JP2000101206A - 多層プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精細なパターンを有し、配線パターン層と
基板との密着性が高く、かつ各配線パターン層間の絶縁
性能に優れるとともに接続の容易性を有する多層プリン
ト配線板と、その転写方式による製造方法とを提供す
る。 【解決手段】 基板、該基板上に転写された複数の配線
パターン層を備え、該配線パターン層は導電性層と該導
電性層の下部に形成されポリイミドを含有した絶縁樹脂
層とを有する多層プリント配線板であって、前記ポリイ
ミドが、テトラカルボン酸ジ無水物とジアミンの反応生
成物であるポリイミドであって、シロキサンを１０〜７
０重量％含有し、かつ酸価が１０〜１５０ｍｍｏｌＫＯ
Ｈ／１００ｇ ｒｅｓｉｎである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層プリント配線板
およびその製造方法に係り、特に基板に対する接着性に
優れ、かつ、配線パターン層間の絶縁性能に優れる高精
細の配線パターン層を備えた多層プリント配線板と、こ
のような多層プリント配線板を簡便かつ低コストで製造
することができる製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体技術の飛躍的な発展により、半導
体パッケージの小型化、多ピン化、ファインピッチ化、
電子部品の極小化などが急速に進み、いわゆる高密度実
装の時代に突入した。それに伴って、プリント配線板も
片面配線から両面配線へ、さらに多層化、薄型化が進め
られている。

【０００３】現在、プリント配線板の銅パターンの形成
には、主としてサブトラクティブ法と、アディティブ法
が用いられている。

【０００４】サブトラクティブ法は、銅張り積層板に穴
を開けた後に、穴の内部と表面に銅メッキを行い、フォ
トエッチングによりパターンを形成する方法である。こ
のサブトラクティブ法は技術的に完成度が高く、またコ
ストも安いが、銅箔の厚さ等による制約から微細パター
ンの形成は困難である。

【０００５】一方、アディティブ法は無電解メッキ用の
触媒を含有した積層板上の回路パターン形成部以外の部
分にレジストを形成し、積層板の露出している部分に無
電解銅メッキ等により回路パターンを形成する方法であ
る。しかし、このアディティブ法は、微細パターンの形
成が可能であるが、コスト、信頼性の面で難がある。

【０００６】多層基板の場合には、上記の方法等で作製
した片面あるいは両面のプリント配線板を、ガラス布に
エポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグと
一緒に加圧積層する方法が用いられている。この場合プ
リプレグは各層の接着剤の役割をなし、層間の接続はス
ルーホールを作成し、内部に無電解メッキ等を施して行
っている。

【０００７】また、高密度実装の進展により、多層基板
においては薄型、軽量化と、その一方で単位面積当りの
高い配線能力が要求され、一層当たりの基板の薄型化、
層間の接続や部品の搭載方法等に工夫がなされている。

【０００８】しかしながら、上記のサブトラクティブ法
により作製された両面プリント配線板を用いた多層基板
の作製は、両面プリント配線板の穴形成のためのドリル
加工の精度と、微細化限界の面から高密度化に限界があ
り、製造コストの低減も困難であった。

【０００９】一方、近年では上述のような要求を満たす
ものとして、基材上に導体パターン層と絶縁樹脂層とを
順次積層して作製される多層配線板が開発されている。
この多層配線板は、銅メッキ層のフォトエッチングと感
光性樹脂のパターニングを交互に行って作製されるた
め、高精細な配線と任意の位置での層間接続が可能とな
っている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
式では銅メッキとフォトエッチングを交互に複数回行う
ため、工程が煩雑となり、また、基板上に１層づつ積み
上げる直列プロセスのため、中間工程でトラブルが発生
すると、製品の再生が困難となり、製造コストの低減に
支障を来していた。

【００１１】また、従来の多層配線板においては、層間
の接続がバイアホールを作成することにより行われてい
たため、煩雑なフォトリソグラフィー工程が必要であ
り、製造コスト低減の妨げとなっていた。

【００１２】このような問題を解消するために、転写版
上に導電性層とエポキシ樹脂やウレタン樹脂のような絶
縁性の接着層との積層体からなる配線パターン層を転写
可能に形成し、この転写版上の配線パターン層を配線基
板上に転写することにより多層プリント配線板を形成す
ることが行われている。このような多層プリント配線板
では、予め所望の配線パターン層が形成された種々の転
写版を用い、配線基板上に複数の配線パターン層を転写
形成することにより多層化が可能である。

【００１３】しかしながら、絶縁性の接着層として使用
されるエポキシ樹脂やウレタン樹脂は、基板との接着
性、電気絶縁性、耐熱性等の特性を同時に満足するもの
ではなく、得られる多層プリント配線板は特性面で未だ
不十分なものであった。

【００１４】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たものであり、高精細なパターンを有し、配線パターン
層と基板との密着性が高く、かつ各配線パターン層間の
絶縁性能に優れるとともに接続の容易性を有する多層プ
リント配線板と、このような多層プリント配線板をフォ
トリソグラフィー工程を含まず基板上への転写方式によ
り簡便に製造することが可能な製造方法とを提供するこ
とを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の多層プリント配線板は、基板、該基
板上に転写された複数の配線パターン層を備え、該配線
パターン層は導電性層と該導電性層の下部に形成されポ
リイミドを含有した絶縁樹脂層とを有するものであっ
て、前記ポリイミドが、テトラカルボン酸ジ無水物とジ
アミンの反応生成物であるポリイミドであって、シロキ
サンを１０〜７０重量％含有し、かつ酸価が１０〜１５
０ｍｍｏｌＫＯＨ／１００ｇ ｒｅｓｉｎであることを
特徴とする、溶剤可溶性低弾性率ポリイミドであるよう
な構成とした。

【００１６】そして、本発明の多層プリント配線板は、
前記配線パターン層が相互に交差する部位および／また
は近接する部位を有し、該交差部では上下の配線パター
ン層間の絶縁は上層の配線パターン層を構成する絶縁樹
脂層により保たれているような構成とした。

【００１７】さらに、本発明の多層プリント配線板は、
前記交差部および／または前記近接部の必要箇所におい
て配線パターン層を構成する導電性層相互間に跨がるよ
うに接合部を有するような構成とした。

【００１８】本発明の多層プリント配線板の製造方法
は、少なくとも表面が導電性の転写基板上に絶縁材料か
らなるパターンを形成し、前記パターンの形成されてい
ない前記転写基板上の配線パターン部分にメッキ法によ
り導電性層を剥離可能に形成し、該導電性層上にポリイ
ミドを含有する絶縁樹脂層を形成して導電性層と絶縁樹
脂層からなる配線パターン層を備えた配線パターン層転
写版を複数作製し、次に、多層プリント配線板用の基板
の一方の面に前記配線パターン層転写版を圧着し、前記
転写基板を剥離することにより前記配線パターン層を前
記基板上に転写する操作を順次繰り返し、前記基板上に
複数の配線パターン層を形成する方法であって、前記ポ
リイミドが、テトラカルボン酸ジ無水物とジアミンの反
応生成物であるポリイミドであって、シロキサンを１０
〜７０重量％含有し、かつ酸価が１０〜１５０ｍｍｏｌ
ＫＯＨ／１００ｇ ｒｅｓｉｎであることを特徴とす
る、溶剤可溶性低弾性率ポリイミドであるような構成と
した。

【００１９】また、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、前記絶縁樹脂層を電着法により導電性層上に形
成するような構成とした。

【００２０】また、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、前記配線パターン層が相互に交差する部位およ
び／または近接する部位の必要箇所において、各配線パ
ターン層を構成する導電性層相互間に跨がるように接合
部を形成することにより配線パターン層相互間を接続す
るような構成とした。

