JP2000134063A - 減衰回路 - Google Patents
減衰回路Info
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- JP2000134063A JP2000134063A JP10300916A JP30091698A JP2000134063A JP 2000134063 A JP2000134063 A JP 2000134063A JP 10300916 A JP10300916 A JP 10300916A JP 30091698 A JP30091698 A JP 30091698A JP 2000134063 A JP2000134063 A JP 2000134063A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 減衰量が温度変化によって変化しないように
する。 【解決手段】 入力端と出力端との有する増幅素子１
と、増幅素子１の出力端に接続された可変減衰回路６
と、入力端と出力端との間に設けられたインピーダンス
素子２とを有し、可変減衰回路６の温度による減衰量の
増減方向とインピーダンス素子２温度によるインピーダ
ンスの増減方向とを同じにした。
する。 【解決手段】 入力端と出力端との有する増幅素子１
と、増幅素子１の出力端に接続された可変減衰回路６
と、入力端と出力端との間に設けられたインピーダンス
素子２とを有し、可変減衰回路６の温度による減衰量の
増減方向とインピーダンス素子２温度によるインピーダ
ンスの増減方向とを同じにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度変化に対して
減衰量を変化し難くした減数回路に関する。
減衰量を変化し難くした減数回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の減衰回路を図３に従って説明す
る。トランジスタ３１のコレクタには電圧供給抵抗（図
示せず）が接続され、また、ベースにはバイアス抵抗
（図示せず）によってバイアス電圧が印加されている。
そして、ベースに入力された高周波信号を増幅してコレ
クタから出力する。コレクタには第一の可変減衰回路３
２と第二の可変減衰回路３３とが縦続接続される。
る。トランジスタ３１のコレクタには電圧供給抵抗（図
示せず）が接続され、また、ベースにはバイアス抵抗
（図示せず）によってバイアス電圧が印加されている。
そして、ベースに入力された高周波信号を増幅してコレ
クタから出力する。コレクタには第一の可変減衰回路３
２と第二の可変減衰回路３３とが縦続接続される。
【０００３】第一の可変減衰回路３２は第一のピンダイ
オード３２ａ、第二のピンダイオード３２ｂ、第三のピ
ンダイオード３２ｃを有している。第一のピンダイオー
ド３２ａのアノードは直流阻止コンデンサ３４を介して
トランジスタ３１のコレクタに接続され、第二のピンダ
イオード３２ｂのアノードは直流阻止コンデンサ３５を
介して第一のピンダイオード３２ａのアノードに接続さ
れる。また、第三のピンダイオード３２ｃのカソードは
第一のピンダイオード３２ａのカソードに接続される。
そして、第二のピンダイオード３２ｂのカソードと第三
のピンダイオード３２ｃのアノードとが互いに接続され
るとともに直流コンデンサ３６を介して高周波的にグラ
ンドに接続される。この結果、第一の可変減衰回路３２
は第一乃至第三のピンダイオード３２ａ、３２ｂ、３２
ｃによってπ型に構成される。
オード３２ａ、第二のピンダイオード３２ｂ、第三のピ
ンダイオード３２ｃを有している。第一のピンダイオー
ド３２ａのアノードは直流阻止コンデンサ３４を介して
トランジスタ３１のコレクタに接続され、第二のピンダ
イオード３２ｂのアノードは直流阻止コンデンサ３５を
介して第一のピンダイオード３２ａのアノードに接続さ
れる。また、第三のピンダイオード３２ｃのカソードは
第一のピンダイオード３２ａのカソードに接続される。
そして、第二のピンダイオード３２ｂのカソードと第三
のピンダイオード３２ｃのアノードとが互いに接続され
るとともに直流コンデンサ３６を介して高周波的にグラ
ンドに接続される。この結果、第一の可変減衰回路３２
は第一乃至第三のピンダイオード３２ａ、３２ｂ、３２
ｃによってπ型に構成される。
【０００４】第一のピンダイオード３２ａのカソードと
第三のピンダイオード３２ｃのカソード同士が抵抗３７
によってグランドに接続され、第二のピンダイオード３
２ｂのアノードには抵抗３８を介して固定電圧Ｂが供給
される。そして、高周波阻止用のチョークインダクタ３
