JP2000112437A - 電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器 - Google Patents

電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のデータ線に同時に画像信号を出力する
ことにより複数画素について同時書き込みを行う電気光
学装置の画質を向上させる。 【解決手段】 複数のサンプリングスイッチ６０を同時
にオンさせるためのサンプリング制御信号を出力するバ
ッファ回路１０２と、バッファ回路１０２から分岐して
複数のサンプリングスイッチ６０に接続され、サンプリ
ング制御信号を複数のサンプリングスイッチ６０に向け
て伝達するサンプリング制御信号線４０とを備え、サン
プリング制御信号線４０は、バッファ回路１０２から分
岐された複数本の分岐配線４１，４２を有し、分岐配線
４１，４２はデータ線６に向けて画像信号を供給する接
続配線３０の間隙に延設され、隣り合った分岐配線４
１，４２間には少なくとも１本の接続配線３０が配され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型の電気光学装置等に用いられる駆動回路の構成に
関する。詳しくは、複数のデータ線に同時に画像信号を
サンプリングして同時書き込みを行う電気光学装置の低
抵抗化技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、電気光学装置の一例としてアク
ティブマトリクス型の液晶装置では、一走査線に複数接
続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:以
下ＴＦＴと称す。）等のスイッチング素子を介して、各
画素の液晶層に画像信号を書き込む動作を、点順次駆動
により実施している。
【０００３】このようなアクティブマトリクス型の液晶
装置では、上述の点順次駆動のために、データ線ごとに
設けられたサンプリングスイッチを点順次駆動の速度で
順次スイッチングさせ、画像信号をサンプリングする必
要がある。このとき、サンプリングスイッチのスイッチ
ング特性が入力画像信号の周波数に対して十分に追従で
きないという問題が生ずる。一般に駆動回路を画素の薄
膜トランジスタと一緒に作り込む駆動回路内蔵の表示装
置の場合は、外付けドライバを用いた表示装置の場合に
比べてサンプリングスイッチの能力が低く、その問題が
より顕著となる。また、多数の画素を有する高精細な表
示装置の場合は、入力画像信号の周波数が高くなること
から、上記問題がより顕著となる。
【０００４】このため、シリアルな入力画像信号を例え
ば６つのパラレル信号に変換し、１画素あたりのデータ
長を長くして、液晶装置に入力される信号周波数を低く
する技術が開示されている。このシリアル−パラレル変
換回路により、例えばサンプリングスイッチとしてＴＦ
Ｔを利用した場合、周波数特性が十分でなくても、１画
素あたりのデータ長を長くして、解像度を高くできる。
【０００５】図２０および図２１に示す液晶装置では、
シフトレジスタ１０１の出力を受けるバッファ回路１０
２には、それぞれ６つのサンプリングスイッチ６０が接
続され、これら６つのサンプリングスイッチ６０を同時
に切替可能に構成されている。そして、６つのサンプリ
ングスイッチ６０を同時にオンさせることにより、６本
のデータ線６にそれぞれ画像信号線３０５からシリアル
−パラレル変換された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を同
時に出力するようにしている。このような構成を採るこ
とにより、サンプリングスイッチ６０によるサンプリン
グの間隔を長くすることができ、ＴＦＴをサンプリング
スイッチ６０として使用することが容易となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶装
置の構造上、バッファ回路１０２をサンプリングスイッ
チ６０に接近して配置することは困難であり、図２０に
示すように、バッファ回路１０２からサンプリングスイ
ッチ６０までのサンプリング制御信号線４０はある程度
長くなるため、サンプリング制御信号線４０のインピー
ダンスは上昇しがちである。このため、サンプリング制
御信号線４０に負荷される容量の増加（例えばサンプリ
ングスイッチ６０を並列接続することによる寄生容量の
増加等）とあいまってその時定数が大きくなる。したが
ってサンプリングスイッチ６０を安定してスイッチング
させることが困難となり、データ線６の電圧の変動要因
となる。データ線６の電圧が変動すると、例えば表示画
像にゴーストが発生するなどして画質を悪化させてしま
う。
【０００７】本発明は、複数のデータ線に同時に画像信
号を出力することにより複数画素について同時書き込み
を行う電気光学装置の画質を向上させることを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置の
駆動回路は、上記課題を解決するため、複数のデータ線
と、複数の走査線と、前記各データ線と前記各走査線に
接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子
に接続された画素電極とを具備する電気光学装置の駆動
回路であって、前記電気光学装置の駆動回路は、画像信
号を供給する複数の画像信号線と、前記複数の画像信号
線に供給される画像信号をサンプリングして夫々のデー
タ線に供給する複数のサンプリングスイッチとを有し、
前記複数のサンプリングスイッチは、ｎ個（ｎは２以上
の自然数）のブロック毎にサンプリング制御信号線を介
して共通にサンプリング制御信号が供給されてなり、且
つ前記複数のサンプリングスイッチの夫々は中継配線を
介して前記複数の画像信号線に接続されてなり、前記各
サンプリング制御信号線は、前記複数の画像信号線と交
差するとともにブロック毎にサンプリングスイッチの配
列方向の両側から前記サンプリングスイッチに接続され
るように引き回されていることを特徴とする。
【０００９】本発明の電気光学装置の駆動回路によれ
ば、サンプリング制御信号線はブロック毎にサンプリン
グスイッチの配列方向の両側からサンプリングスイッチ
に接続されるように引きまわされているため、サンプリ
ング制御信号線の配列方向の一方の側から他方の側への
伝搬においては信号遅延が生ずる場合でも、当該他方の
側から同じ信号が供給されることになるので、サンプリ
ング制御信号線において信号遅延を生じることなくブロ
ック毎に同時にサンプリング制御信号を供給することが
できる。よって、サンプリングスイッチを安定して駆動
することができる。このため、データ線の電圧が安定す
るので、ゴーストの発生等が抑制されて表示画像の画質
を向上させることができる。
【００１０】本発明の電気光学装置の駆動回路は、複数
のデータ線と、複数の走査線と、前記各データ線と前記
各走査線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッ
チング素子に接続された画素電極とを具備する電気光学
装置の駆動回路であって、前記電気光学装置の駆動回路
は、画像信号を供給する複数の画像信号線と、前記複数
の画像信号線に供給される画像信号をサンプリングして
夫々のデータ線に供給する複数のサンプリングスイッチ
とを有し、前記複数のサンプリングスイッチは、ｎ個
（ｎは２以上の自然数）のブロック毎にサンプリング制
御信号線を介して共通にサンプリング制御信号が供給さ
れてなり、且つ前記複数のサンプリングスイッチの夫々
は中継配線を介して前記複数の画像信号線に接続されて
なり、ブロック毎に共通にサンプリング制御信号が供給
されるサンプリング制御信号線は前記画像信号線を交差
する前に分岐された第１配線と、前記第１配線に接続さ
れて前記画像信号線を交差する複数の第２配線と、前記
複数の第２配線に接続されて夫々に延設された第３配線
と、複数の第３配線同士を互いに接続する接続配線と、
前記接続配線からｎ個に分岐してブロック内の複数のサ
ンプリングスイッチに接続するための複数の第４配線と
を有することを特徴とする。
【００１１】この態様によれば、サンプリングスイッチ
同士は第２接続配線を介して互いに接続されるので、サ
ンプリングスイッチ同士を低インピーダンスの配線で接
続することができる。このため、各サンプリングスイッ
チに入力されるサンプリング制御信号の均一性を高める
ことができ、データ線ごとの表示のばらつきが抑制され
て、表示画像の画質を向上させることができる。
【００１２】本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様
では、前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少な
くとも一部は前記複数の画像信号線と同一材料で同時に
形成されてなることを特徴とする。
【００１３】この態様によれば、サンプリングスイッチ
同士をさらに低インピーダンスの配線で接続することが
できる。このため、各サンプリングスイッチに入力され
るサンプリング制御信号の均一性を一層高めることがで
き、データ線ごとの表示のばらつきが抑制されて、表示
画像の画質を向上させることができる。
【００１４】本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様
では、前記複数の画像信号線は第２配線よりも低抵抗な
金属からなるとともに、前記第１配線と第３配線と接続
配線のうちの少なくとも一部は前記複数の画像信号線と
同一材料で同時に形成されてなることを特徴とする。
【００１５】この態様によれば、サンプリング制御信号
