JPH0458429A - 静電リレー - Google Patents
静電リレーInfo
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- JPH0458429A JPH0458429A JP16711390A JP16711390A JPH0458429A JP H0458429 A JPH0458429 A JP H0458429A JP 16711390 A JP16711390 A JP 16711390A JP 16711390 A JP16711390 A JP 16711390A JP H0458429 A JPH0458429 A JP H0458429A
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100028175 Abasic site processing protein HMCES Human genes 0.000 description 1
- 101001006387 Homo sapiens Abasic site processing protein HMCES Proteins 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/12—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage
- H01H1/14—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage by abutting
- H01H1/20—Bridging contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、静電リレーに関する。
従来この種の静電リレーは、第３図に示すように、可動
電極ブロック１０と、固定電極ブロツク１１とより構成
されている。
電極ブロック１０と、固定電極ブロツク１１とより構成
されている。
可動電極ブロック１０は、略口形をしたシリコン薄膜か
らなる枠部１０ａと、この枠部１０ａ内に片持ち支持さ
れたごく薄い平板からなる可動電極板１０ｂと、基部が
可動電極板１０ｂと一体になった接点部１０ｃ、１０ｃ
とより構成されている。前記枠部１０ａの裏面で、後記
固定電極部１６に接触する部分には、電気的に導通する
ように電気接続部が形成されている。
らなる枠部１０ａと、この枠部１０ａ内に片持ち支持さ
れたごく薄い平板からなる可動電極板１０ｂと、基部が
可動電極板１０ｂと一体になった接点部１０ｃ、１０ｃ
とより構成されている。前記枠部１０ａの裏面で、後記
固定電極部１６に接触する部分には、電気的に導通する
ように電気接続部が形成されている。
可動電極板１０ｂは、誘電体よりなる可動電極部１４を
形成するとともに、その表面には絶縁薄膜層となるシリ
コン膜が設けられている。また、この可動電極板１０ｂ
は、その基端部分が中間より幅狭く構成され、かつ該基
端部が可動電極ＦｉｌＯｂの延びる方向と直交する方向
に延びて、枠部１０ａの内側面と一体に取着された支持
ばね部１０ｄによって反転自在に支持されている。
形成するとともに、その表面には絶縁薄膜層となるシリ
コン膜が設けられている。また、この可動電極板１０ｂ
は、その基端部分が中間より幅狭く構成され、かつ該基
端部が可動電極ＦｉｌＯｂの延びる方向と直交する方向
に延びて、枠部１０ａの内側面と一体に取着された支持
ばね部１０ｄによって反転自在に支持されている。
前記接点部１０ｃ、１０ｃは、可動電極板１０ｂの一方
より略口形に切り欠いて、該可動電極板１０ｂの両側方
に沿って設けられている。この接点部１０ｃ、１０ｃの
一面には、電気的に一体に接続された略口形の可動接点
層重２がそれぞれ形成されている。
より略口形に切り欠いて、該可動電極板１０ｂの両側方
に沿って設けられている。この接点部１０ｃ、１０ｃの
一面には、電気的に一体に接続された略口形の可動接点
層重２がそれぞれ形成されている。
画定電極ブロック１１は、略平板状のガラスよりなる母
材１１ａ上に一対の固定電極部１５．１６と一対の固定
接点層１３．１３とを形成している。この固定電極部１
５．１６は、それぞれ導電性の金属層よりなり、中間よ
り母材１１ａの反対辺にそれぞれ延びる引き出し部１５
ａ、１６ａを一体に形成するとともに表面に絶縁層とな
る酸化シリコン膜を設けている。
材１１ａ上に一対の固定電極部１５．１６と一対の固定
接点層１３．１３とを形成している。この固定電極部１
５．１６は、それぞれ導電性の金属層よりなり、中間よ
り母材１１ａの反対辺にそれぞれ延びる引き出し部１５
ａ、１６ａを一体に形成するとともに表面に絶縁層とな
る酸化シリコン膜を設けている。
可動電極ブロック１０を固定電極ブロック１１上に取着
する場合、前記固定電極部１６は、枠部１０ａの電気接
続部に電気的に安定して接続されるとともに固定電極部
】５が可動電極部１４に対向して設けられるようになっ
ている。
する場合、前記固定電極部１６は、枠部１０ａの電気接
続部に電気的に安定して接続されるとともに固定電極部
】５が可動電極部１４に対向して設けられるようになっ
ている。
前記固定電極Ｉ５．１６の引き出し部１５ａ、１６ａに
それぞれ高電圧を印加すると、可動電極板１０ａと固定
