JP2000129435A - 反射防止膜の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 顆粒状の膜原料であっても、効率よく反射防
止膜を形成すると共に、大量生産を可能とする。 【解決手段】 水平方向の回転軸５２に取り付けられて
回転軸５２を中心に回転自在となっていると共に、周面
に基板１５を装着するための基板配置部２を備える筒状
のドラム５０と、ドラム５０の内側及び／又は下方に位
置すると共に、上向きに配置されたカソード３，３１
と、カソード３，３１に高周波電力を印加する電源４、
４１と、カソード４，４１上に載置されたフッ化マグネ
シウムからなる膜原料５、基板配置部２にセットされた
基板１５と膜原料５との間に配置され、これらの間を開
閉可能に遮断するシャッター１１，１１ａと、少なくと
もドラム５０、カソード３，３１及びシャッター１１，
１１ａを内部に収容する真空槽１と、真空槽１内にガス
を導入するガス導入手段１３，１３ａとを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
により反射防止膜を製造する装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】反射防止膜などの薄膜を形成する場合に
は、手法の容易さや成膜速度の速さなどの観点から真空
蒸着法が多く用いられていた。これに対し、スパッタリ
ングによってコーティングを行う手法は、光学薄膜やそ
の他の薄膜の成膜において、真空蒸着法に比較して自動
化や省力化などの点で有利なことから、近年、その要求
が高まってきている。このスパッタリング法では、光学
薄膜として代表的な低屈折率物質であるＭｇＦ₂ 等のフ
ッ化物をスパッタリングすると、Ｍｇ等とＦとに解離し
て、膜中ではＦが不足するために可視光の吸収が生じる
問題があり、スパッタリング法を光学薄膜に適用する上
での大きな障害となっていた。

【０００３】本出願人はこの問題点を解決することので
きる発明を開発し、すでに出願している（特開平９−３
１６３８号公報）。この発明では、膜原料としてＭｇＦ
₂ の顆粒を用い、この顆粒状の膜原料を石英製の皿に充
填し、この皿を真空槽内のマグネトロンカソード上に載
置している。そして、マグネトロンカソードに高周波電
圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマによっ
て膜原料の表面を加熱することにより、膜原料の一部分
を分子状態で跳び出させ、分子状態の膜原料によって基
板上に膜を形成するものである。

【０００４】また、スパッタリング法を用いた場合に大
量生産に適する装置としては、特開平３−２２９８７０
号公報の装置が開示されている。この装置は、縦型の円
筒状キャリア（ドラム）の外周に基板を保持し、その外
側にスパッタリング用ターゲットを縦方向に配置し、キ
ャリアを回転しながら成膜する構造となっている。この
装置では、キャリアの回転軸方向に複数の基板を配置す
ることにより、多数の基板に対して同時に成膜すること
が可能となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
９−３１６３８号公報の方法では、加熱を容易とするた
めに顆粒状の膜原料を用いており、この膜原料を石英製
の皿に充填している。これは膜原料が顆粒状であって、
スパッタリング用カソードに直接に固定できないためで
ある。従って、このような構造では、膜原料であるター
ゲットの上方に基板を配置して成膜する必要があり、ス
パッタアップ式の構造とならざるを得ない。このため、
この構造では、特開平３−２２９８７０号公報に開示さ
れているような回転式の装置を使用することができず、
生産性を高くすることができない問題を有している。

【０００６】一方、特開平３−２２９８７０号公報の装
置だけでは、顆粒状の膜原料を使用することができず、
このため、特開平９−３１６３８号公報に開示されてい
るように膜原料を容易に加熱することが困難となる問題
点がある。

【０００７】また、スパッタアップ式構造で成膜する場
合には、基板の両面に同時に成膜することが非常に難し
く、この点でも生産性が低いという問題点を有してい
る。

【０００８】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、顆粒状等の膜原料を使用しても、フッ
化マグネシウム膜を含む反射防止膜を効率良く大量生産
できる成膜装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、水平方向の回転軸に取り付けら
れて回転軸を中心に回転自在となっていると共に、周面
に基板を装着するための基板配置部を備える筒状のドラ
ムと、このドラムの内側及び／又は下方に位置すると共
に、上向きに配置されたカソードと、このカソードに高
周波電力を印加する電源と、前記カソード上に載置され
たフッ化マグネシウムからなる膜原料と、前記基板配置
部にセットされた基板と膜原料との間に配置され、これ
らの間を開閉可能に遮断するシャッターと、少なくとも
前記ドラム、カソード及びシャッターを内部に収容する
真空槽と、この真空槽内にガスを導入するガス導入手段
と、を備えていることを特徴とする。