【００２１】このような本発明では、導電性層上にポリ
イミドを含有する絶縁樹脂層を設けた配線パターン層を
備える配線パターン層転写版を用いて、基板上に配線パ
ターン層が転写により複数形成されるので、配線パター
ン層の絶縁樹脂層の耐熱性が高いとともに絶縁樹脂層に
よる配線パターン層と基板との密着性が極めて高いもの
となり、また、各配線パターン層の導電性層は部分的に
常に裸出されているとともに、各配線パターン層が交差
あるいは重なる部位では、上層の絶縁樹脂層によって配
線パターン層間が確実に絶縁され、また、基板上におけ
るメッキおよびフォトエッチング工程は不要であり、多
層プリント配線板の製造方法の簡略化が可能となる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
しながら説明する。

【００２３】図１は本発明の多層プリント配線板の一例
を示す概略断面図である。図１において、多層プリント
配線板１は、基板２と、基板２上に設けられた第１層目
の配線パターン層３と、この配線パターン層３上に形成
された第２層目の配線パターン層４と、さらに、配線パ
ターン層４上に形成された第３層目の配線パターン層５
とを備えた３層構成の多層プリント配線板である。

【００２４】この多層プリント配線板１を構成する各配
線パターン層３，４，５は、それぞれ導電性層３ａ，４
ａ，５ａと、この導電性層の下部に形成された絶縁樹脂
層３ｂ，４ｂ，５ｂとを有している。

【００２５】上述の多層プリント配線板１は、各配線パ
ターン層３，４，５を基板２の上、あるいは下層の配線
パターン層の上に順次転写した重ね刷り型の構造であ
り、各配線パターン層が相互に交差あるいは重なる部位
（以下、交差部という）において、上層の配線パターン
層を構成する絶縁樹脂層４ｂ，５ｂにより配線パターン
層間が確実に絶縁されている。そして、本発明の多層プ
リント配線板１では、絶縁樹脂層３ｂ，４ｂ，５ｂがポ
リイミドを含有したものである。このため、基板２と絶
縁樹脂層３ｂ，４ｂ，５ｂとの密着性、配線パターン層
３と絶縁樹脂層４ｂ，５ｂとの密着性、および、配線パ
ターン層４と絶縁樹脂層５ｂとの密着性は極めて高いも
のであり、同時に、各配線パターン層３，４，５を構成
する絶縁樹脂層３ｂ，４ｂ，５ｂの耐熱性および電気絶
縁性が高く、多層プリント配線板１は耐久性、性能安定
性に優れたものである。

【００２６】また、本発明の多層プリント配線板１は、
従来の多層プリント配線板に見られたような絶縁樹脂層
による配線パターンの被覆がなく、各配線パターン層
３，４，５の導電性層３ａ，４ａ，５ａは部分的に常に
裸出されており、後述するように、配線パターン層の交
差部あるいは各配線パターン層が相互に近接する部位
（近接部）における各配線パターン層相互の接続を容易
に行うことができる。

【００２７】本発明の多層プリント配線板１を構成する
基板２は、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、アル
ミナセラミック基板、ガラスエポキシとポリイミドの複
合基板等、多層プリント配線板用の基板として公知の基
板を使用することができる。また、基板２として、ガラ
ス布にエポキシ樹脂を含浸させた半硬化状態のプリプレ
グ基板を使用してもよい。このような基板２は、後述す
る配線パターン層の転写時における基板裏面からの電子
線照射による絶縁樹脂層の硬化を行うために、その厚み
は電子線の透過可能な厚みであることが必要であり、１
〜１０００μｍ、好ましくは５〜１００μｍの範囲であ
る。

【００２８】各配線パターン層３，４，５の厚みは、後
述する転写における下層の配線パターン層の乗り越えを
欠陥なく行うために、１００μｍ以下、好ましくは１０
〜６０μｍの範囲とする。また、各配線パターン層３，
４，５を構成する導電性層３ａ，４ａ，５ａの厚みは、
配線パターン層の電気抵抗を低く抑えるため１μｍ以
上、好ましくは５〜４０μｍの範囲とする。さらに、絶
縁樹脂層３ｂ，４ｂ，５ｂの厚みは、使用するポリイミ
ドにもよるが、交差部において上下の配線パターン層間
の絶縁を保つために少なくとも１μｍ以上、好ましくは
５〜３０μｍの範囲とする。このような配線パターン層
３，４，５の線幅は、最小幅１０μｍ程度まで任意に設
定することができる。

【００２９】導電性層３ａ，４ａ，５ａの材料は、後述
するようにメッキ法により薄膜形成が可能なものであれ
ば特に制限はなく、例えば、銅、銀、金、ニッケル、ク
ロム、亜鉛、すず、白金等を用いることができる。

【００３０】また、絶縁樹脂層３ｂ，４ｂ，５ｂを形成
するためのポリイミドは、テトラカルボン酸ジ無水物と
ジアミンの反応生成物であるポリイミドであって、シロ
キサンを１０〜７０重量％含有し、かつ酸価が１０〜１
５０ｍｍｏｌＫＯＨ／１００ｇ ｒｅｓｉｎであること
を特徴とする、溶剤可溶性低弾性率ポリイミドであれば
特に限定されない。シロキサンの量が１０％以下である
と、弾性率の低下が観察されず、反りの解消の効果がな
い。７０重量％以上であると、転写工程で、絶縁層部が
ブリードを生じてしまう。酸価が１０ｍｍｏｌＫＯＨ／
１００ｇ ｒｅｓｉｎ以下であると、水に分散させるこ
とができない。１５０ｍｍｏｌＫＯＨ／１００ｇ ｒｅ
ｓｉｎ以上であると、水分散性が良好すぎて、電界を加
えても塗膜が析出しない。

【００３１】このポリイミドの溶解性とは、ＮＭＰ、Ｄ
ＭＰ、ＤＭＡｃ、γブチロラクトン、ＤＭＳＯ、スルホ
ランなど、好ましくはＮＭＰ等の溶剤に可溶性であっ
て、電着塗料を形成することが可能であるものを意味す
る。

【００３２】このポリイミドの弾性率は好ましくは５×
１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²以下であるが、より好ましくは５×
１０⁵〜５×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²、特に好ましくは１×
１０⁶〜１×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²を有することが好まし
い。弾性率が高いと、応力の緩和が生じ難く反りの低減
が困難であり、低いと膜自身の強度が低下し、転写紙の
流動性が高くなるとの問題点がある。

【００３３】このポリイミドは、熱膨張係数が、０〜３
５０℃の温度範囲において好ましくは５００×１０^-6／
Ｋ以下であり、より好ましくは３５０×１０^-6／Ｋ以下
であり、特に好ましくは２００×１０^-6／Ｋ以下であ
る。５００×１０^-6／Ｋ以上では、応力緩和による反り
の低減以上にポリイミドの膨張が激しく、反りを低減す
ることが困難となる。

【００３４】さらに、このポリイミドは、１０％熱分解
温度が、好ましくは２５０℃以上、より好ましくは３５
０℃以上、特に好ましくは４５０℃以上であることが、
多層回路基板等の電子部材の耐熱性の観点から好まし
い。

【００３５】また、このポリイミドのイミド化率は、好
ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上、特に
好ましくは９５％以上が好ましい。イミド化率が８５％
以下では、残留アミック酸が金属イオンのマイグレーシ
ョンを促進させたり、ポリイミド溶液の経時変化が著し
い問題点がある。

【００３６】このポリイミドの重量平均分子量は、１
０，０００〜１００，０００が好ましい。特に好ましく
は５０，０００〜８０，０００である。分子量が１０，
０００以下であると、均一な塗膜を得難く、１００，０
００以上ではゲル化が生じてしまう。分子量測定は、東
ソー（株）製高速ＧＰＣ装置を用いた。用いたカラム
は、東ソー（株）製ＴＳＫｇｅｌαＭ、溶媒はＤＭＦ＋
１０ｍｍｏｌリン酸緩衝液（ｐＨ７．０）流速０．５ｃ
ｍ／ｍｉｎで行った。