電極板１１間に静電引力が働き、可動電極板１０ａが固
定電極板１１に吸着されるとともにそれに伴って、可動
接点層１２が一対の固定接点１３．１３間を導通させる
いわゆるｌａ接点構成の動作が得られる。
それぞれ高電圧を印加すると、可動電極板１０ａと固定
電極板１１間に静電引力が働き、可動電極板１０ａが固
定電極板１１に吸着されるとともにそれに伴って、可動
接点層１２が一対の固定接点１３．１３間を導通させる
いわゆるｌａ接点構成の動作が得られる。
従来例で説明した静電リレーは、コイルレスなのでコイ
ル断線による動作不良の心配がなく安定した開閉動作が
できるという利点を有する。
ル断線による動作不良の心配がなく安定した開閉動作が
できるという利点を有する。
しかしながら、静電引力を得るには通常、ＤＣ１００ｖ
以上の高電圧を印加する必要があり、そのために特別な
電圧発生回路を別に設ける必要があるため、取扱いが煩
雑で使い難いという問題があった。
以上の高電圧を印加する必要があり、そのために特別な
電圧発生回路を別に設ける必要があるため、取扱いが煩
雑で使い難いという問題があった。
本発明は前記問題点に着目し改善を図ったものであって
、その目的とするところは、使用者側で特別な高電圧発
生回路を設ける必要なく、取扱の容易な静電リレーを提
供するにある。
、その目的とするところは、使用者側で特別な高電圧発
生回路を設ける必要なく、取扱の容易な静電リレーを提
供するにある。
請求項（１）の静電リレーは、該リレーと一体に電極間
に高電圧を印加する高電圧発生回路を組み込んで設けて
いる。
に高電圧を印加する高電圧発生回路を組み込んで設けて
いる。
請求項（２）の静電リレーは、可動電極ブロックがシリ
コン基板よりなるとともに該シリコン基板に高電圧発生
回路を形成している。
コン基板よりなるとともに該シリコン基板に高電圧発生
回路を形成している。
請求項（１）の静電リレーは、該リレーと一体に電極間
に高電圧を印加する高電圧発生回路を組み込んで設けて
いるので、特別な高電圧発生回路を別に設ける必要がな
く、取扱いが簡単である。
に高電圧を印加する高電圧発生回路を組み込んで設けて
いるので、特別な高電圧発生回路を別に設ける必要がな
く、取扱いが簡単である。
請求項（２）の静電リレーは、可動電極ブロックがシリ
コン基板よりなるとともに該シリコン基板に高電圧発生
回路を形成しているので、回路構成のために特別なプリ
ント基板が不要であり、部品点数を低減できるとともに
簡素化を図ることができる。
コン基板よりなるとともに該シリコン基板に高電圧発生
回路を形成しているので、回路構成のために特別なプリ
ント基板が不要であり、部品点数を低減できるとともに
簡素化を図ることができる。
以下本発明の一実施例を第１図〜第２図に基づき説明す
る。
る。
なお、従来例で説明した内容と同一構成については、簡
単に説明する。
単に説明する。
第１図に示すように、本発明の静電リレーは、可動電極
ブロック１と、固定電極ブロック２とよりなる。
ブロック１と、固定電極ブロック２とよりなる。
可動電極ブロック１は、枠部１ａと、該枠部１ａ内に片
持ち支持された可動電極板１ｂと、高電圧発生部８とよ
り構成されている。枠部１ａは、略口形をしたシリコン
ウェハ等の誘電体薄板よりなり、中間に可動電極板１ｂ
を一体設けるとともに一端の裏面に高電圧発生部８を設
けている。
持ち支持された可動電極板１ｂと、高電圧発生部８とよ
り構成されている。枠部１ａは、略口形をしたシリコン
ウェハ等の誘電体薄板よりなり、中間に可動電極板１ｂ
を一体設けるとともに一端の裏面に高電圧発生部８を設
けている。
可動電極板１ｂは、第２図（′ｂ）のように、前記枠部
１ａと同じシリコンウェハよりなり、その表面には絶縁
薄膜層１ｇとなる酸化シリコン膜が一体に設けられてい
る。この可動電極板１ｂの基部は、中間部の幅より細く
形成されており、吸着反転時の可撓性を大きくできるよ
うにしているとともに該基部は、可動電極板１ｂの延出
方向と交差する方向に延びる支持ばね部１ｄにより、前
記枠部１ａの内側面に取着されている。また、この可動
電極板１ｂには、一端部に略コ形に切り欠いて設けられ
た接点板ＩＣ１ＩＣが突出して設けられている。
１ａと同じシリコンウェハよりなり、その表面には絶縁
薄膜層１ｇとなる酸化シリコン膜が一体に設けられてい
る。この可動電極板１ｂの基部は、中間部の幅より細く
形成されており、吸着反転時の可撓性を大きくできるよ
うにしているとともに該基部は、可動電極板１ｂの延出
方向と交差する方向に延びる支持ばね部１ｄにより、前
記枠部１ａの内側面に取着されている。また、この可動
電極板１ｂには、一端部に略コ形に切り欠いて設けられ
た接点板ＩＣ１ＩＣが突出して設けられている。
接点板１ｃは、第２図（ａ）に示すように、可動電極板
１ｂと同しくシリコンウェハの表面に酸化シリコン膜等
の絶縁薄膜層１ｇを設け、その上に略コ形をした可動接
点層３を形成している。
１ｂと同しくシリコンウェハの表面に酸化シリコン膜等
の絶縁薄膜層１ｇを設け、その上に略コ形をした可動接
点層３を形成している。
枠部１ａの裏面に設けられた高電圧発生部８はパターン
形成等の方法により、シリコンウェハ上に一体に形成さ
れており、入力の低電圧（一般にＤＣ１２またはＤＣ２
４Ｖ等）を印加する入力端子部８ａ、８ｂと、図外外部
コンデンサを接続するコンデンサ接続端子９．９・・・
