JPH11202367A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装
置において、相展開数の増加による画像信号線の増加と
いう条件下で、画像信号中の高周波のクロックノイズ等
の発生を低減する。 【解決手段】 液晶装置（２００）は、一対の基板間に
挟持された液晶層と、基板（１）にマトリクス状に設け
られた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御す
るＴＦＴ（３０）とを備える。画像信号線（ＶＩＤ１〜
ＶＩＤ１２）は、基板上でデータ線駆動回路（１０１）
の両側から引き回されており、これらをクロック信号線
（ＣＬＸ、ＣＬＸ’）等から電気的にシールドする定電
位のシールド線（８０、８０’、８２、８６）が基板上
に配線されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと称す）駆動等によるアクティブマトリ
クス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置及びこれを用
いた電子機器の技術分野に属し、特にＴＦＴアレイ基板
上に設けられたデータ線駆動回路によりクロック信号等
の制御信号に基づいてデータ線を高周波で駆動する形式
の電気光学装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に
属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマト
リクス駆動方式の液晶装置においては、縦横に夫々配列
された多数の走査線及びデータ線並びにこれらの各交点
に対応して多数の画素電極がＴＦＴアレイ基板上に設け
られている。そして、これらに加えて、データ線駆動回
路、サンプリング回路等を含みデータ線にデータ信号を
供給するデータ信号供給手段や、走査線駆動回路等を含
み走査線に走査信号を供給する走査信号供給手段が、こ
のようなＴＦＴアレイ基板上に設けられる場合がある。

【０００３】この場合、データ信号供給手段には、デー
タ信号の供給タイミングの基準となるデータ線駆動回路
を動作させるためのデータ線側基準クロックなどの制御
信号、表示すべき画像の内容に対応しておりデータ信号
の基となる画像信号、正や負の定電位電源等が、ＴＦＴ
アレイ基板に設けられた外部入力端子及び配線を介して
夫々供給される。他方、走査信号供給手段には、走査信
号の供給タイミングの基準となる走査線駆動回路を動作
させるための走査線側基準クロック、正や負の定電位電
源等が、やはりＴＦＴアレイ基板に設けられた外部入力
端子及び配線を介して供給される。そして走査信号供給
手段においては、例えば走査線駆動回路により、走査線
側基準クロックに基づくタイミングで走査信号を走査線
に線順次で供給する。これに対応してデータ信号供給手
段においては、例えば入力された画像信号をサンプリン
グするサンプリング回路を、データ線駆動回路がデータ
線側基準クロックに基づくタイミングで順次駆動して、
サンプリング回路からデータ信号がデータ線に供給され
る。これらの結果、走査線にゲート接続された各ＴＦＴ
は、走査信号の供給に応じて導通状態とされ、データ信
号が当該ＴＦＴを介して画素電極に供給されて各画素に
おける画像表示が行われる。

【０００４】近年特に、液晶プロジェクタ用の液晶装置
等では、表示画像の高解像度化に伴って、非常に高い周
波数のシリアルな画像信号が入力されるようになってき
ている。例えば、画像信号のドット周波数は、近時の高
解像度のパソコン画面において使用されるＸＧＡ表示モ
ードやＳＸＧＡ表示モードになると、夫々約６５ＭＨｚ
と約１３５ＭＨｚであり、従来のＶＧＡ表示モードにお
けるドット周波数（約３０ＭＨｚ）を遥かに上回る。こ
れに対応すべく、特にデータ信号供給手段に供給される
データ線側基準クロックの周波数も非常に高くなってき
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
表示画像の高品位化の要請の下では、このように基準ク
ロックの周波数を高くすることによる、高周波のクロッ
クノイズの発生が無視し得ないようになる。即ち、例え
ば従来の比較的周波数の低いデータ線側基準クロックを
データ線駆動回路に供給してサンプリング回路を駆動す
る構成において、そのままクロック信号の周波数を上げ
たのでは、サンプリング回路に入力される画像信号中や
サンプリング回路から出力されるデータ信号中に高周波
のクロックノイズが発生して、データ線に供給すべきデ
ータ信号が劣化してしまう。このように劣化したデータ
信号の供給を受けたのでは、各画素電極により表示され
る画像もやはり劣化してしまうという問題点がある。例
えば、各画素において中間レベルの階調表示を行う時
に、１０ｍＶ程度の微少なノイズが画像信号中に飛び込
んだだけでも、表示画像中に視認可能な程度のノイズと
して現れてしまう。これは、最高又は最低の液晶駆動電
圧（例えば、０〜５Ｖ間の電圧）に対応する白又は黒レ
ベルの表示を行っている場合と比べて、中間レベルにお
ける液晶駆動電圧の変化に対する液晶の透過率の変化が
急峻だからである。このように高精度の多階調表示を実
現するためには、高周波のクロックノイズの問題は重大
である。

【０００６】他方で、相展開数を増やすことによりサン
プリング回路に供給される画像信号の周波数を下げるこ
とはできるが、液晶パネルの基板に設けねばならない画
像信号入力用の外部入力端子の数は、相展開数の増加に
対応して増やさねばならない。即ち、例えば６相展開の
場合には、画像信号入力用の外部入力端子は６個必要と
なり、１２相展開の場合には、１２個必要となる。更
に、これらの画像信号入力用の外部入力端子からサンプ
リング回路まで引き回す配線の数も同様に相展開数だけ
必要となる。これらの結果、画像信号用の配線が液晶パ
ネルの基板面上を占める割合が増加して、サンプリング
回路、データ線駆動回路等からなるデータ信号供給手段
を形成する領域を基板上に確保するのが困難となる。こ
こで仮に従来のように、外部入力端子が設けられた基板
の縁から見て、データ線駆動回路の一方の側へクロック
信号等の制御信号用の配線を引き回し、データ線駆動回
路の他方の側へ多数の画像信号用の配線を引き回したの
では、各側に引き回される配線数が顕著に異なるため、
データ線駆動回路の周囲における配線の配置バランスが
非常に悪くなる（即ち、配線が片側に偏る）という問題
点が生じる。この場合、液晶パネルの基板を大きくして
配線領域やデータ線駆動回路を形成する領域を確保する
ことは可能であるが、これでは、限られた基板サイズで
の画面の大型化という液晶パネルの技術分野における基
本的要請に反してしまう。

【０００７】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、画像信号の相展開数の増加に伴って配線数や外
部入力端子数が増加してもこれらをバランス良く配線や
配置することができ、しかも画像信号に対して高周波の
クロック信号等の制御信号が及ぼす高周波のクロックノ
イズ等の悪影響を低減でき、高品位の画像表示を行える
液晶装置及び当該液晶装置を備えた電子機器を提供する
ことを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の電気光
学装置は上記課題を解決するために、基板上に複数のデ
ータ線と、該複数のデータ線に交差する複数の走査線
と、前記複数のデータ線及び走査線に接続された複数の
スイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子に接
続された複数の画素電極と、画像信号が供給される複数
の画像信号線と、クロック信号を含む制御信号が供給さ
れる複数の制御信号線と、前記画像信号線及び前記制御
信号線を夫々介して前記画像信号及び前記制御信号が入
力され、前記画像信号に対応するデータ信号を前記制御
信号に基づいて前記複数のデータ線に供給するデータ信
号供給手段とを備えており、前記複数の画像信号線のう
ち第１画像信号線群は前記基板上で前記データ信号供給
手段の一方の側へ引き回されており、前記複数の画像信
号線のうち第２画像信号線群は前記基板上で前記データ
信号供給手段の他方の側へ引き回されており、前記第１
及び第２画像信号線群を前記複数の制御信号線から夫々
電気的にシールドする少なくとも１本の導電線を前記基
板上に更に備えたことを特徴とする。

【０００９】請求項１に記載の電気光学装置によれば、
画像信号は、画像信号線を介して、データ信号供給手段
に供給される。これと並行して、クロック信号、イネー
ブル信号等を含む制御信号は、制御信号線を介して、デ
ータ信号供給手段に供給される。すると、例えばデータ
線駆動回路、サンプリング回路等を含んで構成されるデ
ータ信号供給手段により、制御信号に基づいて画像信号
に対応するデータ信号が、複数のデータ線に供給され
る。ここで特に、基板に配線された導電線により、画像
信号線は、クロック信号線、イネーブル信号線等の制御
信号線から夫々電気的にシールドされている。従って、
クロック信号の周波数が高い場合でも、クロック信号線
等の制御信号線から画像信号線への高周波のクロックノ
イズ等の飛び込みを低減できる。

【００１０】他方で、基板に形成されるか又は基板に接
続された走査線駆動回路等を含む走査信号供給手段によ
り、走査信号が走査線を介してスイッチング素子に供給
される。これと並行して、上述のように高周波のクロッ
クノイズ等が低減された画像信号に対応するデータ信号
が、データ線を介してスイッチング素子に供給され、更
にスイッチング素子を介して供給されるデータ信号によ
り画素電極に印加される電圧が変化し、当該画素電極に
対向する液晶が駆動される。

【００１１】以上の結果、表示すべき画像の解像度が高
く、例えば多相展開された画像信号が入力される場合に
も、高周波のクロックノイズ等の発生により画質が劣化
することは殆ど又は全く無くなり、高品位の画像表示が
可能とされる。しかも、第１画像信号線群は、基板上で
データ信号供給手段の一方の側へ引き回されており、第
２画像信号線群は基板上でデータ信号供給手段の他方の
側へ引き回されている。従って、例えば１２相展開、２
４相展開、…というように相展開数を増やすことにより
データ信号供給手段に供給される画像信号の周波数を下
げつつ、多相展開に対応する多数の画像信号線について
は、データ信号供給手段の両側にバランス良く配置でき
る。この結果、サンプリング回路或いはサンプリング回
路、データ線駆動回路等からなるデータ信号供給手段を
形成する領域を基板上に容易に確保することができる。
従って、限られた基板サイズでの画面の大型化を図るこ
とも可能となる。

【００１２】請求項２に記載の電気光学装置は請求項１
に記載の電気光学装置において、前記導電線は、前記複
数の制御信号線のうち少なくとも前記画像信号の水平走
査期間よりも短い周期を持つ高周波制御信号を供給する
高周波制御信号線から、前記第１及び第２画像信号線群
をシールドすることを特徴とする。

【００１３】請求項２に記載の電気光学装置によれば、
導電線により、画像信号線は、複数の制御信号線のうち
高周波制御信号（例えば、クロック信号、イネーブル信
号等）を供給する高周波制御信号線から電気的にシール
ドされている。従って、クロック信号の周波数が高い場
合でも、高周波制御信号線から画像信号線への高周波の
クロックノイズ等の飛び込みを低減できる。尚、低周波
制御信号（例えば、データ線駆動回路内のシフトレジス
タ用のスタート信号等）については、画像信号やデータ
信号中の高周波ノイズの原因とはならないため、これを
供給する低周波制御信号線を導電線によりシールドして
もよく、シールドしなくてもよい。

【００１４】請求項３に記載の電気光学装置は請求項２
に記載の電気光学装置において、前記第１及び第２画像
信号線群と前記高周波制御信号線との間には、前記導電
線と共に前記複数の制御信号線のうち少なくとも前記画
像信号の水平走査期間よりも短くない周期を持つ低周波
制御信号を供給する低周波制御信号線が配線されている
ことを特徴とする。