【００３７】このポリイミドの合成に用いられる酸ジ無
水物は特に限定されないが、具体的には、３，４，
３′，４′ビフェニルテトラカルボン酸ジ無水物、３，
４，３′，４′ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水
物、２，３，３′，４′ビフェニルエーテルテトラカル
ボン酸ジ無水物、３，４，３′，４′ビフェニルスルホ
ンテトラカルボン酸ジ無水物、ビス（ジカルボキシルフ
ェニル）プロパン二無水物、４，４′−［２，２，２−
トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデ
ン］ビス（１，２−ベンゼンジカルボン酸ジ無水物）
（６ＦＤＡ）、ビストリフルオロメチル化ピロメリット
酸、ビス（ジカルボキジフェニル）スルホン二無水物、
ビス（ジカルボキジフェニル）エーテル二無水物、チオ
フェンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無
水物、１，２，５，６ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二無
水物、等の芳香族酸ジ無水物１，２，３，４−ブタンテ
トラカルボン酸ジ無水物、シクロペンタンテトラカルボ
ン酸二無水物、ビシクロオクテンテトラカルボン酸、ビ
シクロ（２，２，２）−オクト−７−エン−２，３，
５，６−テトラカルボン酸ジ無水物、５（２，５−ジオ
キソテトラヒドロフリル）３−メチル−３シクロヘキセ
ン−１，２−ジカルボン酸無水物、等の脂肪族酸ジ無水
物を挙げることができる。

【００３８】これらの酸ジ無水物は単独、又は２種以上
の組み合わせで用いることができるが、酸ジ無水物及び
芳香族ジアミンを選択してポリイミドを合成するにあた
り、これらの組み合わせが溶剤可溶となる組成を選ぶ必
要がある。

【００３９】このポリイミドの合成に用いられる芳香族
ジアミンは、特に限定されないが、好ましくは３，５−
ジアミン安息香酸と、ジアミノシロキサンと共に使用可
能なジアミンである。

【００４０】このうち、ジアミノシロキサンはとして
は、例えば、

【００４１】

【化２５】 が挙げられる。

【００４２】また、芳香族実施例アミンとしては例えば
２，４（又は、２，５−）ジアミノトルエン、１，４ベ
ンゼンジアミン、１，３ベンゼンジアミン６−メチル
１，３−ベンゼンジアミン、４，４′−ジアミノ−３，
３′−ジメチル−１，１′−ビフェニル、４，４′−ア
ミノ−３，３′−ジメトキシ−１，１′−ビフェニル、
４，４′−メチレンビス（ベンゼンアミン）、４，４′
−オキシビス（ベンゼンアミン）、３，４′−オキシビ
ス（ベンゼンアミン）、３，３′−カルボキニル（ベン
ゼンアミン）、４，４′−チオビス（ベンゼンアミ
ン）、４，４′−スルホニル（ベンゼンアミン）、３，
３′−スルホニル（ベンゼンアミン）、１−メチルエチ
リジン４，４′−ビス（ベンゼンアミン、）３，３′−
ジクロロ−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−
ジニトロ−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−
ジアミノベンゾフェノン、１，５−ジアミノナフタレ
ン、１−トリフルオロメチル２，２，２−トリフルオロ
エチリジン４，４’−ビス（ベンゼンアミン）、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ビス−４
（４−アミノフェニル）プロパン、４，４′−ジアミノ
ベンズアニリド、２，６−ジアミノピリジン、４，４′
−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラメチルビフェ
ニル、２，２ビス（４（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル）エチル、１，４−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、１，３ビス（３−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、９，９′−ビス（４−アミノフェニ
ル）フルオレン、ベンジジン−３，３−ジカルボン酸、
４，４′−（または、３，４′−、３，３′−、２，
４′−）ジアミノ−ビフェニルエ−テル、ジアミノシラ
ン化合物、等を挙げることができる。

【００４３】これらは単独、又は２種以上混合したポリ
イミド組成物とすることができるが、芳香族ジアミン及
び酸ジ無水物を選択してポリイミドを合成するにあた
り、これらの組み合わせが溶剤可溶となる組成を選ぶ必
要がある。

【００４４】このポリイミドは、好ましくは、下記一般
式（１）

【００４５】

【化２６】 （式中Ａ₁は式、

【００４６】

【化２７】 から選ばれる基であり、Ｂ₁は式、

【００４７】

【化２８】 から選ばれる基である）によって表される構造単位から
なる共重合体である。

【００４８】さらにこのポリイミドは、好ましくは下記
一般式（２）

【００４９】

【化２９】 （式中、Ａ₂およびＡ₃は独立して、

【００５０】

【化３０】 から選ばれる構造単位であり、Ｂ₂は、

【００５１】

【化３１】 から選ばれる構造単位であり、Ｂ₃は、

【００５２】

【化３２】 から選ばれる構造単位である）によって表されるブロッ
ク共重合体である。

【００５３】さらにこのポリイミドは、好ましくは下記
一般式（３）

【００５４】

【化３３】 （式中、Ａ₄は、

【００５５】

【化３４】 から選ばれる構造単位であり、Ａ₅は、

【００５６】

【化３５】 から選ばれる構造単位であり、Ｂ₄は、

【００５７】

【化３６】 から選ばれる構造単位であり、Ｂ₅は、

【００５８】

【化３７】 から選ばれる構造単位である）で表される構造単位から
なるブロック共重合体である。

【００５９】通常、ポリイミドの製造においては、酸ジ
無水物と、ジアミンの脱水重縮合反応により合成を行
う。その際、下記式で表されるポリアミック酸を経た形
でポリイミドが生成する。

【００６０】

【化３８】 しかしながら、この反応は平衡反応であり、ポリアミッ
ク酸からポリイミド、ポリイミドからポリアミック酸両
方向反応が同時に生じる。このため、ポリアミック酸を
経たポリイミドはランダムな状態となり、ブロック共重
合体とはならない。一般にランダム共重合体はブロック
共重合体交互共重合体より、物理的、化学的性質が劣る
と言われている。そのためここでは好ましくは酸触媒を
用い、脱水された水を逐次取り除きながら１段階でイミ
ド化を行う方法により、ブロック共重合体を製造する。

【００６１】次に、上記の多層プリント配線板１を例に
して図２乃至図５を参照しながら本発明の多層プリント
配線板の製造方法を説明する。

【００６２】まず、転写基板としての導電性基板１１上
にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層１２を形
成し（図２（Ａ））、所定のフォトマスクを用いてフォ
トレジスト層１２を密着露光し現像して導電性基板１１
のうち配線パターン部分１１ａを露出させる（図２
（Ｂ））。次に、導電性基板１１の配線パターン部分１
１ａ上にメッキ法により導電性層１４を形成する（図２
（Ｃ））。その後、電着法により導電性層１４上にポリ
イミドを含有する絶縁樹脂層１５を形成する（図２
（Ｄ））。これにより、導電性層１４と絶縁樹脂層１５
の積層体である第１層用の配線パターン層１３を設けた
配線パターン層転写版１０が得られる。

【００６３】同様にして、図３および図４に示されるよ
うに、導電性基板２１，３１上に導電性層２４，３４
と、ポリイミドを含有する絶縁樹脂層２５，３５とを有
する配線パターン層２３，３３を設けた第２層用の配線
パターン層転写版２０、第３層用の配線パターン層転写
版３０をそれぞれ作製する。

【００６４】次に、基板２上に、上記の配線パターン層
転写版１０を絶縁樹脂層１５が基板２に当接するように
圧着する。この圧着は、ローラ圧着、プレート圧着、真
空圧着等、いずれの方法にしたがってもよい。また、絶
縁樹脂層１５が加熱により粘着性あるいは接着性を発現
する場合には、熱圧着を行うこともできる。その後、導
電性基板１１を剥離して配線パターン層１３を基板２上
に転写することにより、導電性層３ａおよび絶縁樹脂層
３ｂの積層体である第１層目の配線パターン層３を基板
２上に形成する（図５（Ａ））。

【００６５】次に、第１層目の配線パターン層３が転写
形成された基板２上に、第２層用の配線パターン層転写
版２０を用いて第１層目の配線パターン層に対する位置
合わせを行い、第１層目の配線パターン層３の形成と同
様にして配線パターン層２３の転写を行い、導電性層４
ａおよび絶縁樹脂層４ｂの積層体である第２層目の配線
パターン層４を形成する（図５（Ｂ））。

