JP2000116118A - 電子回路装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】装置の体格重量の増大を招くことなく高密度実
装が可能な電子回路装置を提供すること。 【解決手段】多くの熱を発生して高温となるたとえばト
ランスなどの大発熱部品６２の側面は、高温に耐えると
ともに自身はそれほど発熱しないたとえばブスバーＢを
挟んで、たとえば半導体部品などの低温使用型回路部品
６１に対面する。このようにすれば、高温の大発熱部品
６２からの放射熱が低温使用型回路部品６１の表面に照
射されることがなく、対流による大発熱部品６２から低
温使用型回路部品６１への熱伝達も小発熱部品Ｂにより
阻害されるので、低温使用型回路部品６１の望ましくな
い温度上昇を防止することができ、その結果として、低
温使用型回路部品６１の寿命、信頼性を低下させること
なく高密度実装が実現する。
装が可能な電子回路装置を提供すること。 【解決手段】多くの熱を発生して高温となるたとえばト
ランスなどの大発熱部品６２の側面は、高温に耐えると
ともに自身はそれほど発熱しないたとえばブスバーＢを
挟んで、たとえば半導体部品などの低温使用型回路部品
６１に対面する。このようにすれば、高温の大発熱部品
６２からの放射熱が低温使用型回路部品６１の表面に照
射されることがなく、対流による大発熱部品６２から低
温使用型回路部品６１への熱伝達も小発熱部品Ｂにより
阻害されるので、低温使用型回路部品６１の望ましくな
い温度上昇を防止することができ、その結果として、低
温使用型回路部品６１の寿命、信頼性を低下させること
なく高密度実装が実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大発熱部品が実装
される電子回路装置に関する。
される電子回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気自動車などには、商用交流電源など
からバッテリを充電するためにトランスを有する電圧変
換型の電力変換装置が用いられる。この電圧変換型の電
力変換装置は、交流電圧を電圧変換するトランス、この
トランスで電圧変換された交流電圧を整流する一個ない
し複数個の半導体整流器、および、半導体整流器で整流
された直流電圧からリップル成分を除去する平滑コイル
および平滑コンデンサを備えている。
からバッテリを充電するためにトランスを有する電圧変
換型の電力変換装置が用いられる。この電圧変換型の電
力変換装置は、交流電圧を電圧変換するトランス、この
トランスで電圧変換された交流電圧を整流する一個ない
し複数個の半導体整流器、および、半導体整流器で整流
された直流電圧からリップル成分を除去する平滑コイル
および平滑コンデンサを備えている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電気自
動車ではバッテリにその重量およびスペースを割かざる
を得ないために、このトランス内蔵型の電力変換装置に
許される重量、スペースを極力圧縮する必要がある。ト
ランス内蔵型の電力変換装置の重量、スペースの削減に
は、重量、スペースが他の部品より格段に大きく、か
つ、実質的に電気絶縁用の樹脂の許容温度まで使用可能
なトランスの小型化が最も有効である。特に、主バッテ
リと補機バッテリとの間での送電を行うためのＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータに用いられる電力変換装置の１回あたりの
使用時間は数分程度と短いので、多少は送電効率が低下
したとしても問題はないので、トランスを小型化するこ
とにより電力変換装置の必要な小型軽量化を実現するこ
とが可能となる。
動車ではバッテリにその重量およびスペースを割かざる
を得ないために、このトランス内蔵型の電力変換装置に
許される重量、スペースを極力圧縮する必要がある。ト
ランス内蔵型の電力変換装置の重量、スペースの削減に
は、重量、スペースが他の部品より格段に大きく、か
つ、実質的に電気絶縁用の樹脂の許容温度まで使用可能