【００１５】請求項３に記載の電気光学装置によれば、
第１及び第２画像信号線群の中で高周波制御信号線に近
い側に位置する画像信号線は、低周波制御信号線と導電
線との少なくとも合計２本の配線の存在により、高周波
制御信号線から離間され且つ電気的にシールドされてい
る。即ち、画像信号やデータ信号中の高周波ノイズの原
因とはならない低周波制御信号（例えば、データ線駆動
回路内のシフトレジスタ用のスタート信号等）を供給す
る低周波制御信号線を、高周波制御信号線と画像信号線
との間に導電線と共に配置することにより、高周波制御
信号線の画像信号線に対するクロックノイズ等の悪影響
を更に低減できる。特に、一般に距離及び障害物の介在
に応じて電磁波は減少するので、制御信号線と画像信号
線との間に導電線や低周波制御信号線をなるべく多く配
線する構成により、高周波制御信号線から画像信号線に
印加される電磁波が減少する。このように、導電線以外
に低周波制御信号線を高周波制御信号線と画像信号線と
の間に介在させることは基板上スペースの有効利用及び
ノイズ低減の観点から見て有利である。

【００１６】請求項４に記載の電気光学装置は請求項１
に記載の電気光学装置において、前記第１画像信号線群
に接続されており外部画像信号源から前記画像信号が夫
々入力される複数の第１外部入力端子と、前記第２画像
信号線群に接続されており前記外部画像信号源から前記
画像信号が夫々入力される複数の第２外部入力端子と、
前記制御信号線に接続されており外部制御信号源から前
記制御信号が夫々入力される複数の第３外部入力端子
と、前記導電線に夫々接続された複数の第４外部入力端
子とを前記基板の周辺部上に更に備えており、前記第１
及び第２外部入力端子の間には、前記第３外部入力端子
が配置されており、前記第１及び第３外部入力端子の間
並びに前記第３及び第２外部入力端子の間には、前記第
４外部入力端子が夫々配置されていることを特徴とす
る。

【００１７】請求項４に記載の電気光学装置によれば、
基板の周辺部上において、第１及び第２画像信号線群に
夫々接続された複数の第１及び第２外部入力端子の間に
は、制御信号線に接続された複数の第３外部入力端子が
配置されている。即ち、第１から第４外部入力端子が設
けられた基板の周辺部上において、中央に制御信号線に
接続された複数の第３外部入力端子が集中配置されてお
り、その両側に第１及び第２画像信号線群に夫々接続さ
れた複数の第１及び第２外部入力端子が配置されてい
る。そして、これらの間に、導電線に接続された第４外
部入力端子が配置されている。従って、第１及び第２画
像信号線群と制御信号線との間に基板上で距離を置くと
共に、これらの間に導電線を配線する構成を容易に得る
ことができる。特に、当該電気光学装置に入力される前
段階で、クロック信号等の制御信号が、画像信号に対し
クロックノイズ等を発生させてしまう事態を効果的に阻
止し得る。仮に、画像信号線に接続された複数の外部入
力端子と制御信号線に接続された複数の外部入力端子と
が混在していたり、隣接していたりすれば、当該電気光
学装置に入力される前段階で、画像信号線と制御信号線
とが隣接或いは近接する配線部分が不可避となり、画像
信号中にクロックノイズ等が飛び込んでしまうのであ
る。このように本発明によれば、電気光学装置に入力さ
れる前後において、クロック信号線から画像信号線への
高周波のクロックノイズの飛び込みを低減できる。尚、
より好ましくは、基板の周辺部において外部入力端子を
形成可能な領域において、第１及び第２外部入力端子を
可能な限り両側に寄せて配置すると共に、両者の間に配
置される第３外部入力端子との間に可能な限り間隔を空
けて、この間隔に導電線に接続された第４外部入力端子
を配置する。

【００１８】請求項５に記載の電気光学装置は請求項４
に記載の電気光学装置において、前記導電線は、前記複
数の制御信号線のうち少なくとも前記画像信号の水平走
査期間よりも短い周期を持つ高周波制御信号を供給する
高周波制御信号線から、前記第１及び第２画像信号線群
をシールドし、前記第３外部入力端子のうち前記第４外
部入力端子に隣接する端子は、前記複数の制御信号線の
うち少なくとも前記画像信号の水平走査期間よりも短く
ない周期を持つ低周波制御信号を供給する低周波制御信
号線に接続されていることを特徴とする。

【００１９】請求項５に記載の電気光学装置によれば、
導電線により、画像信号線は、高周波制御信号線から電
気的にシールドされている。ここで特に、制御信号線に
接続された第３外部入力端子のうち導電線に接続された
第４外部入力端子に隣接する端子は、低周波制御信号線
に接続されているので、画像信号線は、低周波制御信号
線と導電線との少なくとも合計２本の配線の存在によ
り、高周波制御信号線から離間され且つ電気的にシール
ドされる。

【００２０】請求項６に記載の電気光学装置は請求項１
に記載の電気光学装置において、前記導電線は、前記デ
ータ信号供給手段に定電位のデータ線駆動用電源を供給
するデータ線駆動用定電位線から構成された部分を含む
ことを特徴とする。

【００２１】請求項６に記載の電気光学装置によれば、
導電線は、前記データ信号供給手段に定電位のデータ線
駆動用電源を供給するデータ線駆動用定電位線から構成
された部分を含むので、外部入力端子や配線そのものを
共用することにより、言い換えれば定電位線を延設して
導電線とすることにより、構成の簡略化と省スペース化
を図ることが出来、特に導電線を定電位とすることも極
めて容易となる。

【００２２】請求項７に記載の電気光学装置は請求項６
に記載の電気光学装置において、前記データ線駆動用定
電位線は、相異なる定電位の電源を前記データ信号供給
手段に供給する第１及び第２定電位線からなり、該第１
定電位線から構成された前記導電線部分は、前記基板上
で第１及び第２画像信号線群を囲み、前記第２定電位線
から構成された前記導電線部分は、前記基板上で前記第
１基板上で前記制御信号線を囲むことを特徴とする。

【００２３】請求項７に記載の電気光学装置によれば、
第１及び第２画像信号線群は、例えば接地電位の負電源
を供給するための第１定電位線から構成された導電線部
分により、基板上で囲まれている。制御信号線は、例え
ば正電源を供給するための第２定電位線から構成された
導電線部分により、基板上で囲まれている。従って、画
像信号線は、第１基板上で制御信号線から２重にシール
ドされた構成が得られる。

【００２４】請求項８に記載の電気光学装置は請求項１
から７のいずれか一項に記載の電気光学装置において、
前記導電線は、前記複数の画素電極により規定される画
面表示領域及び前記複数のデータ線を前記基板上で囲む
ように延設されたこと特徴とする。

【００２５】請求項８に記載の電気光学装置によれば、
導電線により、画面表示領域及び複数のデータ線は、基
板上で囲まれているので、当該画面表示領域及び複数の
データ線も、クロック信号線等の制御信号線からシール
ドされることになる。従って、データ信号供給手段から
出力されたデータ信号、スイッチング素子や画素電極に
到達したデータ信号等における、高周波のクロックノイ
ズ等の発生を低減できる。

【００２６】請求項９に記載の電気光学装置は請求項８
に記載の電気光学装置において、前記基板に対向して対
向基板が設けられており、前記画面表示領域の輪郭に沿
って前記基板及び対向基板のうち少なくとも一方に形成
された遮光性の周辺見切りを更に備えており、前記導電
線は前記周辺見切りに対向する位置において前記周辺見
切りに沿って前記基板に設けられた部分を含むことを特
徴とする。

【００２７】請求項９に記載の電気光学装置によれば、
導電線は、基板の周辺見切り下に設けられているので、
ＴＦＴアレイ基板上の省スペース化が図られ、例えば、
走査線駆動回路やデータ線駆動回路を基板の周辺部分に
余裕を持って形成することができ、導電線形成により液
晶装置における有効表示面積の減少することも殆ど又は
全くない。

【００２８】請求項１０に記載の電気光学装置は請求項
１から９のいずれか一項に記載の液晶装置において、前
記導電線及び前記データ線は、同一の低抵抗金属材料か
ら形成されたことを特徴とする。

【００２９】請求項１０に記載の電気光学装置によれ
ば、導電線は例えば、Ａｌ（アルミニウム）等の、デー
タ線と同一の低抵抗金属材料から形成されているので、
導電線の引き回し領域が、たとえ長くても、導電線の抵
抗は実用上十分に低く抑えられる。即ち、抵抗増加によ
りシールドの効果を下げることなく、例えば他の配線や
回路等の隙間を縫ってジグザグに導電線を長く配線した
り、画面表示領域等までも含めた広い領域に導電線を長
く配線することが可能となるので、比較的簡単な構成に
より、当該シールドの効果を全体として、より高めるこ
とが出来る。更に、当該電気光学装置の製造プロセスに
おいて、導電線及びデータ線を、同一の低抵抗金属材料
から同一工程により形成できる。即ち、導電線を形成す
ることによる製造プロセスの増加を最低限に抑えること
ができる。

【００３０】請求項１１に記載の電気光学装置は請求項
１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置におい
て、前記画素電極に所定量の容量を付与する容量線を更
に備えており、該容量線が前記導電線に接続されたこと
を特徴とする。

【００３１】請求項１１に記載の電気光学装置によれ
ば、容量線により画素電極に所定量の容量が付与されて
いるので、デューティー比が小さくても高精細な表示が
可能とされる。そして、容量線は導電線に接続されてい
る。従って、容量線の電位変動によるスイッチング素子
や画素電極への悪影響は防止されている。しかも、容量
線を定電位とするための配線を導電線で兼用でき、更
に、容量線を定電位にするために必要な外部入力端子
も、例えば、前述の第３外部入力端子或いは導電線専用
の外部入力端子で兼用できる。

【００３２】請求項１２に記載の電気光学装置は請求項
１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置におい
て、走査信号を前記複数の走査線に順次供給する走査信
号供給手段を前記基板上に更に備えており、前記導電線
は、前記走査信号供給手段に定電位の走査線駆動用電源
を供給する走査線駆動用定電位線から構成された部分を
含むことを特徴とする。

【００３３】請求項１２に記載の電気光学装置によれ
ば、走査線駆動用定電位線から構成された導電線部分に
より、画像信号線は、制御信号線から電気的にシールド
されている。従って、クロック信号の周波数が高い場合
でも、制御信号線から画像信号線への高周波のクロック
ノイズ等の飛び込みを低減できる。

【００３４】請求項１３に記載の電気光学装置は請求項
１２に記載の電気光学装置において、前記走査信号供給
手段は、前記複数の画素電極により規定される画面表示
領域の両側に設けられており、前記走査線駆動用定電位
線から構成された前記導電線部分は、前記画面表示領域
及び前記複数のデータ線を前記基板上で囲むように且つ
前記走査線供給手段に前記走査線駆動用電源を冗長的に
供給するように延設されている。

【００３５】請求項１３に記載の電気光学装置によれ
ば、走査線駆動用定電位線から構成された導電線部分に
より、画面表示領域及び複数のデータ線は、基板上で囲
まれているので、当該画面表示領域及び複数のデータ線
も、クロック信号線等の制御信号線からシールドされる
ことになる。従って、データ信号供給手段から出力され
たデータ信号、スイッチング素子や画素電極に到達した
データ信号等における、高周波のクロックノイズ等の発
生を低減できる。更に、走査線駆動用定電位線から構成
された導電線部分は、画面表示領域の両側に設けられた
走査線供給手段に走査線駆動用電源を冗長的に供給する
ように延設されているので、たとえ、走査線駆動用定電
位線から構成された導電線部分や、それ以外の部分で走
査線駆動用定電位線に断線が生じても、装置欠陥になり
難いので有利である。

