JP3832495B2 - 電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、アクティブマトリクス型の電気光学装置等に用いられる駆動回路の構成に関する。詳しくは、複数のデータ線に同時に画像信号をサンプリングして同時書き込みを行う電気光学装置の低抵抗化技術に関する。

例えば、電気光学装置の一例としてアクティブマトリクス型の液晶装置では、一走査線に複数接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:以下ＴＦＴと称す。）等のスイッチング素子を介して、各画素の液晶層に画像信号を書き込む動作を、点順次駆動により実施している。

このようなアクティブマトリクス型の液晶装置では、上述の点順次駆動のために、データ線ごとに設けられたサンプリングスイッチを点順次駆動の速度で順次スイッチングさせ、画像信号をサンプリングする必要がある。このとき、サンプリングスイッチのスイッチング特性が入力画像信号の周波数に対して十分に追従できないという問題が生ずる。一般に駆動回路を画素の薄膜トランジスタと一緒に作り込む駆動回路内蔵の表示装置の場合は、外付けドライバを用いた表示装置の場合に比べてサンプリングスイッチの能力が低く、その問題がより顕著となる。また、多数の画素を有する高精細な表示装置の場合は、入力画像信号の周波数が高くなることから、上記問題がより顕著となる。

このため、シリアルな入力画像信号を例えば６つのパラレル信号に変換し、１画素あたりのデータ長を長くして、液晶装置に入力される信号周波数を低くする技術が開示されている。このシリアル−パラレル変換回路により、例えばサンプリングスイッチとしてＴＦＴを利用した場合、周波数特性が十分でなくても、１画素あたりのデータ長を長くして、解像度を高くできる。

図２０および図２１に示す液晶装置では、シフトレジスタ１０１の出力を受けるバッファ回路１０２には、それぞれ６つのサンプリングスイッチ６０が接続され、これら６つのサンプリングスイッチ６０を同時に切替可能に構成されている。そして、６つのサンプリングスイッチ６０を同時にオンさせることにより、６本のデータ線６にそれぞれ画像信号線３０５からシリアル−パラレル変換された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を同時に出力するようにしている。このような構成を採ることにより、サンプリングスイッチ６０によるサンプリングの間隔を長くすることができ、ＴＦＴをサンプリングスイッチ６０として使用することが容易となる。

しかしながら、液晶装置の構造上、バッファ回路１０２をサンプリングスイッチ６０に接近して配置することは困難であり、図２０に示すように、バッファ回路１０２からサンプリングスイッチ６０までのサンプリング制御信号線４０はある程度長くなるため、サンプリング制御信号線４０のインピーダンスは上昇しがちである。このため、サンプリング制御信号線４０に負荷される容量の増加（例えばサンプリングスイッチ６０を並列接続することによる寄生容量の増加等）とあいまってその時定数が大きくなる。したがってサンプリングスイッチ６０を安定してスイッチングさせることが困難となり、データ線６の電圧の変動要因となる。データ線６の電圧が変動すると、例えば表示画像にゴーストが発生するなどして画質を悪化させてしまう。

本発明は、複数のデータ線に同時に画像信号を出力することにより複数画素について同時書き込みを行う電気光学装置の画質を向上させることを目的とする。

本発明の電気光学装置の駆動回路は、上記課題を解決するため、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記各データ線と前記各走査線の交差に対応して設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に対応して設けられた画素電極とを具備する電気光学装置の駆動回路であって、前記電気光学装置の駆動回路は、画像信号を供給する複数の画像信号線と、前記複数の画像信号線に供給された画像信号をサンプリングして夫々のデータ線に供給する複数のサンプリングスイッチとを有し、前記複数のサンプリングスイッチは、ｎ個（ｎは２以上の自然数）毎にブロックに分けられ、前記ブロック毎にサンプリング制御信号線を介して共通にサンプリング制御信号が供給されてなり、且つ前記複数のサンプリングスイッチの夫々は中継配線を介して前記複数の画像信号線に接続されてなり、前記各サンプリング制御信号線は、前記ブロック毎にサンプリングスイッチの配列方向の両側に引き回されるように分岐した配線と、前記分岐した配線の分岐の根元を含まない部分において、前記分岐した配線を互いに接続する接続配線と、を介して前記サンプリングスイッチに接続されるとともに、前記配列方向の両側から共に同一の前記サンプリング制御信号を供給することを特徴とする。
また、前記接続配線は、前記分岐した配線において分岐の先端側において接続されていることを特徴とする。また、前記分岐した配線は二股に分岐していることを特徴とする。また、前記接続配線と前記ブロック内の各前記サンプリングスイッチとをそれぞれ接続する複数の配線を有することを特徴とする

本発明の電気光学装置の駆動回路によれば、サンプリング制御信号線はブロック毎にサンプリングスイッチの配列方向の両側からサンプリングスイッチに接続されるように引きまわされているため、サンプリング制御信号線の配列方向の一方の側から他方の側への伝搬においては信号遅延が生ずる場合でも、当該他方の側から同じ信号が供給されることになるので、サンプリング制御信号線において信号遅延を生じることなくブロック毎に同時にサンプリング制御信号を供給することができる。よって、サンプリングスイッチを安定して駆動することができる。このため、データ線の電圧が安定するので、ゴーストの発生等が抑制されて表示画像の画質を向上させることができる。

本発明の電気光学装置の駆動回路は、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記各データ線と前記各走査線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極とを具備する電気光学装置の駆動回路であって、 前記電気光学装置の駆動回路は、画像信号を供給する複数の画像信号線と、前記複数の画像信号線に供給される画像信号をサンプリングして夫々のデータ線に供給する複数のサンプリングスイッチとを有し、前記複数のサンプリングスイッチは、ｎ個（ｎは２以上の自然数）のブロック毎にサンプリング制御信号線を介して共通にサンプリング制御信号が供給されてなり、且つ前記複数のサンプリングスイッチの夫々は中継配線を介して前記複数の画像信号線に接続されてなり、ブロック毎に共通にサンプリング制御信号が供給されるサンプリング制御信号線は前記画像信号線を交差する前に分岐された第１配線と、前記第１配線に接続されて前記画像信号線を交差する複数の第２配線と、前記複数の第２配線に接続されて夫々に延設された第３配線と、複数の第３配線同士を互いに接続する接続配線と、前記接続配線からｎ個に分岐してブロック内の複数のサンプリングスイッチに接続するための複数の第４配線とを有することを特徴とする。

