JP2000114559A - 太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
太陽電池素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2000114559A JP2000114559A JP10276896A JP27689698A JP2000114559A JP 2000114559 A JP2000114559 A JP 2000114559A JP 10276896 A JP10276896 A JP 10276896A JP 27689698 A JP27689698 A JP 27689698A JP 2000114559 A JP2000114559 A JP 2000114559A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode material
- solar battery
- substrate
- silicon substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極材料を反射防止膜上から焼き付けて形成
する際に、半導体接合部が破壊されて出力特性が低下す
るという問題があった。 【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板の一主面側
に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止
膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防
止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製
造方法であって、前記反射防止膜上のほぼ全面にシリサ
イド化しうる金属材料を被着した後に前記電極材料を所
定パターンに被着し、この電極材料をマスクとして前記
金属材料を所定パターンにエッチングした後に、前記電
極材料を焼き付けるようにした。
する際に、半導体接合部が破壊されて出力特性が低下す
るという問題があった。 【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板の一主面側
に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止
膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防
止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製
造方法であって、前記反射防止膜上のほぼ全面にシリサ
イド化しうる金属材料を被着した後に前記電極材料を所
定パターンに被着し、この電極材料をマスクとして前記
金属材料を所定パターンにエッチングした後に、前記電
極材料を焼き付けるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池素子の製造
方法に開し、特に半導体基板の一主面側に形成した反射
防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の
製造方法に関する。
方法に開し、特に半導体基板の一主面側に形成した反射
防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】シリ
コン基板を用いて太陽電池素子を形成する場合、まず基
板の切断面を清浄化するために表面を１５μｍ程度エッ
チングする。このエッチングは、例えば濃度が１５％程
度で８０℃程度の水酸化ナトリウム水溶液を用いて行
う。また、基板表面での反射率をより低減するために、
薄い濃度のアルカリ水溶液でエッチングする。例えば濃
度が５％程度で７５℃程度の水酸化ナトリウム水溶液を
用いてエッチングを行うと、表面に微細な凹凸が形成さ
れ、基板表面での反射率をある程度低減できる。
コン基板を用いて太陽電池素子を形成する場合、まず基
板の切断面を清浄化するために表面を１５μｍ程度エッ
チングする。このエッチングは、例えば濃度が１５％程
度で８０℃程度の水酸化ナトリウム水溶液を用いて行
う。また、基板表面での反射率をより低減するために、
薄い濃度のアルカリ水溶液でエッチングする。例えば濃
度が５％程度で７５℃程度の水酸化ナトリウム水溶液を
用いてエッチングを行うと、表面に微細な凹凸が形成さ
れ、基板表面での反射率をある程度低減できる。
【０００３】（１００）面の単結晶シリコン基板を用い
た場合、このような方法で基板表面にテクスチャー構造
と呼ばれる微細な凹凸を均一に形成することができるも
のの、多結晶シリコン基板で太陽電池素子を形成する場
合、アルカリ水溶液によるエッチングは結晶の面方位に
依存することから、テクスチャー構造を均一には形成で
きず、そのため全体の反射率も効果的には低減できない
という問題があった。基板表面での反射率を低減できな
ければ、太陽電池素子の特性も効果的には向上させるこ
とができない。
た場合、このような方法で基板表面にテクスチャー構造
と呼ばれる微細な凹凸を均一に形成することができるも
