JP2004165626A - 半導体装置の放熱システム - Google Patents

半導体装置の放熱システム Download PDF

Info

Publication number
JP2004165626A
JP2004165626A JP2003277860A JP2003277860A JP2004165626A JP 2004165626 A JP2004165626 A JP 2004165626A JP 2003277860 A JP2003277860 A JP 2003277860A JP 2003277860 A JP2003277860 A JP 2003277860A JP 2004165626 A JP2004165626 A JP 2004165626A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat dissipation
heat
semiconductor device
dissipation system
external heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003277860A
Other languages
English (en)
Inventor
Jang-Hyoun Youm
長▲ヒュン▼ 廉
Won-Ki Park
元基 朴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2004165626A publication Critical patent/JP2004165626A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
    • H01L2023/405—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
    • H01L2023/4068—Heatconductors between device and heatsink, e.g. compliant heat-spreaders, heat-conducting bands
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

【課題】 半導体装置の内部放熱部材と外部放熱板との間の寄生容量を除去することにより、共通モードのノイズが印加される時に耐性を高めることができる。また、半導体装置の放熱効果もともに高めることができる。
【解決手段】 複数の半導体チップと、前記半導体チップを冷却させるための放熱部材を含む半導体装置の放熱システムは、前記放熱部材と対向配置され、前記半導体装置に結合されてグラウンドに接続される外部放熱部材と、前記放熱部材と前記外部放熱部材との間に設けられて前記放熱部材及び前記外部放熱部材と相互に電気的に接続される電気伝導部材と、前記放熱部材と前記外部放熱部材との間に挿入される熱伝導性絶縁部材と、を含むことを特徴とする。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体装置の放熱システムに係り、さらに詳しくは、放熱構造を改善してノイズを抑制することができる半導体装置の放熱システムに関する。
半導体技術の発展により、電力素子により電気エネルギーを熱エネルギー、機械エネルギー、電気エネルギー等に切換えて使用することが一般的である。このような半導体電力素子に利用されるＢＪＴ、ＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲート両極性トランジスター）等の能動スイッチング素子は、ユーザーの信号によりオン／オフを決定することができる。また、最近では、電力素子を制御することができる制御チップをともに内蔵した能動形電力素子であるインテリジェントパワーモジュール（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｐｏｗｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ；ＩＰＭ）も開発されている。
ところが、電力素子のスイッチング動作時には、内部寄生抵抗によりスイッチング素子の導通時に発生する熱損失（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｌｏｓｓ）及びスイッチング動作（オン／オフ繰返し）により発生するスイッチング損失（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｌｏｓｓ）によって電力素子自体の温度が上昇することになる。一般に、このような熱損失とスイッチング損失による熱エネルギーを放熱させるために、電力素子の一側面には、放熱用金属板を結合させた構造を有している。
図５は電力素子の放熱構造として、電力素子であるＩＰＭ１０と制御ボード５０からなる電力変換システムの概略図である。ここで、電力素子１０は、放熱性を高めるために素子の底面を金属性のベースプレート１１から構成する。ベースプレートの上には絶縁層１３を形成し、その上に所定の回路パターンを設けてそれによる多くの半導体チップ１４、１５を回路に設け、各半導体素子をワイヤーでボンディングして電力素子を構成する。これにより、多くのスイッチング素子１４からなるインバーター回路（図６参照）を構成することができる。この時、スイッチング素子１４は、能動素子であるＩＧＢＴから構成されている。また、ゲート信号によりインバーターを構成するスイッチング素子１４のスイッチング動作をＰＷＭ（ｐｕｌｓｅ ｗｉｄｔｈ ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ；パルス幅変調）制御する制御チップ１５のパターンもともに形成されている。制御チップ１５は、ＰＷＭ制御を行って各スイッチング素子のオン／オフにより希望する周波数、電圧に切換えられた電源を負荷（モータ）に供給する。また、制御チップ１５は、各スイッチング素子１４の過電流、短絡電流及び過熱、制御電源の過電圧、不足電圧等ＩＰＭ１０の各種の情報も制御ボード５０に伝達する。また、電力素子１０の放熱性をさらに高めるために、ベースプレート１１と密着される外部放熱板４０を接着剤、ネジ締結等の手段により結合するようにする。