この態様によれば、サンプリングスイッチ同士は第２接続配線を介して互いに接続されるので、サンプリングスイッチ同士を低インピーダンスの配線で接続することができる。このため、各サンプリングスイッチに入力されるサンプリング制御信号の均一性を高めることができ、データ線ごとの表示のばらつきが抑制されて、表示画像の画質を向上させることができる。

本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様では、前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも一部は前記複数の画像信号線と同一材料で同時に形成されてなることを特徴とする。

この態様によれば、サンプリングスイッチ同士をさらに低インピーダンスの配線で接続することができる。このため、各サンプリングスイッチに入力されるサンプリング制御信号の均一性を一層高めることができ、データ線ごとの表示のばらつきが抑制されて、表示画像の画質を向上させることができる。

本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様では、前記複数の画像信号線は第２配線よりも低抵抗な金属からなるとともに、前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも一部は前記複数の画像信号線と同一材料で同時に形成されてなることを特徴とする。

この態様によれば、サンプリング制御信号線全体としての低インピーダンス化を推し進めることができるとともに、各サンプリングスイッチに入力されるサンプリング制御信号の均一性を高めることができる。このため、表示画像の画質を向上させることができる。

本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様は、ブロック内のサンプリングスイッチに接続されたサンプリング制御信号線の第１及び第２配線は前記中継配線の間隙に沿って延設されてなることを特徴とする。

本発明の電気光学装置の駆動回路は、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記各データ線と前記各走査線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極とを有する電気光学装置の駆動回路であって、画像信号を供給する複数の画像信号線と、前記複数の画像信号線に供給される画像信号をサンプリングして前記各データ線に供給するサンプリングスイッチと、前記画像信号線と前記サンプリングスイッチとを接続する中継配線と、ｎ個（ｎは２以上の自然数）のサンプリングスイッチからなるブロック毎に共通にサンプリング制御信号を供給するサンプリング制御信号線とを具備し、前記サンプリング制御信号線は、複数の画像信号線を交差する前の第１配線と、前記複数の画像信号線を交差する第２配線と、前記複数の画像信号線を交差した後に前記第２配線に延設された第３配線と、前記第３配線に接続されて前記ブロック内の中継配線を交差する接続配線と、前記接続配線からｎ個（ｎは２以上の自然数）に分岐してブロック内の複数のサンプリングスイッチに接続するための第４配線とを有し、前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも一部は前記第２配線よりも低抵抗な材料で形成されてなることを特徴とする。

本発明の電気光学装置の駆動回路によれば、画像信号線と交差する配線部分以外である第１配線、第３配線、接続配線のうちの少なくとも一部を低抵抗な材料で形成する。したがってサンプリング制御信号線の抵抗を低くすることができ、、各サンプリングスイッチを均一な条件下に置くことができ、データ線ごとの表示のばらつきが抑制されて、表示画像の画質を向上させることができる。

本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様は、前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも一部は前記画像信号線と同一材料であり、同時に形成されてなることを特徴とする。

本発明のかかる手段によれば、第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも一部は画像信号線と同一材料であり同時に形成されているため、工程を増やすことなく、サンプリング制御信号線の抵抗を下げることができる。

本発明の電気光学装置の駆動回路は、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記各データ線と前記各走査線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極とを有する電気光学装置の駆動回路であって、画像信号を供給する複数の画像信号線と、前記複数の画像信号線に供給される画像信号をサンプリングして前記各データ線に供給するサンプリングスイッチと、前記画像信号線と前記サンプリングスイッチとを接続する中継配線と、ｎ個（ｎは２以上の自然数）のブロック毎に複数のサンプリングスイッチに共通にサンプリング制御信号を供給するサンプリング制御信号線とを具備し、ブロック毎に共通にサンプリング制御信号が供給されるサンプリング制御信号線は前記画像信号線を交差する前の第１配線と、前記第１配線に接続されて前記画像信号線を交差する複数の第２配線と、前記複数の第２配線に接続されて夫々に延設された第３配線と、複数の第３配線からｎ個に分岐してブロック内の複数のサンプリングスイッチに接続するための第４配線とを有し、前記第１配線あるいは第３配線中にはサンプリング回路に夫々接続されるバッファ回路が設けられてなり、前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも一部は前記第２配線よりも低抵抗な材料で形成されてなる。

本発明の電気光学装置の駆動回路によれば、第１配線あるいは第３配線中にバッファ回路が設けられているので、サンプリング制御信号線を低インピーダンス駆動することができ、よってサンプリングスイッチを安定して駆動することができる。このため、データ線の電圧が安定するので、ゴーストの発生等が抑制されて表示画像の画質を向上させることができる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも一部は前記複数の画像信号線と同一材料で同時に形成されてなることを特徴とする。

この態様によれば、工程を増やすことなく、第１配線と第３配線と接続配線のうちの少なくとも一部を低抵抗にすることができるので、データ線に供給される電圧が安定にあり、ゴーストの発生等を抑制することができる。

本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様では、１つの前記サンプリングスイッチに対して１つの前記バッファ回路を設けることを特徴とする。

この態様によれば、１つのサンプリングスイッチを１つのインピーダンス変換器により駆動するので、サンプリングスイッチをきわめて低いインピーダンスで駆動することができる。よってサンプリングスイッチをより安定して駆動することができる。

本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様では、複数の前記サンプリングスイッチに対して１つの前記バッファ回路を設け、前記バッファ回路の出力経路を前記複数のサンプリングスイッチに向けてさらに分岐させた。

この態様によれば、複数のサンプリングスイッチについて１つのバッファ回路を設ければよいので、バッファ回路の個数を減らすことができる。

本発明の電気光学装置の駆動回路は、前記サンプリングスイッチは相補型薄膜トランジスタからなることを特徴とする。

本発明の電気光学装置によれば、サンプリングスイッチをＰチャネル型ＴＦＴおよびＮチャネル型ＴＦＴからなる相補型薄膜トランジスタで構成することにより、薄膜トランジスタの寄生容量に起因するデータ線の電圧シフトを緩和することができる。これにより、フリッカ等のない高表示品位の液晶装置を実現できる。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置の駆動回路を備える。

