JPH1032442A - 温度補償機能付き可変減衰器 - Google Patents
温度補償機能付き可変減衰器Info
- Publication number
- JPH1032442A JPH1032442A JP8207865A JP20786596A JPH1032442A JP H1032442 A JPH1032442 A JP H1032442A JP 8207865 A JP8207865 A JP 8207865A JP 20786596 A JP20786596 A JP 20786596A JP H1032442 A JPH1032442 A JP H1032442A
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- JP
- Japan
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- temp
- variable resistor
- variable
- resistor
- variable attenuator
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度補償機能を可変減衰器に設けることによ
り高周波増幅器等を含めた全体の利得を温度変化に対し
て一定に保つことを可能にした温度補償機能付き可変減
衰器を提供すること。 【解決手段】 高周波順抵抗が順方向電流により変化す
る特性を有するＰＩＮダイオード１２及び可変抵抗器２
３を具備し、該可変抵抗器２３を通してＰＩＮダイオー
ド１２に流す該順方向電流を制御することにより、減衰
量を制御するように構成した可変減衰器において、可変
抵抗器２３に負の温度系数をもつ第１のサ−ミスタ２５
素子を直列に接続した。
り高周波増幅器等を含めた全体の利得を温度変化に対し
て一定に保つことを可能にした温度補償機能付き可変減
衰器を提供すること。 【解決手段】 高周波順抵抗が順方向電流により変化す
る特性を有するＰＩＮダイオード１２及び可変抵抗器２
３を具備し、該可変抵抗器２３を通してＰＩＮダイオー
ド１２に流す該順方向電流を制御することにより、減衰
量を制御するように構成した可変減衰器において、可変
抵抗器２３に負の温度系数をもつ第１のサ−ミスタ２５
素子を直列に接続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波増幅器等の入
力に使用する温度補償機能付き可変減衰器に関するもの
である。
力に使用する温度補償機能付き可変減衰器に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の可変減衰器の回路構成を示
す図である。図示するように、従来の可変減衰器（高周
波用）は入力端子１と出力端子２の間にコンデンサ１
１、ＰＩＮダイオ−ド１２及びコンデンサ１４の直列回
路を接続し、ＰＩＮダイオ−ド１２とコンデンサ１４の
間とアースの間に抵抗器１３を接続し、入力信号Ｖiを
ＰＩＮダイオ−ド１２の高周波抵抗値Ｒfと抵抗器１３
の抵抗値Ｒで分割し出力信号Ｖo（Ｖo＝Ｖi×Ｒ／（Ｒf
+Ｒ））を出力端子２から出力するように構成してい
る。ＰＩＮダイオ−ド１２の高周波抵抗値Ｒfを制御電
流Ｉc（直流）の増減で制御するようになっている。
す図である。図示するように、従来の可変減衰器（高周
波用）は入力端子１と出力端子２の間にコンデンサ１
１、ＰＩＮダイオ−ド１２及びコンデンサ１４の直列回
路を接続し、ＰＩＮダイオ−ド１２とコンデンサ１４の
間とアースの間に抵抗器１３を接続し、入力信号Ｖiを
ＰＩＮダイオ−ド１２の高周波抵抗値Ｒfと抵抗器１３
の抵抗値Ｒで分割し出力信号Ｖo（Ｖo＝Ｖi×Ｒ／（Ｒf
+Ｒ））を出力端子２から出力するように構成してい
る。ＰＩＮダイオ−ド１２の高周波抵抗値Ｒfを制御電
流Ｉc（直流）の増減で制御するようになっている。
【０００３】図７はＰＩＮダイオ−ドの高周波順抵抗対
順電流特性を示す図である。図示するように、ＰＩＮダ
イオ−ド１２の高周波順抵抗は順方向に流す制御電流Ｉ
c（直流）で決まり、制御電流Ｉcの増加に対して高周波
抵抗値Ｒfが減少する特性を示す。同図は１００ＭＨｚ
の信号に対する高周波抵抗値特性を示した図である。図
６に示すように制御端子３に制御電圧Ｖcを印加し可変
抵抗器２３、抵抗器２２を通してＰＩＮダイオ−ド１２
に制御電流Ｉcを流し、可変抵抗器２３で制御電流Ｉcを
制御することにより出力信号Ｖoを制御する。出力信号
Ｖoは次段の高周波増幅器（図では省略）へ入力され
る。
順電流特性を示す図である。図示するように、ＰＩＮダ