のの、多結晶シリコン基板で太陽電池素子を形成する場
合、アルカリ水溶液によるエッチングは結晶の面方位に
依存することから、テクスチャー構造を均一には形成で
きず、そのため全体の反射率も効果的には低減できない
という問題があった。基板表面での反射率を低減できな
ければ、太陽電池素子の特性も効果的には向上させるこ
とができない。
【０００４】このような問題を解決するために、多結晶
シリコン基板で太陽電池素子を形成する場合、反応性イ
オンエッチング（Reactive Ion Etching=RIE）法で基板
表面に微細な突起を形成することが提案されている（例
えば特公昭６０−２７１９５号、特開平５−７５１５２
号、特開平９−１０２６２５号公報参照）。この方法に
よると、多結晶シリコンにおける結晶の不規則な面方位
に左右されることなく、微細な突起を均一に形成するこ
とができ、特に多結晶シリコンを用いた太陽電池素子に
おいては、より効果的に表面反射を低減できるようにな
る。
シリコン基板で太陽電池素子を形成する場合、反応性イ
オンエッチング（Reactive Ion Etching=RIE）法で基板
表面に微細な突起を形成することが提案されている（例
えば特公昭６０−２７１９５号、特開平５−７５１５２
号、特開平９−１０２６２５号公報参照）。この方法に
よると、多結晶シリコンにおける結晶の不規則な面方位
に左右されることなく、微細な突起を均一に形成するこ
とができ、特に多結晶シリコンを用いた太陽電池素子に
おいては、より効果的に表面反射を低減できるようにな
る。
【０００５】表面が平坦な太陽電池では、シリコン基板
上に反射防止膜として８５０Å程度の厚みを有する窒化
シリコン膜を形成し、この窒化シリコン膜における電極
形成部を弗酸（ＨＦ）などで除去して、この部分に銀ペ
ーストをプリントして焼成することにより、電極を形成
していた。
上に反射防止膜として８５０Å程度の厚みを有する窒化
シリコン膜を形成し、この窒化シリコン膜における電極
形成部を弗酸（ＨＦ）などで除去して、この部分に銀ペ
ーストをプリントして焼成することにより、電極を形成
していた。
【０００６】ところが、窒化シリコン膜のパターン抜き
を行って電極を形成する場合、工程が多いために作業が
煩雑となり、例えば窒化シリコン膜のパターン抜き部分
に銀ぺーストをプリントする際には、位置含わせが必要
となり、この位置ずれなどは歩留りを低下させる要因に
なる。また、パターン抜き工程でも、プリンターや処理
ラインなどの高価な設備を必要とする。
を行って電極を形成する場合、工程が多いために作業が
煩雑となり、例えば窒化シリコン膜のパターン抜き部分
に銀ぺーストをプリントする際には、位置含わせが必要
となり、この位置ずれなどは歩留りを低下させる要因に
なる。また、パターン抜き工程でも、プリンターや処理
ラインなどの高価な設備を必要とする。
【０００７】一方、反射防止膜をＳｉＯ2 やＴｉＯ2 な
どの酸化膜で形成すると共に、この酸化膜のパターン抜
きを行わずに銀ペーストを酸化膜上に直接プリントして
焼き付ける方法もある（例えば特開平８−１４８４４６
号）。ところが、酸化膜上に電極を直接形成する場合、
電極の強度が弱く、モジュール化に対応できないという
問題があった。また、酸化膜上に電極材料を直接焼き付
ける場合、反射防止膜を突き抜けてオーミックコンタク
トを得る必要があるが、反射防止膜を突き抜けてオーミ
ックコンタクトを得るには、一般に短時間の高温処理が
必要とされる。そのため焼成中にＡｇぺースト中の成分
（例えばガラスフリット）が拡散し、シリコン基板内の
表面側に形成された半導体接合を破壊する、換言すれば
ガラスフリットが他の導電型を呈する領域を突き抜けて
拡散するという問題があった。このことはこの方法が浅
い拡散層を有する太陽電池には適用できないことを意味
するものである。
どの酸化膜で形成すると共に、この酸化膜のパターン抜
きを行わずに銀ペーストを酸化膜上に直接プリントして
焼き付ける方法もある（例えば特開平８−１４８４４６
号）。ところが、酸化膜上に電極を直接形成する場合、
電極の強度が弱く、モジュール化に対応できないという
問題があった。また、酸化膜上に電極材料を直接焼き付
ける場合、反射防止膜を突き抜けてオーミックコンタク
トを得る必要があるが、反射防止膜を突き抜けてオーミ
ックコンタクトを得るには、一般に短時間の高温処理が
必要とされる。そのため焼成中にＡｇぺースト中の成分
（例えばガラスフリット）が拡散し、シリコン基板内の
表面側に形成された半導体接合を破壊する、換言すれば
ガラスフリットが他の導電型を呈する領域を突き抜けて
拡散するという問題があった。このことはこの方法が浅
い拡散層を有する太陽電池には適用できないことを意味
するものである。
【０００８】また、受光面側の電極をＴｉを含むＡｇペ
ーストで形成してオーミック特性を改善することも提案
されている（特開昭５９−１１６８７号公報参照）。と
ころが、この銀ペースト中にガラスフリットなどが存在
すると、半導体接合部の破壊が依然として発生するとい
う問題があった。
ーストで形成してオーミック特性を改善することも提案
されている（特開昭５９−１１６８７号公報参照）。と
ころが、この銀ペースト中にガラスフリットなどが存在