線全体としての低インピーダンス化を推し進めることが
できるとともに、各サンプリングスイッチに入力される
サンプリング制御信号の均一性を高めることができる。
このため、表示画像の画質を向上させることができる。
【００１６】本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様
は、ブロック内のサンプリングスイッチに接続されたサ
ンプリング制御信号線の第１及び第２配線は前記中継配
線の間隙に沿って延設されてなることを特徴とする。
【００１７】本発明の電気光学装置の駆動回路は、複数
のデータ線と、複数の走査線と、前記各データ線と前記
各走査線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッ
チング素子に接続された画素電極とを有する電気光学装
置の駆動回路であって、画像信号を供給する複数の画像
信号線と、前記複数の画像信号線に供給される画像信号
をサンプリングして前記各データ線に供給するサンプリ
ングスイッチと、前記画像信号線と前記サンプリングス
イッチとを接続する中継配線と、ｎ個（ｎは２以上の自
然数）のサンプリングスイッチからなるブロック毎に共
通にサンプリング制御信号を供給するサンプリング制御
信号線とを具備し、前記サンプリング制御信号線は、複
数の画像信号線を交差する前の第１配線と、前記複数の
画像信号線を交差する第２配線と、前記複数の画像信号
線を交差した後に前記第２配線に延設された第３配線
と、前記第３配線に接続されて前記ブロック内の中継配
線を交差する接続配線と、前記接続配線からｎ個（ｎは
２以上の自然数）に分岐してブロック内の複数のサンプ
リングスイッチに接続するための第４配線とを有し、前
記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも一
部は前記第２配線よりも低抵抗な材料で形成されてなる
ことを特徴とする。
【００１８】本発明の電気光学装置の駆動回路によれ
ば、画像信号線と交差する配線部分以外である第１配
線、第３配線、接続配線のうちの少なくとも一部を低抵
抗な材料で形成する。したがってサンプリング制御信号
線の抵抗を低くすることができ、、各サンプリングスイ
ッチを均一な条件下に置くことができ、データ線ごとの
表示のばらつきが抑制されて、表示画像の画質を向上さ
せることができる。
【００１９】本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様
は、前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なく
とも一部は前記画像信号線と同一材料であり、同時に形
成されてなることを特徴とする。
【００２０】本発明のかかる手段によれば、第１配線と
第３配線と接続配線のうちの少なくとも一部は画像信号
線と同一材料であり同時に形成されているため、工程を
増やすことなく、サンプリング制御信号線の抵抗を下げ
ることができる。
【００２１】本発明の電気光学装置の駆動回路は、複数
のデータ線と、複数の走査線と、前記各データ線と前記
各走査線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッ
チング素子に接続された画素電極とを有する電気光学装
置の駆動回路であって、画像信号を供給する複数の画像
信号線と、前記複数の画像信号線に供給される画像信号
をサンプリングして前記各データ線に供給するサンプリ
ングスイッチと、前記画像信号線と前記サンプリングス
イッチとを接続する中継配線と、ｎ個（ｎは２以上の自
然数）のブロック毎に複数のサンプリングスイッチに共
通にサンプリング制御信号を供給するサンプリング制御
信号線とを具備し、ブロック毎に共通にサンプリング制
御信号が供給されるサンプリング制御信号線は前記画像
信号線を交差する前の第１配線と、前記第１配線に接続
されて前記画像信号線を交差する複数の第２配線と、前
記複数の第２配線に接続されて夫々に延設された第３配
線と、複数の第３配線からｎ個に分岐してブロック内の
複数のサンプリングスイッチに接続するための第４配線
とを有し、前記第１配線あるいは第３配線中にはサンプ
リング回路に夫々接続されるバッファ回路が設けられて
なり、前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少な
くとも一部は前記第２配線よりも低抵抗な材料で形成さ
れてなる。
【００２２】本発明の電気光学装置の駆動回路によれ
ば、第１配線あるいは第３配線中にバッファ回路が設け
られているので、サンプリング制御信号線を低インピー
ダンス駆動することができ、よってサンプリングスイッ
チを安定して駆動することができる。このため、データ
線の電圧が安定するので、ゴーストの発生等が抑制され
て表示画像の画質を向上させることができる。
【００２３】本発明の電気光学装置の一態様では、前記
第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも一部
は前記複数の画像信号線と同一材料で同時に形成されて
なることを特徴とする。
【００２４】この態様によれば、工程を増やすことな
く、第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも
一部を低抵抗にすることができるので、データ線に供給
される電圧が安定にあり、ゴーストの発生等を抑制する
ことができる。
【００２５】本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様
では、１つの前記サンプリングスイッチに対して１つの
前記バッファ回路を設けることを特徴とする。
【００２６】この態様によれば、１つのサンプリングス
イッチを１つのインピーダンス変換器により駆動するの
で、サンプリングスイッチをきわめて低いインピーダン
スで駆動することができる。よってサンプリングスイッ
チをより安定して駆動することができる。
【００２７】本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様
では、複数の前記サンプリングスイッチに対して１つの
前記バッファ回路を設け、前記バッファ回路の出力経路
を前記複数のサンプリングスイッチに向けてさらに分岐
させた。
【００２８】この態様によれば、複数のサンプリングス
イッチについて１つのバッファ回路を設ければよいの
で、バッファ回路の個数を減らすことができる。
【００２９】本発明の電気光学装置の駆動回路は、前記
サンプリングスイッチは相補型薄膜トランジスタからな
ることを特徴とする。
【００３０】本発明の電気光学装置によれば、サンプリ
ングスイッチをＰチャネル型ＴＦＴおよびＮチャネル型
ＴＦＴからなる相補型薄膜トランジスタで構成すること
により、薄膜トランジスタの寄生容量に起因するデータ
線の電圧シフトを緩和することができる。これにより、
フリッカ等のない高表示品位の液晶装置を実現できる。
【００３１】本発明の電気光学装置は上記課題を解決す
るために、上述した本発明の電気光学装置の駆動回路を
備える。本発明の電気光学装置によれば、上述した本発
明の駆動回路を備えているので、サンプリングスイッチ
の駆動能力低下によるゴースト等の画質表示品位の劣化
を防止し、高品位の画像表示が可能な液晶装置等の電気
光学装置を実現できる。
【００３２】本発明の電子機器は上記課題を解決するた
めに、上述した本発明の電気光学装置を備える。
【００３３】この態様によれば、高品位な画像が可能な
電気光学装置を備えた電子機器を提供することができ
る。
【００３４】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにする。
【００３５】
【発明の実施の形態】−第１実施形態− （液晶装置の構成）以下、図１〜図３を用いて、本発明
による電気光学装置をアクティブマトリクス型の液晶装
置に適用した第１実施形態について説明する。図１は第
１の実施形態の液晶装置用基板の等価回路図であり、図
２はデータ線、走査線、画素電極等が形成された液晶装
置用基板の画素群の平面図である。図３は図２のＣ−
Ｃ’断面図である。
【００３６】図１において、本実施の形態による電気光
学装置の画像表示領域ＤＡを構成する複数の画素は、画
素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチン
グ素子の一例であるＴＦＴ３０とがマトリクス状に複数
形成されている。画像信号が供給されるデータ線６は当
該ＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。
データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、相隣接する複数（本実施の形態では一例として６本
とする）のデータ線６を一単位として、所定の画像信号
線３０５に接続されている。また、ＴＦＴ３０のゲート
電極には走査線３ａが電気的に接続されている。走査線
駆動回路１０４は外部制御回路から供給される電源、基
準クロックＣＬＹ及びその反転信号ＣＬＹＢ、スタート
信号ＤＹに基づいて所定のタイミングで、走査線３ａに
パルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを順次印加す
るように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０の
ドレイン電極に電気的に接続されており、スイッチング
素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉
じることにより、データ線６に供給される画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画
素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に
形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持
される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合
の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調
表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれ
ば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通
過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、
印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可
能とされ、全体として液晶装置からは画像信号に応じた
コントラストを持つ光が出射する。
【００３７】図１に示すように、画像表示領域ＤＡに隣
接した基板上の領域には、サンプリングスイッチ６０が
形成され、データ線６は、それぞれサンプリングスイッ
チ６０の一方の電極に接続されている。
【００３８】データ線駆動回路２０１はシフトレジスタ
１０１とバッファ回路１０２とからなり、外部制御回路
から供給される電源、基準クロックＣＬＸ、及びその反
転信号ＣＬＸＢ、スタート信号ＤＹに基づいて出力され
た信号をバッファ回路１０２を介してサンプリングスイ
ッチ６０にサンプリング制御信号として出力する。
【００３９】画像信号線３０５にはシリアルデータをパ
ラレルに変換したシリアル−パラレル変換信号が画像信
号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６としてそれぞれ供給される。即
ち、画像信号線３０５には、順次６画素分の画像信号が
パラレルに出力される。通常、このようなシリアル−パ
ラレル変換処理は、液晶装置に外付けされたＩＣにおい
て実行される。
【００４０】サンプリングスイッチ６０のもう一方の電
極は、画像信号線３０５から延設された中継配線８０に
順次接続され、これによりデータ線６は、サンプリング
スイッチ６０を介して画像信号線３０５に接続される。
すなわち、第１番目のデータ線６にはサンプリングスイ
ッチ６０を介して画像信号ＶＩＤ１が、第２番目のデー
タ線６にはサンプリングスイッチ６０を介して画像信号
ＶＩＤ２がそれぞれ供給され、同様にして第３〜第６番
目のデータ線６には、それぞれサンプリングスイッチ６
０を介して画像信号線３０５がそれぞれ供給される。以
下同様にして、データ線６はサンプリングスイッチ６０
を介して、６本ずつ繰り返し画像信号線３０５に接続さ
れる。
【００４１】このように、（６Ｎ＋１番目）のデータ線
６には画像信号ＶＩＤ１が、（６Ｎ＋２番目）のデータ
線６には画像信号ＶＩＤ２が、（６Ｎ＋３番目）のデー
タ線６には画像信号ＶＩＤ３が、（６Ｎ＋４番目）のデ
ータ線６には画像信号ＶＩＤ４が、（６Ｎ＋５番目）の
データ線６には第５番目の画像信号ＶＩＤ５が、（６Ｎ
＋６番目）のデータ線６には第６番目の画像信号ＶＩＤ
６が、それぞれサンプリングスイッチ６０を介して供給
される。ただし、「Ｎ」は０以上の整数である（以下、
同様）。尚、上述のように複数画素を同時にサンプリン
グ駆動を行なう場合、一単位として６本に限られるもの
ではない。例えば、パーソナルコンピュータのモニター
に用いられるアクティブマトリクス型の液晶装置では、
ＸＧＡ規格のように高精細化された場合には１２本のデ
ータ線を一単位として同時サンプリング駆動を行なうこ
ともできる。或いは、６本ではなく、１８本、２４本を
一単位として同時サンプリング駆動を行なうことも可能
である。
【００４２】図１に示すように、シフトレジスタ回路１
０１は多段にわたり接続された遅延型フリップフロップ
等のラッチ回路１０１ａ、１０１ｂ，…を備え、ラッチ
回路１０１ａ、１０１ｂ…の各段の出力側には、それぞ
れバッファ回路１０２（１０２ａ，１０２ｂ，…）が接
続されている。
【００４３】また、第１番目のバッファ回路１０２ａの
出力端は第１〜６番目のサンプリングスイッチ６０のゲ
ート電極に、第２番目のバッファ回路１０２ｂの出力端
は第７〜第１２番目のサンプリングスイッチ６０のゲー
ト電極に、それぞれ接続される。以下同様にして、第
（Ｎ＋１）番目のバッファ回路１０２の出力端は第（６
Ｎ＋１）〜（６Ｎ＋６）番目のサンプリングスイッチに
それぞれ接続される。
【００４４】（画素領域の構成）次に上述の等価回路に
より構成された液晶装置用基板の画素の構成について、
図２及び図３を参照して説明する。
【００４５】図２は、データ線、走査線、画素電極が形
成された液晶装置用基板１０の隣接した画素群の平面図
である。図３は、図２のＣ−Ｃ’断面図である。
【００４６】図２及び図３において、各画素は、マトリ
クス状に複数の透明な画素電極９と各画素電極９に接続
されたスイッチング素子の一例である画素スイッチング
用ＴＦＴ３０とにより構成されている。画素電極９の縦
横の境界に各々沿ってデータ線６、走査線３ａ及び容量
線３ｂが設けられており、データ線６を構成する第１導
電層は、アルミニウム、クロム等の金属からなり、第１
層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５ａを介し
てＴＦＴ３０のアモルファスシリコン膜やポリシリコン
膜等からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域１ｄ
に電気的接続されている。画素電極９は、第１層間絶縁
膜４及び第２層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホー
ル８を介して薄膜トランジスタ３０の半導体層１ａのう
ち後述のドレイン領域１ｅに電気的接続されている。ま
た、ゲート絶縁膜２を介して半導体層１ａのうちのチャ
ネル形成用領域１ａ’（図２中右下りの斜線の領域）に
対向するように走査線３ａ（ゲート電極）が配置されて
いる。走査線３aを構成する第２導電層はアルミニウ
ム、クロムのような金属で形成する場合もあるが、製造
工程において６００℃以上の高温にさらされる場合はポ
リシリコンで形成する場合がある。蓄積容量は、画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１aから延設された
第１蓄積容量電極１ｆを一方の電極とし、ゲート絶縁膜
２と同時に形成された絶縁膜を誘電体膜とし、走査線３
ａと同時に形成された容量線３ｂを他方の電極（第２蓄
積容量電極）として構成されている。このような構成を
採れば、薄膜で緻密なゲート絶縁膜２を誘電体とするこ
とで、第１蓄積容量電極１ｆと第２蓄積容量電極３ｂの
重なり面積が小さくても、十分な蓄積容量が得られるた
め、画素の高開口率化や微細化が容易に実現することが
できる。
【００４７】画素電極９の上側には、図３に示すように
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９は例えば、ＩＴＯ膜（In
diumTin Oxide膜）などの透明導電性薄膜からなる。ま
た配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜
からなる。
【００４８】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミ
ド薄膜などの有機薄膜からなる。更に、画素スイッチン
グ用ＴＦＴ３０や液晶のディスクリネーションが発生す
る領域を覆うように非光透過性の金属膜、金属合金膜、
或いは黒色有機膜等により遮光膜２３を設けても良い。
これにより、コントラスト比の高い画像表示を実現する
ことができる。遮光膜２３は液晶装置用基板１０に設け
るようにしても良い。このような構成を採れば、液晶装
置用基板１０と対向基板２０を貼り合わせる際の精度を
考慮する必要がないため、透過率のばらつかない液晶装
置を安定して提供することができる。
【００４９】上記の構成を有する液晶装置用基板１０
と、対向基板２０との間には、液晶が封入され、液晶層
５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９からの電
界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状
態を採る。
【００５０】ここで、一般には、半導体層１ａのチャネ
ル形成用領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度
ドレイン領域１ｃ等を形成するアモルファスシリコン膜
あるいはポリシリコン膜は、光が入射すると光電変換効
果により光電流が発生してしまいＴＦＴ３０のトランジ
スタ特性が劣化するが、第１実施形態では、走査線３ａ
を上側から覆うようにデータ線６がＡｌ（アルミニウ
ム）等の遮光性の金属薄膜から形成されているので、少
なくとも半導体層１ａのチャネル形成用領域１ａ’及び
ソース側ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１ｂ、
ドレイン側ＬＤＤ領域１ｃへの投射光（即ち、図３で上
側からの光）の入射を効果的に防ぐことが出来る。ま
た、ＴＦＴ３０の下側に、層間絶縁膜を介して、少なく
とも半導体層１ａのチャネル形成用領域１ａ’及びＬＤ