なトランスの小型化が最も有効である。特に、主バッテ
リと補機バッテリとの間での送電を行うためのＤＣ−Ｄ
Ｃコンバータに用いられる電力変換装置の１回あたりの
使用時間は数分程度と短いので、多少は送電効率が低下
したとしても問題はないので、トランスを小型化するこ
とにより電力変換装置の必要な小型軽量化を実現するこ
とが可能となる。
【０００４】ところが、このようなトランスの小型化に
よるその発熱の増大は、このトランスの二次コイルに接
続される整流用の半導体整流器の大幅な温度上昇を招く
という問題を派生させてしまう。すなわち、この整流用
の半導体整流器は、電力変換装置の体積縮小と、トラン
スの二次コイルと整流用の半導体整流器との間の配線の
抵抗による電力損失低減のためにトランスの二次コイル
に接近して配置せざるを得ず、その結果、自己の発熱の
他に高温のトランスから上記配線を通じて、更にトラン
スの外表面からの放射および対流による熱伝達により予
想以上に高温化してしまう。また、このトランスの外表
面から半導体整流器への熱伝達を低減するには、両者を
離すことが有効であるが、この場合、電力変換装置の体
格が増大するという問題が生じてしまう。
よるその発熱の増大は、このトランスの二次コイルに接
続される整流用の半導体整流器の大幅な温度上昇を招く
という問題を派生させてしまう。すなわち、この整流用
の半導体整流器は、電力変換装置の体積縮小と、トラン
スの二次コイルと整流用の半導体整流器との間の配線の
抵抗による電力損失低減のためにトランスの二次コイル
に接近して配置せざるを得ず、その結果、自己の発熱の
他に高温のトランスから上記配線を通じて、更にトラン
スの外表面からの放射および対流による熱伝達により予
想以上に高温化してしまう。また、このトランスの外表
面から半導体整流器への熱伝達を低減するには、両者を
離すことが有効であるが、この場合、電力変換装置の体
格が増大するという問題が生じてしまう。
【０００５】この種の問題、すなわちたとえば上記トラ
ンスのような大発熱部品から放射などで伝達される熱が
この大発熱部品に近接するたとえばダイオードモジュー
ルのような低温使用型回路部品特に半導体部品に悪影響
を与えるという問題は、電子回路装置を高密度化すれば
電力用電子回路装置では必然的に派生する問題であり、
この問題のために装置の体格縮小に限界が生じていた。
ンスのような大発熱部品から放射などで伝達される熱が
この大発熱部品に近接するたとえばダイオードモジュー
ルのような低温使用型回路部品特に半導体部品に悪影響
を与えるという問題は、電子回路装置を高密度化すれば
電力用電子回路装置では必然的に派生する問題であり、
この問題のために装置の体格縮小に限界が生じていた。
【０００６】一方、水冷装置などの特別の冷却方式を追
加すれば上記問題を改善して回路実装密度の向上を図る
ことができるが、この場合には水冷装置やなどの冷却装
置の体積、重量が増大し、装置構成が複雑化してしまう
という新たな問題が派生してしまう。特に、高密度実装
を図った電子回路装置では、投影面積縮小のために複数
の回路基板を互いに平行に重ねることが一般的である
が、このような積層形式の電子回路装置では、大発熱部
品の周囲における熱の逃げが悪くなりがちであるので、
上記問題が一層深刻となった。
加すれば上記問題を改善して回路実装密度の向上を図る
ことができるが、この場合には水冷装置やなどの冷却装
置の体積、重量が増大し、装置構成が複雑化してしまう
という新たな問題が派生してしまう。特に、高密度実装
を図った電子回路装置では、投影面積縮小のために複数
の回路基板を互いに平行に重ねることが一般的である
が、このような積層形式の電子回路装置では、大発熱部
品の周囲における熱の逃げが悪くなりがちであるので、
上記問題が一層深刻となった。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、装置の体格重量の増大を招くことなく高密度実装
が可能な電子回路装置を提供することを目的としてい
る。
あり、装置の体格重量の増大を招くことなく高密度実装
