬ22と、レチクルＲ側に凹
面を向けた負レンズＬ23が配置されており、第４レンズ
群Ｇ4には、レチクルＲ側から順に、ガラスプレートＰ
側に凹面を向けた負レンズＬ41と、負レンズＬ42と、レ
チクルＲ側に凹面を向けた負レンズＬ43が配置されてお
り、第６レンズ群Ｇ6には、レチクルＲ側から順に、ガ
ラスプレートＰ側に凹面を向けた負レンズＬ61と、負レ
ンズＬ62と、レチクルＲ側に凹面を向けた負レンズＬ63
が配置されている。
置されるレンズＬ11は、ガラスプレートＰ側に凹面を向
けた負レンズである。また、第２レンズ群Ｇ2には、レ
チクルＲ側から順に、ガラスプレートＰ側に凹面を向け
た負レンズＬ21と、負レンズＬ22と、レチクルＲ側に凹
面を向けた負レンズＬ23が配置されており、第４レンズ
群Ｇ4には、レチクルＲ側から順に、ガラスプレートＰ
側に凹面を向けた負レンズＬ41と、負レンズＬ42と、レ
チクルＲ側に凹面を向けた負レンズＬ43が配置されてお
り、第６レンズ群Ｇ6には、レチクルＲ側から順に、ガ
ラスプレートＰ側に凹面を向けた負レンズＬ61と、負レ
ンズＬ62と、レチクルＲ側に凹面を向けた負レンズＬ63
が配置されている。
【００１８】レチクルＲは１辺が６インチの正方形、露
光波長はｉ線（３６５ｎｍ）で、ＮＡ＝０．１８で、解
像力は１．５μｍ以下である。すなわち、ｋをプロセス
係数として、解像度＝ｋ×λ／ＮＡと表わすことがで
き、本実施例ではｋ＝０．６であるから、解像度＝１．
２μｍとなる。投影倍率は０．８倍の縮小で、最大像高
Ｙは、Ｙ＝５３．０３ｍｍである。したがって露光フィ
ールドＥＡの形状を正方形とすれば、７５ｍｍ×７５ｍ
ｍの露光フィールドとなる。この投影光学系の焦点深度
は１０μｍ以上あるため、ガラスプレートの平面度が６
μｍ以上ある場合でも充分に露光可能である。色収差補
正範囲は、３６５ｎｍ±５ｎｍである。この色補正範囲
が狭まれば、条件式（２）の範囲を広げることができ
る。
光波長はｉ線（３６５ｎｍ）で、ＮＡ＝０．１８で、解
像力は１．５μｍ以下である。すなわち、ｋをプロセス
係数として、解像度＝ｋ×λ／ＮＡと表わすことがで
き、本実施例ではｋ＝０．６であるから、解像度＝１．
２μｍとなる。投影倍率は０．８倍の縮小で、最大像高
Ｙは、Ｙ＝５３．０３ｍｍである。したがって露光フィ
ールドＥＡの形状を正方形とすれば、７５ｍｍ×７５ｍ
ｍの露光フィールドとなる。この投影光学系の焦点深度
は１０μｍ以上あるため、ガラスプレートの平面度が６
μｍ以上ある場合でも充分に露光可能である。色収差補
正範囲は、３６５ｎｍ±５ｎｍである。この色補正範囲
が狭まれば、条件式（２）の範囲を広げることができ
る。
【００１９】以下の表１に、第１実施例の諸元を掲げ
る。表１の［主要諸元］中、βは投影倍率を表わす。ま
た［レンズ諸元］中、第１欄ＮｏはレチクルＲ側からの
各レンズ面の番号、第２欄ｒは各レンズ面の曲率半径、
第３欄ｄは各レンズ面から次のレンズ面までの光軸上の
距離、第４欄ｎは各レンズ面から次のレンズ面までを満
たすレンズ（空欄は空気）の屈折率、第５欄νはそのレ
ンズのアッベ数、第６欄は各レンズの番号を表わす。ア
ッベ数νは、 ν＝（ｎ365−１）／（ｎ360−ｎ370） ｎ365：３６５ｎｍの光に対する屈折率 ｎ360：３６０ｎｍの光に対する屈折率 ｎ370：３７０ｎｍの光に対する屈折率 によって表わしている。
る。表１の［主要諸元］中、βは投影倍率を表わす。ま
た［レンズ諸元］中、第１欄ＮｏはレチクルＲ側からの
各レンズ面の番号、第２欄ｒは各レンズ面の曲率半径、
第３欄ｄは各レンズ面から次のレンズ面までの光軸上の
距離、第４欄ｎは各レンズ面から次のレンズ面までを満
たすレンズ（空欄は空気）の屈折率、第５欄νはそのレ
ンズのアッベ数、第６欄は各レンズの番号を表わす。ア
ッベ数νは、 ν＝（ｎ365−１）／（ｎ360−ｎ370） ｎ365：３６５ｎｍの光に対する屈折率 ｎ360：３６０ｎｍの光に対する屈折率 ｎ370：３７０ｎｍの光に対する屈折率 によって表わしている。
【００２０】
【表１】 ［主要諸元］ β＝1/1.25 ＮＡ＝0.18 Ｌ＝1250ｍｍ λ＝0.365μｍ Ｙ＝53.03 ＥＡ＝75ｍｍ×75ｍｍ π×Ｙ2×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＝1.72 ［レンズ諸元］ Ｎｏ ｒ ｄ ｎ ν 0 ∞ 80.00000 Ｒ 1 ∞ 20.528 27 1.61565 275.2 Ｌ11 2 435.20077 9.93615 3 744.61673 27.07075 1.61301 166.5 Ｌ12 4 -376.86182 1.5 0000 5 654.06740 28.92468 1.61301 166.5 Ｌ13 6 -351.47005 1.5 0000 7 299.65447 20.54119 1.61301 