本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の駆動回路を備えているので、
サンプリングスイッチの駆動能力低下によるゴースト等の画質表示品位の劣化を防止し、高品位の画像表示が可能な液晶装置等の電気光学装置を実現できる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備える。

この態様によれば、高品位な画像が可能な電気光学装置を備えた電子機器を提供することができる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにする。

（第１実施形態）
（液晶装置の構成）
以下、図１〜図３を用いて、本発明による電気光学装置をアクティブマトリクス型の液晶装置に適用した第１実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の液晶装置用基板の等価回路図であり、図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成された液晶装置用基板の画素群の平面図である。図３は図２のＣ−Ｃ’断面図である。

図１において、本実施の形態による電気光学装置の画像表示領域ＤＡを構成する複数の画素は、画素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチング素子の一例であるＴＦＴ３０とがマトリクス状に複数形成されている。画像信号が供給されるデータ線６は当該ＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、相隣接する複数（本実施の形態では一例として６本とする）のデータ線６を一単位として、所定の画像信号線３０５に接続されている。また、ＴＦＴ３０のゲート電極には走査線３ａが電気的に接続されている。走査線駆動回路１０４は外部制御回路から供給される電源、基準クロックＣＬＹ及びその反転信号ＣＬＹＢ、スタート信号ＤＹに基づいて所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを順次印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレイン電極に電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６に供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。

図１に示すように、画像表示領域ＤＡに隣接した基板上の領域には、サンプリングスイッチ６０が形成され、データ線６は、それぞれサンプリングスイッチ６０の一方の電極に接続されている。

データ線駆動回路２０１はシフトレジスタ１０１とバッファ回路１０２とからなり、外部制御回路から供給される電源、基準クロックＣＬＸ、及びその反転信号ＣＬＸＢ、スタート信号ＤＹに基づいて出力された信号をバッファ回路１０２を介してサンプリングスイッチ６０にサンプリング制御信号として出力する。

画像信号線３０５にはシリアルデータをパラレルに変換したシリアル−パラレル変換信号が画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６としてそれぞれ供給される。即ち、画像信号線３０５には、順次６画素分の画像信号がパラレルに出力される。通常、このようなシリアル−パラレル変換処理は、液晶装置に外付けされたＩＣにおいて実行される。

サンプリングスイッチ６０のもう一方の電極は、画像信号線３０５から延設された中継配線８０に順次接続され、これによりデータ線６は、サンプリングスイッチ６０を介して画像信号線３０５に接続される。すなわち、第１番目のデータ線６にはサンプリングスイッチ６０を介して画像信号ＶＩＤ１が、第２番目のデータ線６にはサンプリングスイッチ６０を介して画像信号ＶＩＤ２がそれぞれ供給され、同様にして第３〜第６番目のデータ線６には、それぞれサンプリングスイッチ６０を介して画像信号線３０５がそれぞれ供給される。以下同様にして、データ線６はサンプリングスイッチ６０を介して、６本ずつ繰り返し画像信号線３０５に接続される。

このように、（６Ｎ＋１番目）のデータ線６には画像信号ＶＩＤ１が、（６Ｎ＋２番目）のデータ線６には画像信号ＶＩＤ２が、（６Ｎ＋３番目）のデータ線６には画像信号ＶＩＤ３が、（６Ｎ＋４番目）のデータ線６には画像信号ＶＩＤ４が、（６Ｎ＋５番目）のデータ線６には第５番目の画像信号ＶＩＤ５が、（６Ｎ＋６番目）のデータ線６には第６番目の画像信号ＶＩＤ６が、それぞれサンプリングスイッチ６０を介して供給される。ただし、「Ｎ」は０以上の整数である（以下、同様）。尚、上述のように複数画素を同時にサンプリング駆動を行なう場合、一単位として６本に限られるものではない。例えば、パーソナルコンピュータのモニターに用いられるアクティブマトリクス型の液晶装置では、ＸＧＡ規格のように高精細化された場合には１２本のデータ線を一単位として同時サンプリング駆動を行なうこともできる。或いは、６本ではなく、１８本、２４本を一単位として同時サンプリング駆動を行なうことも可能である。

図１に示すように、シフトレジスタ回路１０１は多段にわたり接続された遅延型フリップフロップ等のラッチ回路１０１ａ、１０１ｂ，…を備え、ラッチ回路１０１ａ、１０１ｂ…の各段の出力側には、それぞれバッファ回路１０２（１０２ａ，１０２ｂ，…）が接続されている。

また、第１番目のバッファ回路１０２ａの出力端は第１〜６番目のサンプリングスイッチ６０のゲート電極に、第２番目のバッファ回路１０２ｂの出力端は第７〜第１２番目のサンプリングスイッチ６０のゲート電極に、それぞれ接続される。以下同様にして、第（Ｎ＋１）番目のバッファ回路１０２の出力端は第（６Ｎ＋１）〜（６Ｎ＋６）番目のサンプリングスイッチにそれぞれ接続される。

（画素領域の構成）
次に上述の等価回路により構成された液晶装置用基板の画素の構成について、図２及び図３を参照して説明する。

図２は、データ線、走査線、画素電極が形成された液晶装置用基板１０の隣接した画素群の平面図である。図３は、図２のＣ−Ｃ’断面図である。

図２及び図３において、各画素は、マトリクス状に複数の透明な画素電極９と各画素電極９に接続されたスイッチング素子の一例である画素スイッチング用ＴＦＴ３０とにより構成されている。画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられており、データ線６を構成する第１導電層は、アルミニウム、クロム等の金属からなり、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５ａを介してＴＦＴ３０のアモルファスシリコン膜やポリシリコン膜等からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域１ｄに電気的接続されている。画素電極９は、第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール８を介して薄膜トランジスタ３０の半導体層１ａのうち後述のドレイン領域１ｅに電気的接続されている。また、ゲート絶縁膜２を介して半導体層１ａのうちのチャネル形成用領域１ａ’（図２中右下りの斜線の領域）に対向するように走査線３ａ（ゲート電極）が配置されている。走査線３aを構成する第２導電層はアルミニウム、クロムのような金属で形成する場合もあるが、製造工程において６００℃以上の高温にさらされる場合はポリシリコンで形成する場合がある。蓄積容量は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１aから延設された第１蓄積容量電極１ｆを一方の電極とし、ゲート絶縁膜２と同時に形成された絶縁膜を誘電体膜とし、走査線３ａと同時に形成された容量線３ｂを他方の電極（第２蓄積容量電極）として構成されている。このような構成を採れば、薄膜で緻密なゲート絶縁膜２を誘電体とすることで、第１蓄積容量電極１ｆと第２蓄積容量電極３ｂの重なり面積が小さくても、十分な蓄積容量が得られるため、画素の高開口率化や微細化が容易に実現することができる。

