JP2000100495A - アダプタ装置、その製造方法、回路基板検査装置および回路基板の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被検査部が微細で高密度に形成された検査対
象回路基板に対しても良好な電気的接続が可能なアダプ
タ装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 アダプタ装置１００は、アダプタ本体１
０と、該アダプタ本体１０に一体的に設けられた異方導
電性コネクタ３０とを有する。アダプタ本体１０は、絶
縁性基板１２と、絶縁性基板１２の一方の面上に所定パ
ターンで形成された端子電極１４と、絶縁性基板１２の
他方の面上において少なくとも検査対象回路基板の被検
査部に対応する位置に形成され、端子電極１４と電気的
に接続され、かつ、強磁性および導電性を有するコネク
タ電極１６と、を有する。異方導電性コネクタ３０は、
アダプタ本体１０のコネクタ電極１６が形成された側の
面上に形成された絶縁性の弾性体層３２と、弾性体層３
２に形成され、コネクタ電極１６と連続する空間領域３
４と、空間領域３４内に充填された導電部４０と、を有
する。導電部４０は、弾性高分子物質中に導電性磁性体
粒子が含まれ、かつ、導電性磁性体粒子は弾性体層３４
の厚さ方向に配向している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、異方導電性コネク
タを有するアダプタ装置およびその製造方法、ならびに
前記アダプタ装置を有する回路基板検査装置および前記
アダプタ装置を用いた回路基板の検査方法に関する。

【０００２】

【背景技術】プリント基板などの回路基板の電気的検査
においては、検査対象である回路基板の一方の面に形成
された被検査電極と、電気的検査装置との間にアダプタ
装置を介在させて、検査対象回路基板の被検査電極と検
査装置との電気的接続を行う技術が知られている。この
種のアダプタ装置は、例えば特開平８−３２７７０４号
公報に開示され、ピッチ変換機能を有するアダプタ本体
と、該アダプタ本体に一体的に設けられた異方導電性コ
ネクタとを有する。そして、アダプタ本体は、絶縁性基
板の一方の面上に所定パターンで形成された端子電極を
有し、絶縁性基板の他方の面上には、検査対象回路基板
の被検査電極に対応する位置にコネクタ電極が設けられ
ている。また、異方導電性コネクタは、絶縁性の弾性体
層に、アダプタ本体のコネクタ電極と電気的に接続され
る導電部が形成されている。

【０００３】異方導電性コネクタを構成するエラストマ
ーシートは、例えば、次のようにして製造される。

【０００４】すなわち、図１０に示すように、例えば検
査対象である回路基板の被検査電極と同一のパターンに
従って強磁性体部分８１が配置されると共に、該強磁性
体部分８１以外の部分に非磁性体部分８２が配置されて
なる一方の型（以下、「上型」という。）８０と、検査
対象である回路基板の被検査電極と対掌のパターンに従
って強磁性体部分８６が配置されると共に、該強磁性体
部分８６以外の部分に非磁性体部分８７が配置されてな
る他方の型（以下、「下型」という。）８５とを用い
る。そして、上型８０と下型８５との間に、硬化されて
弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に導電性磁
性体粒子が分散されてなる異方導電性エラストマー形成
材料層９０Ａを形成する。

【０００５】次いで、図１１に示すように、上型８０の
上面および下型８５の下面に一対の電磁石８３，８８を
配置して該電磁石８３，８８を作動させることにより、
上型８０の強磁性体部分８１からこれに対応する下型８
５の強磁性体部分８６に向かう方向に平行磁場を作用さ
せる。その結果、異方導電性エラストマー形成材料層９
０Ａにおいては、該異方導電性エラストマー形成材料層
９０Ａ中に分散されていた導電性磁性体粒子が、上型８
０の強磁性体部分８１と下型８５の強磁性体部分８６と
の間に位置する部分に集合し、更に厚さ方向に並ぶよう
配向する。 そして、この状態で、異方導電性エラスト
マー形成材料層９０Ａに対して例えば加熱による硬化処
理を行うことにより、図１２に示すように、厚さ方向に
伸びる多数の導電路形成部９１と、これらを相互に絶縁
する絶縁部９２とが形成されてなる偏在型異方導電性エ
ラストマーシート９０が製造される。

【０００６】ところで、極めて小さい電極間隔（ピッ
チ）例えば１００μｍ以下のピッチで被検査電極が配置
された検査対象回路基板に対応する偏在型異方導電性エ
ラストマーシートを例えば３００μｍの厚さで製造する
場合には、当然のことながら強磁性体部分８１，８６が
極めて小さいピッチで配置された上型８０および下型８
５を用いることが必要である。

【０００７】しかし、このような上型８０および下型８
５を用い、上述のようにして例えば厚みが３００μｍの
偏在型異方導電性エラストマーシートを製造する場合に
は、図１３に示すように、上型８０および下型８５の各
々において、ある強磁性体部分８１ａ，８６ａとこれに
隣接する強磁性体部分８１ｂ，８６ｂとの離間距離が小
さく、しかも、上型８０および下型８５の間隔が大きい
ために、上型８０の強磁性体部分８１ａからこれに対応
する下型８５の強磁性体部分８６ａに向かう方向（矢印
Ｘで示す）のみならず、例えば上型８０の強磁性体部分
８１ａからこれに対応する下型８５の強磁性体部分８６
ａに隣接する強磁性体部分８６ｂに向かう方向（矢印Ｙ
で示す）にも磁場が作用することとなる。そのため、異
方導電性エラストマー形成材料層９０Ａにおいて、導電
性磁性体粒子を、上型８０の強磁性体部分８１ａとこれ
に対応する下型８５の強磁性体部分８６ａとの間に位置
する部分に集合させることが困難となる。そして、上型
８０の強磁性体部分８１ａと下型８５の強磁性体部分８
６ｂとの間に位置する部分にも導電性磁性体粒子が集合
してしまい、その結果、所期の偏在型異方導電性エラス
トマーシートが得られない。

【０００８】また、上述の製造方法によれば、上下一組
の金型が必要であり、これがコストを上げる一因となっ
ていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、被検
査部が微細で高密度に形成された検査対象回路基板に対
しても良好な電気的接続が可能なアダプタ装置を提供す
ることにある。

【００１０】本発明の他の目的は、磁場配向時に磁場を
制御するための型を必要とせず、上述のアダプタ装置を
簡易な方法で製造することができる製造方法を提供する
ことにある。