【００３６】請求項１４に記載の電気光学装置は請求項
１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置におい
て、前記データ信号供給手段は、前記画像信号をサンプ
リングするサンプリング回路と、前記制御信号に基づい
て該サンプリング回路を駆動するデータ線駆動回路とを
備えており、前記第１画像信号線群に含まれる画像信号
線と前記第２画像信号線群に含まれる画像信号線とは、
前記データ線駆動回路と前記サンプリング回路との間に
おいて、少なくとも１本の画像信号線毎に前記データ線
駆動回路の両側から櫛歯状に交互に引き回されているこ
とを特徴とする。

【００３７】請求項１４に記載の電気光学装置によれ
ば、第１画像信号線群に含まれる画像信号線（例えば、
奇数番目のデータ線に対応する画像信号線ＶＩＤ１、
３、５、７、…）と第２画像信号線群に含まれる画像信
号線（例えば、偶数番目のデータ線に対応する画像信号
線ＶＩＤ２、４、６、８、…）とは、少なくとも１本の
画像信号線毎にデータ線駆動回路の両側から櫛歯状に交
互に引き回されている。従って、データ線駆動回路の周
囲で画像信号線やデータ線を規則正しく且つバランス良
く配線することができる。

【００３８】請求項１５に記載の電気光学装置は請求項
１４に記載の電気光学装置において、前記データ信号供
給手段は、前記データ線毎に前記データ信号の電圧極性
を反転し、前記第１画像信号線群に含まれる画像信号線
と前記第２画像信号線群に含まれる画像信号線とは、相
隣接する２本のデータ線に対応する２本の画像信号線を
対にして前記データ線駆動回路の両側から櫛歯状に交互
に引き回されていることを特徴とする。

【００３９】請求項１５に記載の電気光学装置によれ
ば、データ信号供給手段により、データ線毎にデータ信
号の電圧極性が反転され、所謂１Ｓ反転やドット反転と
いった反転駆動が行われ、表示画面上のフリッカが低減
される。ここで、第１画像信号線群に含まれる画像信号
線（例えば、相隣接する２本のデータ線に対応する２本
おきの画像信号線ＶＩＤ１、２、５、６…）と第２画像
信号線群に含まれる画像信号線（例えば、相隣接する２
本のデータ線に対応する２本おきの画像信号線ＶＩＤ
３、４、７、８…）とは、相隣接する２本のデータ線に
対応する２本の画像信号線を対にしてデータ線駆動回路
の両側から櫛歯状に交互に引き回されている。従って、
相隣接する画像信号線には逆極性の画像信号が供給され
ることになり、同一のノイズ源に起因したノイズ成分に
ついては、これら両者間で打ち消し合う効果が働くの
で、ノイズを低減する上で有利である。

【００４０】請求項１６に記載の電子機器は、請求項１
から１５に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とす
る。

【００４１】請求項１６に記載の電子機器によれば、電
子機器は、上述した本願発明の液晶装置を備えており、
高周波のクロックノイズ等が低減されており、高品位の
画像表示が可能となる。

【００４２】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにする。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００４４】（液晶装置の構成）電気光学装置の一例と
して、液晶装置の実施の形態の構成について図１から図
８に基づいて説明する。図１は、液晶装置の実施の形態
におけるＴＦＴアレイ基板上に設けられた導電線（以
下、シールド線と称す。）を含む各種配線、周辺回路等
の構成を示す平面図であり、図２は、図１のシールド線
のより詳細な２次元的レイアウトを示す平面図であり、
図３（ａ）及び（ｂ）は夫々、シールド線、画像信号線
及びクロック信号線等の配線を示す図２のＡ−Ａ’断面
図及びＢ−Ｂ’断面図であり、図５は、図１の画素部分
の拡大平面図であり、図６は、ＴＦＴアレイ基板をその
上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た
平面図であり、図７は、対向基板を含めて示す図６のＨ
−Ｈ’断面図である。図８は、図１の画像信号線の２次
元的レイアウトの一例を示す概略平面図（図８（ａ））
及び他の例を示す概略平面図（図８（ｂ））である。

【００４５】図１において、液晶装置２００は、例えば
石英基板、ハードガラス等からなるＴＦＴアレイ基板１
を備えている。ＴＦＴアレイ基板１上には、マトリクス
状に設けられた複数の画素電極１１と、Ｘ方向に複数配
列されており夫々がＹ方向に沿って伸びるデータ線３５
と、Ｙ方向に複数配列されており夫々がＸ方向に沿って
伸びる走査線３１と、各データ線３５と画素電極１１と
の間に夫々介在すると共に該間における導通状態及び非
導通状態を、走査線３１を介して夫々供給される走査信
号に応じて夫々制御するスイッチング素子の一例として
の複数のＴＦＴ３０とが形成されている。またＴＦＴア
レイ基板１上には、後述の蓄積容量（図９参照）のため
の配線である容量線３１’が、走査線３１に沿ってほぼ
平行に形成されている。

【００４６】ＴＦＴアレイ基板１上には更に、データ信
号供給手段の一例を構成するサンプリング回路３０１及
びデータ線駆動回路１０１と、走査信号供給手段の一例
を構成する走査線駆動回路１０４とが形成されている。
また、複数の画素電極１１により規定される画面表示領
域（即ち、実際に液晶の配向状態変化により画像が表示
される液晶パネルの領域）の上辺には、画面表示領域の
両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐため
の複数の配線１０５が設けられており、画面表示領域の
四隅には、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板との間で電気
的導通をとるための導通材からなる銀点１０６が設けら
れている。但し、上下導通箇所は少なくとも１カ所で良
い。以下図１から図８の説明において、ＴＦＴアレイ基
板１の下辺に沿って複数設けられた外部入力端子１０２
を介して入力される信号名称と、その信号配線とは、説
明の容易化のために同一のアルファベット記号を信号及
び配線の後に夫々付加して参照する（例えば、信号名称
である“クロック信号ＣＬＸ”に対し、その信号配線を
“配線ＣＬＸ”と呼ぶ）ことにする。

【００４７】走査線駆動回路１０４は、外部制御回路か
ら外部入力端子１０２並びに配線ＶＳＳＹ及びＶＤＤＹ
を介して供給される、走査線駆動回路１０４用の負電源
ＶＳＳＹ及び正電源ＶＤＤＹを電源として用いて、スタ
ート信号ＤＹの入力により内蔵シフトレジスタ回路をス
タートさせる。そして、外部入力端子１０２並びに配線
ＣＬＹ及びＣＬＹ’を介して供給される、走査線駆動回
路１０４の内蔵シフトレジスタ回路用の基準クロック信
号ＣＬＹ及びその反転クロック信号ＣＬＹ’に基づく所
定タイミングで、走査線３１に走査信号をパルス的に線
順次で印加する。

【００４８】データ線駆動回路１０１は、外部制御回路
から外部入力端子１０２並びに信号配線ＶＳＳＸ及びＶ
ＤＤＸを介して供給される、データ線駆動回路用の負電
源ＶＳＳＸ及び正電源ＶＤＤＸを電源として用いて、ス
タート信号ＤＸの入力により内蔵シフトレジスタ回路を
スタートさせる。そして、外部入力端子１０２並びに配
線ＣＬＸ及びＣＬＸ’を介して供給される、データ線駆
動回路１０１の内蔵シフトレジスタ回路用の基準クロッ
ク信号ＣＬＸ及びその反転クロック信号ＣＬＸ’に基づ
き、走査線駆動回路１０４が走査信号を印加するタイミ
ングに合わせて、外部入力端子１０２及び配線ＶＩＤ１
〜ＶＩＤ１２を介して供給される例えば１２相展開され
た画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２夫々について、データ
線３５毎にサンプリング回路駆動信号をサンプリング回
路３０１にサンプリング回路駆動信号線３０６を介して
所定タイミングで供給する。

【００４９】サンプリング回路３０１は、ＴＦＴ３０２
を各データ線３５毎に備えており、配線ＶＩＤ１〜ＶＩ
Ｄ１２がＴＦＴ３０２のソース電極に接続されており、
サンプリング回路駆動信号線３０６がＴＦＴ３０２のゲ
ート電極に接続されている。そして、画像信号ＶＩＤ１
〜ＶＩＤ１２が入力されると、これらの画像信号をサン
プリングする。また、サンプリング回路駆動信号線３０
６を介して、データ線駆動回路１０１からサンプリング
回路駆動信号が入力されると、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩ
Ｄ１２夫々についてサンプリングされた画像信号を、１
２本の隣接するデータ線３５からなるグループ毎に順次
印加する。

【００５０】以上のように、データ線駆動回路１０１と
サンプリング回路３０１とは、１２相展開された画像信
号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２をデータ線３５にデータ信号と
して供給するように構成されている。本実施の形態では
隣接する１２本のデータ線３５に接続されるサンプリン
グ回路３０１を同時に選択し、１２本のデータ線３５か
らなるグループ毎に順次転送していく方式を述べたが、
データ線３５を６本毎に選択してもよいし、２４本毎に
選択してもよい。或いは、２本以上の任意の本数を同時
に選択してもよい。また、サンプリング回路３０１のＴ
ＦＴ３０２の能力が高ければ、データ線毎に順次に選択
してもよい。この際、少なくとも画像信号の相展開数だ
け、画像信号用の外部入力端子１０２及び画像信号線が
必要なことは言うまでもない。本実施の形態では特に、
以下に述べるようにデータ線駆動回路１０１の両側から
配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２が引き回されているので、こ
の本数（相展開数）は多くてもＴＦＴアレイ基板１上に
バランス良く配線できる。尚、画像信号の相展開数とサ
ンプリング回路３０１を同時に選択する数が相等しくな
るように構成してもよいし、前者が後者よりも多くなる
ように構成してもよい。

【００５１】図２に示すように、データ線駆動回路１０
１は、スタート信号ＤＸが入力されると、基準クロック
信号ＣＬＸ及びその反転クロック信号ＣＬＫ’に基づく
転送信号の順次生成を開始するシフトレジスタ回路１０
１ａと、シフトレジスタ回路１０１ａからの転送信号を
波形整形しバッファリングした後、サンプリング回路駆
動信号線３０６を介してサンプリング回路３０１に供給
する波形制御回路１０１ｂ及びバッファ回路１０１ｃと
を備えている。また、サンプリング回路３０１は、１２
相展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２に対応して
ＴＦＴ３０２が１２個ずつパラレルに各サンプリング回
路駆動信号線３０６に接続されている。即ち、ＴＦＴ３
０２から構成されるスイッチＳ１〜Ｓ１２が左から１本
目のサンプリング回路駆動信号線３０６に接続されてお
り、スイッチＳ１３〜Ｓ２４が左から２本目のサンプリ
ング回路駆動信号線３０６に接続されており、スイッチ
Ｓｎ-11〜Ｓｎが右端のサンプリング回路駆動信号線３
０６に接続されている。図１では省略し図２で示したイ
ネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２は、波形制御回路１
０１ｂ内に設けられたイネーブル回路に入力される。こ
のイネーブル回路では、シフトレジスタ回路１０１ａか
ら順次出力されるパルスの幅を、イネーブル信号ＥＮＢ
１及びＥＮＢ２のパルス幅に制限することにより、サン
プリング回路３０１の選択期間を制御する。これによ
り、データ線１２本分ずつ離れて同一の配線（ＶＩＤ１
〜１２）から画像信号を受けるデータ線３５間における
ゴーストの発生を防止する。従って、イネーブル信号Ｅ
ＮＢ１及びＥＮＢ２は、クロック信号ＣＬＸ及びＣＬ
Ｘ’と同じく、水平走査期間よりも短い周期を持つ高周
波制御信号に属する。他方、シフトレジスタ回路１０１
ａに入力されるスタート信号ＤＸは、クロック信号ＣＬ
Ｙ及びＣＬＹ’や走査線駆動回路側のシフトレジスタに
入力されるスタート信号ＤＹと同じく、水平走査期間よ
りも短くない周期を持つ低周波制御信号に属する。