すると、半導体接合部の破壊が依然として発生するとい
う問題があった。
【０００９】そこで、Ｔｉなどのシリサイド化しうる金
属材料を反射防止膜上にあらかじめ被着して、この金属
材料上に銀ペーストなどを塗布して焼き付けることが考
えられるが、シリサイド化しうる金属材料と銀ペースト
のパターン幅が微細で位置合わせが困難であり、銀ペー
ストがシリサイド化しうる金属材料からはみ出した場合
は、電気特性の低下を招くという問題があった。
属材料を反射防止膜上にあらかじめ被着して、この金属
材料上に銀ペーストなどを塗布して焼き付けることが考
えられるが、シリサイド化しうる金属材料と銀ペースト
のパターン幅が微細で位置合わせが困難であり、銀ペー
ストがシリサイド化しうる金属材料からはみ出した場合
は、電気特性の低下を招くという問題があった。
【００１０】本発明は、このような従来方法の問題点に
鑑みてなされたものであり、電極材料を反射防止膜上か
ら焼き付けて形成する際に、半導体接合部が破壊されて
出力特性が低下するという従来方法の問題点を解消した
太陽電池素子の製造方法を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであり、電極材料を反射防止膜上か
ら焼き付けて形成する際に、半導体接合部が破壊されて
出力特性が低下するという従来方法の問題点を解消した
太陽電池素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る太陽電池素子の製造方法によれば、一
導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈
する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この
半導体基板の他の主面側と前記反射防止膜に電極材料を
焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法において、
前記反射防止膜上のほぼ全面にシリサイド化しうる金属
材料を被着した後に前記電極材料を所定パターンに被着
し、この電極材料をマスクとして前記金属材料を所定パ
ターンにエッチングした後に、前記電極材料を焼き付け
るようにした。
に、本発明に係る太陽電池素子の製造方法によれば、一
導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈
する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この
半導体基板の他の主面側と前記反射防止膜に電極材料を
焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法において、
前記反射防止膜上のほぼ全面にシリサイド化しうる金属
材料を被着した後に前記電極材料を所定パターンに被着
し、この電極材料をマスクとして前記金属材料を所定パ
ターンにエッチングした後に、前記電極材料を焼き付け
るようにした。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の製造方
法を示す断面図である。まず、半導体基板１を用意する
（図１（ａ）参照）。この半導体基板１は、単結晶又は
多結晶シリコンなどから成る。このシリコン基板１は、
ボロン（Ｂ）などの一導電型半導体不純物を１×１０16
〜18ａｔｏｍ／ｃｍ3 程度含有し、比抵抗１．５Ωｃｍ
程度の基板である。単結晶シリコンの場合は引き上げ法
などによって形成され、多結晶シリコンの場合は鋳造法
などによって形成される。多結晶シリコンは、大量生産
が可能で製造コスト面で単結晶シリコンよりも有利であ
る。引き上げ法や鋳造法によって形成されたインゴット
を３００〜５００μｍ程度の厚みにスライスして、１０
ｃｍ×１０ｃｍもしくは１５ｃｍ×１５ｃｍ程度の大き
さに切断してシリコン基板とする。
詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の製造方
法を示す断面図である。まず、半導体基板１を用意する
（図１（ａ）参照）。この半導体基板１は、単結晶又は
多結晶シリコンなどから成る。このシリコン基板１は、
ボロン（Ｂ）などの一導電型半導体不純物を１×１０16
〜18ａｔｏｍ／ｃｍ3 程度含有し、比抵抗１．５Ωｃｍ
程度の基板である。単結晶シリコンの場合は引き上げ法
などによって形成され、多結晶シリコンの場合は鋳造法
などによって形成される。多結晶シリコンは、大量生産
が可能で製造コスト面で単結晶シリコンよりも有利であ
る。引き上げ法や鋳造法によって形成されたインゴット
を３００〜５００μｍ程度の厚みにスライスして、１０
ｃｍ×１０ｃｍもしくは１５ｃｍ×１５ｃｍ程度の大き
さに切断してシリコン基板とする。
【００１３】次に、シリコン基板１の表面側に、微細な
突起１ｃを多数形成する（図１（ｂ）参照）。この微細
な突起１ｃは、シリコン基板１の表面側に照射される光
を多重反射させて、表面反射を減少させるために設け
る。この微細な突起１ｃは、円錐形もしくは角錐形を呈
し、ＲＩＥ法によるガス濃度若しくはエッチング時間を
制御することにより、その大きさを変化させることがで