画素電極９の上側には、図３に示すようにラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９は例えば、ＩＴＯ膜（Indium Tin Oxide膜）などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０や液晶のディスクリネーションが発生する領域を覆うように非光透過性の金属膜、金属合金膜、或いは黒色有機膜等により遮光膜２３を設けても良い。これにより、コントラスト比の高い画像表示を実現することができる。遮光膜２３は液晶装置用基板１０に設けるようにしても良い。このような構成を採れば、液晶装置用基板１０と対向基板２０を貼り合わせる際の精度を考慮する必要がないため、透過率のばらつかない液晶装置を安定して提供することができる。

上記の構成を有する液晶装置用基板１０と、対向基板２０との間には、液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９からの電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態を採る。

ここで、一般には、半導体層１ａのチャネル形成用領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ等を形成するアモルファスシリコン膜あるいはポリシリコン膜は、光が入射すると光電変換効果により光電流が発生してしまいＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化するが、第１実施形態では、走査線３ａを上側から覆うようにデータ線６がＡｌ（アルミニウム）等の遮光性の金属薄膜から形成されているので、少なくとも半導体層１ａのチャネル形成用領域１ａ’及びソース側ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１ｂ、ドレイン側ＬＤＤ領域１ｃへの投射光（即ち、図３で上側からの光）の入射を効果的に防ぐことが出来る。また、ＴＦＴ３０の下側に、層間絶縁膜を介して、少なくとも半導体層１ａのチャネル形成用領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃを覆うように遮光膜（図示せず）を設ければ戻り光（即ち、図３で下側からの光）の入射を効果的に防ぐことが出来る。

（サンプリングスイッチ領域の構成）
このように構成した液晶装置１００において、次に、サンプリングスイッチ６０の近傍のレイアウトについて図４及び図５を用いて説明する。

図４は、画像信号をサンプリングするサンプリングスイッチの平面図であり、図５は図４のＤ−Ｄ’断面図である。各種配線は、上述の図２及び図３で説明したように、ＴＦＴ３０を形成する膜とともに同時に形成すれば、工程数を増やすことなく形成することができる。

図４に示すように、画像信号線３０５には外部から供給される画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が供給される。

画像信号線３０５はアルミニウム等の比較的低抵抗な金属を含有する材料、例えばデータ線６と同一の第１導電層で同時に形成されている。中継配線８０は画像信号線３０５とサンプリングスイッチ６０の各ソース電極を互いに結線するために設けられており、画像信号線３０５を交差して延長されている。

中継配線８０は、図４に示されるように、コンタクトホール８４により画像信号線３０５と中継配線８０と接続されている。少なくとも画像信号線３０５と交差する第１中継部８２は第１導電層とは別層で形成する必要があるため、例えば上述の走査線３ａと同一層からなる第２導電層により形成され、また画像信号線３０５と交差しない第２中継部８１はできるだけ低抵抗にするために、例えば上述のデータ線６を形成するために用いた第１導電層により形成すると良い。第１中継部８１と第２中継部８２とはコンタクトホール８３を介して互いに接続され、また第２中継部８２と画像信号線３０５とはコンタクトホール８４を介して互いに接続されている。

なお、各中継配線８０の第２中継部８２の長さを一致させることにより、中継配線８０の抵抗値及び画像信号線３０５との重なり容量を揃えることができる。

各ブロック内のサンプリングスイッチ６０の各ゲート電極はサンプリング制御信号線４０を介してバッファ回路１０２に接続されている。

サンプリング制御信号線４０は、画像信号線３０５を交差する前に画像信号線の配線方向に延長されて「コ」の字型に分岐した第１配線４１と、第１配線４１から延在して画像信号線３０５に交差する複数の第２配線４２と、画像信号線３０５を交差した後に延長された第３配線４３と、複数の第３配線４３同士を互いに接続する接続配線４４と、接続配線４４からブロック内の各サンプリングスイッチ６０に接続されるように櫛型に延長された第４配線４５からなる。接続配線４４はブロック内のサンプリングスイッチ６０に接続されるすべての中継配線を平面的に交差し、ブロック内のサンプリングスイッチ６０の各ゲート電極に接続されるようにさらに第４配線４５により櫛型に延長されている。要するに、サンプリング制御信号線４０は、画像信号線３０５と交差するとともにブロック毎にサンプリングスイッチ６０の配列方向の両側からサンプリングスイッチ６０に接続されるように引き回されている。

サンプリング制御信号線４０は少なくとも画像信号線と交差する第２配線は画像信号線３０５を構成する第１導電層とは異なる層、例えば第２導電層で形成する。また、交差しない部分、例えば第１配線、第３配線は第１導電層と第２導電層との両方に平面的に重なるように形成し、コンタクトホール４６及び４７で互いに接続するようにすれば、第３配線を低抵抗化できるとともに冗長構造とすることができる。

図５は図４のＤ−Ｄ’線における断面を示す。図５に示すように、液晶装置用基板１０上に走査線３ａと同時に形成された第４配線４４が、その上層に第１層間絶縁膜４を介してデータ線と同時に形成された第２導電層からなる第２中継部８１が形成されており、その上には第２層間絶縁膜７が形成されている。

図４において斜線を付した領域は第１導電層を、白抜きの領域は第２導電層を示しているが、いずれも図５に示す共通の第１導電層、および共通の第２導電層から形成されている。図４において交差した第１導電層と第２導電層との間には第１層間絶縁膜４が形成されている。コンタクトホール４６，４７により第１絶縁膜４に開孔が形成され、これにより第１導電層と第２導電層とが互いに接続される（図３）。

