JP2000114812A - 誘電体フィルタ - Google Patents

誘電体フィルタ

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JP2000114812A
JP2000114812A JP10277749A JP27774998A JP2000114812A JP 2000114812 A JP2000114812 A JP 2000114812A JP 10277749 A JP10277749 A JP 10277749A JP 27774998 A JP27774998 A JP 27774998A JP 2000114812 A JP2000114812 A JP 2000114812A
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JP
Japan
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dielectric
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dielectric filter
ground conductor
filter
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JP10277749A
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English (en)
Inventor
Kazuhisa Sano
和久 佐野
Akiji Miyashita
明司 宮下
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Toko Inc
Original Assignee
Toko Inc
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 3GHz以上の高い周波数帯域で使用でき、小型
で信頼性の高い誘電体フィルタを得る。 【解決手段】 複数の誘電体を接合した構造とし、両端
の誘電体の一表面に周囲をアース電極15で囲まれた島
状の入出力電極13を形成する。誘電体の接合面には結
合用の窓として誘電体の露出部20があり、その他の表
面全体にアース電極15を形成する。これらの誘電体を
貼り合わせて誘電体フィルタを構成する。中間に、両面
に誘電体の露出部を具えた誘電体を挟んで3段以上の構
成としてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、3GHz以上の高周波帯域での利用
に適した小型の誘電体フィルタの構造に係るもので、複
数の誘電体共振器の接合構造とそれによる共振器間の結
合調整に関するものである。
【発明の属する技術分野】
【0002】
【従来の技術】移動体通信機器の普及にともなって、現
在使用されている周波数帯域よりも高い周波数の利用が
検討されている。これまでの移動体通信では2GHz帯程度
までの周波数が利用されており、移動局に用いられるフ
ィルタとしては誘電体同軸共振器を組み合わせたものや
複数の誘電体共振器をブロック化したものが主に使われ
てきた。
【0003】しかし、この誘電体同軸共振器を5GHz以上
といった高い周波数で用いる場合には、周波数によって
規定される寸法が小さくなって入出力結合を得ることが
難しくなり、また高いQを得るためには外径を大きくす
る必要がある。例えば、5GHzの周波数で要求されるQを
確保するためには、外径を10数ミリとする必要がある。
これは、電子部品の小型化の要求に逆行するもので、実
用化できない。あるいは、TEモードの共振器を用いる
が、構造面で大型化してしまうとともに、入出力結合構
造も複雑になってしまう。
【0004】
【発明の解決しようとする課題】本発明は、3GHzから20
GHzといった高周波帯域で十分なフィルタ特性が得ら
れ、Qが高くかつ小型化、薄型化の要求に合った誘電体
フィルタを提供するものである。そして、機械的な強度
も十分に得られ、結合の調整も容易な誘電体フィルタを
提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、これまでの構
造とは全く異なる構造を採用するとともに、誘電体基板
の接合部の電極構造によって、上記の課題を解決するも
のである。
【0006】すなわち、二枚の直方体の誘電体基板が接
合されてなる誘電体フィルタにおいて、それぞれの誘電
体基板の一表面に島状の導体膜による入出力電極を具
え、その入出力電極と分離絶縁されてその表面の残りの
ほぼ全面と、入出力電極が形成された表面に対向する表
面の一部を除く他の表面に形成された導体膜によるアー