【００１１】本発明のさらに他の目的は、本発明に係る
アダプタ装置を用いた回路基板検査装置ならびに回路基
板の検査方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係るアダプタ装
置は、アダプタ本体と、該アダプタ本体に一体的に設け
られた異方導電性コネクタとを含むアダプタ装置であっ
て、前記アダプタ本体は、絶縁性基板と、前記絶縁性基
板の面上に所定パターンで形成された端子電極と、前記
絶縁性基板の面上に形成され、前記端子電極と電気的に
接続され、かつ、強磁性および導電性を有するコネクタ
電極と、を含み、前記異方導電性コネクタは、前記アダ
プタ本体の前記コネクタ電極が形成された面に接触する
絶縁性の弾性体層と、前記弾性体層に形成され、前記コ
ネクタ電極と電気的に接続される導電部と、を含み、前
記導電部は、弾性高分子物質中に導電性磁性体粒子が含
まれ、かつ、該導電性磁性体粒子は前記弾性体層の厚さ
方向に配向している。

【００１３】このアダプタ装置によれば、アダプタ本体
の表面に異方導電性コネクタが一体的に形成されてお
り、しかもアダプタ本体のコネクタ電極上に異方導電性
コネクタの導電部が形成されていることから、アダプタ
本体と異方導電性コネクタとの電気的接続を確実に行う
ことができる。

【００１４】さらに、異方導電性コネクタの導電部は、
絶縁性の弾性体層に形成された空間領域内に導電部形成
材料を充填して形成されることが望ましい。このように
して空間領域内に形成された導電部は、空間領域の相互
の間隔を狭めることにより、極めて小さなピッチの導電
路を形成することができる。従って、検査対象回路基板
の被検査部（電極）のピッチが極めて小さいときにも、
この被検査部のピッチに対応させた導電部を形成するこ
とができる。そして、各導電部の相互は、絶縁性の弾性
体層によって電気的に確実に分離される。

【００１５】さらに、アダプタ本体のコネクタ電極を磁
性体によって形成することにより、導電性磁性体粒子を
磁場で配向させる場合に、コネクタ電極が磁極（磁石）
になるため、導電性磁性体粒子の配向をより確実に行う
ことができる。

【００１６】前記コネクタ電極は、検査対象回路基板の
電気的検査を行うために、少なくとも検査対象回路基板
の電極に対応する位置に形成されていることが望まし
い。また、前記導電部は、検査対象回路基板の被検査部
と電気的に接続が可能な状態で前記弾性体層の表面に露
出していることが望ましい。

【００１７】さらに、前記コネクタ電極は、その相互が
前記絶縁性基板の面上に形成された非磁性絶縁層によっ
て絶縁されることが望ましい。この構成によれば、コネ
クタ電極と非磁性絶縁層とから構成される層が、異方導
電性コネクタの形成において磁場配向の際の型として機
能し、より確実な磁場配向を可能とする。

【００１８】請求項１ないし５に記載のアダプタ装置
は、回路基板検査装置に好適に用いられる。このアダプ
タ装置は、検査対象回路基板と電気的検査装置との間に
介在されて、前記検査対象回路基板の被検査部と前記電
気的検査装置との電気的接続を行い、前記検査対象回路
基板の電気的検査を行うことができる。

【００１９】本発明に係る回路基板検査装置は、請求項
１ないし５に記載のアダプタ装置と、検査対象回路基板
と、電気的検査装置とを含み、前記アダプタ装置は前記
検査対象回路基板と前記電気的検査装置との間に介在さ
れる。

【００２０】本発明のアダプタ装置は、以下の工程
（ａ）および（ｂ）を含む製造方法によって得ることが
できる。

【００２１】（ａ） 前記アダプタ本体を形成する工程
であって、 （ａ）−１； 絶縁性基板の面上に所定パターンで端子
電極を形成する工程、 （ａ）−２； 前記絶縁性基板の面上において、前記端
子電極と電気的に接続され、かつ、強磁性および導電性
を有するコネクタ電極を形成する工程、（ｂ） 前記異
方導電性コネクタを形成する工程であって、 （ｂ）−１； 前記アダプタ本体の前記コネクタ電極が
形成された側の面上に、絶縁性の弾性体層を形成する工
程、 （ｂ）−２； 前記弾性体層に前記コネクタ電極と連続
する空間領域を形成する工程、 （ｂ）−３； 硬化されて弾性高分子物質となる流動性
物質中に導電性磁性体粒子が分散された導電部形成用材
料を、前記空間領域中に充填する工程、および （ｂ）−４； 前記弾性体層の厚さ方向に磁場を形成す
ることにより、前記空間領域内に充填された導電部形成
用材料中の導電性磁性体粒子を前記厚さ方向に配向させ
る工程。

【００２２】本発明の製造方法によれば、弾性体層にあ
らかじめ空間領域を形成し、これに導電部形成用材料を
充填するため、磁場配向によって導電性磁性体粒子を導
電部を形成するための所定領域に集める必要がなく、単
に磁場配向によって導電性磁性体粒子の配向が達成でき
ればよい。したがって、磁力線を集中させるための型を
要せず、この点で製造装置のコストを大幅に低減でき
る。さらに、磁力線を集中させるための型を要しないこ
とにより、この型の精度から規定される導電部のピッチ
の制約がないので、高密度で微細なパターンの導電部を
形成することができる。なお、前記工程（ａ）−１およ
び（ａ）−２の順序は、特に限定されない。

【００２３】さらに、前記工程（ｂ）−３において、導
電部形成用材料を磁力によって前記空間領域中に充填す
ることが望ましい。磁力により導電部形成用材料を空間
領域内に引き込むことにより、アスペクト比の大きい空
間領域内への導電部形成用材料の充填が可能であり、こ
の点からも高密度で微細なパターンの導電部を形成する
ことができる。

【００２４】前記工程（ｂ）−３は、減圧状態で行われ
ることが望ましい。この工程を減圧状態で行うことによ
り、空間領域への導電部形成用材料の充填がより確実に
行われる。

【００２５】前記工程（ｂ）−２において、前記空間領
域はレーザー加工あるいはフォトリソグラフィー加工に
よって形成されることが望ましく、工程数が少ない点で
レーザ加工がより望ましい。

【００２６】前記工程（ａ）−２において、さらに、前
記コネクタ電極の相互を絶縁する非磁性絶縁層を形成す
る工程が含まれることが望ましい。非磁性絶縁層を形成
することの利点は既に述べたので、記載を省略する。