上述のように図５に示す各層として、画像表示領域ＤＡのＴＦＴ３０、その他の構造を構成する層を用いることができる。その場合には同一層の成膜およびパターニングを同一工程で行うことができる。

次に、図１を用いて、画像表示領域ＤＡへの書き込み動作について説明する。

画像信号線３０５には６画素分ずつの画像信号が同時に出力される。そして、例えば１〜６番目の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がシリアル−パラレル変換信号として画像信号線３０５に同時に出力される期間にはラッチ回路１０１ａからサンプリング制御信号が出力される。次の７〜１２番目の画像信号が出力される期間にはラッチ回路１０１ｂからサンプリング制御信号が出力される。このように、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に６画素分ずつの新たなシリアル−パラレル信号が出力される度に、ラッチ回路１０１ａ、１０１ｂ，…から順次サンプリング制御信号が出力される。

ラッチ回路１０１から出力されたサンプリング制御信号が、バッファ回路１０２を介してサンプリングスイッチ６０のゲート電極に入力されると、当該サンプリングスイッチ６０がオンし、データ線６が順次画像信号線３０５に接続されて、所定の６画素分の画像信号がデータ線６に供給される。これにより、走査信号が出力される走査線３ａと、画像信号が供給される６本のデータ線６とによって選択された６つの画素について、同時に書き込みが行われる。このようにラッチ回路１０１からサンプリング制御信号が出力されるごとに、１本の走査線３ａに接続された６画素について、一度に書き込みを行うようにしている。

隣接する６個のサンプリングスイッチ６０をグループ（ブロック）化して順次オンさせることにより、１本の走査線３ａの全画素について書き込みが終了すると、次の走査線３ａが選択されて、同様に書き込み動作が実行される。すべての走査線についてこのような書き込み動作を繰り返すことにより、１フレームの画像を表示することができる。

なお、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されており、上記走査信号は走査駆動回路１０４から走査線３ａに出力される。

図４に示すように、第１実施形態では、バッファ回路１０２に接続されたサンプリング制御信号線４０を構成する第１配線４１は２経路に分岐されて、画像信号線を交差して延長され、しかも第３配線４３の一部は例えば、第１導電層と第２導電層の二重配線とされている。さらに、上記２経路に分岐された第３配線はサンプリングスイッチ６０に隣接した接続配線４４によって図１において左右方向に接続されている。このため、サンプリングスイッチ６０のゲート電極部分におけるインピーダンスの上昇が抑制される。また、サンプリングスイッチ６０のゲート電極同士は接続配線４４によって短距離で結ばれているので、サンプリングスイッチ６０のゲート電極部分のインピーダンスのばらつきが小さくなる。

以上のように、第１実施形態では、サンプリングスイッチ６０にサンプリング制御信号を供給するためのサンプリング制御信号線４０のインピーダンスを低く抑えることができるので、回路に形成される時定数が小さく、またそのばらつきも小さくなるので、サンプリングスイッチ６０をほぼ均一な動作条件によってスイッチングさせることができる。したがって、データ線６の電圧を適切に制御することができ、よって画素間の表示のばらつきが生じにくく、ゴースト等の発生のない良好な表示画像を得ることができる。

（第２実施形態）
以下、図６を用いて、本発明による電気光学装置の第２実施形態について説明する。第２実施形態は第１実施形態と同様な構成を有するものであり、異なる部分のみ説明する。

図５に示すように、第２実施形態では、サンプリング制御信号線４０のうちバッファ回路１０２に隣接した第１配線４１には第１導電層と第２導電層による二重配線となっており、第１配線４１の両端に設けられたコンタクトホール４８を介して第１導電層および第２導電層が互いに接続される。

このように第１配線４１の一部に二重配線を設けることにより、第１配線４１の抵抗値を下げ、サンプリング制御信号線４０全体としてさらに低インピーダンス化を図ることができる。

また、二重配線を構成する第１導電層は画像信号線３０５、データ線６と同じプロセスによって同時に形成されるので、第１実施形態と比較して、とくに製造工程が複雑化することはない。

（第３実施形態）
以下、図７を用いて、本発明による電気光学装置の第３実施形態について説明する。第３実施形態は、第１及び第２実施形態と同様な構成を有し、異なる構成についてのみ説明する。

図７に示すように、第３実施形態では第２実施形態における第３配線４３の一部を第１導電層に置き換えている。また、中継配線８０と接続配線４４との交差領域８８は第１層間絶縁膜４（図３）を介して絶縁されるようにするとともに、接続配線４４の一部は第２導電層に置き換えている。なお、第１導電層は接続配線４４から第２配線４２と第３配線４３との接続点であるコンタクトホール４６の位置まで延設されており、コンタクトホール４６とコンタクトホール４７との間は第1及び第２導電層の二重配線とされている。

第３実施形態では、サンプリング制御信号線４０に、他の電極との絶縁を確保できる範囲で可能な限り第１導電層、あるいは第１導電層と第２導電層の二重配線を用いた構成となっている。

このように、第１配線４１の一部を低抵抗の第２導電層に置き換えることにより、さらにサンプリング制御信号線４０全体としてのインピーダンスを低下させることができる。また、第２導電層はサンプリングスイッチ６０のゲート電極に近い位置に設けられており、各ゲート電極から引き出された第１導電層はコンタクトホール４９を介して第２導電層に最短距離で接続されている。このため、各ゲート電極は極めて低いインピーダンスの配線で互いに接続されることになるので、各サンプリングスイッチ６０がほぼ同一条件の下でスイッチングされることになり、６本のデータ線６に対する書き込みをより均一なものにできる。

また、第１導電層は画像信号線３０５等と同じプロセスによって同時に形成されるので、第１および第２実施形態と比較して、とくに製造工程が複雑化することはない。尚、本実施の形態では４経路に分離する構成であるが、これに限るものではない。サンプリングスイッチのブロック数が多くなれば分岐させる数を増やす場合もある。

（第４実施形態）
以下、図８および図９を用いて、本発明による電気光学装置の第４実施形態について説明する。第４実施形態は、第１実施形態と同様な構成を有し、異なる構成について説明する。図８は第４実施形態の電気光学装置のレイアウト図であり、図９は第４実施形態の等価回路図である。