ス導体を具え、二枚の誘電体基板は入出力電極が形成さ
れた表面に対向する表面の誘電体の露出部が対向するよ
うに接合されたことに特徴を有するものである。
【0007】また、複数の直方体の誘電体基板が接合さ
れてなる誘電体フィルタにおいて、両端の誘電体基板の
一表面に島状の導体膜による入出力電極を具え、入出力
電極と分離絶縁されてその表面の残りのほぼ全面と、入
出力電極が形成された表面に対向する表面の一部を除く
他の表面に形成された導体膜によるアース導体を具え、
中間の誘電体基板は両面に誘電体の露出部を具えて他の
表面はアース導体で覆われ、両端の誘電体基板の入出力
電極が形成された表面に対向する表面の誘電体の露出部
が中間の誘電体の露出部と対向するように接合されたこ
とに特徴を有するものである。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明による誘電体フィルタの共
振モードはまだ完全に解明されてはいないが、導波管に
近い作用を果たしているものと考えられる。その入出力
結合構造として、誘電体基板の一表面の島状の電極を利
用し、誘電体の一部が露出した接合面で共振器が結合し
てフィルタ特性が得られているものと考えられる。
【0009】本発明による誘電体フィルタは二つ以上の
直方体のセラミック誘電体基板で構成され、少なくとも
両端の誘電体基板には次のものが形成されている。 入出力電極 アース電極 接合面の誘電体露出部 そして、の周囲のアース導体によって誘電体同士が接
合される。
【0010】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
【0011】図1は、本発明の一実施例を示す分解斜視
図である。直方体の誘電体基板11、12の一表面の中央部
に正方形又は長方形の島状の導体膜13を形成して入出力
電極として用いる。なお、誘電体基板12の入出力電極は
図1では裏面になるので示されていない。島状の導体膜
による入出力電極13の周囲には導体膜15が形成されてア
ース導体となる。入出力電極13とアース導体15とは分
離、絶縁されている。図示しないが、他方の誘電体基板
12においても同様とする。
【0012】誘電体基板11、12の接合面を除くその他の
表面にも全面に導体膜15’、16’が形成され、入出電極
を囲むアース導体と接続される。接合面の中央には誘電
体露出部20とその周囲のアース導体18が形成され、誘電
体露出部同士が対向するようにして周囲のアース導体を
利用して二つの誘電体基板を接合する。
【0013】10.0×10.0×2.5mmの誘電体(比誘電率3
7)の10.0×10.0mmの表面の中央に3.0×3.0mmの入出力
電極を形成し、0.5mmの間隔を置いて周囲にアース導体
を形成した。接合面の中央部に3.2×3.2mmの誘電体の露
出部を形成し、その他の部分にはアース導体を形成し、
接合面のアース導体で誘電体基板同士を接合して誘電体
フィルタを得た。
【0014】図2は上記の誘電体フィルタの特性を示す
もので、中心周波数は3.82GHz、3dB帯域幅が169MHz、挿
入損失が0.38dBのフィルタ特性を示していた。通過帯域
の下側よりも上側で急峻な減衰特性を示していた。
【0015】図3は、本発明の他の実施例を示す分解斜
視図である。直方体の誘電体基板31、32の一表面の中央
部に正方形又は長方形の島状の導体膜33を形成して入出
力電極として用いる。なお、誘電体基板32の入出力電極
は図3では裏面になるので示されていない。島状の導体
膜による入出力電極33の周囲には導体膜35が形成されて
アース導体となる。入出力電極33とアース導体35とは分
離、絶縁されている。図示しないが、他方の誘電体基板
32においても同様とする。
【0016】誘電体基板31、32の接合面を除くその他の
表面にも全面に導体膜35’、36’が形成され、入出力電
極を囲むアース導体と接続される。接合面には四つの誘
電体露出部40とその周囲のアース導体39が形成され、誘
電体露出部同士が対向するようにして周囲のアース導体
を利用して二つの誘電体基板を接合する。
【0017】10.0×10.0×2.5mmの誘電体(比誘電率3
7)の10.0×10.0mmの表面の中央に3.0×3.0mmの入出力
電極を形成し、0.5mmの間隔を置いて周囲にアース導体
を形成した。接合面に3.0mmの間隔を置いて2.5×2.5mm
の誘電体の露出部を四箇所に形成し、その他の部分には
アース導体を形成し、接合面のアース導体で誘電体基板
同士を接合して誘電体フィルタを得た。
【0018】図4は上記の誘電体フィルタの特性を示す
もので、中心周波数は3.69GHz、3dB帯域幅が194MHz、挿
入損失が0.37dBのフィルタ特性を示していた。通過帯域