【００５２】ここで、シフトレジスタ回路１０１ａの具
体的な回路構成及び動作について図３を参照して説明す
る。尚、図３（ａ）は、イネーブル回路を含むシフトレ
ジスタ回路を示す回路図であり、図３（ｂ）は、このシ
フトレジスタ回路における各種信号のタイミングチャー
トである。

【００５３】先ず、図３（ａ）において、シフトレジス
タ回路１０１ａの各段の出力に対応してイネーブル回路
１１２が夫々設けられている。シフトレジスタ回路１０
１ａの各段は、右方向（左から右へ向かう方向）に対応
する転送方向で各段から転送信号が順次出力されるよう
に、所定周期の基準クロック信号ＣＬＸ及びその反転信
号ＣＬＸ’の２値レベルが変化する毎に転送信号に帰還
をかけて次段に転送する２つのクロックドインバータを
夫々含んで構成されている。また、イネーブル回路１１
２は、シフトレジスタ回路１０１ａの奇数段目から出力
される転送信号のパルス幅を第１イネーブル信号ＥＮＢ
１のパルス幅に制限すると共に偶数段目から出力される
転送信号のパルス幅を第２イネーブル信号ＥＮＢ２のパ
ルス幅に制限するように、転送信号とイネーブル信号Ｅ
ＮＢ１又はＥＮＢ２との排他的論理積をとるＮＡＮＤ回
路と、その結果を反転させるインバータ回路とから構成
されている。シフトレジスタ回路１０１ａには、転送信
号の転送をスタートさせるための信号ＤＸが図中左側か
ら入力される。

【００５４】図３（ｂ）のタイミングチャートに示すタ
イミングで、この信号ＤＸ、クロック信号ＣＬＸ及びそ
の反転信号ＣＬＸ’と、第１及び第２イネーブル信号Ｅ
ＮＢ１及びＥＮＢ２とが入力されると、上述のように構
成されたシフトレジスタ回路１０１ａからは、クロック
信号ＣＬＸの半周期だけ順次遅れる転送信号が順次出力
される。すると、イネーブル回路１１２により、この転
送信号のパルス幅が信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２のパルス
幅に制限されて、クロック信号ＣＬＸのパルス幅よりも
幅の狭いパルスから夫々なるサンプリング回路駆動信号
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、…、Ｑｎ（但し、ｎは奇数）が、図
２に示した波形制御回路１０１ｂ及びバッファ回路１０
１ｃを介してサンプリング回路３０１に順次供給され
る。

【００５５】本実施の形態では特に、図１及び図２に示
すように、ＴＦＴアレイ基板１には、負電源ＶＳＳＹ用
の配線ＶＳＳＹを兼ねた定電位のシールド線８０、負電
源ＶＳＳＸ用の配線ＶＳＳＸを兼ねた定電位のシールド
線８０’、正電源ＶＤＤＸ用の配線ＶＤＤＸを兼ねた定
電位のシールド線８２、及び正電源ＶＤＤＹ用の配線Ｖ
ＤＤＹを兼ねた定電位のシールド線８６が配線されてい
る。これらのシールド線８０、８０’、８２及び８６に
より、画像信号線である配線ＶIＤ１〜ＶIＤ１２は、配
線ＣＬＸ及びＣＬＸ’並びに配線ＥＮＢ１及びＥＮＢ２
から電気的にシールドされている。従って、クロック信
号ＣＬＸの周波数が高い場合でも、高周波制御信号線で
ある配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’並びに配線ＥＮＢ１及びＥ
ＮＢ２から配線ＶIＤ１〜ＶIＤ１２への高周波のクロッ
クノイズ等の飛び込みを低減できる。

【００５６】しかも、図１及び図２に示したように、第
１画像信号線群の一例を構成する奇数番目の画像信号線
ＶＩＤ１、３、５、７、９及び１１は、ＴＦＴアレイ基
板１上をＸ方向に見てデータ線駆動回路１０１の右側へ
引き回されており、第２画像信号線群の一例を構成する
偶数番目の画像信号線ＶＩＤ２、４、６、８、１０及び
１２は、ＴＦＴアレイ基板１上でデータ線駆動回路１０
１の左側へ引き回されている。従って、例えば１２相展
開というように比較的多相の相展開数を行うことによ
り、サンプリング回路３０１に供給される画像信号ＶＩ
Ｄ１〜１２の周波数を下げつつ、多数の配線ＶＩＤ１〜
１２については、データ線駆動回路１０１の両側にバラ
ンス良く配置できる。この結果、サンプリング回路３０
１及びデータ線駆動回路１０１からなるデータ信号供給
手段を形成する領域をＴＦＴアレイ基板１上に容易に確
保することができる。従って、限られた基板サイズにお
ける画面の大型化が図られる。

【００５７】本実施の形態では特に、図２に示したよう
に、定電位のシールド線８０’により、画像信号線たる
配線ＶＩＤ１〜１２は、前述の高周波制御信号に属する
クロック信号ＣＬＸ及びＣＬＸ’並びにイネーブル信号
ＥＮＢ１及びＥＮＢ２を供給する高周波制御信号線たる
配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’並びに配線ＥＮＢ１及びＥＮＢ
２から電気的にシールドされている。従って、クロック
信号の周波数が高い場合でも、これらの高周波制御信号
線から配線ＶＩＤ１〜１２への高周波のクロックノイズ
等の飛び込みを低減できる。他方、前述の低周波制御信
号に属するスタート信号ＤＸ及びＤＹ、並びにクロック
信号ＣＬＹ及びＣＬＹ’については、配線ＶＩＤ１〜１
２上の画像信号や、これに基づいて供給されたデータ線
３５上のデータ信号中の高周波ノイズの原因とはならな
い。このため、低周波制御信号線たる配線ＤＸ、ＤＹ、
ＣＬＹ及びＣＬＹ’は、定電位のシールド線によりシー
ルドしてもよく、シールドしなくてもよい。本実施の形
態では、図２に示したように、右側では配線ＶＩＤ１、
３、…、１１は、定電位の配線ＶＤＤＹからなるシール
ド線８６により配線ＤＹ、ＣＬＹ及びＣＬＹ’からシー
ルドされており、左側では配線ＶＩＤ２、４、…、１２
は定電位の配線ＶＳＳＹからなるシールド線８０により
配線ＤＹからシールドされている。また、配線ＤＸから
は、シールド線８０’により配線ＶＩＤ１〜１２はシー
ルドされている。

【００５８】更に本実施の形態では特に、右側（奇数番
目）の画像信号線群の中で高周波制御信号線たる配線Ｃ
ＬＸ及びＣＬＸ’に近い側に位置する配線ＶＩＤ１１
は、配線ＶＳＳＸ及びＶＤＤＸから夫々なる２本のシー
ルド線８０’及び８２の存在により、これらの配線ＣＬ
Ｘ及びＣＬＸ’から離間されており、且つ電気的にシー
ルドされている。また、左側（偶数番目）の画像信号線
群の中で高周波制御信号線たる配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’
に近い側に位置する配線ＶＩＤ１２は、配線ＶＳＳＸか
らなる１本のシールド線８０’及び低周波制御信号線た
る配線ＤＸの存在により、これらの配線ＣＬＸ及びＣＬ
Ｘ’から離間されており、且つ電気的にシールドされて
いる。即ち、画像信号やデータ信号中の高周波ノイズの
原因とはならない低周波制御信号線に属する配線ＤＸ
を、高周波制御信号線たる配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’と配
線ＶＩＤ１２との間に、シールド線８０’と共に配置す
ることにより、配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’のＶＩＤ１２に
対するクロックノイズ等の悪影響を更に低減できる。一
般に距離及び障害物の介在に応じて電磁波は減少するの
で、配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’や配線ＥＮＢ１及びＥＮＢ
２と配線ＶＩＤ１〜１２との間にシールド線（配線８
０、８０’、８２、８６等の定電位の配線）や低周波制
御信号線（配線ＤＸ、ＤＹ、ＣＬＹ、ＣＬＹ’等の低周
波制御信号が供給される配線）をなるべく多く配線する
構成により、クロックノイズを発生させる電磁波が減少
して、クロックノイズ等が低減する。このように、シー
ルド線以外に低周波制御信号線を高周波制御信号線と画
像信号線との間に介在させることはＴＦＴ基板１上スペ
ースの有効利用及びノイズ低減の観点から見て有利であ
る。

【００５９】また図２に示したように本実施の形態で
は、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部上において、配線ＶＩ
Ｄ１〜１２に夫々接続された外部入力端子１０２は両側
に配置されており、その間に配線ＥＮＢ１、ＥＮＢ２、
ＣＬＸ’及びＣＬＸに接続された外部入力端子１０２が
集中配置されている。そして、配線ＶＩＤ１２に接続さ
れた外部入力端子１０２と配線ＥＮＢ１に接続された外
部入力端子１０２との間に、シールド線８０’（配線Ｖ
ＳＳＸ）に接続された外部入力端子１０２が配置されて
いる。また、配線ＶＩＤ１１に接続された外部入力端子
１０２と配線ＣＬＸに接続された外部入力端子１０２と
の間に、シールド線８０’（配線ＶＳＳＸ）に接続され
た外部入力端子１０２が配置されている。従って、配線
ＶＩＤ１〜１２と配線ＥＮＢ１、ＥＮＢ２、ＣＬＸ’及
びＣＬＸとの間にシールド線８０’を配線する構成を容
易に得ることができる。特に、液晶装置２００に入力さ
れる前段階で、例えば、表示情報処理回路等の外部回路
から液晶装置２００への配線中で、クロック信号ＣＬＸ
等が、画像信号ＶＩＤ１〜１２に対しクロックノイズ等
を発生させてしまう事態を効果的に阻止し得る。このよ
うに本実施の形態によれば、液晶装置２００に入力され
る前後において、クロック信号用の配線から画像信号用
の配線への高周波のクロックノイズの飛び込み等を低減
できる。尚、より好ましくは、ＴＦＴアレイ基板１の周
辺部において外部入力端子１０２を形成可能な領域にお
いて、配線ＶＩＤ１〜１２用の外部入力端子１０２を可
能な限り両側（右側及び左側）に寄せて配置すると共
に、中央に集中配置される配線ＣＬＸ’等用の外部入力
端子１０２との間に可能な限り間隔を空けて、この間隔
にシールド線８０’等用の外部入力端子１０２を配置す
る。