図８に示すように、第４実施形態では、第１実施形態における２経路に分岐された第２配線４２に代えて、４経路に分岐された第２配線４２及び第２配線に接続された第３配線４３を備える。すなわち、この第２配線４２は中継配線８０に沿って４つに分岐され、中継配線８０の間隙に沿って延設されている。さらに、４つに分岐された第３配線４３は、第１実施形態のように第１導電層と第２導電層の２重配線としてもよい。また、第２実施形態のように、第１配線４１を第１導電層と第２導電層の２重配線としてコンタクトホール４８を介して互いに接続するようにしてもよい。このようにサンプリング制御信号線４０の少なくとも一部を二重配線とすることにより、更にサンプリング制御信号線４０を低抵抗にすることができる。

図８および図９に示すように、第４実施形態では、４経路に分岐された第２配線４２及び第３配線４３を介して、バッファ回路１０２の出力端子とサンプリングスイッチ６０のゲート電極とを接続しているので、第３実施形態と比較して、より一層サンプリング制御信号線４０の低インピーダンス化を図ることができる。尚、分岐させる数は４経路に限るものではない。

（第５実施形態）
以下、図１０〜図１２を用いて、本発明による電気光学装置の第５実施形態について説明する。第５実施形態は第４実施形態と同様な構成を有し、異なる構成についてのみ説明する。図１０は第５実施形態の電気光学装置のレイアウト図であり、図１１は第５実施形態の等価回路図であり、図１２は図１０のＸ−Ｘ’断面図である。

図１０に示すように、サンプリング制御信号線４０は、バッファ回路１０２の出力端子からサンプリングスイッチ６０に向けて形成された第１配線４１と、中継配線８０と平行に画像信号線３０５に交差された第２配線４２と、第２配線４２と接続されてさらに延設された第３配線４３と、画像信号線３０５と平行に延設された接続配線４４と、接続配線４４に接続されて櫛型に延設され各サンプリングスイッチ６０のゲート電極となる第４配線４５とからなる。すなわち、本実施形態では、第３実施形態と異なり、第１配線４１がバッファ回路１０２に接続された第１配線４１が分岐することなく、第２及び第３配線へと延びてさらに第３配線４３はブロック内のすべての中継配線８０を交差するように延設されたＬ字型で構成されている。

接続配線４４は第１導電層で形成されており、接続配線４４と第４配線４５とはコンタクトホール４９を介して接続されているとともに、中継配線８０と第１層間絶縁膜４を介して絶縁されている。また、第３配線４３は第１及び第２導電層からなり、コンタクトホール４６、４７を介して接続されている。

第５実施形態によれば、接続配線４４をデータ線と同時に形成した低抵抗な第１導電層で形成されている。また、サンプリングスイッチ６０の各ゲート電極が引き回しの短い第４配線４５と、抵抗値の低い接続配線４４とによって互いに接続されるため、各ゲート電極は極めて低いインピーダンスの配線で互いに接続されることになる。つまり、第５実施形態では、ブロック内のサンプリングスイッチの配列方向の一方側から他方側に接続配線４４が延設されているが、接続配線４４は抵抗値が低いため、各サンプリングスイッチ６０がほぼ同一条件下でスイッチされることになり、６本のデータ線に対する書き込みを均一なものにできる。

中継配線８０は、第１実施形態と同様に、少なくとも画像信号線３０５と交差する第１中継部８２は第１導電層とは別層で形成する必要があるため、例えば上述の走査線３ａと同一層からなる第２導電層により形成され、また画像信号線３０５と交差しない第２中継部８１はできるだけ低抵抗にするために、例えば上述のデータ線６を形成するために用いた第１導電層により形成すると良い。

第５実施形態では、サンプリングスイッチ６０の各ゲート電極から引き出された第４配線４５を抵抗の低い金属材料により互いに接続しているので、バッファ回路１０２から引き出される第２配線４２及び第３配線４３が一本であっても６本のデータ線６に対する書き込みを均一なものにでき、よって表示画像の画質を向上させることができる。尚、本実施形態では第１、第２、第３配線及び接続配線をＬ字型としたが、このような形状に限るものではなく、１つのブロック内の画像信号線に交差する複数の中継配線８０の間に形成しても同様な効果が得られる。

（第５実施形態の変形例）
第５実施形態の変形例を図１３を参照して説明する。図１３は第５実施形態の変形例の電気光学装置のレイアウト図である。尚、第５実施形態と異なる点のみ説明し、共通な構成についてはその説明を省略する。

本変形例のサンプリングスイッチ６０はＰチャネル型ＴＦＴ６０’とＮチャネル型ＴＦＴ６０’’との相補型のトランジスタからなり、図１３に示されるように各データ線６に接続されるＰチャネル型ＴＦＴ６０’とＮチャネル型ＴＦＴ６０’’が並列に形成されている。サンプリングスイッチ６０をＰチャネル型ＴＦＴ６０’およびＮチャネル型ＴＦＴ６０’’からなる相補型ＴＦＴで構成することにより、ＴＦＴの寄生容量に起因するデータ線６の電圧シフトを緩和することができる。これにより、フリッカ等のない高表示品位の液晶装置を実現できる。

Ｐチャネル型ＴＦＴ６０’とＮチャネル型ＴＦＴ６０’’のゲート電極はそれぞれ中継配線８０を挟んで両側に並列に設けられており、さらに各ゲート電極４５、４５’の外側にＰチャネル型ＴＦＴ６０’とＮチャネル型ＴＦＴ６０’’の夫々のドレイン電極が設けられ、２つのドレイン電極はデータ線６として共通接続されて画像表示領域に延設されている。このような構成において、サンプリング制御信号線４０、４０’は、バッファ回路１０２の出力端子からサンプリングスイッチ６０に向けてブロック内のサンプリングスイッチ６０の配列方向の一方側と他方側に形成された第１配線４１、４１’と、第１配線４１、４１’の夫々に接続されて画像信号線３０５を交差する第２配線４２、４２’と、第２配線４２、４２’の夫々に接続されてさらに延設された第３配線４３、４３’と、第３配線４３、４３’に夫々接続されて画像信号線３０５と平行にサンプリングスイッチ６０の配列方向の一方側から他方側に延設された接続配線４４と、サンプリングスイッチ６０の配列方向の他方側から一方側に延設された接続配線４４’と、接続配線４４、４４’に接続されて夫々櫛型に延設されてＰチャネル型ＴＦＴ６０’とＮチャネル型ＴＦＴ６０’’のそれぞれのゲート電極となる第４配線４５、４５’とからなる。すなわち、本実施形態では、第５実施形態と異なり、Ｐチャネル型ＴＦＴ６０’のサンプリング制御信号線がブロック内のサンプリングスイッチ６０の配列方向の一方側から他方側にＬ字型に延設され、Ｎチャネル型ＴＦＴ６０’’のサンプリング制御信号線がブロック内のサンプリングスイッチ６０の配列方向の他方側から一方側に逆Ｌ字型に延設されている。