【００６６】さらに、第１層目の配線パターン層３およ
び第２層目の配線パターン層４が形成された基板２上
に、第３層用の配線パターン層転写版３０を用いて同様
に位置合わせを行い、第１層目の配線パターン層３の形
成と同様にして配線パターン層３３の転写を行う。これ
により、導電性層５ａおよび絶縁樹脂層５ｂの積層体で
ある第３層目の配線パターン層５が形成される（図５
（Ｃ））。

【００６７】上述のように、各配線パターン層３，４，
５の転写は、配線パターン層転写版１０，２０，３０の
配線パターン層１３，２３，３３を基板上に順次転写す
ることにより行われるため、多層プリント配線板１は各
配線パターン層３，４，５からなる、いわゆる重ね刷り
型の構造である。そして、多層プリント配線板１を構成
する配線パターン層３と配線パターン層４との交差部を
示す斜視図である図６に示されるように、各配線パター
ン層の導電性層３ａ，４ａは部分的に常に裸出されたも
のとなり、各配線パターン層３，４の交差部では、上層
の絶縁樹脂層４ｂによって配線パターン層の導電性層３
ａ，４ａ間が確実に絶縁される。また、基板２上あるい
は下層の配線パターン層上への各配線パターン層の転写
は、ポリイミドを含有した絶縁樹脂層３ｂ，４ｂ，５ｂ
を介して行うので、基板２や下層の配線パターン層と絶
縁樹脂層３ｂ，４ｂ，５ｂの密着性、したがって基板２
と配線パターン層３，４，５との密着性および交差する
各配線パターン層間の密着性が極めて高いものとなる。

【００６８】また、本発明の多層プリント配線板１は、
図６に示されるような交差部や重なり部、あるいは、図
７に示されるように各配線パターン層が相互に近接する
部位（近接部、図示例では配線パターン層３と配線パタ
ーン層４とが近接している）において、各配線パターン
層相互の接続を容易に行うことができる。

【００６９】次に、このような各配線パターン層の交差
部あるいは近接部における接続について、多層プリント
配線板１を例に説明する。

【００７０】図８乃至図１２は、多層プリント配線板１
の配線パターン層の交差部あるいは近接部における接続
状態を示す斜視図である。図８は、上層の配線パターン
層４に形成したスルーホールに接合部６１を形成して接
続したものである。また、図９は交差部の一部に接合部
６２を形成して配線パターン層３の導電性層３ａと配線
パターン層４の導電性層４ａとを接続したものである。
さらに、図１０は配線パターン層３と配線パターン層４
との交差部を覆うような接合部６３を形成したものであ
る。また、図１１は近接部の一部に跨がるように接合部
６４を形成して配線パターン層３と配線パターン層４と
を接続したものであり、図１２は配線パターン層３と配
線パターン層４との近接部を覆うような接合部６５を形
成して接続したものである。

【００７１】このような各配線パターン層の交差部ある
いは近接部における接合部の形成による接続としては、
（１）印刷法、（２）ディスペンス法、（３）超微粒子
吹付け法、（４）レーザー描画法、（５）選択無電解メ
ッキ法、（６）選択蒸着法、（７）溶接接合法等が挙げ
られる。

【００７２】上記（１）の印刷法による多層プリント配
線板１の配線パターン層の交差部あるいは近接部の接続
は、印刷により各配線パターン層を構成する導電性層相
互間に跨がるように導電ペーストまたはハンダを固着し
て接合部を形成することにより行うものである。用いる
印刷方式は特に限定されるものではないが、一般に厚膜
の印刷に適し、電子工業分野で多用されているスクリー
ン印刷が好ましい。スクリーン印刷を行う場合には、予
め配線間の接続部に相当する部分に開孔部をもつスクリ
ーン印刷版を作成し、多層配線板上に位置を合わせて配
置し、銀ペースト等の導電性ペーストインキを印刷すれ
ばよい。

【００７３】また、上記（２）のディスペンス法による
多層プリント配線板１の配線パターン層の交差部あるい
は近接部の接続は、上記の印刷法に類似しているが、導
電性のインキを微細なノズルから噴出させ、配線間に接
合部を直接描画形成することにより行うものである。具
体的には、一般に接着剤等を必要箇所に少量付着させる
ために用いられている針状の噴出口を有するディスペン
サーが使用できる。また、使用する導電性インキの粘度
によっては、コンピュータ等の出力装置に使用されてい
るインクジェット方式も使用可能である。

【００７４】上記（３）の超微粒子吹付け法は、超微粒
子を高速の気流に乗せて搬送し、多層プリント配線板に
近接して設けられた微細なノズルから多層プリント配線
板に吹き付けることによって、超微粒子と多層プリント
配線板との衝突エネルギーにより相互に燒結して膜を形
成する方法であり、ガスデポジション法と呼ばれている
方法が利用できる。この方法に用いる装置は、基本的に
は高真空と低真空の２つの真空槽と、各真空槽を接続す
る接続パイプからなる。そして、超微粒子は、アルゴン
ガス等を導入した低真空槽内において真空蒸発法により
形成され、また、基板は高真空槽内に設置されている。
上記の接続パイプは、低真空槽内の超微粒子の発生する
近傍と、高真空槽内の多層プリント配線板の近傍部であ
って、この配線板に直交する方向とに開口部を有してい
る。各真空槽は、それぞれ真空排気系によって一定の圧
力に保たれているため、各真空槽間の圧力差により接続
パイプ内には低真空槽から高真空槽へ向かう高速の気流
（ガス流）が発生し、低真空槽内で発生した超微粒子は
この気流に乗せられて高真空槽側へ搬送され、多層プリ
ント配線板の配線パターン層に衝突して互いに燒結し膜
状になる。金、銀、銅、ニッケル等の金属を母材とし、
上記の方法を用いることにより、配線間の接続を必要と
する箇所に選択的に導電体（接合部）を形成することが
できる。

【００７５】上記（４）のレーザー描画法は、導電性の
微粒子を分散した溶液を多層プリント配線板に塗布し、
この塗膜の所望の箇所をレーザーによって加熱すること
により、樹脂バインダーを分解あるいは蒸発させて除去
し、この加熱箇所に導電性微粒子を析出、凝集させて選
択的に導電体を形成するものである。溶液としては、ポ
リエステル樹脂、アクリル樹脂等に金、銀等の導電性微
粒子を分散したものを用い、アルゴンレーザー等を絞っ
て照射することにより、数十μｍ程度の細線を描画する
ことができる。

【００７６】上記（５）の選択無電解メッキ法は、一般
にフォトフォーミング法として知られている選択的な無
電解メッキ技術を用いることができる。この技術は、還
元可能で、かつ無電解メッキに対して触媒となる酸化状
態の金属を含む感光剤層を多層プリント配線板上に形成
し、この感光剤層を選択的に露光させることにより、無
電解メッキに対して触媒となる金属粒子を析出させ、そ
の後、無電解メッキ液に浸漬することにより露光部にの
み選択的なメッキを施すものである。

【００７７】また、上記（６）の選択蒸着法は、薄膜形
成技術の一つである選択的膜堆積技術を用いるものであ
る。すなわち、真空槽内に金属、炭素等の導電性元素を
含む有機金属ガス、あるいは、導電性元素を含む有機物
の蒸気を導入し、真空槽内に設置した多層プリント配線
板表面に上記のガスあるいは蒸気を吸着させ、次に、レ
ーザーあるいはイオンビームを、集光あるいは収束して
基板に照射し、その部分に吸着しているガスあるいは蒸
気を熱または衝突エネルギーによって分解して、金属、
炭素等の導電性物質を多層プリント配線板上に堆積させ
るものである。このような選択蒸着法は、ＬＳＩの配線
修正技術として実用化されている。具体的には、集光し
たアルゴンレーザーによってクロム、コバルト、白金、
タングステン等を含む有機金属ガスを分解して、これら
の金属を所望の修正箇所に堆積する技術、あるいは、ガ
リウムのイオンビームによってピレン等の有機材料の蒸
気を分解して炭素膜を堆積する技術を用いることができ
る。