と、昇圧する回路部分と、可動電極板１ｂに高電圧を印
加する印加部８ｃとから構成されている。
形成等の方法により、シリコンウェハ上に一体に形成さ
れており、入力の低電圧（一般にＤＣ１２またはＤＣ２
４Ｖ等）を印加する入力端子部８ａ、８ｂと、図外外部
コンデンサを接続するコンデンサ接続端子９．９・・・
と、昇圧する回路部分と、可動電極板１ｂに高電圧を印
加する印加部８ｃとから構成されている。
前記固定電極ブロック２は、略平板状のガラス等の非誘
電体よりなる固定電極板２ａ上に固定電極部５および前
記高電圧発生部８の入力端子８ｂと一体に接続される接
続電極部６を設けるとともに、第２図（Ｃ）に示すよう
な、可動接点層３により開閉される一対の固定接点層４
．４を設けている。前記固定電極部５は、第４図（ｄ）
に示すように、固定電極板２ａ上に一体に形成された金
、銀等の導電性金属層よりなり、その表面には、酸化シ
リコン膜などの絶縁薄膜層２ｂが一体に設けられている
。
電体よりなる固定電極板２ａ上に固定電極部５および前
記高電圧発生部８の入力端子８ｂと一体に接続される接
続電極部６を設けるとともに、第２図（Ｃ）に示すよう
な、可動接点層３により開閉される一対の固定接点層４
．４を設けている。前記固定電極部５は、第４図（ｄ）
に示すように、固定電極板２ａ上に一体に形成された金
、銀等の導電性金属層よりなり、その表面には、酸化シ
リコン膜などの絶縁薄膜層２ｂが一体に設けられている
。
前記固定電極部５および接続電極部６は、固定電極ブロ
ック２上の所定位置に可動電極ブロック１を取着したと
きに、外部より前記入力端子８ｂおよび（−）となる固
定電極部５間へそれぞれ外部入力回路と接続し易いよう
に接続パターン５ａ６ａが設けられている。また、さら
に可動電極ブロンク１のシリコンウェハ上では前記外部
コンデンサを設けることが困難なため、このパターンと
対向する固定電極板２ａ上に引き出しパターンを設けた
コンデンサ接続部７が一体に形成されている。
ック２上の所定位置に可動電極ブロック１を取着したと
きに、外部より前記入力端子８ｂおよび（−）となる固
定電極部５間へそれぞれ外部入力回路と接続し易いよう
に接続パターン５ａ６ａが設けられている。また、さら
に可動電極ブロンク１のシリコンウェハ上では前記外部
コンデンサを設けることが困難なため、このパターンと
対向する固定電極板２ａ上に引き出しパターンを設けた
コンデンサ接続部７が一体に形成されている。
いま、前記固定電極ブロック２の接続パターン５ａ、６
ａに直流低電圧（たとえばＤＣ２４Ｖ）を印加すると、
高電圧発生部８によって、可動電極ブロック１の印加部
８ｃと固定電極ブロック２の固定電極部５間に高電圧が
発生し、可動電極板１ｂの絶縁薄膜層１ｇと固定電極部
５上の絶縁薄膜層２ｂ間にそれぞれ正負の電荷がチャー
ジされ、両者間に静電引力が働く。この静電引力により
可動電極板１ｂが固定電極ブロック２に吸着され、その
動作に伴い、接点板ＩＣ１ＩＣも変位して可動接点層３
により一対の固定接点層４．４間が導通されるものであ
る。
ａに直流低電圧（たとえばＤＣ２４Ｖ）を印加すると、
高電圧発生部８によって、可動電極ブロック１の印加部
８ｃと固定電極ブロック２の固定電極部５間に高電圧が
発生し、可動電極板１ｂの絶縁薄膜層１ｇと固定電極部
５上の絶縁薄膜層２ｂ間にそれぞれ正負の電荷がチャー
ジされ、両者間に静電引力が働く。この静電引力により
可動電極板１ｂが固定電極ブロック２に吸着され、その
動作に伴い、接点板ＩＣ１ＩＣも変位して可動接点層３
により一対の固定接点層４．４間が導通されるものであ
る。
請求項（１）の静電リレーは、該リレーと一体に電極間
に高電圧を印加する高電圧発生回路を組み込んで設けて
いるので、特別な高電圧発生回路を別に設ける必要がな
く、低電圧駆動により簡単に取り扱うことができる。
に高電圧を印加する高電圧発生回路を組み込んで設けて
いるので、特別な高電圧発生回路を別に設ける必要がな
く、低電圧駆動により簡単に取り扱うことができる。
請求項（２）の静電リレーは、可動電極ブロックがシリ
コン基板よりなるとともに該シリコン基板に高電圧発生
回路を形成しているので、回路構成のために特別なプリ
ントｉ板が不要であり、部品点数を低減できるとともに
簡素化を図ることができる。
コン基板よりなるとともに該シリコン基板に高電圧発生
回路を形成しているので、回路構成のために特別なプリ
ントｉ板が不要であり、部品点数を低減できるとともに
簡素化を図ることができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す分解斜視図、第２図
（ａ）は、同上の接点板の断面図、第２図ら）は、同上
の可動電極板の断面図、第２図（Ｃ）は、同上の固定接
点部分の断面図、第２図（ｄ）は、同上の固定電極部の
断面図、第３図は、従来例を示す分解斜視図である。 １・・・可動電極ブロック、１ｂ・・・可動電極板、１
ｇ・・・絶縁薄膜層、 ２・・・固定電極ブロック、２ａ・・・固定電極板、２
ｂ・・・絶縁薄膜層、 ５・・・固定電極部、 ８・・・高電圧発生回路。
（ａ）は、同上の接点板の断面図、第２図ら）は、同上
の可動電極板の断面図、第２図（Ｃ）は、同上の固定接
点部分の断面図、第２図（ｄ）は、同上の固定電極部の