Ｄ領域１ｂ、１ｃを覆うように遮光膜（図示せず）を設
ければ戻り光（即ち、図３で下側からの光）の入射を効
果的に防ぐことが出来る。
【００５１】（サンプリングスイッチ領域の構成）この
ように構成した液晶装置１００において、次に、サンプ
リングスイッチ６０の近傍のレイアウトについて図４及
び図５を用いて説明する。
【００５２】図４は、画像信号をサンプリングするサン
プリングスイッチの平面図であり、図５は図４のＤ−
Ｄ’断面図である。各種配線は、上述の図２及び図３で
説明したように、ＴＦＴ３０を形成する膜とともに同時
に形成すれば、工程数を増やすことなく形成することが
できる。
【００５３】図４に示すように、画像信号線３０５には
外部から供給される画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が供給
される。
【００５４】画像信号線３０５はアルミニウム等の比較
的低抵抗な金属を含有する材料、例えばデータ線６と同
一の第１導電層で同時に形成されている。中継配線８０
は画像信号線３０５とサンプリングスイッチ６０の各ソ
ース電極を互いに結線するために設けられており、画像
信号線３０５を交差して延長されている。
【００５５】中継配線８０は、図４に示されるように、
コンタクトホール８４により画像信号線３０５と中継配
線８０と接続されている。少なくとも画像信号線３０５
と交差する第１中継部８２は第１導電層とは別層で形成
する必要があるため、例えば上述の走査線３ａと同一層
からなる第２導電層により形成され、また画像信号線３
０５と交差しない第２中継部８１はできるだけ低抵抗に
するために、例えば上述のデータ線６を形成するために
用いた第１導電層により形成すると良い。第１中継部８
１と第２中継部８２とはコンタクトホール８３を介して
互いに接続され、また第２中継部８２と画像信号線３０
５とはコンタクトホール８４を介して互いに接続されて
いる。
【００５６】なお、各中継配線８０の第２中継部８２の
長さを一致させることにより、中継配線８０の抵抗値及
び画像信号線３０５との重なり容量を揃えることができ
る。
【００５７】各ブロック内のサンプリングスイッチ６０
の各ゲート電極はサンプリング制御信号線４０を介して
バッファ回路１０２に接続されている。
【００５８】サンプリング制御信号線４０は、画像信号
線３０５を交差する前に画像信号線の配線方向に延長さ
れて「コ」の字型に分岐した第１配線４１と、第１配線
４１から延在して画像信号線３０５に交差する複数の第
２配線４２と、画像信号線３０５を交差した後に延長さ
れた第３配線４３と、複数の第３配線４３同士を互いに
接続する接続配線４４と、接続配線４４からブロック内
の各サンプリングスイッチ６０に接続されるように櫛型
に延長された第４配線４５からなる。接続配線４４はブ
ロック内のサンプリングスイッチ６０に接続されるすべ
ての中継配線を平面的に交差し、ブロック内のサンプリ
ングスイッチ６０の各ゲート電極に接続されるようにさ
らに第４配線４５により櫛型に延長されている。要する
に、サンプリング制御信号線４０は、画像信号線３０５
と交差するとともにブロック毎にサンプリングスイッチ
６０の配列方向の両側からサンプリングスイッチ６０に
接続されるように引き回されている。
【００５９】サンプリング制御信号線４０は少なくとも
画像信号線と交差する第２配線は画像信号線３０５を構
成する第１導電層とは異なる層、例えば第２導電層で形
成する。また、交差しない部分、例えば第１配線、第３
配線は第１導電層と第２導電層との両方に平面的に重な
るように形成し、コンタクトホール４６及び４７で互い
に接続するようにすれば、第３配線を低抵抗化できると
ともに冗長構造とすることができる。
【００６０】図５は図４のＤ−Ｄ’線における断面を示
す。図５に示すように、液晶装置用基板１０上に走査線
３ａと同時に形成された第４配線４４が、その上層に第
１層間絶縁膜４を介してデータ線と同時に形成された第
２導電層からなる第２中継部８１が形成されており、そ
の上には第２層間絶縁膜７が形成されている。
【００６１】図４において斜線を付した領域は第１導電
層を、白抜きの領域は第２導電層を示しているが、いず
れも図５に示す共通の第１導電層、および共通の第２導
電層から形成されている。図４において交差した第１導
電層と第２導電層との間には第１層間絶縁膜４が形成さ
れている。コンタクトホール４６，４７により第１絶縁
膜４に開孔が形成され、これにより第１導電層と第２導
電層とが互いに接続される（図３）。
【００６２】上述のように図５に示す各層として、画像
表示領域ＤＡのＴＦＴ３０、その他の構造を構成する層
を用いることができる。その場合には同一層の成膜およ
びパターニングを同一工程で行うことができる。
【００６３】次に、図１を用いて、画像表示領域ＤＡへ
の書き込み動作について説明する。
【００６４】画像信号線３０５には６画素分ずつの画像
信号が同時に出力される。そして、例えば１〜６番目の
画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がシリアル−パラレル変換
信号として画像信号線３０５に同時に出力される期間に
はラッチ回路１０１ａからサンプリング制御信号が出力
される。次の７〜１２番目の画像信号が出力される期間
にはラッチ回路１０１ｂからサンプリング制御信号が出
力される。このように、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に
６画素分ずつの新たなシリアル−パラレル信号が出力さ
れる度に、ラッチ回路１０１ａ、１０１ｂ，…から順次
サンプリング制御信号が出力される。
【００６５】ラッチ回路１０１から出力されたサンプリ
ング制御信号が、バッファ回路１０２を介してサンプリ
ングスイッチ６０のゲート電極に入力されると、当該サ
ンプリングスイッチ６０がオンし、データ線６が順次画
像信号線３０５に接続されて、所定の６画素分の画像信
号がデータ線６に供給される。これにより、走査信号が
出力される走査線３ａと、画像信号が供給される６本の
データ線６とによって選択された６つの画素について、
同時に書き込みが行われる。このようにラッチ回路１０
１からサンプリング制御信号が出力されるごとに、１本
の走査線３ａに接続された６画素について、一度に書き
込みを行うようにしている。
【００６６】隣接する６個のサンプリングスイッチ６０
をグループ（ブロック）化して順次オンさせることによ
り、１本の走査線３ａの全画素について書き込みが終了
すると、次の走査線３ａが選択されて、同様に書き込み
動作が実行される。すべての走査線についてこのような
書き込み動作を繰り返すことにより、１フレームの画像
を表示することができる。
【００６７】なお、走査線３ａには走査線駆動回路１０
４が接続されており、上記走査信号は走査駆動回路１０
４から走査線３ａに出力される。
【００６８】図４に示すように、第１実施形態では、バ
ッファ回路１０２に接続されたサンプリング制御信号線
４０を構成する第１配線４１は２経路に分岐されて、画
像信号線を交差して延長され、しかも第３配線４３の一
部は例えば、第１導電層と第２導電層の二重配線とされ
ている。さらに、上記２経路に分岐された第３配線はサ
ンプリングスイッチ６０に隣接した接続配線４４によっ
て図１において左右方向に接続されている。このため、
サンプリングスイッチ６０のゲート電極部分におけるイ
ンピーダンスの上昇が抑制される。また、サンプリング
スイッチ６０のゲート電極同士は接続配線４４によって
短距離で結ばれているので、サンプリングスイッチ６０
のゲート電極部分のインピーダンスのばらつきが小さく
なる。
【００６９】以上のように、第１実施形態では、サンプ
リングスイッチ６０にサンプリング制御信号を供給する
ためのサンプリング制御信号線４０のインピーダンスを
低く抑えることができるので、回路に形成される時定数
が小さく、またそのばらつきも小さくなるので、サンプ
リングスイッチ６０をほぼ均一な動作条件によってスイ
ッチングさせることができる。したがって、データ線６
の電圧を適切に制御することができ、よって画素間の表
示のばらつきが生じにくく、ゴースト等の発生のない良
好な表示画像を得ることができる。 −第２実施形態− 以下、図６を用いて、本発明による電気光学装置の第２
実施形態について説明する。第２実施形態は第１実施形
態と同様な構成を有するものであり、異なる部分のみ説
明する。
【００７０】図５に示すように、第２実施形態では、サ
ンプリング制御信号線４０のうちバッファ回路１０２に
隣接した第１配線４１には第１導電層と第２導電層によ
る二重配線となっており、第１配線４１の両端に設けら
れたコンタクトホール４８を介して第１導電層および第
２導電層が互いに接続される。
【００７１】このように第１配線４１の一部に二重配線
を設けることにより、第１配線４１の抵抗値を下げ、サ
ンプリング制御信号線４０全体としてさらに低インピー
ダンス化を図ることができる。
【００７２】また、二重配線を構成する第１導電層は画
像信号線３０５、データ線６と同じプロセスによって同
時に形成されるので、第１実施形態と比較して、とくに
製造工程が複雑化することはない。
【００７３】−第３実施形態− 以下、図７を用いて、本発明による電気光学装置の第３
実施形態について説明する。第３実施形態は、第１及び
第２実施形態と同様な構成を有し、異なる構成について
のみ説明する。
【００７４】図７に示すように、第３実施形態では第２
実施形態における第３配線４３の一部を第１導電層に置
き換えている。また、中継配線８０と接続配線４４との
交差領域８８は第１層間絶縁膜４（図３）を介して絶縁
されるようにするとともに、接続配線４４の一部は第２