166.5 Ｌ14 8 810.69285 1.5 0000 9 215.41525 27.05051 1.61301 166.5 Ｌ1510 ∞ 3.0 000011 ∞ 17.56622 1.61565 275.2 Ｌ2112 84.35283 39.11713 13 -705.31894 16.86015 1.61565 275.2 Ｌ2214 244.93061 97.1 4275 15 -345.13996 19.44328 1.61301 166.5 Ｌ2316 511.91731 14.3 8320 17 -1828.41400 26.85020 1.46393 430.0 Ｌ3118 -228.43073 1.5 0000 19 -1754.11900 40.26369 1.46393 430.0 Ｌ3220 -149.63269 1.5 0000 21 681.39278 38.91064 1.46393 430.0 Ｌ3322 -191.82083 1.5 0000 23 -230.87776 20.57512 1.61565 275.2 Ｌ3424 -3701.98000 1.5 0000 25 245.90554 19.42940 1.61565 275.2 Ｌ3526 447.12519 1.5 0000 27 179.92521 24.30986 1.61565 275.2 Ｌ3628 553.16577 1.5 0000 29 254.12611 17.39814 1.61565 275.2 Ｌ4130 140.67926 28.4 6434 31 -602.63940 16.06753 1.61565 275.2 Ｌ4232 221.13267 31.6 3885 33 -135.16354 18.20098 1.61565 275.2 Ｌ4334 -213.07882 1.5 0000 35 -2826.85300 23.96964 1.61565 275.2 Ｌ5136 -259.95757 1.5 0000 37 1350.06210 21.18247 1.61565 275.2 Ｌ5238 261.58523 1.5 0000 39 247.91525 42.25741 1.46393 430.0 Ｌ5340 -261.38205 1.5 0000 41 147.46218 34.10469 1.46393 430.0 Ｌ5442 513.53581 1.5 0000 43 156.73097 30.96065 1.46393 430.0 Ｌ5544 726.99639 11.4 0901 45 -5471.63900 16.18815 1.61301 166.5 Ｌ6146 104.28081 67.3 8087 47 -1979.76100 16.39410 1.61565 275.2 Ｌ6248 277.19344 32.2 9678 49 -124.97565 18.79339 1.61565 275.2 Ｌ6350 -263.71064 1.5 0000 51 -896.02941 22.03524 1.61301 166.5 Ｌ7152 -263.99694 1.5 0000 53 258.84557 32.74510 1.61301 166.5 Ｌ7254 -705.32502 1.5 0000 55 247.43157 27.47929 1.61301 166.5 Ｌ7356 161046.03700 56.8 7645 57 -349.48048 16.75373 1.61565 275.2 Ｌ7458 ∞ 50.0 0000 59 ∞ Ｐ
【００２１】図５は、本発明による投影光学系の第２実
施例を示し、この投影光学系も、低温ポリシリコンＴＦ
Ｔ等の露光装置に組み込まれる両側テレセントリックな
投影光学系である。レンズ構成は第１実施例のレンズ構
成とほぼ同じであり、主な相違点は、正屈折力の第３レ
ンズ群Ｇ3と第５レンズ群Ｇ5における、正レンズと負レ
ンズとの組み合わせ方である。以下の表２に、第２実施
例の諸元を掲げる。
施例を示し、この投影光学系も、低温ポリシリコンＴＦ
Ｔ等の露光装置に組み込まれる両側テレセントリックな
投影光学系である。レンズ構成は第１実施例のレンズ構
成とほぼ同じであり、主な相違点は、正屈折力の第３レ
ンズ群Ｇ3と第５レンズ群Ｇ5における、正レンズと負レ
ンズとの組み合わせ方である。以下の表２に、第２実施
例の諸元を掲げる。
【００２２】