ところが、電力素子１０のベースプレート１１と外部放熱板４０を機械的に偏平に設計して結合しても、製造上の公差により両者の間に所定の間隔が発生されて放熱効率が低下される恐れがある。従って、ベースプレート１１と外部放熱板４０との間の間隙に熱伝導特性の優れる絶縁物質であるグリース３０等を満たす。しかし、電気伝導特性を有しないグリース３０が誘電体として作用してベースプレート１１と外部放熱板４０の二つの導伝体の間に寄生容量３１（図６参照）が発生する可能性がある。
一方、半導体電力素子の内部は、高絶縁抵抗を有するように設計されているので、スイッチング素子のオン／オフによりスイッチングを動作させるためには、外部電圧（ダイオードである場合）やゲート信号（能動素子である場合）を印加しなければならない。しかし、電源側のノイズ、落雷、またはその他外部からの高電圧が電力素子に印加されると、電力素子の内部の絶縁抵抗が破壊されたり信号の歪曲等によりスイッチング素子が導通されて、電力素子とこれを利用したシステムが破壊される恐れもある。
図６は図５の電力切換システムのＩＰＭ１０及び制御ボード５０の内部回路を示した図で、３相交流電源を直流に切換えて、切換えられた直流をインバーターを経て３相交流サーボモータに供給するための内部回路の図である。即ち、外部の３相交流電源は交流電源ターミナル６０から電線６１を通じて供給されて制御ボード５０に設けられた整流回路５１、５２を経て直流に切換えられる。切換えられた直流電源は、ＩＰＭ１０の六つのスイッチング素子１４から構成されたインバーター回路を経て出力線７１と連結された負荷側の交流サーボモータのターミナル７０に供給されてモータを駆動させる。また、制御ボード５０に設けられたＳＭＰＳ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ ｐｏｗｅｒ ｓｕｐｐｌｙ；５３）と制御回路５４によりスイッチング素子１４を制御する制御チップ１５の駆動を制御する。
ここで、外部放熱板４０の接地部４１は、電源側の接地線４２及び負荷側の接地線４３と通常にネジ結合により接続されており、各電源線６１と接地線４２との間にはＹ−キャパシター５５が接続されている。
上の回路で落雷や電源側のノイズ（リレーやフィールドで現れるスパイク性高圧）等が外部に連結された電線６１、７１に印加される場合に、共通モードノイズ（ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ ｎｏｉｓｅ）が発生する。共通モードノイズによるエネルギーは、Ｙ−キャパシター５５を経て接地された外部放熱板４０を通じて電源側の接地４２に抜き出して電力素子１０の内部回路を保護するように設計されている。この時、十分に大きいノイズに対して耐性を高めるために、Ｙ−キャパシターの容量を増加することができるが、この場合、システムの漏洩電流が大きくなる問題がある。また、Ｙ−キャパシター５５を通じて抜け出さないとても大きいノイズ性のエネルギーが電力素子１０の内部の寄生容量（各スイッチング素子と内部の放熱部材との間に発生）及び外部寄生容量３１に充電される場合に一番低い電位を通じてスイッチング素子が導通されて回路の誤動作を誘発する恐れがある。即ち、電力素子のスイッチング動作時に、図６のインバーター回路で上下の二つのスイッチング素子がともにオンされてＤＣリンク短絡現象を生じて回路が破損される恐れがある。
このように、共通モードノイズが発生する場合、半導体電力素子に形成されライター寄生容量にノイズによるエネルギーが蓄積されて、システムの誤動作や回路の損傷等の悪影響を及ぼすことになる。
本発明の目的は、半導体装置の自体放熱部材と外部放熱板との間の寄生容量を除去して、共通モードノイズに対する耐性を高めることができる半導体装置の放熱システムを提供することである。
上記目的を達成するための本発明は、複数の半導体チップと、前記半導体チップを冷却させるための放熱部材を含む半導体装置の放熱システムにおいて、前記放熱部材と対向配置され、前記半導体装置に結合されてグラウンドに接続される外部放熱部材と、前記放熱部材と前記外部放熱部材との間に設けられて前記放熱部材及び前記外部放熱部材と相互に電気的に接続される電気伝導部材と、前記放熱部材と前記外部放熱部材との間に挿入される熱伝導性絶縁部材と、を含むことを特徴とする。
前記電気伝導部材は、薄膜層からなることが好ましく、前記薄膜層の所定の位置にその板面から突出して前記放熱部材と前記外部放熱部材の中の少なくともいずれか一つの板面と接触する突起部を有することがこのましい。また、前記薄膜層は、外周縁から所定の間隔をおいて切取られた開口部を有し、前記熱伝導性絶縁部材は、前記開口部の内に収容されることが好ましい。
前記薄膜層は、スズめっきをした銅板であることが好ましく、また、前記薄膜層の厚さは、２００μm以下であることが好ましい。
また、前記半導体チップは、少なくとも一つの電力スイッチング素子を含むことが好ましい。
本発明によると、半導体装置の内部放熱部材と外部放熱板との間に電気伝導性の薄膜層を挿入して、その間の寄生容量を除去することにより、共通モードのノイズが印加される時に耐性を高めることができる。また、内部放熱部材と外部放熱板との間には、熱伝導物質が挿入されることにより、半導体装置の放熱効果もともに高めることができる。