【００１０】この装置によって反射防止膜を形成するに
は、膜原料と基板をセットし、真空槽内を真空にする。
次に、ガス導入手段によって真空槽内に酸素、窒素、水
素等の単独又は混合のガスを導入する。そして、カソー
ドに電源から高周波電力を印加してカソードの上方にプ
ラズマを発生させる。カソードが負電位になり、膜原料
のフッ化マグネシウムは正イオンによりスパッタリング
される。膜原料の温度が上昇すると、膜原料が分子状に
なって跳び出し、光吸収の小さいフッ化マグネシウム薄
膜を形成することができる。

【００１１】この発明では、スパッタリング用のカソー
ドを上向きに配置し、その上にフッ化マグネシウムから
なる膜原料を載置するようにしたために、顆粒状やペレ
ット状、棒状などの個々に分散可能な形状の膜原料であ
っても、カソードに固定することなく集合させてスパッ
タリングに供することができる。また、回転自在の筒状
のドラムの周面には、基板装着部を備えるため、複数の
基板をドラムに配置することができる。このため、多数
の基板に対して同時に反射防止膜を形成することが可能
であり、生産性が向上する。

【００１２】請求項２の発明は、水平方向の回転軸に取
り付けられて回転軸を中心に回転自在となっていると共
に、周面に基板を装着するための基板配置部を備える筒
状のドラムと、このドラムの内側及び／又は下方に位置
すると共に、上向きに配置されたカソードと、このカソ
ードに高周波電力を印加する電源と、前記カソード上に
載置されたフッ化マグネシウムからなる膜原料と、前記
基板配置部にセットされた基板と膜原料との間に配置さ
れ、これらの間を開閉可能に遮断するシャッターと、少
なくとも前記ドラム、カソード及びシャッターを内部に
収容する真空槽と、この真空槽内にガスを導入するガス
導入手段と、前記カソード上方のプラズマからの発光強
度を測定する測定手段と、を備えていることを特徴とす
る。

【００１３】この発明においても、請求項１の発明と同
様に、多数の基板に対して同時に反射防止膜を形成する
ことができる。これに加えて、この発明では、カソード
上方に発生するプラズマの発光強度を測定手段が測定す
るため、膜原料が分子状態で跳び出ているか否かを確認
できる。この確認の後、ドラムを回転軸を中心に回転さ
せながら、膜原料と基板との間に配置されたシャッター
を開けて、基板上に成膜する。そして、規定通りの厚さ
の膜が形成された時点でシャッターを閉じる。このよう
な発明では、所望の反射防止膜を確実に成膜することが
できる。

【００１４】請求項３の発明は、水平方向の回転軸に取
り付けられて前記回転軸を中心に回転自在となっている
と共に、周面に基板を装着するための基板配置部を備え
る筒状のドラムと、このドラムの内側に上向きに配置さ
れた上カソードと、前記ドラムの外周面の下側に上向き
に配置された下カソードと、前記ドラムの内側に横向き
に配置された内側カソードと、前記ドラムの外側に横向
きに配置された外側カソードと、前記各カソードに電力
を供給する電源と、前記上カソード及び下カソード上に
載置されたフッ化マグネシウムからなる低屈折率の膜原
料と、前記内側カソード及び外側のカソード上に配置さ
れた高屈折率の膜原料と、前記基板配置部にセットされ
た基板と前記各膜原料との間に配置され、これらの間を
開閉可能に遮断するシャッターと、少なくとも前記ドラ
ム、各カソード及びシャッターを内部に収容する真空槽
と、この真空槽内にガスを導入するガス導入手段と、を
備えていることを特徴とする。