が可能な電子回路装置を提供することを目的としてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の電子回路
装置によれば、多くの熱を発生して高温となるたとえば
トランスなどの大発熱部品の側面は、高温に耐えるとと
もに自身はそれほど発熱しないたとえばブスバーやチョ
ークコイルやコンデンサなどの小発熱部品を挟んで、た
とえば半導体部品などの低温使用型回路部品に対面す
る。
装置によれば、多くの熱を発生して高温となるたとえば
トランスなどの大発熱部品の側面は、高温に耐えるとと
もに自身はそれほど発熱しないたとえばブスバーやチョ
ークコイルやコンデンサなどの小発熱部品を挟んで、た
とえば半導体部品などの低温使用型回路部品に対面す
る。
【０００９】このようにすれば、高温の大発熱部品から
の放射熱が低温使用型回路部品の表面に照射されること
がなく、対流による大発熱部品から低温使用型回路部品
への熱伝達も小発熱部品により阻害されるので、低温使
用型回路部品の望ましくない温度上昇を防止することが
でき、その結果として、低温使用型回路部品の寿命、信
頼性を低下させることなく高密度実装が実現する。
の放射熱が低温使用型回路部品の表面に照射されること
がなく、対流による大発熱部品から低温使用型回路部品
への熱伝達も小発熱部品により阻害されるので、低温使
用型回路部品の望ましくない温度上昇を防止することが
でき、その結果として、低温使用型回路部品の寿命、信
頼性を低下させることなく高密度実装が実現する。
【００１０】請求項２記載の構成によれば請求項１記載
の構成において更に、大発熱部品の側面を多数の小発熱
部品により囲み、更に外側に低温使用型回路部品を設け
る。このようにすれば、大発熱部品の周囲にこの大発熱
部品の熱影響を排除しつつ多くの低温使用型回路部品を
配置することができるので、低温使用型回路部品の寿
命、信頼性を低下させることなく一層の高密度実装が実
現する。
の構成において更に、大発熱部品の側面を多数の小発熱
部品により囲み、更に外側に低温使用型回路部品を設け
る。このようにすれば、大発熱部品の周囲にこの大発熱
部品の熱影響を排除しつつ多くの低温使用型回路部品を
配置することができるので、低温使用型回路部品の寿
命、信頼性を低下させることなく一層の高密度実装が実
現する。
【００１１】請求項３記載の構成によれば請求項２記載
の電子回路装置において更に、大発熱部品の頂面に対面
する位置に低温使用型回路部品を設けないので、二つの
回路基板を少ない間隔で対面させることができ、その結
果として、低温使用型回路部品の寿命、信頼性を低下さ
せることなく一層の高密度実装が実現する。請求項４記
載の電子回路装置によれば、大発熱部品は実装基板の反
実装基板対向側の一面に実装され、低温使用型回路部品
は実装基板の実装基板対向側の他面に実装されているの
で、大発熱部品から放射や対流により発散される熱が低
温使用型回路部品に影響することがなく、その結果とし
て、低温使用型回路部品の寿命、信頼性を低下させるこ
となく一層の高密度実装が実現する。
の電子回路装置において更に、大発熱部品の頂面に対面
する位置に低温使用型回路部品を設けないので、二つの
回路基板を少ない間隔で対面させることができ、その結
果として、低温使用型回路部品の寿命、信頼性を低下さ
せることなく一層の高密度実装が実現する。請求項４記
載の電子回路装置によれば、大発熱部品は実装基板の反
実装基板対向側の一面に実装され、低温使用型回路部品
は実装基板の実装基板対向側の他面に実装されているの
で、大発熱部品から放射や対流により発散される熱が低
温使用型回路部品に影響することがなく、その結果とし
て、低温使用型回路部品の寿命、信頼性を低下させるこ
となく一層の高密度実装が実現する。
【００１２】請求項５記載の電子回路装置によれば、ブ
スバー（小発熱部品）は、大発熱部品と低温使用型回路
部品との間に位置して他の部位よりも両回路部品を遮断
する向きに広幅化されているので、低温使用型回路部品
の低温使用型回路部品の寿命、信頼性を低下させること
なく一層の高密度実装が実現する。更に、ブスバーの上