【００７８】さらに、上記（７）の溶接接合法は、配線
パターン層の交差部をレーザーで選択的に加熱し、上下
の配線パターン層の導電性層間に存在する絶縁樹脂層
（上層を構成する絶縁樹脂層）を溶融・蒸発させ、さら
に、導電性層自体も高温に加熱することによって、各配
線パターン層を構成する導電性層を相互に融着して接合
部を形成し接続するものである。

【００７９】さらに、本発明の多層プリント配線板を構
成する配線パターン層相互の接続は、（８）ワイヤーボ
ンディング法、（９）ワイヤーボンディング装置を用い
た１ショット法、（１０）レーザーメッキ法、（１１）
導電体と半田メッキとの積層体の一括転写法、（１２）
金属塊挿入法、（１３）無電解メッキ法等により行うこ
とができる。上記（８）のワイヤーボンディング法は、
例えば、図１３に示されるように配線パターン層３，４
の導通されていない近接部（交差部においても同様に対
処可能である）を、ワイヤーボンディング装置を用い
て、ワイヤーボンディングを行い、導電性層３ａと４ａ
とをワイヤーブリッジ６６により接続する方法である。

【００８０】上記（９）のワイヤーボンディング装置を
用いた１ショット法は、例えば、図１４に示されるよう
に配線パターン層３，４の導通されていない近接部（交
差部においても同様に対処可能である）を、ワイヤーボ
ンディング装置を用いて、１ショット（１回）のボンデ
ィングを行い、ブリッジなしの状態で導電性層３ａと４
ａとをボンディング塊（パッド）６７により接続する方
法である。

【００８１】上記（１０）のレーザーメッキ法は、例え
ば、パラジウムメッキ液中に、接続操作前の多層プリン
ト配線板を浸漬させた状態で、所定のスポット径、照射
面でのパワー等を調整したレーザー（例えば、アルゴン
レーザー）を、導通すべき近接部ないしは交差部に所定
時間照射し、照射部分に例えばＰｄ膜を所定厚さに析出
させて接続する方法である。なお、好ましくは、パラジ
ウムメッキ液を循環させながらレーザーを照射させるの
がよい。また、メッキ液は水洗により除去され、図１５
に示されるごとく析出したメッキ膜６８により導電性層
３ａと４ａとの接続がなされる。

【００８２】上記（１１）の導電体と半田メッキとの積
層体の一括転写法は、図１６（Ａ），（Ｂ）に示される
ごとく行われる。まず最初に、図１６（Ｂ）に示される
ように導電体層７１と半田メッキ層７２の積層体７０を
以下の要領で作製する。すなわち、導電性の基板７５上
に、レジスト法を用いて現像し所望のパターン（導電性
パターン）を形成した転写基板の上に、例えば、電解メ
ッキを施し導電体層７１を形成し、この導電体層上に所
定の半田メッキ浴組成物を用いて半田メッキを行い、半
田メッキ層７２を形成する。なお、半田メッキ層７２
は、半田メッキの他、半田ペーストのスクリーン印刷、
ディッピングでも同様に形成可能である。このようにし
て積層した積層体７０を、図１６（Ａ）に示されるよう
に配線パターン層３，４の導通されていない近接部（交
差部においても同様に対処可能である）に一括熱転写
し、導電性層３ａと４ａとの接続を行う。この際、熱転
写温度は半田メッキ層７２が溶融変形可能な温度である
２００〜３００℃程度の温度範囲で行われる。

【００８３】上記（１２）の金属塊挿入法は、図１７
（Ａ）に示されるように配線パターン層３，４の導通さ
れていない近接部の配線間隙に、例えば、直径３０〜１
００μｍ程度の金属ボール８１を配置し、しかる後、図
１７（Ｂ）に示されるようにその上から感圧接着剤を塗
布したシート８２を圧着し、導電性層３ａと４ａとを接
続する方法である。なお、金属ボールの使用は好ましい
使用態様であるが、球形でない、いわゆる金属片（塊）
のようなものでも使用可能である。また、このような金
属ボール（塊）は、前記印刷法、ディスペンス法におい
ても接続部の信頼性をより向上させるために使用するこ
ともできる。すなわち、金属ボールを設置した後に、前
記の印刷ないしはディスペンスを行うのである。

【００８４】上記（１３）の無電解メッキ法を図１８
（Ａ）〜（Ｆ）に基づいて説明する。まず、最初に図１
８（Ａ）に示されるような配線パターン層３，４を備え
る多層プリント配線板上に無電解メッキ触媒を全面に塗
布して触媒層９１を形成する（図１８（Ｂ））。次い
で、この上にフォトレジストを塗布してレジスト層９３
を形成したのち、所定のフォトマスクを用いてレジスト
層９３を密着露光、現像し、配線パターンの接続すべき
位置に相当する部分Ｈを露出させる（図１８（Ｃ））。
その後、この露出部分Ｈを活性化させた後、無電解メッ
キ行い接続部９５を形成させ導電性層３ａと４ａとを接
続する（図１８（Ｄ））。しかる後、残余の不要なレジ
ストおよび触媒層を順次、除去して、接続部９５（触媒
層９１ａ）のみを残す（図１８（Ｅ）、（Ｆ））。

【００８５】本発明の多層プリント配線板は、上述した
（２）〜（１３）のような接続方式を用いることによ
り、スルーホールの形成箇所に拘束されずに任意の箇所
で各配線パターン層間の接続ができるため、多層プリン
ト配線板を作製した後の回路設計の変更の自由度が、従
来の多層プリント配線板に比べて大きいものである。

【００８６】尚、上記の例では多層プリント配線板１は
３層構成であるが、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、同様の積層転写を繰り返し行うことにより所望
の数の配線パターン層を備えた多層プリント配線板を製
造することができる。

【００８７】また、２層構造の本発明の多層プリント配
線板は、従来の両面プリント配線板の問題点、すなわ
ち、両面プリント配線板の穴形成のためのドリル加工の
精度から生じる高密度化における問題を解決することが
できる。これは、上述したように、導電性層が露出され
ており、スルーホールを形成することなく配線パターン
層の交差部、あるいは、近接部における各配線パターン
層相互の接続を容易に行うことができるからである。

【００８８】

【実施例】次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。 （実施例１） （１）転写基板における導電性層の形成 導電性の転写基板として、０．２ｍｍ厚のステンレス板
を準備し、このステンレス板上に市販のフォトレジスト
（東京応化工業（株）製ＯＭＲ−８５）をスピンコート
法により膜厚約１μｍに塗布し、オーブンで８５℃、３
０分間乾燥を行った。そして所定のフォトマスクを用い
て、露光装置（大日本スクリーン製造（株）製Ｐ−２０
２−Ｇ）を用いて密着露光を行った。露光条件は、３０
ｃｏｕｎｔとした。その後、現像・リンス・乾燥し、さ
らに１５０℃で３０分間の熱硬化処理を施し、所定のパ
ターンを有する絶縁パターンを有する転写基板（３種）
を作製した。

【００８９】上記の転写基板と含燐銅電極を対向させて
下記の組成の硫酸銅めっき浴中に浸漬し、直流電源の陽
極に含燐銅電極を接続し、陰極に上記転写基板を接続し
て、電流密度２Ａ／ｄｍ²で２４分間の通電を行い、絶
縁パターンで被覆されていない転写基板の露出部に膜厚
約１０μｍの銅メッキ膜を形成し、導電性層付きの転写
基板とした。 （硫酸酸銅メッキ浴の組成） ・ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ … ２００ｇ／ｌ ・Ｈ₂ＳＯ₄ … ５０ｇ／ｌ ・ＨＣｌ …０．１５ｍｌ／ｌ （Ｃｌとして６０ｐｐｍ）