【００１５】この発明では、回転するドラムの内側と、
外周面の下側とに上下のカソードを配置し、この上下の
カソードにフッ化マグネシウムからなる低屈折率の膜原
料を載置すると共に、ドラムの内側及び外側に内外のカ
ソードを配置し、この内外のカソードに高屈折率の膜原
料を載置するため、フッ化マグネシウム層と、高屈折率
膜とを組み合わせた反射防止膜を形成できる。このた
め、様々な特性を有した反射防止膜を形成することがで
きる。

【００１６】以上の請求項の発明に加えて、本発明で
は、ドラムに備えた基板載置部をドラムに対して反転自
在（すなわち、ドラムの内側を向く方向とドラムの外側
を向く方向との間で反転する）にすることができる。こ
れにより基板載置部を１８０°回転させて、基板載置部
に装着された基板の両面に同時に成膜することが可能で
ある。

【００１７】また、ドラムの回転角を変更することによ
り、基板が多面体であっても、その各面に対して膜分子
を成膜することも可能となる。さらには、筒状のドラム
としては、円筒形状のドラム、多面体筒形状等の形状で
あっても使用することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１及び図２
は、本発明の実施の形態１の成膜装置を側面から示す断
面図及び部分破断斜視図、図３は上部の断面図であり、
真空槽１内にドラム５０が回転自在に配置されている。

【００１９】ドラム５０は円筒状の本体部５０ａと、本
体部５０ａの一方側の端面に一体的に設けられた支持板
部５０ｂとを有し、全体が円筒状に成形されている。こ
のドラム５０における支持板部５０ｂと反対側の端面は
開放された開放端５０ｃとなっている。本体部５０ａは
ドラム５０の周面を構成するものであり、この本体部５
０ａには、基板１５を露呈状態で保持する基板配置部２
がドラム５０の軸方向及び周方向に沿って複数形成され
ている。

【００２０】ドラム５０の内部には水平方向の回転軸５
２が挿通している。ドラム５０はこの回転軸５２に取り
付けられることにより、回転軸５２と一体的に一方向又
は正逆方向に回転する。この回転を行うため、ドラム５
０の支持板部５０ｂと回転軸５２とがキーなどによって
回転止め状態で連結されている。回転軸５２は真空槽１
の側壁に取り付けられた密閉構造の軸受５３，５３に回
転自在に支持されており、その一方の端部はベルト５１
を介して回転駆動源（図示省略）に連結されている。こ
のような構造では、ドラム５０は回転軸５２の中心軸５
２ａ周りに回転自在となっている。中心軸５２ａは水平
方向を沿っており、回転軸５２の中心線であると同時に
基板配置部２を備えるドラム５０の中心線ともなってい
る。従って、基板配置部２の周方向での回転軌跡は円と
なる。

【００２１】ドラム５０の内側および下側（ドラム５０
の外周面の下側）には、上向きに配置されたマグネトロ
ンカソードであるスパッタリング用の上カソード３およ
び下カソード３１が配置されている。それぞれのカソー
ド３および３１は真空槽１外方のマッチングボックス４
ａおよび４ｂを介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源
（ＲＦ電源）４、４１に接続されている。この上下の各
カソード３、３１は真空槽１の壁面に取り付けられたカ
ソード支持台３３、３３の上に固定されている。この場
合、カソード支持台３３，３３はドラム５０の開放端５
０ｃに臨む真空槽１の壁面に取り付けられ、ドラム５０
の開放端５０ｃからドラム５０の内部に挿入されてい
る。

【００２２】上下のカソード３、３１上には、石英製の
皿３５がそれぞれ載置されており、それぞれの皿３５に
は顆粒状のフッ化マグネシウムからなる低屈折率の膜原
料５が集積されるように充填されている。

【００２３】上下のカソード３、３１のやや上方には、
膜原料５から発生するプラズマからの発光を測定するた
めに光ファイバー６、６１の一端が臨んでいる。光ファ
イバー６，６１の他端は分光計７、７１と接続されてい
る。これらの光ファイバー６，６１および分光計７，７
１は膜原料から発生するプラズマの発光強度を測定する
測定手段を構成する。なお、上カソード３に対しては、
ドラム５０の開放端５０ｃ側から光ファイバー６を導い
て、上カソード３に対向させている。下カソードに対し
ては、真空槽１の底部の壁面から直接に対向せさてい
る。