導電層に置き換えている。なお、第１導電層は接続配線
４４から第２配線４２と第３配線４３との接続点である
コンタクトホール４６の位置まで延設されており、コン
タクトホール４６とコンタクトホール４７との間は第1
及び第２導電層の二重配線とされている。
【００７５】第３実施形態では、サンプリング制御信号
線４０に、他の電極との絶縁を確保できる範囲で可能な
限り第１導電層、あるいは第１導電層と第２導電層の二
重配線を用いた構成となっている。
【００７６】このように、第１配線４１の一部を低抵抗
の第２導電層に置き換えることにより、さらにサンプリ
ング制御信号線４０全体としてのインピーダンスを低下
させることができる。また、第２導電層はサンプリング
スイッチ６０のゲート電極に近い位置に設けられてお
り、各ゲート電極から引き出された第１導電層はコンタ
クトホール４９を介して第２導電層に最短距離で接続さ
れている。このため、各ゲート電極は極めて低いインピ
ーダンスの配線で互いに接続されることになるので、各
サンプリングスイッチ６０がほぼ同一条件の下でスイッ
チングされることになり、６本のデータ線６に対する書
き込みをより均一なものにできる。
【００７７】また、第１導電層は画像信号線３０５等と
同じプロセスによって同時に形成されるので、第１およ
び第２実施形態と比較して、とくに製造工程が複雑化す
ることはない。尚、本実施の形態では４経路に分離する
構成であるが、これに限るものではない。サンプリング
スイッチのブロック数が多くなれば分岐させる数を増や
す場合もある。
【００７８】−第４実施形態− 以下、図８および図９を用いて、本発明による電気光学
装置の第４実施形態について説明する。第４実施形態
は、第１実施形態と同様な構成を有し、異なる構成につ
いて説明する。図８は第４実施形態の電気光学装置のレ
イアウト図であり、図９は第４実施形態の等価回路図で
ある。
【００７９】図８に示すように、第４実施形態では、第
１実施形態における２経路に分岐された第２配線４２に
代えて、４経路に分岐された第２配線４２及び第２配線
に接続された第３配線４３を備える。すなわち、この第
２配線４２は中継配線８０に沿って４つに分岐され、中
継配線８０の間隙に沿って延設されている。さらに、４
つに分岐された第３配線４３は、第１実施形態のように
第１導電層と第２導電層の２重配線としてもよい。ま
た、第２実施形態のように、第１配線４１を第１導電層
と第２導電層の２重配線としてコンタクトホール４８を
介して互いに接続するようにしてもよい。このようにサ
ンプリング制御信号線４０の少なくとも一部を二重配線
とすることにより、更にサンプリング制御信号線４０を
低抵抗にすることができる。
【００８０】図８および図９に示すように、第４実施形
態では、４経路に分岐された第２配線４２及び第３配線
４３を介して、バッファ回路１０２の出力端子とサンプ
リングスイッチ６０のゲート電極とを接続しているの
で、第３実施形態と比較して、より一層サンプリング制
御信号線４０の低インピーダンス化を図ることができ
る。
【００８１】尚、分岐させる数は４経路に限るものでは
ない。 −第５実施形態− 以下、図１０〜図１２を用いて、本発明による電気光学
装置の第５実施形態について説明する。第５実施形態は
第４実施形態と同様な構成を有し、異なる構成について
のみ説明する。図１０は第５実施形態の電気光学装置の
レイアウト図であり、図１１は第５実施形態の等価回路
図であり、図１２は図１０のＸ−Ｘ’断面図である。
【００８２】図１０に示すように、サンプリング制御信
号線４０は、バッファ回路１０２の出力端子からサンプ
リングスイッチ６０に向けて形成された第１配線４１
と、中継配線８０と平行に画像信号線３０５に交差され
た第２配線４２と、第２配線４２と接続されてさらに延
設された第３配線４３と、画像信号線３０５と平行に延
設された接続配線４４と、接続配線４４に接続されて櫛
型に延設され各サンプリングスイッチ６０のゲート電極
となる第４配線４５とからなる。すなわち、本実施形態
では、第３実施形態と異なり、第１配線４１がバッファ
回路１０２に接続された第１配線４１が分岐することな
く、第２及び第３配線へと延びてさらに第３配線４３は
ブロック内のすべての中継配線８０を交差するように延
設されたＬ字型で構成されている。
【００８３】接続配線４４は第１導電層で形成されてお
り、接続配線４４と第４配線４５とはコンタクトホール
４９を介して接続されているとともに、中継配線８０と
第１層間絶縁膜４を介して絶縁されている。また、第３
配線４３は第１及び第２導電層からなり、コンタクトホ
ール４６、４７を介して接続されている。
【００８４】第５実施形態によれば、接続配線４４をデ
ータ線と同時に形成した低抵抗な第１導電層で形成され
ている。また、サンプリングスイッチ６０の各ゲート電
極が引き回しの短い第４配線４５と、抵抗値の低い接続
配線４４とによって互いに接続されるため、各ゲート電
極は極めて低いインピーダンスの配線で互いに接続され
ることになる。つまり、第５実施形態では、ブロック内
のサンプリングスイッチの配列方向の一方側から他方側
に接続配線４４が延設されているが、接続配線４４は抵
抗値が低いため、各サンプリングスイッチ６０がほぼ同
一条件下でスイッチされることになり、６本のデータ線
に対する書き込みを均一なものにできる。
【００８５】中継配線８０は、第１実施形態と同様に、
少なくとも画像信号線３０５と交差する第１中継部８２
は第１導電層とは別層で形成する必要があるため、例え
ば上述の走査線３ａと同一層からなる第２導電層により
形成され、また画像信号線３０５と交差しない第２中継
部８１はできるだけ低抵抗にするために、例えば上述の
データ線６を形成するために用いた第１導電層により形
成すると良い。
【００８６】第５実施形態では、サンプリングスイッチ
６０の各ゲート電極から引き出された第４配線４５を抵
抗の低い金属材料により互いに接続しているので、バッ
ファ回路１０２から引き出される第２配線４２及び第３
配線４３が一本であっても６本のデータ線６に対する書
き込みを均一なものにでき、よって表示画像の画質を向
上させることができる。尚、本実施形態では第１、第
２、第３配線及び接続配線をＬ字型としたが、このよう
な形状に限るものではなく、１つのブロック内の画像信
号線に交差する複数の中継配線８０の間に形成しても同
様な効果が得られる。
【００８７】−第５実施形態の変形例− 第５実施形態の変形例を図１３を参照して説明する。図
１３は第５実施形態の変形例の電気光学装置のレイアウ
ト図である。尚、第５実施形態と異なる点のみ説明し、
共通な構成についてはその説明を省略する。
【００８８】本変形例のサンプリングスイッチ６０はＰ
チャネル型ＴＦＴ６０’とＮチャネル型ＴＦＴ６０’’
との相補型のトランジスタからなり、図１３に示される
ように各データ線６に接続されるＰチャネル型ＴＦＴ６
０’とＮチャネル型ＴＦＴ６０’’が並列に形成されて
いる。サンプリングスイッチ６０をＰチャネル型ＴＦＴ
６０’およびＮチャネル型ＴＦＴ６０’’からなる相補
型ＴＦＴで構成することにより、ＴＦＴの寄生容量に起
因するデータ線６の電圧シフトを緩和することができ
る。これにより、フリッカ等のない高表示品位の液晶装
置を実現できる。
【００８９】Ｐチャネル型ＴＦＴ６０’とＮチャネル型
ＴＦＴ６０’’のゲート電極はそれぞれ中継配線８０を
挟んで両側に並列に設けられており、さらに各ゲート電
極４５、４５’の外側にＰチャネル型ＴＦＴ６０’とＮ
チャネル型ＴＦＴ６０’’の夫々のドレイン電極が設け
られ、２つのドレイン電極はデータ線６として共通接続
されて画像表示領域に延設されている。このような構成
において、サンプリング制御信号線４０、４０’は、バ
ッファ回路１０２の出力端子からサンプリングスイッチ
６０に向けてブロック内のサンプリングスイッチ６０の
配列方向の一方側と他方側に形成された第１配線４１、
４１’と、第１配線４１、４１’の夫々に接続されて画
像信号線３０５を交差する第２配線４２、４２’と、第
２配線４２、４２’の夫々に接続されてさらに延設され
た第３配線４３、４３’と、第３配線４３、４３’に夫
々接続されて画像信号線３０５と平行にサンプリングス
イッチ６０の配列方向の一方側から他方側に延設された
接続配線４４と、サンプリングスイッチ６０の配列方向
の他方側から一方側に延設された接続配線４４’と、接
続配線４４、４４’に接続されて夫々櫛型に延設されて
Ｐチャネル型ＴＦＴ６０’とＮチャネル型ＴＦＴ６
０’’のそれぞれのゲート電極となる第４配線４５、４
５’とからなる。すなわち、本実施形態では、第５実施
形態と異なり、Ｐチャネル型ＴＦＴ６０’のサンプリン
グ制御信号線がブロック内のサンプリングスイッチ６０
の配列方向の一方側から他方側にＬ字型に延設され、Ｎ
チャネル型ＴＦＴ６０’’のサンプリング制御信号線が
ブロック内のサンプリングスイッチ６０の配列方向の他
方側から一方側に逆Ｌ字型に延設されている。接続配線
４４、４４’は第５実施形態と同様に第１導電層で形成
されており、接続配線４４、４４’と第４配線４５、４
５’とはコンタクトホール４９、４９’を介して接続さ
れているとともに、中継配線８０と第１層間絶縁膜４を
介して絶縁されている。また、第３配線４３、４３’は
第１及び第２導電層からなり、コンタクトホール４６と
４７、４６’と４７’を介して接続されている。このよ
うに接続配線４４、４４’をデータ線と同時に形成した
低抵抗な第１導電層で形成されている。また、サンプリ
ングスイッチ６０の各ゲート電極が引き回しの短い第４
配線４５と、抵抗値の低い接続配線４４とによって互い
に接続されているため、各サンプリングスイッチのゲー
ト電極は極めて低いインピーダンスの配線で互いに接続