記部分的な広幅化は、大発熱部品と低温使用型回路部品
との間に単なる熱遮蔽部材を介設させるのに比べて、部
材の追加を必要とせず、かつ、ブスバーの電気抵抗を減
らしてその発熱を低減する効果も奏することができる。
スバー（小発熱部品）は、大発熱部品と低温使用型回路
部品との間に位置して他の部位よりも両回路部品を遮断
する向きに広幅化されているので、低温使用型回路部品
の低温使用型回路部品の寿命、信頼性を低下させること
なく一層の高密度実装が実現する。更に、ブスバーの上
記部分的な広幅化は、大発熱部品と低温使用型回路部品
との間に単なる熱遮蔽部材を介設させるのに比べて、部
材の追加を必要とせず、かつ、ブスバーの電気抵抗を減
らしてその発熱を低減する効果も奏することができる。
【００１３】
【発明を実施するための態様】本発明の電子回路装置が
適用されるハイブリッド車用の充電装置の好適な態様を
以下の実施例を参照して説明する。
適用されるハイブリッド車用の充電装置の好適な態様を
以下の実施例を参照して説明する。
【００１４】
【実施例１】この充電装置は、図１に示すように、低圧
の補機バッテリ２、ＤＣ／ＤＣコンバ−タ６、主機バッ
テリ７、制御回路８、電流センサ１０を備えている。Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ６は、図２に示すように、入力直流
電力を交流電力に変換するためのインバータ回路として
の一対のパワ−ＭＯＳＦＥＴ６１、パワ−ＭＯＳＦＥＴ
６１の出力電圧を変更するトランス６２、トランス６２
の出力を整流する全波整流回路６３、及び、全波整流回
路６３の出力電圧を平滑化する出力平滑回路６４を有す
る。また、ＤＣ／ＤＣコンバ−タ６のスイッチングで生
じる電圧変動を低減するために、ＤＣ／ＤＣコンバ−タ
６の一対の入力端間に接続される入力側平滑コンデンサ
５を有している。
の補機バッテリ２、ＤＣ／ＤＣコンバ−タ６、主機バッ
テリ７、制御回路８、電流センサ１０を備えている。Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ６は、図２に示すように、入力直流
電力を交流電力に変換するためのインバータ回路として
の一対のパワ−ＭＯＳＦＥＴ６１、パワ−ＭＯＳＦＥＴ
６１の出力電圧を変更するトランス６２、トランス６２
の出力を整流する全波整流回路６３、及び、全波整流回
路６３の出力電圧を平滑化する出力平滑回路６４を有す
る。また、ＤＣ／ＤＣコンバ−タ６のスイッチングで生
じる電圧変動を低減するために、ＤＣ／ＤＣコンバ−タ
６の一対の入力端間に接続される入力側平滑コンデンサ
５を有している。
【００１５】一対のパワ−ＭＯＳＦＥＴ６１は、ダイオ
ードがそれぞれ逆並列接続されて交互に断続制御される
パワ−ＭＯＳトランジスタからなる。これらパワ−ＭＯ
Ｓトランジスタ６１の交互逆相断続によりトランス６２
の二次側に生じた交流電圧は全波整流回路６３で整流さ
れ、出力平滑回路６４を構成するチョークコイル６５及
び平滑コンデンサ６６で平滑されて主機バッテリ７に印
加される。
ードがそれぞれ逆並列接続されて交互に断続制御される
パワ−ＭＯＳトランジスタからなる。これらパワ−ＭＯ
Ｓトランジスタ６１の交互逆相断続によりトランス６２
の二次側に生じた交流電圧は全波整流回路６３で整流さ
れ、出力平滑回路６４を構成するチョークコイル６５及
び平滑コンデンサ６６で平滑されて主機バッテリ７に印
加される。
【００１６】全波整流回路６３は４つのダイオードモジ
ュールＤをブリッジ接続してなる。上述したトランス６
２、全波整流回路６３、チョークコイル６５及び平滑コ
ンデンサ６６は、本発明でいう電力変換装置を構成して
いる。 （電力変換装置の配置）この実施例の特徴をなす上述し
た電力変換装置の配置例を図３〜図５を参照して以下に
説明する。図３は、図１に示す充電装置の斜視図、図４
は側面図、図５は回路基板１０１、１０４の展開図であ
る。
ュールＤをブリッジ接続してなる。上述したトランス６
２、全波整流回路６３、チョークコイル６５及び平滑コ
ンデンサ６６は、本発明でいう電力変換装置を構成して
いる。 （電力変換装置の配置）この実施例の特徴をなす上述し