【００２７】本発明に係るアダプタ装置は、以下の工程
（Ａ）ないし（Ｆ）を含む製造方法によって得られる。

【００２８】（Ａ）絶縁性基板の面上に所定パターンで
端子電極を形成する工程、（Ｂ）前記絶縁性基板の前記
端子電極が形成されていない側の面上に、絶縁性の弾性
体層を形成する工程、（Ｃ）前記弾性体層に前記絶縁性
基板の面と連続する空間領域を形成する工程、（Ｄ）前
記絶縁性基板の前記空間領域での露出面上において、前
記端子電極と電気的に接続され、かつ、強磁性および導
電性を有するコネクタ電極を形成する工程、（Ｅ）硬化
されて弾性高分子物質となる流動性物質中に導電性磁性
体粒子が分散された導電部形成用材料を、前記空間領域
中に充填する工程、および（Ｆ）前記弾性体層の厚さ方
向に磁場を形成することにより、前記空間領域内に充填
された導電部形成用材料中の導電性磁性体粒子を前記厚
さ方向に配向させる工程。

【００２９】この製造方法においても、上述の製造方法
と同様の作用効果を達成することができる。

【００３０】本発明に係るアダプタ装置は、例えば、フ
リップチップ等のベアチップＬＳＩ，ＢＧＡ等のパッケ
ージＬＳＩ，ＭＣＭ等の複数の半導体素子が搭載された
モジュール基板、回路基板などの被検査体の電気的検査
に好ましく使用される。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００３２】［第１の実施の形態］ （アダプタ装置の構造）図１は、本発明の第１の実施の
形態に係るアダプタ装置の一例を模式的に示す断面図で
ある。

【００３３】このアダプタ装置１００は、アダプタ本体
１０と、このアダプタ本体１０に一体的に設けられた異
方導電性コネクタ３０とを有する。

【００３４】アダプタ本体１０は、絶縁性基板１２の一
方の面上に、所定パターンでマトリックス状に形成され
た複数の端子電極１４を有し、絶縁性基板１２の他方の
面上には複数のコネクタ電極１６が形成されている。コ
ネクタ電極１６は、少なくとも検査対象回路基板の被検
査部（図示せず）に対応する位置に形成され、かつ、強
磁性および導電性を有する材料から構成されている。そ
して、コネクタ電極１６と端子電極１４とは、配線部２
０によって電気的に接続されている。

【００３５】この例では、配線部２０は、絶縁性基板１
２の一方の面上においてパターニングされた第１配線部
２２と、他方の面上においてパターニングされた第２配
線部２４と、第１配線部２２と第２配線部２４とを接続
する、絶縁性基板１２の厚さ方向の第３配線部２６とか
ら構成されている。

【００３６】また、コネクタ電極１６は、その相互間が
絶縁性基板１２上に形成された非磁性絶縁層１８によっ
て絶縁されている。つまり、コネクタ電極１６は、非磁
性絶縁層１８に、所定のパターンで露出するように形成
されている。このコネクタ電極１６と非磁性絶縁層１８
とから構成される層１９は、後に詳述するように、異方
導電性コネクタ３０の形成において磁場配向の際の型と
して機能する。以下、この層１９を「型層」という。コ
ネクタ電極１６は、これを磁極として機能させるために
は、その厚さが所定の値以上であることが望ましい。コ
ネクタ電極１６の厚さはその材質によって必要な値が異
なるが、例えばニッケルの場合、好ましくは１０μｍ以
上、より好ましくは５０μｍ以上である。非磁性絶縁層
１８を設けることにより、このように厚みのあるコネク
タ電極１６を保護することができる。

【００３７】異方導電性コネクタ３０は、アダプタ本体
１０の型層１９の表面に形成された弾性体層３２と、こ
の弾性体層３２に形成された導電部４０とを有する。こ
の導電部４０は、弾性体層３２に形成された、アダプタ
本体１０のコネクタ電極１６と連続する空間領域３４内
に充填されている。そして、導電部４０は、弾性高分子
層４２と、この弾性高分子層４２内に分散された導電性
磁性体粒子４４とを有する。導電性磁性体粒子４４は、
弾性体層３２の厚さ方向に配向する状態で充填されてい
る。これらの導電性磁性体粒子４４により、弾性体層３
２の厚さ方向に導電路が形成される。

【００３８】この導電部４０は、弾性体層３２の厚さ方
向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電
路が形成される、加圧導電素子とすることもできる。

【００３９】このような構成を有するアダプタ装置１０
０によれば、アダプタ本体１０の表面に異方導電性コネ
クタ３０が一体的に形成されており、しかもアダプタ本
体１０のコネクタ電極１６上に異方導電性コネクタ３０
の導電部４０が形成されていることから、アダプタ本体
１０と異方導電性コネクタ３０との電気的接続を確実に
行うことができる。

【００４０】また、アダプタ本体１０の絶縁性基板１２
の材料として熱膨張係数が小さく寸法安定性の優れた材
料、例えば後に例示する硬質の樹脂、好ましくはポリイ
ミド樹脂などの熱硬化性樹脂を用いると、異方導電性コ
ネクタ３０の熱膨張係数を小さく抑えることができる。
その結果、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対
して影響を受けにくくなり、良好な電気的接続を安定に
維持することができ、高い接続信頼性を得ることができ
る。

【００４１】さらに、異方導電性コネクタ３０の導電部
４０は、絶縁性の弾性体層３２に形成された空間領域３
４内に形成されることから、空間領域３４の相互の間隔
を狭めることにより、極めて小さなピッチの導電路を形
成することができる。従って、検査対象回路基板の被検
査部（電極）のピッチが極めて小さいときにも、この被
検査部のピッチに対応させた導電部４０を形成すること
ができる。そして、各導電部４０の相互は、絶縁性の弾
性体層３２によって電気的に確実に分離される。

【００４２】さらに、アダプタ本体１０のコネクタ電極
１６を磁性体によって形成することにより、後に詳述す
るように、導電性磁性体粒子４４を磁場で配向させる場
合に、コネクタ電極１６が磁極（磁石）になるため、導
電性磁性体粒子４４の配向をより確実に行うことができ
る。

【００４３】（各部材の材料）アダプタ本体１０を構成
する絶縁性基板１２の材料としては、例えばポリイミド
樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、例えばポリエ
チレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレー
ト樹脂などのポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリブタ
ジエン樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレン
サルファイド、ポリアミド、ポリオキシメチレン等の熱
可塑性樹脂などが用いられる。

【００４４】これらの中では、さらに耐熱性、寸法安定
性の点で熱硬化性樹脂が好ましく、特にポリイミド樹脂
が好ましい。

【００４５】異方導電性コネクタ３０を構成する弾性体
層３２は、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質
形成材料を用いて形成される。