以下、添付の図面を参照して本発明を詳細に説明する。本発明において、前述した図５と同一の構成要素については同一の符号を付して説明する。
図１は、本発明による半導体装置の放熱システムの構成図として、図５の制御ボードを除いた状態を示している。図面に示すように、本発明による半導体装置の放熱システムは、複数の半導体チップ１４、１５（図２参照）をケース１２（図２参照）の内に組立てたＩＰＭ１０と、ＩＰＭ１０を冷却するように設けられているベースプレート１１（図２参照）と、ベースプレート１１と対向して配置されるようにＩＰＭ１０と結合されている外部放熱板４０と、ベースプレート１１と外部放熱板４０との間に介されて両者を電気的に接続させる電気伝導部材２０と、ベースプレート１１と外部放熱板４０との間に挿入される熱伝導性絶縁部材３０と、を含む。
このように、本発明の半導体装置は、ベースプレート１１が設けられたＩＰＭ１０が電気伝導部材２０を介して熱伝導絶縁部材３０が挿入された状態で、外部放熱板４０にネジ８０により締結されて相互に結合されるように構成されている。また、外部放熱板４０は、電源側の接地線４２（図２参照）及び負荷側の接地線４３（図２参照）と接続される接地接続部４１（図２参照）を有している。また、ベースプレート１１と外部放熱板４０は、熱伝導性が高い金属材質からなっている。
電気伝導部材２０は、ＩＰＭ１０のケース１２の低面のフレームと同じサイズから形成されて、微少な厚さを有する薄膜層からなっている。また、電気伝導部材２０には、その板面から突出される突起部２１が形成されている。突起部２１は、電気伝導部材２０の所定の部位を切取折曲して形成したもので、本実施形態では、電気伝導部材２０の四つの角にそれぞれ設けられている。電気伝導部材２０の一側面は外部放熱板４０と接触し、他側面の突起部２１は、ベースプレート１１と接触するように配置する。勿論、突起部２１を電気伝導部材の両面に全部突出されるように形成してベースプレート１１及び外部放熱板４０とそれぞれ接触するように構成することもできる。
これにより、接地と連結された外部放熱板４０と電力素子１０のベースプレート１１とは、相互に電気的に接続させることができる状態になる。また、薄膜層からなる電気伝導部材２０には、外周縁から所定の間隔をおいて切取られた開口部２２が形成されている。電気伝導部材２０の開口部２２には、熱伝導絶縁部材３０が収容される。
一方、絶縁部材３０は、ベースプレート１１と外部放熱板４０との間に生ずることができる空間を満たすために設けられる。外部放熱板４０の上に配置される電気伝導部材２０の開口部２２によりベースプレート１１との間に空間が形成される。また、ＩＰＭ１０の外部ケース１２と底面のベースプレート１１との間に製造上の公差により微細な高さの差による間隙ｔ１（図３参照）が発生する可能性がある。このような空間がある状態で、ベースプレート１１に電気伝導部材２０を介して外部放熱板４０を結合する場合、放熱性能が低下されるので、伝導特性の優れる絶縁物質であるグリース等の絶縁部材３０を空間内に挿入することが好ましい。
また、本発明では、電気伝導部材２０は、薄膜の導伝性金属として銅板を利用することが好ましく、スズめっきをして錆がつくことを防止することが好ましい。また、電気伝導部材２０の薄膜の厚さｔ２（図４参照）は、２００μm以下であることが好ましい。
図２は、半導体装置が外部放熱板と結合された状態の断面図として、図５の制御ボードを除いた状態を示した図である。図示したように、電力素子１０の底面に設けられた金属性のベースプレート１１の上に絶縁層１３を形成し、その上に所定の回路パターンを設けてこれによる多くの半導体チップ１４、１５を回路に沿って設け、各半導体素子をワイヤーボンディングして電力素子を構成する。これにより、多くのスイッチング素子１４からなるインバーター回路（図６参照）を構成することができる。この時、スイッチング素子１４は、各種の能動素子から構成することができ、特にＩＧＢＴから構成することができる。また、各スイッチング素子１４のスイッチング動作を制御して、希望する周波数、電圧に切換えられた電源を負荷（モータ）に供給するための制御チップ１５もともに形成されている。
図２に示すように、電気伝導部材２０を外部放熱板４０の上に配置して、開口部に該当する空間に熱伝導部材３０であるグリースを塗布してＩＰＭ１０を結合することにより外部放熱板４０とベースプレート１１との間の密着性を増大させて放熱効率を高めることができる。即ち、電力素子１０から発生した熱は、ベースプレート１１と密着された熱伝導絶縁部材３０に伝導され、この熱がさらに外部放熱板４０に伝導されて外部に発散される。
また、ベースプレート１１と外部放熱板４０との間に挿入された電気伝導部材２０により両者が電気的に接続されることができるので、ベースプレート１１と接地に連結された外部放熱板４０との間に絶縁部材３０が挿入されても寄生容量が生ずることを防止することができる。
このような放熱構造により電源側のノイズ、落雷、その外の外部高圧による共通モードのノイズが生じても、電力素子１０のベースプレート１１と外部放熱板４０との間に外部寄生容量が形成されないので、従来のように外部寄生容量にノイズエネルギーが蓄積されることを防止することができる。従って、共通モードのノイズが発生する場合、半導体の電力素子に形成される外部寄生容量による回路の誤動作や素子の損傷等を防止することができる。
本発明による放熱システム構成図である。 本発明による放熱システムの組立断面図である。 本発明による電力素子の部分拡大図である。 図１の電気伝導部材の拡大断面図である。 従来の放熱システムの組立断面図である。 図５の回路図である。
符号の説明
１０ 電力素子（ＩＰＭ）
１１ ベースプレート
１４、１５ 半導体チップ
２０ 電気伝導部材
２１ 突起部
３０ 熱伝導絶縁部材
４０ 外部放熱板
４１ 接地接続部