【００２４】ドラム５０の左内側および右外側には、水
平方向で左向きに配置されたスパッタリング用のカソー
ド８、８ａが配置されている。カソード８はドラム５０
の内側に横向きに配置されることにより内側カソードと
なっており、カソード８ａはドラム５０の外側に横向き
に配置されることにより外側カソードとなっている。こ
れらの内外のカソード８および８ａは、真空槽１の外方
に設けられている直流電源９，９１にそれぞれ接続され
て電力が供給される。また、内外のカソード８、８ａに
は、高屈折率の膜原料１０が固定されている。高屈折率
の膜原料１０は、例えば、板状のＴａなどが用いられる
ものである。

【００２５】さらに、以上の４箇所に配置された低屈折
率の膜原料５および高屈折率の膜原料１０と、ドラム５
０の基板配置部２に取り付けられる基板１５との間に
は、シャッター１１、１１ａ、１２、１２ａがそれぞれ
設けられている。各シャッター１１，１１ａ、の一端に
は、図２で示すように、シャッター軸３８，３８ａが延
設されており、これらのシャッター軸３８，３８ａがド
ラム５０の開放端５０ｃに臨む真空槽１の壁面を貫通し
た状態で保持されている。この壁面にはシャッター軸３
８，３８ａがスライド可能に挿通する横長のスライド溝
４３が形成されており、シャッター軸３８，３８ａがス
ライド溝４３を往復スライドすることにより、シャッタ
ー１１，１１ａが膜原料５と基板１５との間を開閉する
ように作用する。この場合、シャッター軸３８，３８ａ
は密閉構造でスライド溝４３をスライドするものであ
る。なお、図示を省略するが、高屈折率の膜原料１０側
のシャッター１２，１２ａも同様にシャッター軸が延設
されると共に、これらのシャッター軸をスライド自在に
支持するスライド溝が真空槽１の対応した壁面に形成さ
れている。

【００２６】また、真空槽１内にガスを供給するため、
それぞれのカソード３，３１，８，８ａの周辺には、ガ
ス導入手段としてのパイプ１３、１３ａ、１４、１４ａ
が設けられている。各パイプは、図１および図２に示す
ように、カソード支持台３３上のカソード３，３１，
８，８ａと平行で、且つドラム５０の長手方向に沿って
長尺となっている。また、各パイプ１３，１３ａ、１
４，１４ａには、対応したカソード３，３１，８，８ａ
側の壁面に直列的にガス導入口３９が多数穿設されてい
る。

【００２７】この実施の形態の装置を使用して、単層の
反射防止膜を基板１５の両面に同時に成膜する場合を説
明する。基板配置部２に、例えばプラスチックレンズか
らなる基板１５を多数セットし、８×１０^-4Ｐａまで真
空槽１内を排気する。その後、Ｏ₂ ガスをパイプ１３、
１３ａのガス導入口３９から真空槽１内に３×１０^-1Ｐ
ａまで導入する。

【００２８】この状態で、高周波電源４、４１から電力
を上下のカソード３、３１に供給し、スパッタリングを
開始する。そして、光ファイバー６、６１を通り分光計
７、７１で検出されるプラズマの発光スペクトルの波長
からＭｇ原子の他にＭｇＦ分子からの発光が認められ、
膜原料５の少なくとも一部が分子状態で跳んでいること
を確認する。この場合において、光ファイバーを用いな
いときは、真空槽１に一般的に設けられている内部観察
窓（図示省略）から発光を視認する。

【００２９】この確認の後、ドラム５０を介して基板配
置部２を中心線５２ａを中心に回転させ、シャッター１
１、１１ａを開放すると、基板１５の両面に同時に反射
防止膜であるフッ化マグネシウム膜が形成される。即
ち、回転する基板１５がドラム５０の上方位置にあると
きには基板１５の内側に膜がコーティングされ、下方位
置にあるときは基板１５の外側に膜がコーティングされ
るため、基板１５の回転に追随して基板１５の両面にＭ
ｇＦ₂ 膜が積層されるものである。この膜の光学的膜厚
が１３０ｎｍとなる時間の後、シャッター１１、１１ａ
を閉じる。これにより、プラスチックレンズからなる基
板１５の両面に単層の反射防止膜を形成することができ
る。