【表２】 ［主要諸元］ β＝1/1.25 ＮＡ＝0.18 Ｌ＝1250ｍｍ λ＝0.365μｍ Ｙ＝53.03 ＥＡ＝75ｍｍ×75ｍｍ π×Ｙ2×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＝1.72 ［レンズ諸元］ Ｎｏ ｒ ｄ ｎ ν 0 ∞ 80.00000 Ｒ 1 ∞ 20.510 39 1.61565 275.2 Ｌ11 2 487.39673 11.22724 3 1377.28681 24.67247 1.61301 166.5 Ｌ12 4 -387.70451 1.0 0000 5 782.26798 29.58224 1.61301 166.5 Ｌ13 6 -311.05441 1.0 0000 7 315.24168 20.71970 1.61301 166.5 Ｌ14 8 940.65241 1.0 0000 9 222.04792 26.22483 1.61301 166.5 Ｌ1510 ∞ 3.0 000011 ∞ 18.83098 1.61565 275.2 Ｌ2112 94.55305 34.99508 13 -618.53181 30.91225 1.61565 275.2 Ｌ2214 270.49295 81.6 3794 15 -207.01550 18.53898 1.61301 166.5 Ｌ2316 550.48284 16.3 0393 17 509.78049 31.46755 1.46393 430.3 Ｌ3118 -293.55533 1.0 0000 19 1501.75451 31.57829 1.46393 430.3 Ｌ3220 -249.23867 1.0 0000 21 752.22306 22.05166 1.61565 275.2 Ｌ3322 227.65254 11.1 6010 23 305.03325 45.65654 1.46393 430.3 Ｌ3424 -207.37810 1.0 0000 25 304.11365 20.15653 1.61565 275.2 Ｌ3526 520.88881 1.0 0000 27 150.14085 23.57948 1.61565 275.2 Ｌ3628 263.52679 2.2 9997 29 234.23639 17.68725 1.61565 275.2 Ｌ4130 131.16887 33.5 8789 31 -465.73862 16.06491 1.61565 275.2 Ｌ4232 238.82420 30.7 8669 33 -136.82087 18.38319 1.61565 275.2 Ｌ4334 -220.64900 1.0 0000 35 -670.71921 22.60983 1.61565 275.2 Ｌ5136 -226.64826 1.0 0000 37 952.41635 37.74542 1.46393 430.3 Ｌ5238 -172.68992 5.6 2378 39 -184.21245 20.97547 1.61565 275.2 Ｌ5340 -308.03767 1.0 0000 41 167.16416 38.06019 1.46393 430.3 Ｌ5442 ∞ 1.0 000043 149.80526 30.18702 1.46393 430.3 Ｌ5544 472.45704 13.08588 45 ∞ 16.31910 1.61301 166.5 Ｌ6146 112.70626 68.1 5065 47 -552.80267 16.06342 1.61565 275.2 Ｌ6248 271.65717 37.3 7212 49 -127.88784 18.43600 1.61565 275.2 Ｌ6350 -207.57943 1.0 0000 51 -1439.66400 20.36630 1.61301 166.5 Ｌ7152 -330.65505 1.0 0000 53 231.62113 32.19036 1.61301 166.5 Ｌ7254 -857.26711 1.0 0000 55 263.60607 25.43212 1.61301 166.5 Ｌ7356 ∞ 45.0 034957 -332.28604 16.76277 1.61565 275.2 Ｌ7458 ∞ 50.00000 59 ∞ Ｐ
【００２３】図７は、本発明による投影光学系の第３実
施例を示し、この投影光学系は、ＦＥＤ等の露光装置に
組み込まれる両側テレセントリックな投影光学系であ
る。この投影光学系は、レチクルＲ側から順に、正の屈
折力を有する第１レンズ群Ｇ1と、負の屈折力を有する
第２レンズ群Ｇ2と、正の屈折力を有する第３レンズ群
Ｇ3と、負の屈折力を有する第４レンズ群Ｇ4と、正の屈
折力を有する第５レンズ群Ｇ5からなる。
施例を示し、この投影光学系は、ＦＥＤ等の露光装置に
組み込まれる両側テレセントリックな投影光学系であ
る。この投影光学系は、レチクルＲ側から順に、正の屈
折力を有する第１レンズ群Ｇ1と、負の屈折力を有する
第２レンズ群Ｇ2と、正の屈折力を有する第３レンズ群
Ｇ3と、負の屈折力を有する第４レンズ群Ｇ4と、正の屈
折力を有する第５レンズ群Ｇ5からなる。
【００２４】第１レンズ群Ｇ1の最もレチクルＲ側に配