【００６０】本実施の形態では、配線ＶＳＳＹ、ＶＳＳ
Ｘ、ＶＤＤＸ及びＶＳＳＹを夫々延設してシールド線８
０、８０’、８２及び８６とすることにより、外部入力
端子や配線を共用することが可能となり、装置構成の簡
略化と省スペース化を図ることが出来る。また、シール
ド線８０、８０’、８２及び８６の電位は、このように
定電位線との共用化により、容易に定電位とされる。但
し、電源用の配線とシールド線を別個に配線してもよ
い。

【００６１】本実施の形態では、図２に示すように、負
電源ＶＳＳＸが入力される外部入力端子１０２が２つ設
けられている。そして、配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２は、
負電源ＶＳＳＸの電位（負電位）とされたシールド線８
０’により、ＴＦＴアレイ基板１上で囲まれている。特
に、シフトレジスタ回路１０１ａと波形制御回路１０１
ｂとの間にも、データ線３５と同じＡｌ等の金属層から
形成されたシールド線８０’は延設されている。そし
て、延設されたシールド線８０’の先端部は、後述のよ
うに第１層間絶縁層を介してＡｌ等の金属層の下方にお
いて、例えば走査線３１と同じポリシリコン等の導電性
層から形成されたシールド線接続部８１を介して、波形
制御回路１０１ｂ及びバッファ回路１０１ｃを囲むよう
にしてシールド線８０’に接続されている。

【００６２】他方、図２に示すように、配線ＣＬＸ及び
ＣＬＸ’は、データ線駆動回路１０１に隣接する部分に
おいては、正電源ＶＤＤＸの電位（正電位）とされたシ
ールド線８２により、ＴＦＴアレイ基板１上で囲まれて
いる。特に、波形制御回路１０１ｂとバッファ回路１０
１ｃとの間にも、データ線３５と同じＡｌ等の金属層か
ら形成されたシールド線８２は延設されており、その先
端部は、例えば走査線３１と同じポリシリコン等の導電
性層から形成されたシールド線接続部８３を介して波形
制御回路１０１ｂ及びシフトレジスタ回路１０１ａを囲
むようにしてシールド線８２に接続されている。

【００６３】従って、配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２は、Ｔ
ＦＴアレイ基板１上で配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’並びに配
線ＥＮＢ１及びＥＮＢ２から２重にシールドされた構成
が採られており、シフトレジスタ回路１０１ａ並びに波
形制御回路１０１ｂ及びバッファ回路１０１ｃに対する
シールドも信頼性が高いものとされている。但し、この
ように囲む構成を採らなくても、配線ＣＬＸ、ＣＬ
Ｘ’、ＥＮＢ１及びＥＮＢ２と配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１
２との間にシールド線８０、８０’、８２及び８６が少
なくとも一本介在するように構成すれば、シールドの効
果は多少なりとも得られる。

【００６４】本実施の形態では図１及び図２に示したよ
うに、シールド線８０により、画面表示領域及び複数の
データ線３５は、ＴＦＴアレイ基板１上で囲まれてい
る。このため、当該画面表示領域及び複数のデータ線３
５も、配線ＣＬＸ、ＣＬＸ’、ＥＮＢ１及びＥＮＢ２か
らシールドされている。従って、データ線駆動回路１０
１から出力されたサンプリング回路駆動信号、ＴＦＴ３
０や画素電極１１に到達したデータ信号等における、高
周波のクロックノイズの発生等を低減できる。但し、こ
のように画面表示領域までも囲む構成を採らなくても、
サンプリング回路３０１に至るまでの配線ＶＩＤ１〜Ｖ
ＩＤ６をシールド線８０、８０’、８２又は８６により
シールドするように構成すれば、シールドの効果は多少
なりとも得られる。この場合図１から分かるように、シ
ールド線８０は、配線ＶＳＳＹから延設されており、画
面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４に
電源信号ＶＳＳＹを冗長的に供給するように延設されて
いる。このため、たとえ、シールド線８０或いは配線Ｖ
ＳＳＹに断線が生じても、装置欠陥になり難いので有利
である。

【００６５】図４（ａ）及び（ｂ）の断面図に夫々示す
ように、外部入力端子１０２に接続された各種配線Ｄ
Ｙ、ＶＳＳＹ、…、ＶＤＤＸは、例えば、Ａｌ（アルミ
ニウム）等の、データ線３５と同一の低抵抗金属材料か
ら形成されている。従って、シールド線８０（配線ＶＳ
ＳＹ）、８０’（配線ＶＳＳＸ）、８２（配線ＶＤＤ
Ｘ）及び８６（配線ＶＤＤＹ）の引き回し領域が、たと
え長くても、各シールド線８０、８０’、８２及び８６
の抵抗は実用上十分に低く抑えられる。即ち、図２に示
したように、他の各種配線やシフトレジスタ回路１０１
ａ並びに波形制御回路１０１ｂ及びバッファ回路１０１
ｃの隙間を縫ってジグザグにシールド線８２や８０’を
長く配線でき、更に画面表示領域までも含めた広い領域
にシールド線８０を長く配線できる。このように比較的
簡単な構成により、当該シールドの効果を全体として高
めることが出来る。また図４（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、各種配線ＤＹ、ＶＳＳＹ、…、ＶＤＤＸは、ＴＦ
Ｔアレイ基板１に形成された第１層間絶縁層４２上に、
即ち同一層上に形成されている。従って、シールドの効
果がより効率良く発揮される。更に、このように構成す
ると、液晶装置２００の製造プロセスにおいて、各種配
線ＤＹ、ＶＳＳＹ、…、ＶＤＤＸを、例えば、Ａｌ層等
の同一の低抵抗金属層から同一工程により一括して形成
できるので、製造上有利である。

【００６６】尚、図１から図４に示した外部入力端子１
０２から入力される信号ＬＣＣＯＭは、共通電極の電源
信号であり、配線ＬＣＣＯＭ及び前述の銀点１０６を介
して、後述の対向基板に設けられた共通電極（図９参
照）に供給される。

【００６７】ここで図５の平面図に示すように、容量線
３１’は、ＴＦＴアレイ基板１上において走査線３１
（ゲート電極）と平行に、例えば走査線３１と同じく導
電性のポリシリコン層等から形成されており、シールド
線８０にコンタクトホール８０ａを介して接続されてい
る。このように構成すれば、容量線３１’を定電位とす
るための配線をシールド線８０で兼用でき、容量線３
１’を定電位にするために必要な外部入力端子も、シー
ルド線８０用の外部入力端子１０２で兼用できる。

【００６８】本実施の形態では特に、サンプリング回路
３０１は、図１中斜線領域で示すように且つ図６及び図
７に示すように、対向基板２に形成された遮光性の周辺
見切り５３に対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１
上に設けられており、データ線駆動回路１０１及び走査
線駆動回路１０４は、液晶層５０に面しないＴＦＴアレ
イ基板１の狭く細長い周辺部分上に設けられている。Ｔ
ＦＴアレイ基板１の上には、画面表示領域の周囲におい
て両基板を貼り合わせて液晶層５０を包囲するシール部
材の一例としての光硬化性樹脂からなるシール材５２
が、画面表示領域に沿って設けられている。そして、対
向基板２上における画面表示領域とシール材５２との間
には、遮光性の周辺見切り５３が設けられている。

【００６９】周辺見切り５３は、後に画面表示領域に対
応して開口部が設けられた遮光性のケースにＴＦＴアレ
イ基板１が入れられた場合に、当該画面表示領域が製造
誤差等により当該ケースの開口の縁に隠れてしまわない
ように、即ち、例えばＴＦＴアレイ基板１のケースに対
する数百μｍ程度のずれを許容するように、画面表示領
域の周囲に少なくとも５００μｍ以上の幅を持つ帯状の
遮光性材料から形成されたものである。このような遮光
性の周辺見切り５３は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ
（ニッケル）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属材料を用
いたスパッタリング、フォトリソグラフィ工程及びエッ
チング工程等により対向基板２に形成される。或いは、
カーボンやＴｉ（チタン）をフォトレジストに分散した
樹脂ブラックなどの材料から形成される。また、ＴＦＴ
アレイ基板１上に遮光性の周辺見切り５３を設けてもよ
い。周辺見切り５３をＴＦＴアレイ基板１上に内蔵すれ
ば、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板２との貼り合わせ工
程での精度のばらつきで画素の開口領域が影響を受ける
ことがないため、液晶パネルの透過率を高精度に維持す
ることができる。

【００７０】シール材５２の外側の領域には、画面表示
領域の下辺に沿ってデータ線駆動回路１０１及び外部入
力端子（実装端子）１０２が設けられており、画面表示
領域の左右の２辺に沿って走査線駆動回路１０４が画面
表示領域の両側に設けられている。そして、シール材５
２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２が当該シール材５２
によりＴＦＴアレイ基板１に固着されている。

【００７１】以上のようにシールド線８０及びサンプリ
ング回路３０１は、ＴＦＴアレイ基板１上の周辺見切り
５３の下に設けられているので、ＴＦＴアレイ基板１上
の省スペース化が図られ、例えば、走査線駆動回路１０
４やデータ線駆動回路１０１をＴＦＴアレイ基板１の周
辺部分に余裕を持って形成することができ、シールド線
８０の形成により液晶装置２００における有効表示面積
が減少することも殆ど又は全くない。

【００７２】図８（ａ）に、図１及び図２に示した走査
線駆動回路１０１とサンプリング回路３０１との間にお
ける配線ＶＩＤ１〜１２の引き回し方式を拡大して示
す。同図において、奇数番目の画像信号線たる配線ＶＩ
Ｄ１、…、１１と偶数番目の画像信号たる配線ＶＩＤ
２、…、１２とは、各配線毎に両側から櫛歯状に交互に
引き回されている。従って、データ線駆動回路１０１の
周囲において、配線ＶＩＤ１〜１２及びサンプリング回
路駆動信号線３０６は、大変規則性良く且つバランス良
く配線さている。

【００７３】ところで、本実施の形態では、液晶を直流
駆動により劣化させないためや表示画面上のフリッカを
防止するため等に、液晶駆動電圧を反転させる各種の方
式、例えば、フィールド又はフレーム反転駆動、走査線
反転駆動（所謂１Ｈ反転駆動）、データ線反転駆動（所
謂１Ｓ反転駆動）、ドット反転駆動などを採用可能であ
る。ここで特に、１Ｓ反転やドット反転といった相隣接
するデータ線間で電圧極性を反転させて液晶駆動を行う
場合には、図８（ａ）に示したように一本の配線ＶＩＤ
１〜１２毎に櫛歯状にするよりも、図８（ｂ）に示すよ
うに、相隣接する２本のデータ線３５に対応する２本の
配線ＶＩＤ１及び２、５及び６等を夫々一対として２本
おきに一方の側（例えば右側）から引き回すと共に、そ
れら以外の相隣接する２本のデータ線３５に対応する２
本の配線ＶＩＤ３及び４、７及び８等を夫々一対として
２本おきに逆側（例えば左側）から引き回すと共に、デ
ータ線駆動回路１０１とサンプリング回路３０１の間で
２本の配線を一対として夫々両側から櫛歯状にするのが
より好ましい。このように配線すれば、ＴＦＴアレイ基
板１上で相隣接する各対の配線１及び２、３及び４、…
から供給される画像信号は夫々逆極性とされてデータ線
３５に供給されるので、これらの信号中に存在する同一
のノイズ源に起因したノイズ成分については、これら各
対をなす両者間で打ち消し合う効果が働くので、ノイズ
を低減するのに役立つ。