た電力変換装置の配置例を図３〜図５を参照して以下に
説明する。図３は、図１に示す充電装置の斜視図、図４
は側面図、図５は回路基板１０１、１０４の展開図であ
る。
【００１７】１００は金属プレート、１０１は金属プレ
ート１００の上面に所定間隔を隔てて平行に設けられて
複数の金属突起１００ａに固定された第１の回路基板で
あり、トランス６２、全波整流回路６３、チョークコイ
ル６５及び平滑コンデンサ６６は、回路基板１０１上に
固定されている。また、１０４は、金属プレート１００
の一端縁から立設する支壁部１００ｂの上部に締結され
て、回路基板１０１と平行に延設される第２の回路基板
である。
ート１００の上面に所定間隔を隔てて平行に設けられて
複数の金属突起１００ａに固定された第１の回路基板で
あり、トランス６２、全波整流回路６３、チョークコイ
ル６５及び平滑コンデンサ６６は、回路基板１０１上に
固定されている。また、１０４は、金属プレート１００
の一端縁から立設する支壁部１００ｂの上部に締結され
て、回路基板１０１と平行に延設される第２の回路基板
である。
【００１８】全波整流回路６３を構成する４つのダイオ
ードモジュールＤは、回路基板１０１に立設される直立
回路基板１０３の一面に実装されており、直立回路基板
１０３のこの一面はトランス６２の最も近接する一側面
と直角かつ回路基板１０１と直角となる姿勢を有してい
る。また、ダイオードモジュールＤの最も広い表面は直
立回路基板１０３の上記一面と平行となっている。
ードモジュールＤは、回路基板１０１に立設される直立
回路基板１０３の一面に実装されており、直立回路基板
１０３のこの一面はトランス６２の最も近接する一側面
と直角かつ回路基板１０１と直角となる姿勢を有してい
る。また、ダイオードモジュールＤの最も広い表面は直
立回路基板１０３の上記一面と平行となっている。
【００１９】このようにすれば、直立回路基板１０３の
主面やダイオードモジュールＤの最も広い頂面がトラン
ス６２の側面に対向しないので、トランス６２から放射
熱を受けることが少なく、それによるダイオードモジュ
ールＤの温度上昇を防止することができる。また、支壁
部１００ｂのトランス６２に対面する表面には、一対の
パワ−ＭＯＳＦＥＴ６１が設けられている。
主面やダイオードモジュールＤの最も広い頂面がトラン
ス６２の側面に対向しないので、トランス６２から放射
熱を受けることが少なく、それによるダイオードモジュ
ールＤの温度上昇を防止することができる。また、支壁
部１００ｂのトランス６２に対面する表面には、一対の
パワ−ＭＯＳＦＥＴ６１が設けられている。
【００２０】これらパワ−ＭＯＳＦＥＴ６１は、金属容
器に収容されており、それらのゲート電極及びドレイン
電極は、これら金属容器の表面に電気絶縁されつつ設け
られた複数の外部取り出し端子に個別に接続され、これ
ら外部取り出し端子は、図示しないブスバーに接続され
ている。また、パワ−ＭＯＳＦＥＴ６１のソース電極は
上記金属容器を通じて支壁部１００ｂに接地されてい
る。
器に収容されており、それらのゲート電極及びドレイン
電極は、これら金属容器の表面に電気絶縁されつつ設け
られた複数の外部取り出し端子に個別に接続され、これ
ら外部取り出し端子は、図示しないブスバーに接続され
ている。また、パワ−ＭＯＳＦＥＴ６１のソース電極は
上記金属容器を通じて支壁部１００ｂに接地されてい
る。
【００２１】この実施例では特に、トランス６２の一側
面とパワ−ＭＯＳＦＥＴ６１との間に、ブスバーＢが支
壁部１００ｂ及びトランス６２の対向側面と平行にパワ
−ＭＯＳＦＥＴ６１を覆うに足る長さだけ延設されてい
る。更に、このブスバーＢは、他のブスバー（図示せ
ず）に比較して、その幅（回路基板（実装基板）１０１
と直角方向の長さ）が広く設定され、特に、トランス６
２からパワ−ＭＯＳＦＥＴ６１を覆うに足るだけの幅に
拡大されている。
面とパワ−ＭＯＳＦＥＴ６１との間に、ブスバーＢが支
壁部１００ｂ及びトランス６２の対向側面と平行にパワ
−ＭＯＳＦＥＴ６１を覆うに足る長さだけ延設されてい
る。更に、このブスバーＢは、他のブスバー（図示せ