【００９０】（２）可溶性電着ポリイミド含有の絶縁接
着性電着液１の調製 ［ポリイミドワニス１の製造］１ｌ容量の三つ口セパラ
ブルフラスコに、３，４，３′４′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸ジ無水物（ＢＴＤＡ）３２．２２ｇ
（０．１モル）、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル）スルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）２１．６３ｇ
（０．０５モル）、バレロラクトン１．５ｇ（０．０１
５モル）、ピリジン２．４ｇ（０．０３モル）、Ｎメチ
ル２ピロリドン（ＮＭＰ）２００ｇ、トルエン３０ｇを
加えて、ステンレス製イカリ撹拌器、窒素導入管及びス
トップコックの付いたトラップの上に玉付き冷却管をつ
けた還流冷却器を取り付けた。次に、窒素気流を流しな
がら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブルフ
ラスコを漬けて加熱した。この加熱は、まず、室温で３
０分撹拌（２００ｒｐｍ）、ついで昇温して１８０℃で
１時間撹拌（２００ｒｐｍ）しながら反応させた。次
に、トルエン−水留出分１５ｍｌを除去し、空冷した
後、ＢＴＤＡ６．１１ｇ（０．０５モル）、３，５ジア
ミノ安息香酸（以後ＤＡＢｚと呼ぶ）１５．２１６ｇ
（０．１モル）、ＮＭＰ１１９ｇ、トルエン３０ｇを添
加し、室温で３０分撹拌（２００ｒｐｍ）した後、昇温
して１８０℃で加熱撹拌しトルエン−水留出分１５ｍｌ
を除去した。その後、トルエン−水留出分を系外に除き
ながら、１８０℃で３時間の加熱撹拌を行って反応を終
了した。これにより、２０％ポリイミドワニス（１）を
得た。酸当量（１個のＣＯＯＨあたりのポリマー量は１
５５４）は７０であった。 ［絶縁接着性電着液１の調製］上記の２０％濃度ポリイ
ミドワニス（１）１００ｇに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒ
ドロチオフェン−１，１−ジオキシド＝１：３（重量）
の混合溶液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ，メ
チルモルホリン５．０ｇ（中和率２００％）、水３０ｇ
を加えて撹拌し絶縁接着性電着液１を調製した。得られ
た絶縁接着性電着液１は、ポリイミド含有率７．４％、
ｐＨ７．８の暗赤褐色透明液であった。

【００９１】（３）転写基板における絶縁樹脂層の形成
（図２（Ｄ）対応） 上記（１）で導電性層を形成した転写基板の各々と白金
電極とを対向させて上記の絶縁接着性電着液１中に浸漬
し、直流電源の陽極に転写原版を陰極に白金電極をそれ
ぞれ接続し、１５０Ｖの電圧で１８０秒の電着を行い、
これを８０℃、５分間で乾燥して、転写基板の導電性層
上に厚さ２０μｍの電着ポリイミド層を形成した。これ
により、導電性層および絶縁樹脂層とからなる配線パタ
ーン層を備えた配線パターン層転写版Ａ１、Ａ２、Ａ３
を得た。

【００９２】（４）多層プリント配線板の作製 （３）で作製した配線パターン層転写版Ａ１を、厚さ１
００μｍのポリイミドフィルム基板上に下記の条件で、
転写し導電性層と絶縁樹脂層からなる配線パターン層を
フィルム基板上に形成して、３００℃、１時間の硬化処
理をした。 （転写条件） 圧力：１０ｋｇｆ／ｃｍ² 温度：１８０℃ 次に、第１層目の配線パターン層が形成されたフィルム
基板上に、上記（３）において作製した配線パターン層
転写版Ａ２を、転写された第１層目の配線パターン層に
絶縁樹脂層が接触するように上記と同様の条件で転写・
硬化し、第２層目の配線パターン層を転写した。

【００９３】同様に、第２層目の配線パターン層が形成
されたフィルム基板上に、上記の（３）において作製し
た配線パターン層転写版Ａ３を、第１層目の配線パター
ン層および第２層目の配線パターン層に絶縁樹脂層が接
触するように上記と同様の条件で転写・硬化し、第３層
目の配線パターンを形成した。

【００９４】これにより、図１に示されるような３層の
配線パターン層を備えた本発明の多層プリント配線板を
作製した。

【００９５】（実施例２） （１）コーティング用のポリイミドワニス２の合成 １ｌ容量の三つ口セパラブルフラスコに、３，４，３′
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物（ＢＴ
ＤＡ）９６．６７ｇ（３００ミリモル）、２，４ジアミ
ノトルエン（三井化学（株）製）１８．３３ｇ（１５０
ミリモル）、バレロラクトン４．５ｇ（４５ミリモ
ル）、ピリジン７．２ｇ（９０ミリモル）を入れ、ＮＭ
Ｐ４５０ｇ、トルエン７５ｇを添加した後、ステンレス
製イカリ撹拌器、窒素導入管及びストップコックの付い
たトラップの上に玉付き冷却管をつけた還流冷却器を取
り付けた。次に、窒素気流を流しながら温度調整機のつ
いたシリコーン浴中にセパラブルフラスコを漬けて加熱
した。この加熱は、まず、室温で３０分間撹拌（１８０
ｒｐｍ）した後、昇温して１８０℃で１時間加熱撹拌
（１８０ｒｐｍ）した。次に、トルエン３０ｇを除去
し、空冷した後、３，４，３′４′−ビフェニルテトラ
カルボン酸ジ無水物（ＢＰＤＡ）４４．１３ｇ（１５０
ミリモル）、２，４ジアミノトルエン（ＤＡＴ）１８．
３３ｇ（１５０ミリモル）、２，２−ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）６
４．９８ｇ（１５８．３ミリモル）、マレイン酸無水物
１．６３ｇ（１５．６６ミリモル）、ＮＭＰ４７９ｇ、
トルエン７５ｇを仕込み、室温で１時間撹拌（１８０ｒ
ｐｍ）した後、１８０℃で加熱撹拌（１８０ｒｐｍ）し
た。１時間経過後に、水−トルエン共沸物を系外に除
き、１８０℃で４時間加熱して反応を終了した。これに
より、２０％ＮＭＰ溶液のポリイミドワニス２を得た。

【００９６】（２）転写基板における絶縁樹脂層の形成 実施例１の（１）に記載の導電性層付き転写基板上に上
記ポリイミドワニス２をスクリーン印刷で、導電性層パ
ターンを覆うようにコーティングし乾燥（８０℃、５分
間）した。ポリイミド膜厚は２０μｍであった。これに
より、導電性層および絶縁樹脂層とからなる配線パター
ン層を備えた３種の配線パターン層転写版を得た。

【００９７】（３）（２）で作製した３種の配線パター
ン層転写版をアルミニウム基板上に実施例１と同様にし
て転写し、多層パターン配線板を作製した。

【００９８】（実施例３）ポリイミドワニス２の塗布法
としてスクリーン印刷の代わりにディスペンス法を用い
た他は、実施例２と同様にして多層プリント配線板を作
製した。

【００９９】（実施例４）絶縁性接着剤として、ポリイ
ミドワニス２のかわりに実施例１のポリイミドワニス１
を用いて、また塗布法としてスクリーン印刷の代わりに
ディスペンス法により、実施例２と同様にして多層プリ
ント配線板を作製した。

【０１００】（比較例１） ［エポキシ電着液の調製］ビスフェノールＡのジグリシ
ジルエーテル（エポキシ当量９１０）１０００重量部を
撹拌下に７０℃に保ちながらエチレングリコールモノエ
チルエーテル４６３重量部に溶解させ、さらにジエチル
アミン８０．３重量部を加えて１００℃で２時間反応さ
せてアミンエポキシ付加物（成分（Ａ））を調製した。

【０１０１】一方、コロネートＬ（日本ポリウレタン
（株）製ポリイソシアネート；ＮＣＯ１３％の不揮発分
７５重量％）８７５重量部にジブチル錫ラウレート０．
０５重量部を加え５０℃に加熱して２−エチルヘキサノ
ール３９０重量部を添加し、その後、１２０℃で９０分
間反応させた。得られた反応生成物をエチレングリコー
ルモノエチルエーテル１３０重量部で希釈し成分（Ｂ）
を得た。