の下側と上側でほぼ対称な減衰特性を示していた。
【0019】図5は本発明の他の実施例を示す斜視図で
あり、図1に示した構造に1枚誘電体基板を付加して3
枚で構成したものである。中央の誘電体基板には、対向
する表面の中央部に誘電体の露出部を具えている。両端
の誘電体基板は10.0×10.0×2.5mmの誘電体(比誘電率3
7)の10.0×10.0mmの表面の中央に4.0×4.0mmの入出力
電極を形成し、0.5mmの間隔を置いて周囲にアース導体
を形成した。中央に挟む誘電体基板は9.1×9.1×2.5mm
とし、それぞれの誘電体基板の接合面の中央部に3.0×
3.0mmの誘電体の露出部を形成し、その他の部分にはア
ース導体を形成し、接合面のアース導体で誘電体基板同
士を接合して誘電体フィルタを得た。
【0020】図6は上記の誘電体フィルタの特性を示す
もので、中心周波数は4.01GHz、3dB帯域幅が176MHz、挿
入損失が0.55dBのフィルタ特性を示していた。通過帯域
の下側よりも上側で急峻な減衰特性を示していた。
【0021】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体の基板を重ねて
接合するのみで誘電体フィルタが得られ、極めて小型で
高い周波数帯域で使用できる誘電体フィルタが得られ
る。
【0022】また、誘電体共振器同士が接着面の導体膜
を利用して接合できるので、接着強度が増すとともに、
外部の電磁界の影響を受けにくくなる。
【0023】さらに、接合面のパターンによって結合状
態を変えることによって、通過帯域特性を調整すること
もできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例を示す分解斜視図
【図2】 本発明による誘電体フィルタの特性の説明図
【図3】 本発明の他の実施例を示す分解斜視図
【図4】 本発明による誘電体フィルタの特性の説明図
【図5】 本発明の他の実施例を示す分解斜視図
【図6】 本発明による誘電体フィルタの特性の説明図
【符号の説明】
13、33:入出力電極 15、35、15’、16’、35’、36’:アース導体 18、39:アース導体 20、40:誘電体露出部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 二枚の直方体の誘電体基板が接合されて
    なる誘電体フィルタにおいて、それぞれの誘電体基板の
    一表面に島状の導体膜による入出力電極を具え、その入
    出力電極と分離絶縁されてその表面の残りのほぼ全面
    と、入出力電極が形成された表面に対向する表面の一部
    を除く他の表面に形成された導体膜によるアース導体を
    具え、二枚の誘電体基板は入出力電極が形成された表面
    に対向する表面の誘電体の露出部が対向するように接合
    されたことを特徴とする誘電体フィルタ。
  2. 【請求項2】 誘電体基板の露出部をそれぞれ複数具え
    ている請求項1記載の誘電体フィルタ。
  3. 【請求項3】 複数の直方体の誘電体基板が接合されて
    なる誘電体フィルタにおいて、両端の誘電体基板の一表
    面に島状の導体膜による入出力電極を具え、入力電極と
    分離絶縁されてその表面の残りのほぼ全面と、入出力電
    極が形成された表面に対向する表面の一部を除く他の表
    面に形成された導体膜によるアース導体を具え、中間の
    誘電体基板は両面に誘電体の露出部を具えて他の表面は
    アース導体で覆われ、両端の誘電体基板は入出力電極が
    形成された表面に対向する表面の誘電体の露出部が中間
    の誘電体基板の露出部と対向するように接合されたこと
    を特徴とする誘電体フィルタ。
  4. 【請求項4】 中間の誘電体基板の両端の誘電体基板と
    対向する面積を小さくした請求項3記載の誘電体フィル
    タ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828880B2 (en) 2001-09-10 2004-12-07 Tdk Corporation Bandpass filter
US6850131B2 (en) 2001-08-03 2005-02-01 Tdk Corporation Bandpass filter

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US6850131B2 (en) 2001-08-03 2005-02-01 Tdk Corporation Bandpass filter
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