置されるレンズＬ11は、ガラスプレートＰ側に凹面を向
けた負レンズである。また、第２レンズ群Ｇ2には、レ
チクルＲ側から順に、ガラスプレートＰ側に凹面を向け
た負レンズＬ22と、負レンズＬ23と、レチクルＲ側に凹
面を向けた負レンズＬ24が配置されており、第４レンズ
群Ｇ4には、レチクルＲ側から順に、ガラスプレートＰ
側に凹面を向けた負レンズＬ41と、負レンズＬ42と、レ
チクルＲ側に凹面を向けた負レンズＬ43が配置されてい
る。
置されるレンズＬ11は、ガラスプレートＰ側に凹面を向
けた負レンズである。また、第２レンズ群Ｇ2には、レ
チクルＲ側から順に、ガラスプレートＰ側に凹面を向け
た負レンズＬ22と、負レンズＬ23と、レチクルＲ側に凹
面を向けた負レンズＬ24が配置されており、第４レンズ
群Ｇ4には、レチクルＲ側から順に、ガラスプレートＰ
側に凹面を向けた負レンズＬ41と、負レンズＬ42と、レ
チクルＲ側に凹面を向けた負レンズＬ43が配置されてい
る。
【００２５】レチクルＲは１辺が６インチの正方形、露
光波長はＫｒＦエキシマレーザ光（２４８ｎｍ）で、Ｎ
Ａ＝０．３で、解像力は０．８μｍ以下である。すなわ
ち、ｋをプロセス係数として、解像度＝ｋ×λ／ＮＡと
表わすことができ、本実施例ではｋ＝０．６であるか
ら、解像度＝０．５μｍとなる。投影倍率は１／２．５
倍の縮小で、最大像高Ｙは、Ｙ＝３１．１１ｍｍであ
る。したがって露光フィールドＥＡの形状を正方形とす
れば、４４ｍｍ×４４ｍｍの露光フィールドとなる。以
下の表３に、第３実施例の諸元を掲げる。すべてのレン
ズの硝材は合成石英であり、合成石英の使用波長（２４
８ｎｍ）での屈折率は、１．５０８３８９である。ま
た、使用波長に狭帯域化された光束を使用する。それ
故、表３の［レンズ諸元］では、屈折率ｎとアッベ数ν
を省略している。
光波長はＫｒＦエキシマレーザ光（２４８ｎｍ）で、Ｎ
Ａ＝０．３で、解像力は０．８μｍ以下である。すなわ
ち、ｋをプロセス係数として、解像度＝ｋ×λ／ＮＡと
表わすことができ、本実施例ではｋ＝０．６であるか
ら、解像度＝０．５μｍとなる。投影倍率は１／２．５
倍の縮小で、最大像高Ｙは、Ｙ＝３１．１１ｍｍであ
る。したがって露光フィールドＥＡの形状を正方形とす
れば、４４ｍｍ×４４ｍｍの露光フィールドとなる。以
下の表３に、第３実施例の諸元を掲げる。すべてのレン
ズの硝材は合成石英であり、合成石英の使用波長（２４
８ｎｍ）での屈折率は、１．５０８３８９である。ま
た、使用波長に狭帯域化された光束を使用する。それ
故、表３の［レンズ諸元］では、屈折率ｎとアッベ数ν
を省略している。
【００２６】
【表３】 ［主要諸元］ β＝1/2.5 ＮＡ＝0.3 Ｌ＝1200ｍｍ λ＝0.248μｍ Ｙ＝31.11 ＥＡ＝44ｍｍ×44ｍｍ π×Ｙ2×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＝3.71 ［レンズ諸元］ Ｎｏ ｒ ｄ 0 ∞ 100.54099 Ｒ 1 ∞ 23.49989 Ｌ11 2 327. 21806 16.60623 3 745.99255 24.29147 Ｌ12 4 -792.67400 1.00000 5 477.75742 25.30887 Ｌ13 6 -1067.61000 1.00000 7 397.56382 26.07925 Ｌ14 8 -1506.22800 1.00000 9 308.67554 27.77416 Ｌ1510 -1711.86500 1.00000 11 255.43901 19.44571 Ｌ2112 134.49939 21.21029 13 392.48722 17.71194 Ｌ2214 166.81409 21.72514 15 2316.17366 17.02197 Ｌ2316 257.82570 58.86230 17 -127.30481 18.70569 Ｌ2418 -2339.58700 12.42892 19 -327.18173 20.59271 Ｌ2520 -620.90663 37.00065 21 -1533.81200 30.36053 Ｌ3122 -212.87813 1.00000 23 1152.51610 29.21679 Ｌ3224 -347.77220 1.00000 25 366.50812 29.12826 Ｌ3326 -816.19208 1.00000 27 289.18973 25.66665 Ｌ3428 -3215.23700 1.02318 29 221.16412 29.15903 Ｌ3530 362.33564 13.19690 31 -1429.49800 16.90899 Ｌ4132 128.70362 25.44667 33 -171.40580 13.89425 Ｌ4234 241.11901 49.13964 35 -150.49549 16.58890 Ｌ4336 -4555.02600 13.58757 37 -254.20194 24.13589 Ｌ5138 -200.61407 1.00000 39 -3182.49700 22.23957 Ｌ5240 -292.36148 1.00000 41 2596.31870 32.65875 Ｌ5342 -225.72431 1.00000 43 228.47592 37.12921 Ｌ5444 -1062.27300 10.36255 45 -480.45072 24.00219 Ｌ5546 -3004.94500 1.00000 47 269.60675 22.95075 Ｌ5648 773.94795 1.00000 49 318.85934 22.48602 Ｌ5750 462.73199 74.40343 51 -786.03086 16.99427 Ｌ5852 -365.94219 52.49696 53 -149.65954 12.21313 Ｌ5954 459.79301 5.32364 55 99.59299 18.48013 Ｌ51056 794.31006 30.00000 57 ∞ Ｐ
【００２７】図４、図６、図８に、それぞれ第１、第
２、第３実施例の投影光学系の球面収差、非点収差、歪
曲収差、及び横収差を示す。非点収差図において、点線
Ｍはメリジオナル像面を表わし、実線Ｓはサジタル像面
を表わす。各収差図より明らかなように、各実施例とも
優れた結像性能を有することが分かる。なお、図３に示
す第１実施例、図５に示す第２実施例及び図７に示す第
３実施例では、負レンズＬ４１と負レンズＬ４２との間
に、開口絞りＡＳが設けられており、これらの開口絞り
ＡＳの開口径を可変にする事もできる。
２、第３実施例の投影光学系の球面収差、非点収差、歪
曲収差、及び横収差を示す。非点収差図において、点線
Ｍはメリジオナル像面を表わし、実線Ｓはサジタル像面
を表わす。各収差図より明らかなように、各実施例とも
優れた結像性能を有することが分かる。なお、図３に示
す第１実施例、図５に示す第２実施例及び図７に示す第
３実施例では、負レンズＬ４１と負レンズＬ４２との間
に、開口絞りＡＳが設けられており、これらの開口絞り
ＡＳの開口径を可変にする事もできる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、主として
液晶表示素子の投影転写に用いられ、解像力が十分に高
く、しかも十分に広い露光フィールドを有する投影光学
系を得ることが出来る。
液晶表示素子の投影転写に用いられ、解像力が十分に高
く、しかも十分に広い露光フィールドを有する投影光学
系を得ることが出来る。
【図１】一括露光型の投影露光装置の一例を示す概略図
【図２】走査露光型の投影露光装置の一例を示す概略図
【図３】本発明の第１実施例による投影光学系のレンズ
構成図
構成図
【図４】第１実施例の投影光学系の収差図
【図５】第２実施例の投影光学系のレンズ構成図
【図６】第２実施例の投影光学系の収差図
【図７】第３実施例の投影光学系のレンズ構成図
【図８】第３実施例の投影光学系の収差図
ＩＬ…照明光学系 ＲＳ…レチクルステ
ージ Ｒ…レチクル ＩＡ…照明フィール
ド ＰＬ…投影光学系 ＡＳ…開口絞り ＷＳ…ウエハステージ Ｗ…ウエハ ＥＡ…露光フィールド Ｐ…ガラスプレート Ｇ1〜Ｇ7…レンズ群 Ｌ11〜Ｌ74…レンズ
ージ Ｒ…レチクル ＩＡ…照明フィール
ド ＰＬ…投影光学系 ＡＳ…開口絞り ＷＳ…ウエハステージ Ｗ…ウエハ ＥＡ…露光フィールド Ｐ…ガラスプレート Ｇ1〜Ｇ7…レンズ群 Ｌ11〜Ｌ74…レンズ
Claims (5)
- 【請求項１】第１面の像を第２面上に形成する投影光学
系において、 最大像高をＹ（ｍｍ）とし、像側最大開口数をＮＡと
し、使用波長をλ（μｍ）とし、前記第１面から第２面
までの光軸上の距離をＬ（ｍｍ）とするとき、 Ｙ≧５３ λ／ＮＡ≦２．１ ０．８＜π×Ｙ2×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＜２．５ なる各条件式を満たすことを特徴とする投影光学系。 - 【請求項２】前記第１面側から順に、正の屈折力を有す
る第１レンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群
と、正の屈折力を有する第３レンズ群と、負の屈折力を
有する第４レンズ群と、正の屈折力を有する第５レンズ
群と、負の屈折力を有する第６レンズ群と、正の屈折力
を有する第７レンズ群からなり、 前記第１レンズ群の最も前記第１面側に配置されるレン
ズは、前記第２面側に凹面を向けた負レンズであり、 前記第２レンズ群と第４レンズ群と第６レンズ群は、そ
れぞれ、前記第１面側から順に、前記第２面側に凹面を
向けた第１の負レンズと、第２の負レンズと、前記第１
面側に凹面を向けた第３の負レンズを有することを特徴