きる。この微細な突起１ｃの幅と高さはそれぞれ２μｍ
以下に形成される。この突起１ｃの幅と高さが２μｍ以
上になると、エッチングの処理時間が長くなる反面、基
板１表面での反射率はさほど低減されない。この微細な
突起１ｃをシリコン基板１の表面側の全面にわたって均
一且つ正確に制御性を持たせて形成するには、その幅と
高さは１μｍ以下が好適である。また、この微細な突起
１ｃは極めて微小なものでも反射率低減の効果はある
が、面内に均一かつ正確に形成するためには、製造工程
上１ｎｍ以上であることが望まれる。
突起１ｃを多数形成する（図１（ｂ）参照）。この微細
な突起１ｃは、シリコン基板１の表面側に照射される光
を多重反射させて、表面反射を減少させるために設け
る。この微細な突起１ｃは、円錐形もしくは角錐形を呈
し、ＲＩＥ法によるガス濃度若しくはエッチング時間を
制御することにより、その大きさを変化させることがで
きる。この微細な突起１ｃの幅と高さはそれぞれ２μｍ
以下に形成される。この突起１ｃの幅と高さが２μｍ以
上になると、エッチングの処理時間が長くなる反面、基
板１表面での反射率はさほど低減されない。この微細な
突起１ｃをシリコン基板１の表面側の全面にわたって均
一且つ正確に制御性を持たせて形成するには、その幅と
高さは１μｍ以下が好適である。また、この微細な突起
１ｃは極めて微小なものでも反射率低減の効果はある
が、面内に均一かつ正確に形成するためには、製造工程
上１ｎｍ以上であることが望まれる。
【００１４】次に、シリコン基板１を拡散炉中に配置し
て、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）などの中で加熱する
ことによって、ウェハー１の表面部分にリン原子を拡散
させて他の導電型を呈する領域１ａを形成し、半導体接
合部３を形成する（図１（ｃ）参照）。この他の導電型
を呈する領域１ａは、０．３〜０．５μｍ程度の深さに
形成され、シート抵抗が６０Ω／□以上になるように形
成される。この熱拡散により、シリコン基板１の外表面
全体に他の導電型を呈する領域とリン原子を含むリンガ
ラス層（不図示）が形成されるが、シリコン基板１の一
主面側の他の導電型を呈する領域のみを残して他の部分
は、弗酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3 ）を主成分とするエ
ッチング液に浸漬して除去した後、純水で洗浄する（図
１（ｃ））。
て、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）などの中で加熱する
ことによって、ウェハー１の表面部分にリン原子を拡散
させて他の導電型を呈する領域１ａを形成し、半導体接
合部３を形成する（図１（ｃ）参照）。この他の導電型
を呈する領域１ａは、０．３〜０．５μｍ程度の深さに
形成され、シート抵抗が６０Ω／□以上になるように形
成される。この熱拡散により、シリコン基板１の外表面
全体に他の導電型を呈する領域とリン原子を含むリンガ
ラス層（不図示）が形成されるが、シリコン基板１の一
主面側の他の導電型を呈する領域のみを残して他の部分
は、弗酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3 ）を主成分とするエ
ッチング液に浸漬して除去した後、純水で洗浄する（図
１（ｃ））。
【００１５】次に、シリコン基板１の一主面側に反射防
止膜２を形成する（図１（ｄ））。この反射防止膜２は
例えば窒化シリコン膜などから成り、シランとアンモニ
アとの混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法などで形成さ
れる。この反射防止膜２は、シリコン基板１の表面で光
が反射するのを防止して、シリコン基板１内に光を有効
に取り込むために設ける。また、シリコン基板の表面部
の界面準位を低下させると共に、シリコン基板１の内部
の結晶欠陥を緩和するために設ける。この反射防止膜２
は、シリコン基板１との屈折率差などを考慮して、屈折
率が１．８〜２．３程度になるように形成され、厚み８
５０Å程度に形成される。
止膜２を形成する（図１（ｄ））。この反射防止膜２は
例えば窒化シリコン膜などから成り、シランとアンモニ
アとの混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法などで形成さ
れる。この反射防止膜２は、シリコン基板１の表面で光
が反射するのを防止して、シリコン基板１内に光を有効
に取り込むために設ける。また、シリコン基板の表面部
の界面準位を低下させると共に、シリコン基板１の内部
の結晶欠陥を緩和するために設ける。この反射防止膜２
は、シリコン基板１との屈折率差などを考慮して、屈折
率が１．８〜２．３程度になるように形成され、厚み８
５０Å程度に形成される。
【００１６】次に、反射防止膜２上のほぼ全面にシリサ
イド化しうる金属層３を被着形成する。このシリサイド
化しうる金属層３は、チタン、ニッケル、クロム、銅な
どで形成され、スパッタリング法、蒸着法のみならず、
ペースト状のものを塗布したり、印刷することによって
設けられる。薄膜手法でチタンを形成する場合、例えば
２００Å程度の厚みに形成される。このように、シリサ