されることになる。従って、本変形例でも、ブロック内
のサンプリングスイッチの配列方向の一方側から他方側
に、そして他方側から一方側に接続配線４４、４４’が
延設されているが、接続配線４４、４４’は抵抗値が低
いため、各サンプリングスイッチ６０がほぼ同一条件下
でスイッチされることになり、６本のデータ線に対する
書き込みを均一なものにできる。また、サンプリングス
イッチ６０を構成するＰチャネル型ＴＦＴ６０’とＮチ
ャネル型ＴＦＴ６０’’のソース電極である中継配線８
０が共通化されているため、並列にＴＦＴを設けている
にもかかわらず、占有面積を少なくすることができる。
【００９０】尚、本変形例でも第１、第２、第３配線及
び接続配線をＬ字型、逆Ｌ字型としたが、このような形
状に限るものではなく、１つのブロック内の画像信号線
に交差する複数の中継配線８０の間に平行に形成しても
同様な効果が得られる。
【００９１】−第６実施形態− 以下、図１４および図１５を用いて、本発明による電気
光学装置の第６実施形態について説明する。図１４は第
６実施形態の電気光学装置のレイアウト図であり、図１
５は第６実施形態の等価回路図である。
【００９２】図１４および図１５に示すように、第６実
施形態では各サンプリングスイッチ６０毎に第１バッフ
ァ回路１０２（第１〜第６実施形態のバッファ回路１０
２）に接続された複数の第２バッファ回路１０３を設け
ており、第１バッファ回路１０２と第２バッファ回路１
０３とを接続する６つの分岐配線を第１導電層で形成す
るとともにパラレルに６つの第２バッファ回路１０３に
入力し、第２バッファ回路１０３の出力信号（サンプリ
ング制御信号）が、第２及び第３配線４２、４３を介し
てサンプリングスイッチ６０のゲート電極に入力するよ
うにしている。
【００９３】図１４に示すように、第２バッファ回路１
０３の出力端子に接続された第２配線４２及び第３配線
４３は、画像信号線３０５に接続された中継配線８０と
平行に設けられ、また、第２配線４２及び第３配線４３
および中継配線８０は１配線ずつ交互に配置されてい
る。
【００９４】第３配線４３は、上述のように第１導電層
及び第２導電層の２層構造にしてコンタクトホール４
６、４７を介して接続すれば、さらに低抵抗化される。
【００９５】第６実施形態では、サンプリングスイッチ
６０毎に独立したバッファ回路１０２を用いているの
で、サンプリング制御信号線４０のインピーダンスを低
くすることができる。このため、サンプリングスイッチ
６０を安定してスイッチングさせることができ、よって
表示画像の画質を向上させることができる。
【００９６】−第７実施形態− 以下、図１６および図１７を用いて、本発明による電気
光学装置の第７実施形態について説明する。第７実施形
態は第６実施形態と同様な構成を有し、異なる点のみ説
明する。図１６は第７実施形態の電気光学装置のレイア
ウト図であり、図１７は第７実施形態の等価回路図であ
る。
【００９７】第６実施形態では、サンプリングスイッチ
６０毎に１つの第２バッファ回路１０３を設けている
が、第６実施形態では隣接する２つのサンプリングスイ
ッチ６０毎に１つずつ第２バッファ回路１０３を設けて
いる。
【００９８】図１６に示すように、第７実施形態では、
隣接する２つのサンプリングスイッチ６０毎に第２バッ
ファ回路１０３を１つずつ、すなわち１つのバッファ回
路１０２に対して第２バッファ回路１０３を３つずつ設
けており、第１バッファ回路１０２の出力信号をパラレ
ルに３つの終段バッファ回路１０３に入力し、終段バッ
ファ回路１０３の出力信号（サンプリング制御信号）を
２つのサンプリングスイッチ６０のゲート電極に入力す
るようにしている。
【００９９】図１６に示すように、サンプリング制御信
号線４０は、第２バッファ回路１０３の出力端子からサ
ンプリングスイッチ６０に向けて、中継配線８０と平行
に交差された第２配線４２と、第２配線４２に接続され
てさらに延設された第３配線４３と、画像信号線３０５
と平行に延設された接続配線４４と、各サンプリングス
イッチ６０の各ゲート電極から引き出され、接続配線４
４と接続された第４配線４５とからなる。第２配線４２
と第２配線に接続された第３配線４３の間隙には２本の
中継配線８０が第２及び第３配線４２及び４３に平行に
延設されている。
【０１００】第１導電層は、コンタクトホール４６から
接続配線４４まで延設されている。また、第３配線４３
はコンタクトホール４６と４７の間は第１導電層と第２
導電層の二重配線となっている。サンプリングスイッチ
６０の各ゲート電極から引き出された第４配線４５はコ
ンタクトホール４７を介して第１導電層からなる接続配
線４４に接続されている。
【０１０１】第７実施形態では、２つのサンプリングス
イッチ６０毎に独立した終段バッファ回路１０３を用い
ているので、サンプリング制御信号線４０のインピーダ
ンスを低くすることができる。このため、サンプリング
スイッチ６０を安定してスイッチングさせることがで
き、よって表示画像の画質を向上させることができる。
また、第６実施形態に比較すれば終段バッファ回路の数
を減らすことができる。
【０１０２】第７実施形態では、２つのサンプリングス
イッチ６０毎に独立した終段バッファ回路１０３を設け
ているが、３つ以上のサンプリングスイッチに対して１
つの終段バッファ回路を設けてもよい。
【０１０３】尚、上述の第１実施形態乃至第７実施形態
で説明したサンプリング制御信号線と中継配線のそれぞ
れの一部は、低抵抗にするために、データ線と同一層か
らなる第１導電層と、走査線と同一層からなる第２導電
層との二重配線となっているが、これらの第１及び第２
導電層に限るものではない。例えば薄膜トランジスタの
チャネル領域の下層に設ける低抵抗な導電層を二重配線
の一部として利用することにより、工程を増やすことな
く各配線を低抵抗にすることができる。
【０１０４】以下、図１８および図１９を用いて、本発
明が適用されるアクティブマトリクス型の液晶装置の全
体レイアウトについて説明する。
【０１０５】図１８において、液晶装置用基板１０の上
には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、
その内側に並行して、周辺見切りとしての遮光膜５３が
設けられている。シール材５２の外側の領域には、デー
タ線駆動回路２０１及び実装端子１０８が液晶装置用基
板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路
１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられて
いる。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にな
らないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも
良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路２
０１を画像表示領域ＤＡの辺に沿って両側に配列しても
よい。例えば奇数列のデータ線６は画像表示領域ＤＡの
一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像
信号を供給し、偶数列のデータ線６は画像表示領域ＤＡ
の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から
画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ
線６を櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回
路２０１の占有面積を拡張することができるため、複雑
な回路を構成することが可能となる。更に液晶装置用基
板１０の残る一辺には、画像表示領域ＤＡの両側に設け
られた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配
線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコー
ナー部の少なくとも１箇所においては、液晶装置用基板
１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導
通材１０６が設けられている。そして、図１９に示すよ
うに、図１８に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持
つ対向基板２０が当該シール材５２により液晶装置用基
板１０に固着され、内部に液晶１５０が封入される。
【０１０６】以上、図１〜図１９を参照して説明した各
実施の形態における液晶装置の液晶装置用基板１０上に
は更に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥
等を検査するための検査回路等を形成してもよい。ま
た、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路１０４
を液晶装置用基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴ
ＡＢ（Tape Automated Bonding基板）上に実装された駆
動用ＬＳＩに、液晶装置用基板１０の周辺部に設けられ
た異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続
するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が
入射する側及び液晶装置用基板１０の出射光が出射する