接続配線４４、４４’は第５実施形態と同様に第１導電層で形成されており、接続配線４４、４４’と第４配線４５、４５’とはコンタクトホール４９、４９’を介して接続されているとともに、中継配線８０と第１層間絶縁膜４を介して絶縁されている。また、第３配線４３、４３’は第１及び第２導電層からなり、コンタクトホール４６と４７、４６’と４７’を介して接続されている。このように接続配線４４、４４’をデータ線と同時に形成した低抵抗な第１導電層で形成されている。また、サンプリングスイッチ６０の各ゲート電極が引き回しの短い第４配線４５と、抵抗値の低い接続配線４４とによって互いに接続されているため、各サンプリングスイッチのゲート電極は極めて低いインピーダンスの配線で互いに接続されることになる。従って、本変形例でも、ブロック内のサンプリングスイッチの配列方向の一方側から他方側に、そして他方側から一方側に接続配線４４、４４’が延設されているが、接続配線４４、４４’は抵抗値が低いため、各サンプリングスイッチ６０がほぼ同一条件下でスイッチされることになり、６本のデータ線に対する書き込みを均一なものにできる。また、サンプリングスイッチ６０を構成するＰチャネル型ＴＦＴ６０’とＮチャネル型ＴＦＴ６０’’のソース電極である中継配線８０が共通化されているため、並列にＴＦＴを設けているにもかかわらず、占有面積を少なくすることができる。

尚、本変形例でも第１、第２、第３配線及び接続配線をＬ字型、逆Ｌ字型としたが、このような形状に限るものではなく、１つのブロック内の画像信号線に交差する複数の中継配線８０の間に平行に形成しても同様な効果が得られる。
（第６実施形態）

以下、図１４および図１５を用いて、本発明による電気光学装置の第６実施形態について説明する。図１４は第６実施形態の電気光学装置のレイアウト図であり、図１５は第６実施形態の等価回路図である。

図１４および図１５に示すように、第６実施形態では各サンプリングスイッチ６０毎に第１バッファ回路１０２（第１〜第６実施形態のバッファ回路１０２）に接続された複数の第２バッファ回路１０３を設けており、第１バッファ回路１０２と第２バッファ回路１０３とを接続する６つの分岐配線を第１導電層で形成するとともにパラレルに６つの第２バッファ回路１０３に入力し、第２バッファ回路１０３の出力信号（サンプリング制御信号）が、第２及び第３配線４２、４３を介してサンプリングスイッチ６０のゲート電極に入力するようにしている。

図１４に示すように、第２バッファ回路１０３の出力端子に接続された第２配線４２及び第３配線４３は、画像信号線３０５に接続された中継配線８０と平行に設けられ、また、第２配線４２及び第３配線４３および中継配線８０は１配線ずつ交互に配置されている。

第３配線４３は、上述のように第１導電層及び第２導電層の２層構造にしてコンタクトホール４６、４７を介して接続すれば、さらに低抵抗化される。

第６実施形態では、サンプリングスイッチ６０毎に独立したバッファ回路１０２を用いているので、サンプリング制御信号線４０のインピーダンスを低くすることができる。このため、サンプリングスイッチ６０を安定してスイッチングさせることができ、よって表示画像の画質を向上させることができる。

（第７実施形態）
以下、図１６および図１７を用いて、本発明による電気光学装置の第７実施形態について説明する。第７実施形態は第６実施形態と同様な構成を有し、異なる点のみ説明する。図１６は第７実施形態の電気光学装置のレイアウト図であり、図１７は第７実施形態の等価回路図である。

第６実施形態では、サンプリングスイッチ６０毎に１つの第２バッファ回路１０３を設けているが、第６実施形態では隣接する２つのサンプリングスイッチ６０毎に１つずつ第２バッファ回路１０３を設けている。

図１６に示すように、第７実施形態では、隣接する２つのサンプリングスイッチ６０毎に第２バッファ回路１０３を１つずつ、すなわち１つのバッファ回路１０２に対して第２バッファ回路１０３を３つずつ設けており、第１バッファ回路１０２の出力信号をパラレルに３つの終段バッファ回路１０３に入力し、終段バッファ回路１０３の出力信号（サンプリング制御信号）を２つのサンプリングスイッチ６０のゲート電極に入力するようにしている。

図１６に示すように、サンプリング制御信号線４０は、第２バッファ回路１０３の出力端子からサンプリングスイッチ６０に向けて、中継配線８０と平行に交差された第２配線４２と、第２配線４２に接続されてさらに延設された第３配線４３と、画像信号線３０５と平行に延設された接続配線４４と、各サンプリングスイッチ６０の各ゲート電極から引き出され、接続配線４４と接続された第４配線４５とからなる。第２配線４２と第２配線に接続された第３配線４３の間隙には２本の中継配線８０が第２及び第３配線４２及び４３に平行に延設されている。

第１導電層は、コンタクトホール４６から接続配線４４まで延設されている。また、第３配線４３はコンタクトホール４６と４７の間は第１導電層と第２導電層の二重配線となっている。サンプリングスイッチ６０の各ゲート電極から引き出された第４配線４５はコンタクトホール４７を介して第１導電層からなる接続配線４４に接続されている。

第７実施形態では、２つのサンプリングスイッチ６０毎に独立した終段バッファ回路１０３を用いているので、サンプリング制御信号線４０のインピーダンスを低くすることができる。このため、サンプリングスイッチ６０を安定してスイッチングさせることができ、よって表示画像の画質を向上させることができる。また、第６実施形態に比較すれば終段バッファ回路の数を減らすことができる。