【００７４】（液晶パネル部分の構成）次に、液晶装置
２００が含む液晶パネル部分の具体的構成について図９
及び図１０を参照して説明する。ここに、図９は液晶パ
ネルのＴＦＴ３０部分における断面図であり、図１０は
周辺見切りの下における液晶パネルのシールド線８０に
沿った断面図である。尚、図９及び図１０においては、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００７５】図９の断面図において、液晶パネル１０
は、各画素に設けられるＴＦＴ３０部分において、ＴＦ
Ｔアレイ基板１並びにその上に積層された半導体層３
２、ゲート絶縁層３３、走査線３１（ゲート電極）、第
１層間絶縁層４２、データ線３５（ソース電極）、第２
層間絶縁層４３、画素電極１１及び配向膜１２を備えて
いる。液晶パネル１０はまた、例えばガラス基板から成
る対向基板２並びにその上に積層された共通電極２１、
配向膜２２及び遮光層２３を備えている。液晶パネル１
０は更に、これらの両基板間に挟持された液晶層５０を
備えている。

【００７６】ここでは先ず、これらの層のうち、ＴＦＴ
３０を除く各層の構成について順に説明する。

【００７７】第１及び第２層間絶縁層４２及び４３は夫
々、５０００〜１５０００Å程度の厚みを持つＮＳＧ、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、
窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる。尚、ＴＦ
Ｔアレイ基板１上に、ＴＦＴ３０の下地となる層間絶縁
層をシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコ
ン膜等から形成してもよい。

【００７８】画素電極１１は例えば、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ膜)などの透明導電性薄膜
からなる。このような画素電極１１は、スパッタリング
処理等によりＩＴＯ膜等を約５００〜２０００Åの厚さ
に堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工
程を施すこと等により形成される。尚、当該液晶パネル
１０を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反
射率の高い不透明な材料から画素電極１１を形成しても
よい。

【００７９】配向膜１２は例えば、ポリイミド薄膜など
の有機薄膜からなる。このような配向膜１２は、例えば
ポリイミド系の塗布液を塗布した後、所定のプレティル
ト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこ
と等により形成される。

【００８０】共通電極２１は、対向基板２の全面に渡っ
て形成されている。このような共通電極２１は、例えば
スパッタリング処理等によりＩＴＯ膜等を約５００〜２
０００Åの厚さに堆積して形成される。

【００８１】配向膜２２は、例えば、ポリイミド薄膜な
どの有機薄膜からなる。このような配向膜２２は、例え
ばポリイミド系の塗布液を塗布した後、所定のプレティ
ルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施す
こと等により形成される。

【００８２】遮光層２３は、ＴＦＴ３０に対向する所定
領域に設けられている。このような遮光層２３は、前述
の周辺見切り５３同様に、ＣｒやＮｉなどの金属材料を
用いたスパッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチ
ング等の工程により形成されたり、カーボンやＴｉをフ
ォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形
成される。遮光層２３は、ＴＦＴ３０の半導体層（ポリ
シリコン膜）３２に対する遮光の他に、コントラストの
向上、色材の混色防止などの機能を有する。

【００８３】液晶層５０は、画素電極１１と共通電極２
１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１と
対向基板２との間において、シール材５２（図６及び図
７参照）により囲まれた空間に液晶が真空吸引等により
封入されることにより形成される。液晶層５０は、画素
電極１１からの電界が印加されていない状態で配向膜１
２及び２２により所定の配向状態を採る。液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなる。シール材５２は、二つの基板１及び２
をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性
樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の
距離を所定値とするためのスペーサが混入されている。

【００８４】次に、ＴＦＴ３０に係る各層の構成につい
て順に説明する。

【００８５】ＴＦＴ３０は、走査線３１（ゲート電
極）、走査線３１からの電界によりチャネルが形成され
る半導体層３２、走査線３１と半導体層３２とを絶縁す
るゲート絶縁層３３、半導体層３２に形成されたソース
領域３４、データ線３５（ソース電極）、及び半導体層
３２に形成されたドレイン領域３６を備えている。ドレ
イン領域３６には、複数の画素電極１１のうちの対応す
る一つが接続されている。ソース領域３４及びドレイン
領域３６は後述のように、半導体層３２に対し、ｎ型又
はｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のＮ型
用又はＰ型用のドーパントをドープすることにより形成
されている。Ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作速度が速い
という利点があり、画素のスイッチング素子であるＴＦ
Ｔ３０として用いられることが多い。

【００８６】ＴＦＴ３０を構成する半導体層３２は、例
えば、ＴＦＴアレイ基板１上にａ−Ｓｉ（アモルファス
シリコン）膜を形成後、アニール処理を施して約５００
〜２０００Åの厚さに固相成長させることにより形成す
る。この際、Ｎチャネル型のＴＦＴ３０の場合には、Ｓ
ｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ
族元素のドーパントを用いたイオン注入等によりドープ
してもよい。また、ｐチャネル型のＴＦＴ３０の場合に
は、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウ
ム）などのIII族元素のドーパントを用いたイオン注入
等によりドープする。特にＴＦＴ３０をＬＤＤ（Ｌｉｇ
ｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を持つＮチャ
ネル型のＴＦＴとする場合、Ｐ型の半導体層３２に、ソ
ース領域３４及びドレイン領域３６のうちチャネル側に
夫々隣接する一部にＰなどのＶ族元素のドーパントによ
り低濃度ドープ領域を形成し、同じくＰなどのＶ族元素
のドーパントにより高濃度ドープ領域を形成する。ま
た、Ｐチャネル型のＴＦＴ３０とする場合、Ｎ型の半導
体層３２に、 ＢなどのIII族元素のドーパントを用いて
ソース領域３４及びドレイン領域３６を形成する。この
ようにＬＤＤ構造とした場合、ショートチャネル効果を
低減できる利点が得られる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ
構造における低濃度ドープ領域にイオン注入したオフセ
ット構造のＴＦＴとしてもよいし、ゲート電極をマスク
として高濃度の不純物イオンをドープすることにより自
己整合的に高濃度なソース及びドレイン領域を形成する
セルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。

【００８７】また本実施の形態では、図９において、Ｔ
ＦＴ３０のソース・ドレイン間に、ゲート絶縁膜２を介
して、同一の走査信号が供給される２つのゲート電極３
１を設けて、デユアルゲート（ダブルゲート）構造のＴ
ＦＴとしてもよい。これにより、ＴＦＴ３０のリーク電
流を低減することができる。また、デユアルゲート構造
のＴＦＴを、上述のＬＤＤ構造、或いはオフセット構造
を持つようにすれば、更にＴＦＴ３０のリーク電流を低
減することができ、高いコントラスト比を実現すること
ができる。また、デユアルゲート構造により、冗長性を
持たすことができ、大幅に画素欠陥を低減できるだけで
なく、高温動作時でも、リーク電流が低いため、高コン
トラスト比の画質を実現することができる。尚、ＴＦＴ
３０のソース・ドレイン間に設けるゲート電極３１は３
つ以上でもよいことは言うまでもない。

【００８８】ゲート絶縁層３３は、半導体層３２を約９
００〜１３００℃の温度により熱酸化することにより、
３００〜１５００Å程度の比較的薄い厚さの熱酸化膜を
形成して得る。

【００８９】走査線３１（ゲート電極）は、減圧ＣＶＤ
法等によりポリシリコン膜を堆積した後、フォトリソグ
ラフィ工程、エッチング工程等により形成される。或い
は、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融
点金属膜又は金属シリサイド膜から形成されてもよい。
この場合、走査線３１（ゲート電極）を、遮光層２３が
覆う領域の一部又は全部に対応する遮光膜として配置す
れば、金属膜や金属シリサイド膜の持つ遮光性により、
遮光層２３の一部又は全部を省略することも可能とな
る。この場合特に、対向基板２とＴＦＴアレイ基板１と
の貼り合わせずれによる画素開口率の低下を防ぐことが
出来る利点がある。

【００９０】データ線３５（ソース電極）は、画素電極
１１と同様にＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜から形成して
もよい。或いは、スパッタリング処理等により、約１０
００〜５０００ナの厚さに堆積されたＡｌ等の低抵抗金
属や金属シリサイド等から形成してもよい。

【００９１】また、第１層間絶縁層４２には、ソース領
域３４へ通じるコンタクトホール３７及びドレイン領域
３６へ通じるコンタクトホール３８が夫々形成されてい
る。このソース領域３４へのコンタクトホール３７を介
して、データ線３５（ソース電極）はソース領域３４に
電気的接続される。更に、第２層間絶縁層４３には、ド
レイン領域３６へのコンタクトホール３８が形成されて
いる。このドレイン領域３６へのコンタクトホール３８
を介して、画素電極１１はドレイン領域３６に電気的接
続される。前述の画素電極１１は、このように構成され
た第２層間絶縁層４３の上面に設けられている。各コン
タクトホールは、例えば、反応性エッチング、反応性イ
オンビームエッチング等のドライエッチングにより形成
される。

【００９２】尚、一般にはチャネルが形成される半導体
層３２は、光が入射すると光電変換効果により光電流が
発生してしまいＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化す
るが、本実施の形態では、対向基板２には各ＴＦＴ３０
に夫々対向する位置に遮光層２３が形成されているの
で、入射光が半導体層３２に入射することが防止され
る。更にこれに加えて又は代えて、ゲート電極を上側か
ら覆うようにデータ線３５（ソース電極）をＡｌ等の不
透明な金属薄膜から形成すれば、遮光層２３と共に又は
単独で、半導体層３２への入射光（即ち、図９で上側か
らの光）の入射を効果的に防ぐことが出来る。

【００９３】図９において、画素電極１１には蓄積容量
７０が夫々設けられている。この蓄積容量７０は、より
具体的には、半導体層３２と同一工程により形成される
第１蓄積容量電極層３２’、ゲート絶縁層３３と同一工
程により形成される絶縁層３３’、走査線３１と同一工
程により形成される容量線３１’（第２蓄積容量電
極）、第１及び第２層間絶縁層４２及び４３、並びに第
１及び第２層間絶縁層４２及び４３を介して容量線３
１’に対向する画素電極１１の一部から構成されてい
る。このように蓄積容量７０が設けられているため、デ
ューティー比が小さくても高精細な表示が可能とされ
る。

【００９４】図１０の断面図に示すように、周辺見切り
５３に対向し且つ複数の走査線３１の上方の位置におい
て第１層間絶縁層４２上をシールド線８０は通過する。
そして、このシールド線８０は、その殆どの部分が、前
述したデータ線（ソース電極）３５と同一工程で形成さ
れたＡｌ等の金属薄膜からなる低抵抗な配線である。こ
のように液晶装置２００の製造プロセスにおいて、シー
ルド線８０とデータ線３５とを一括して形成できるの
で、製造上有利である。

【００９５】本実施の形態では特に、ＴＦＴ３０はポリ
シリコンタイプのＴＦＴであるので、ＴＦＴ３０の形成
時に同一薄膜形成工程で、サンプリング回路３０１、デ
ータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の同じ
くポリシリコンＴＦＴタイプのＴＦＴ３０２等から構成
された周辺回路を形成できるので製造上有利である。例
えば、これらの周辺回路は、Ｎチャネル型ポリシリコン
ＴＦＴ及びＰチャネル型ポリシリコンＴＦＴから構成さ
れる相補構造の複数のＴＦＴからＴＦＴアレイ基板１上
の周辺部分に形成される。