９を介して、例えば、ＡＧＣ電圧Ｖが第一のピンダイオ
ード３２ａのアノードに印加される。
第三のピンダイオード３２ｃのカソード同士が抵抗３７
によってグランドに接続され、第二のピンダイオード３
２ｂのアノードには抵抗３８を介して固定電圧Ｂが供給
される。そして、高周波阻止用のチョークインダクタ３
９を介して、例えば、ＡＧＣ電圧Ｖが第一のピンダイオ
ード３２ａのアノードに印加される。
【０００５】同様に、第二の可変減衰回路３３は第四の
ピンダイオード３３ａ、第五のピンダイオード３３ｂ、
第六のピンダイオード３３ｃを有している。第四のピン
ダイオード３３ａのアノードは直流阻止コンデンサ４０
を介して第一のピンダイオード３２ａのカソードに接続
され、第五のピンダイオード３３ｂのアノードは直流阻
止コンデンサ４１を介して第四のピンダイオード３３ａ
のアノードに接続される。また、第六のピンダイオード
３３ｃのカソードは第四のピンダイオード３３ａのカソ
ードに接続される。そして、第五のピンダイオード３３
ｂのカソードと第六のピンダイオード３３ｃのアノード
とが互いに接続されるとともに直流コンデンサ４２を介
して高周波的にグランドに接続される。この結果、第二
の可変減衰回路３３は第四乃至第六のピンダイオード３
３ａ、３３ｂ、３３ｃによってπ型に構成される。
ピンダイオード３３ａ、第五のピンダイオード３３ｂ、
第六のピンダイオード３３ｃを有している。第四のピン
ダイオード３３ａのアノードは直流阻止コンデンサ４０
を介して第一のピンダイオード３２ａのカソードに接続
され、第五のピンダイオード３３ｂのアノードは直流阻
止コンデンサ４１を介して第四のピンダイオード３３ａ
のアノードに接続される。また、第六のピンダイオード
３３ｃのカソードは第四のピンダイオード３３ａのカソ
ードに接続される。そして、第五のピンダイオード３３
ｂのカソードと第六のピンダイオード３３ｃのアノード
とが互いに接続されるとともに直流コンデンサ４２を介
して高周波的にグランドに接続される。この結果、第二
の可変減衰回路３３は第四乃至第六のピンダイオード３
３ａ、３３ｂ、３３ｃによってπ型に構成される。
【０００６】第四のピンダイオード３３ａのカソードと
第六のピンダイオード３３ｃのカソード同士が抵抗４３
によってグランドに接続され、第二のピンダイオード３
３ｂのアノードには抵抗４４を介して固定電圧Ｂが供給
される。そして、高周波阻止用のチョークインダクタ４
５を介して、例えば、ＡＧＣ電圧Ｖが第四のピンダイオ
ード３３ａのアノードに印加される。
第六のピンダイオード３３ｃのカソード同士が抵抗４３
によってグランドに接続され、第二のピンダイオード３
３ｂのアノードには抵抗４４を介して固定電圧Ｂが供給
される。そして、高周波阻止用のチョークインダクタ４
５を介して、例えば、ＡＧＣ電圧Ｖが第四のピンダイオ
ード３３ａのアノードに印加される。
【０００７】ここで、固定電圧Ｂは、例えば、１２Ｖ
（ボルト）に設定され、ＡＧＣ電圧Ｖはそれよりも低く
且つ５Ｖから１０Ｖの範囲で変化する。また、抵抗３
７、４３の抵抗値はそれぞれおよそ３．３ＫΩ（キロオ
ーム）に設定され、抵抗３８、４４の抵抗値はそれぞれ
およそ３３ＫΩに設定されている。
（ボルト）に設定され、ＡＧＣ電圧Ｖはそれよりも低く
且つ５Ｖから１０Ｖの範囲で変化する。また、抵抗３
７、４３の抵抗値はそれぞれおよそ３．３ＫΩ（キロオ
ーム）に設定され、抵抗３８、４４の抵抗値はそれぞれ
およそ３３ＫΩに設定されている。
【０００８】以上の構成において、ＡＧＣ電圧Ｖが高い
電圧（例えば１０Ｖ）から低い電圧（例えば５Ｖ）に変
化する場合を考えると、第一のピンダイオード３２ａと
第四のピンダイオード３３ａに流れる電流は漸次減少し
てそれらのピンダイオード３２ａ、３３ａの等価的な抵
抗が増加する。すると、抵抗３７、４３の電圧降下が小
さくなって、第二のピンダイオード３２ｂ、第三のピン
ダイオード３２ｃ、第五のピンダイオード３３ｂ、第六
のピンダイオード３３ｃに流れる電流が増加してそれら
のピンダイオード３２ｂ、３２ｃ、３３ｂ、３３ｃの等
価的な抵抗が減少する。この結果、第一の可変減衰回路
３２の減衰量と第二の可変減衰回路３３の減衰量とがと
もに増加するようになる。
電圧（例えば１０Ｖ）から低い電圧（例えば５Ｖ）に変
化する場合を考えると、第一のピンダイオード３２ａと
第四のピンダイオード３３ａに流れる電流は漸次減少し
てそれらのピンダイオード３２ａ、３３ａの等価的な抵
抗が増加する。すると、抵抗３７、４３の電圧降下が小
さくなって、第二のピンダイオード３２ｂ、第三のピン
ダイオード３２ｃ、第五のピンダイオード３３ｂ、第六
のピンダイオード３３ｃに流れる電流が増加してそれら