イオ−ド１２の高周波順抵抗は順方向に流す制御電流Ｉ
c（直流）で決まり、制御電流Ｉcの増加に対して高周波
抵抗値Ｒfが減少する特性を示す。同図は１００ＭＨｚ
の信号に対する高周波抵抗値特性を示した図である。図
６に示すように制御端子３に制御電圧Ｖcを印加し可変
抵抗器２３、抵抗器２２を通してＰＩＮダイオ−ド１２
に制御電流Ｉcを流し、可変抵抗器２３で制御電流Ｉcを
制御することにより出力信号Ｖoを制御する。出力信号
Ｖoは次段の高周波増幅器（図では省略）へ入力され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
上記可変減衰器の次段に接続される高周波増幅器（図で
は省略）の温度特性は悪く、図６に示す従来の回路構成
の可変減衰器では可変抵抗器２３で適切な減衰量（利
得）を設定しても温度変化により全体の利得が変化して
しまうという問題があり、従来はその対策として高周波
増幅器側に利得の温度補償回路を設けているが、回路構
成が複雑で且つ高価なものになると云う問題があった。
上記可変減衰器の次段に接続される高周波増幅器（図で
は省略）の温度特性は悪く、図６に示す従来の回路構成
の可変減衰器では可変抵抗器２３で適切な減衰量（利
得）を設定しても温度変化により全体の利得が変化して
しまうという問題があり、従来はその対策として高周波
増幅器側に利得の温度補償回路を設けているが、回路構
成が複雑で且つ高価なものになると云う問題があった。
【０００５】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、可変減衰器に温度補償機能を設けることにより高周
波増幅器を含めた全体の利得を温度変化に対して一定に
保つことを可能にした温度補償機能付き可変減衰器を提
供することを目的とする。
で、可変減衰器に温度補償機能を設けることにより高周
波増幅器を含めた全体の利得を温度変化に対して一定に
保つことを可能にした温度補償機能付き可変減衰器を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は高周波順抵抗が順方向電流によ
り変化する特性を有するＰＩＮダイオード及び可変抵抗
器を具備し、該可変抵抗器を通してＰＩＮダイオードに
流す該順方向電流を制御することにより、減衰量を制御
するように構成した可変減衰器において、可変抵抗器に
負の温度系数をもつ第１のサ−ミスタ素子を直列に接続
したことを特徴とする。
請求項１に記載の発明は高周波順抵抗が順方向電流によ
り変化する特性を有するＰＩＮダイオード及び可変抵抗
器を具備し、該可変抵抗器を通してＰＩＮダイオードに
流す該順方向電流を制御することにより、減衰量を制御
するように構成した可変減衰器において、可変抵抗器に
負の温度系数をもつ第１のサ−ミスタ素子を直列に接続
したことを特徴とする。
【０００７】また、請求項２に記載の発明は請求項１に
記載の発明において、可変抵抗器に負の温度系数をもつ
第２のサ−ミスタ素子を並列に接続したことを特徴とす
る。
記載の発明において、可変抵抗器に負の温度系数をもつ
第２のサ−ミスタ素子を並列に接続したことを特徴とす
る。
【０００８】
〔実施形態例１〕以下、本発明の実施の形態例を図面に
基づいて詳細に説明する。図１は本発明の温度補償機能
付き可変減衰器の回路構成を示す図である。同図におい
て、図６と同じ符号を付した部分は従来と同じ機能又は
相当部分を示すのでその説明は省略する。
基づいて詳細に説明する。図１は本発明の温度補償機能
付き可変減衰器の回路構成を示す図である。同図におい
て、図６と同じ符号を付した部分は従来と同じ機能又は
相当部分を示すのでその説明は省略する。
【０００９】本可変抵抗器は図示するように、図６の従
来の減衰器の制御端子３と可変抵抗器２３の間に、サ−
ミスタ２５と抵抗器２４の並列回路を直列に挿入した構
成である。図２はサ−ミスタの温度−抵抗特性例を示す
図である。図２において、直線ａはサ−ミスタ（品名Ｋ
Ｇ３Ｂ−３５）の温度−抵抗特性を示し、直線ｂは他の
サ−ミスタ（品名ＫＧ３Ｂ−４１）の温度−抵抗特性を
示す。何れも負の温度系数を有し温度上昇に対して抵抗
値が下がる特性を有している。
来の減衰器の制御端子３と可変抵抗器２３の間に、サ−
ミスタ２５と抵抗器２４の並列回路を直列に挿入した構
成である。図２はサ−ミスタの温度−抵抗特性例を示す
図である。図２において、直線ａはサ−ミスタ（品名Ｋ
Ｇ３Ｂ−３５）の温度−抵抗特性を示し、直線ｂは他の
サ−ミスタ（品名ＫＧ３Ｂ−４１）の温度−抵抗特性を
示す。何れも負の温度系数を有し温度上昇に対して抵抗
値が下がる特性を有している。