【００９６】尚、図９及び図１０には示されていない
が、液晶パネル１０においては、対向基板２の投射光が
入射する側及びＴＦＴアレイ基板１の投射光が出射する
側には夫々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティッ
ク）モード、 ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−Ｓ
ＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノー
マリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別
に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板など
が所定の方向で配置される。

【００９７】また、以上説明した液晶パネル１０は、カ
ラー液晶プロジェクタに適用されるため、３つの液晶パ
ネル１０がＲＧＢ用のライトバルブとして夫々用いら
れ、各パネルには夫々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が入射光として夫々
入射されることになる。従って、各実施の形態では、対
向基板２に、カラーフィルタは設けられていない。しか
しながら、液晶パネル１０においても遮光層２３の形成
されていない画素電極１１に対向する所定領域にＲＧＢ
のカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２上に
形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ
以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー
液晶装置に本実施の形態の液晶パネルを適用できる。更
に、対向基板２上に１画素1個対応するようにマイクロ
レンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の
集光効率を向上することで、明るい液晶パネルが実現で
きる。更にまた、対向基板２上に、何層もの屈折率の相
違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、
ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成して
もよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によ
れば、より明るいカラー液晶パネルが実現できる。

【００９８】液晶パネル１０において、ＴＦＴアレイ基
板１側における液晶分子の配向不良を抑制するために、
第２層間絶縁層４３の上に更に平坦化膜をスピンコート
等で塗布してもよく、又はＣＭＰ処理を施してもよい。
或いは、第２層間絶縁層４３を平坦化膜で形成してもよ
い。

【００９９】液晶パネル１０のスイッチング素子は、正
スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴである
として説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファス
シリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、本実
施の形態は有効である。

【０１００】液晶パネル１０においては、一例として液
晶層５０をネマティック液晶から構成したが、液晶を高
分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用
いれば、配向膜１２及び２２、並びに前述の偏光フィル
ム、偏光板等が不要となり、光利用効率が高まることに
よる液晶パネルの高輝度化や低消費電力化の利点が得ら
れる。更に、画素電極１１をＡｌ等の反射率の高い金属
膜から構成することにより、液晶パネル１０を反射型液
晶装置に適用する場合には、電圧無印加状態で液晶分子
がほぼ垂直配向されたＳＨ（スーパーホメオトロピッ
ク）型液晶などを用いても良い。更にまた、液晶パネル
１０においては、液晶層５０に対し垂直な電界（縦電
界）を印加するように対向基板２の側に共通電極２１を
設けているが、液晶層５０に平行な電界（横電界）を印
加するように一対の横電界発生用の電極から画素電極１
１を夫々構成する（即ち、対向基板２の側には縦電界発
生用の電極を設けることなく、ＴＦＴアレイ基板１の側
に横電界発生用の電極を設ける）ことも可能である。こ
のように横電界を用いると、縦電界を用いた場合よりも
視野角を広げる上で有利である。その他、各種の液晶材
料（液晶層）、動作モード、液晶配列、駆動方法等に本
実施の形態を適用することが可能である。

【０１０１】以上説明した実施の形態において更に、周
辺見切り５３下やＴＦＴアレイ基板１の周辺部に、プリ
チャージ回路、検査回路等の周知の周辺回路を設けても
よい。プリチャージ回路は、コントラスト比の向上、デ
ータ線の電位レベルの安定、表示画面上のラインむらの
低減等を目的として、データ線に対し、データ線駆動回
路から供給されるデータ信号に先行するタイミングで、
プリチャージ信号を供給することにより、データ信号を
データ線に書き込む際の負荷を軽減する回路である。例
えば、特開平７−２９５５２０号公報に、このようなプ
リチャージ回路の一例が開示されている。他方、検査回
路は、周辺見切り５３下やＴＦＴアレイ基板の周辺部
に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を
検査するための回路である。

【０１０２】また、以上の実施の形態において、特開平
９−１２７４９７号公報、特公平３−５２６１１号公
報、特開平３−１２５１２３号公報、特開平８−１７１
１０１号公報等に開示されているように、ＴＦＴアレイ
基板１上においてＴＦＴ３０に対向する位置（即ち、Ｔ
ＦＴ３０の下側）にも、例えばＷ（タングステン）、Ｍ
ｏ（モリブデン）等の高融点金属や金属シリサイドから
なる遮光層を設けてもよい。このようにＴＦＴ３０の下
側にも遮光層を設ければ、ＴＦＴアレイ基板１の側から
の戻り光等がＴＦＴ３０に入射するのを未然に防ぐこと
ができる。従って、当該液晶装置２００を液晶プロジェ
クタ用のライトバルブとして好適に用いることが出来
る。

【０１０３】更にまた、以上の実施の形態において、Ｔ
ＦＴ３０に代えてＭＩＭ（Metal Insulator Metal）等
の２端子型非線形素子等からスイッチング素子を構成し
てもよい。この場合、データ線及び走査線のうち一方の
線を対向基板に配置して対向電極として機能させ、ＴＦ
Ｔアレイ基板に設けられた他方の線と画素電極との間に
スイッチング素子を夫々配置して液晶駆動する。このよ
うに構成しても、画素信号線やデータ線をクロック信号
線からシールドすることにより、高周波のクロックノイ
ズの画像信号やデータ信号への飛び込みを防止する効果
は発揮される。

【０１０４】（液晶装置の動作）次に、以上のように構
成された液晶装置２００の動作について図１を参照して
説明する。

【０１０５】先ず、走査線駆動回路１０４は、所定タイ
ミングで走査線３１に走査信号をパルス的に線順次で印
加する。

【０１０６】これと並行して、１２本の配線ＶＩＤ１〜
ＶＩＤ１２からパラレルな画像信号を受けると、サンプ
リング回路３０１は、これらの画像信号をサンプリング
する。データ線駆動回路１０１は、走査線駆動回路１０
４がゲート電圧を印加するタイミングに合わせて、１２
本の配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２夫々について一つのデー
タ線毎にサンプリング回路駆動信号を供給して、サンプ
リング回路３０１のＴＦＴ３０２をオン状態とする。こ
れにより、隣接する１２本のデータ線３５に対して、サ
ンプリング回路３０１にサンプリングされたデータ信号
を順次印加する。即ち、データ線駆動回路１０１とサン
プリング回路３０１により、配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２
から入力された１２相展開されたパラレルな画像信号Ｖ
ＩＤ１〜ＶＩＤ１２は、データ線３５に供給される。

【０１０７】このように、走査信号（ゲート電圧）及び
データ信号（ソース電圧）の両方が印加されたＴＦＴ３
０においては、ソース領域３４、半導体層３２に形成さ
れたチャネル及びドレイン領域３６を介して画素電極１
１に電圧が印加される。そして、この画素電極１１の電
圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も
長い時間だけ蓄積容量（図９参照）により保持される。
ここで特に、シールド線８０、８０’、８２及び８６に
より、配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２は、配線ＣＬＸ及びＣ
ＬＸ’並びに配線ＥＮＢ１及びＥＮＢ２からシールドさ
れているので、クロック信号ＣＬＸの周波数が高い場合
でも、配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’並びに配線ＥＮＢ１及び
ＥＮＢ２から配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２への高周波のク
ロックノイズ等の飛び込みを低減できる。

【０１０８】以上のように、画素電極１１に電圧が印加
されると、液晶層５０におけるこの画素電極１１と共通
電極２１とに挟まれた部分における液晶の配向状態が変
化し、ノーマリーホワイトモードであれば、印加された
電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とさ
れ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電
圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全
体として液晶パネル１０からは画像信号に応じたコント
ラストを持つ光が出射する。

【０１０９】以上の結果、表示すべき画像の解像度が高
く、高周波のシリアルな画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２
が入力される場合にも、これに対応して周波数が高いク
ロック信号ＣＬＸを用いつつ、高周波のクロックノイズ
の発生により画質が劣化することは殆ど又は全く無くな
り、高品位の画像表示が可能とされる。しかも、１２相
展開という比較的多数の相に相展開した結果、画像信号
の周波数を落とすことにより、通常性能のサンプリング
回路によりサンプリングを行うことが可能とされてい
る。

【０１１０】（電子機器）次に、以上詳細に説明した液
晶装置２００を備えた電子機器の実施の形態について図
１１から図１５を参照して説明する。

【０１１１】先ず図１１に、このように液晶装置２００
を備えた電子機器の概略構成を示す。

【０１１２】図１１において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１
００４、液晶パネル１０、クロック発生回路１００８並
びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情
報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、Ｒ
ＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などの
メモリ、テレビ信号を同調して出力する同調回路等を含
み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基
づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を
表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回
路１００２は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ロー
テーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周
知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信
号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順
次生成し、クロック信号ＣLKと共に駆動回路１００４に
出力する。駆動回路１００４は、液晶パネル１０を駆動
する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を
供給する。尚、液晶パネル１０を構成するＴＦＴアレイ
基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これ
に加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。

【０１１３】次に図１２から図１５に、このように構成
された電子機器の具体例を夫々示す。

【０１１４】図１２において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４が
ＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶パネル１０を含む
液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバ
ルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロ
ジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１
００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプ
ユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミ
ラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８
によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂ
に分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１
００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光
は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１
１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４
からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そ
して、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに
より夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイク
ロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投
射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー
画像として投射される。

【０１１５】本実施の形態においては特に、前述のよう
に遮光層をＴＦＴの下側にも設けておけば、当該液晶パ
ネル１０からの入射光に基づく液晶プロジェクタ内の投
射光学系による反射光、入射光が通過する際のＴＦＴア
レイ基板の表面からの反射光、他の液晶パネルから出射
した後にダイクロイックプリズム１１１２を突き抜けて
くる入射光の一部（Ｒ光及びＧ光の一部）等が、戻り光
としてＴＦＴアレイ基板の側から入射しても、画素電極
のスイッチング用のＴＦＴ等のチャネルに対する遮光を
十分に行うことができる。この場合、小型化に適したプ
リズムを投射光学系に用いても、各液晶パネルのＴＦＴ
アレイ基板とプリズムとの間において、戻り光防止用の
ＡＲフィルムを貼り付けたり、偏光板にＡＲ被膜処理を
施したりすることが不要となるので、構成を小型且つ簡
易化する上で大変有利である。

【０１１６】図１３において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピ
ュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶パネル１０が
トップカバーケース内に備えられており、更にＣＰＵ、
メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２
が組み込まれた本体１２０４を備えている。

【０１１７】図１４において、電子機器の他の例たるペ
ージャ１３００は、金属フレーム１３０２内に前述の駆
動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載されて液晶
モジュールをなす液晶パネル１０が、バックライト１３
０６ａを含むライトガイド１３０６、回路基板１３０
８、第１及び第２のシールド板１３１０及び１３１２、
二つの弾性導電体１３１４及び１３１６、並びにフィル
ムキャリアテープ１３１８と共に収容されている。この
例の場合、前述の表示情報処理回路１００２（図１１参
照）は、回路基板１３０８に搭載してもよく、液晶パネ
ル１０のＴＦＴアレイ基板上に搭載してもよい。更に、
前述の駆動回路１００４を回路基板１３０８上に搭載す
ることも可能である。