【００４６】この高分子物質形成材料としては、種々の
ものを用いることができ、その具体例としては、ポリブ
タジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレ
ン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれ
らの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロッ
ク共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合
体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加
物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴ
ム、エピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレ
ン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−
ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。

【００４７】以上において、得られるアダプタ装置に耐
候性が要求される場合には、共役ジエン系ゴム以外のも
のを用いることが好ましく、特に、成形加工性および電
気特性の観点から、シリコーンゴムを用いることが好ま
しい。

【００４８】シリコーンゴムとしては、液状シリコーン
ゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコ
ーンゴムは、その粘度が歪速度１０^-1ｓｅｃで１０⁵ポ
アズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のも
の、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのい
ずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン
生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニ
ルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。

【００４９】これらの中で、ビニル基を含有する液状シ
リコーンゴム（ビニル基含有ポリジメチルシロキサン）
は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジア
ルコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたは
ジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加
水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の
繰り返しによる分別を行うことにより得られる。

【００５０】また、ビニル基を両末端に含有する液状シ
リコーンゴムは、オクタメチルシクロテトラシロキサン
のような環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオ
ン重合し、重合停止剤として例えばジメチルジビニルシ
ロキサンを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロ
キサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択すること
により得られる。ここで、アニオン重合の触媒として
は、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−
ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラ
ノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例
えば８０〜１３０℃である。

【００５１】このようなビニル基含有ポリジメチルシロ
キサンは、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量
平均分子量をいう。以下同じ。）が１０，０００〜４
０，０００のものであることが好ましい。また、得られ
る導電部の耐熱性の観点から、分子量分布指数（標準ポ
リスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン
換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。以
下同じ。）が２以下のものが好ましい。

【００５２】一方、ヒドロキシル基を含有する液状シリ
コーンゴム（ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサ
ン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチル
ジアルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランま
たはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下におい
て、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−
沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。

【００５３】また、環状シロキサンを触媒の存在下にお
いてアニオン重合し、重合停止剤として、例えばジメチ
ルヒドロクロロシラン、メチルジヒドロクロロシランま
たはジメチルヒドロアルコキシシランなどを用い、その
他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合
停止剤の量）を適宜選択することによっても得られる。
ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメ
チルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウム
などのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを
用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃
である。

【００５４】このようなヒドロキシル基含有ポリジメチ
ルシロキサンは、その分子量Ｍｗが１０，０００〜４
０，０００のものであることが好ましい。また、得られ
る導電路素子の耐熱性の観点から、分子量分布指数が２
以下のものが好ましい。

【００５５】本発明においては、上記のビニル基含有ポ
リジメチルシロキサンおよびヒドロキシル基含有ポリジ
メチルシロキサンのいずれか一方を用いることもでき、
両者を併用することもできる。

【００５６】高分子物質形成材料には、これを硬化させ
るための硬化触媒を含有させることができる。このよう
な硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪酸アゾ化合
物、ヒドロシリル化触媒などを用いることができる。

【００５７】硬化触媒として用いられる有機過酸化物の
具体例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシク
ロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリー
ブチルなどが挙げられる。

【００５８】硬化触媒として用いられる脂肪酸アゾ化合
物の具体例としては、アゾビスイソブチロニトリルなど
が挙げられる。

【００５９】ヒドロシリル化反応の触媒として使用し得
るものの具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白
金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシ
ロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，３−ジ
ビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、
トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと白金と
のコンプレックス、アセチルアセテート白金キレート、
環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知のもの
が挙げられる。

【００６０】硬化触媒の使用量は、高分子物質形成材料
の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮
して適宜選択されるが、通常、高分子物質形成材料１０
０重量部に対して３〜１５重量部である。

【００６１】また、異方導電性コネクタ３０の空間領域
３４内に充填された導電部４０は、硬化されて弾性高分
子物質となる高分子物質形成材料中に導電性磁性体粒子
が分散された導電部形成用材料が硬化処理されて形成さ
れる。高分子物質形成材料としては、上述した弾性体層
３２を形成するための高分子物質形成材料と同様のもの
を例示することができ、両者の材料は同質であることが
望ましい。

【００６２】導電部形成用材料に用いられる導電性磁性
体粒子の具体例としては、鉄、コバルト、ニッケルなど
の磁性を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子ま
たはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子
を芯粒子とし、該芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、
ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したも
の、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなど
の無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、該芯
粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性体
のメッキを施したもの、あるいは芯粒子に、導電性磁性
体および導電性の良好な金属の両方を被覆したものなど
が挙げられる。

【００６３】これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子と
し、その表面に金や銀などの導電性の良好な金属のメッ
キを施したものを用いることが好ましく、特に、金およ
び銀の両方が被覆されているものが好ましい。

【００６４】芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段
としては、特に限定されるものではないが、例えば化学
メッキまたは無電解メッキにより行うことができる。

【００６５】導電性磁性体粒子として、芯粒子の表面に
導電性金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良
好な導電性が得られる観点から、粒子表面における導電
性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の
被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、
さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９
５％である。

【００６６】また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の
２．５〜５０重量％であることが好ましく、より好まし
くは３〜３０重量％、さらに好ましくは３．５〜２５重
量％、特に好ましくは４〜２０重量％である。被覆され
る導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒
子の３〜３０重量％であることが好ましく、より好まし
くは３．５〜１５重量％、さらに好ましくは３〜２０重
量％、特に好ましくは４．５〜１０重量％である。ま
た、被覆される導電性金属が銀である場合には、その被
覆量は、芯粒子の３〜３０重量％であることが好まし
く、より好ましくは４〜２５重量％、さらに好ましくは
５〜２３重量％、特に好ましくは６〜２０重量％であ
る。更に、被覆される導電性金属として金と銀の両方を
用いる場合には、金の被覆量は、芯粒子の０．１〜５重
量％であることが好ましく、より好ましくは０．２〜４
重量％、さらに好ましくは０．５〜３重量％であり、銀
の被覆量は、芯粒子の３〜３０重量％であることが好ま
しく、より好ましくは４〜２５重量％、さらに好ましく
は５〜２０重量％である。

【００６７】また、導電性磁性体粒子の粒子径は、１〜
１０００μｍであることが好ましく、より好ましくは２
〜５００μｍ、さらに好ましくは５〜３００μｍ、特に
好ましくは１０〜２００μｍである。

【００６８】また、導電性磁性体粒子の粒子径分布（Ｄ
ｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好
ましくは１．０１〜７、さらに好ましくは１．０５〜
５、特に好ましくは１．１〜４である。