【００３０】一方、２層の反射防止膜を形成する場合に
おいては、基板１５をセットし、真空に排気するまで上
述と同様である。その後、ＡｒとＯ₂ の混合ガスをガス
導入口１４、１４ａから導入する。そして、直流電源
９、９１から電力を内外のカソード８、８ａに供給し、
スパッタリングを開始する。

【００３１】そして、基板配置部２を回転させ、シャッ
ター１２、１２ａを開放すると、基板１５の両面に同時
にＴａ₂ Ｏ₅ 膜が形成される。この膜の光学的膜厚が２
６０ｎｍとなる時間の後、シャッター１２、１２ａを閉
じる。

【００３２】続いて、上述したと同様な操作によって、
基板１５の両面に同時にフッ化マグネシウム膜を光学的
膜厚が１３０ｎｍとなるよう形成する。これにより、基
板１５の両面に２層の反射防止膜を形成することができ
る。３層以上の反射防止膜も、同様にして２種類の膜を
交互に積層し形成することが可能である。

【００３３】（実施の形態２）図４は本発明の実施の形
態２を示し、実施の形態１と同一の要素は同一の符号を
付して対応させてある。

【００３４】この実施の形態では、ドラム５０が８面体
の筒形状に整形されている。ドラム５０の各面６１に
は、横長の開口部６２が形成されており、この開口部６
２に直方体状の支持板６３が遊嵌状態で嵌められてい
る。この支持板６３には基板載置部２が長手方向に複数
固定されている。

【００３５】各支持板６３の両端には、ドラム５０を回
転自在に貫通する支持軸６４が延設されており、これに
より支持板６３はドラム５０に対して反転可能となって
いる。支持軸６４の一端には、反転用のフラグ６５がそ
れぞれ起立しており、このフラグ６５に対して図示を省
略した反転機構から回転力を作用させることにより、支
持板６３が反転することができる。

【００３６】このような構造では、支持板６３を反転さ
せることにより、基板１５の両面に反射防止膜を形成す
ることができる。従って、ドラム５０を回転させても、
回転させなくても基板１５の両面への成膜を行うことが
できる。

【００３７】（実施の形態３）図５は実施の形態３を示
す。この実施の形態では、操作箱７０が真空槽１の内部
に配置されている。操作箱７０は箱本体７１と、箱本体
７１の一側に開閉自在に設けられた蓋体７２とによって
構成されている。

【００３８】この操作箱７０の内部には、シャッター１
１，１１ａの開閉を駆動制御するシャッター駆動機構７
３、パイプ１３，１３ａに接続されることによりパイプ
１３，１３ａにガスを供給するガス供給管７４が設けら
れると共に、カソード３，３１が載置されるカソード支
持板３３の端部および回転軸５２の端部が挿入されてい
る。そして、これらの部材に対して、蓋体７２を開くこ
とにより、その組み立てや分解を行うことができる。

【００３９】このような構造では、上述した各部材が真
空槽１内の操作箱７０内に設けられるため、真空槽１の
外部に突出する部材がなくなり、真空槽１内の気密性を
向上させることができる。

【００４０】（他の実施の形態）本発明は、以上の実施
の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能であ
り、以下、この構造を説明する。図１〜図５の実施の形
態では、４つのカソード３、３１、８、８ａが基板１５
の近傍に位置するように配置されているが、上カソード
３と内側カソード８は基板配置部２の内側であれば、ド
ラム５０の中心部に配置し、下カソード３１および外側
カソード８ａはドラム５０の半径程度で基板１５から離
れた位置に配置しても良い。

【００４１】また、内側カソード８と外側カソード８ａ
は水平方向の左向きに配置されているが、これらのカソ
ード８，８ａの内側と外側の配置を逆にすれば、右向き
でも良い。要するに、カソード８、８ａはドラム５０の
内側と外側とに配置されていれば、水平方向で左右どち
らの方向を向いていても良い。或いは水平に限らず、ド
ラム５０の中心軸５２ａの方向に向いていれば、斜め方
向でもよい。