側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モー
ド、ＳＴＮ（SuperＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（Double
−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイ
トモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏
光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向
で配置される。
【０１０７】上記実施の形態では、ＴＦＴを用いて各画
素を駆動するようにしているが、ＴＦＴ以外の、例えば
２端子型非線形素子等のアクティブ素子を用いることも
可能であり、さらに液晶装置をパッシブマトリクス型の
液晶装置として構成することも可能である。さらに、本
発明は液晶装置以外のエレクトロルミネッセンス、ある
いはプラズマディスプレイ等の電気光学装置の駆動回路
についても、広く適用することができる。
【０１０８】（電子機器）次に、以上詳細に説明した電
気光学装置の一例として液晶装置１００を備えた電子機
器の実施の形態について図２２から図２４を参照して説
明する。
【０１０９】先ず図２２に、このように液晶装置１００
を備えた電子機器の概略構成を示す。
【０１１０】図２２において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１
００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並
びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情
報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、Ｒ
ＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などの
メモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含
み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基
づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を
表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回
路１００２は、増幅・極性反転回路、シリアル−パラレ
ル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、ク
ランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されて
おり、クロック信号に基づいて入力された表示情報から
デジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆
動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶
装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各
回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成
する液晶装置用基板の上に、駆動回路１００４を搭載し
てもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭
載してもよい。
【０１１１】次に図２３から図２４に、このように構成
された電子機器の具体例を各々示す。
【０１１２】図２３において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４が
液晶装置用基板上に搭載された液晶装置１００を含む液
晶表示モジュールを３個用意し、各々ＲＧＢ用のライト
バルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプ
ロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１
１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のラン
プユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚の
ミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０
８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、
Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、
１００Ｇ及び１００Ｂに各々導かれる。この際特にＢ光
は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１
１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４
からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そ
して、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに
より各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイク
ロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投
射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー
画像として投射される。
【０１１３】図２４において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピ
ュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００が
トップカバーケース内に設けられており、更にＣＰＵ、
メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２
が組み込まれた本体１２０４を備えている。
【０１１４】以上図２３から図２４を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エン
ジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電
話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装
置等などが図２２に示した電子機器の例として挙げられ
る。
【０１１５】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、製造効率が高く高品位の画像表示が可能な液晶装置
を備えた各種の電子機器を実現できる。
【０１１６】
【発明の効果】本発明によれば、サンプリングスイッチ
を安定して駆動することができるので、データ線の電圧
が安定し、よってゴーストの発生等が抑制されて表示画
像の画質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電気光学装置の第１実施形態を示
す等価回路図。
【図２】本発明の電気光学装置の第１実施形態の画素群
の平面図。
【図３】図２のＣ−Ｃ’の断面図。
【図４】図１の電気光学装置のレイアウトを示す図。
【図５】図１のＤ−Ｄ’線における断面図。
【図６】第２実施形態の電気光学装置のレイアウトを示
す図。
【図７】第３実施形態の電気光学装置の構成を示す図。
【図８】第４実施形態の電気光学装置のレイアウトを示
す図。
【図９】第４実施形態の電気光学装置の等価回路図。
【図１０】第５実施形態の電気光学装置のレイアウトを
示す図。
【図１１】第５実施形態の電気光学装置の等価回路図。
【図１２】図１０のＸ−Ｘ’線における断面図。
【図１３】第５実施形態の変形例の電気光学装置のレイ
アウトを示す図。
【図１４】第６実施形態の電気光学装置のレイアウトを
示す図。
【図１５】第６実施形態の電気光学装置の等価回路図。
【図１６】第７実施形態の電気光学装置のレイアウトを
示す図。
【図１７】第７実施形態の電気光学装置の等価回路図。
【図１８】アクティブマトリクス型の液晶装置全体のレ
イアウトを示す図。
【図１９】図１８のＨ−Ｈ’線における断面図。
【図２０】従来の液晶装置の構成を示す図。
【図２１】従来の液晶装置の等価回路図。
【図２２】本発明による電子機器の実施の形態の概略構
成を示すブロック図である。
【図２３】電子機器の一例として液晶プロジェクタを示
す断面図である。
【図２４】電子機器の他の例としてパーソナルコンピュ
ータを示す正面図である。
【符号の説明】
シフトレジスタ １０１ バッファ回路 １０２ 走査線駆動回路 １０４ データ線駆動回路 ２０１ 走査線 ３ａ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０ 画像信号線 ３０５ サンプリング制御信号線 ４０ 第１配線 ４１ 第２配線 ４２ 第３配線 ４３ 接続配線 ４４ 第４配線 ４５ データ線 ６ サンプリングスイッチ ６０ 中継配線 ８０