【００６９】このような条件を満足する導電部形成用材
料を用いることにより、得られる導電部４０は、加圧変
形が容易なものとなり、また、該導電部４０において導
電性磁性体粒子間に十分な電気的接触が得られる。

【００７０】また、導電性磁性体粒子の形状は、特に限
定されるものではないが、高分子物質用材料中に容易に
分散させることができる点で、球状のもの、星形状のも
のあるいはこれらが凝集した２次粒子による塊状のもの
であることが好ましい。

【００７１】また、導電性磁性体粒子の含水率は、５％
以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下、
さらに好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下で
ある。このような条件を満足する導電性磁性体粒子を用
いることにより、後述する製造方法において、導電部形
成用材料層を硬化処理する際に、該導電部形成用材料層
内に気泡が生ずることが防止または抑制される。

【００７２】また、導電性磁性体粒子の表面がシランカ
ップリング剤などのカップリング剤で処理されたものを
適宜用いることができる。導電性磁性体粒子の表面がカ
ップリング剤で処理されることにより、該導電性磁性体
粒子と弾性高分子物質との接着性が高くなり、その結
果、得られる導電部４０は、繰り返しの使用における耐
久性が高いものとなる。

【００７３】カップリング剤の使用量は、導電性磁性体
粒子の導電性に影響を与えない範囲で適宜選択される
が、導電性磁性体粒子表面におけるカップリング剤の被
覆率（導電性芯粒子の表面積に対するカップリング剤の
被覆面積の割合）が５％以上となる量であることが好ま
しく、より好ましくは上記被覆率が７〜１００％、さら
に好ましくは１０〜１００％、特に好ましくは２０〜１
００％となる量である。

【００７４】このような導電性磁性体粒子は、高分子物
質用材料に対して体積分率で３０〜６０％、好ましくは
３５〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。
この割合が３０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の
小さい導電部が得られないことがある。一方、この割合
が６０％を超える場合には、得られる導電部は脆弱なも
のとなりやすく、導電部として必要な弾性が得られない
ことがある。

【００７５】導電部形成用材料中には、必要に応じて、
通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリ
カ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができ
る。このような無機充填材を含有させることにより、該
導電部形成用材料のチクソトロピー性が確保され、その
粘度が高くなり、しかも、導電性磁性体粒子の分散安定
性が向上すると共に、硬化処理されて得られる導電部の
強度が高くなる。

【００７６】このような無機充填材の使用量は、特に限
定されるものではないが、あまり多量に使用すると、後
述する製造方法において、磁場による導電性磁性体粒子
の配向を十分に達成することができなくなる。

【００７７】また、導電部形成用材料の粘度は、温度２
５℃において１００，０００〜１０００，０００ｃｐの
範囲内であることが好ましい。

【００７８】そして、以上のような導電部形成用材料が
硬化処理されることにより、導電部４０が形成される。

【００７９】（アダプタ装置の製造方法）つぎに、本発
明のアダプタ装置の製造方法について、図２から図８を
参照しながら説明する。

【００８０】（ａ）アダプタ本体１０の形成 まず、図２に示すように、アダプタ本体１０を形成す
る。この工程では、少なくとも、絶縁性基板１２の一方
の面上に所定のパターンで端子電極１４を形成する工程
（（ａ）−１）、および、絶縁性基板１２の他方の面上
において、少なくとも検査対象回路基板の被検査部に対
応する位置に、端子電極１４と電気的に接続され、か
つ、強磁性および導電性を有するコネクタ電極１６を形
成する工程（（ａ）−２）、を含む。

【００８１】さらに、この工程においては、絶縁性基板
１２の他方の面上において、コネクタ電極１６の相互を
絶縁するための非磁性絶縁層１８が形成される。コネク
タ電極１６および非磁性絶縁層１８の製造方法は、特に
限定されないが、例えば、第１に、コネクタ電極１６を
公知のフォトリソグラフィーおよびエッチングによって
形成したのちに、コネクタ電極１６相互の空隙部に絶縁
性の材料、例えば樹脂を埋込み、これを硬化する方法、
第２に、コネクタ電極１６を形成した後に、レジスト材
料を用いてフォトリソグラフィーによって形成する方
法、第３に、コネクタ電極１６を形成した後にこれを覆
うように樹脂層を形成し、その後機械的研磨によってコ
ネクタ電極１６の上面が露出するまで樹脂層を研磨して
除去する方法、などを用いることができる。コネクタ電
極１６と、非磁性絶縁層１８とによって構成される型層
１９は、後の磁場配向において、磁場を制御する機能を
有する。

【００８２】そして、端子電極１４とコネクタ電極１６
とは、図示しない配線部によって電気的に接続される。
この配線部は、公知の方法によって形成することができ
る。例えば図１に示すような両面タイプのアダプタ本体
１０の場合には、絶縁性基板１２の両面にそれぞれパタ
ーニングされた第１および第２配線部を形成するととも
に、これらの第１および第２配線部の所定部分を絶縁性
基板１２の厚さ方向に接続する第３配線部（例えば、ス
ルーホールの内壁に形成された導電部）を形成する。こ
のような配線部は、端子電極とコネクタ電極とのパター
ンあるいはピッチなどの条件により種々の態様およびそ
れに対応した製造方法を取りうる。

【００８３】（ｂ）異方導電性コネクタ３０の形成 （ｂ）−１； 図３に示すように、アダプタ本体１０の
型層１９上に絶縁性の弾性体層３２を形成する。この工
程では、アダプタ本体１０の型層１９の表面に、硬化さ
れて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料を塗布
し、これを硬化することにより形成することができる。
あるいは、弾性体層３２は、弾性高分子材料を塗布，硬
化する代わりに、弾性高分子物質からなる絶縁性シート
を圧着，接着あるいは熱圧着等により型層１９の表面に
一体化させて形成してもよい。

【００８４】（ｂ）−２； ついで、図４に示すよう
に、弾性体層３２において、型層１９のコネクタ電極１
６に対応する位置に空間領域３４を形成する。

【００８５】空間領域３４は、その全体あるいは部分が
コネクタ電極１６と連続し、好ましくはコネクタ電極１
６上に位置するように形成される。空間領域３４を形成
する手段としては、レーザー加工による手段、ドリルに
よる機械的手段、フォトリソグラフィーおよびエッチン
グによるフォトリソグラフィー加工などを利用すること
ができ、特に簡易な方法で微細、高密度かつ高アスペク
トの空間領域を形成できるレーザ加工による手段が好ま
しい。