イド化しうる物質３を電極４の下に挿入することによ
り、浅い拡散層の面においてもリークがなく、さらにオ
ーミック性も良好な電極が得られる。シリサイド化しう
る金属層３は、ガラスフリットがシリコン基板１内への
溶融するのを低減する層として機能する。このシリサイ
ド化しうる金属層３の上に、銀（不図示）をスパッタリ
ング法で２００Å程度の厚みに被着してもよい。
イド化しうる金属層３を被着形成する。このシリサイド
化しうる金属層３は、チタン、ニッケル、クロム、銅な
どで形成され、スパッタリング法、蒸着法のみならず、
ペースト状のものを塗布したり、印刷することによって
設けられる。薄膜手法でチタンを形成する場合、例えば
２００Å程度の厚みに形成される。このように、シリサ
イド化しうる物質３を電極４の下に挿入することによ
り、浅い拡散層の面においてもリークがなく、さらにオ
ーミック性も良好な電極が得られる。シリサイド化しう
る金属層３は、ガラスフリットがシリコン基板１内への
溶融するのを低減する層として機能する。このシリサイ
ド化しうる金属層３の上に、銀（不図示）をスパッタリ
ング法で２００Å程度の厚みに被着してもよい。
【００１７】次に、裏面電極材料４を塗布して乾燥した
後、表面電極材料５を塗布して乾燥する。この電極材料
４、５は、銀粉末と有機ビヒクルにガラスフリットを銀
１００重量部に対して０．１〜５重量部添加してペース
ト状にしたものをスクリーン印刷法で所定パターンに印
刷する。このガラスフリットは、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉＯ2 のうちの少なくとも一種を含む軟化点が５００℃
以下のものなどから成る。このガラスフリットは銀の焼
結を促進する作用をなす。
後、表面電極材料５を塗布して乾燥する。この電極材料
４、５は、銀粉末と有機ビヒクルにガラスフリットを銀
１００重量部に対して０．１〜５重量部添加してペース
ト状にしたものをスクリーン印刷法で所定パターンに印
刷する。このガラスフリットは、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉＯ2 のうちの少なくとも一種を含む軟化点が５００℃
以下のものなどから成る。このガラスフリットは銀の焼
結を促進する作用をなす。
【００１８】次に、シリサイド化しうる金属層３の上に
銀（不図示）を被着した場合は、銀を銀ペースト５をマ
スクにしてＮＨＯ3 でエッチングすることによって銀ペ
スート５と同じ形状にパターニングする。なお、スパッ
タリング法で形成する銀は２００Å程度と薄いため、２
〜１０秒程度の短時間でエッチングでき、銀ペースト５
は表面しかエッチングされない。また、シリサイド化し
うる金属層３の上に銀層３ａを形成しない場合は、この
工程は不要である。
銀（不図示）を被着した場合は、銀を銀ペースト５をマ
スクにしてＮＨＯ3 でエッチングすることによって銀ペ
スート５と同じ形状にパターニングする。なお、スパッ
タリング法で形成する銀は２００Å程度と薄いため、２
〜１０秒程度の短時間でエッチングでき、銀ペースト５
は表面しかエッチングされない。また、シリサイド化し
うる金属層３の上に銀層３ａを形成しない場合は、この
工程は不要である。
【００１９】次に、銀ペースト５をマスクにしてＨＦで
シリサイド化しうる金属層３をエッチングして銀ペース
ト５と同じ形状にパターニングする。
シリサイド化しうる金属層３をエッチングして銀ペース
ト５と同じ形状にパターニングする。
【００２０】最後に、６００〜８００℃で１〜３０分程
度焼成することにより焼き付けられる。雰囲気は、空気
中または窒素中で行う。
度焼成することにより焼き付けられる。雰囲気は、空気
中または窒素中で行う。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池素
子の製造方法によれば、反射防止膜と一主面側の電極材
料との間にシリサイド化しうる金属材料を介在させて電
極材料を焼き付けることから、浅い拡散層を有する太陽
電池にも適用でき、光吸収効率が向上し、電気特性の向
上が図れる。もって表面に微細な凹凸を多数形成したシ
リコン基板を用いる太陽電池にも有効である。また、オ
ーミック性の改善により、ＦＦが向上し、電気特性が向
上すると共に、ファイヤースルーで電極を形成するため
の工程が簡略になる。さらに、シリサイド化しうる金属
材料を所定パターンに印刷された銀ペーストをマスクに
してエッチングしてパターニングすることから、シリサ
イド化しうる金属層を正確かつ確実にパターニングでき
る。
子の製造方法によれば、反射防止膜と一主面側の電極材
料との間にシリサイド化しうる金属材料を介在させて電
極材料を焼き付けることから、浅い拡散層を有する太陽
電池にも適用でき、光吸収効率が向上し、電気特性の向
上が図れる。もって表面に微細な凹凸を多数形成したシ
リコン基板を用いる太陽電池にも有効である。また、オ
ーミック性の改善により、ＦＦが向上し、電気特性が向
上すると共に、ファイヤースルーで電極を形成するため
の工程が簡略になる。さらに、シリサイド化しうる金属
材料を所定パターンに印刷された銀ペーストをマスクに
してエッチングしてパターニングすることから、シリサ