のピンダイオード３２ｂ、３２ｃ、３３ｂ、３３ｃの等
価的な抵抗が減少する。この結果、第一の可変減衰回路
３２の減衰量と第二の可変減衰回路３３の減衰量とがと
もに増加するようになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に、ピ
ンダイオードの直流特性（電圧／電流特性）は温度によ
って変化し、同一電流が流れていても温度が高くなると
アノードとカソードとの間の接合電圧は低くなる。この
ことから、温度が高くなるとピンダイオードの等価的な
抵抗値は低くなる。そして、抵抗３７の抵抗値よりも抵
抗３８の抵抗値が大きく、同様に、抵抗４３の抵抗値よ
りも抵抗４４の抵抗値が大きいので、減衰量の増加開始
後は第一のピンダイオード３２ａに流れる電流が第二お
よび第三のピンダイオード３２ｂ、３２ｃに流れる電流
よりも大きく、同様に、第四のピンダイオード３３ａに
流れる電流が第五および第六のピンダイオード３３ｂ、
３３ｃに流れる電流よりも大きくなっている。
ンダイオードの直流特性（電圧／電流特性）は温度によ
って変化し、同一電流が流れていても温度が高くなると
アノードとカソードとの間の接合電圧は低くなる。この
ことから、温度が高くなるとピンダイオードの等価的な
抵抗値は低くなる。そして、抵抗３７の抵抗値よりも抵
抗３８の抵抗値が大きく、同様に、抵抗４３の抵抗値よ
りも抵抗４４の抵抗値が大きいので、減衰量の増加開始
後は第一のピンダイオード３２ａに流れる電流が第二お
よび第三のピンダイオード３２ｂ、３２ｃに流れる電流
よりも大きく、同様に、第四のピンダイオード３３ａに
流れる電流が第五および第六のピンダイオード３３ｂ、
３３ｃに流れる電流よりも大きくなっている。
【００１０】従って、第一のピンダイオード３２ａおよ
び第四のピンダイオード３３ａは電圧／電流特性が急峻
となる電流の大きな動作点にバイアスされているので、
温度による電流の変化の割合が第二、第三、第五、第六
のピンダイオード３２ｂ、３２ｃ，３３ｂ、３３ｃの電
流の変化の割合よりも大きくなる。そのため、温度が高
くなると減衰量が減少する方向に変化するという問題が
生じる。
び第四のピンダイオード３３ａは電圧／電流特性が急峻
となる電流の大きな動作点にバイアスされているので、
温度による電流の変化の割合が第二、第三、第五、第六
のピンダイオード３２ｂ、３２ｃ，３３ｂ、３３ｃの電
流の変化の割合よりも大きくなる。そのため、温度が高
くなると減衰量が減少する方向に変化するという問題が
生じる。
【００１１】そこで、本発明の減衰回路は、減衰量が温
度変化によって変化しないようにすることを目的とす
る。
度変化によって変化しないようにすることを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の減衰回路は、入力端と出力端との有する増
幅素子と、前記増幅素子の出力端に接続された可変減衰
回路と、前記入力端と前記出力端との間に設けられたイ
ンピーダンス素子とを有し、前記可変減衰回路の温度に
よる減衰量の増減方向と前記インピーダンス素子の温度
によるインピーダンスの増減方向とを同じにした。
め、本発明の減衰回路は、入力端と出力端との有する増
幅素子と、前記増幅素子の出力端に接続された可変減衰
回路と、前記入力端と前記出力端との間に設けられたイ
ンピーダンス素子とを有し、前記可変減衰回路の温度に
よる減衰量の増減方向と前記インピーダンス素子の温度
によるインピーダンスの増減方向とを同じにした。
【００１３】また、本発明の減衰回路は、前記インピー
ダンス素子を第一のピンダイオードで構成し、前記第一
のピンダイオードに第一の電流を通流させた。
ダンス素子を第一のピンダイオードで構成し、前記第一
のピンダイオードに第一の電流を通流させた。
【００１４】また、本発明の減衰回路は、少なくとも第
二のピンダイオードと第三のピンダイオードとで前記可
変減衰回路を構成し、前記第二のピンダイオードを信号
伝送ラインに直列に設けるとともに前記第三のピンダイ
オードを前記信号伝送ラインとグランドとの間に接続
し、前記第二および第三のピンダイオードのカソード同
士を第一の抵抗を介してグランドに接続し、前記第二の
ピンダイオードに第二の電流を通流するとともに前記第
二の電流を変えられるようにし、前記第三のピンダイオ
ードのアノードには前記第一の抵抗の抵抗値よりも大き
な抵抗値を有する第二の抵抗を介して電圧が固定の第一
の電圧を印加した。
二のピンダイオードと第三のピンダイオードとで前記可
変減衰回路を構成し、前記第二のピンダイオードを信号
伝送ラインに直列に設けるとともに前記第三のピンダイ