とする請求項１記載の投影光学系。 - 【請求項３】第１面の像を第２面上に形成する投影光学
系において、 最大像高をＹ（ｍｍ）とし、像側最大開口数をＮＡと
し、使用波長をλ（μｍ）とし、前記第１面から第２面
までの光軸上の距離をＬ（ｍｍ）とするとき、 Ｙ≧３１ λ／ＮＡ≦０．９ ２．５＜π×Ｙ2×ＮＡ2／（λ2×Ｌ）＜７．５ なる各条件式を満たすことを特徴とする投影光学系。 - 【請求項４】前記第１面側から順に、正の屈折力を有す
る第１レンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群
と、正の屈折力を有する第３レンズ群と、負の屈折力を
有する第４レンズ群と、正の屈折力を有する第５レンズ
群からなり、 前記第１レンズ群の最も前記第１面側に配置されるレン
ズは、前記第２面側に凹面を向けた負レンズであり、 前記第２レンズ群と第４レンズ群は、それぞれ、前記第
１面側から順に、前記第２面側に凹面を向けた第１の負
レンズと、第２の負レンズと、前記第１面側に凹面を向
けた第３の負レンズを有することを特徴とする請求項３
記載の投影光学系。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項記載の投影光
学系と、前記第１面を照明する照明光学系を有すること
を特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10309678A JP2000137162A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 投影光学系及び投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10309678A JP2000137162A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 投影光学系及び投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000137162A true JP2000137162A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=17995968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10309678A Pending JP2000137162A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 投影光学系及び投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000137162A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6556353B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-04-29 | Nikon Corporation | Projection optical system, projection exposure apparatus, and projection exposure method |
| US6717651B2 (en) | 2000-04-12 | 2004-04-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing thereof and method for manufacturing microdevice |
| US6813091B2 (en) | 2002-05-21 | 2004-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Zoom lens system and photographing apparatus having the same |
| US6862078B2 (en) | 2001-02-21 | 2005-03-01 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus with the same |
-
1998
- 1998-10-30 JP JP10309678A patent/JP2000137162A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6717651B2 (en) | 2000-04-12 | 2004-04-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing thereof and method for manufacturing microdevice |