イド化しうる金属層を正確かつ確実にパターニングでき
る。
【図１】本発明に係る太陽電池素子の製造方法を説明す
るための図であり、（ａ）〜（ｇ）は工程毎の断面図で
ある。
るための図であり、（ａ）〜（ｇ）は工程毎の断面図で
ある。
１‥‥‥シリコン基板、１ａ‥‥‥逆導電型半導体不純
物を含有する領域、１ｃ‥‥‥微細な突起、２‥‥‥反
射防止膜、３‥‥‥シリサイド化しうる物質、４‥‥‥
裏面電極材料、５‥‥‥表面電極材料
物を含有する領域、１ｃ‥‥‥微細な突起、２‥‥‥反
射防止膜、３‥‥‥シリサイド化しうる物質、４‥‥‥
裏面電極材料、５‥‥‥表面電極材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白沢 勝彦 滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の６ 京セラ株式会社滋賀工場内 Ｆターム(参考） 5F051 AA02 CB27 DA03 FA06 FA10 FA13 GA04 GA15
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型を呈する半導体基板の一主面側
に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止
膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防
止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製
造方法において、前記反射防止膜上のほぼ全面にシリサ
イド化しうる金属材料を被着した後に前記電極材料を所
定パターンに被着し、この電極材料をマスクとして前記
金属材料を所定パターンにエッチングした後に、前記電
極材料を焼き付けることを特徴とする太陽電池素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27689698A JP3842449B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 太陽電池素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27689698A JP3842449B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 太陽電池素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114559A true JP2000114559A (ja) | 2000-04-21 |
| JP3842449B2 JP3842449B2 (ja) | 2006-11-08 |
Family
ID=17575911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27689698A Expired - Fee Related JP3842449B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 太陽電池素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3842449B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093722A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマｃｖｄ装置、薄膜形成方法および太陽電池の製造方法 |
| JP2009152589A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Palo Alto Research Center Inc | 太陽電池上に多層電極構造を形成する方法、金属配線コンタクト構造、層のパターニング方法、機能構造の形成方法 |
| JP2012500472A (ja) * | 2008-08-13 | 2012-01-05 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光起電力デバイス形成用組成物および形成方法 |
| JP2012513676A (ja) * | 2008-12-22 | 2012-06-14 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光起電力素子を形成するための組成物と方法 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP27689698A patent/JP3842449B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093722A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマｃｖｄ装置、薄膜形成方法および太陽電池の製造方法 |
| JP4496401B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2010-07-07 | 三菱電機株式会社 | プラズマｃｖｄ装置および太陽電池の製造方法 |