【００８６】（ｂ）−３； ついで、図５および図６に
示すように、硬化されて弾性高分子物質となる流動性物
質中に導電性磁性体粒子が分散されたペースト状の導電
部形成用材料３６を、上記工程で形成された空間領域３
４内に充填する。

【００８７】この導電部形成用材料３６を空間領域３４
に充填するには、まず図５に示すように、導電部形成用
材料３６を弾性体層３２上に塗布する。導電部形成用材
料を塗布する手段としては、ロール塗布、ブレード塗布
などの手段を用いることができる。

【００８８】次いで、塗布された導電部形成用材料３６
を磁力によって空間領域３４内に充填する。具体的に
は、図６に示すように、導電部形成用材料３６が塗布さ
れた弾性体層３２と反対側の、アダプタ本体１０を構成
する絶縁性基板１２の表面側に磁石５０を設置すること
により、この磁石５０の磁力により導電性磁性体粒子を
含む導電部形成用材料を空間領域３４内に引き込む。磁
石５０は、その磁力により導電部形成用材料を空間領域
内に導入できればよく、その形状や配置は特に限定され
ない。例えば、磁石５０は、図６に示すように、一方の
磁極面が絶縁性基板１２の面に対向する状態で設置され
てもよいし、あるいは磁極が線状の棒状磁石を絶縁性基
板に対して走査させてもよい。

【００８９】また、この工程においては、例えば１×１
０^-3ａｔｍ以下、好ましくは１×１０^-4〜１×１０^-5ａ
ｔｍに減圧された雰囲気下において、弾性体層３２の表
面に導電部形成用材料３６を塗布した後、雰囲気圧を上
昇させて例えば常圧にすることにより、空間領域３４内
により確実に導電部形成用材料を充填でき、さらに充填
された導電部形成用材料に気泡が生ずることを防止する
ことができる。

【００９０】この工程においては、磁力によって空間領
域３４内に導電性磁性体粒子を引き込むことにより、空
間領域３４内に確実に導電部形成用材料を充填すること
ができる。そして、磁力によって強制的に導電部形成用
材料を空間領域３４内に引き込むことにより、アスペク
ト比の大きな空間領域であっても導電部形成用材料の充
填を達成することができる。

【００９１】次いで、弾性体層３２の表面に残留した導
電部形成用材料をスキージ等により除去することができ
る。

【００９２】これらの工程によって、図７に示すよう
に、弾性体層３２に形成された空間領域３４内に導電部
形成用材料の充填部３８が形成される。

【００９３】（ｂ）−４； ついで、弾性体層３２の厚
さ方向に磁場を形成することにより、空間領域３４内に
充填された導電部形成用材料中の導電性磁性体粒子を前
記厚さ方向に配向させる。

【００９４】具体的には、図８に示すように、弾性体層
３２の表面に上型５４を設置する。この上型５４は、空
間領域３４に対応した位置に磁性体部５６が配置され、
磁性体部５６以外の部分に絶縁性の非磁性体部５８が配
置されている。この上型５４は、電磁石６２と一体的に
形成されていても、あるいは、別体に形成されていても
よい。

【００９５】そして、アダプタ本体１０，充填部３８を
有する弾性体層３２，および上型５４を一対の電磁石６
２および６４の間に配置する。そして、電磁石６２，６
４を作動させることにより、導電部形成用材料が充填さ
れた充填部３８の厚さ方向に平行磁場が作用し、特に、
下型として機能する型層１９および上型５４の磁性体部
１６および５６に磁力線が集中する。その結果、充填部
３８中に分散されていた導電性磁性体粒子が弾性体層３
２の厚さ方向に配向し、導電部４０を形成する。

【００９６】このとき、導電部形成用材料の充填部３８
に作用される平行磁場の強度は、平均で２００〜２０，
０００ガウスとなる大きさが好ましい。

【００９７】またこの工程において、前記導電性磁性体
粒子の磁場配向とともにあるいはそれに引き続いて、導
電部形成用材料の流動性物質を硬化させることにより弾
性高分子層を形成する。導電部形成用材料の硬化処理
は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、
加熱処理によって行われる。加熱により導電部形成用材
料の硬化処理を行う場合には、電磁石６２，６４にヒー
ターを設ければよい。具体的な加熱温度および加熱時間
は、導電部形成用材料を構成する高分子物質形成材料な
どの種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間などを
考慮して適宜選定される。

【００９８】なお、この例の工程では、上型５４を使用
したが、これを使用しなくともよい。

【００９９】本実施の形態の製造方法では、弾性体層３
２にあらかじめ空間領域３４を形成し、これに導電部形
成用材料を充填するため、磁場配向によって導電性磁性
体粒子を導電部を形成するための所定領域に集める必要
がなく、単に磁場配向によって導電性磁性体粒子の配向
が達成できればよい。したがって、磁力線を集中させる
ための型を要せず、この点で製造装置のコストを大幅に
低減できる。さらに、磁力線を集中させるための型を要
しないことは、この型の精度から規定される導電部のピ
ッチの制約がないので、高密度で微細なパターンの導電
部を形成することができる。

【０１００】そして、以上の工程が終了した後、積層体
を取り出すことにより、例えば図１に示す構成のアダプ
タ装置１００が製造される。

【０１０１】［第２の実施の形態］ （アダプタ装置の構造）図１４は、本発明の第２の実施
の形態に係るアダプタ装置３００の一例を模式的に示す
断面図である。

【０１０２】このアダプタ装置３００は、アダプタ本体
１０と、このアダプタ本体１０に一体的に設けられた異
方導電性コネクタ３０とを有する。この実施の形態に係
るアダプタ装置３００は、コネクタ電極の相互間に非磁
性絶縁層が形成されていない点で、第１の実施の形態と
異なる。第１の実施の形態に係る部材と実質的に同一の
機能を有する部材には同一の符号を付して説明する。

【０１０３】アダプタ本体１０は、絶縁性基板１２の一
方の面上に、所定パターンでマトリックス状に形成され
た複数の端子電極１４を有し、絶縁性基板１２の他方の
面上には複数のコネクタ電極１６が形成されている。コ
ネクタ電極１６は、少なくとも検査対象回路基板の被検
査部（図示せず）に対応する位置に形成され、かつ、強
磁性および導電性を有する材料から構成されている。そ
して、コネクタ電極１６と端子電極１４とは、配線部
（図示せず）によって電気的に接続されている。