| US6862078B2 (en) | 2001-02-21 | 2005-03-01 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus with the same |
| US6556353B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-04-29 | Nikon Corporation | Projection optical system, projection exposure apparatus, and projection exposure method |
| US6813091B2 (en) | 2002-05-21 | 2004-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Zoom lens system and photographing apparatus having the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6259508B1 (en) | Projection optical system and exposure apparatus and method | |
| JP4717974B2 (ja) | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
| JP4324957B2 (ja) | 照明光学装置、露光装置および露光方法 | |
| KR100866818B1 (ko) | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 | |
| JP3750123B2 (ja) | 投影光学系 | |
| JP3925576B2 (ja) | 投影光学系、該光学系を備えた露光装置、及び該装置を用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH08190047A (ja) | 投影光学系 | |
| JP4779394B2 (ja) | 投影光学系、露光装置、および露光方法 | |
| KR20200058356A (ko) | 투영 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법 | |
| JP2004045885A (ja) | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法 | |
| JPH10325922A (ja) | 投影光学系 | |
| KR100522503B1 (ko) | 투영광학계 및 이것을 가진 투영노광장치, 그리고디바이스제조방법 | |
| JP2000137162A (ja) | 投影光学系及び投影露光装置 | |
| JP2002244035A (ja) | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 | |
| JP4228130B2 (ja) | 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2005115127A (ja) | 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法 | |
| JP2002118053A (ja) | 投影光学系，該投影光学系を備えた露光装置，及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2005114881A (ja) | 投影光学系、露光装置、および露光方法 | |
| US6700645B1 (en) | Projection optical system and exposure apparatus and method | |
| JP4300509B2 (ja) | 投影光学系、露光装置、および露光方法 | |
| US7154585B2 (en) | Projection optical system, exposure apparatus, and device production method | |
| JPH10197791A (ja) | 投影レンズ | |
| JP2005017734A (ja) | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| JP2000231058A (ja) | 投影光学系及び該投影光学系を備えた投影露光装置並びにデバイス製造方法 | |
| JP4328940B2 (ja) | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20050811 |