【０１１８】尚、図１４に示す例はページャであるの
で、回路基板１３０８等が設けられている。しかしなが
ら、駆動回路１００４や更に表示情報処理回路１００２
を搭載して液晶モジュールをなす液晶パネル１０の場合
には、金属フレーム１３０２内に液晶パネル１０を固定
したものを液晶装置として、或いはこれに加えてライト
ガイド１３０６を組み込んだバックライト式の液晶装置
として、生産、販売、使用等することも可能である。

【０１１９】また図１５に示すように、駆動回路１００
４や表示情報処理回路１００２を搭載しない液晶パネル
１０の場合には、駆動回路１００４や表示情報処理回路
１００２を含むＩＣ１３２４がポリイミドテープ１３２
２上に実装されたＴＣＰ（Tape Carrier Package）１
３２０に、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部に設けられた異
方性導電フィルムを介して物理的且つ電気的に接続し
て、液晶装置として、生産、販売、使用等することも可
能である。

【０１２０】以上図１２から図１５を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エン
ジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電
話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装
置等などが図１１に示した電子機器の例として挙げられ
る。

【０１２１】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、高周波のクロックノイズの発生が低減されており、
高品位の画像表示が可能であり、しかも基板サイズに比
べて画面表示領域が大きい液晶装置２００を備えた各種
の電子機器を実現できる。

【０１２２】

【発明の効果】本発明の電気光学装置によれば、基板に
配線された定電位の導電線により、画像信号線は、クロ
ック信号線等の制御信号線からシールドされているの
で、クロック信号線から画像信号線への高周波のクロッ
クノイズ等の飛び込みを低減でき、高解像度の画像を表
示するための高周波数の画像信号に応じて高品位の画像
表示を行える。しかも、画像信号線をデータ信号供給手
段の両側へ引き回わす構成により、多相展開に対応する
多数の画像信号線を配線する場合にも、データ信号供給
手段の両側にバランス良く配線でき、限られた基板サイ
ズでの画面の大型化を図ることも可能となる。また、画
面表示領域及び複数のデータ線をもシールドすることに
より、データ線上のデータ信号等における、高周波のク
ロックノイズの発生を低減でき、より高品位の画像表示
が可能となる。

【０１２３】また、本発明の電子機器によれば、高周波
のクロックノイズが低減されており、基板サイズに比べ
て画面表示領域が大きい高品位の画像表示が可能な、液
晶プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ページャ等
の様々な電子機器を実現可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 液晶装置の実施の形態においてＴＦＴアレイ
基板上に形成されたシールド線を含む各種配線、周辺回
路等の概略平面図である。

【図２】 図１のシールド線の２次元的レイアウトをよ
り詳細に示す概略平面図である。

【図３】 図２に示したシフトレジスタ回路における回
路図（ａ）及びタイミングチャート（ｂ）である。

【図４】 図１のＴＦＴアレイ基板上に形成されたシー
ルド線、画像信号線、クロック信号線のＡ−Ａ’断面図
（ａ）及びＢ−Ｂ’断面図（ｂ）である。

【図５】 図１のＴＦＴアレイ基板上に形成された画素
電極、走査線、データ等の画面表示領域端部における拡
大平面図である。

【図６】 図１の液晶装置の全体構成を示す平面図であ
る。

【図７】 図１の液晶装置の全体構成を示す断面図であ
る。

【図８】 図１の画像信号線（配線ＶＩＤ１〜１２）の
２次元的レイアウトの一例を示す概略平面図（ａ）及び
他の例を示す概略平面図（ｂ）である。

【図９】 図１の液晶装置の画面表示領域に設けられた
ＴＦＴ部分における断面図である。

【図１０】 図１の液晶装置の周辺見切り領域に設けら
れたシールド線部分における断面図である。

【図１１】 本発明による電子機器の実施の形態の概略
構成を示すブロック図である。

【図１２】 電子機器の一例としての液晶プロジェクタ
を示す断面図である。

【図１３】 電子機器の他の例としてのパーソナルコン
ピュータを示す正面図である。

【図１４】 電子機器の一例としてのページャを示す分
解斜視図である。

【図１５】 電子機器の一例としてのＴＣＰを用いた液
晶装置を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…ＴＦＴアレイ基板 ２…対向基板 １０…液晶パネル １１…画素電極 １２…配向膜 ２１…共通電極 ２２…配向膜 ２３…遮光層 ３０…ＴＦＴ ３１…走査線（ゲート電極） ３２…半導体層 ３３…ゲート絶縁層 ３４…ソース領域 ３５…データ線（ソース電極） ３６…ドレイン領域 ３７、３８…コンタクトホール ４２…第１層間絶縁層 ４３…第２層間絶縁層 ５０…液晶層 ５２…シール材 ５３…周辺見切り ７０…蓄積容量 ８０、８０’、８２、８６…シールド線（定電位線） １０１…データ線駆動回路 １０２…外部入力端子（実装端子） １０４…走査線駆動回路 １１２…イネーブル回路 ２００…液晶装置 ３０１…サンプリング回路 ３０２…ＴＦＴ

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に複数のデータ線と、該複数のデ
   ータ線に交差する複数の走査線と、前記複数のデータ線
   及び走査線に接続された複数のスイッチング素子と、前
   記複数のスイッチング素子に接続された複数の画素電極
   と、画像信号が供給される複数の画像信号線と、クロッ
   ク信号を含む制御信号が供給される複数の制御信号線
   と、前記画像信号線及び前記制御信号線を夫々介して前
   記画像信号及び前記制御信号が入力され、前記画像信号
   に対応するデータ信号を前記制御信号に基づいて前記複
   数のデータ線に供給するデータ信号供給手段とを備えて
   おり、 前記複数の画像信号線のうち第１画像信号線群は前記基
   板上で前記データ信号供給手段の一方の側へ引き回され
   ており、前記複数の画像信号線のうち第２画像信号線群
   は前記第１基板上で前記データ信号供給手段の他方の側
   へ引き回されており、前記第１及び第２画像信号線群を
   前記複数の制御信号線から夫々電気的にシールドする少
   なくとも１本の導電線を前記基板上に更に備えたことを
   特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記導電線は、前記複数の制御信号線の
   うち少なくとも前記画像信号の水平走査期間よりも短い
   周期を持つ高周波制御信号を供給する高周波制御信号線
   から、前記第１及び第２画像信号線群をシールドするこ
   とを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記第１及び第２画像信号線群と前記高
   周波制御信号線との間には、前記導電線と共に前記複数
   の制御信号線のうち少なくとも前記画像信号の水平走査
   期間よりも短くない周期を持つ低周波制御信号を供給す
   る低周波制御信号線が配線されていることを特徴とする
   請求項２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記第１画像信号線群に接続されており
   外部画像信号源から前記画像信号が夫々入力される複数
   の第１外部入力端子と、前記第２画像信号線群に接続さ
   れており前記外部画像信号源から前記画像信号が夫々入
   力される複数の第２外部入力端子と、前記制御信号線に
   接続されており外部制御信号源から前記制御信号が夫々
   入力される複数の第３外部入力端子と、前記導電線に夫
   々接続された複数の第４外部入力端子とを前記基板の周
   辺部上に更に備えており、前記第１及び第２外部入力端
   子の間には、前記第３外部入力端子が配置されており、
   前記第１及び第３外部入力端子の間並びに前記第３及び
   第２外部入力端子の間には、前記第４外部入力端子が夫
   々配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電
   気光学装置。
5. 【請求項５】 前記導電線は、前記複数の制御信号線の
   うち少なくとも前記画像信号の水平走査期間よりも短い
   周期を持つ高周波制御信号を供給する高周波制御信号線
   から、前記第１及び第２画像信号線群をシールドし、 前記第３外部入力端子のうち前記第４外部入力端子に隣
   接する端子は、前記複数の制御信号線のうち少なくとも
   前記画像信号の水平走査期間よりも短くない周期を持つ
   低周波制御信号を供給する低周波制御信号線に接続され
   ていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装
   置。
6. 【請求項６】 前記導電線は、前記データ信号供給手段
   に定電位のデータ線駆動用電源を供給するデータ線駆動
   用定電位線から構成された部分を含むことを特徴とする
   請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記データ線駆動用定電位線は、相異な
   る定電位の電源を前記データ信号供給手段に供給する第
   １及び第２定電位線からなり、 該第１定電位線から構成された前記導電線部分は、前記
   基板上で前記第１及び第２画像信号線群を囲み、 前記第２定電位線から構成された前記導電線部分は、前
   記基板上で前記制御信号線を囲むことを特徴とする請求
   項６に記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記導電線は、前記複数の画素電極によ
   り規定される画面表示領域及び前記複数のデータ線を前
   記基板上で囲むように延設されたこと特徴とする請求項
   １から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記基板に対向して対向基板が設けられ
   ており、前記画面表示領域の輪郭に沿って前記基板及び
   対向基板のうち少なくとも一方に形成された遮光性の周
   辺見切りを更に備えており、 前記導電線は前記周辺見切りに対向する位置において前
   記周辺見切りに沿って前記基板に設けられた部分を含む
   ことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記導電線及び前記データ線は、同一
    の低抵抗金属材料から形成されたことを特徴とする請求
    項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記画素電極に所定量の容量を付与す
    る容量線を前記基板上に更に備えており、該容量線が前
    記導電線に接続されたことを特徴とする請求項１から１
    ０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 走査信号を前記複数の走査線に供給す
    る走査信号供給手段を前記基板上に更に備えており、 前記導電線は、前記走査信号供給手段に定電位の走査線
    駆動用電源を供給する走査線駆動用定電位線から構成さ
    れた部分を含むことを特徴とする請求項１から１１のい
    ずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記走査信号供給手段は、前記複数の
    画素電極により規定される画面表示領域の両側に設けら
    れており、 前記走査線駆動用定電位線から構成された前記導電線部
    分は、前記画面表示領域及び前記複数のデータ線を前記
    第１基板上で囲むように且つ前記走査線供給手段に前記
    走査線駆動用電源を冗長的に供給するように延設されて
    いることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装
    置。
14. 【請求項１４】 前記データ信号供給手段は、前記画像
    信号をサンプリングするサンプリング回路と、前記制御
    信号に基づいて該サンプリング回路を駆動するデータ線
    駆動回路とを備えており、 前記第１画像信号線群に含まれる画像信号線と前記第２
    画像信号線群に含まれる画像信号線とは、前記データ線
    駆動回路と前記サンプリング回路との間において、少な
    くとも１本の画像信号線毎に前記データ線駆動回路の両
    側から櫛歯状に交互に引き回されていることを特徴とす
    る請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装
    置。
15. 【請求項１５】 前記データ信号供給手段は、前記デー
    タ線毎に前記データ信号の電圧極性を反転し、 前記第１画像信号線群に含まれる画像信号線と前記第２
    画像信号線群に含まれる画像信号線とは、相隣接する２
    本のデータ線に対応する２本の画像信号線を対にして前
    記データ線駆動回路の両側から櫛歯状に交互に引き回さ
    れていることを特徴とする請求項１４に記載の電気光学
    装置。
16. 【請求項１６】 請求項１から１５に記載の電気光学装
    置を備えたことを特徴とする電子機器。