【００４２】図１〜図５の実施の形態では、カソードを
４つ配置して、２層以上の反射防止膜をも基板１５の両
面に同時に形成できるようにしたが、下カソード３１と
外側カソード８ａのみを配置することにより、基板１５
の片面だけに反射防止膜を形成しても良い。また、上カ
ソード３と、下カソード３１だけを配置してフッ化マグ
ネシウムの単層膜を形成しても良く、さらには、上カソ
ード３または下カソード３１のいずれか一つだけでも良
い。

【００４３】また、カソードの数をドラム５０の内側又
は／及び外側に増やして、３種以上の材質の膜を積層し
て形成できるようにしても良い。カソードの配置につい
ても、例えばドラム５０の内側でカソード３およびカソ
ード８を接近させ、ドラム５０の外側でカソード３１お
よびカソード８ａ近接させて並べても良い。

【００４４】低屈折率の膜原料５としては、顆粒状以外
にも、ペレット状や棒状の個々に分散する形状の原料を
使用し、この原料を石英製の皿３５などの集積或いは集
合させても良い。高屈折率の膜原料１０としては、Ｔａ
以外のＴｉ、Ｚｒ、Ｗ、ＩＴＯ（Ｉｍｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
−Ｏｘｉｄｅ）などの種々の原料を成膜する反射防止膜
に合わせて使用することができる。また、直流電源９、
９１を高周波電源としても良く、この場合には高屈折率
の膜原料１０として導電性のない酸化物を用いることも
可能である。

【００４５】ドラム５０としては、３面体や４面体など
の多面筒状とし、各面に対して基板載置部２を設けても
良く、基板載置部２は単一であっても良い。

【００４６】シャッター１１，１１ａ、１２，１２ａと
しては、スライドによって開閉する構造とすることな
く、回転する構造とすることにより膜原料に対して垂直
および平行となって開閉しても良い。さらに、カソード
３，３１，８，８ａは長尺とすることなく、小さいカソ
ードをドラム５０の長手方向に並べても良い。

【００４７】以上の実施の形態から、本発明は以下の発
明を包含している。

【００４８】（１） 水平方向の回転軸に取り付けられ
て回転軸を中心に回転自在となっていると共に、周面に
基板を装着するための基板配置部を備える筒状のドラム
と、このドラムの内側及び／又は下方に位置すると共
に、上向きに配置されたカソードと、このカソードに高
周波電力を印加する電源と、個々に分散したフッ化マグ
ネシウムを集合させた状態で前記カソード上に載置され
た膜原料と、前記基板配置部にセットされた基板と膜原
料との間に配置され、これらの間を開閉可能に遮断する
シャッターと、少なくとも前記ドラム、カソード及びシ
ャッターを内部に収容する真空槽と、この真空槽内にガ
スを導入するガス導入手段と、を備えていることを特徴
とする反射防止膜の製造装置。

【００４９】この発明では、膜原料が個々に分散してい
ても、スパッタアップ構造とすることなく、成膜を行う
ことができる。

【００５０】（２） 水平方向の回転軸に取り付けられ
て前記回転軸を中心に回転自在となっていると共に、周
面に基板を装着するための基板配置部を備える筒状のド
ラムと、このドラムの内側に上向きに配置された上カソ
ードと、前記ドラムの外周面の下側に上向きに配置され
た下カソードと、前記ドラムの内側に横向きに配置され
た内側カソードと、前記ドラムの外側に横向きに配置さ
れた外側カソードと、前記各カソードに電力を供給する
電源と、前記上カソード及び下カソード上に載置された
低屈折率の膜原料と、前記内側カソード及び外側のカソ
ード上に配置された高屈折率の膜原料と、前記基板配置
部にセットされた基板と前記各膜原料との間に配置さ
れ、これらの間を開閉可能に遮断するシャッターと、少
なくとも前記ドラム、各カソード及びシャッターを内部
に収容する真空槽と、この真空槽内にガスを導入するガ
ス導入手段と、前記カソード上方のプラズマからの発光
強度を測定する測定手段と、を備えていることを特徴と
する反射防止膜の製造装置。