Claims (7)

  1. 複数の半導体チップと、前記半導体チップを冷却させるための放熱部材を含む半導体装置の放熱システムにおいて、
    前記放熱部材と対向配置され、前記半導体装置に結合されてグラウンドに接続される外部放熱部材と、
    前記放熱部材と前記外部放熱部材との間に設けられて前記放熱部材及び前記外部放熱部材と相互に電気的に接続される電気伝導部材と、
    前記放熱部材と前記外部放熱部材との間に挿入される熱伝導性絶縁部材と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の放熱システム。
  2. 前記電気伝導部材は、薄膜層からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の放熱システム。
  3. 前記薄膜層の所定の位置にその板面から突出して前記放熱部材と前記外部放熱部材の中の少なくともいずれか一つの板面と接触する突起部を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の放熱システム。
  4. 前記薄膜層は、外周縁から所定の間隔をおいて切取られた開口部を有し、
    前記熱伝導性絶縁部材は、前記開口部の内に収容されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の放熱システム。
  5. 前記薄膜層は、スズめっきをした銅板であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の放熱システム。
  6. 前記薄膜層の厚さは、２００μm以下であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の放熱システム。
  7. 前記半導体チップは、少なくとも一つの電力スイッチング素子を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の放熱システム。
JP2003277860A 2002-11-14 2003-07-22 半導体装置の放熱システム Pending JP2004165626A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0070584A KR100488518B1 (ko) 2002-11-14 2002-11-14 반도체 장치의 방열 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004165626A true JP2004165626A (ja) 2004-06-10