オードを前記信号伝送ラインとグランドとの間に接続
し、前記第二および第三のピンダイオードのカソード同
士を第一の抵抗を介してグランドに接続し、前記第二の
ピンダイオードに第二の電流を通流するとともに前記第
二の電流を変えられるようにし、前記第三のピンダイオ
ードのアノードには前記第一の抵抗の抵抗値よりも大き
な抵抗値を有する第二の抵抗を介して電圧が固定の第一
の電圧を印加した。
【００１５】また、本発明の減衰回路は、前記第一の電
流を変えられるようにし、前記第一の電流の増減方向と
前記第二の電流の増減方向とを逆にした。
流を変えられるようにし、前記第一の電流の増減方向と
前記第二の電流の増減方向とを逆にした。
【００１６】また、本発明の減衰回路は、非反転入力端
と反転入力端と出力端とを有するオペアンプを有し、前
記第一のピンダイオードのカソードを直流的にグランド
に接続するとともに前記第一のピンダイオードのアノー
ドを前記オペアンプの出力端に接続し、前記オペアンプ
の反転入力端と前記第二のピンダイオードのアノードと
に第二の電圧を印加し、前記第二の電圧を前記第一の電
圧よりも低くするとともに前記第二の電圧を変えるよう
にした。
と反転入力端と出力端とを有するオペアンプを有し、前
記第一のピンダイオードのカソードを直流的にグランド
に接続するとともに前記第一のピンダイオードのアノー
ドを前記オペアンプの出力端に接続し、前記オペアンプ
の反転入力端と前記第二のピンダイオードのアノードと
に第二の電圧を印加し、前記第二の電圧を前記第一の電
圧よりも低くするとともに前記第二の電圧を変えるよう
にした。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の減衰回路を図１に従って
説明する。増幅素子であるトランジスタ１は入力端とな
るベースと出力端となるコレクタを有し、ベースにはバ
イアス抵抗（図示せず）によってバイアス電圧が印加さ
れ、コレクタには給電抵抗（図示せず）を介して電源電
圧が供給されている。そして、ベースに入力された高周
波信号を増幅してコレクタから出力する。
説明する。増幅素子であるトランジスタ１は入力端とな
るベースと出力端となるコレクタを有し、ベースにはバ
イアス抵抗（図示せず）によってバイアス電圧が印加さ
れ、コレクタには給電抵抗（図示せず）を介して電源電
圧が供給されている。そして、ベースに入力された高周
波信号を増幅してコレクタから出力する。
【００１８】トランジスタ１のコレクタとベースとの間
には、インピーダンス素子としての第一のピンダイオー
ド２が設けられる。従って、第一のピンダイオード２に
よってトランジスタ１のコレクタからベースに負帰還が
かかることになる。第一のピンダイオード２のアノード
は直流阻止コンデンサ３を介してコレクタに、カソード
は直流阻止コンデンサ４を介してベースにそれぞれ接続
される。そして、第一のピンダイオード２のカソードは
抵抗５によってグランドに接続される。
には、インピーダンス素子としての第一のピンダイオー
ド２が設けられる。従って、第一のピンダイオード２に
よってトランジスタ１のコレクタからベースに負帰還が
かかることになる。第一のピンダイオード２のアノード
は直流阻止コンデンサ３を介してコレクタに、カソード
は直流阻止コンデンサ４を介してベースにそれぞれ接続
される。そして、第一のピンダイオード２のカソードは
抵抗５によってグランドに接続される。
【００１９】トランジスタ１のコレクタには可変減衰回
路６が接続される。可変減衰回路６は第二のピンダイオ
ード６ａ、第三のピンダイオード６ｂ、第四のピンダイ
オード６ｃを有している。第一のピンダイオード６ａの
アノードは直流阻止コンデンサ７を介してトランジスタ
１のコレクタに接続され、カソードは出力端子８に接続
される。第三のピンダイオード６ｂは、そのカソードが
第二のピンダイオード６ａのカソードに接続され、アノ
ードが直流阻止コンデンサ９によってグランドに接続さ
れる。また、第四のピンダイオード６ｃは、そのアノー
ドが直流阻止コンデンサ１０によって第二のピンダイオ
ード６ａのアノードに接続され、カソードが第二のピン
ダイオード６ｂのアノードに接続される。
路６が接続される。可変減衰回路６は第二のピンダイオ
ード６ａ、第三のピンダイオード６ｂ、第四のピンダイ
オード６ｃを有している。第一のピンダイオード６ａの
アノードは直流阻止コンデンサ７を介してトランジスタ
１のコレクタに接続され、カソードは出力端子８に接続
される。第三のピンダイオード６ｂは、そのカソードが
第二のピンダイオード６ａのカソードに接続され、アノ
ードが直流阻止コンデンサ９によってグランドに接続さ
れる。また、第四のピンダイオード６ｃは、そのアノー
ドが直流阻止コンデンサ１０によって第二のピンダイオ
ード６ａのアノードに接続され、カソードが第二のピン
ダイオード６ｂのアノードに接続される。
【００２０】この結果、第二のピンダイオード６ａは信
号伝送ラインに直列に設けられ、第三のピンダイオード
６ｂと第四のピンダイオード６ｃとは共に信号伝送ライ
ンとグランドとの間に設けられ、可変減衰回路６は第二
乃至第四のピンダイオード６ａ、６ｂ、６ｃによってπ
型に構成される。
号伝送ラインに直列に設けられ、第三のピンダイオード
６ｂと第四のピンダイオード６ｃとは共に信号伝送ライ
ンとグランドとの間に設けられ、可変減衰回路６は第二
乃至第四のピンダイオード６ａ、６ｂ、６ｃによってπ
型に構成される。
【００２１】そして、第二のピンダイオード６ａのカソ
ードと第三のピンダイオード６ｂとのカソードとが抵抗
１１によってグランドに接続され、第四のピンダイオー
ド６ｂのアノードには抵抗１２を介して固定電圧Ｂが供
給される。また、高周波阻止用のチョークインダクタ１
３を介して、例えば、ＡＧＣ電圧Ｖが第二のピンダイオ
ード６ａのアノードに印加される。
ードと第三のピンダイオード６ｂとのカソードとが抵抗
１１によってグランドに接続され、第四のピンダイオー
ド６ｂのアノードには抵抗１２を介して固定電圧Ｂが供
給される。また、高周波阻止用のチョークインダクタ１
３を介して、例えば、ＡＧＣ電圧Ｖが第二のピンダイオ
ード６ａのアノードに印加される。
【００２２】第一のピンダイオード２にはオペアンプ１
５から電流が流れる。オペアンプ１５は差動増幅器１５
ａと帰還抵抗１５ｂと入力抵抗１５ｃを有し、オペアン
プ１５ａの反転入力端（−）と出力端との間に帰還抵抗
１５ｂが接続され、非反転入力端（＋）が接地され、入
力抵抗１５ｂを介してＡＧＣ電圧Ｖが反転入力端に入力
される。この結果、オペアンプ１５の出力端の電圧の増
減方向はＡＧＣ電圧Ｖの増減方向とは逆となる。そし
て、オペアンプ１５の出力端がチョークインダクタ１６
を介して第一のピンダイオード２のアノードに接続され
る。
５から電流が流れる。オペアンプ１５は差動増幅器１５
ａと帰還抵抗１５ｂと入力抵抗１５ｃを有し、オペアン
プ１５ａの反転入力端（−）と出力端との間に帰還抵抗
１５ｂが接続され、非反転入力端（＋）が接地され、入
力抵抗１５ｂを介してＡＧＣ電圧Ｖが反転入力端に入力
される。この結果、オペアンプ１５の出力端の電圧の増
減方向はＡＧＣ電圧Ｖの増減方向とは逆となる。そし
て、オペアンプ１５の出力端がチョークインダクタ１６
を介して第一のピンダイオード２のアノードに接続され
る。
【００２３】ここで、固定電圧Ｂは、例えば、１２Ｖ
（ボルト）に設定され、ＡＧＣ電圧Ｖはそれよりも低く
且つ５Ｖから１０Ｖの範囲で変化する。また、抵抗１１
抵抗値はおよそ３．３ＫΩ（キロオーム）に設定され、
抵抗１２抵抗値はおよそ３３ＫΩに設定されている。
（ボルト）に設定され、ＡＧＣ電圧Ｖはそれよりも低く
且つ５Ｖから１０Ｖの範囲で変化する。また、抵抗１１
抵抗値はおよそ３．３ＫΩ（キロオーム）に設定され、
抵抗１２抵抗値はおよそ３３ＫΩに設定されている。
【００２４】以上の構成において、ＡＧＣ電圧Ｖが高い
電圧（例えば１０Ｖ）から低い電圧（例えば５Ｖ）に変
化する場合を考えると、第二のピンダイオード６ａに流
れる電流は漸次減少してその等価的な抵抗が増加する。
すると、抵抗１１の両端の電圧降下が小さくなって、第
三のピンダイオード６ｂ、第四のピンダイオード６ｃに
流れる電流が増加してそれらの等価的な抵抗が減少す
る。この結果、可変減衰回路６の減衰量が増加するよう
になる。
電圧（例えば１０Ｖ）から低い電圧（例えば５Ｖ）に変
化する場合を考えると、第二のピンダイオード６ａに流
れる電流は漸次減少してその等価的な抵抗が増加する。
すると、抵抗１１の両端の電圧降下が小さくなって、第
三のピンダイオード６ｂ、第四のピンダイオード６ｃに
流れる電流が増加してそれらの等価的な抵抗が減少す
る。この結果、可変減衰回路６の減衰量が増加するよう
になる。
【００２５】一方、ＡＧＣ電圧Ｖが高い電圧（例えば１
０Ｖ）から低い電圧（例えば５Ｖ）に変化すると、オペ
アンプ１５の出力端は低い電圧から高い電圧に変化して
いく。すると、第一のピンダイオード１に流れる電流が
増加し、その等価的な抵抗が減少する。従ってトランジ
スタ１における負帰還量が増加し、その増幅度（利得）
は減少する。そして、トランジスタ１の増幅度の減少と
可変減衰回路６の減衰量の増加とが重なって出力端子８
における信号レベルが下がる。
０Ｖ）から低い電圧（例えば５Ｖ）に変化すると、オペ
アンプ１５の出力端は低い電圧から高い電圧に変化して
いく。すると、第一のピンダイオード１に流れる電流が
増加し、その等価的な抵抗が減少する。従ってトランジ
スタ１における負帰還量が増加し、その増幅度（利得）
は減少する。そして、トランジスタ１の増幅度の減少と
可変減衰回路６の減衰量の増加とが重なって出力端子８
における信号レベルが下がる。
【００２６】ここで、可変減衰回路６における第二のピ
ンダイオード６ａに流れる電流は、抵抗１１の抵抗値よ
りも抵抗１２の抵抗値が大きいので、第三および第四の
ピンダイオード６ｂ、６ｃに流れる電流よりも大きく、
従って、可変減衰回路６の減衰量は第二のピンダイオー
ド６ａが支配的となって変わる。
ンダイオード６ａに流れる電流は、抵抗１１の抵抗値よ
りも抵抗１２の抵抗値が大きいので、第三および第四の
ピンダイオード６ｂ、６ｃに流れる電流よりも大きく、
従って、可変減衰回路６の減衰量は第二のピンダイオー
ド６ａが支配的となって変わる。
【００２７】一方、第一乃至第四のピンダイオード２、
６ａ、６ｂ、６ｃに流れる電流は温度が高くなると増加
し、それらの効果的な抵抗は減少する。すると、可変減
衰回路６においては、第二のピンダイオード６ａの等価
的な抵抗の減少によって減衰量が減少する。しかし、ト
ランジスタ１の増幅度は第一のピンダイオード２の等価
的な抵抗が減少することによって負帰還量が増加して減
少する。この結果、トランジスタ１の増幅度の減少と可
変減衰回路６の減衰量の減少とが相殺する形となり、出
力端子８における信号のレベルの変化は無くなる。
６ａ、６ｂ、６ｃに流れる電流は温度が高くなると増加
し、それらの効果的な抵抗は減少する。すると、可変減
衰回路６においては、第二のピンダイオード６ａの等価
的な抵抗の減少によって減衰量が減少する。しかし、ト
ランジスタ１の増幅度は第一のピンダイオード２の等価
的な抵抗が減少することによって負帰還量が増加して減
少する。この結果、トランジスタ１の増幅度の減少と可
変減衰回路６の減衰量の減少とが相殺する形となり、出
力端子８における信号のレベルの変化は無くなる。
【００２８】なお、図１に示した可変減衰回路６におけ
る第三のピンダイオード６ｃと直流阻止コンデンサ１０
とを削除して、図２に示すように、可変減衰回路６を第
二のピンダイオード６ａと第二のピンダイオード６ｂと
によってＬ型に構成してもよい。この場合、抵抗１２か
ら第二のピンダイオード６ｂのアノードに固定電圧Ｂを
印加する。
る第三のピンダイオード６ｃと直流阻止コンデンサ１０
とを削除して、図２に示すように、可変減衰回路６を第
二のピンダイオード６ａと第二のピンダイオード６ｂと
によってＬ型に構成してもよい。この場合、抵抗１２か
ら第二のピンダイオード６ｂのアノードに固定電圧Ｂを
印加する。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明の減衰回路は、入
力端と出力端との有する増幅素子と、増幅素子の出力端
に接続された可変減衰回路と、入力端と出力端との間に
設けられたインピーダンス素子とを有し、可変減衰回路
の温度による減衰量の増減方向とインピーダンス素子の
温度によるインピーダンスの増減方向とを同じにしたの
で、増幅素子の増幅度はインピーダンス素子による負帰
還量によって変化する。従って、可変減衰回路の減衰量
が温度によって変化しても増幅素子の増幅度の変化によ
って相殺され、出力端子における信号レベルは変化しな
い。
力端と出力端との有する増幅素子と、増幅素子の出力端
に接続された可変減衰回路と、入力端と出力端との間に
設けられたインピーダンス素子とを有し、可変減衰回路
の温度による減衰量の増減方向とインピーダンス素子の
温度によるインピーダンスの増減方向とを同じにしたの
で、増幅素子の増幅度はインピーダンス素子による負帰
還量によって変化する。従って、可変減衰回路の減衰量
が温度によって変化しても増幅素子の増幅度の変化によ
って相殺され、出力端子における信号レベルは変化しな
い。
【００３０】また、本発明の減衰回路は、インピーダン
ス素子を第一のピンダイオードで構成し、第一のピンダ
イオードに第一の電流を通流させたので、可変減衰回路
の減衰量が温度によって変化しても増幅素子の増幅度の
変化で相殺できる。
ス素子を第一のピンダイオードで構成し、第一のピンダ
イオードに第一の電流を通流させたので、可変減衰回路
の減衰量が温度によって変化しても増幅素子の増幅度の
変化で相殺できる。
【００３１】また、本発明の減衰回路は、少なくとも第
二のピンダイオードと第三のピンダイオードとで可変減
衰回路を構成し、第二のピンダイオードを信号伝送ライ
ンに直列に設けるとともに第三のピンダイオードを信号
伝送ラインとグランドとの間に接続し、第二および第三
のピンダイオードのカソード同士を第一の抵抗を介して
グランドに接続し、第二のピンダイオードに第二の電流
を通流するとともに第二の電流を変えられるようにし、
第三のピンダイオードのアノードには第一の抵抗の抵抗
値よりも大きな抵抗値を有する第二の抵抗を介して電圧
が固定の第一の電圧を印加したので、可変減衰回路の減
衰量を変化させた場合においても温度の変化に関わらず
全体の減衰量が変化しない。
二のピンダイオードと第三のピンダイオードとで可変減
衰回路を構成し、第二のピンダイオードを信号伝送ライ
ンに直列に設けるとともに第三のピンダイオードを信号
伝送ラインとグランドとの間に接続し、第二および第三
のピンダイオードのカソード同士を第一の抵抗を介して
グランドに接続し、第二のピンダイオードに第二の電流
を通流するとともに第二の電流を変えられるようにし、
第三のピンダイオードのアノードには第一の抵抗の抵抗
値よりも大きな抵抗値を有する第二の抵抗を介して電圧
が固定の第一の電圧を印加したので、可変減衰回路の減
衰量を変化させた場合においても温度の変化に関わらず
全体の減衰量が変化しない。
【００３２】また、本発明の減衰回路は、第一の電流を
変えられるようにし、第一の電流の増減方向と前記第二
の電流の増減方向とを逆にしたので、可変減衰回路の減
衰量が増加する場合は増幅素子の増幅度が減少して全体
の減衰量の変化範囲を大きくすることができる。
変えられるようにし、第一の電流の増減方向と前記第二
の電流の増減方向とを逆にしたので、可変減衰回路の減
衰量が増加する場合は増幅素子の増幅度が減少して全体
の減衰量の変化範囲を大きくすることができる。
【００３３】また、本発明の減衰回路は、非反転入力端
と反転入力端と出力端とを有するオペアンプを有し、第
一のピンダイオードのカソードを直流的にグランドに接
続するとともに第一のピンダイオードのアノードをオペ
アンプの出力端に接続し、オペアンプの反転入力端と第
二のピンダイオードのアノードとに第二の電圧を印加
し、第二の電圧を第一の電圧よりも低くするとともに第
二の電圧を変えるようにしたので第二の電圧を変化させ
た場合においても増幅素子の温度による増幅度の変化に
よって可変減衰回路の減衰量の温度による変化を自動的
に相殺できる。
と反転入力端と出力端とを有するオペアンプを有し、第
一のピンダイオードのカソードを直流的にグランドに接
続するとともに第一のピンダイオードのアノードをオペ
アンプの出力端に接続し、オペアンプの反転入力端と第
二のピンダイオードのアノードとに第二の電圧を印加
し、第二の電圧を第一の電圧よりも低くするとともに第
二の電圧を変えるようにしたので第二の電圧を変化させ
た場合においても増幅素子の温度による増幅度の変化に
よって可変減衰回路の減衰量の温度による変化を自動的
に相殺できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の減衰回路を示す回路図である。
【図２】本発明の減衰回路の変形例である。
【図３】従来の減衰回路を示す回路図である。
１ トランジスタ ２ 第一のピンダイオード ３、４、７、９、１０ 直流阻止コンデンサ ５ 抵抗 ６ 可変減衰回路 ６ａ 第二のピンダイオード ６ｂ 第三のピンダイオード ６ｃ 第四のピンダイオード ８ 出力端子 １１、１２ 抵抗 １３、１６ チョークインダクタ １５ オペアンプ １５ａ 差動増幅器 １５ｂ 帰還抵抗 １５ｃ 入力抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J026 AA02 AA12 5J090 AA01 CA02 CA81 CN04 FA07 FA08 FA17 FN05 FN06 FN09 FN10 HA02 HA19 HA25 HA29 HA33 HN23 KA02 KA12 KA23 KA48 KA49 MA13 MA22 TA01 5J098 AA02 AA04 AA11 AA16 AB02 AC05 AC09 AC15 AC27 AD06 AD18 EA01 5J100 AA18 BB05 BC05 CA21 DA06 QA02 QA05
Claims (5)
- 【請求項１】 入力端と出力端とを有する増幅素子と、
前記増幅素子の出力端に接続された可変減衰回路と、前
記入力端と前記出力端との間に設けられたインピーダン
ス素子とを有し、前記可変減衰回路の温度による減衰量
の増減方向と前記インピーダンス素子の温度によるイン
ピーダンスの増減方向とを同じにしたことを特徴とする
減衰回路。 - 【請求項２】 前記インピーダンス素子を第一のピンダ
イオードで構成し、前記第一のピンダイオードに第一の
電流を通流させたことを特徴とする請求項１記載の減衰
回路。 - 【請求項３】 少なくとも第二のピンダイオードと第三
のピンダイオードとで前記可変減衰回路を構成し、前記
第二のピンダイオードを信号伝送ラインに直列に設ける
とともに前記第三のピンダイオードを前記信号伝送ライ
ンとグランドとの間に接続し、前記第二および第三のピ
ンダイオードのカソード同士を第一の抵抗を介してグラ
ンドに接続し、前記第二のピンダイオードに第二の電流
を通流するとともに前記第二の電流を変えられるように
し、前記第三のピンダイオードのアノードには前記第一
の抵抗の抵抗値よりも大きな抵抗値を有する第二の抵抗
を介して電圧が固定の第一の電圧を印加したことを特徴
とする請求項２記載の減衰回路。 - 【請求項４】 前記第一の電流を変えられるようにし、
前記第一の電流の増減方向と前記第二の電流の増減方向
とを逆にしたことを特徴とする請求項３記載の減衰回
路。 - 【請求項５】 非反転入力端と反転入力端と出力端とを
有するオペアンプを有し、前記第一のピンダイオードの
カソードを直流的にグランドに接続するとともに前記第
一のピンダイオードのアノードを前記オペアンプの出力
端に接続し、前記オペアンプの反転入力端と前記第二の
ピンダイオードのアノードとに第二の電圧を印加し、前
記第二の電圧を前記第一の電圧よりも低くするとともに
前記第二の電圧を変えるようにしたことを特徴とする請
求項４記載の減衰回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30091698A JP3562977B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 減衰回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30091698A JP3562977B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 減衰回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000134063A true JP2000134063A (ja) | 2000-05-12 |
| JP3562977B2 JP3562977B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=17890683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30091698A Expired - Fee Related JP3562977B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 減衰回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3562977B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100397332B1 (ko) * | 2001-06-11 | 2003-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 이동단말기에서 자동이득제어기의 온도보상회로 |
| KR20040013282A (ko) * | 2002-08-05 | 2004-02-14 | 한국전자통신연구원 | 감쇄기의 온도보상 회로 및 그 방법 |
-
1998
- 1998-10-22 JP JP30091698A patent/JP3562977B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100397332B1 (ko) * | 2001-06-11 | 2003-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 이동단말기에서 자동이득제어기의 온도보상회로 |
| KR20040013282A (ko) * | 2002-08-05 | 2004-02-14 | 한국전자통신연구원 | 감쇄기의 온도보상 회로 및 그 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3562977B2 (ja) | 2004-09-08 |
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