ず）に比較して、その幅（回路基板（実装基板）１０１
と直角方向の長さ）が広く設定され、特に、トランス６
２からパワ−ＭＯＳＦＥＴ６１を覆うに足るだけの幅に
拡大されている。
【００２２】このようにすれば、高温となったトランス
（本発明でいう大発熱部品）６２から放射される熱はこ
のブスバー（本発明でいう小発熱部品）Ｂにより遮断さ
れてパワ−ＭＯＳＦＥＴ（本発明でいう低温使用型回路
部品）６１に照射されることがない。更に、このトラン
ス６２の表面で熱せられた空気が対流移動してパワ−Ｍ
ＯＳＦＥＴ６１の表面に接触することもほとんどない。
（本発明でいう大発熱部品）６２から放射される熱はこ
のブスバー（本発明でいう小発熱部品）Ｂにより遮断さ
れてパワ−ＭＯＳＦＥＴ（本発明でいう低温使用型回路
部品）６１に照射されることがない。更に、このトラン
ス６２の表面で熱せられた空気が対流移動してパワ−Ｍ
ＯＳＦＥＴ６１の表面に接触することもほとんどない。
【００２３】このため、パワ−ＭＯＳＦＥＴ６１を高温
のトランス６２の側面に近接配置するにもかかわらず、
パワ−ＭＯＳＦＥＴ４２、６１の過熱を防止することが
でき、信頼性を確保しつつ高密度実装を実現することが
できる。
のトランス６２の側面に近接配置するにもかかわらず、
パワ−ＭＯＳＦＥＴ４２、６１の過熱を防止することが
でき、信頼性を確保しつつ高密度実装を実現することが
できる。
【００２４】
【実施例２】本発明の電子回路装置の他の配置例を図６
を参照して以下に説明する。２００は裏面に放熱フィン
を有する金属プレート、２０１は金属プレート２００の
上面に所定間隔を隔てて平行に設けられた回路基板、２
０２は支壁部、２０３は上側の回路基板、２０４は大発
熱部品、２０５は小発熱部品、２０６は低温使用型回路
部品、２０７は金属蓋板である。
を参照して以下に説明する。２００は裏面に放熱フィン
を有する金属プレート、２０１は金属プレート２００の
上面に所定間隔を隔てて平行に設けられた回路基板、２
０２は支壁部、２０３は上側の回路基板、２０４は大発
熱部品、２０５は小発熱部品、２０６は低温使用型回路
部品、２０７は金属蓋板である。
【００２５】支壁部２０２は、ねじ２０８により金属プ
レート２００の上面端縁に固定されており、回路基板２
０１は、ねじ２０９により支壁部２０２の平坦な段差面
に固定されている。更に、上側の回路基板２０３と金属
蓋板で２０７とは、ねじ２１０により支壁部２０２の上
端面に固定され、これにより、部品収容用の上室２１
１、中室２１２、下室２１３が区画形成されている。な
お、支壁部２０２及び金属蓋板２０７の側壁には多数の
窓が開口され、冷却用空気が流通可能となっている。
レート２００の上面端縁に固定されており、回路基板２
０１は、ねじ２０９により支壁部２０２の平坦な段差面
に固定されている。更に、上側の回路基板２０３と金属
蓋板で２０７とは、ねじ２１０により支壁部２０２の上
端面に固定され、これにより、部品収容用の上室２１
１、中室２１２、下室２１３が区画形成されている。な
お、支壁部２０２及び金属蓋板２０７の側壁には多数の
窓が開口され、冷却用空気が流通可能となっている。
【００２６】金属プレート２００の上面中央部には突起
部２０２ａが突設され、突起部２０２ａの上面周囲の段
差面は回路基板２０１を支承し、更に、突起部２０２ａ
は回路基板２０１の開口から突出して大発熱部品２０４
の金属ケースに密着している。この実施例では、大型の
大発熱部品２０４は中室２１２の中央部に設けられ、そ
の周囲には小発熱部品２０５すなわち比較的許容温度が
高いにもかかわらず自己発熱が少ない回路部品が設けら
れ、そして半導体モジュールのような低温使用型回路部
品２０６は大発熱部品２０４からみて小発熱部品２０５
の背後に設けられている。
部２０２ａが突設され、突起部２０２ａの上面周囲の段
差面は回路基板２０１を支承し、更に、突起部２０２ａ
は回路基板２０１の開口から突出して大発熱部品２０４
の金属ケースに密着している。この実施例では、大型の
大発熱部品２０４は中室２１２の中央部に設けられ、そ
の周囲には小発熱部品２０５すなわち比較的許容温度が