Family

ID=32291723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003277860A Pending JP2004165626A (ja) 2002-11-14 2003-07-22 半導体装置の放熱システム

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7035106B2 (ja)
JP (1) JP2004165626A (ja)
KR (1) KR100488518B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014041936A1 (ja) * 2012-09-13 2014-03-20 富士電機株式会社 半導体装置、半導体装置に対する放熱部材の取り付け方法及び半導体装置の製造方法
JP2015088556A (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 富士電機株式会社 電子モジュール

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060040580A (ko) * 2003-04-02 2006-05-10 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 열적 상호접속 및 인터페이스 시스템, 및 이들의 제조 및사용 방법
JP2008016362A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール及び車輌用灯具
JP2008118067A (ja) * 2006-11-08 2008-05-22 Hitachi Ltd パワーモジュール及びモータ一体型コントロール装置
CN101653056B (zh) * 2007-02-15 2011-08-31 日本电气株式会社 电子器件安装设备及其噪声抑制方法
US20080297275A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-04 Robert Keith Hollenbeck Dual configuration filter circuit
EP2225923B1 (en) * 2007-11-28 2012-02-08 voltwerk electronics GmbH Inverter
KR200445515Y1 (ko) * 2009-03-31 2009-08-06 지성수 절연성 및 열전도성이 향상된 전류변환장치
DE102009017621B3 (de) * 2009-04-16 2010-08-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Verringerung der Störabstrahlung in einem leistungselektronischen System
JP4947135B2 (ja) * 2009-12-04 2012-06-06 株式会社デンソー 半導体パッケージおよびその製造方法
DE102010008553B4 (de) * 2010-02-19 2011-09-22 Continental Automotive Gmbh Vorrichtung zur Abschirmung eines Elektronikmoduls
JPWO2013084589A1 (ja) 2011-12-08 2015-04-27 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置製造方法
CN103378070B (zh) * 2012-04-16 2016-04-13 富士电机株式会社 半导体器件
US9513667B2 (en) 2012-05-29 2016-12-06 Google Technology Holdings LLC Methods, apparatuses, and systems for radio frequency management between devices
US10104758B2 (en) * 2014-02-21 2018-10-16 Ati Technologies Ulc Heat sink with configurable grounding
KR102188621B1 (ko) * 2014-06-23 2020-12-09 주식회사 만도 인버터 하우징
JP6520325B2 (ja) * 2015-04-06 2019-05-29 株式会社デンソー 電子制御装置
TWM519879U (zh) * 2015-08-03 2016-04-01 Dowton Electronic Materials Co Ltd 電子裝置之改良散熱結構
US10236232B2 (en) 2017-01-19 2019-03-19 Advanced Micro Devices, Inc. Dual-use thermal management device
CA3091748A1 (en) * 2018-03-05 2019-09-12 Sew-Eurodrive Gmbh & Co. Kg Electrical appliance arrangement having an electrical appliance which can be fastened to a support element, in particular a wall
CN113347778B (zh) * 2021-05-31 2023-02-28 西安联飞智能装备研究院有限责任公司 一种印制电路板及共模电容与开关器件散热器的连接方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5459348A (en) * 1991-05-24 1995-10-17 Astec International, Ltd. Heat sink and electromagnetic interference shield assembly
JP3540471B2 (ja) 1995-11-30 2004-07-07 三菱電機株式会社 半導体モジュール
US5640045A (en) 1996-02-06 1997-06-17 Directed Energy, Inc. Thermal stress minimization in power semiconductor devices
JPH09312376A (ja) 1996-05-21 1997-12-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
DE19736962B4 (de) * 1997-08-25 2009-08-06 Robert Bosch Gmbh Anordnung, umfassend ein Trägersubstrat für Leistungsbauelemente und einen Kühlkörper sowie Verfahren zur Herstellung derselben
US6075700A (en) 1999-02-02 2000-06-13 Compaq Computer Corporation Method and system for controlling radio frequency radiation in microelectronic packages using heat dissipation structures
JP2000295839A (ja) 1999-04-06 2000-10-20 Mitsubishi Electric Corp 電源装置
JP3830726B2 (ja) * 2000-04-26 2006-10-11 松下電器産業株式会社 熱伝導基板とその製造方法およびパワーモジュール
JP4218193B2 (ja) * 2000-08-24 2009-02-04 三菱電機株式会社 パワーモジュール
KR20020051468A (ko) 2000-12-22 2002-06-29 밍 루 전력 소자 모듈의 방열 구조
US6936917B2 (en) * 2001-09-26 2005-08-30 Molex Incorporated Power delivery connector for integrated circuits utilizing integrated capacitors