第７実施形態では、２つのサンプリングスイッチ６０毎に独立した終段バッファ回路１０３を設けているが、３つ以上のサンプリングスイッチに対して１つの終段バッファ回路を設けてもよい。

尚、上述の第１実施形態乃至第７実施形態で説明したサンプリング制御信号線と中継配線のそれぞれの一部は、低抵抗にするために、データ線と同一層からなる第１導電層と、走査線と同一層からなる第２導電層との二重配線となっているが、これらの第１及び第２導電層に限るものではない。例えば薄膜トランジスタのチャネル領域の下層に設ける低抵抗な導電層を二重配線の一部として利用することにより、工程を増やすことなく各配線を低抵抗にすることができる。

以下、図１８および図１９を用いて、本発明が適用されるアクティブマトリクス型の液晶装置の全体レイアウトについて説明する。

図１８において、液晶装置用基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、周辺見切りとしての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子１０８が液晶装置用基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路２０１を画像表示領域ＤＡの辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線６は画像表示領域ＤＡの一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線６は画像表示領域ＤＡの反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ線６を櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路２０１の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更に液晶装置用基板１０の残る一辺には、画像表示領域ＤＡの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、液晶装置用基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１９に示すように、図１８に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２により液晶装置用基板１０に固着され、内部に液晶１５０が封入される。

以上、図１〜図１９を参照して説明した各実施の形態における液晶装置の液晶装置用基板１０上には更に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。また、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路１０４を液晶装置用基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、液晶装置用基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及び液晶装置用基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（SuperＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（Double−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

上記実施の形態では、ＴＦＴを用いて各画素を駆動するようにしているが、ＴＦＴ以外の、例えば２端子型非線形素子等のアクティブ素子を用いることも可能であり、さらに液晶装置をパッシブマトリクス型の液晶装置として構成することも可能である。さらに、本発明は液晶装置以外のエレクトロルミネッセンス、あるいはプラズマディスプレイ等の電気光学装置の駆動回路についても、広く適用することができる。

（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置の一例として液晶装置１００を備えた電子機器の実施の形態について図２２から図２４を参照して説明する。

先ず図２２に、このように液晶装置１００を備えた電子機器の概略構成を示す。

図２２において、電子機器は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、シリアル−パラレル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成する液晶装置用基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。

次に図２３から図２４に、このように構成された電子機器の具体例を各々示す。

図２３において、電子機器の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４が液晶装置用基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶表示モジュールを３個用意し、各々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに各々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
図２４において、電子機器の他の例たるマルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００がトップカバーケース内に設けられており、更にＣＰＵ、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組み込まれた本体１２０４を備えている。

以上図２３から図２４を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが図２２に示した電子機器の例として挙げられる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、製造効率が高く高品位の画像表示が可能な液晶装置を備えた各種の電子機器を実現できる。

本発明による電気光学装置の第１実施形態を示す等価回路図。 本発明の電気光学装置の第１実施形態の画素群の平面図。 図２のＣ−Ｃ’の断面図。 図１の電気光学装置のレイアウトを示す図。 図１のＤ−Ｄ’線における断面図。 第２実施形態の電気光学装置のレイアウトを示す図。 第３実施形態の電気光学装置の構成を示す図。 第４実施形態の電気光学装置のレイアウトを示す図。 第４実施形態の電気光学装置の等価回路図。 第５実施形態の電気光学装置のレイアウトを示す図。 第５実施形態の電気光学装置の等価回路図。 図１０のＸ−Ｘ’線における断面図。 第５実施形態の変形例の電気光学装置のレイアウトを示す図。 第６実施形態の電気光学装置のレイアウトを示す図。 第６実施形態の電気光学装置の等価回路図。 第７実施形態の電気光学装置のレイアウトを示す図。 第７実施形態の電気光学装置の等価回路図。 アクティブマトリクス型の液晶装置全体のレイアウトを示す図。 図１８のＨ−Ｈ’線における断面図。 従来の液晶装置の構成を示す図。 従来の液晶装置の等価回路図。 本発明による電子機器の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。 電子機器の一例として液晶プロジェクタを示す断面図である。 電子機器の他の例としてパーソナルコンピュータを示す正面図である。

符号の説明

シフトレジスタ １０１
バッファ回路 １０２
走査線駆動回路 １０４
データ線駆動回路 ２０１
走査線 ３ａ
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０
画像信号線 ３０５
サンプリング制御信号線 ４０
第１配線 ４１
第２配線 ４２
第３配線 ４３
接続配線 ４４
第４配線 ４５
データ線 ６
サンプリングスイッチ ６０
中継配線 ８０

Claims (6)

1. 複数のデータ線と、複数の走査線と、前記各データ線と前記各走査線の交差に対応して設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に対応して設けられた画素電極とを具備する電気光学装置の駆動回路であって、
   前記電気光学装置の駆動回路は、画像信号を供給する複数の画像信号線と、前記複数の
   画像信号線に供給された画像信号をサンプリングして夫々のデータ線に供給する複数のサ
   ンプリングスイッチとを有し、
   前記複数のサンプリングスイッチは、ｎ個（ｎは２以上の自然数）毎にブロックに分け
   られ、前記ブロック毎にサンプリング制御信号線を介して共通にサンプリング制御信号が
   供給されてなり、且つ前記複数のサンプリングスイッチの夫々は中継配線を介して前記複
   数の画像信号線に接続されてなり、
   前記各サンプリング制御信号線は、前記ブロック毎にサンプリングスイッチの配列方向
   の両側に引き回されるように分岐した配線と、前記分岐した配線の分岐の根元を含まない
   部分において、前記分岐した配線を互いに接続する接続配線と、を介して前記サンプリン
   グスイッチに接続されるとともに、前記配列方向の両側から共に同一の前記サンプリング
   制御信号を供給する
   ことを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
2. 前記接続配線は、前記分岐した配線において分岐の先端側において接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
3. 前記分岐した配線は二股に分岐していることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の駆動回路。
4. 前記接続配線と前記ブロック内の各前記サンプリングスイッチとをそれぞれ接続する複数の配線を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置の駆動回路。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置の駆動回路を備えた電気光学装置。
6. 請求項５に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
   

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