【０１０２】上記の成分（Ａ）１０００重量部及び成分
（Ｂ）４００重量部からなる混合物を氷酢酸３０重量部
で中和した後、脱イオン水５７０重量部を用いて希釈
し、不揮発分５０重量％の樹脂（Ｉ）を調製した。

【０１０３】次に、樹脂（Ｉ）２００．２重量部（樹脂
成分８６．３容量）、脱イオン水５８３．３重量部およ
びジブチル錫ラウレート２．４重量部を配合してエポキ
シ電着液Ａを調製した。 ［多層プリント配線板の作製］絶縁接着性電着液とし
て、上記のエポキシ電着液Ａを用いて、下記の条件で実
施例１と同様に多層プリント配線板を作製した。 ・電着条件：印加電圧＝１５０Ｖ×１２０秒、乾燥＝８
０℃×５分 電着膜厚＝２０μｍ ・転写条件：圧力＝５ｋｇ／ｃｍ２ 、温度＝１００℃ ・硬化条件：１８０℃×３０分

【０１０４】（比較例２）絶縁接着性電着液として、ポ
リイミドの代わりにホモポリイミド樹脂を合成したが、
合成中に沈殿した。すなわち、３，４，３′，４′ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物と３，５−ジアミ
ン安息香酸を等モル加え、実施例１と同様に２０％濃度
で反応するとポリイミドの沈殿が析出した。

【０１０５】また、３，４，３′，４′ビフェニルテト
ラカルボン酸ジ無水物と３，５−ジアミン安息香酸を等
モル加え実施例１と同様に２０％濃度で反応するとポリ
イミド沈殿が析出した。

【０１０６】（比較例３） ［ポリアミック酸電着液の調製］撹拌機、還流冷却機及
び窒素導入管を備えた容器に、ビス〔４−｛４−（アミ
ノフェノキシ）フェノキシ｝フェニル〕スルホン６１．
６７ｇ（０．１ｍｏｌ）とＮ．Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド４７３ｇを装填し、室温で窒素雰囲気下にピロメリッ
ト酸ジ無水物２１．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を溶液温度の
上昇に注意しながら加え、室温で約２０時間撹拌した。
このようにして得られたポリアミド酸の対数粘度は１．
５２ｄｌ／ｇであった。なお、対数粘度はＮ．Ｎ−ジメ
チルアセトアミドを溶媒とし、濃度０．５ｇ／１００ｍ
ｌ溶媒、３５℃で測定した値である。

【０１０７】このポリアミド酸溶液中にジメチルエタノ
ールアミン１７．８ｇ（対カルボキシル当量９０モル
％）を徐々に加え、２０分間室温にて撹拌後、水２６
０．４ｇを撹拌しつつ徐々に室温にて加え水希釈してポ
リアミック酸電着液（樹脂濃度１０重量％）を調製し
た。 ［多層プリント配線板の作製］絶縁接着性電着液とし
て、上記のポリアミック酸電着液を用いて、下記の条件
で実施例１と同様に多層プリント配線板を作製した。 ・電着条件：印加電圧＝１５０Ｖ×３００秒、乾燥＝８
０℃×５分 電着膜厚＝２０μｍ ・転写条件：圧力＝５ｋｇ／ｃｍ２ 、温度＝１８０℃ ・ 硬化条件：３５０℃×６０分

【０１０８】実施例１〜４および比較例１、３において
作製した多層プリント配線板について、絶縁樹脂層の熱
分解温度、電気絶縁性、配線パターン層の解像度を下記
の方法により測定、評価して、結果を下記の表１に示し
た。 （配線パターン層の熱分解温度の評価方法）多層プリン
ト配線板より配線を引き剥がし、絶縁樹脂層のみを掻き
出した。掻き出した絶縁樹脂層をパーキンエルマー
（株）製の熱重量分析装置（ＴＧＡ）を使用して重量減
少を測定し、重量減少率が１０％を越える温度を熱分解
温度とした。 （絶縁樹脂層の電気絶縁性の測定方法）８５℃、８５％
ＲＨの環境下で絶縁パターンに３０Ｖの電圧を印加して
抵抗値を測定した。

【０１０９】

【表１】

【０１１０】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば導
電性層上にポリイミドを含有した絶縁樹脂層を有する配
線パターン層を備えた配線パターン層転写版を作製し、
このような配線パターン層転写版を用いて基板上に配線
パターン層を転写させるので、この配線パターン層を構
成する絶縁樹脂層はポリイミドを含有して耐熱性に優れ
るとともに基板に対して高い密着性を示し、かつ、絶縁
樹脂層の電気絶縁性は極めて高いものであり、このよう
な配線パターン層の転写により、導電性層と絶縁樹脂層
を備えた配線パターン層を多層に形成することができ
る。

【０１１１】また、この多層形成は、配線パターン層転
写版を並行して複数作製し、これらの配線パターン層転
写版を用いて順次転写する並直列プロセスであるため、
転写前の検査により不良品を排除することができ、製造
歩留が向上するとともに、スループットが高く、さら
に、従来基板上で行っていた配線層の形成やパターニン
グのためのメッキ、およびフォトエッチング工程は不要
となり、製造工程の簡略化が可能となる。

【０１１２】さらに、本発明の多層プリント配線板に
は、従来の多層プリント配線板に見られたような絶縁樹
脂層による配線パターンの被覆がなく、各配線パターン
層を構成する導電性層は部分的に常に裸出されており、
各配線パターン層の交差部あるいは重なり部、または近
接部における各配線パターン層相互の接続を容易に行う
ことができ、汎用性の極めて高い多層プリント配線板で
あるとともに、各配線パターン層の交差部あるいは重な
り部では上層の絶縁樹脂層により配線パターン層間が確
実に絶縁される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層プリント配線板の一例を示す概略
断面図である。