高いにもかかわらず自己発熱が少ない回路部品が設けら
れ、そして半導体モジュールのような低温使用型回路部
品２０６は大発熱部品２０４からみて小発熱部品２０５
の背後に設けられている。
【００２７】このようにすれば、実施例１の場合と同様
に、中室２１２の低温使用型回路部品２０６は大発熱部
品２０４からの放射熱により過熱することがない。ま
た、上室２１１と下室２１３には、大発熱部品２０４は
設けられないので、これら上室２１１、下室２１３内の
低温使用型回路部品２０６が大発熱部品２０４により過
熱されることがない。
に、中室２１２の低温使用型回路部品２０６は大発熱部
品２０４からの放射熱により過熱することがない。ま
た、上室２１１と下室２１３には、大発熱部品２０４は
設けられないので、これら上室２１１、下室２１３内の
低温使用型回路部品２０６が大発熱部品２０４により過
熱されることがない。
【００２８】更に、大発熱部品２０４は、それを載置す
るとともに冷却する突起部２０２ａを通じて金属プレー
ト２００に良好に放熱することもできる。
るとともに冷却する突起部２０２ａを通じて金属プレー
ト２００に良好に放熱することもできる。
【図１】 実施例１に用いる本発明の電子回路装置を用
いた充電装置の回路図である。
いた充電装置の回路図である。
【図２】 図１に示す充電装置のＤＣ−ＤＣコンバータ
の回路図である。
の回路図である。
【図３】 図１に示す充電装置の斜視図である。
【図４】 図１に示す充電装置の側面図である。
【図５】 図１に示す充電装置の回路基板の展開図であ
る。
る。
【図６】 本発明の電子回路装置の変形態様を示す縦断
面図である。
面図である。
１０１、１０３は回路基板（実装基板）、６２はトラン
ス（大発熱部品）、６５はチョークコイル（小発熱部
品）、５は平滑コンデンサ（小発熱部品）、Ｂはブスバ
ー（小発熱部品）、４２、６１はパワ−ＭＯＳＦＥＴ
（低温使用型回路部品）
ス（大発熱部品）、６５はチョークコイル（小発熱部
品）、５は平滑コンデンサ（小発熱部品）、Ｂはブスバ
ー（小発熱部品）、４２、６１はパワ−ＭＯＳＦＥＴ
（低温使用型回路部品）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E344 AA01 AA22 AA26 BB02 BB07 EE01 5H730 AA15 AS17 BB25 BB57 DD04 EE04 EE08 ZZ07 ZZ11
Claims (5)
- 【請求項１】最大許容温度が所定値以下の低温使用型回
路部品と、前記低温使用型回路部品よりも高温使用が可
能な複数の高温使用型回路部品と、互いに所定間隔を隔
てて重なる姿勢を有して前記回路部品を実装する一対の
実装基板とを有し、前記高温使用型回路部品は、発熱量
が大きい大発熱部品及び発熱量が小さい小発熱部品を有
する電子回路装置において、 前記小発熱部品は、前記大発熱部品と前記低温使用型回
路部品との間に位置して前記両実装基板の少なくとも一
方に設けられることを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項２】請求項１記載の電子回路装置において、 前記大発熱部品の側面を多数の前記小発熱部品により囲
み、更に外側に前記低温使用型回路部品を設けることを
特徴とする電子回路装置。 - 【請求項３】請求項２記載の電子回路装置において、 前記大発熱部品の頂面に対面する位置に前記低温使用型
回路部品を設けないことを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項４】最大許容温度が所定値以下の低温使用型回
路部品と、前記低温使用型回路部品よりも高温使用が可
能な複数の高温使用型回路部品と、互いに所定間隔を隔
てて重なる姿勢を有して前記回路部品を実装する一対の
実装基板とを有し、前記高温使用型回路部品は、発熱量
が大きい大発熱部品及び発熱量が小さい小発熱部品を有
する電子回路装置において、 前記大発熱部品は、前記実装基板の反実装基板対向側の
一面に実装され、前記低温使用型回路部品は前記実装基