| JP2009152589A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Palo Alto Research Center Inc | 太陽電池上に多層電極構造を形成する方法、金属配線コンタクト構造、層のパターニング方法、機能構造の形成方法 |
| JP2012500472A (ja) * | 2008-08-13 | 2012-01-05 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光起電力デバイス形成用組成物および形成方法 |
| JP2012513676A (ja) * | 2008-12-22 | 2012-06-14 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光起電力素子を形成するための組成物と方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3842449B2 (ja) | 2006-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3803133B2 (ja) | 太陽電池の接点パターンの製法 | |
| EP1775759B1 (en) | Composition for an electrode material, its use and method for producing a solar cell | |
| US6071753A (en) | Method of producing a solar cell | |
| KR101216996B1 (ko) | 태양전지의 제조방법, 태양전지 및 반도체 장치의 제조방법 | |
| CN101681952B (zh) | 太阳能电池的制造方法以及所制得的太阳能电池 | |
| EP0374244B1 (en) | An improved method of fabricating contacts for solar cells | |
| JP2000138386A (ja) | 太陽電池の製造方法およびこの方法で製造された太陽電池 | |
| JP2000183379A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| AU609424B2 (en) | Manufacture of solar cells with anti-reflection coating | |
| US20050087226A1 (en) | Electrode arranging method | |
| JP3377931B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
| JP4331827B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2000323735A (ja) | 光起電力装置の製造方法及び光起電力装置 | |
| JP3652128B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2000114559A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2003133567A (ja) | 太陽電池素子の製造方法およびそれに用いる電極材料 | |
| JPH07326784A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2000277778A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2011066044A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2000312016A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP3967911B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2013161818A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP4467164B2 (ja) | 太陽電池の形成方法 | |
| JP2002111016A (ja) | 太陽電池の形成方法 | |
| KR100971747B1 (ko) | 함몰전극형 태양전지 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060801 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060810 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130818 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |