JP4088123B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、走査線やデータ線を構成する導電層とは異なる導電層を周辺回路に用いて、周辺回路を設計する際の自由度の向上等を図った電気光学装置およびその製造方法並びに当該電気光学装置を表示部に用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。このうち、例えば画素電極を三端子型のスイッチング素子により駆動するアクティブマトリクス型の液晶装置は、次のような構成となっている。すなわち、この種の液晶装置は、一対の基板のうち、一方の基板に、複数の走査線と複数のデータ線とが互いに交差するように設けられるとともに、これらの交差部分の各々には薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」と称する）に代表される三端子型スイッチング素子および画素電極の対が設けられる。ここで、ＴＦＴは、交差部分に対応する走査線に供給されている走査信号がアクティブレベルになるとオンして、対応するデータ線に印加されている画像信号を画素電極に供給するものである。また、他方の基板には、画素電極に対向する透明な対向電極が設けられる。
【０００３】
一方、これらの走査線やデータ線を駆動する駆動回路は、走査線駆動回路や、データ線駆動回路、サンプリング回路などから構成される。このうち、走査線駆動回路は、走査線に走査信号を所定タイミングで供給するものであり、また、データ線駆動回路は、サンプリング信号を所定タイミングで供給するものであり、さらに、サンプリング回路は、データ線毎に備えられるサンプリングスイッチによって、画像信号線を介して供給される画像信号を、サンプリング信号にしたがってサンプリングして対応するデータ線に供給するものである。
【０００４】
さらに、これら駆動回路自体を、一方の基板において画素電極が配列する領域（表示領域）の周辺に設けた周辺回路内蔵型の電気光学装置が開発されている。このタイプの電気光学装置においては、製造プロセスを効率化するなどの観点から、駆動回路を構成する能動素子が、画素電極に接続されたスイッチング素子と共通プロセスで形成される。例えば、上述した液晶装置において、駆動回路を構成する素子は、画素電極に接続されたスイッチング素子と同一プロセスによって形成されるＴＦＴである。このような周辺回路内蔵型の電気光学装置は、駆動回路を別途外付けするタイプの電気光学装置と比較して、装置全体の小型化やコスト低下を図る上で有利である。
【０００５】
ところで近年では、電気光学装置に限られず表示装置全般にあっては、例えばＸＧＡ（1024×768ドット）や、ＳＸＧＡ（1365×1024ドット）、ＵＸＧＡ（1600×1200ドット）などのように、高精細化の要請が高まっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高精細化と同時に装置の小型化を図ろうとすると、これに対応して走査線の配列ピッチやデータ線の配列ピッチを非常に狭くする技術が要求される。すなわち、走査線駆動回路は、走査線の各々に走査信号を供給するものであるから、走査線駆動回路を構成する単位回路（ラッチ回路）等は、走査線の配列ピッチ内に収まらなければならない。同様に、データ線駆動回路は、データ線毎に設けられるサンプリングスイッチに対して順番にサンプリング信号を供給するものであるから、データ線駆動回路を構成する単位回路等は、データ線の配列ピッチまたはその整数倍のピッチ内に収まらなければならない。このように、周辺回路内蔵型の電気光学装置において、高精細化・小型化を図ろうとすると、走査線駆動回路やデータ線駆動回路における単位回路等を、ごく限られたスペース内に収まるように形成しなければならないため、その設計が非常に困難になる、という問題があった。
【０００７】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、周辺回路における設計の自由度の向上等を図った電気光学装置およびその製造方法並びに当該電気光学装置を表示部に用いた電子機器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本件の発明に係る電気光学装置にあっては、表示領域内に、金属からなる複数のデータ線と、前記複数のデータ線と複数の走査線の交差に対応して設けられ前記データ線より抵抗の高いポリシリコンからなるゲート電極を有する複数の画素用トランジスタと、前記データ線と前記画素用トランジスタの前記ゲート電極との間の層に形成されたポリシリコンまたは高融点金属からなる中間導電膜と、前記画素用トランジスタの半導体層と前記中間導電膜を介して接続された画素電極とを有し、表示領域外に、前記複数のデータ線毎に設けられたトランジスタでなるプリチャージングスイッチと、前記プリチャージングスイッチのトランジスタのゲート電極に接続され、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成されたプリチャージ制御線と、前記プリチャージングスイッチのトランジスタに接続され、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成されたプリチャージ電圧信号線とを備え、前記プリチャージ制御線と前記プリチャージ電圧信号線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内のゲート電極と同時にパターニングされて形成された第１の配線と、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第２の配線とが並列接続された並列配線を用いて交差することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る電気光学装置にあっては、前記表示領域外に、実装端子と前記表示領域内に配置される容量線との間を接続する、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された容量線を有し、前記表示領域外の容量線と前記プリチャージ制御線または前記プリチャージ電圧信号線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第３の配線を用いて交差するとよい。
【００１０】
また、本発明に係る電気光学装置にあっては、前記表示領域外に、前記複数のデータ線毎に設けられたトランジスタでなるサンプリングスイッチと、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された画像信号線と、前記サンプリングスイッチと前記画像信号線とを接続するための、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第４の配線とを備えるとよい。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学装置にあっては、前記表示領域外に、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された電源電圧配線とクロック信号配線とを有する走査線駆動回路とを備え、前記走査線駆動回路の電源電圧配線とクロック信号配線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第５の配線を用いて交差するとよい。
【００１２】
また、本発明に係る電気光学装置にあっては、前記表示領域外に、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された電源電圧配線とクロック信号配線とを有するデータ線駆動回路とを備え、前記データ線駆動回路の電源電圧配線とクロック信号配線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第６の配線を用いて交差するとよい。
【００１３】
また、本発明に係る電気光学装置にあっては、前記データ線駆動回路はイネーブル信号配線を有し、前記データ線駆動回路の電源電圧配線と前記イネーブル信号配線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第７の配線を用いて交差するとよい。
【００１８】
また、本件の参考発明に係る電気光学装置にあっては、複数の走査線および複数のデータ線と、前記走査線およびデータ線の交差部分に対応して設けられたスイッチング素子および画素電極の対と、前記スイッチング素子と、対応する画素電極との間を電気的に接続する中間導電膜と、前記中間導電膜を構成する導電層と同一層からなる配線を含み、前記スイッチング素子の各々を駆動するための周辺回路とを具備することを特徴としている。
【００１９】
この構成によれば、画素電極が配列する領域（表示領域）においては、スイッチング素子と画素電極との接続に中間導電膜が用いられるが、この中間導電膜と同一の導電層からなる配線が周辺回路においても用いられることになる。すなわち、表示領域において本来用いられる中間導電膜を、参考発明では、周辺回路の配線の一部としても用いるのである。このため、周辺回路においては、新規な配線層が増えたことになるので、その分、設計の自由度が向上することになる。
【００２０】
ここで、参考発明において、前記中間導電膜は、スイッチング素子の電極に対応して設けられた第１のコンタクトホールを介して電気的に接続される一方、前記画素電極は、第２のコンタクトホールを介して電気的に接続される構成が望ましい。この構成では、スイッチング素子の電極は、第１のコンタクトホールを介して中間導電膜に接続される一方、画素電極は、第２のコンタクトホールを介して中間導電膜に接続される。このため、中間導電膜は、画素電極をスイッチング素子の他端に接続する際に、バリア膜として機能するので、コンタクトホールが長距離にわたる場合に発生する不良を低減することが可能となる。
【００２１】
また、参考発明において、一端が前記画素電極に接続される一方、他端が共通接続される蓄積容量を、画素電極毎に備え、前記中間導電膜は、前記蓄積容量を構成する電極の一部をなす構成も望ましい。この構成によれば、画素電極における電圧保持特性が蓄積容量により改善されるが、この際、中間導電膜は、蓄積容量を構成する電極の一部として機能することになる。
【００２２】
さらに、参考発明において、前記中間導電膜は、遮光性を有するものであり、前記画素電極を透過または反射する光の一部が、当該中間導電膜によって規定されている構成としても良い。この構成によれば、光の透過または反射領域のうち、中間導電膜によって規定される部分では、少なくとも専用の遮光膜を省略することできるので、その分、構成の簡略化が可能となる。
【００２３】
また、本件の参考発明に係る電気光学装置にあっては、第１、第２および第３の導電層を、この順番で形成してなり、前記第３の導電層は、前記第１の導電層よりも低抵抗である電気光学装置であって、前記第１の導電層からなる複数の走査線と、前記第３の導電層からなり、前記複数の走査線に対して互いに交差するように形成された複数のデータ線と、前記走査線および前記データ線の交差部分に対応して設けられたスイッチング素子および画素電極の対と、第２の導電層からなり、前記スイッチング素子と対応する画素電極との間を電気的に接続する中間導電膜と、前記第１、第２および第３の導電層からなる配線をそれぞれ備え、前記スイッチング素子の各々を駆動するための周辺回路とを具備することを特徴としている。
【００２４】
この構成によれば、表示領域においては、スイッチング素子と画素電極との接続に中間導電膜が用いられるが、この中間導電膜と同一の第２の導電層からなる配線が、第１および第３の導電層からなる配線とともに周辺回路においても用いられることになる。すなわち、表示領域において本来用いられる中間導電膜を、本発明では、周辺回路において、配線の一部としても用いるのである。このため、周辺回路においては、１層分だけ新規な配線層が増えたことになるので、その分、設計の自由度が向上することになる。
【００２５】
ここで、参考発明において、前記中間導電膜は、スイッチング素子の電極に対応して設けられた第１のコンタクトホールを介して電気的に接続される一方、前記画素電極は、第２のコンタクトホールを介して電気的に接続される構成が望ましい。この構成では、スイッチング素子の電極は、第１のコンタクトホールを介して中間導電膜に接続される一方、画素電極は、第２のコンタクトホールを介して中間導電膜に接続される。このため、中間導電膜は、画素電極をスイッチング素子の他端に接続する際に、バリア膜として機能するので、コンタクトホールが長距離にわたる場合に発生する不良を低減することが可能となる。
【００２６】
ところで、参考発明において、第３の導電層は、第１の導電層よりも低抵抗であるので、配線の全部を第３の導電層により形成するのが望ましい。ただし、周辺回路には必ず配線の交差部分や分岐部分などが存在するので、配線の全部を第３の導電層により形成するのは不可能である。そこで、参考発明において、例えば高抵抗な第１の導電層からなる配線を用いなければならない場合に、前記周辺回路は、前記第１の導電層からなる配線と前記第２の導電層からなる配線とが電気的に並列に接続された並列配線を有する構成が望ましい。このように、第１の導電層からなる配線と第２の導電層からなる配線とが電気的に並列に接続された並列配線を用いると、第１または第２の導電層からなる配線を単独で用いる場合よりも、その配線抵抗を低く抑えることが可能となる。
【００２７】
このような並列配線を用いるべき部分としては、例えば、前記第３の導電層からなる配線から分岐する分岐配線であって、当該配線とは異なる配線と交差する部分が考えられる。このような分岐配線は、低抵抗である第３の導電層からなるべきであるが、第３の導電層からなる配線であって、当該配線とは別の配線と交差する部分は、同一の第３の導電層から形成することができないからである。
【００２８】
また、前記周辺回路が、前記第３の導電層からなり、ｈ（ｈは２以上の整数とする）本のデータ線に対応して画像信号を供給するｈ本の画像信号線と、前記データ線の各々に対応して設けられ、前記ｈ本の画像信号線に供給された画像信号のうち、対応するものを所定のサンプリング信号にしたがってサンプリングして、対応するデータ線に供給するサンプリングスイッチとを含む場合、並列配線を用いるべき部分として、前記画像信号線から分岐して前記サンプリングスイッチに至る配線の少なくとも一部が考えられる。このような配線は、画素電極に印加される画像信号を供給するものであるから、低抵抗である第３の導電層からなるべきであるが、他の画像信号線と交差するために、同一の第３の導電層から形成することができないからである。
【００２９】
さて、参考発明において、並列配線を形成する場合、前記並列配線のうち、前記第２の導電層からなる配線が、当該並列配線のうち、前記第１の導電層からなる配線をそれぞれ露出する第３および第４のコンタクトホールの間を導通し、前記第３の導電層からなる配線が、前記第３または第４のコンタクトホールに一致する位置に設けられて、前記第２の導電層からなる配線を露出する第５のコンタクトホールに電気的に接続されている第１の構成と、前記並列配線のうち、前記第２の導電層からなる配線が、当該並列配線のうち、前記第１の導電層からなる配線をそれぞれ露出する第３および第４のコンタクトホールの間を導通し、前記第３の導電層からなる配線が、前記第３および第４のコンタクトホールとは異なる位置に設けられて、前記第１の導電層からなる配線を露出する第６のコンタクトホールに電気的に接続されている第２の構成とが考えられる。ここで、第２の導電層に反りなどによる応力がかかっている場合に、第２の導電層からなる配線を露出させるようなコンタクトホールを設けると、クラックが発生してしまうことがあるが、第２の構成では、第２の導電層を露出させるコンタクトホールを設けないで済むので、クラックの発生に伴う不良の低減を図ることができる。
【００３０】
さらに、第１または第２の構成においては、前記並列配線のうち、前記第２の導電層からなる配線が、前記第３および第４のコンタクトホールの間に設けられた一または複数のコンタクトホールにおいても前記第１の導電層からなる配線と導通していることが望ましい。これにより、並列配線では、第３および第４のコンタクトホール以外のコンタクトホールにおいても、並列接続されることになる。
【００３１】
さて、参考発明において、前記周辺回路は、その一部の領域において前記第１、第２および第３の導電層からなる配線を備える構成としても良い。この構成によれば、同一領域において、異なる３層配線がレイアウトされるので、スペースの縮小化を図ることが可能となる。
【００３２】
また、参考発明において、一端が前記画素電極に接続される一方、他端が共通接続される蓄積容量を、画素電極毎に備え、前記中間導電膜は、前記蓄積容量を構成する電極の一部をなす構成が望ましい。この構成によれば、画素電極における電圧保持特性が蓄積容量により改善されるが、この際、中間導電膜は、蓄積容量を構成する電極の一部として機能することになる。
【００３３】
このような蓄積容量は、前記スイッチング素子の電極と前記第２の導電層からなる容量線とにより前記スイッチング素子のゲート酸化膜を挟持してなる第１の容量と、前記中間導電膜と前記容量線とにより層間絶縁膜を挟持してなる第２の容量とを含む構成が望ましい。この構成によれば、蓄積容量は、第１の容量と第２の容量とを含むことになるので、単一容量の構成と比較して、容量の増大を図ることが可能となる。
【００３４】
さて、参考発明において、第１の導電層は、ポリシリコンよりなることが望ましい。これは、走査線を金属薄膜や金属シリサイドから形成すると、その後の高温プロセスにおいて剥離が発生する等の不都合が起きるからである。
【００３５】
また、参考発明において、前記第３の導電層は、アルミニウムよりなることが望ましい。これにより第３の導電層の低抵抗化が容易となる。
【００３６】
くわえて、参考発明において、前記第２の導電層は、前記第３の導電層を構成する材料よりも高融点な材料からなることが望ましい。これは、第２の導電層を形成した後の高温プロセスにより、溶融や剥離を防止する必要があるからである。なお、このように高融点な材料としては、ポリシリコンのほか、Ti（チタン）、Cr（クロム）、W（タングステン）、Ta（タンタル）、Mo（モリブデン）又はPb（鉛）の単体若しくはこれらの合金、金属シリサイドなどが挙げられる。
【００３７】
また、本件の参考発明に係る電気光学装置にあっては、複数の走査線および複数のデータ線と、前記走査線およびデータ線の交差部分に対応して設けられたスイッチング素子および画素電極の対と、前記スイッチング素子と、対応する画素電極との間を電気的に接続する中間導電膜と、前記スイッチング素子の各々を駆動するための周辺回路と、前記周辺回路に接続され前記中間導電膜を構成する導電層と同一層からなる配線とを具備することを特徴とする。
【００３８】
参考発明では、周辺回路に接続される配線を、スイッチング素子と画素電極との接続に用いられる中間導電膜と同一の導電層で形成した。このため、新規な配線層として利用できるので、設計の自由度が向上する。
【００３９】
ここで、参考発明において、前記配線は、前記データ線を構成する導電層と同一層からなる画像信号線に対して下層で交差することを特徴とする。この構成では、画像信号線に対して交差する配線を、中間導電膜と同一の導電層を配線として利用できる。
【００４０】
また、前記画像信号線は、複数本の画像信号線が配設され、各画像信号線に対応して前記配線が接続され、各配線の大きさはほぼ同じであることを特徴とする。この構成では、画像信号に接続される各配線の抵抗値を等しくすることができ、各配線の抵抗差による画像信号のばらつきを防止し、良好な表示が可能になる。
【００４１】
また、参考発明において、前記データ線を構成する導電層と同一層からなる第１導電層と、前記データ線を構成する導電層と同一層からなり前記第１導電層と離れた位置に形成された第２導電層とを有し、前記スイッチング素子の半導体層と同一層からなる第３導電層は、コンタクトホールを介して前記第１導電層と前記第２導電層に対して電気的に接続されることを特徴とする。この構成によれば、スイッチング素子の半導体層と同一層からなる第３導電層をバイパスとして形成することができる。
【００４２】
また、参考発明において、前記配線は、前記第３導電層に対してコンタクトホールを介して電気的に接続されることを特徴とする。この構成によれば、配線と第３導電層が並列して接続されるので、配線を低抵抗にすることができる。
【００４３】
また、参考発明において、前記第３導電層は、ポリシリコンからなることを特徴とする。この構成によれば、配線を高融点金属などで形成しても、配線はポリシリコンの第３導電層に対してコンタクトホールを介して電気的に接続されるので、配線にクラックが生じることはない。第３導電層は、第１導電層と前記第２導電層に対してコンタクトホールを介して電気的に接続されるが、ポリシリコンで形成されているので、ポリシリコンにクラックが生じることはない。
【００４４】
また、参考発明において、前記配線と前記第３導電層とを電気的に接続するコンタクトホールは、少なくとも３つ有することを特徴とする。この構成によれば、配線と第３導電層との間で冗長配線を形成することができるので、配線や第３導電層にクラックなどが生じての、配線と第３導電層との間で短絡することを防止できる。
【００４５】
また、参考発明において、前記第１導電層と前記第２導電層の間に、前記データ線を構成する導電層と同一層からなる画像信号線が配置されていることを特徴とする。この構成によれば、データ線を構成する導電層と同一層からなる画像信号線が、第１導電層と第２導電層と干渉することなく配置することができる。
【００４６】
また、本件の電子機器は、上述した電気光学装置を備えるので、特に周辺回路の設計をする際の自由度が向上することになる。
【００４７】
また、本件の参考発明に係る電気光学装置の製造方法にあっては、複数の走査線と該複数の走査線との交差部分に対応してスイッチング素子および画素電極の対を備える電気光学装置の製造方法であって、前記走査線および前記データ線が交差すべき部分にスイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子に接続される中間導電膜と、前記スイッチング素子の各々を駆動するための周辺回路に用いる配線とを、それぞれ同一の導電層から形成する工程と、前記中間導電膜に接続される画素電極を形成する工程とを備えることを特徴としている。この製造方法によれば、周辺回路には、新規な配線層が増えたことになるので、その分、設計の自由度が向上することになる。
【００４８】
また、本件の参考発明に係る電気光学装置の製造方法にあっては、複数の走査線と該複数の走査線との交差部分に対応してスイッチング素子および画素電極の対を備える電気光学装置の製造方法であって、前記走査線と前記スイッチング素子の各々を駆動するための周辺回路に用いる配線とをそれぞれ第１の導電層から形成した後であって、かつ、前記走査線および前記データ線が交差すべき部分にスイッチング素子を形成した後に、前記スイッチング素子に接続される中間導電膜と前記周辺回路に用いる配線とをそれぞれ第２の導電層から形成する工程と、前記データ線と前記周辺回路に用いる配線とをそれぞれ第３の導電層から形成する工程と、前記中間導電膜に接続される画素電極を形成する工程とを備えることを特徴としている。この製造方法によれば、周辺回路には、１層分だけ新規な配線層が増えたことになるので、その分、設計の自由度が向上することになる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００５０】
＜電気光学装置の概略構成＞
まず、本実施形態に係る電気光学装置について説明する。この電気光学装置は、電気光学物質として液晶を用いて、その電気光学的な変化により所定の表示を行うものである。図１（ａ）は、この電気光学装置のうち、外部回路を除いた液晶パネル１００の構成を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断面図である。
【００５１】
これらの図に示されるように、液晶パネル１００は、各種素子や画素電極１１８等が形成された素子基板１０１と、対向電極１０８等が設けられた対向基板１０２とが、スペーサ（図示省略）を含むシール材１０４によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学物質として例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１０５が封入された構成となっている。
【００５２】
ここで、素子基板１０１には、ガラスや、半導体、石英などが用いられるが、対向基板１０２には、ガラスなどが用いられる。なお、素子基板１０１に不透明な基板が用いられる場合には、透過型ではなく反射型として用いられることとなる。また、シール材１０４は、対向基板１０２の周辺に沿って形成されるが、液晶１０５を封入するために一部が開口している。このため、液晶１０５の封入後に、その開口部分が封止材１０６によって封止されている。
【００５３】
次に、素子基板１０１の対向面であって、シール材１０４の外側一辺の領域１４０ａにおいては、後述するデータ線駆動回路が形成されて、サンプリング信号を出力する構成となっている。さらに、この一辺においてシール材１０４が形成される近傍の領域１５０ａには、画像信号線やサンプリング回路などを形成しても良い。一方、この一辺の外周部分には、複数の実装端子１０７が形成されて、外部回路（図示省略）から各種信号を入力する構成となっている。
【００５４】
また、この一辺に隣接する２辺の領域１３０ａには、それぞれ走査線駆動回路が形成されて、走査線を両側から駆動する構成となっている。なお、走査線に供給される走査信号の遅延が問題にならないのであれば、走査線駆動回路を片側１個だけに形成する構成でも良い。
【００５５】
そして、残りの一辺の領域１６０ａには、後述するプリチャージ回路が形成され、さらに、その外側には、２個の走査線駆動回路において共用される配線などを形成しても良い。
【００５６】
一方、対向基板１０２に設けられる対向電極１０８は、素子基板１０１との貼合部分における４隅のうち少なくとも一ヶ所において導通材により、素子基板１０１と電気的に接続される構成となっている。
【００５７】
ほかに、対向基板１０２には、特に図示はしないが、画素電極１１８と対向する領域に、必要に応じて着色層（カラーフィルタ）が設けられる。ただし、後述する複板式のプロジェクタのように色光変調の用途に適用する場合には、対向基板１０２に着色層を形成する必要はない。
【００５８】
なお、従来、対向基板１０２にあっては、着色層を設けると否かとにかかわらず、光のリークによるコントラスト比の低下を防止するために、画素電極１１８と対向する領域以外の部分に遮光膜が設けられていたが、本実施形態では、後述するように、素子基板１０１側において画素部での遮光領域が規定されるので、対向基板１０２に設けられていた遮光膜が省略されている。
【００５９】
また、素子基板１０１および対向基板１０２の対向面には、後述するように、液晶１０５における分子の長軸方向が両基板間で約９０度連続的に捻れるようにラビング処理された配向膜（図１では省略）が設けられる一方、その各背面側には配向方向に応じた偏光子（図示省略）がそれぞれ設けられる。なお、図１（ｂ）においては、対向電極１０８や、画素電極１１８、実装端子１０７等には厚みを持たせているが、これは、形成位置を示すための便宜的な措置であり、実際には、基板に対して充分に無視できるほど薄い。
【００６０】
＜電気的な構成＞
次に、上述した液晶パネル１００のうち、素子基板１０１の電気的な構成について説明する。図２は、この構成を示す概略図である。
【００６１】
この図に示されるように、素子基板１０１には、外部回路からの各種の信号を入力するために複数の実装端子１０７が設けられている。これらの実装端子１０７を介して入力される信号は、各種配線を介して各部に供給される構成となっている。そこで、これらの信号について簡単に説明することとする。
【００６２】
第１に、ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、図４に示されるように、ドットクロックＤＣＬＫに同期して供給される１系統の画像信号ＶＩＤを、６系統に分配するとともに時間軸に６倍に伸長したものであり、６本の画像信号線１２２を介してサンプリング回路１５０に供給される。
【００６３】
なお、この画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、外部回路によって、適宜、極性反転される。ここで、本実施形態における極性反転とは、対向電極１０８に印加される電圧ＬＣcomを基準として正極性と負極性とに交互に電圧レベルを反転させることをいうが、極性を反転するか否かについては、一般には、データ線への画像信号の印加方式が▲１▼走査線単位の極性反転であるか、▲２▼データ線単位の極性反転であるか、▲３▼画素単位の極性反転であるか、▲４▼フレーム単位の極性反転であるかに応じて定められ、その反転周期は、１水平走査期間、ドットクロックＤＣＬＫまたは１垂直走査期間の周期に設定される。ただし、本実施形態では、説明の便宜上、▲１▼走査線単位の極性反転である場合を例にとって説明するが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
【００６４】
第２に、ＶｓｓＹおよびＶｓｓＸは、それぞれ走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０における電源の低位側電圧（接地電位）である。また、ＶｄｄＹおよびＶｄｄＸは、それぞれ走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０における電源の高位側電圧である。これらのうち、電源の低位側電圧ＶｓｓＹは、後述する蓄積容量の接地電位となっているので、容量線１７５を介して各画素にも供給されている。
【００６５】
第３に、ＬＣcomは、対向電極１０８に印加される電圧信号である。このため、電圧信号ＬＣcomが供給される２つの電極１０９は、対向基板１０２との貼り合わせる際に用いられるシール材１０４（図１参照）の隅に相当する地点にそれぞれ設けられている。したがって、素子基板１０１が実際に対向基板１０２に貼り合わせられると、電極１０９と対向電極１０８とが導通材を介して接続されて、対向電極１０８に電圧信号ＬＣcomが印加される構成となる。なお、電圧信号ＬＣcomは、時間軸に対して一定の電圧であり、外部回路が、この電圧信号ＬＣcomを基準にして、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を、１水平走査期間毎に高位側および低位側に振り分けて、交流駆動を行う構成となっている。また、電極１０９が設けられる地点は、本実施形態においては２箇所であるが、この電極１０９が設けられる理由は、導通材を介して対向電極１０８に電圧信号ＬＣcomを印加するためであるから、電極１０９が設けられる地点は少なくとも１箇所であれば足りる。このため、電極１０９が設けられる地点は、１箇所でも良いし、３箇所以上であっても良い。
【００６６】
第４に、ＤＹは、図４に示されるように、１垂直有効走査期間の最初に供給される転送開始パルスであり、ＣＬＹは、走査線駆動回路１３０において用いられるクロック信号である。なお、ＣＬＹinvは、クロック信号ＣＬＹをレベル反転させた反転クロック信号である。
【００６７】
第５に、ＤＸは、図４に示されるように、１水平有効走査期間の最初に供給される転送開始パルスであり、ＣＬＸは、データ線駆動回路１４０において用いられるクロック信号である。なお、ＣＬＸinvは、クロック信号ＣＬＸをレベル反転させた反転クロック信号である。また、ＥＮＢ１、ＥＮＢ２は、後述するように、データ線駆動回路１４０におけるシフトレジスタの各出力信号を、所定のパルス幅に制限するために用いられるイネーブル信号である。くわえて、ＮＲＧは、プリチャージ制御信号であり、ＮＲＳは、プリチャージ電圧信号であるが、詳細については後述することとする。
【００６８】
さて、素子基板１０１の表示領域１００ａにあっては、複数本の走査線１１２が行（Ｙ）方向に沿って平行に配列し、また、複数本のデータ線１１４が列（Ｘ）方向に沿って平行に配列して、これらの各交差部分に対応して画素が設けられている。
【００６９】
詳細には、図３に示されるように、走査線１１２とデータ線１１４とが交差する部分においては、画素を制御するためのスイッチング素子たるＴＦＴ１１６のゲートが走査線１１２に接続される一方、ＴＦＴ１１６のソースがデータ線１１４に接続されるとともに、ＴＦＴ１１６のドレインが矩形状の透明な画素電極１１８に接続されている。
【００７０】
上述したように、液晶パネル１００では、素子基板１０１と対向基板１０２との電極形成面の間において液晶１０５が挟持されているので、各画素の液晶容量は、画素電極１１８と、対向電極１０８と、これら両電極間に挟持された液晶１０５とによって構成されることになる。ここで、説明の便宜上、走査線１１２の総本数を「ｍ」とし、データ線１１４の総本数を「６ｎ」とすると（ｍ、ｎは、それぞれ整数とする）、画素は、走査線１１２とデータ線１１４との各交差部分に対応して、ｍ行×６ｎ列でマトリクス状に配列することになる。
【００７１】
また、表示領域１００ａには、このほかに、液晶容量のリークを防止するための蓄積容量１１９が、画素毎に設けられている。この蓄積容量１１９の一端は、画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン）に接続される一方、その他端は、容量線１７５により共通接続されている。このため、蓄積容量１１９は、液晶容量とは電気的に並列となるので、液晶容量の保持特性が改善されて、高コントラスト比の表示が図られることとなる。なお、容量線１７５には、本実施形態では、電源の低位側電圧ＶｓｓＹが印加される構成であるが、ここには、時間的に一定の電圧が印加されれば良いので、電源の高位側電圧ＶｄｄＹや、電圧ＬＣcomなどが印加される構成であっても良い。また、蓄積容量１１９を含めた画素の詳細構成については、さらに後述することとする。
【００７２】
そこで、説明を再び図２に戻すと、走査線駆動回路１３０は、水平走査期間１Ｈ毎に順次アクティブレベルとなる走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、１垂直有効表示期間内に各走査線１１２に出力するものである。詳細な構成については本発明と直接関連しないので図示を省略するが、シフトレジスタと複数の論理積回路（あるいは否定論理積回路）とから構成される。このうち、シフトレジスタは、図４に示されるように、１垂直有効走査期間の最初に供給される転送開始パルスＤＹを、クロック信号ＣＬＹ（および反転クロック信号ＣＬＹinv）のレベルが遷移する毎に（立ち上がりおよび立ち下がりの双方で）、順次シフトして、信号Ｇ１’、Ｇ２’、Ｇ３’、…、Ｇｍ’として出力し、各論理積回路は、信号Ｇ１’、Ｇ２’、Ｇ３’、…、Ｇｍ’のうち、相隣接する信号同士の論理積信号を求めて、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｍとして出力するものである。
【００７３】
また、データ線駆動回路１４０は、順次アクティブレベルとなるサンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを１水平有効走査期間内に出力するものである。この詳細な構成についても本発明と直接関連しないので図示を省略するが、シフトレジスタと複数の論理積回路とから構成されている。このうち、シフトレジスタは、図４に示されるように、１水平有効走査期間の最初に供給される転送開始パルスＤＸを、クロック信号ＣＬＸ（および反転クロック信号ＣＬＸinv）のレベルが遷移する毎に順次シフトして、信号Ｓ１’、Ｓ２’、Ｓ３’、…、Ｓｎ’として出力し、各論理積回路は、信号Ｓ１’、Ｓ２’、Ｓ３’、…、Ｓｎ’のパルス幅を、イネーブル信号ＥＮＢ１またはＥＮＢ２を用いて、相隣接するもの同士が互いに重複しないように、期間ＳＭＰａに狭めてサンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎとして出力するものである。
【００７４】
続いて、サンプリング回路１５０は、データ線１１４毎に設けられるサンプリングスイッチ１５１から構成されている。一方、データ線１１４は６本毎にブロック化されており、図２において左から数えてｊ（ｊは、１、２、…、ｎ）番目のブロックに属するデータ線１１４の６本のうち、最も左に位置するデータ線１１４の一端に接続されるサンプリングスイッチ１５１は、画像信号線１２２を介して供給される画像信号ＶＩＤ１を、サンプリング信号Ｓｊがアクティブとなる期間においてサンプリングして、当該データ線１１４に供給する構成となっている。また、同じくｉ番目のブロックに属するデータ線１１４の６本のうち、２番目に位置するデータ線１１４の一端に接続されるサンプリングスイッチ１５１は、画像信号線１２２を介して供給される画像信号ＶＩＤ２を、サンプリング信号Ｓｊがアクティブとなる期間においてサンプリングして、当該データ線１１４に供給する構成となっている。
【００７５】
以下同様に、ｊ番目のブロックに属するデータ線１１４の６本のうち、３、４、５、６番目に位置するデータ線１１４の一端に接続されるサンプリングスイッチ１５１の各々は、画像信号線１２２を介して供給される画像信号ＶＩＤ３、ＶＩＤ４、ＶＩＤ５、ＶＩＤ６の各々を、サンプリング信号Ｓｊがアクティブとなる期間においてサンプリングして、対応するデータ線１１４に供給する構成となっている。すなわち、サンプリング信号Ｓｊがアクティブレベルとなると、ｉ番目のブロックに属する６本のデータ線１１４の各々には、それぞれ画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が同時にサンプリングされる構成となっている。
【００７６】
一方、表示領域１００ａを挟んで、データ線駆動回路１４０とは反対側の領域には、プリチャージ回路１６０が備えられる。このプリチャージ回路１６０は、データ線１１４毎に設けられたプリチャージングスイッチ１６１からなり、各プリチャージングスイッチ１６１は、プリチャージ制御線１６３を介して供給されるプリチャージ制御信号ＮＲＧがアクティブレベルとなった場合に、プリチャージ信号線１６５を介して供給されるプリチャージ電圧信号ＮＲＳを、対応するデータ線１１４にプリチャージする構成となっている。
【００７７】
ここで、プリチャージ制御信号ＮＲＧは、図５に示されるように、１水平帰線期間のうち、その時間的な前後端から隔絶された期間においてアクティブレベルとなる信号である。また、プリチャージ電圧信号ＮＲＳは、同図に示されるように、１水平走査期間１Ｈ毎に、電圧ＬＣcomを基準にして電圧Ｖg＋、Ｖg−でレベル反転する信号である。
【００７８】
一方、電圧ＬＣcomは、上述したように対向電極１０８に印加される時間的に一定の電圧であって、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の振幅中心電圧である。また、電圧Ｖg＋、Ｖg−は、電圧ＬＣcomに対する差電圧の実効値が互いに同一となる（絶対値が等しい）電圧であって、それぞれ電圧ＬＣcomよりも高位側電圧、低位側電圧である。ここで、本実施形態が電圧無印加状態で白色表示を行うノーマリーホワイトモードである場合に、正極側、負極側で黒色表示するために画素電極１１８に印加すべき電圧をＶb＋、Ｖb−とすると、電圧Ｖg＋は、電圧Ｖb＋と電圧ＬＣcomとの中間電圧に設定され、また、電圧Ｖg−は、電圧Ｖb−と電圧ＬＣcomとの中間電圧に設定される。すなわち、電圧Ｖg＋、電圧Ｖb−は、それぞれ正極側、負極側の書込における中間（灰色）電圧に相当するものである。
【００７９】
このような構成によるプリチャージ回路１６０によれば、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎが供給される１水平有効表示期間よりも前の１水平帰線期間において、各データ線１１４が、電圧Ｖg＋またはＶg−に、予めプリチャージされるので、その直後の１水平有効表示期間において、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がデータ線１１４にサンプリングされる際の負荷が低減されることとなる。
【００８０】
なお、これらの走査線駆動回路１３０や、データ線駆動回路１４０、サンプリング回路１５０、プリチャージ回路１６０などは、製造後に欠陥の有無を判別するための検査回路とともに、表示領域１００ａの周辺に形成されるので、周辺回路として呼称されるものである。ただし、検査回路については、本件とは直接関係しないので、その説明については省略することとする。
【００８１】
＜電気光学装置の動作＞
次に、上述した構成に係る電気光学装置の動作について説明する。ここでまず、走査信号Ｇ１がアクティブレベルとなる１水平走査期間１Ｈについて着目する。なお、この１水平走査期間では、説明の便宜上、正極側の書込を行うものとすると、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、対向電極１０８に印加される電圧ＬＣcomに対して高位側電圧となる。
【００８２】
またこれに先立って、プリチャージ制御信号ＮＲＧが、図５に示されるように、その帰線期間の前後端から隔絶された期間にてアクティブレベルとなる。この際、プリチャージ電圧信号ＮＲＳは、正極側の書込に対応して電圧Ｖg＋となる。このため、当該期間において、すべてのデータ線１１４が電圧Ｖg＋にプリチャージされることとなる。
【００８３】
次に、１水平帰線期間が終了して、１水平有効表示期間になると、その最初に転送開始パルスＤＸが、図４または図５に示されるように、データ線駆動回路１４０に供給される。この転送開始パルスＤＸは、クロック信号ＣＬＸのレベルが遷移する毎に順次シフトされた信号Ｓ１’、Ｓ２’、Ｓ３’、…、Ｓｎ’として出力される。そして、この信号Ｓ１’、Ｓ２’、Ｓ３’、…、Ｓｎ’の各パルス幅が、相隣接するもの同士が互いに重複しないように期間ＳＭＰａに狭められて、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎとして出力される。
【００８４】
一方、１系統の画像信号ＶＩＤは、外部回路によって、図４に示されるように、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に分配されるとともに、時間軸に対して６倍に伸長されて、液晶パネル１００に供給される。
【００８５】
ここで、走査信号Ｇ１がアクティブレベルとなる期間において、サンプリング信号Ｓ１がアクティブレベルとなると、図２において上から数えて１本目のＴＦＴ１１６がすべてオンになるとともに、左から１番目のブロックに属する６本のデータ線１１４に、それぞれ画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がサンプリングされる。そして、サンプリングされた画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、当該１本目の走査線１１２と当該６本のデータ線１１４と交差する画素のＴＦＴ１１６によって、それぞれ対応する画素電極１１８に印加されることとなる。
【００８６】
この後、サンプリング信号Ｓ２がアクティブレベルとなると、今度は、２番目のブロックに属する６本のデータ線１１４に、それぞれ画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がサンプリングされて、これらの画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、当該１本目の走査線１１２と当該６本のデータ線１１４と交差する画素のＴＦＴ１１６によって、それぞれ対応する画素電極１１８に印加されることとなる。
【００８７】
以下同様にして、サンプリング信号Ｓ３、Ｓ４、……、Ｓｎが順次アクティブレベルとなると、第３番目、第４番目、…、第ｎ番目のブロックに属する６本のデータ線１１４にそれぞれ画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がサンプリングされ、これらの画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、当該１本目の走査線１１２と、当該６本のデータ線１１４と交差する画素のＴＦＴ１１６によって、それぞれ対応する画素電極１１８に印加されることとなる。これにより、第１行目の画素のすべてに対する書込が完了することになる。
【００８８】
続いて、走査信号Ｇ２がアクティブとなる期間について説明する。本実施形態では、上述したように、走査線単位の極性反転が行われるので、この１水平走査期間においては、負極側の書込が行われることとなる。このため、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、対向電極１０８に印加される電圧ＬＣcomに対して低位側電圧となる。これに先だって、帰線期間におけるプリチャージ電圧信号ＮＲＳの電圧はＶg−となるので、プリチャージ制御信号ＮＲＧがアクティブレベルとなった場合に、すべてのデータ線１１４は、電圧Ｖg−にプリチャージされることとなる。
【００８９】
他の動作については同様であり、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎが順次アクティブレベルとなって、第２行目の画素のすべてに対する書込が完了することになる。
【００９０】
以下同様にして、走査信号Ｇ３、Ｇ４、…、Ｇｍがアクティブとなって、第３行目、第４行目、…、第ｍ行目の画素に対して書込が行われることとなる。これにより、奇数行目の画素については正極側の書込が行われる一方、偶数行目の画素については負極側の書込が行われて、この１垂直走査期間においては、第１行目〜第ｍ行目の画素のすべてにわたった書込が完了することになる。
【００９１】
そして、次の１垂直走査期間においても、同様な書込が行われるが、この際、各行の画素に対する書込極性が入れ換えられる。すなわち、次の１垂直走査期間において、奇数行目の画素については負極側の画素に対して書込が行われる一方、偶数行目の画素については正極側の書込が行われることとなる。
【００９２】
このように、１垂直走査期間毎に画素に対する書込極性が入れ換えられので、液晶１０５に直流成分が印加されることがなくなって、その劣化が防止されている。
【００９３】
また、このような駆動では、データ線１１４を１本毎に駆動する方式と比較すると、各サンプリングスイッチ１５１によって画像信号をサンプリングする時間が６倍となるので、各画素における書込み電時間が十分に確保される。このため、高コントラスト比が得られることになる。さらに、データ線駆動回路１４０におけるシフトレジスタの段数、および、クロック信号ＣＬＸの周波数が、それぞれ１／６に低減されるので、段数の低減化と併せて低消費電力化も図られることとなる。
【００９４】
さらに、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎのアクティブ期間は、クロック信号ＣＬＸの半周期よりも狭められて、期間ＳＭＰａに制限されているので、隣接するサンプリング信号同士のオーバーラップが事前に防止される。このため、あるブロックに属する６本のデータ線１１４にサンプリングされるべき画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、これに隣接するブロックに属する６本のデータ線１１４にも同時サンプリングされる事態が防止されて、高品位な表示が可能となっている。
【００９５】
＜画素の詳細構成＞
次に、画素の詳細について図６および図７を参照して説明する。図６は、画素部の詳細構成を示す平面図であり、図７（ａ）は、図６におけるＢ−Ｂ’線の断面図である。なお、図６において、最上導電層となる画素電極１１８については、説明理解のために、その輪郭だけを破線により示すことにする。
【００９６】
まず、図７（ａ）に示されるように、素子基板１０１の基材たる基板１０には、下地絶縁膜４０を介してポリシリコンからなる半導体層３０が設けられ、その表面は、熱酸化による絶縁膜３２で覆われている。
【００９７】
一方、図６に示されるように、データ線１１４はＹ方向に延在し、走査線１１２はＸ方向に延在している。また、容量線１７５は、走査線１１２と近接して平行に設けられているが、データ線１１４と交差する部分においては、データ線１１４と重なるように、前段側（図６において上側）に突出して形成されている。
【００９８】
ここで、半導体層３０は、データ線１１４および容量線１７５が交差する部分から、容量線１７５の延在方向（図６において右方向）、データ線１１４の下層における容量線１７５の突出方向（同、上方向）、および、その反対方向（同、下方向）の計３方向に延設して略Ｔ字状に、かつ、これらの配線で覆われるように形成されている。
【００９９】
さらに、半導体層３０のうち、走査線１１２と重なる部分がチャネル領域３０ａとなっている。換言すれば、走査線１１２のうち、半導体層３０と交差する部分がゲート電極１１６Ｇとして用いられている。なお、ゲート電極１１６Ｇを含む走査線１１２および容量線１７５は、後述するように例えばポリシリコン等から形成されている。
【０１００】
また、半導体層３０において、チャネル領域３０ａのソース側には、低濃度(翻訳はlightly dopedで表現する)ソース領域３０ｂ、高濃度(翻訳はheavily dopedで表現する)ソース領域１１６Ｓが設けられる一方、ドレイン側には、低濃度ドレイン領域３０ｃ、高濃度ドレイン領域１１６Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造となっている。
【０１０１】
このうち、高濃度ソース領域１１６Ｓは、絶縁膜３２、第１の層間絶縁膜４１および第２の層間絶縁膜４２を開孔するコンタクトホール５２によって、アルミニウム等からなるデータ線１１４に接続されている。
【０１０２】
一方、高濃度ドレイン領域１１６Ｄは、絶縁膜３２および第１の層間絶縁膜４１を開孔するコンタクトホール５１によって、高融点金属やポリシリコン等からなる中間導電膜１８１の一端に接続されている。一方、この中間導電膜１８１の他端は、第２の層間絶縁膜４２および第３の層間絶縁膜４３を開孔するコンタクトホール５３によって、画素電極１１８に接続されている。すなわち、画素電極１１８は、中間導電膜１８１を介して、ＴＦＴ１１６の高濃度ドレイン領域１１６Ｄに接続されている。
【０１０３】
ここで、画素電極１１８を高濃度ドレイン領域１１６Ｄに直接的に接続せずに、中間導電膜１８１を介して間接的に接続する構成としたのは、次のような理由による。すなわち、画素電極１１８は、液晶容量に電圧を印加するための電極であるから、液晶１０５に近い部分に形成され、反対に半導体層３０は遠い部分に形成される。さらに、半導体層３０と画素電極１１８との間には、本実施形態のようにＴＦＴ１１６がプレーナ型であれば、走査線１１２やデータ線１１４などの配線層が層間絶縁膜を介して積層されるので、半導体層３０と画素電極１１８との距離は必然的に大きくなる。このため、画素電極１１８を高濃度ドレイン領域１１６Ｄに直接的に接続する構成では、比較的深さのあるコンタクトホールを例えばドライエッチングにより形成しなければならない。ただし、このような深さのあるコンタクトホールを形成する際に、過剰にエッチングしてしまうと、半導体層３０を突き破ってしまう、という不具合が発生する。特に、半導体層３０と絶縁膜との選択比に大差がなく、さらには、半導体層３０の膜厚が、エッチングすべき絶縁膜の厚さに比べて極めて薄いという事情は、かかるコンタクトホールを設けることを、より困難にさせている。
【０１０４】
そこで、第１に、高濃度ドレイン領域１１６Ｄの対応位置にコンタクトホール５１を設けて、絶縁膜３２および第１の層間絶縁膜４１を開孔し、第２に、このコンタクトホール５１を介して電気的に接続される中間導電膜１８１を形成して、この中間導電膜１８１を高濃度ドレイン領域１１６Ｄのバリア膜として機能させているのである。これにより、画素電極１１８形成前にコンタクトホール５３を開孔する際に、中間導電膜１８１をエッチングストッパーとして用いることによって、過剰エッチングによる半導体層３０の突き破りを防止しているのである。
【０１０５】
さて、この中間導電膜１８１は、特に図６に示されるように、隣接するデータ線１１４の間において容量線１７５をほぼ覆うとともに、その一部が走査線１１２にかかっている（ただし電気的には絶縁されている）。さらに、画素電極１１８が形成されない領域は、Ｙ方向ではデータ線１１４で覆われ、Ｘ方向では走査線１１２および中間導電膜１８１で覆われている。ここで中間導電層１８１としてはポリシリコンでも良し、Ti（チタン）、Cr（クロム）、W（タングステン）、Ta（タンタル）、Mo（モリブデン）又はPb（鉛）の単体若しくはこれらの合金、金属シリサイドでも良い。したがって、画素部での遮光領域は、データ線１１４、走査線１１２および中間導電膜１８１により完全に規定されるので、対向基板１０２に別途設けられていた遮光膜を省略することが可能となる。くわえて、半導体層３０は、データ線１１４、走査線１１２、容量線１７５および中間導電膜で覆われているので、基板の上側からの光がＴＦＴ１１６に侵入するのが防止されることになる。また、半導体層３０の下側であって、基板１０および下地絶縁膜４０の間に遮光膜を形成しても良い。これにより、基板の下側からの光がＴＦＴ１１６に侵入することを防止することができるため、光照射によるＴＦＴ１１６の特性変化の防止が図られている。
【０１０６】
次に、蓄積容量１１９の詳細構成について、図６および図７（ａ）にくわえて、図７（ｂ）および同図（ｃ）をも参照して説明する。ここで、図７（ｂ）は、図６におけるＣ−Ｃ’線の断面図であり、図７（ｃ）は、蓄積容量１１９の等価回路を示す図である。
【０１０７】
まず、半導体層３０のうち、高濃度ドレイン領域１１６Ｄに隣接する領域３０ｆは、高濃度のドーピングにより低抵抗化されて、平面的には、容量線１７５の下層において略Ｌ字形状となっている。一方、中間導電膜１８１は、容量線１７５とは第１の層間絶縁膜４１を介して、かつ、上述したようにＸ方向において容量線１７５を覆うように形成されている。したがって、蓄積容量１１９は、図７（ｂ）または同図（ｃ）に示されるように、２つの容量を並列化したものとなる。詳細には、蓄積容量１１９は、領域３０ｆを一方の電極とし、容量線１７５を他方の電極として、半導体層３０の表面に形成された絶縁膜３２を挟持してなる第１の容量と、中間導電膜１８１を一方の電極とし、容量線１７５を他方の電極として、第１の層間絶縁膜４１を挟持してなる第２の容量との並列接続により構成されている。このため、蓄積容量１１９は、単一の容量からなる場合と比較して容量増加するので、液晶容量の保持特性が改善されて、表示の高品位化が図られることになる。
【０１０８】
なお、最上層（すなわち、液晶１０８と接する面）の全面には、ポリイミド等の有機膜からなる配向膜６１が形成されて、対向基板１０２との貼り合わせ前に、ラビング処理が施される。
【０１０９】
＜周辺回路の詳細構成＞
次に、周辺回路の詳細について、サンプリング回路１５０の一部領域と、走査線駆動回路１３０の一部領域とを例にとってそれぞれ説明する。なお、周辺回路を構成する能動素子や配線は、後の製造プロセスで詳述するように、表示領域におけるＴＦＴ１１６や、走査線１１２（および容量線１７５）、中間導電膜１８１、データ線１１４と共通プロセスで形成される。
【０１１０】
このうち、表示領域１０１ａにおいて、配線は、走査線１１２（および容量線１７５）、中間導電膜１８１、データ線１１４の順番で形成されるので、以下の説明では、周辺回路における配線のうち、走査線１１２を構成する導電層と同一層からなる配線を第１層の配線と呼称し、また、中間導電膜１８１を構成する導電層と同一層からなる配線を第２層の配線と呼称し、さらに、データ線１１４を構成する導電層と同一層からなる配線を第３層の配線と呼称することとする。なお、中間導電膜１８１を構成する導電層は、従来では周辺回路領域に用いられていなかったので、本実施形態における第３層の配線は、従来の電気光学装置における第２層の配線に相当することになる。
【０１１１】
このように、周辺回路において第１層から第３層までの３層分の配線を用いると、周辺回路を設計する際の自由度が、２層分の配線しか用いていなかった従来よりも、各段に向上する。さらに、第２層の配線を次に述べるように用いることによって、配線抵抗の低減化や、回路形成領域の縮小化を図ることが可能となる。
【０１１２】
＜サンプリング回路の近傍領域＞
そこでまず、サンプリング回路１５０の一部領域について、図８（ａ）および同図（ｂ）を参照して説明する。なお、ここでは、左からｊ番目のブロックに対応して出力されるサンプリング信号Ｓｊと、６本の画像信号線１２２から当該ブロックに属する６本のデータ線１１４に至るまでの経路との関係を中心にして説明することとする。なお、ｊは、図２の説明と同様にブロックを一般化して説明するためのものであって、本実施形態では「１」から「ｎ」までのいずれかの整数である。
【０１１３】
図８（ａ）は、この領域の詳細構成を示す平面図である。まず、データ線駆動回路１４０から出力されるサンプリング信号Ｓｊは、第３層の配線３９１、下層の配線１９１、第３層の配線３９３および６個の第１層の配線４１２という経路で供給される。ここで、各配線同士は、コンタクトホールを介して接続され、また、第１層の配線４１２は、そのままサンプリングスイッチ１５１を構成するＴＦＴのゲート電極となっている。
【０１１４】
一方、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６のうち、画像信号ＶＩＤ１は、次のような経路でサンプリングスイッチ１５１に供給されている。すなわち、画像信号ＶＩＤ１は、第３層からなる画像信号線１２２、下層の配線１９３、第３層の配線３９５、下層の配線１９５および第３層の配線３９７という経路を介して、サンプリングスイッチ１５１を構成するＴＦＴのソース領域に供給されている。他の画像信号ＶＩＤ２〜ＶＩＤ６についても同様な経路を介して、サンプリングスイッチ１５１を構成するＴＦＴのソース領域に供給されている。そして、各サンプリングスイッチ１５１を構成するＴＦＴのドレイン領域には、それぞれ第３層のデータ線１１４が接続されている。
【０１１５】
このようにサンプリング回路１５０の各種配線には原則として第３層の配線が用いられるが、この第３層の配線と交差する部分およびゲート電極として用いられる部分には例外として下層の配線が用いられている。
【０１１６】
ここで、図８（ａ）におけるＤ−Ｄ’線の断面構造について、図８（ｂ）を参照して説明する。この図に示されるように、画像信号ＶＩＤ１が供給される画像信号線１２２から分岐して、他の画像信号線１２２とは下層において交差する配線１９３は、第１層の配線１１２ｂと第２層の配線１８１ｂとが並列接続された並列配線となっている。詳細には、配線１８１ｂは、その両端において第１の層間絶縁膜４１を開孔するコンタクトホール５５１、５６１を介して配線１１２ｂと並列接続されている。さらに、画像信号ＶＩＤ１が供給される画像信号線１２２は、コンタクトホール５５１と同位置に設けられたコンタクトホール５５２を介して配線１８１ｂと接続される一方、配線３９５は、コンタクトホール５６１と同位置に設けられたコンタクトホール５６２を介して配線１８１ｂと接続されている。
【０１１７】
なお、画像信号ＶＩＤ１以外の他の画像信号ＶＩＤ２〜ＶＩＤ６が供給される画像信号線１２２から分岐する配線１９３についても、同様に第１層の配線１１２ｂと第２層の配線１８１ｂとが並列接続された並列配線となっている。さらに、画像信号線１２２から分岐・交差する配線１９３のほか、サンプリング信号Ｓｊが供給される配線３９３と交差するための配線１９５についても、同様に第１層の配線１１２ｃと第２層の配線１８１ｃとが並列接続された並列配線となっている。
【０１１８】
ここで、サンプリング回路１５０において、配線１９３、１９５に、第１層の配線と第２層の配線との並列配線を用いているのは、次の理由による。すなわち、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、画素電極１１８に最終的に印加されて表示状態を直接的に規定するアナログ信号であるので、その供給経路は、少しでも低抵抗であるのが望ましい。このため、画像信号線１２２についてはアルミニウムからなる第３層が用いられるが、ここから分岐する配線については、一部どうしても第３層以外の層を用いなければならない。このため、従来では、この部分には、走査線１１２を構成する導電層からなる配線、すなわち、第１層の配線が用いられていた。しかし、第１層は、上述したようにポリシリコン等であるので、第３層を構成するアルミニウム等と比較して、遙かに高抵抗である。このため、第１層の配線長がごくわずかであっても、その抵抗分による影響は無視できない程に大きい。
【０１１９】
そこで、本実施形態では、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の供給経路のうち、第３層以外の層からなる配線を用いなければならない部分には、本来、表示領域で用いられていた第２層を周辺回路領域においても用いるとともに、この第２層からなる配線と、第１層の配線とを並列接続しているのである。このため、当該部分の抵抗値は、単一層の配線からなる場合と比較して、約半分程度にまで低減されることになる。したがって、本実施形態では、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、供給経路における波形鈍化や電圧降下等が防止された上で、データ線１１４に供給されるので、良好な表示が可能となる。
【０１２０】
なお、画像信号線１２２から分岐する並列配線１９３は、図８（ａ）に示されるように、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６のそれぞれにわたって、略同一長・略同一幅となっている。これは、本実施形態では、配線１９３が第１層の配線１１２ｂと第２層の配線１８１ｂとの並列接続から構成されて、その配線抵抗が低減されてはいるものの、第３層の配線と比較すれば依然として大きいので、配線１９３の抵抗値が、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６のそれぞれにわたって互いに等しくするための措置である。
【０１２１】
また、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の供給経路から外れるが、サンプリング信号Ｓｊを画像信号線１２２と交差するために供給する配線１９１についても、同様に第１層の配線と第２層の配線との並列接続となっている。これは、サンプリング信号Ｓｊの波形鈍化等による遅延防止の観点から、サンプリング信号Ｓｊの供給経路についても、少しでも低抵抗であることが要請されているからである。
【０１２２】
このように、本実施形態において、サンプリング回路１５０の各種配線には、原則として低抵抗な第３層の配線が用いられる一方、第３層の配線と交差しなければならない部分には、第１層の配線と第２層の配線との並列配線が用いられている。ここで、周辺回路全体でみれば、このように並列配線を用いるべき部分は、サンプリング回路１５０における配線１９１、１９３、１９５のほかにも多数存在する。例えば、図２におけるプリチャージ制御線１６３は、各プリチャージングスイッチ１６１を構成するＴＦＴのゲート電極にそれぞれ分岐しなければならないが、分岐後、プリチャージ電圧信号線１６５と交差しなければならない部分が存在する。また、容量線１７５は、表示領域１００ａ内においては走査線１１２と同じ第１層の配線であるが、それ以外の領域においては、実装端子１０７から引き回して共通接続することとの関係上、第３層の配線で構成されなければならない。このような容量線１７５に対して、プリチャージ制御線１６３、プリチャージ電圧信号線１６５は、図２に示されるように交差しなければならない部分が存在する。さらに、走査線駆動回路１３０において、シフトレジスタを構成する単位回路には、電源電圧ＶｄｄＹ、ＶｓｓＹとともに、クロック信号ＣＬＹおよび反転クロック信号ＣＬＹinvを供給する必要がある。このため、クロック信号ＣＬＹおよび反転クロック信号ＣＬＹinvの基幹配線から分岐する配線については、少なくとも電源電圧ＶｄｄＹ、ＶｓｓＹが供給される配線と交差しなければならない部分が存在する。同様に、データ線駆動回路１４０において、シフトレジスタを構成する単位回路には、電源電圧ＶｄｄＸ、ＶｓｓＸとともに、クロック信号ＣＬＸおよび反転クロック信号ＣＬＸinvを、各論理積回路には、電源電圧ＶｄｄＸ、ＶｓｓＸとともに、イネーブル信号ＥＮＢ１、ＥＮＢ２を、それぞれ供給する必要がある。このため、クロック信号ＣＬＸおよび反転クロック信号ＣＬＸinvの基幹配線から分岐する配線と、イネーブル信号ＥＮＢ１、ＥＮＢ２の基幹配線から分岐する配線とについては、それぞれ、少なくとも電源電圧ＶｄｄＹ、ＶｓｓＹが供給される配線と交差しなければならない部分が存在する。そして、このように第３層の配線と交差しなければならない部分に、第１層の配線と第２層の配線とを並列接続した並列配線を用いることで、当該部分の低抵抗化を図ることが可能となる。
【０１２３】
＜走査線駆動回路の一部領域＞
続いて、走査線駆動回路１３０の一部領域について図９（ａ）および同図（ｂ）を参照して説明する。ここで、図９（ａ）は、走査線駆動回路１３０の一部領域の構成を示す平面図であり、同図（ｂ）は、その等価回路を示す図である。なお、図に示される領域は、走査線駆動回路１３０を構成するシフトレジスタのうち、転送開始パルスＤＹをクロック信号ＣＬＹおよび反転クロック信号ＣＬＹinvにしたがって転送するための回路を部分的に抜き出したものである。
【０１２４】
図９（ａ）に示されるように、走査線駆動回路１３０には、第１層、第２層、第３層の配線が用いられている。そして、この領域においても、原則として第３層の配線が用いられているが、例外として、第３層の配線と交差する部分およびゲート電極として用いられる部分には、第１層の配線が用いられ、また、一方のＴＦＴのソース電極から他方のＴＦＴのドレイン電極に至る配線の一部には、第２層の配線１８１ｄが用いられている。特に、領域１３２では、第１層の配線１１２ｄ、第２層の配線１８１ｄおよび第３層の配線１１４ｄが互いに層間絶縁膜（ここでは図示省略）を介し積層されて形成されている。
【０１２５】
ここで、走査線駆動回路１３０において、上述したサンプリング回路１５０とは異なり、第２層の配線１８１ｄを単独で用いるとともに、３層の配線を同一領域に形成しているのは、次の理由による。すなわち、データ線駆動回路１３０は、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、それぞれ６本のデータ線１１４毎に供給するので、データ線駆動回路１３０を構成するシフトレジスタの単位回路や論理積回路については、図８（ａ）におけるデータ線ピッチの６倍のピッチ内に収めれば済む。これに対し、走査線駆動回路１３０は、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをｍ本の走査線１１２の各々に対してそれぞれ供給しなければならないので、走査線駆動回路１４０を構成するシフトレジスタの単位回路や論理積回路については、図９（ａ）における走査線ピッチと等倍のピッチ内に収めなければならない。すなわち、走査線駆動回路１３０では、その単位回路や論理積回路を、データ線駆動回路１４０と比較して、より狭い領域内において形成しなければならない。ここで仮に、第２層の配線１８１ｄを用いないで、３つの配線を、第１層および第３層のみから形成する場合、１つの配線を第１層から、残りの２つの配線を第３層から、それぞれ形成しなければならないが、この場合、同一領域において、第３層の配線を２つ重ねて形成するのは不可能である。このため、異なる領域において、第３層の配線を並べて形成するほかないので、それだけ幅広の領域を必要とすることになる。したがって、このような構成では、走査線駆動回路１３０を構成する単位回路や論理積回路を、より狭い領域内において形成しなければならないという要請に反することになる。これに対し、本実施形態では、第２層の配線１８１ｄを単独で用いて、同一の領域１３２において第１層の配線１１２ｄ、第２層の配線１８１ｄおよび第３層の配線１１４ｄを、（層間絶縁膜を介して絶縁を図った上で）互いに重ねて形成することによって、回路形成に必要な領域の幅を小さくすることができることとなる。
【０１２６】
なお、走査線駆動回路１３０においては、回路形成に必要な領域の幅が狭いことを要求されない部分であって、第３層の配線と交差しなければならない部分には、第１層の配線と第２層の配線との並列配線を用いても良いのは、もちろんである。
【０１２７】
＜製造プロセス＞
次に、本実施形態に係る電気光学装置の製造プロセスについて、素子基板１０１の表示領域と周辺回路領域とを中心にして説明する。なお、ここいう周辺回路領域としては、図８（ｂ）において、ある１本の画像信号線１２２から分岐して、他の画像信号線１２２と交差する配線１９３の近傍領域を例示することとする。
【０１２８】
まず、図１０（１）に示されるように、例えば、石英基板や、ガラス基板、シリコン基板等の基板１０の表面に、下地絶縁膜４０を形成する。詳細には、下地絶縁膜４０は、例えば常圧法や減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）や、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス、または、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等から、約５０〜１５００ｎｍの厚さで、好ましくは約６００〜８００ｎｍ程度の厚さで形成される。
【０１２９】
引き続き、下地絶縁膜４０の上面全体に、例えば減圧ＣＶＤ法などによって、アモルファスシリコン層を約１００ｎｍの厚さで形成し、熱処理等により固相成長させることによってポリシリコン層を形成する。この際、Ｎチャネル型のＴＦＴを形成する場合には、Sb（アンチモン）や、As（砒素）、P（リン）などのＶ属元素の不純物を、わずかにイオン注入等によりドーピングする一方、Ｐチャネル型ＴＦＴを形成する場合には、Al（アルミニウム）や、B（ボロン）、Ga（ガリウム）などのIII属元素の不純物を、同様に、わずかにイオン注入等によりドーピングする。そして、同図（２）に示されるように、ポリシリコン層を、フォトリソグラフィやエッチング等によってパターニングして、表示領域におけるＴＦＴ１１６の半導体層３０を島状に形成する。なお、この際、周辺回路全体においては、走査線駆動回路１３０や、データ線駆動回路１４０、サンプリング回路１５０、プリチャージ回路１６０を構成するＴＦＴの半導体層についても同様に形成する。また、ＴＦＴ１１６の半導体層３０のうち、容量線１７５が形成される領域３０ｆについては、P（リン）などの不純物を高濃度でドーピングして、予め低抵抗化を図っておいても良い。
【０１３０】
さらに、図１０（３）に示されるように、半導体層３０の表面を熱酸化処理して、ゲート絶縁膜３２を当該半導体層３０の表面に形成する。この工程により、半導体層３０は最終的に約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜４５ｎｍの厚さとなる一方、ゲート絶縁膜３２は約６０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０ｎｍの厚さとなる。
【０１３１】
次に、ゲート絶縁膜３２および下地絶縁膜４０の上面に、ポリシリコン層を減圧ＣＶＤ法等により堆積する。そして、図１１（４）に示されるように、このポリシリコン層を、フォトリソグラフィやエッチング等によってパターニングして、表示領域にあってはＴＦＴ１１６のゲート電極を兼用する走査線１１２と、蓄積容量１１９において他方の電極をなす容量線１７５とを形成し、また、周辺回路領域にあっては並列配線１９３のうち一方の配線１１２ｂを形成する。すなわち、周辺回路全体では、ゲート電極を含めて第１層の配線を形成する。
【０１３２】
続いて、同図（５）に示されるように、半導体層３０に適切な不純物をドーピングする。詳細には、表示領域におけるＴＦＴ１１６をＮチャネル型とする場合、ソース・ドレイン領域のうち、チャネル領域３０ａに隣接する領域に対し、走査線１１２の一部であるゲート電極を拡散マスクとして、PなどのＶ族元素の不純物を低濃度でドーピングする。同時に、周辺回路全体におけるＮチャネル型ＴＦＴについても、同様に第１層の配線の一部であるゲート電極を拡散マスクとして、不純物を低濃度でドーピングする。続いて、ゲート電極よりも幅広のレジストを形成し、これをマスクとして、同じくPなどのＶ族元素の不純物を高濃度でドーピングする。これによりＮチャネル型ＴＦＴは、チャネル領域３０ａのソース側には、低濃度ソース領域３０ｂ、高濃度ソース領域１１６Ｓが設けられる一方、ドレイン側には、低濃度ドレイン領域３０ｃ、高濃度ドレイン領域１１６Ｄが設けられて、ＬＤＤ構造となる。なお、図示は省略するが、これらのＮチャネル型ＴＦＴの半導体層３０をレジストでマスクした後、周辺回路全体におけるＰチャネル型ＴＦＴについても同様に、チャネル領域に隣接する領域に対し、第１層の配線の一部であるゲート電極をマスクとして、例えばB（ボロン）などのIII族元素の不純物をドーピングして低濃度領域を形成し、引き続き、同ゲート電極よりも幅広のレジストをマスクとして、同じくBなどのIII族元素の不純物をドーピングして高濃度領域を形成する。また、各チャネル型ＴＦＴをＬＤＤ構造としないで、オフセット構造のＴＦＴとしても良く、また、単なるセルフアライン型（自己整合型）のＴＦＴとしても良い。
【０１３３】
次に、同図（６）に示されるように、走査線１１２や、第１層の配線１１２ｂ、半導体層３０、下地絶縁膜４０などを覆うように、第１の層間絶縁膜４１を、例えばＣＶＤ法等によって堆積する。なお、第１の層間絶縁膜４１の材質としては、下地絶縁膜４０と同様に、ＮＳＧや、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜や、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜などが挙げられる。
【０１３４】
さらに、図１２（７）に示されるように、表示領域にあってはコンタクトホール５１を、周辺回路領域にあっては第１層の配線１１２ｂと接続するためのコンタクトホール５５１、５６１を、それぞれドライエッチング等により形成する。詳細には、コンタクトホール５１は、ＴＦＴ１１６の高濃度ドレイン領域１１６Ｄに対応した位置において、第１の層間絶縁膜４１およびゲート絶縁膜３２を開孔するように形成される一方、コンタクトホール５５１、５６１は、第１層の配線１１２ｂの両端位置において、それぞれ第１の層間絶縁膜４１を開孔するように形成される。なお、周辺回路全体において、第１層の配線と第２層の配線との導通を図る場合には、この導通部分に対応して同様にコンタクトホール（図示省略）が形成される。
【０１３５】
次に、第１の層間絶縁膜４１の上に、高融点金属や金属シリサイドやあるいはポリシリコンなどからなる導電層を、スパッタリングなどによって約５０〜５００ｎｍの厚さで、好ましくは約２００ｎｍ程度の厚さで堆積する。導電層は高融点金属や金属シリサイドとポリシリコンを多層に形成しても良いことは言うまでもない。これにより導電層の応力緩和やコンタクトホールの低抵抗化を実現することができる。そして、この導電層を、同図（８）に示されるように、フォトリソグラフィやエッチング等によってパターニングして、表示領域にあっては、ＴＦＴ１１６の高濃度ドレイン領域１１６Ｄに接続される中間導電膜１８１として形成する一方、周辺回路領域にあっては、並列配線１９３のうち他方の配線１８１ｂを形成する。すなわち、周辺回路全体では、第２層の配線を形成する。
【０１３６】
続いて、同図（９）に示されるように、中間導電膜１８１や、第２層の配線１８ｂ、第１の層間絶縁膜４１を覆うように、第２の層間絶縁膜４２を、ＣＶＤ法等によって約５００〜１５００ｎｍの厚さに堆積する。なお、第２の層間絶縁膜４２の材質としては、下地絶縁膜４０や第１の層間絶縁膜４１と同様に、ＮＳＧや、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜や、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜などが挙げられる。
【０１３７】
次に、図１３（１０）に示されるように、表示領域にあってはコンタクトホール５２を、周辺回路領域にあっては第２層の配線１８１ｂと接続するためのコンタクトホール５５２、５６２を、それぞれ形成する。詳細には、コンタクトホール５２は、ＴＦＴ１１６の高濃度ソース領域１１６Ｓに対応した位置において、第２の層間絶縁膜４２、第１の層間絶縁膜４１およびゲート絶縁膜３２を開孔するように形成される一方、コンタクトホール５５２、５６２は、第２層の配線１８１ｂの両端位置において、それぞれ第２の層間絶縁膜４２を開孔するように形成される。なお、周辺回路全体において、第２層の配線と第３層の配線との導通を図る場合には、この導通部分に対応して同様にコンタクトホール（図示省略）が形成される。
【０１３８】
さらに、コンタクトホール５２、５５２、５６２が形成された第２の層間絶縁膜４２の上に、アルミニウムなどの低抵抗金属からなる導電膜を、スパッタリングなどによって、約５０〜５００ｎｍの厚さに堆積する。そして、この導電膜を、同図（１１）に示されるように、フォトリソグラフィやエッチング等によってパターニングして、表示領域にあってはＴＦＴ１１６のソース電極を兼用するデータ線１１４として形成する一方、周辺回路領域にあっては配線３９１や画像信号線１２２として形成する。すなわち、周辺回路全体では、第３層の配線を形成する。
【０１３９】
引き続き、同図（１２）に示されるように、データ線１１４や、画像信号線１２２等の第３層の配線を覆うように、第３の層間絶縁膜４３を、ＣＶＤ法等によって約５００〜１５００ｎｍの厚さに堆積する。なお、第３の層間絶縁膜４３の材質としては、下地絶縁膜４０や、第１の層間絶縁膜４１、第２の層間絶縁膜４２と同様に、ＮＳＧや、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜や、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜などが挙げられる。
【０１４０】
次に、図１４（１３）に示されるように、コンタクトホール５３を、中間導電膜１８１における所定の位置において、第３の層間絶縁膜４３および、第２の層間絶縁膜４２を開孔するように、ドライエッチング等により形成する。
【０１４１】
そして、コンタクトホール５３が形成された第３の層間絶縁膜４２の表面に、ＩＴＯなどの透明導電性膜を、スパッタリングなどによって約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積した後、フォトリソグラフィやエッチング等によって所定の形状（図５参照）にパターニングして、同図（１４）に示されるように、画素電極１１８を形成する。この後の工程については図示を省略するが、ポリイミドなどの有機溶液を、基板１０において対向面となる画素電極１１８および第３の層間絶縁膜４３の全面に塗布・焼成する。これにより、配向膜６１が形成されることとなる。なお、この配向膜６１には、所定の方向にラビング処理が施される。
【０１４２】
そして、このように形成された素子基板１０１は、それとは約９０度回転させた方向にラビング処理された対向基板１０２と、シール材１０４により貼り合わせられた後に、液晶１０５が封入・封止されて、図１に示されるような電気光学装置となる。
【０１４３】
なお、素子基板１０１においては、配向膜６１が全面にわたって形成されるが、液晶封止後ではプラズマ処理等により、周辺回路領域であって、対向基板１０２から張り出した部分に形成された配向膜が除去される。このため、周辺回路領域における最上層は、配向膜６１ではなく、第３の層間絶縁膜４３となる。
【０１４４】
このような製造方法によれば、表示領域において、ＴＦＴ１１６の高濃度ドレイン領域１１６Ｄに対するバリア膜として用いられていた中間導電膜１８１と同一層の導電膜を、周辺回路における第２層の配線として用いることが、特別なプロセスを追加することなく可能となる。さらに、３層分の配線を用いることによって、周辺回路の設計における自由度を各段に向上させることが可能となる。くわえて、第１層の配線とともに並列接続することで、当該配線の低抵抗化を図ることが可能となり、また、第２層の配線を、単独で用いることによって、同一領域において３層の配線を形成することが可能となる。
【０１４５】
＜応用例＞
なお、上述した実施形態において、第３層の配線が第１層の配線と第２層の配線との並列配線に接続される場合、当該第３層の配線は、第２層の配線に接続される構成となっていた。例えば、図８（ｂ）において、画像信号線１２２は、並列配線１９３のうち、第２層の配線１８１ｂに接続される構成となっていた。
【０１４６】
上述したように、第２層の導電層は、応力の発生しやすい（反りやすい）高融点金属等から構成する場合、このような高融点金属の配線１８１ｂに接続するためのコンタクトホール５５２、５６２を開孔すると、開孔に伴う応力集中によって第２の層間絶縁膜４２にクラック等が発生する可能性がある。また、コンタクトホール５５２、５６２によって、第２層の配線１８１ｂを露出させると、当該配線１８１ｂから不純物が発散して、不良化の原因にもなる。
【０１４７】
そこで、第３層の配線を第１層の配線１１２ｂと第２層の配線１８１ｂとの並列配線１９３の一端に接続する場合には、例えば図１５（ａ）に示されるように、第２層の配線１８１ｂを、若干内側のコンタクトホール５７１、５８１を介し第１の配線１１２ｂに接続して、並列配線１９３とするとともに、第３層の配線を、外側のコンタクトホール５７２または５８２を介して第１層の配線１１２ｂに接続する構成が望ましい、と考える。この構成では、第２の層間絶縁膜４２が形成された後においては、第２層の配線１８１ｂが露出することはない。このため、コンタクトホールの開孔に伴う応力集中が発生しないので、第２の層間絶縁膜４２におけるクラックが防止され、また、当該配線１８１ｂから不純物が発散することも防止されることになる。
【０１４８】
さらに、並列配線１９３は、第１の配線１１２ｂおよび第２の配線１８１ｂの両端においてのみ接続を図る構成であったが、図１５（ｂ）に示されるように、両端以外の１以上の地点にコンタクトホール５８、５９を設けて、この地点においても接続して、両配線の接続をより確実とする構成にしても良い。なお、このように第１の配線１１２ｂと第２の配線１８１ｂとの接続を、両端以外の１以上のコンタクトホールを介して図る構成においても、第３層の配線を、外側のコンタクトホールを介して第１層の配線１１２ｂに接続しても良い。
【０１４９】
＜その他＞
また、上述した実施形態にあっては、６本のデータ線１１４が１ブロックにまとめられて、１ブロックに属する６本のデータ線１１４に対して、６系統に変換された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を同時にサンプリングして供給する構成としたが、変換数および同時に印加するデータ線数（すなわち、１ブロックを構成するデータ線数）は、「６」に限られるものではない。例えば、サンプリング回路１５０におけるサンプリングスイッチ１５１の応答速度が十分に高いのであれば、画像信号をパラレルに変換することなく１本の画像信号線にシリアル伝送して、データ線１１４毎に点順次的にサンプリングするように構成しても良い。なお、このような構成では、データ線駆動回路１４０を構成するシフトレジスタや論理積回路を、データ線ピッチと等倍で形成しなければならないので、走査線駆動回路１３０と同様に、第２層の配線を単独で用いる必要があるかもしれない。
【０１５０】
また、変換および同時に印加するデータ線の数を「３」や、「１２」、「２４」等として、３本や、１２本、２４本等のデータ線に対して、３系統変換や、１２系統変換、２４系統変換等した画像信号を同時に供給する構成としても良い。なお、変換数および同時に印加するデータ線数としては、カラーの画像信号が３つの原色に係る信号からなることとの関係上、３の倍数であることが制御や回路などを簡易化する上で好ましい。ただし、後述するプロジェクタのように単なる光変調の用途の場合には、３の倍数であることを要しない。さらに、複数個のサンプリングスイッチを同時に制御するのではなく、パラレル変換された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を順次シフトして供給して、サンプリングスイッチ１５１を順番に制御する構成としても良い。
【０１５１】
また、上述した実施形態においては、上から下方向へ走査線１１２を走査する一方、左から右方向へブロックを選択する構成であったが、これとは逆方向で選択する構成でも良いし、用途に応じていずれかの方向を選択可能とする構成でも良い。
【０１５２】
さらに、上述した実施形態においては、素子基板１０１にプレーナ型のＴＦＴ１１６等が形成されていたが、本発明は、これに限られない。例えば、ＴＦＴ１１６をボトムゲート型で構成しても良い。また、素子基板１０１を半導体基板で構成するとともに、ここに、ＴＦＴ１１６に代えて電界効果型トランジスタを形成しても良い。さらに、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）の技術を適用し、サファイヤ、石英、ガラスなどの絶縁性基板にシリコン単結晶膜を形成して、ここに各種素子を作り込んで素子基板１０１としても良い。ただし、素子基板１０１が透明性を有しない場合、画素電極１１８をアルミニウムで形成したり、別途反射層を形成したりするなどして、液晶パネル１００を反射型として用いる必要がある。
【０１５３】
また、上述した実施形態では、液晶としてＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nematic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたゲストホスト型などの液晶を用いても良い。
【０１５４】
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このように、本発明では、液晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。
【０１５５】
くわえて、電気光学装置としては、液晶装置のほかに、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）や、プラズマ発光や電子放出による蛍光などを用いて、その電気光学効果により表示を行う種々の電気光学装置に適用可能である。この際、電気光学物質としては、ＥＬ、ミラーデバイス、ガス、蛍光体などとなる。なお、電気光学物質としてＥＬを用いる場合、素子基板１０１においてＥＬが画素電極１１８と透明導電膜の対向電極１０８との間に介在することになるので、対向基板１０２は不要となる。このように、本発明は、上述した構成と類似の構成を有する電気光学装置のすべてに適用可能である。
【０１５６】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器のいくつかについて説明する。
【０１５７】
＜その１：プロジェクタ＞
まず、上述した液晶パネル１００をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１６は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ２１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲＧＢの３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態に係る液晶パネル１００と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【０１５８】
さて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４によってカラー画像が投射されることとなる。
【０１５９】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像はダイクロイックミラー２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる表示像を、ライトバルブ１００Ｇによる表示像に対して左右反転させる構成となっている。
【０１６０】
＜その２：モバイル型コンピュータ＞
次に、上述した液晶パネル１００を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１７は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ２２００は、キーボード２２０２を備えた本体部２２０４と、表示部として用いられる液晶パネル１００とを備えている。なお、この液晶パネル１００の背面には、視認性を高めるためのバックライトユニット（図示省略）が設けられる。
【０１６１】
＜その３：携帯電話＞
さらに、上述した液晶パネル１００を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図１８は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話２３００は、複数の操作ボタン２３０２のほか、受話口２３０４、送話口２３０６とともに、上述した液晶パネル１００を備えるものである。なお、この液晶パネル１００の背面にも、視認性を高めるためのバックライトユニット（図示省略）が設けられる。
【０１６２】
なお、電子機器としては、図１６、図１７および図１８を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対して、実施形態や応用形態に係る電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない。
【０１６３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、表示領域におけるスイッチング素子の他端と画素電極との接続に用いられる中間導電膜と同一の導電層からなる配線を用いることができるので、周辺回路を設計する際の自由度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の液晶パネルの構成を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線の断面図である。
【図２】 同液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。
【図３】 同液晶パネルの表示領域における等価回路を示す図である。
【図４】 同液晶パネルの動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】 同液晶パネルの動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】 同液晶パネルの表示領域における画素の詳細構成を示す平面図である。
【図７】 （ａ）は、図６におけるＢ−Ｂ’線の断面図であり、（ｂ）は、図５におけるＣ−Ｃ’線の断面図であり、(ｃ）は、同液晶パネルにおける蓄積容量の構成を示す等価回路である。
【図８】 （ａ）は、同液晶パネルのサンプリング回路近傍の構成を示す平面図であり、（ｂ）は、そのＤ−Ｄ’線の断面図である。
【図９】 （ａ）は、同液晶パネルの走査線駆動回路の一部構成を示す平面図であり、（ｂ）は、その電気的構成を示す図である。
【図１０】 （１）〜（３）は、それぞれ同液晶パネルにおける素子基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１１】 （４）〜（６）は、それぞれ同液晶パネルにおける素子基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１２】 （７）〜（９）は、それぞれ同液晶パネルにおける素子基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１３】 （１０）〜（ｌ２）は、それぞれ同液晶パネルにおける素子基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１４】 （１３）および（ｌ４）は、それぞれ同液晶パネルにおける素子基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１５】 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の変形例に係る電気光学装置のサンプリング回路近傍の構成を示す断面図である。
【図１６】 実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１７】 同電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１８】 同電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０…基板
３０…半導体層
４０…下地絶縁膜
４１…第１の層間絶縁膜
４２…第２の層間絶縁膜
４３…第３の層間絶縁膜
６１…配向膜
１００…液晶パネル
１０１…素子基板
１０２…対向基板
１０５…液晶
１０８…対向電極
１１２…走査線
１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ…配線
１１４…データ線
１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ…配線
１１６…ＴＦＴ
１１８…画素電極
１１９…蓄積容量
１２２…画像信号線
１３０…走査線駆動回路
１４０…データ線駆動回路
１５０…サンプリング回路
１５１…サンプリングスイッチ
１６０…プリチャージ回路
１６１…プリチャージングスイッチ
１７５…容量線
１８１…中間導電膜
１９１、１９３、１９５…配線
１８１ｂ、１８１ｃ、１８１ｄ…配線
３９１、３９３、３９５…配線
２１００…プロジェクタ
２２００…パーソナルコンピュータ
２３００…携帯電話
【発明の属する技術分野】
本発明は、走査線やデータ線を構成する導電層とは異なる導電層を周辺回路に用いて、周辺回路を設計する際の自由度の向上等を図った電気光学装置およびその製造方法並びに当該電気光学装置を表示部に用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。このうち、例えば画素電極を三端子型のスイッチング素子により駆動するアクティブマトリクス型の液晶装置は、次のような構成となっている。すなわち、この種の液晶装置は、一対の基板のうち、一方の基板に、複数の走査線と複数のデータ線とが互いに交差するように設けられるとともに、これらの交差部分の各々には薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」と称する）に代表される三端子型スイッチング素子および画素電極の対が設けられる。ここで、ＴＦＴは、交差部分に対応する走査線に供給されている走査信号がアクティブレベルになるとオンして、対応するデータ線に印加されている画像信号を画素電極に供給するものである。また、他方の基板には、画素電極に対向する透明な対向電極が設けられる。
【０００３】
一方、これらの走査線やデータ線を駆動する駆動回路は、走査線駆動回路や、データ線駆動回路、サンプリング回路などから構成される。このうち、走査線駆動回路は、走査線に走査信号を所定タイミングで供給するものであり、また、データ線駆動回路は、サンプリング信号を所定タイミングで供給するものであり、さらに、サンプリング回路は、データ線毎に備えられるサンプリングスイッチによって、画像信号線を介して供給される画像信号を、サンプリング信号にしたがってサンプリングして対応するデータ線に供給するものである。
【０００４】
さらに、これら駆動回路自体を、一方の基板において画素電極が配列する領域（表示領域）の周辺に設けた周辺回路内蔵型の電気光学装置が開発されている。このタイプの電気光学装置においては、製造プロセスを効率化するなどの観点から、駆動回路を構成する能動素子が、画素電極に接続されたスイッチング素子と共通プロセスで形成される。例えば、上述した液晶装置において、駆動回路を構成する素子は、画素電極に接続されたスイッチング素子と同一プロセスによって形成されるＴＦＴである。このような周辺回路内蔵型の電気光学装置は、駆動回路を別途外付けするタイプの電気光学装置と比較して、装置全体の小型化やコスト低下を図る上で有利である。
【０００５】
ところで近年では、電気光学装置に限られず表示装置全般にあっては、例えばＸＧＡ（1024×768ドット）や、ＳＸＧＡ（1365×1024ドット）、ＵＸＧＡ（1600×1200ドット）などのように、高精細化の要請が高まっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高精細化と同時に装置の小型化を図ろうとすると、これに対応して走査線の配列ピッチやデータ線の配列ピッチを非常に狭くする技術が要求される。すなわち、走査線駆動回路は、走査線の各々に走査信号を供給するものであるから、走査線駆動回路を構成する単位回路（ラッチ回路）等は、走査線の配列ピッチ内に収まらなければならない。同様に、データ線駆動回路は、データ線毎に設けられるサンプリングスイッチに対して順番にサンプリング信号を供給するものであるから、データ線駆動回路を構成する単位回路等は、データ線の配列ピッチまたはその整数倍のピッチ内に収まらなければならない。このように、周辺回路内蔵型の電気光学装置において、高精細化・小型化を図ろうとすると、走査線駆動回路やデータ線駆動回路における単位回路等を、ごく限られたスペース内に収まるように形成しなければならないため、その設計が非常に困難になる、という問題があった。
【０００７】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、周辺回路における設計の自由度の向上等を図った電気光学装置およびその製造方法並びに当該電気光学装置を表示部に用いた電子機器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本件の発明に係る電気光学装置にあっては、表示領域内に、金属からなる複数のデータ線と、前記複数のデータ線と複数の走査線の交差に対応して設けられ前記データ線より抵抗の高いポリシリコンからなるゲート電極を有する複数の画素用トランジスタと、前記データ線と前記画素用トランジスタの前記ゲート電極との間の層に形成されたポリシリコンまたは高融点金属からなる中間導電膜と、前記画素用トランジスタの半導体層と前記中間導電膜を介して接続された画素電極とを有し、表示領域外に、前記複数のデータ線毎に設けられたトランジスタでなるプリチャージングスイッチと、前記プリチャージングスイッチのトランジスタのゲート電極に接続され、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成されたプリチャージ制御線と、前記プリチャージングスイッチのトランジスタに接続され、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成されたプリチャージ電圧信号線とを備え、前記プリチャージ制御線と前記プリチャージ電圧信号線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内のゲート電極と同時にパターニングされて形成された第１の配線と、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第２の配線とが並列接続された並列配線を用いて交差することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る電気光学装置にあっては、前記表示領域外に、実装端子と前記表示領域内に配置される容量線との間を接続する、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された容量線を有し、前記表示領域外の容量線と前記プリチャージ制御線または前記プリチャージ電圧信号線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第３の配線を用いて交差するとよい。
【００１０】
また、本発明に係る電気光学装置にあっては、前記表示領域外に、前記複数のデータ線毎に設けられたトランジスタでなるサンプリングスイッチと、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された画像信号線と、前記サンプリングスイッチと前記画像信号線とを接続するための、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第４の配線とを備えるとよい。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学装置にあっては、前記表示領域外に、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された電源電圧配線とクロック信号配線とを有する走査線駆動回路とを備え、前記走査線駆動回路の電源電圧配線とクロック信号配線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第５の配線を用いて交差するとよい。
【００１２】
また、本発明に係る電気光学装置にあっては、前記表示領域外に、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された電源電圧配線とクロック信号配線とを有するデータ線駆動回路とを備え、前記データ線駆動回路の電源電圧配線とクロック信号配線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第６の配線を用いて交差するとよい。
【００１３】
また、本発明に係る電気光学装置にあっては、前記データ線駆動回路はイネーブル信号配線を有し、前記データ線駆動回路の電源電圧配線と前記イネーブル信号配線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第７の配線を用いて交差するとよい。
【００１８】
また、本件の参考発明に係る電気光学装置にあっては、複数の走査線および複数のデータ線と、前記走査線およびデータ線の交差部分に対応して設けられたスイッチング素子および画素電極の対と、前記スイッチング素子と、対応する画素電極との間を電気的に接続する中間導電膜と、前記中間導電膜を構成する導電層と同一層からなる配線を含み、前記スイッチング素子の各々を駆動するための周辺回路とを具備することを特徴としている。
【００１９】
この構成によれば、画素電極が配列する領域（表示領域）においては、スイッチング素子と画素電極との接続に中間導電膜が用いられるが、この中間導電膜と同一の導電層からなる配線が周辺回路においても用いられることになる。すなわち、表示領域において本来用いられる中間導電膜を、参考発明では、周辺回路の配線の一部としても用いるのである。このため、周辺回路においては、新規な配線層が増えたことになるので、その分、設計の自由度が向上することになる。
【００２０】
ここで、参考発明において、前記中間導電膜は、スイッチング素子の電極に対応して設けられた第１のコンタクトホールを介して電気的に接続される一方、前記画素電極は、第２のコンタクトホールを介して電気的に接続される構成が望ましい。この構成では、スイッチング素子の電極は、第１のコンタクトホールを介して中間導電膜に接続される一方、画素電極は、第２のコンタクトホールを介して中間導電膜に接続される。このため、中間導電膜は、画素電極をスイッチング素子の他端に接続する際に、バリア膜として機能するので、コンタクトホールが長距離にわたる場合に発生する不良を低減することが可能となる。
【００２１】
また、参考発明において、一端が前記画素電極に接続される一方、他端が共通接続される蓄積容量を、画素電極毎に備え、前記中間導電膜は、前記蓄積容量を構成する電極の一部をなす構成も望ましい。この構成によれば、画素電極における電圧保持特性が蓄積容量により改善されるが、この際、中間導電膜は、蓄積容量を構成する電極の一部として機能することになる。
【００２２】
さらに、参考発明において、前記中間導電膜は、遮光性を有するものであり、前記画素電極を透過または反射する光の一部が、当該中間導電膜によって規定されている構成としても良い。この構成によれば、光の透過または反射領域のうち、中間導電膜によって規定される部分では、少なくとも専用の遮光膜を省略することできるので、その分、構成の簡略化が可能となる。
【００２３】
また、本件の参考発明に係る電気光学装置にあっては、第１、第２および第３の導電層を、この順番で形成してなり、前記第３の導電層は、前記第１の導電層よりも低抵抗である電気光学装置であって、前記第１の導電層からなる複数の走査線と、前記第３の導電層からなり、前記複数の走査線に対して互いに交差するように形成された複数のデータ線と、前記走査線および前記データ線の交差部分に対応して設けられたスイッチング素子および画素電極の対と、第２の導電層からなり、前記スイッチング素子と対応する画素電極との間を電気的に接続する中間導電膜と、前記第１、第２および第３の導電層からなる配線をそれぞれ備え、前記スイッチング素子の各々を駆動するための周辺回路とを具備することを特徴としている。
【００２４】
この構成によれば、表示領域においては、スイッチング素子と画素電極との接続に中間導電膜が用いられるが、この中間導電膜と同一の第２の導電層からなる配線が、第１および第３の導電層からなる配線とともに周辺回路においても用いられることになる。すなわち、表示領域において本来用いられる中間導電膜を、本発明では、周辺回路において、配線の一部としても用いるのである。このため、周辺回路においては、１層分だけ新規な配線層が増えたことになるので、その分、設計の自由度が向上することになる。
【００２５】
ここで、参考発明において、前記中間導電膜は、スイッチング素子の電極に対応して設けられた第１のコンタクトホールを介して電気的に接続される一方、前記画素電極は、第２のコンタクトホールを介して電気的に接続される構成が望ましい。この構成では、スイッチング素子の電極は、第１のコンタクトホールを介して中間導電膜に接続される一方、画素電極は、第２のコンタクトホールを介して中間導電膜に接続される。このため、中間導電膜は、画素電極をスイッチング素子の他端に接続する際に、バリア膜として機能するので、コンタクトホールが長距離にわたる場合に発生する不良を低減することが可能となる。
【００２６】
ところで、参考発明において、第３の導電層は、第１の導電層よりも低抵抗であるので、配線の全部を第３の導電層により形成するのが望ましい。ただし、周辺回路には必ず配線の交差部分や分岐部分などが存在するので、配線の全部を第３の導電層により形成するのは不可能である。そこで、参考発明において、例えば高抵抗な第１の導電層からなる配線を用いなければならない場合に、前記周辺回路は、前記第１の導電層からなる配線と前記第２の導電層からなる配線とが電気的に並列に接続された並列配線を有する構成が望ましい。このように、第１の導電層からなる配線と第２の導電層からなる配線とが電気的に並列に接続された並列配線を用いると、第１または第２の導電層からなる配線を単独で用いる場合よりも、その配線抵抗を低く抑えることが可能となる。
【００２７】
このような並列配線を用いるべき部分としては、例えば、前記第３の導電層からなる配線から分岐する分岐配線であって、当該配線とは異なる配線と交差する部分が考えられる。このような分岐配線は、低抵抗である第３の導電層からなるべきであるが、第３の導電層からなる配線であって、当該配線とは別の配線と交差する部分は、同一の第３の導電層から形成することができないからである。
【００２８】
また、前記周辺回路が、前記第３の導電層からなり、ｈ（ｈは２以上の整数とする）本のデータ線に対応して画像信号を供給するｈ本の画像信号線と、前記データ線の各々に対応して設けられ、前記ｈ本の画像信号線に供給された画像信号のうち、対応するものを所定のサンプリング信号にしたがってサンプリングして、対応するデータ線に供給するサンプリングスイッチとを含む場合、並列配線を用いるべき部分として、前記画像信号線から分岐して前記サンプリングスイッチに至る配線の少なくとも一部が考えられる。このような配線は、画素電極に印加される画像信号を供給するものであるから、低抵抗である第３の導電層からなるべきであるが、他の画像信号線と交差するために、同一の第３の導電層から形成することができないからである。
【００２９】
さて、参考発明において、並列配線を形成する場合、前記並列配線のうち、前記第２の導電層からなる配線が、当該並列配線のうち、前記第１の導電層からなる配線をそれぞれ露出する第３および第４のコンタクトホールの間を導通し、前記第３の導電層からなる配線が、前記第３または第４のコンタクトホールに一致する位置に設けられて、前記第２の導電層からなる配線を露出する第５のコンタクトホールに電気的に接続されている第１の構成と、前記並列配線のうち、前記第２の導電層からなる配線が、当該並列配線のうち、前記第１の導電層からなる配線をそれぞれ露出する第３および第４のコンタクトホールの間を導通し、前記第３の導電層からなる配線が、前記第３および第４のコンタクトホールとは異なる位置に設けられて、前記第１の導電層からなる配線を露出する第６のコンタクトホールに電気的に接続されている第２の構成とが考えられる。ここで、第２の導電層に反りなどによる応力がかかっている場合に、第２の導電層からなる配線を露出させるようなコンタクトホールを設けると、クラックが発生してしまうことがあるが、第２の構成では、第２の導電層を露出させるコンタクトホールを設けないで済むので、クラックの発生に伴う不良の低減を図ることができる。
【００３０】
さらに、第１または第２の構成においては、前記並列配線のうち、前記第２の導電層からなる配線が、前記第３および第４のコンタクトホールの間に設けられた一または複数のコンタクトホールにおいても前記第１の導電層からなる配線と導通していることが望ましい。これにより、並列配線では、第３および第４のコンタクトホール以外のコンタクトホールにおいても、並列接続されることになる。
【００３１】
さて、参考発明において、前記周辺回路は、その一部の領域において前記第１、第２および第３の導電層からなる配線を備える構成としても良い。この構成によれば、同一領域において、異なる３層配線がレイアウトされるので、スペースの縮小化を図ることが可能となる。
【００３２】
また、参考発明において、一端が前記画素電極に接続される一方、他端が共通接続される蓄積容量を、画素電極毎に備え、前記中間導電膜は、前記蓄積容量を構成する電極の一部をなす構成が望ましい。この構成によれば、画素電極における電圧保持特性が蓄積容量により改善されるが、この際、中間導電膜は、蓄積容量を構成する電極の一部として機能することになる。
【００３３】
このような蓄積容量は、前記スイッチング素子の電極と前記第２の導電層からなる容量線とにより前記スイッチング素子のゲート酸化膜を挟持してなる第１の容量と、前記中間導電膜と前記容量線とにより層間絶縁膜を挟持してなる第２の容量とを含む構成が望ましい。この構成によれば、蓄積容量は、第１の容量と第２の容量とを含むことになるので、単一容量の構成と比較して、容量の増大を図ることが可能となる。
【００３４】
さて、参考発明において、第１の導電層は、ポリシリコンよりなることが望ましい。これは、走査線を金属薄膜や金属シリサイドから形成すると、その後の高温プロセスにおいて剥離が発生する等の不都合が起きるからである。
【００３５】
また、参考発明において、前記第３の導電層は、アルミニウムよりなることが望ましい。これにより第３の導電層の低抵抗化が容易となる。
【００３６】
くわえて、参考発明において、前記第２の導電層は、前記第３の導電層を構成する材料よりも高融点な材料からなることが望ましい。これは、第２の導電層を形成した後の高温プロセスにより、溶融や剥離を防止する必要があるからである。なお、このように高融点な材料としては、ポリシリコンのほか、Ti（チタン）、Cr（クロム）、W（タングステン）、Ta（タンタル）、Mo（モリブデン）又はPb（鉛）の単体若しくはこれらの合金、金属シリサイドなどが挙げられる。
【００３７】
また、本件の参考発明に係る電気光学装置にあっては、複数の走査線および複数のデータ線と、前記走査線およびデータ線の交差部分に対応して設けられたスイッチング素子および画素電極の対と、前記スイッチング素子と、対応する画素電極との間を電気的に接続する中間導電膜と、前記スイッチング素子の各々を駆動するための周辺回路と、前記周辺回路に接続され前記中間導電膜を構成する導電層と同一層からなる配線とを具備することを特徴とする。
【００３８】
参考発明では、周辺回路に接続される配線を、スイッチング素子と画素電極との接続に用いられる中間導電膜と同一の導電層で形成した。このため、新規な配線層として利用できるので、設計の自由度が向上する。
【００３９】
ここで、参考発明において、前記配線は、前記データ線を構成する導電層と同一層からなる画像信号線に対して下層で交差することを特徴とする。この構成では、画像信号線に対して交差する配線を、中間導電膜と同一の導電層を配線として利用できる。
【００４０】
また、前記画像信号線は、複数本の画像信号線が配設され、各画像信号線に対応して前記配線が接続され、各配線の大きさはほぼ同じであることを特徴とする。この構成では、画像信号に接続される各配線の抵抗値を等しくすることができ、各配線の抵抗差による画像信号のばらつきを防止し、良好な表示が可能になる。
【００４１】
また、参考発明において、前記データ線を構成する導電層と同一層からなる第１導電層と、前記データ線を構成する導電層と同一層からなり前記第１導電層と離れた位置に形成された第２導電層とを有し、前記スイッチング素子の半導体層と同一層からなる第３導電層は、コンタクトホールを介して前記第１導電層と前記第２導電層に対して電気的に接続されることを特徴とする。この構成によれば、スイッチング素子の半導体層と同一層からなる第３導電層をバイパスとして形成することができる。
【００４２】
また、参考発明において、前記配線は、前記第３導電層に対してコンタクトホールを介して電気的に接続されることを特徴とする。この構成によれば、配線と第３導電層が並列して接続されるので、配線を低抵抗にすることができる。
【００４３】
また、参考発明において、前記第３導電層は、ポリシリコンからなることを特徴とする。この構成によれば、配線を高融点金属などで形成しても、配線はポリシリコンの第３導電層に対してコンタクトホールを介して電気的に接続されるので、配線にクラックが生じることはない。第３導電層は、第１導電層と前記第２導電層に対してコンタクトホールを介して電気的に接続されるが、ポリシリコンで形成されているので、ポリシリコンにクラックが生じることはない。
【００４４】
また、参考発明において、前記配線と前記第３導電層とを電気的に接続するコンタクトホールは、少なくとも３つ有することを特徴とする。この構成によれば、配線と第３導電層との間で冗長配線を形成することができるので、配線や第３導電層にクラックなどが生じての、配線と第３導電層との間で短絡することを防止できる。
【００４５】
また、参考発明において、前記第１導電層と前記第２導電層の間に、前記データ線を構成する導電層と同一層からなる画像信号線が配置されていることを特徴とする。この構成によれば、データ線を構成する導電層と同一層からなる画像信号線が、第１導電層と第２導電層と干渉することなく配置することができる。
【００４６】
また、本件の電子機器は、上述した電気光学装置を備えるので、特に周辺回路の設計をする際の自由度が向上することになる。
【００４７】
また、本件の参考発明に係る電気光学装置の製造方法にあっては、複数の走査線と該複数の走査線との交差部分に対応してスイッチング素子および画素電極の対を備える電気光学装置の製造方法であって、前記走査線および前記データ線が交差すべき部分にスイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子に接続される中間導電膜と、前記スイッチング素子の各々を駆動するための周辺回路に用いる配線とを、それぞれ同一の導電層から形成する工程と、前記中間導電膜に接続される画素電極を形成する工程とを備えることを特徴としている。この製造方法によれば、周辺回路には、新規な配線層が増えたことになるので、その分、設計の自由度が向上することになる。
【００４８】
また、本件の参考発明に係る電気光学装置の製造方法にあっては、複数の走査線と該複数の走査線との交差部分に対応してスイッチング素子および画素電極の対を備える電気光学装置の製造方法であって、前記走査線と前記スイッチング素子の各々を駆動するための周辺回路に用いる配線とをそれぞれ第１の導電層から形成した後であって、かつ、前記走査線および前記データ線が交差すべき部分にスイッチング素子を形成した後に、前記スイッチング素子に接続される中間導電膜と前記周辺回路に用いる配線とをそれぞれ第２の導電層から形成する工程と、前記データ線と前記周辺回路に用いる配線とをそれぞれ第３の導電層から形成する工程と、前記中間導電膜に接続される画素電極を形成する工程とを備えることを特徴としている。この製造方法によれば、周辺回路には、１層分だけ新規な配線層が増えたことになるので、その分、設計の自由度が向上することになる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００５０】
＜電気光学装置の概略構成＞
まず、本実施形態に係る電気光学装置について説明する。この電気光学装置は、電気光学物質として液晶を用いて、その電気光学的な変化により所定の表示を行うものである。図１（ａ）は、この電気光学装置のうち、外部回路を除いた液晶パネル１００の構成を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断面図である。
【００５１】
これらの図に示されるように、液晶パネル１００は、各種素子や画素電極１１８等が形成された素子基板１０１と、対向電極１０８等が設けられた対向基板１０２とが、スペーサ（図示省略）を含むシール材１０４によって一定の間隙を保って、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学物質として例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１０５が封入された構成となっている。
【００５２】
ここで、素子基板１０１には、ガラスや、半導体、石英などが用いられるが、対向基板１０２には、ガラスなどが用いられる。なお、素子基板１０１に不透明な基板が用いられる場合には、透過型ではなく反射型として用いられることとなる。また、シール材１０４は、対向基板１０２の周辺に沿って形成されるが、液晶１０５を封入するために一部が開口している。このため、液晶１０５の封入後に、その開口部分が封止材１０６によって封止されている。
【００５３】
次に、素子基板１０１の対向面であって、シール材１０４の外側一辺の領域１４０ａにおいては、後述するデータ線駆動回路が形成されて、サンプリング信号を出力する構成となっている。さらに、この一辺においてシール材１０４が形成される近傍の領域１５０ａには、画像信号線やサンプリング回路などを形成しても良い。一方、この一辺の外周部分には、複数の実装端子１０７が形成されて、外部回路（図示省略）から各種信号を入力する構成となっている。
【００５４】
また、この一辺に隣接する２辺の領域１３０ａには、それぞれ走査線駆動回路が形成されて、走査線を両側から駆動する構成となっている。なお、走査線に供給される走査信号の遅延が問題にならないのであれば、走査線駆動回路を片側１個だけに形成する構成でも良い。
【００５５】
そして、残りの一辺の領域１６０ａには、後述するプリチャージ回路が形成され、さらに、その外側には、２個の走査線駆動回路において共用される配線などを形成しても良い。
【００５６】
一方、対向基板１０２に設けられる対向電極１０８は、素子基板１０１との貼合部分における４隅のうち少なくとも一ヶ所において導通材により、素子基板１０１と電気的に接続される構成となっている。
【００５７】
ほかに、対向基板１０２には、特に図示はしないが、画素電極１１８と対向する領域に、必要に応じて着色層（カラーフィルタ）が設けられる。ただし、後述する複板式のプロジェクタのように色光変調の用途に適用する場合には、対向基板１０２に着色層を形成する必要はない。
【００５８】
なお、従来、対向基板１０２にあっては、着色層を設けると否かとにかかわらず、光のリークによるコントラスト比の低下を防止するために、画素電極１１８と対向する領域以外の部分に遮光膜が設けられていたが、本実施形態では、後述するように、素子基板１０１側において画素部での遮光領域が規定されるので、対向基板１０２に設けられていた遮光膜が省略されている。
【００５９】
また、素子基板１０１および対向基板１０２の対向面には、後述するように、液晶１０５における分子の長軸方向が両基板間で約９０度連続的に捻れるようにラビング処理された配向膜（図１では省略）が設けられる一方、その各背面側には配向方向に応じた偏光子（図示省略）がそれぞれ設けられる。なお、図１（ｂ）においては、対向電極１０８や、画素電極１１８、実装端子１０７等には厚みを持たせているが、これは、形成位置を示すための便宜的な措置であり、実際には、基板に対して充分に無視できるほど薄い。
【００６０】
＜電気的な構成＞
次に、上述した液晶パネル１００のうち、素子基板１０１の電気的な構成について説明する。図２は、この構成を示す概略図である。
【００６１】
この図に示されるように、素子基板１０１には、外部回路からの各種の信号を入力するために複数の実装端子１０７が設けられている。これらの実装端子１０７を介して入力される信号は、各種配線を介して各部に供給される構成となっている。そこで、これらの信号について簡単に説明することとする。
【００６２】
第１に、ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、図４に示されるように、ドットクロックＤＣＬＫに同期して供給される１系統の画像信号ＶＩＤを、６系統に分配するとともに時間軸に６倍に伸長したものであり、６本の画像信号線１２２を介してサンプリング回路１５０に供給される。
【００６３】
なお、この画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、外部回路によって、適宜、極性反転される。ここで、本実施形態における極性反転とは、対向電極１０８に印加される電圧ＬＣcomを基準として正極性と負極性とに交互に電圧レベルを反転させることをいうが、極性を反転するか否かについては、一般には、データ線への画像信号の印加方式が▲１▼走査線単位の極性反転であるか、▲２▼データ線単位の極性反転であるか、▲３▼画素単位の極性反転であるか、▲４▼フレーム単位の極性反転であるかに応じて定められ、その反転周期は、１水平走査期間、ドットクロックＤＣＬＫまたは１垂直走査期間の周期に設定される。ただし、本実施形態では、説明の便宜上、▲１▼走査線単位の極性反転である場合を例にとって説明するが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
【００６４】
第２に、ＶｓｓＹおよびＶｓｓＸは、それぞれ走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０における電源の低位側電圧（接地電位）である。また、ＶｄｄＹおよびＶｄｄＸは、それぞれ走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０における電源の高位側電圧である。これらのうち、電源の低位側電圧ＶｓｓＹは、後述する蓄積容量の接地電位となっているので、容量線１７５を介して各画素にも供給されている。
【００６５】
第３に、ＬＣcomは、対向電極１０８に印加される電圧信号である。このため、電圧信号ＬＣcomが供給される２つの電極１０９は、対向基板１０２との貼り合わせる際に用いられるシール材１０４（図１参照）の隅に相当する地点にそれぞれ設けられている。したがって、素子基板１０１が実際に対向基板１０２に貼り合わせられると、電極１０９と対向電極１０８とが導通材を介して接続されて、対向電極１０８に電圧信号ＬＣcomが印加される構成となる。なお、電圧信号ＬＣcomは、時間軸に対して一定の電圧であり、外部回路が、この電圧信号ＬＣcomを基準にして、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を、１水平走査期間毎に高位側および低位側に振り分けて、交流駆動を行う構成となっている。また、電極１０９が設けられる地点は、本実施形態においては２箇所であるが、この電極１０９が設けられる理由は、導通材を介して対向電極１０８に電圧信号ＬＣcomを印加するためであるから、電極１０９が設けられる地点は少なくとも１箇所であれば足りる。このため、電極１０９が設けられる地点は、１箇所でも良いし、３箇所以上であっても良い。
【００６６】
第４に、ＤＹは、図４に示されるように、１垂直有効走査期間の最初に供給される転送開始パルスであり、ＣＬＹは、走査線駆動回路１３０において用いられるクロック信号である。なお、ＣＬＹinvは、クロック信号ＣＬＹをレベル反転させた反転クロック信号である。
【００６７】
第５に、ＤＸは、図４に示されるように、１水平有効走査期間の最初に供給される転送開始パルスであり、ＣＬＸは、データ線駆動回路１４０において用いられるクロック信号である。なお、ＣＬＸinvは、クロック信号ＣＬＸをレベル反転させた反転クロック信号である。また、ＥＮＢ１、ＥＮＢ２は、後述するように、データ線駆動回路１４０におけるシフトレジスタの各出力信号を、所定のパルス幅に制限するために用いられるイネーブル信号である。くわえて、ＮＲＧは、プリチャージ制御信号であり、ＮＲＳは、プリチャージ電圧信号であるが、詳細については後述することとする。
【００６８】
さて、素子基板１０１の表示領域１００ａにあっては、複数本の走査線１１２が行（Ｙ）方向に沿って平行に配列し、また、複数本のデータ線１１４が列（Ｘ）方向に沿って平行に配列して、これらの各交差部分に対応して画素が設けられている。
【００６９】
詳細には、図３に示されるように、走査線１１２とデータ線１１４とが交差する部分においては、画素を制御するためのスイッチング素子たるＴＦＴ１１６のゲートが走査線１１２に接続される一方、ＴＦＴ１１６のソースがデータ線１１４に接続されるとともに、ＴＦＴ１１６のドレインが矩形状の透明な画素電極１１８に接続されている。
【００７０】
上述したように、液晶パネル１００では、素子基板１０１と対向基板１０２との電極形成面の間において液晶１０５が挟持されているので、各画素の液晶容量は、画素電極１１８と、対向電極１０８と、これら両電極間に挟持された液晶１０５とによって構成されることになる。ここで、説明の便宜上、走査線１１２の総本数を「ｍ」とし、データ線１１４の総本数を「６ｎ」とすると（ｍ、ｎは、それぞれ整数とする）、画素は、走査線１１２とデータ線１１４との各交差部分に対応して、ｍ行×６ｎ列でマトリクス状に配列することになる。
【００７１】
また、表示領域１００ａには、このほかに、液晶容量のリークを防止するための蓄積容量１１９が、画素毎に設けられている。この蓄積容量１１９の一端は、画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン）に接続される一方、その他端は、容量線１７５により共通接続されている。このため、蓄積容量１１９は、液晶容量とは電気的に並列となるので、液晶容量の保持特性が改善されて、高コントラスト比の表示が図られることとなる。なお、容量線１７５には、本実施形態では、電源の低位側電圧ＶｓｓＹが印加される構成であるが、ここには、時間的に一定の電圧が印加されれば良いので、電源の高位側電圧ＶｄｄＹや、電圧ＬＣcomなどが印加される構成であっても良い。また、蓄積容量１１９を含めた画素の詳細構成については、さらに後述することとする。
【００７２】
そこで、説明を再び図２に戻すと、走査線駆動回路１３０は、水平走査期間１Ｈ毎に順次アクティブレベルとなる走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、１垂直有効表示期間内に各走査線１１２に出力するものである。詳細な構成については本発明と直接関連しないので図示を省略するが、シフトレジスタと複数の論理積回路（あるいは否定論理積回路）とから構成される。このうち、シフトレジスタは、図４に示されるように、１垂直有効走査期間の最初に供給される転送開始パルスＤＹを、クロック信号ＣＬＹ（および反転クロック信号ＣＬＹinv）のレベルが遷移する毎に（立ち上がりおよび立ち下がりの双方で）、順次シフトして、信号Ｇ１’、Ｇ２’、Ｇ３’、…、Ｇｍ’として出力し、各論理積回路は、信号Ｇ１’、Ｇ２’、Ｇ３’、…、Ｇｍ’のうち、相隣接する信号同士の論理積信号を求めて、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇｍとして出力するものである。
【００７３】
また、データ線駆動回路１４０は、順次アクティブレベルとなるサンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを１水平有効走査期間内に出力するものである。この詳細な構成についても本発明と直接関連しないので図示を省略するが、シフトレジスタと複数の論理積回路とから構成されている。このうち、シフトレジスタは、図４に示されるように、１水平有効走査期間の最初に供給される転送開始パルスＤＸを、クロック信号ＣＬＸ（および反転クロック信号ＣＬＸinv）のレベルが遷移する毎に順次シフトして、信号Ｓ１’、Ｓ２’、Ｓ３’、…、Ｓｎ’として出力し、各論理積回路は、信号Ｓ１’、Ｓ２’、Ｓ３’、…、Ｓｎ’のパルス幅を、イネーブル信号ＥＮＢ１またはＥＮＢ２を用いて、相隣接するもの同士が互いに重複しないように、期間ＳＭＰａに狭めてサンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎとして出力するものである。
【００７４】
続いて、サンプリング回路１５０は、データ線１１４毎に設けられるサンプリングスイッチ１５１から構成されている。一方、データ線１１４は６本毎にブロック化されており、図２において左から数えてｊ（ｊは、１、２、…、ｎ）番目のブロックに属するデータ線１１４の６本のうち、最も左に位置するデータ線１１４の一端に接続されるサンプリングスイッチ１５１は、画像信号線１２２を介して供給される画像信号ＶＩＤ１を、サンプリング信号Ｓｊがアクティブとなる期間においてサンプリングして、当該データ線１１４に供給する構成となっている。また、同じくｉ番目のブロックに属するデータ線１１４の６本のうち、２番目に位置するデータ線１１４の一端に接続されるサンプリングスイッチ１５１は、画像信号線１２２を介して供給される画像信号ＶＩＤ２を、サンプリング信号Ｓｊがアクティブとなる期間においてサンプリングして、当該データ線１１４に供給する構成となっている。
【００７５】
以下同様に、ｊ番目のブロックに属するデータ線１１４の６本のうち、３、４、５、６番目に位置するデータ線１１４の一端に接続されるサンプリングスイッチ１５１の各々は、画像信号線１２２を介して供給される画像信号ＶＩＤ３、ＶＩＤ４、ＶＩＤ５、ＶＩＤ６の各々を、サンプリング信号Ｓｊがアクティブとなる期間においてサンプリングして、対応するデータ線１１４に供給する構成となっている。すなわち、サンプリング信号Ｓｊがアクティブレベルとなると、ｉ番目のブロックに属する６本のデータ線１１４の各々には、それぞれ画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が同時にサンプリングされる構成となっている。
【００７６】
一方、表示領域１００ａを挟んで、データ線駆動回路１４０とは反対側の領域には、プリチャージ回路１６０が備えられる。このプリチャージ回路１６０は、データ線１１４毎に設けられたプリチャージングスイッチ１６１からなり、各プリチャージングスイッチ１６１は、プリチャージ制御線１６３を介して供給されるプリチャージ制御信号ＮＲＧがアクティブレベルとなった場合に、プリチャージ信号線１６５を介して供給されるプリチャージ電圧信号ＮＲＳを、対応するデータ線１１４にプリチャージする構成となっている。
【００７７】
ここで、プリチャージ制御信号ＮＲＧは、図５に示されるように、１水平帰線期間のうち、その時間的な前後端から隔絶された期間においてアクティブレベルとなる信号である。また、プリチャージ電圧信号ＮＲＳは、同図に示されるように、１水平走査期間１Ｈ毎に、電圧ＬＣcomを基準にして電圧Ｖg＋、Ｖg−でレベル反転する信号である。
【００７８】
一方、電圧ＬＣcomは、上述したように対向電極１０８に印加される時間的に一定の電圧であって、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の振幅中心電圧である。また、電圧Ｖg＋、Ｖg−は、電圧ＬＣcomに対する差電圧の実効値が互いに同一となる（絶対値が等しい）電圧であって、それぞれ電圧ＬＣcomよりも高位側電圧、低位側電圧である。ここで、本実施形態が電圧無印加状態で白色表示を行うノーマリーホワイトモードである場合に、正極側、負極側で黒色表示するために画素電極１１８に印加すべき電圧をＶb＋、Ｖb−とすると、電圧Ｖg＋は、電圧Ｖb＋と電圧ＬＣcomとの中間電圧に設定され、また、電圧Ｖg−は、電圧Ｖb−と電圧ＬＣcomとの中間電圧に設定される。すなわち、電圧Ｖg＋、電圧Ｖb−は、それぞれ正極側、負極側の書込における中間（灰色）電圧に相当するものである。
【００７９】
このような構成によるプリチャージ回路１６０によれば、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎが供給される１水平有効表示期間よりも前の１水平帰線期間において、各データ線１１４が、電圧Ｖg＋またはＶg−に、予めプリチャージされるので、その直後の１水平有効表示期間において、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がデータ線１１４にサンプリングされる際の負荷が低減されることとなる。
【００８０】
なお、これらの走査線駆動回路１３０や、データ線駆動回路１４０、サンプリング回路１５０、プリチャージ回路１６０などは、製造後に欠陥の有無を判別するための検査回路とともに、表示領域１００ａの周辺に形成されるので、周辺回路として呼称されるものである。ただし、検査回路については、本件とは直接関係しないので、その説明については省略することとする。
【００８１】
＜電気光学装置の動作＞
次に、上述した構成に係る電気光学装置の動作について説明する。ここでまず、走査信号Ｇ１がアクティブレベルとなる１水平走査期間１Ｈについて着目する。なお、この１水平走査期間では、説明の便宜上、正極側の書込を行うものとすると、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、対向電極１０８に印加される電圧ＬＣcomに対して高位側電圧となる。
【００８２】
またこれに先立って、プリチャージ制御信号ＮＲＧが、図５に示されるように、その帰線期間の前後端から隔絶された期間にてアクティブレベルとなる。この際、プリチャージ電圧信号ＮＲＳは、正極側の書込に対応して電圧Ｖg＋となる。このため、当該期間において、すべてのデータ線１１４が電圧Ｖg＋にプリチャージされることとなる。
【００８３】
次に、１水平帰線期間が終了して、１水平有効表示期間になると、その最初に転送開始パルスＤＸが、図４または図５に示されるように、データ線駆動回路１４０に供給される。この転送開始パルスＤＸは、クロック信号ＣＬＸのレベルが遷移する毎に順次シフトされた信号Ｓ１’、Ｓ２’、Ｓ３’、…、Ｓｎ’として出力される。そして、この信号Ｓ１’、Ｓ２’、Ｓ３’、…、Ｓｎ’の各パルス幅が、相隣接するもの同士が互いに重複しないように期間ＳＭＰａに狭められて、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎとして出力される。
【００８４】
一方、１系統の画像信号ＶＩＤは、外部回路によって、図４に示されるように、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に分配されるとともに、時間軸に対して６倍に伸長されて、液晶パネル１００に供給される。
【００８５】
ここで、走査信号Ｇ１がアクティブレベルとなる期間において、サンプリング信号Ｓ１がアクティブレベルとなると、図２において上から数えて１本目のＴＦＴ１１６がすべてオンになるとともに、左から１番目のブロックに属する６本のデータ線１１４に、それぞれ画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がサンプリングされる。そして、サンプリングされた画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、当該１本目の走査線１１２と当該６本のデータ線１１４と交差する画素のＴＦＴ１１６によって、それぞれ対応する画素電極１１８に印加されることとなる。
【００８６】
この後、サンプリング信号Ｓ２がアクティブレベルとなると、今度は、２番目のブロックに属する６本のデータ線１１４に、それぞれ画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がサンプリングされて、これらの画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、当該１本目の走査線１１２と当該６本のデータ線１１４と交差する画素のＴＦＴ１１６によって、それぞれ対応する画素電極１１８に印加されることとなる。
【００８７】
以下同様にして、サンプリング信号Ｓ３、Ｓ４、……、Ｓｎが順次アクティブレベルとなると、第３番目、第４番目、…、第ｎ番目のブロックに属する６本のデータ線１１４にそれぞれ画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がサンプリングされ、これらの画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、当該１本目の走査線１１２と、当該６本のデータ線１１４と交差する画素のＴＦＴ１１６によって、それぞれ対応する画素電極１１８に印加されることとなる。これにより、第１行目の画素のすべてに対する書込が完了することになる。
【００８８】
続いて、走査信号Ｇ２がアクティブとなる期間について説明する。本実施形態では、上述したように、走査線単位の極性反転が行われるので、この１水平走査期間においては、負極側の書込が行われることとなる。このため、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、対向電極１０８に印加される電圧ＬＣcomに対して低位側電圧となる。これに先だって、帰線期間におけるプリチャージ電圧信号ＮＲＳの電圧はＶg−となるので、プリチャージ制御信号ＮＲＧがアクティブレベルとなった場合に、すべてのデータ線１１４は、電圧Ｖg−にプリチャージされることとなる。
【００８９】
他の動作については同様であり、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓｎが順次アクティブレベルとなって、第２行目の画素のすべてに対する書込が完了することになる。
【００９０】
以下同様にして、走査信号Ｇ３、Ｇ４、…、Ｇｍがアクティブとなって、第３行目、第４行目、…、第ｍ行目の画素に対して書込が行われることとなる。これにより、奇数行目の画素については正極側の書込が行われる一方、偶数行目の画素については負極側の書込が行われて、この１垂直走査期間においては、第１行目〜第ｍ行目の画素のすべてにわたった書込が完了することになる。
【００９１】
そして、次の１垂直走査期間においても、同様な書込が行われるが、この際、各行の画素に対する書込極性が入れ換えられる。すなわち、次の１垂直走査期間において、奇数行目の画素については負極側の画素に対して書込が行われる一方、偶数行目の画素については正極側の書込が行われることとなる。
【００９２】
このように、１垂直走査期間毎に画素に対する書込極性が入れ換えられので、液晶１０５に直流成分が印加されることがなくなって、その劣化が防止されている。
【００９３】
また、このような駆動では、データ線１１４を１本毎に駆動する方式と比較すると、各サンプリングスイッチ１５１によって画像信号をサンプリングする時間が６倍となるので、各画素における書込み電時間が十分に確保される。このため、高コントラスト比が得られることになる。さらに、データ線駆動回路１４０におけるシフトレジスタの段数、および、クロック信号ＣＬＸの周波数が、それぞれ１／６に低減されるので、段数の低減化と併せて低消費電力化も図られることとなる。
【００９４】
さらに、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎのアクティブ期間は、クロック信号ＣＬＸの半周期よりも狭められて、期間ＳＭＰａに制限されているので、隣接するサンプリング信号同士のオーバーラップが事前に防止される。このため、あるブロックに属する６本のデータ線１１４にサンプリングされるべき画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、これに隣接するブロックに属する６本のデータ線１１４にも同時サンプリングされる事態が防止されて、高品位な表示が可能となっている。
【００９５】
＜画素の詳細構成＞
次に、画素の詳細について図６および図７を参照して説明する。図６は、画素部の詳細構成を示す平面図であり、図７（ａ）は、図６におけるＢ−Ｂ’線の断面図である。なお、図６において、最上導電層となる画素電極１１８については、説明理解のために、その輪郭だけを破線により示すことにする。
【００９６】
まず、図７（ａ）に示されるように、素子基板１０１の基材たる基板１０には、下地絶縁膜４０を介してポリシリコンからなる半導体層３０が設けられ、その表面は、熱酸化による絶縁膜３２で覆われている。
【００９７】
一方、図６に示されるように、データ線１１４はＹ方向に延在し、走査線１１２はＸ方向に延在している。また、容量線１７５は、走査線１１２と近接して平行に設けられているが、データ線１１４と交差する部分においては、データ線１１４と重なるように、前段側（図６において上側）に突出して形成されている。
【００９８】
ここで、半導体層３０は、データ線１１４および容量線１７５が交差する部分から、容量線１７５の延在方向（図６において右方向）、データ線１１４の下層における容量線１７５の突出方向（同、上方向）、および、その反対方向（同、下方向）の計３方向に延設して略Ｔ字状に、かつ、これらの配線で覆われるように形成されている。
【００９９】
さらに、半導体層３０のうち、走査線１１２と重なる部分がチャネル領域３０ａとなっている。換言すれば、走査線１１２のうち、半導体層３０と交差する部分がゲート電極１１６Ｇとして用いられている。なお、ゲート電極１１６Ｇを含む走査線１１２および容量線１７５は、後述するように例えばポリシリコン等から形成されている。
【０１００】
また、半導体層３０において、チャネル領域３０ａのソース側には、低濃度(翻訳はlightly dopedで表現する)ソース領域３０ｂ、高濃度(翻訳はheavily dopedで表現する)ソース領域１１６Ｓが設けられる一方、ドレイン側には、低濃度ドレイン領域３０ｃ、高濃度ドレイン領域１１６Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造となっている。
【０１０１】
このうち、高濃度ソース領域１１６Ｓは、絶縁膜３２、第１の層間絶縁膜４１および第２の層間絶縁膜４２を開孔するコンタクトホール５２によって、アルミニウム等からなるデータ線１１４に接続されている。
【０１０２】
一方、高濃度ドレイン領域１１６Ｄは、絶縁膜３２および第１の層間絶縁膜４１を開孔するコンタクトホール５１によって、高融点金属やポリシリコン等からなる中間導電膜１８１の一端に接続されている。一方、この中間導電膜１８１の他端は、第２の層間絶縁膜４２および第３の層間絶縁膜４３を開孔するコンタクトホール５３によって、画素電極１１８に接続されている。すなわち、画素電極１１８は、中間導電膜１８１を介して、ＴＦＴ１１６の高濃度ドレイン領域１１６Ｄに接続されている。
【０１０３】
ここで、画素電極１１８を高濃度ドレイン領域１１６Ｄに直接的に接続せずに、中間導電膜１８１を介して間接的に接続する構成としたのは、次のような理由による。すなわち、画素電極１１８は、液晶容量に電圧を印加するための電極であるから、液晶１０５に近い部分に形成され、反対に半導体層３０は遠い部分に形成される。さらに、半導体層３０と画素電極１１８との間には、本実施形態のようにＴＦＴ１１６がプレーナ型であれば、走査線１１２やデータ線１１４などの配線層が層間絶縁膜を介して積層されるので、半導体層３０と画素電極１１８との距離は必然的に大きくなる。このため、画素電極１１８を高濃度ドレイン領域１１６Ｄに直接的に接続する構成では、比較的深さのあるコンタクトホールを例えばドライエッチングにより形成しなければならない。ただし、このような深さのあるコンタクトホールを形成する際に、過剰にエッチングしてしまうと、半導体層３０を突き破ってしまう、という不具合が発生する。特に、半導体層３０と絶縁膜との選択比に大差がなく、さらには、半導体層３０の膜厚が、エッチングすべき絶縁膜の厚さに比べて極めて薄いという事情は、かかるコンタクトホールを設けることを、より困難にさせている。
【０１０４】
そこで、第１に、高濃度ドレイン領域１１６Ｄの対応位置にコンタクトホール５１を設けて、絶縁膜３２および第１の層間絶縁膜４１を開孔し、第２に、このコンタクトホール５１を介して電気的に接続される中間導電膜１８１を形成して、この中間導電膜１８１を高濃度ドレイン領域１１６Ｄのバリア膜として機能させているのである。これにより、画素電極１１８形成前にコンタクトホール５３を開孔する際に、中間導電膜１８１をエッチングストッパーとして用いることによって、過剰エッチングによる半導体層３０の突き破りを防止しているのである。
【０１０５】
さて、この中間導電膜１８１は、特に図６に示されるように、隣接するデータ線１１４の間において容量線１７５をほぼ覆うとともに、その一部が走査線１１２にかかっている（ただし電気的には絶縁されている）。さらに、画素電極１１８が形成されない領域は、Ｙ方向ではデータ線１１４で覆われ、Ｘ方向では走査線１１２および中間導電膜１８１で覆われている。ここで中間導電層１８１としてはポリシリコンでも良し、Ti（チタン）、Cr（クロム）、W（タングステン）、Ta（タンタル）、Mo（モリブデン）又はPb（鉛）の単体若しくはこれらの合金、金属シリサイドでも良い。したがって、画素部での遮光領域は、データ線１１４、走査線１１２および中間導電膜１８１により完全に規定されるので、対向基板１０２に別途設けられていた遮光膜を省略することが可能となる。くわえて、半導体層３０は、データ線１１４、走査線１１２、容量線１７５および中間導電膜で覆われているので、基板の上側からの光がＴＦＴ１１６に侵入するのが防止されることになる。また、半導体層３０の下側であって、基板１０および下地絶縁膜４０の間に遮光膜を形成しても良い。これにより、基板の下側からの光がＴＦＴ１１６に侵入することを防止することができるため、光照射によるＴＦＴ１１６の特性変化の防止が図られている。
【０１０６】
次に、蓄積容量１１９の詳細構成について、図６および図７（ａ）にくわえて、図７（ｂ）および同図（ｃ）をも参照して説明する。ここで、図７（ｂ）は、図６におけるＣ−Ｃ’線の断面図であり、図７（ｃ）は、蓄積容量１１９の等価回路を示す図である。
【０１０７】
まず、半導体層３０のうち、高濃度ドレイン領域１１６Ｄに隣接する領域３０ｆは、高濃度のドーピングにより低抵抗化されて、平面的には、容量線１７５の下層において略Ｌ字形状となっている。一方、中間導電膜１８１は、容量線１７５とは第１の層間絶縁膜４１を介して、かつ、上述したようにＸ方向において容量線１７５を覆うように形成されている。したがって、蓄積容量１１９は、図７（ｂ）または同図（ｃ）に示されるように、２つの容量を並列化したものとなる。詳細には、蓄積容量１１９は、領域３０ｆを一方の電極とし、容量線１７５を他方の電極として、半導体層３０の表面に形成された絶縁膜３２を挟持してなる第１の容量と、中間導電膜１８１を一方の電極とし、容量線１７５を他方の電極として、第１の層間絶縁膜４１を挟持してなる第２の容量との並列接続により構成されている。このため、蓄積容量１１９は、単一の容量からなる場合と比較して容量増加するので、液晶容量の保持特性が改善されて、表示の高品位化が図られることになる。
【０１０８】
なお、最上層（すなわち、液晶１０８と接する面）の全面には、ポリイミド等の有機膜からなる配向膜６１が形成されて、対向基板１０２との貼り合わせ前に、ラビング処理が施される。
【０１０９】
＜周辺回路の詳細構成＞
次に、周辺回路の詳細について、サンプリング回路１５０の一部領域と、走査線駆動回路１３０の一部領域とを例にとってそれぞれ説明する。なお、周辺回路を構成する能動素子や配線は、後の製造プロセスで詳述するように、表示領域におけるＴＦＴ１１６や、走査線１１２（および容量線１７５）、中間導電膜１８１、データ線１１４と共通プロセスで形成される。
【０１１０】
このうち、表示領域１０１ａにおいて、配線は、走査線１１２（および容量線１７５）、中間導電膜１８１、データ線１１４の順番で形成されるので、以下の説明では、周辺回路における配線のうち、走査線１１２を構成する導電層と同一層からなる配線を第１層の配線と呼称し、また、中間導電膜１８１を構成する導電層と同一層からなる配線を第２層の配線と呼称し、さらに、データ線１１４を構成する導電層と同一層からなる配線を第３層の配線と呼称することとする。なお、中間導電膜１８１を構成する導電層は、従来では周辺回路領域に用いられていなかったので、本実施形態における第３層の配線は、従来の電気光学装置における第２層の配線に相当することになる。
【０１１１】
このように、周辺回路において第１層から第３層までの３層分の配線を用いると、周辺回路を設計する際の自由度が、２層分の配線しか用いていなかった従来よりも、各段に向上する。さらに、第２層の配線を次に述べるように用いることによって、配線抵抗の低減化や、回路形成領域の縮小化を図ることが可能となる。
【０１１２】
＜サンプリング回路の近傍領域＞
そこでまず、サンプリング回路１５０の一部領域について、図８（ａ）および同図（ｂ）を参照して説明する。なお、ここでは、左からｊ番目のブロックに対応して出力されるサンプリング信号Ｓｊと、６本の画像信号線１２２から当該ブロックに属する６本のデータ線１１４に至るまでの経路との関係を中心にして説明することとする。なお、ｊは、図２の説明と同様にブロックを一般化して説明するためのものであって、本実施形態では「１」から「ｎ」までのいずれかの整数である。
【０１１３】
図８（ａ）は、この領域の詳細構成を示す平面図である。まず、データ線駆動回路１４０から出力されるサンプリング信号Ｓｊは、第３層の配線３９１、下層の配線１９１、第３層の配線３９３および６個の第１層の配線４１２という経路で供給される。ここで、各配線同士は、コンタクトホールを介して接続され、また、第１層の配線４１２は、そのままサンプリングスイッチ１５１を構成するＴＦＴのゲート電極となっている。
【０１１４】
一方、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６のうち、画像信号ＶＩＤ１は、次のような経路でサンプリングスイッチ１５１に供給されている。すなわち、画像信号ＶＩＤ１は、第３層からなる画像信号線１２２、下層の配線１９３、第３層の配線３９５、下層の配線１９５および第３層の配線３９７という経路を介して、サンプリングスイッチ１５１を構成するＴＦＴのソース領域に供給されている。他の画像信号ＶＩＤ２〜ＶＩＤ６についても同様な経路を介して、サンプリングスイッチ１５１を構成するＴＦＴのソース領域に供給されている。そして、各サンプリングスイッチ１５１を構成するＴＦＴのドレイン領域には、それぞれ第３層のデータ線１１４が接続されている。
【０１１５】
このようにサンプリング回路１５０の各種配線には原則として第３層の配線が用いられるが、この第３層の配線と交差する部分およびゲート電極として用いられる部分には例外として下層の配線が用いられている。
【０１１６】
ここで、図８（ａ）におけるＤ−Ｄ’線の断面構造について、図８（ｂ）を参照して説明する。この図に示されるように、画像信号ＶＩＤ１が供給される画像信号線１２２から分岐して、他の画像信号線１２２とは下層において交差する配線１９３は、第１層の配線１１２ｂと第２層の配線１８１ｂとが並列接続された並列配線となっている。詳細には、配線１８１ｂは、その両端において第１の層間絶縁膜４１を開孔するコンタクトホール５５１、５６１を介して配線１１２ｂと並列接続されている。さらに、画像信号ＶＩＤ１が供給される画像信号線１２２は、コンタクトホール５５１と同位置に設けられたコンタクトホール５５２を介して配線１８１ｂと接続される一方、配線３９５は、コンタクトホール５６１と同位置に設けられたコンタクトホール５６２を介して配線１８１ｂと接続されている。
【０１１７】
なお、画像信号ＶＩＤ１以外の他の画像信号ＶＩＤ２〜ＶＩＤ６が供給される画像信号線１２２から分岐する配線１９３についても、同様に第１層の配線１１２ｂと第２層の配線１８１ｂとが並列接続された並列配線となっている。さらに、画像信号線１２２から分岐・交差する配線１９３のほか、サンプリング信号Ｓｊが供給される配線３９３と交差するための配線１９５についても、同様に第１層の配線１１２ｃと第２層の配線１８１ｃとが並列接続された並列配線となっている。
【０１１８】
ここで、サンプリング回路１５０において、配線１９３、１９５に、第１層の配線と第２層の配線との並列配線を用いているのは、次の理由による。すなわち、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、画素電極１１８に最終的に印加されて表示状態を直接的に規定するアナログ信号であるので、その供給経路は、少しでも低抵抗であるのが望ましい。このため、画像信号線１２２についてはアルミニウムからなる第３層が用いられるが、ここから分岐する配線については、一部どうしても第３層以外の層を用いなければならない。このため、従来では、この部分には、走査線１１２を構成する導電層からなる配線、すなわち、第１層の配線が用いられていた。しかし、第１層は、上述したようにポリシリコン等であるので、第３層を構成するアルミニウム等と比較して、遙かに高抵抗である。このため、第１層の配線長がごくわずかであっても、その抵抗分による影響は無視できない程に大きい。
【０１１９】
そこで、本実施形態では、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の供給経路のうち、第３層以外の層からなる配線を用いなければならない部分には、本来、表示領域で用いられていた第２層を周辺回路領域においても用いるとともに、この第２層からなる配線と、第１層の配線とを並列接続しているのである。このため、当該部分の抵抗値は、単一層の配線からなる場合と比較して、約半分程度にまで低減されることになる。したがって、本実施形態では、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、供給経路における波形鈍化や電圧降下等が防止された上で、データ線１１４に供給されるので、良好な表示が可能となる。
【０１２０】
なお、画像信号線１２２から分岐する並列配線１９３は、図８（ａ）に示されるように、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６のそれぞれにわたって、略同一長・略同一幅となっている。これは、本実施形態では、配線１９３が第１層の配線１１２ｂと第２層の配線１８１ｂとの並列接続から構成されて、その配線抵抗が低減されてはいるものの、第３層の配線と比較すれば依然として大きいので、配線１９３の抵抗値が、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６のそれぞれにわたって互いに等しくするための措置である。
【０１２１】
また、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の供給経路から外れるが、サンプリング信号Ｓｊを画像信号線１２２と交差するために供給する配線１９１についても、同様に第１層の配線と第２層の配線との並列接続となっている。これは、サンプリング信号Ｓｊの波形鈍化等による遅延防止の観点から、サンプリング信号Ｓｊの供給経路についても、少しでも低抵抗であることが要請されているからである。
【０１２２】
このように、本実施形態において、サンプリング回路１５０の各種配線には、原則として低抵抗な第３層の配線が用いられる一方、第３層の配線と交差しなければならない部分には、第１層の配線と第２層の配線との並列配線が用いられている。ここで、周辺回路全体でみれば、このように並列配線を用いるべき部分は、サンプリング回路１５０における配線１９１、１９３、１９５のほかにも多数存在する。例えば、図２におけるプリチャージ制御線１６３は、各プリチャージングスイッチ１６１を構成するＴＦＴのゲート電極にそれぞれ分岐しなければならないが、分岐後、プリチャージ電圧信号線１６５と交差しなければならない部分が存在する。また、容量線１７５は、表示領域１００ａ内においては走査線１１２と同じ第１層の配線であるが、それ以外の領域においては、実装端子１０７から引き回して共通接続することとの関係上、第３層の配線で構成されなければならない。このような容量線１７５に対して、プリチャージ制御線１６３、プリチャージ電圧信号線１６５は、図２に示されるように交差しなければならない部分が存在する。さらに、走査線駆動回路１３０において、シフトレジスタを構成する単位回路には、電源電圧ＶｄｄＹ、ＶｓｓＹとともに、クロック信号ＣＬＹおよび反転クロック信号ＣＬＹinvを供給する必要がある。このため、クロック信号ＣＬＹおよび反転クロック信号ＣＬＹinvの基幹配線から分岐する配線については、少なくとも電源電圧ＶｄｄＹ、ＶｓｓＹが供給される配線と交差しなければならない部分が存在する。同様に、データ線駆動回路１４０において、シフトレジスタを構成する単位回路には、電源電圧ＶｄｄＸ、ＶｓｓＸとともに、クロック信号ＣＬＸおよび反転クロック信号ＣＬＸinvを、各論理積回路には、電源電圧ＶｄｄＸ、ＶｓｓＸとともに、イネーブル信号ＥＮＢ１、ＥＮＢ２を、それぞれ供給する必要がある。このため、クロック信号ＣＬＸおよび反転クロック信号ＣＬＸinvの基幹配線から分岐する配線と、イネーブル信号ＥＮＢ１、ＥＮＢ２の基幹配線から分岐する配線とについては、それぞれ、少なくとも電源電圧ＶｄｄＹ、ＶｓｓＹが供給される配線と交差しなければならない部分が存在する。そして、このように第３層の配線と交差しなければならない部分に、第１層の配線と第２層の配線とを並列接続した並列配線を用いることで、当該部分の低抵抗化を図ることが可能となる。
【０１２３】
＜走査線駆動回路の一部領域＞
続いて、走査線駆動回路１３０の一部領域について図９（ａ）および同図（ｂ）を参照して説明する。ここで、図９（ａ）は、走査線駆動回路１３０の一部領域の構成を示す平面図であり、同図（ｂ）は、その等価回路を示す図である。なお、図に示される領域は、走査線駆動回路１３０を構成するシフトレジスタのうち、転送開始パルスＤＹをクロック信号ＣＬＹおよび反転クロック信号ＣＬＹinvにしたがって転送するための回路を部分的に抜き出したものである。
【０１２４】
図９（ａ）に示されるように、走査線駆動回路１３０には、第１層、第２層、第３層の配線が用いられている。そして、この領域においても、原則として第３層の配線が用いられているが、例外として、第３層の配線と交差する部分およびゲート電極として用いられる部分には、第１層の配線が用いられ、また、一方のＴＦＴのソース電極から他方のＴＦＴのドレイン電極に至る配線の一部には、第２層の配線１８１ｄが用いられている。特に、領域１３２では、第１層の配線１１２ｄ、第２層の配線１８１ｄおよび第３層の配線１１４ｄが互いに層間絶縁膜（ここでは図示省略）を介し積層されて形成されている。
【０１２５】
ここで、走査線駆動回路１３０において、上述したサンプリング回路１５０とは異なり、第２層の配線１８１ｄを単独で用いるとともに、３層の配線を同一領域に形成しているのは、次の理由による。すなわち、データ線駆動回路１３０は、サンプリング信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、それぞれ６本のデータ線１１４毎に供給するので、データ線駆動回路１３０を構成するシフトレジスタの単位回路や論理積回路については、図８（ａ）におけるデータ線ピッチの６倍のピッチ内に収めれば済む。これに対し、走査線駆動回路１３０は、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをｍ本の走査線１１２の各々に対してそれぞれ供給しなければならないので、走査線駆動回路１４０を構成するシフトレジスタの単位回路や論理積回路については、図９（ａ）における走査線ピッチと等倍のピッチ内に収めなければならない。すなわち、走査線駆動回路１３０では、その単位回路や論理積回路を、データ線駆動回路１４０と比較して、より狭い領域内において形成しなければならない。ここで仮に、第２層の配線１８１ｄを用いないで、３つの配線を、第１層および第３層のみから形成する場合、１つの配線を第１層から、残りの２つの配線を第３層から、それぞれ形成しなければならないが、この場合、同一領域において、第３層の配線を２つ重ねて形成するのは不可能である。このため、異なる領域において、第３層の配線を並べて形成するほかないので、それだけ幅広の領域を必要とすることになる。したがって、このような構成では、走査線駆動回路１３０を構成する単位回路や論理積回路を、より狭い領域内において形成しなければならないという要請に反することになる。これに対し、本実施形態では、第２層の配線１８１ｄを単独で用いて、同一の領域１３２において第１層の配線１１２ｄ、第２層の配線１８１ｄおよび第３層の配線１１４ｄを、（層間絶縁膜を介して絶縁を図った上で）互いに重ねて形成することによって、回路形成に必要な領域の幅を小さくすることができることとなる。
【０１２６】
なお、走査線駆動回路１３０においては、回路形成に必要な領域の幅が狭いことを要求されない部分であって、第３層の配線と交差しなければならない部分には、第１層の配線と第２層の配線との並列配線を用いても良いのは、もちろんである。
【０１２７】
＜製造プロセス＞
次に、本実施形態に係る電気光学装置の製造プロセスについて、素子基板１０１の表示領域と周辺回路領域とを中心にして説明する。なお、ここいう周辺回路領域としては、図８（ｂ）において、ある１本の画像信号線１２２から分岐して、他の画像信号線１２２と交差する配線１９３の近傍領域を例示することとする。
【０１２８】
まず、図１０（１）に示されるように、例えば、石英基板や、ガラス基板、シリコン基板等の基板１０の表面に、下地絶縁膜４０を形成する。詳細には、下地絶縁膜４０は、例えば常圧法や減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）や、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス、または、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等から、約５０〜１５００ｎｍの厚さで、好ましくは約６００〜８００ｎｍ程度の厚さで形成される。
【０１２９】
引き続き、下地絶縁膜４０の上面全体に、例えば減圧ＣＶＤ法などによって、アモルファスシリコン層を約１００ｎｍの厚さで形成し、熱処理等により固相成長させることによってポリシリコン層を形成する。この際、Ｎチャネル型のＴＦＴを形成する場合には、Sb（アンチモン）や、As（砒素）、P（リン）などのＶ属元素の不純物を、わずかにイオン注入等によりドーピングする一方、Ｐチャネル型ＴＦＴを形成する場合には、Al（アルミニウム）や、B（ボロン）、Ga（ガリウム）などのIII属元素の不純物を、同様に、わずかにイオン注入等によりドーピングする。そして、同図（２）に示されるように、ポリシリコン層を、フォトリソグラフィやエッチング等によってパターニングして、表示領域におけるＴＦＴ１１６の半導体層３０を島状に形成する。なお、この際、周辺回路全体においては、走査線駆動回路１３０や、データ線駆動回路１４０、サンプリング回路１５０、プリチャージ回路１６０を構成するＴＦＴの半導体層についても同様に形成する。また、ＴＦＴ１１６の半導体層３０のうち、容量線１７５が形成される領域３０ｆについては、P（リン）などの不純物を高濃度でドーピングして、予め低抵抗化を図っておいても良い。
【０１３０】
さらに、図１０（３）に示されるように、半導体層３０の表面を熱酸化処理して、ゲート絶縁膜３２を当該半導体層３０の表面に形成する。この工程により、半導体層３０は最終的に約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜４５ｎｍの厚さとなる一方、ゲート絶縁膜３２は約６０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０ｎｍの厚さとなる。
【０１３１】
次に、ゲート絶縁膜３２および下地絶縁膜４０の上面に、ポリシリコン層を減圧ＣＶＤ法等により堆積する。そして、図１１（４）に示されるように、このポリシリコン層を、フォトリソグラフィやエッチング等によってパターニングして、表示領域にあってはＴＦＴ１１６のゲート電極を兼用する走査線１１２と、蓄積容量１１９において他方の電極をなす容量線１７５とを形成し、また、周辺回路領域にあっては並列配線１９３のうち一方の配線１１２ｂを形成する。すなわち、周辺回路全体では、ゲート電極を含めて第１層の配線を形成する。
【０１３２】
続いて、同図（５）に示されるように、半導体層３０に適切な不純物をドーピングする。詳細には、表示領域におけるＴＦＴ１１６をＮチャネル型とする場合、ソース・ドレイン領域のうち、チャネル領域３０ａに隣接する領域に対し、走査線１１２の一部であるゲート電極を拡散マスクとして、PなどのＶ族元素の不純物を低濃度でドーピングする。同時に、周辺回路全体におけるＮチャネル型ＴＦＴについても、同様に第１層の配線の一部であるゲート電極を拡散マスクとして、不純物を低濃度でドーピングする。続いて、ゲート電極よりも幅広のレジストを形成し、これをマスクとして、同じくPなどのＶ族元素の不純物を高濃度でドーピングする。これによりＮチャネル型ＴＦＴは、チャネル領域３０ａのソース側には、低濃度ソース領域３０ｂ、高濃度ソース領域１１６Ｓが設けられる一方、ドレイン側には、低濃度ドレイン領域３０ｃ、高濃度ドレイン領域１１６Ｄが設けられて、ＬＤＤ構造となる。なお、図示は省略するが、これらのＮチャネル型ＴＦＴの半導体層３０をレジストでマスクした後、周辺回路全体におけるＰチャネル型ＴＦＴについても同様に、チャネル領域に隣接する領域に対し、第１層の配線の一部であるゲート電極をマスクとして、例えばB（ボロン）などのIII族元素の不純物をドーピングして低濃度領域を形成し、引き続き、同ゲート電極よりも幅広のレジストをマスクとして、同じくBなどのIII族元素の不純物をドーピングして高濃度領域を形成する。また、各チャネル型ＴＦＴをＬＤＤ構造としないで、オフセット構造のＴＦＴとしても良く、また、単なるセルフアライン型（自己整合型）のＴＦＴとしても良い。
【０１３３】
次に、同図（６）に示されるように、走査線１１２や、第１層の配線１１２ｂ、半導体層３０、下地絶縁膜４０などを覆うように、第１の層間絶縁膜４１を、例えばＣＶＤ法等によって堆積する。なお、第１の層間絶縁膜４１の材質としては、下地絶縁膜４０と同様に、ＮＳＧや、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜や、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜などが挙げられる。
【０１３４】
さらに、図１２（７）に示されるように、表示領域にあってはコンタクトホール５１を、周辺回路領域にあっては第１層の配線１１２ｂと接続するためのコンタクトホール５５１、５６１を、それぞれドライエッチング等により形成する。詳細には、コンタクトホール５１は、ＴＦＴ１１６の高濃度ドレイン領域１１６Ｄに対応した位置において、第１の層間絶縁膜４１およびゲート絶縁膜３２を開孔するように形成される一方、コンタクトホール５５１、５６１は、第１層の配線１１２ｂの両端位置において、それぞれ第１の層間絶縁膜４１を開孔するように形成される。なお、周辺回路全体において、第１層の配線と第２層の配線との導通を図る場合には、この導通部分に対応して同様にコンタクトホール（図示省略）が形成される。
【０１３５】
次に、第１の層間絶縁膜４１の上に、高融点金属や金属シリサイドやあるいはポリシリコンなどからなる導電層を、スパッタリングなどによって約５０〜５００ｎｍの厚さで、好ましくは約２００ｎｍ程度の厚さで堆積する。導電層は高融点金属や金属シリサイドとポリシリコンを多層に形成しても良いことは言うまでもない。これにより導電層の応力緩和やコンタクトホールの低抵抗化を実現することができる。そして、この導電層を、同図（８）に示されるように、フォトリソグラフィやエッチング等によってパターニングして、表示領域にあっては、ＴＦＴ１１６の高濃度ドレイン領域１１６Ｄに接続される中間導電膜１８１として形成する一方、周辺回路領域にあっては、並列配線１９３のうち他方の配線１８１ｂを形成する。すなわち、周辺回路全体では、第２層の配線を形成する。
【０１３６】
続いて、同図（９）に示されるように、中間導電膜１８１や、第２層の配線１８ｂ、第１の層間絶縁膜４１を覆うように、第２の層間絶縁膜４２を、ＣＶＤ法等によって約５００〜１５００ｎｍの厚さに堆積する。なお、第２の層間絶縁膜４２の材質としては、下地絶縁膜４０や第１の層間絶縁膜４１と同様に、ＮＳＧや、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜や、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜などが挙げられる。
【０１３７】
次に、図１３（１０）に示されるように、表示領域にあってはコンタクトホール５２を、周辺回路領域にあっては第２層の配線１８１ｂと接続するためのコンタクトホール５５２、５６２を、それぞれ形成する。詳細には、コンタクトホール５２は、ＴＦＴ１１６の高濃度ソース領域１１６Ｓに対応した位置において、第２の層間絶縁膜４２、第１の層間絶縁膜４１およびゲート絶縁膜３２を開孔するように形成される一方、コンタクトホール５５２、５６２は、第２層の配線１８１ｂの両端位置において、それぞれ第２の層間絶縁膜４２を開孔するように形成される。なお、周辺回路全体において、第２層の配線と第３層の配線との導通を図る場合には、この導通部分に対応して同様にコンタクトホール（図示省略）が形成される。
【０１３８】
さらに、コンタクトホール５２、５５２、５６２が形成された第２の層間絶縁膜４２の上に、アルミニウムなどの低抵抗金属からなる導電膜を、スパッタリングなどによって、約５０〜５００ｎｍの厚さに堆積する。そして、この導電膜を、同図（１１）に示されるように、フォトリソグラフィやエッチング等によってパターニングして、表示領域にあってはＴＦＴ１１６のソース電極を兼用するデータ線１１４として形成する一方、周辺回路領域にあっては配線３９１や画像信号線１２２として形成する。すなわち、周辺回路全体では、第３層の配線を形成する。
【０１３９】
引き続き、同図（１２）に示されるように、データ線１１４や、画像信号線１２２等の第３層の配線を覆うように、第３の層間絶縁膜４３を、ＣＶＤ法等によって約５００〜１５００ｎｍの厚さに堆積する。なお、第３の層間絶縁膜４３の材質としては、下地絶縁膜４０や、第１の層間絶縁膜４１、第２の層間絶縁膜４２と同様に、ＮＳＧや、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜や、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜などが挙げられる。
【０１４０】
次に、図１４（１３）に示されるように、コンタクトホール５３を、中間導電膜１８１における所定の位置において、第３の層間絶縁膜４３および、第２の層間絶縁膜４２を開孔するように、ドライエッチング等により形成する。
【０１４１】
そして、コンタクトホール５３が形成された第３の層間絶縁膜４２の表面に、ＩＴＯなどの透明導電性膜を、スパッタリングなどによって約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積した後、フォトリソグラフィやエッチング等によって所定の形状（図５参照）にパターニングして、同図（１４）に示されるように、画素電極１１８を形成する。この後の工程については図示を省略するが、ポリイミドなどの有機溶液を、基板１０において対向面となる画素電極１１８および第３の層間絶縁膜４３の全面に塗布・焼成する。これにより、配向膜６１が形成されることとなる。なお、この配向膜６１には、所定の方向にラビング処理が施される。
【０１４２】
そして、このように形成された素子基板１０１は、それとは約９０度回転させた方向にラビング処理された対向基板１０２と、シール材１０４により貼り合わせられた後に、液晶１０５が封入・封止されて、図１に示されるような電気光学装置となる。
【０１４３】
なお、素子基板１０１においては、配向膜６１が全面にわたって形成されるが、液晶封止後ではプラズマ処理等により、周辺回路領域であって、対向基板１０２から張り出した部分に形成された配向膜が除去される。このため、周辺回路領域における最上層は、配向膜６１ではなく、第３の層間絶縁膜４３となる。
【０１４４】
このような製造方法によれば、表示領域において、ＴＦＴ１１６の高濃度ドレイン領域１１６Ｄに対するバリア膜として用いられていた中間導電膜１８１と同一層の導電膜を、周辺回路における第２層の配線として用いることが、特別なプロセスを追加することなく可能となる。さらに、３層分の配線を用いることによって、周辺回路の設計における自由度を各段に向上させることが可能となる。くわえて、第１層の配線とともに並列接続することで、当該配線の低抵抗化を図ることが可能となり、また、第２層の配線を、単独で用いることによって、同一領域において３層の配線を形成することが可能となる。
【０１４５】
＜応用例＞
なお、上述した実施形態において、第３層の配線が第１層の配線と第２層の配線との並列配線に接続される場合、当該第３層の配線は、第２層の配線に接続される構成となっていた。例えば、図８（ｂ）において、画像信号線１２２は、並列配線１９３のうち、第２層の配線１８１ｂに接続される構成となっていた。
【０１４６】
上述したように、第２層の導電層は、応力の発生しやすい（反りやすい）高融点金属等から構成する場合、このような高融点金属の配線１８１ｂに接続するためのコンタクトホール５５２、５６２を開孔すると、開孔に伴う応力集中によって第２の層間絶縁膜４２にクラック等が発生する可能性がある。また、コンタクトホール５５２、５６２によって、第２層の配線１８１ｂを露出させると、当該配線１８１ｂから不純物が発散して、不良化の原因にもなる。
【０１４７】
そこで、第３層の配線を第１層の配線１１２ｂと第２層の配線１８１ｂとの並列配線１９３の一端に接続する場合には、例えば図１５（ａ）に示されるように、第２層の配線１８１ｂを、若干内側のコンタクトホール５７１、５８１を介し第１の配線１１２ｂに接続して、並列配線１９３とするとともに、第３層の配線を、外側のコンタクトホール５７２または５８２を介して第１層の配線１１２ｂに接続する構成が望ましい、と考える。この構成では、第２の層間絶縁膜４２が形成された後においては、第２層の配線１８１ｂが露出することはない。このため、コンタクトホールの開孔に伴う応力集中が発生しないので、第２の層間絶縁膜４２におけるクラックが防止され、また、当該配線１８１ｂから不純物が発散することも防止されることになる。
【０１４８】
さらに、並列配線１９３は、第１の配線１１２ｂおよび第２の配線１８１ｂの両端においてのみ接続を図る構成であったが、図１５（ｂ）に示されるように、両端以外の１以上の地点にコンタクトホール５８、５９を設けて、この地点においても接続して、両配線の接続をより確実とする構成にしても良い。なお、このように第１の配線１１２ｂと第２の配線１８１ｂとの接続を、両端以外の１以上のコンタクトホールを介して図る構成においても、第３層の配線を、外側のコンタクトホールを介して第１層の配線１１２ｂに接続しても良い。
【０１４９】
＜その他＞
また、上述した実施形態にあっては、６本のデータ線１１４が１ブロックにまとめられて、１ブロックに属する６本のデータ線１１４に対して、６系統に変換された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を同時にサンプリングして供給する構成としたが、変換数および同時に印加するデータ線数（すなわち、１ブロックを構成するデータ線数）は、「６」に限られるものではない。例えば、サンプリング回路１５０におけるサンプリングスイッチ１５１の応答速度が十分に高いのであれば、画像信号をパラレルに変換することなく１本の画像信号線にシリアル伝送して、データ線１１４毎に点順次的にサンプリングするように構成しても良い。なお、このような構成では、データ線駆動回路１４０を構成するシフトレジスタや論理積回路を、データ線ピッチと等倍で形成しなければならないので、走査線駆動回路１３０と同様に、第２層の配線を単独で用いる必要があるかもしれない。
【０１５０】
また、変換および同時に印加するデータ線の数を「３」や、「１２」、「２４」等として、３本や、１２本、２４本等のデータ線に対して、３系統変換や、１２系統変換、２４系統変換等した画像信号を同時に供給する構成としても良い。なお、変換数および同時に印加するデータ線数としては、カラーの画像信号が３つの原色に係る信号からなることとの関係上、３の倍数であることが制御や回路などを簡易化する上で好ましい。ただし、後述するプロジェクタのように単なる光変調の用途の場合には、３の倍数であることを要しない。さらに、複数個のサンプリングスイッチを同時に制御するのではなく、パラレル変換された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を順次シフトして供給して、サンプリングスイッチ１５１を順番に制御する構成としても良い。
【０１５１】
また、上述した実施形態においては、上から下方向へ走査線１１２を走査する一方、左から右方向へブロックを選択する構成であったが、これとは逆方向で選択する構成でも良いし、用途に応じていずれかの方向を選択可能とする構成でも良い。
【０１５２】
さらに、上述した実施形態においては、素子基板１０１にプレーナ型のＴＦＴ１１６等が形成されていたが、本発明は、これに限られない。例えば、ＴＦＴ１１６をボトムゲート型で構成しても良い。また、素子基板１０１を半導体基板で構成するとともに、ここに、ＴＦＴ１１６に代えて電界効果型トランジスタを形成しても良い。さらに、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）の技術を適用し、サファイヤ、石英、ガラスなどの絶縁性基板にシリコン単結晶膜を形成して、ここに各種素子を作り込んで素子基板１０１としても良い。ただし、素子基板１０１が透明性を有しない場合、画素電極１１８をアルミニウムで形成したり、別途反射層を形成したりするなどして、液晶パネル１００を反射型として用いる必要がある。
【０１５３】
また、上述した実施形態では、液晶としてＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nematic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたゲストホスト型などの液晶を用いても良い。
【０１５４】
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このように、本発明では、液晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。
【０１５５】
くわえて、電気光学装置としては、液晶装置のほかに、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）や、プラズマ発光や電子放出による蛍光などを用いて、その電気光学効果により表示を行う種々の電気光学装置に適用可能である。この際、電気光学物質としては、ＥＬ、ミラーデバイス、ガス、蛍光体などとなる。なお、電気光学物質としてＥＬを用いる場合、素子基板１０１においてＥＬが画素電極１１８と透明導電膜の対向電極１０８との間に介在することになるので、対向基板１０２は不要となる。このように、本発明は、上述した構成と類似の構成を有する電気光学装置のすべてに適用可能である。
【０１５６】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器のいくつかについて説明する。
【０１５７】
＜その１：プロジェクタ＞
まず、上述した液晶パネル１００をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１６は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ２１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲＧＢの３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態に係る液晶パネル１００と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【０１５８】
さて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４によってカラー画像が投射されることとなる。
【０１５９】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像はダイクロイックミラー２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる表示像を、ライトバルブ１００Ｇによる表示像に対して左右反転させる構成となっている。
【０１６０】
＜その２：モバイル型コンピュータ＞
次に、上述した液晶パネル１００を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１７は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ２２００は、キーボード２２０２を備えた本体部２２０４と、表示部として用いられる液晶パネル１００とを備えている。なお、この液晶パネル１００の背面には、視認性を高めるためのバックライトユニット（図示省略）が設けられる。
【０１６１】
＜その３：携帯電話＞
さらに、上述した液晶パネル１００を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図１８は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話２３００は、複数の操作ボタン２３０２のほか、受話口２３０４、送話口２３０６とともに、上述した液晶パネル１００を備えるものである。なお、この液晶パネル１００の背面にも、視認性を高めるためのバックライトユニット（図示省略）が設けられる。
【０１６２】
なお、電子機器としては、図１６、図１７および図１８を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対して、実施形態や応用形態に係る電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない。
【０１６３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、表示領域におけるスイッチング素子の他端と画素電極との接続に用いられる中間導電膜と同一の導電層からなる配線を用いることができるので、周辺回路を設計する際の自由度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の液晶パネルの構成を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線の断面図である。
【図２】 同液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。
【図３】 同液晶パネルの表示領域における等価回路を示す図である。
【図４】 同液晶パネルの動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】 同液晶パネルの動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】 同液晶パネルの表示領域における画素の詳細構成を示す平面図である。
【図７】 （ａ）は、図６におけるＢ−Ｂ’線の断面図であり、（ｂ）は、図５におけるＣ−Ｃ’線の断面図であり、(ｃ）は、同液晶パネルにおける蓄積容量の構成を示す等価回路である。
【図８】 （ａ）は、同液晶パネルのサンプリング回路近傍の構成を示す平面図であり、（ｂ）は、そのＤ−Ｄ’線の断面図である。
【図９】 （ａ）は、同液晶パネルの走査線駆動回路の一部構成を示す平面図であり、（ｂ）は、その電気的構成を示す図である。
【図１０】 （１）〜（３）は、それぞれ同液晶パネルにおける素子基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１１】 （４）〜（６）は、それぞれ同液晶パネルにおける素子基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１２】 （７）〜（９）は、それぞれ同液晶パネルにおける素子基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１３】 （１０）〜（ｌ２）は、それぞれ同液晶パネルにおける素子基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１４】 （１３）および（ｌ４）は、それぞれ同液晶パネルにおける素子基板の製造プロセスを示す断面図である。
【図１５】 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の変形例に係る電気光学装置のサンプリング回路近傍の構成を示す断面図である。
【図１６】 実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１７】 同電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１８】 同電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０…基板
３０…半導体層
４０…下地絶縁膜
４１…第１の層間絶縁膜
４２…第２の層間絶縁膜
４３…第３の層間絶縁膜
６１…配向膜
１００…液晶パネル
１０１…素子基板
１０２…対向基板
１０５…液晶
１０８…対向電極
１１２…走査線
１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ…配線
１１４…データ線
１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ…配線
１１６…ＴＦＴ
１１８…画素電極
１１９…蓄積容量
１２２…画像信号線
１３０…走査線駆動回路
１４０…データ線駆動回路
１５０…サンプリング回路
１５１…サンプリングスイッチ
１６０…プリチャージ回路
１６１…プリチャージングスイッチ
１７５…容量線
１８１…中間導電膜
１９１、１９３、１９５…配線
１８１ｂ、１８１ｃ、１８１ｄ…配線
３９１、３９３、３９５…配線
２１００…プロジェクタ
２２００…パーソナルコンピュータ
２３００…携帯電話
Claims (7)
- 表示領域内に、金属からなる複数のデータ線と、前記複数のデータ線と複数の走査線の交差に対応して設けられ前記データ線より抵抗の高いポリシリコンからなるゲート電極を有する複数の画素用トランジスタと、前記データ線と前記画素用トランジスタの前記ゲート電極との間の層に形成されたポリシリコンまたは高融点金属からなる中間導電膜と、前記画素用トランジスタの半導体層と前記中間導電膜を介して接続された画素電極とを有し、
表示領域外に、前記複数のデータ線毎に設けられたトランジスタでなるプリチャージングスイッチと、前記プリチャージングスイッチのトランジスタのゲート電極に接続され、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成されたプリチャージ制御線と、前記プリチャージングスイッチのトランジスタに接続され、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成されたプリチャージ電圧信号線とを備え、
前記プリチャージ制御線と前記プリチャージ電圧信号線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内のゲート電極と同時にパターニングされて形成された第１の配線と、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第２の配線とが並列接続された並列配線を用いて交差することを特徴とする電気光学装置。 - 前記表示領域外に、実装端子と前記表示領域内に配置される容量線との間を接続する、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された容量線を有し、
前記表示領域外の容量線と前記プリチャージ制御線または前記プリチャージ電圧信号線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第３の配線を用いて交差することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。 - 前記表示領域外に、前記複数のデータ線毎に設けられたトランジスタでなるサンプリングスイッチと、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された画像信号線と、前記サンプリングスイッチと前記画像信号線とを接続するための、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第４の配線とを備えることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
- 前記表示領域外に、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された電源電圧配線とクロック信号配線とを有する走査線駆動回路とを備え、
前記走査線駆動回路の電源電圧配線とクロック信号配線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第５の配線を用いて交差することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記表示領域外に、同一の導電膜から前記表示領域内のデータ線と同時にパターニングされて形成された電源電圧配線とクロック信号配線とを有するデータ線駆動回路とを備え、
前記データ線駆動回路の電源電圧配線とクロック信号配線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第６の配線を用いて交差することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記データ線駆動回路はイネーブル信号配線を有し、
前記データ線駆動回路の電源電圧配線と前記イネーブル信号配線との交差部は、同一の導電膜から前記表示領域内の中間導電膜と同時にパターニングされて形成された第７の配線を用いて交差することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。 - 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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