板の実装基板対向側の他面に実装されることを特徴とす
る電子回路装置。 - 【請求項５】最大許容温度が所定値以下の低温使用型回
路部品と、前記低温使用型回路部品よりも高温使用が可
能な複数の高温使用型回路部品と、前記両回路部品の間
に延設されるブスバーとを備える電子回路装置におい
て、 前記ブスバーは、前記両回路部品の間に位置して他の部
位よりも前記両回路部品を遮断する向きに広幅化されて
いることを特徴とする電子回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28422198A JP3544307B2 (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28422198A JP3544307B2 (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 電子回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000116118A true JP2000116118A (ja) | 2000-04-21 |
| JP3544307B2 JP3544307B2 (ja) | 2004-07-21 |
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ID=17675750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28422198A Expired - Fee Related JP3544307B2 (ja) | 1998-10-06 | 1998-10-06 | 電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3544307B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012239341A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Cosel Co Ltd | スイッチング電源装置 |
| JP2013146118A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Denso Corp | 電力変換装置 |
| JP2015103816A (ja) * | 2013-11-26 | 2015-06-04 | 台達電子企業管理（上海）有限公司 | 電子装置と自動車の充電装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5673857B2 (ja) | 2011-11-21 | 2015-02-18 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Ｄｃ−ｄｃコンバータ |
-
1998
- 1998-10-06 JP JP28422198A patent/JP3544307B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2013146118A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Denso Corp | 電力変換装置 |
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| US9655288B2 (en) | 2013-11-26 | 2017-05-16 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Electronic device and car battery charger |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3544307B2 (ja) | 2004-07-21 |
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