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014041936A1 (ja) * 2012-09-13 2014-03-20 富士電機株式会社 半導体装置、半導体装置に対する放熱部材の取り付け方法及び半導体装置の製造方法
JP5871076B2 (ja) * 2012-09-13 2016-03-01 富士電機株式会社 半導体装置、半導体装置に対する放熱部材の取り付け方法及び半導体装置の製造方法
US9711430B2 (en) 2012-09-13 2017-07-18 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device, method for installing heat dissipation member to semiconductor device, and a method for producing semiconductor device
JP2015088556A (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 富士電機株式会社 電子モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20040095730A1 (en) 2004-05-20
KR20040042333A (ko) 2004-05-20
US7035106B2 (en) 2006-04-25
KR100488518B1 (ko) 2005-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100488518B1 (ko) 반도체 장치의 방열 시스템
JP5351107B2 (ja) コンデンサの冷却構造およびインバータ装置
EP3107120B1 (en) Power semiconductor module
JP7204770B2 (ja) 両面冷却型パワーモジュールおよびその製造方法
JP6160780B2 (ja) ３レベル電力変換装置
JP3103354B2 (ja) パワーモジュール
JP5407198B2 (ja) 電力変換装置のパワーモジュール
JP2007209184A (ja) 電力変換装置
WO2016002385A1 (ja) ハーフブリッジパワー半導体モジュール及びその製造方法
WO2016027557A1 (ja) 電力変換装置
JP2009105389A (ja) パワーモジュール
JP2015135895A (ja) 半導体モジュール
JP2008042124A (ja) 半導体パワーモジュール
JP3941266B2 (ja) 半導体パワーモジュール
JP2004186504A (ja) 半導体装置
JPH1118429A (ja) 制御モジュール
JP3529675B2 (ja) 半導体装置及びインバータ装置
JP2015133281A (ja) 端子台、及びこの端子台を備えた電力変換装置
JP2002238260A (ja) 半導体装置
JP2004063681A (ja) 半導体装置
JP3741002B2 (ja) 半導体装置の実装構造
JP3449217B2 (ja) 半導体モジュール
KR100755449B1 (ko) 스위칭소자와 방열판이 일대일로 접촉된 용접기용 인버터
JP2004048084A (ja) 半導体パワーモジュール
JP5851666B1 (ja) 電力変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060801

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061114

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070227