断面図、第３図は、従来例を示す分解斜視図である。 １・・・可動電極ブロック、１ｂ・・・可動電極板、１
ｇ・・・絶縁薄膜層、 ２・・・固定電極ブロック、２ａ・・・固定電極板、２
ｂ・・・絶縁薄膜層、 ５・・・固定電極部、 ８・・・高電圧発生回路。
Claims (2)
- （１）一面に絶縁薄膜層を設けた誘電体よりなる可動電
極板を備えた可動電極ブロックと、 前記可動電極板の一面と対向する面に絶縁薄膜層を設け
た固定電極板を備えた固定電極ブロックとからなる静電
部材であって、 前記両電極ブロック間に印加した高電圧により発生する
静電引力によって、前記可動電極板が駆動される静電リ
レーにおいて、 前記静電リレーと一体に電極間に高電圧を印加する高電
圧発生回路を組み込んだことを特徴とする静電リレー。 - （２）前記可動電極ブロックがシリコン基板よりなると
ともに該シリコン基板に高電圧発生回路を形成してなる
請求項（１）の静電リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16711390A JPH0458429A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 静電リレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16711390A JPH0458429A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 静電リレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0458429A true JPH0458429A (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=15843678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16711390A Pending JPH0458429A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 静電リレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0458429A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034339A (en) * | 1995-06-02 | 2000-03-07 | Ld A/S | Electrostatically controlled microswitch |
| EP1146532A2 (en) * | 2000-04-13 | 2001-10-17 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method and arrangement for controlling micromechanical element |
| WO2004021382A2 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-11 | Teravicta Technologies, Inc. | Micro-electromechanical switch performance enhancement |
-
1990
- 1990-06-26 JP JP16711390A patent/JPH0458429A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034339A (en) * | 1995-06-02 | 2000-03-07 | Ld A/S | Electrostatically controlled microswitch |
| EP1146532A2 (en) * | 2000-04-13 | 2001-10-17 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method and arrangement for controlling micromechanical element |
| US7027282B2 (en) | 2000-04-13 | 2006-04-11 | Nokia Mobile Phones, Ltd. | Method and arrangement for controlling micromechanical element |
| WO2004021382A2 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-11 | Teravicta Technologies, Inc. | Micro-electromechanical switch performance enhancement |
| WO2004021382A3 (en) * | 2002-08-28 | 2004-07-01 | Teravicta Technologies Inc | Micro-electromechanical switch performance enhancement |
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