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H093 NA16 NA43 NA47 NA53 NA62 NC12 NC22 NC23 NC26 NC29 NC34 NC37 ND06 ND15 ND17 ND22 NE06 NG02 5C006 AC02 AC09 AC21 BB16 BC06 BC08 BC13 BC16 BC20 BC23 BF03 BF04 BF06 BF07 BF08 BF11 FA22 FA23 FA24 FA37 5C080 AA10 BB05 DD05 DD06 DD10 FF11 JJ02 JJ03 JJ06

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のデータ線と、複数の走査線と、前
    記各データ線と前記各走査線に接続されたスイッチング
    素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と
    を具備する電気光学装置の駆動回路であって、 前記電気光学装置の駆動回路は、画像信号を供給する複
    数の画像信号線と、前記複数の画像信号線に供給される
    画像信号をサンプリングして夫々のデータ線に供給する
    複数のサンプリングスイッチとを有し、 前記複数のサンプリングスイッチは、ｎ個（ｎは２以上
    の自然数）のブロック毎にサンプリング制御信号線を介
    して共通にサンプリング制御信号が供給されてなり、且
    つ前記複数のサンプリングスイッチの夫々は中継配線を
    介して前記複数の画像信号線に接続されてなり、 前記各サンプリング制御信号線は、前記複数の画像信号
    線と交差するとともにブロック毎にサンプリングスイッ
    チの配列方向の両側から前記サンプリングスイッチに接
    続されるように引き回されていることを特徴とする電気
    光学装置の駆動回路。
  2. 【請求項２】 複数のデータ線と、複数の走査線と、前
    記各データ線と前記各走査線に接続されたスイッチング
    素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と
    を具備する電気光学装置の駆動回路であって、 前記電気光学装置の駆動回路は、画像信号を供給する複
    数の画像信号線と、前記複数の画像信号線に供給される
    画像信号をサンプリングして夫々のデータ線に供給する
    複数のサンプリングスイッチとを有し、 前記複数のサンプリングスイッチは、ｎ個（ｎは２以上
    の自然数）のブロック毎にサンプリング制御信号線を介
    して共通にサンプリング制御信号が供給されてなり、且
    つ前記複数のサンプリングスイッチの夫々は中継配線を
    介して前記複数の画像信号線に接続されてなり、 ブロック毎に共通にサンプリング制御信号が供給される
    サンプリング制御信号線は前記画像信号線を交差する前
    に分岐された第１配線と、前記第１配線に接続されて前
    記画像信号線を交差する複数の第２配線と、前記複数の
    第２配線に接続されて夫々に延設された第３配線と、複
    数の第３配線同士を互いに接続する接続配線と、前記接
    続配線からｎ個（ｎは２以上の自然数）に分岐してブロ
    ック内の複数のサンプリングスイッチに接続するための
    複数の第４配線とを有することを特徴とする電気光学装
    置の駆動回路。
  3. 【請求項３】前記第１配線と第３配線と接続配線のうち
    の少なくとも一部は前記複数の画像信号線と同一材料で
    同時に形成されてなることを特徴とする請求項２に記載
    の電気光学装置の駆動回路。
  4. 【請求項４】 前記複数の画像信号線は第２配線よりも
    低抵抗な金属からなるともに、前記第１配線と第３配線
    と接続配線のうちの少なくとも一部は前記複数の画像信
    号線と同一材料で同時に形成されてなることを特徴とす
    る請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
  5. 【請求項５】 ブロック内のサンプリングスイッチに接
    続されたサンプリング制御信号線の第１及び第２配線は
    前記中継配線の間隙に沿って延設されてなることを特徴
    とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の電
    気光学装置の駆動回路。
  6. 【請求項６】 複数のデータ線と、複数の走査線と、前
    記各データ線と前記各走査線に接続されたスイッチング
    素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と
    を有する電気光学装置の駆動回路であって、 画像信号を供給する複数の画像信号線と、 前記複数の画像信号線に供給される画像信号をサンプリ
    ングして前記各データ線に供給するサンプリングスイッ
    チと、 前記画像信号線と前記サンプリングスイッチとを接続す
    る中継配線と、 ｎ個（ｎは２以上の自然数）のサンプリングスイッチか
    らなるブロック毎に共通にサンプリング制御信号を供給
    するサンプリング制御信号線とを具備し、 前記サンプリング制御信号線は、複数の画像信号線を交
    差する前の第１配線と、前記複数の画像信号線を交差す
    る第２配線と、前記複数の画像信号線を交差した後に前
    記第２配線に延設された第３配線と、前記第３配線に接
    続されて前記ブロック内の中継配線を交差する接続配線
    と、前記接続配線からｎ個に分岐してブロック内の複数
    のサンプリングスイッチに接続するための第４配線とを
    有し、前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少な
    くとも一部は前記第２配線よりも低抵抗な材料で形成さ
    れてなることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
  7. 【請求項７】 前記第１配線と第３配線と接続配線のう
    ちの少なくとも一部は前記画像信号線と同一材料からな
    り、同時に形成されてなることを特徴とする電気光学装
    置の駆動回路。
  8. 【請求項８】 ブロック内のサンプリングスイッチに接
    続されたサンプリング制御信号線の第１及び第２配線は
    前記中継配線の間隙に沿って延設されてなることを特徴
    とする請求項５に記載の電気光学装置の駆動回路。
  9. 【請求項９】 複数のデータ線と、複数の走査線と、前
    記各データ線と前記各走査線に接続されたスイッチング
    素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と
    を有する電気光学装置の駆動回路であって、 画像信号を供給する複数の画像信号線と、 前記複数の画像信号線に供給される画像信号をサンプリ
    ングして前記各データ線に供給するサンプリングスイッ
    チと、 前記画像信号線と前記サンプリングスイッチとを接続す
    る中継配線と、 ｎ個（ｎは２以上の自然数）のブロック毎に複数のサン
    プリングスイッチに共通にサンプリング制御信号を供給
    するサンプリング制御信号線とを具備し、 ブロック毎に共通にサンプリング制御信号が供給される
    サンプリング制御信号線は前記画像信号線を交差する前
    の第１配線と、前記第１配線に接続されて前記画像信号
    線を交差する複数の第２配線と、前記複数の第２配線に
    接続されて夫々に延設された第３配線と、複数の第３配
    線からｎ個に分岐してブロック内の複数のサンプリング
    スイッチに接続するための第４配線とを有し、前記第１
    配線あるいは第３配線中にはバッファ回路が設けられて
    なり、 前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも
    一部は前記第２配線よりも低抵抗な材料で形成されてな
    ることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
  10. 【請求項１０】前記第１配線と第３配線と接続配線のう
    ちの少なくとも一部は前記複数の画像信号線と同一材料
    で同時に形成されてなることを特徴とする請求項９に記
    載の電気光学装置の駆動回路。
  11. 【請求項１１】 １つの前記サンプリングスイッチに対
    して１つのバッファ回路を設けたことを特徴とする請求
    項９又は請求項１０に記載の電気光学装置の駆動回路。
  12. 【請求項１２】 複数の前記サンプリングスイッチに対
    して１つのバッファ回路を設け、前記バッファ回路の出
    力経路を前記複数のサンプリングスイッチに向けてさら
    に分岐させたことを特徴とする請求項９又は請求項１０
    に記載の電気光学装置の駆動回路。
  13. 【請求項１３】 前記サンプリングスイッチは相補型薄
    膜トランジスタからなることを特徴とする請求項１乃至
    請求項１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動
    回路。
  14. 【請求項１４】 請求項１乃至請求項１３のいずれか一
    項に記載の電気光学装置の駆動回路を備えた電気光学装
    置。
  15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の電気光学装置を備
    えたことを特徴とする電子機器。
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