【００５１】この発明では、低屈折率の膜と、高屈折率
の膜とを基板に成膜することができる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明で
は、スパッタリング用のカソードを上向きに配置し、そ
の上にフッ化マグネシウムからなる膜原料を載置するた
め、顆粒状やペレット状、棒状などの個々に分散可能な
形状の膜原料であっても、カソードに固定することなく
集合させてスパッタリングすることができる。また、回
転自在の筒状のドラムの周面に、基板装着部を備えるた
め、複数の基板をドラムに配置することができ、このた
め、多数の基板に対して同時に反射防止膜を形成するこ
とが可能であり、生産性が向上する。

【００５３】請求項２の発明によれば、請求項１の発明
の効果に加えて、カソード上方に発生するプラズマの発
光強度を測定手段が測定するため、所望の反射防止膜を
確実に成膜することができる。

【００５４】請求項３の発明では、フッ化マグネシウム
層と、高屈折率膜とを組み合わせた反射防止膜を形成で
きる。このため、様々な特性を有した反射防止膜を形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の製造装置の側面からの
断面図である。

【図２】実施の形態１の部分破断斜視図である。

【図３】実施の形態１の上部の正面からの断面図であ
る。

【図４】実施の形態２の部分破断斜視図である。

【図５】実施の形態３の上部の正面からの断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 真空槽 ２ 基板配置部 ３ ３１ カソード ４ ４１ 高周波電源 ５ １０ 膜原料 ８ ８ａ カソード １５ 基板 ５０ ドラム ５２ 回転軸

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 生水 利明 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2K009 AA02 CC06 DD04 4K029 BA42 BC07 BD09 DA12 DC35 EA00 JA02

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 水平方向の回転軸に取り付けられて回転
   軸を中心に回転自在となっていると共に、周面に基板を
   装着するための基板配置部を備える筒状のドラムと、 このドラムの内側及び／又は下方に位置すると共に、上
   向きに配置されたカソードと、 このカソードに高周波電力を印加する電源と、 前記カソード上に載置されたフッ化マグネシウムからな
   る膜原料と、 前記基板配置部にセットされた基板と膜原料との間に配
   置され、これらの間を開閉可能に遮断するシャッター
   と、 少なくとも前記ドラム、カソード及びシャッターを内部
   に収容する真空槽と、 この真空槽内にガスを導入するガス導入手段と、 を備えていることを特徴とする反射防止膜の製造装置。
2. 【請求項２】 水平方向の回転軸に取り付けられて回転
   軸を中心に回転自在となっていると共に、周面に基板を
   装着するための基板配置部を備える筒状のドラムと、 このドラムの内側及び／又は下方に位置すると共に、上
   向きに配置されたカソードと、 このカソードに高周波電力を印加する電源と、 前記カソード上に載置されたフッ化マグネシウムからな
   る膜原料と、 前記基板配置部にセットされた基板と膜原料との間に配
   置され、これらの間を開閉可能に遮断するシャッター
   と、 少なくとも前記ドラム、カソード及びシャッターを内部
   に収容する真空槽と、この真空槽内にガスを導入するガ
   ス導入手段と、 前記カソード上方のプラズマからの発光強度を測定する
   測定手段と、を備えていることを特徴とする反射防止膜
   の製造装置。
3. 【請求項３】 水平方向の回転軸に取り付けられて前記
   回転軸を中心に回転自在となっていると共に、周面に基
   板を装着するための基板配置部を備える筒状のドラム
   と、 このドラムの内側に上向きに配置された上カソードと、 前記ドラムの外周面の下側に上向きに配置された下カソ
   ードと、 前記ドラムの内側に横向きに配置された内側カソード
   と、 前記ドラムの外側に横向きに配置された外側カソード
   と、 前記各カソードに電力を供給する電源と、 前記上カソード及び下カソード上に載置されたフッ化マ
   グネシウムからなる低屈折率の膜原料と、 前記内側カソード及び外側のカソード上に配置された高
   屈折率の膜原料と、 前記基板配置部にセットされた基板と前記各膜原料との
   間に配置され、これらの間を開閉可能に遮断するシャッ
   ターと、 少なくとも前記ドラム、各カソード及びシャッターを内
   部に収容する真空槽と、 この真空槽内にガスを導入するガス導入手段と、を備え
   ていることを特徴とする反射防止膜の製造装置。