JP2000113792A5 - - Google Patents

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  1. 固定基板の固定電極と、固定基板に弾性支持部を介して支持した可動基板の可動電極との間に発生させる静電引力に基いて可動基板を駆動し、固定基板に形成した少なくとも2つの信号線にそれぞれ設けた固定接点に、前記可動基板に絶縁膜を介して形成した可動接点を接離することにより、前記信号線を電気的に開閉するようにした静電マイクロリレーにおいて、
    前記固定電極を、信号線の両側に等距離で設けると共に、高周波GND電極と共用したことを特徴とする静電マイクロリレー。
  2. 前記固定電極を、前記固定基板の固定接点の間で電気的に接続したことを特徴とする請求項1に記載の静電マイクロリレー。
  3. 前記固定基板をガラスで構成する一方、前記可動基板を単結晶シリコンで構成したことを特徴とする請求項1又は2に記載の静電マイクロリレー。
  4. 前記信号線の幅と、信号線及び固定電極の距離との比を、0.04〜2.00としたことを特徴とする請求項3に記載の静電マイクロリレー。
  5. 前記可動基板に第二の弾性支持部を形成し、該弾性支持部に絶縁膜を介して可動接点を形成したことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の静電マイクロリレー。
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JP4586642B2 (ja) * 2005-06-14 2010-11-24 ソニー株式会社 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器
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