【００１０】図１で示す減衰器において、サ−ミスタ２
５の抵抗値は温度上昇に伴って減少するので、可変抵抗
器２３で設定した制御電流Ｉcは温度上昇に伴って増加
する。これにより、ＰＩＮダイオ−ド１２の高周波抵抗
は減少し、減衰器の減衰量は減少する。
５の抵抗値は温度上昇に伴って減少するので、可変抵抗
器２３で設定した制御電流Ｉcは温度上昇に伴って増加
する。これにより、ＰＩＮダイオ−ド１２の高周波抵抗
は減少し、減衰器の減衰量は減少する。
【００１１】図３は図１の可変減衰器の温度−減衰量特
性を示す図である。同図で実線Ａは可変抵抗器２３の抵
抗値ＶＲを０オ−ムに設定した場合の温度−減衰量特性
を示し、実線Ｂは可変抵抗器２３の抵抗値ＶＲを８ｋオ
−ムに設定した場合の温度−減衰量特性を示し、実線Ｃ
は可変抵抗器２３の抵抗値ＶＲを３０ｋオ−ムに設定し
た場合の温度−減衰量特性を示す。
性を示す図である。同図で実線Ａは可変抵抗器２３の抵
抗値ＶＲを０オ−ムに設定した場合の温度−減衰量特性
を示し、実線Ｂは可変抵抗器２３の抵抗値ＶＲを８ｋオ
−ムに設定した場合の温度−減衰量特性を示し、実線Ｃ
は可変抵抗器２３の抵抗値ＶＲを３０ｋオ−ムに設定し
た場合の温度−減衰量特性を示す。
【００１２】上記のように図１に示す回路構成の温度補
償機能付き可変減衰器によれば、減衰量設定用の可変抵
抗器２３に直列に温度系数をもつサ−ミスタ２５を接続
することにより、周囲温度が上昇するとＰＩＮダイオ−
ド１２の制御電流Ｉcが増加し高周波抵抗が減少し減衰
量が減少するので、次段以降に接続された増幅器の温度
上昇に伴う利得の減衰を補償することができる。
償機能付き可変減衰器によれば、減衰量設定用の可変抵
抗器２３に直列に温度系数をもつサ−ミスタ２５を接続
することにより、周囲温度が上昇するとＰＩＮダイオ−
ド１２の制御電流Ｉcが増加し高周波抵抗が減少し減衰
量が減少するので、次段以降に接続された増幅器の温度
上昇に伴う利得の減衰を補償することができる。
【００１３】〔実施形態例２〕図４は本発明の他の温度
補償機能付き可変減衰器の回路構成例を示す図である。
同図において、図１及び図６と同じ符号を付けた部分は
同じ機能又は相当部分を示すのでその説明は省略する。
本温度補償機能付き可変減衰器は図示するように、図１
の可変減衰器において、可変抵抗器２３にサ−ミスタ２
６と抵抗器２７の直列回路を並列に接続した構成であ
る。
補償機能付き可変減衰器の回路構成例を示す図である。
同図において、図１及び図６と同じ符号を付けた部分は
同じ機能又は相当部分を示すのでその説明は省略する。
本温度補償機能付き可変減衰器は図示するように、図１
の可変減衰器において、可変抵抗器２３にサ−ミスタ２
６と抵抗器２７の直列回路を並列に接続した構成であ
る。
【００１４】図１の可変減衰器では図３に示すように、
温度−減衰特性は可変抵抗器２３の設定値（ＶＲ）によ
り補償量が異なって来る。例えば、特性（Ａ）に示すよ
うに可変抵抗器２３の設定値ＶＲ＝０オ−ムの場合は温
度変化が０℃〜６０℃の変化に対して減衰量は−９．５
ｄｂ〜−２．５ｄｂの約７ｄｂ補償されるが、特性
（Ｃ）に示すように可変抵抗器２３の設定値ＶＲ＝３０
ｋオ−ムの場合は温度変化が０℃〜６０℃の変化に対し
て減衰量は−１９ｄｂ〜−１７ｄｂの約２ｄｂしか補償
されない。
温度−減衰特性は可変抵抗器２３の設定値（ＶＲ）によ
り補償量が異なって来る。例えば、特性（Ａ）に示すよ
うに可変抵抗器２３の設定値ＶＲ＝０オ−ムの場合は温
度変化が０℃〜６０℃の変化に対して減衰量は−９．５
ｄｂ〜−２．５ｄｂの約７ｄｂ補償されるが、特性
（Ｃ）に示すように可変抵抗器２３の設定値ＶＲ＝３０
ｋオ−ムの場合は温度変化が０℃〜６０℃の変化に対し
て減衰量は−１９ｄｂ〜−１７ｄｂの約２ｄｂしか補償
されない。
【００１５】図４において、サ−ミスタ２６は図２
（ｂ）に示すように負の温度系数をもつ素子である。可
変抵抗器２３の設定値ＶＲが大きい場合、サ−ミスタ２
６を流れる電流が多くなる。従って、可変抵抗器２３の
設定値ＶＲが大きい場合も、周囲温度が上昇するとサ−
ミスタ２６を流れる電流が多くなり、図１の可変減衰器
に比較して周囲温度が上昇に対して制御電流Ｉｃが増加
し、減衰量が大きく減少する。
（ｂ）に示すように負の温度系数をもつ素子である。可
変抵抗器２３の設定値ＶＲが大きい場合、サ−ミスタ２
６を流れる電流が多くなる。従って、可変抵抗器２３の
設定値ＶＲが大きい場合も、周囲温度が上昇するとサ−
ミスタ２６を流れる電流が多くなり、図１の可変減衰器
に比較して周囲温度が上昇に対して制御電流Ｉｃが増加
し、減衰量が大きく減少する。
【００１６】図５は図４の可変減衰器の温度−減衰量特
性を示す図である。図５において、実線Ａは可変抵抗器
２３の設定値ＶＲがＶＲ＝０オ−ムの場合を、実線Ｂは
ＶＲ＝８ｋオ−ムの場合を、実線ＣはＶＲ＝３０ｋオ−
ムの場合をそれぞれ示す。実線Ａに示すように、可変抵
抗器２３の設定値ＶＲがＶＲ＝０オ−ムの場合、温度変
化が０℃〜６０℃の変化に対して減衰量は−７．５ｄｂ
〜−２．５ｄｂの約５ｄｂ補償され、実線Ｂに示すよう
に可変抵抗器２３の設定値ＶＲ＝８ｋオ−ムの場合、温
度変化が０℃〜６０℃の変化に対して減衰量は−１２ｄ
ｂ〜−８ｄｂの約４ｄｂ補償され、実線Ｃに示すように
可変抵抗器２３の設定値ＶＲ＝３０ｋオ−ムの場合は温
度変化が０℃〜６０℃の変化に対して減衰量は−２０ｄ
ｂ〜−１６ｄｂの約４ｄｂ補償される。
性を示す図である。図５において、実線Ａは可変抵抗器
２３の設定値ＶＲがＶＲ＝０オ−ムの場合を、実線Ｂは
ＶＲ＝８ｋオ−ムの場合を、実線ＣはＶＲ＝３０ｋオ−
ムの場合をそれぞれ示す。実線Ａに示すように、可変抵
抗器２３の設定値ＶＲがＶＲ＝０オ−ムの場合、温度変
化が０℃〜６０℃の変化に対して減衰量は−７．５ｄｂ
〜−２．５ｄｂの約５ｄｂ補償され、実線Ｂに示すよう
に可変抵抗器２３の設定値ＶＲ＝８ｋオ−ムの場合、温
度変化が０℃〜６０℃の変化に対して減衰量は−１２ｄ
ｂ〜−８ｄｂの約４ｄｂ補償され、実線Ｃに示すように
可変抵抗器２３の設定値ＶＲ＝３０ｋオ−ムの場合は温
度変化が０℃〜６０℃の変化に対して減衰量は−２０ｄ
ｂ〜−１６ｄｂの約４ｄｂ補償される。
【００１７】上記ように図４に示す回路構成の温度補償
機能付き減衰器によれば、減衰量設定用の可変抵抗器２
３に並列に負の温度系数をもつサ−ミスタ２６を接続す
ることによって、可変抵抗器２３の設定値ＶＲの大小に
係わらず略、同程度の減衰量が補償される。従って、バ
ラツキの多い高周波増幅回路に使用した場合も温度補償
が可変抵抗器２３の設定値ＶＲに無関係に一定している
ので容易に設定することができる。なお、サ−ミスタ２
５と並列に接続する抵抗器２４、及びサ−ミスタ２６と
直列に接続する抵抗器２７の抵抗値は各サ−ミスタの特
性に合わせて決めることにより高周波増幅器の温度特性
に合った温度補償をする特性を得ることができる。
機能付き減衰器によれば、減衰量設定用の可変抵抗器２
３に並列に負の温度系数をもつサ−ミスタ２６を接続す
ることによって、可変抵抗器２３の設定値ＶＲの大小に
係わらず略、同程度の減衰量が補償される。従って、バ
ラツキの多い高周波増幅回路に使用した場合も温度補償
が可変抵抗器２３の設定値ＶＲに無関係に一定している
ので容易に設定することができる。なお、サ−ミスタ２
５と並列に接続する抵抗器２４、及びサ−ミスタ２６と
直列に接続する抵抗器２７の抵抗値は各サ−ミスタの特
性に合わせて決めることにより高周波増幅器の温度特性
に合った温度補償をする特性を得ることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
記のような優れた効果が期待される。 （１）請求項１の発明によれば可変抵抗器に負の温度系
数をもつ第１のサ−ミスタ素子を直列に接続したので、
温度変化に対して自動的に制御電流が変化し可変減衰器
の減衰量が制御され、当該可変減衰器の次段に接続され
る高周波増幅器等の温度変化による利得の変化が補償で
き、従来のように高周波増幅器等の側に複雑な構成で高
価な温度補償回路を負荷することなく、減衰器側で安価
に温度補償を構成できる。
記のような優れた効果が期待される。 （１）請求項１の発明によれば可変抵抗器に負の温度系
数をもつ第１のサ−ミスタ素子を直列に接続したので、
温度変化に対して自動的に制御電流が変化し可変減衰器
の減衰量が制御され、当該可変減衰器の次段に接続され
る高周波増幅器等の温度変化による利得の変化が補償で
き、従来のように高周波増幅器等の側に複雑な構成で高
価な温度補償回路を負荷することなく、減衰器側で安価
に温度補償を構成できる。
【００１９】請求項２の発明によれば、可変抵抗器に負
の温度系数をもつ第２のサ−ミスタ素子を並列に接続し
たので、温度変化に対する利得変化の補償量を可変抵抗
器の設定値に関係なく一定に保つことが可能となり、バ
ラツキの多い高周波増幅回路に使用した場合も可変抵抗
器を容易に設定することができる。
の温度系数をもつ第２のサ−ミスタ素子を並列に接続し
たので、温度変化に対する利得変化の補償量を可変抵抗
器の設定値に関係なく一定に保つことが可能となり、バ
ラツキの多い高周波増幅回路に使用した場合も可変抵抗
器を容易に設定することができる。
【図１】本発明の温度補償機能付き可変減衰器の回路構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図２】サ−ミスタの温度−抵抗特性を示す図である。
【図３】図１の可変減衰器の温度−減衰量特性を示す図
である。
である。
【図４】本発明の温度補償機能付き可変減衰器の回路構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図５】図４の可変減衰器の温度−減衰量特性を示す図
である。
である。
【図６】従来の可変減衰器の回路構成例を示す図であ
る。
る。
【図７】ＰＩＮダイオ−ドの高周波順抵抗対順電流特性
例を示す図である。
例を示す図である。
１ 入力端子 ２ 出力端子 ３ 制御端子 １１ コンデンサ １２ ＰＩＮダイオ−ド １３ 抵抗器 １４ コンデンサ ２１ コンデンサ ２２ 抵抗器 ２３ 可変抵抗器 ２４ 抵抗器 ２５ サ−ミスタ ２６ サ−ミスタ ２７ 抵抗器 Ｖi 入力信号 Ｖo 出力信号 Ｖc 制御電圧 Ｉc 制御電流
Claims (2)
- 【請求項１】 高周波順抵抗が順方向電流により変化す
る特性を有するＰＩＮダイオード及び可変抵抗器を具備
し、該可変抵抗器を通してＰＩＮダイオードに流す該順
方向電流を制御することにより、減衰量を制御するよう
に構成した可変減衰器において、 前記可変抵抗器に負の温度系数をもつ第１のサ−ミスタ
素子を直列に接続したことを特徴とする温度補償機能付
き可変減衰器。 - 【請求項２】 前記可変抵抗器に負の温度系数をもつ第
２のサ−ミスタ素子を並列に接続したことを特徴とする
請求項１に記載の温度補償機能付き可変減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8207865A JPH1032442A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 温度補償機能付き可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8207865A JPH1032442A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 温度補償機能付き可変減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032442A true JPH1032442A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16546836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8207865A Pending JPH1032442A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 温度補償機能付き可変減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1032442A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004506909A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | レイセオン・カンパニー | レーダ受信機用ビデオ増幅器 |
| WO2005112256A1 (fr) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Yuejun Yan | Attenuateur a compensation de temperature |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP8207865A patent/JPH1032442A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004506909A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | レイセオン・カンパニー | レーダ受信機用ビデオ増幅器 |
| WO2005112256A1 (fr) * | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Yuejun Yan | Attenuateur a compensation de temperature |
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