【図２】本発明の多層プリント配線板の製造方法に使用
する配線パターン層転写版の作製を説明するための図面
である。

【図３】本発明の多層プリント配線板の製造方法に使用
する配線パターン層転写版の一例を示す概略断面図であ
る。

【図４】本発明の多層プリント配線板の製造方法に使用
する配線パターン層転写版の一例を示す概略断面図であ
る。

【図５】本発明の多層プリント配線板の製造方法を説明
するための図面である。

【図６】本発明の多層プリント配線板の配線パターン層
の交差部を示す斜視図である。

【図７】本発明の多層プリント配線板の配線パターン層
の近接部を示す斜視図である。

【図８】本発明の多層プリント配線板の配線パターン層
の交差部における接続状態を示す斜視図である。

【図９】本発明の多層プリント配線板の配線パターン層
の交差部における接続状態を示す斜視図である。

【図１０】本発明の多層プリント配線板の配線パターン
層の交差部における接続状態を示す斜視図である。

【図１１】本発明の多層プリント配線板の配線パターン
層の近接部における接続状態を示す斜視図である。

【図１２】本発明の多層プリント配線板の配線パターン
層の近接部における接続状態を示す斜視図である。

【図１３】本発明の多層プリント配線板の配線パターン
層の近接部における接続状態を示す斜視図である。

【図１４】本発明の多層プリント配線板の配線パターン
層の近接部における接続状態を示す斜視図である。

【図１５】本発明の多層プリント配線板の配線パターン
層の近接部における接続状態を示す斜視図である。

【図１６】本発明の多層プリント配線板の配線パターン
層の近接部における接合部を順次形成する状態を示す斜
視図である。

【図１７】本発明の多層プリント配線板の配線パターン
層の近接部における接合部を順次形成する状態を示す斜
視図である。

【図１８】本発明の多層プリント配線板の配線パターン
層の近接部における接合部の形成を説明するための図で
ある。

【符号の説明】

１ 多層プリント配線板 ２ 基板 ３，４，５ 配線パターン層 ３ａ，４ａ，５ａ 導電性層 ３ｂ，４ｂ，５ｂ 絶縁樹脂層 １０，２０，３０ 配線パターン層転写版 １１，２１，３１ 転写基板 １４，２４，３４ 導電性層 １５，２５，３５ 絶縁樹脂層 ６１，６２，６３，６４，６５，６６，６７，６８，７
０，８１，９１ 接合部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川 合 研三郎 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 安 藤 雅 之 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 4J043 PA02 PA04 PA05 PA06 PA08 PA09 PC015 PC016 PC065 PC066 PC135 PC136 PC145 PC146 QB15 QB26 QB31 SA06 SA42 SA43 SA44 SA51 SA52 SA53 SA54 SA62 SA72 SB01 SB03 SB04 TA21 TA22 TA46 TA47 TA67 TA71 TB01 TB03 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UA221 UA231 UA262 UA361 UA612 UA622 UA632 UA662 UA672 UA712 UB011 UB021 UB062 UB121 UB122 UB131 UB152 UB282 UB301 UB302 UB351 UB401 UB402 VA011 VA021 VA022 VA031 VA041 VA051 VA052 VA061 VA062 VA081 XB07 XB34 XB37 YA08 ZA12 ZA32 ZA35 ZB50 5E346 CC10 DD23 DD42 DD44 FF13 GG15 GG18 HH08

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板、該基板上に転写された複数の配線パ
   ターン層を備え、該配線パターン層は導電性層と該導電
   性層の下部に形成されポリイミドを含有した絶縁樹脂層
   とを有する多層プリント配線板であって、 前記ポリイミドが、テトラカルボン酸ジ無水物とジアミ
   ンの反応生成物である溶剤可溶性低弾性率ポリイミドで
   あって、シロキサンを１０〜７０重量％含有し、かつ酸
   価が１０〜１５０ｍｍｏｌＫＯＨ／１００ｇ ｒｅｓｉ
   ｎである、ことを特徴とする、多層プリント配線板。
2. 【請求項２】前記配線パターン層が相互に交差する部位
   および／または近接する部位を有し、該交差部では上下
   の配線パターン層間の絶縁は上層の配線パターン層を構
   成する絶縁樹脂層により保たれている、請求項１に記載
   の多層プリント配線板。
3. 【請求項３】前記交差部および／または前記近接部の必
   要箇所において配線パターン層を構成する導電性層相互
   間に跨がるように接合部を有する、請求項２に記載の多
   層プリント配線板。
4. 【請求項４】前記ポリイミドの弾性率が、０〜３５０℃
   の温度範囲において、１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²以下である、
   請求項１に記載の多層プリント配線板。
5. 【請求項５】前記ポリイミドの熱膨張係数が、０〜３５
   ０℃の温度範囲において５００×１０^-6／Ｋ以下であ
   る、請求項１に記載の多層プリント配線板。
6. 【請求項６】前記ポリイミドの熱分解温度が、２５０℃
   以上である、請求項１に記載の多層プリント配線板。
7. 【請求項７】前記ポリイミドの重量平均分子量が１０，
   ０００〜１００，０００である、請求項１に記載の多層
   プリント配線板。
8. 【請求項８】前記ポリイミドが、下記一般式（１） 【化１】 （式中Ａ₁は式、 【化２】 から選ばれる基であり、 Ｂ₁は式、 【化３】 から選ばれる基である）によって表される構造単位から
   なる共重合体である、請求項１に記載の多層プリント配
   線板。
9. 【請求項９】前記ポリイミドが、下記一般式（２） 【化４】 （式中、Ａ₂およびＡ₃は独立して、 【化５】 から選ばれる構造単位であり、 Ｂ₂は、 【化６】 から選ばれる構造単位であり、Ｂ₃は、 【化７】 から選ばれる構造単位である）によって表されるブロッ
   ク共重合体である、請求項１に記載の多層プリント配線
   板。
10. 【請求項１０】前記ポリイミドが、下記一般式（３） 【化８】 （式中、Ａ₄は、 【化９】 から選ばれる構造単位であり、 Ａ₅は、 【化１０】 から選ばれる構造単位であり、 Ｂ₄は、 【化１１】 から選ばれる構造単位であり、 Ｂ₅は、 【化１２】 から選ばれる構造単位である）で表される構造単位から
    なるブロック共重合体である、請求項１に記載の多層プ
    リント配線板。
11. 【請求項１１】少なくとも表面が導電性の転写基板上に
    絶縁材料からなるパターンを形成し、前記パターンの形
    成されていない前記転写基板上の配線パターン部分にメ
    ッキ法により導電性層を剥離可能に形成し、該導電性層
    上にポリイミドを含有する絶縁樹脂層を形成して導電性
    層と絶縁樹脂層からなる配線パターン層を備えた配線パ
    ターン層転写版を複数作製し、次に、多層プリント配線
    板用の基板の一方の面に前記配線パターン層転写版を圧
    着し、前記転写基板を剥離することにより前記配線パタ
    ーン層を前記基板上に転写する操作を順次繰り返し、前
    記基板上に複数の配線パターン層を形成する、多層プリ
    ント配線板の製造方法であって、 前記ポリイミドが、テトラカルボン酸ジ無水物とジアミ
    ンの反応生成物である溶剤可溶性低弾性率ポリイミドで
    あって、シロキサンを１０〜７０重量％含有し、かつ酸
    価が１０〜１５０ｍｍｏｌＫＯＨ／１００ｇ ｒｅｓｉ
    ｎである、ことを特徴とする、多層プリント配線板の製
    造方法。
12. 【請求項１２】前記ポリイミドを含有する前記絶縁樹脂
    層を電着法により導電性層上に形成する、請求項１１に
    記載の多層プリント配線板の製造方法。
13. 【請求項１３】前記配線パターン層が、相互に交差する
    部位および／または近接する部位の必要箇所において、
    各配線パターン層を構成する導電性層相互間に跨がるよ
    うに接合部を形成することにより配線パターン層相互間
    を接続することを特徴とする請求項１１または請求項１
    ２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
14. 【請求項１４】前記ポリイミドの弾性率が、０〜３５０
    ℃の温度範囲において、１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²以下であ
    る、請求項１１に記載の多層プリント配線板の製造方
    法。
15. 【請求項１５】前記ポリイミドの熱膨張係数が、０〜３
    ５０℃の温度範囲において５００×１０^-6／Ｋ以下であ
    る、請求項１１に記載の多層プリント配線板の製造方
    法。
16. 【請求項１６】前記ポリイミドの熱分解温度が、２５０
    ℃以上である、請求項１１に記載の多層プリント配線板
    の製造方法。
17. 【請求項１７】前記ポリイミドの重量平均分子量が、１
    ０，０００〜１００，０００である、請求項１１に記載
    の多層プリント配線板の製造方法。
18. 【請求項１８】前記ポリイミドが、下記一般式（１） 【化１３】 （式中Ａ₁は式、 【化１４】 から選ばれる基であり、 Ｂ₁は式、 【化１５】 から選ばれる基である）によって表される構造単位から
    なる共重合体である、請求項１１に記載の多層プリント
    配線板の製造方法。
19. 【請求項１９】前記ポリイミドが、下記一般式（２） 【化１６】 （式中、Ａ₂およびＡ₃は独立して、 【化１７】 から選ばれる構造単位であり、 Ｂ₂は、 【化１８】 から選ばれる構造単位であり、 Ｂ₃は、 【化１９】 から選ばれる構造単位である）によって表されるブロッ
    ク共重合体である、請求項１１に記載の多層プリント配
    線板の製造方法。
20. 【請求項２０】前記ポリイミドが、下記一般式（３） 【化２０】 （式中、Ａ₄は、 【化２１】 から選ばれる構造単位であり、 Ａ₅は、 【化２２】 から選ばれる構造単位であり、 Ｂ₄は、 【化２３】 から選ばれる構造単位であり、 Ｂ₅は、 【化２４】 から選ばれる構造単位である）で表される構造単位から
    なるブロック共重合体である、請求項１１に記載の多層
    プリント配線板の製造方法。