【０１０４】この例でも、配線部は、第１の実施の形態
のアダプタ装置１００と同様の構成を採用できる。

【０１０５】異方導電性コネクタ３０は、アダプタ本体
１０の他方の表面側に形成された弾性体層３２と、この
弾性体層３２に形成された導電部４０とを有する。この
導電部４０は、弾性体層３２に形成された、アダプタ本
体１０のコネクタ電極１６と連続する空間領域３４内に
充填されている。そして、導電部４０は、弾性高分子層
４２と、この弾性高分子層４２内に分散された導電性磁
性体粒子４４とを有する。導電性磁性体粒子４４は、弾
性体層３２の厚さ方向に配向する状態で充填されてい
る。これらの導電性磁性体粒子４４により、弾性体層３
２の厚さ方向に導電路が形成される。

【０１０６】この導電部４０は、弾性体層３２の厚さ方
向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電
路が形成される、加圧導電素子とすることもできる。

【０１０７】このような構成を有するアダプタ装置３０
０によれば、アダプタ本体１０の表面に異方導電性コネ
クタ３０が一体的に形成されており、しかもアダプタ本
体１０のコネクタ電極１６上に異方導電性コネクタ３０
の導電部４０が形成されていることから、アダプタ本体
１０と異方導電性コネクタ３０との電気的接続を確実に
行うことができる。

【０１０８】さらに、異方導電性コネクタ３０の導電部
４０は、絶縁性の弾性体層３２に形成された空間領域３
４内に形成されることから、空間領域３４の相互の間隔
を狭めることにより、極めて小さなピッチの導電路を形
成することができる。従って、検査対象回路基板の被検
査部（電極）のピッチが極めて小さいときにも、この被
検査部のピッチに対応させた導電部４０を形成すること
ができる。そして、各導電部４０の相互は、絶縁性の弾
性体層３２によって電気的に確実に分離される。

【０１０９】さらに、アダプタ本体１０のコネクタ電極
１６を磁性体によって形成することにより、後に詳述す
るように、導電性磁性体粒子４４を磁場で配向させる場
合に、コネクタ電極１６が磁極（磁石）になるため、導
電性磁性体粒子４４の配向をより確実に行うことができ
る。

【０１１０】この実施の形態に係るアダプタ装置３００
の各部材を形成する材料としては、第１の実施の形態に
おいて例示したものと同様のものを用いることができ
る。

【０１１１】（アダプタ装置の製造方法）つぎに、アダ
プタ装置３００の製造方法について、図１５から図２０
を参照しながら説明する。

【０１１２】（Ａ）まず、図１５に示すように、アダプ
タ本体１０の一部を形成する。この工程では、少なくと
も、絶縁性基板１２の一方の面上に所定のパターンで端
子電極１４を形成する工程を含む。そして、絶縁性基板
１２には、後に形成されるコネクタ電極１６と端子電極
１４と電気的に接続するための、図示しない配線部が形
成されている。この配線部は、公知の方法によって形成
することができる。例えば図１４に示すような両面タイ
プのアダプタ本体１０の場合には、絶縁性基板１２の両
面にそれぞれパターニングされた第１および第２配線部
を形成するとともに、これらの第１および第２配線部の
所定部分を絶縁性基板１２の厚さ方向に接続する第３配
線部（例えば、スルーホールの内壁に形成された導電
部）を形成する。このような配線部は、端子電極とコネ
クタ電極とのパターンあるいはピッチなどの条件により
種々の態様およびそれに対応した製造方法を取りうる。

【０１１３】（Ｂ）ついで、図１５に示すように、アダ
プタ本体１０の絶縁性基板１２上に絶縁性の弾性体層３
２を形成する。この工程では、弾性体層３２は、絶縁性
基板１２の表面に、硬化されて弾性高分子物質となる高
分子物質形成材料を塗布し、これを硬化することにより
形成することができる。あるいは、弾性体層３２は、弾
性高分子材料を塗布，硬化する代わりに、弾性高分子物
質からなる絶縁性シートを圧着，接着あるいは熱圧着等
により絶縁性基板１２の表面に一体化させて形成しても
よい。

【０１１４】（Ｃ）ついで、図１５に示すように、弾性
体層３２において、次の工程で形成されるコネクタ電極
１６のための領域に対応する位置に空間領域３４を形成
する。

【０１１５】空間領域３４を形成する手段としては、レ
ーザー加工による手段、ドリルによる機械的手段、フォ
トリソグラフィーおよびエッチングによるフォトリソグ
ラフィー加工などを利用することができ、特に簡易な方
法で微細、高密度かつ高アスペクトの空間領域を形成で
きるレーザ加工による手段が好ましい。

【０１１６】（Ｄ）ついで、図１６に示すように、絶縁
性基板１２の空間領域３４の露出面上において、メッキ
などの手段により、強磁性および導電性を有するコネク
タ電極１６を形成する。

【０１１７】（Ｅ）ついで、図１７および図１８に示す
ように、硬化されて弾性高分子物質となる流動性物質中
に導電性磁性体粒子が分散されたペースト状の導電部形
成用材料３６を、上記工程で形成された空間領域３４内
に充填する。

【０１１８】この導電部形成用材料３６を空間領域３４
に充填するには、まず図１７に示すように、導電部形成
用材料３６を弾性体層３２上に塗布する。導電部形成用
材料を塗布する手段としては、ロール塗布、ブレード塗
布などの手段を用いることができる。

【０１１９】次いで、塗布された導電部形成用材料３６
を磁力によって空間領域３４内に充填する。具体的に
は、図１８に示すように、導電部形成用材料３６が塗布
された弾性体層３２と反対側の、アダプタ本体１０を構
成する絶縁性基板１２の表面側に磁石５０を設置するこ
とにより、この磁石５０の磁力により導電性磁性体粒子
を含む導電部形成用材料を空間領域３４内に引き込む。
磁石５０は、その磁力により導電部形成用材料を空間領
域内に導入できればよく、その形状や配置は特に限定さ
れない。例えば、磁石５０は、図１８に示すように、一
方の磁石面が絶縁性基板１２の面に対向する状態で設置
されてもよいし、あるいは磁極が線状の棒状磁石を絶縁
性基板に対して走査させてもよい。

【０１２０】また、この工程においては、第１の実施の
形態における工程（ｂ）−３と同様に、雰囲気の圧力を
設定することが望ましい。

【０１２１】この工程においては、磁力によって空間領
域３４内に導電性磁性体粒子を引き込むことにより、空
間領域３４内に確実に導電部形成用材料を充填すること
ができる。そして、磁力によって強制的に導電部形成用
材料を空間領域３４内に引き込むことにより、アスペク
ト比の大きな空間領域であっても導電部形成用材料の充
填を達成することができる。

【０１２２】次いで、弾性体層３２の表面に残留した導
電部形成用材料をスキージ等により除去することができ
る。

【０１２３】これらの工程によって、図１９に示すよう
に、弾性体層３２に形成された空間領域３４内に導電部
形成用材料の充填部３８が形成される。

【０１２４】（Ｆ）ついで、弾性体層３２の厚さ方向に
磁場を形成することにより、空間領域３４内に充填され
た導電部形成用材料中の導電性磁性体粒子を前記厚さ方
向に配向させる。

【０１２５】具体的には、図２０に示すように、弾性体
層３２の表面に上型５４を設置する。この上型５４は、
空間領域３４に対応した位置に磁性体部５６が配置さ
れ、磁性体部５６以外の部分に絶縁性の非磁性体部５８
が配置されている。この上型５４は、電磁石６２と一体
的に形成されていても、あるいは、別体に形成されてい
てもよい。

【０１２６】そして、アダプタ本体１０，充填部３８を
有する弾性体層３２，および上型５４を一対の電磁石６
２および６４の間に配置する。そして、電磁石６２，６
４を作動させることにより、導電部形成用材料が充填さ
れた充填部３８の厚さ方向に平行磁場が作用し、特に、
強磁性を有するコネクタ電極１６および磁性体部５６に
磁力線が集中する。その結果、充填部３８中に分散され
ていた導電性磁性体粒子が弾性体層３２の厚さ方向に配
向し、導電部４０を形成する。

【０１２７】このとき、導電部形成用材料の充填部３８
に作用される平行磁場の強度は、平均で２００〜２０，
０００ガウスとなる大きさが好ましい。

【０１２８】またこの工程において、前記導電性磁性体
粒子の磁場配向とともにあるいはそれに引き続いて、導
電部形成用材料の流動性物質を硬化させることにより弾
性高分子層を形成する。導電部形成用材料の硬化処理
は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、
加熱処理によって行われる。加熱により導電部形成用材
料の硬化処理を行う場合には、電磁石６２，６４にヒー
ターを設ければよい。具体的な加熱温度および加熱時間
は、導電部形成用材料を構成する高分子物質形成材料な
どの種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間などを
考慮して適宜選定される。

【０１２９】なお、この例の工程では、上型５４を使用
したが、これを使用しなくともよい。

【０１３０】本実施の形態の製造方法では、第１の実施
の形態と同様に、弾性体層３２にあらかじめ空間領域３
４を形成し、これに導電部形成用材料を充填するため、
磁場配向によって導電性磁性体粒子を導電部を形成する
ための所定領域に集める必要がなく、単に磁場配向によ
って導電性磁性体粒子の配向が達成できればよい。した
がって、磁力線を集中させるための型を用せず、この点
で製造装置のコストを大幅に低減できる。さらに、磁力
線を集中させるための型を要しないことは、この型の精
度から規定される導電部のピッチの制約がないので、高
密度で微細なパターンの導電部を形成することができ
る。

【０１３１】そして、以上の工程が終了した後、積層体
を取り出すことにより、例えば図１４に示す構成のアダ
プタ装置３００が製造される。

【０１３２】［アダプタ装置の変形例］以上、本発明の
実施の形態を説明したが、本発明においては、上記の実
施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能
である。

【０１３３】例えば、図９に示すアダプタ装置２００に
おいては、異方導電性コネクタ３０の導電部４０を弾性
体層３２の表面より突出した状態で形成している。ま
た、図示しないが、導電部を弾性体層の表面より窪まし
た状態で形成することもできる。また、アダプタ装置２
００のアダプタ本体１０は、絶縁性基板１２が多層構造
を有し、配線部７０は、絶縁性基板１２の面方向に延び
る配線部分を有していてもよい。このような配線部７０
は公知の方法によって形成することができる。なお、図
９において、図１に示す部材と実質的に同様の機能を有
する部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。

【０１３４】［回路基板の検査方法および回路基板検査
装置］図２１は、本発明に係るアダプタ装置３０００を
用いた回路基板の検査方法を示す図である。本発明に係
るアダプタ装置３０００は、検査対象回路基板１０００
と電気的検査装置２０００との間に介在される。そし
て、検査対象回路基板１０００の被検査部１１００とア
ダプタ装置３０００の導電部４０とが電気的に接続さ
れ、電気的検査装置２０００の電極２１００とアダプタ
装置３０００の端子電極１４とが電気的に接続されるこ
とにより、検査対象回路基板１０００の被検査部１１０
０の導通状態を検査することができる。

【０１３５】また、本発明に係るアダプタ装置３０００
と、検査対象回路基板１０００と、電気的検査装置２０
００とは、一体的に形成されていてもよい。

【０１３６】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係るアダプタ装置を模
式的に示す断面図である。

【図２】図１に示すアダプタ装置の製造方法の一工程を
模式的に示す断面図である。

【図３】図１に示すアダプタ装置の製造方法の一工程を
模式的に示す断面図である。

【図４】図１に示すアダプタ装置の製造方法の一工程を
模式的に示す断面図である。

【図５】図１に示すアダプタ装置の製造方法の一工程を
模式的に示す断面図である。

【図６】図１に示すアダプタ装置の製造方法の一工程を
模式的に示す断面図である。

【図７】図１に示すアダプタ装置の製造方法の一工程を
模式的に示す断面図である。

【図８】図１に示すアダプタ装置の製造方法の一工程を
模式的に示す断面図である。

【図９】本発明のアダプタ装置の変形例を模式的に示す
断面図である。

【図１０】従来の異方導電性エラストマーシートを製造
するために用いられる一方の型と他方の型との間に、異
方導電性エラストマー形成材料層が形成された状態を模
式的に示す断面図である。

【図１１】異方導電性エラストマー形成材料層に平行磁
場を作用させた状態を模式的に示す断面図である。

【図１２】従来の異方導電性エラストマーシートの一例
における構成を模式的に示す断面図である。

【図１３】従来の異方導電性エラストマーシートの形成
材料層に作用される磁場の方向を示す断面図である。

【図１４】本発明の第２の実施の形態に係るアダプタ装
置を模式的に示す断面図である。

【図１５】図１４に示すアダプタ装置の製造方法の一工
程を模式的に示す断面図である。

【図１６】図１４に示すアダプタ装置の製造方法の一工
程を模式的に示す断面図である。

【図１７】図１４に示すアダプタ装置の製造方法の一工
程を模式的に示す断面図である。

【図１８】図１４に示すアダプタ装置の製造方法の一工
程を模式的に示す断面図である。

【図１９】図１４に示すアダプタ装置の製造方法の一工
程を模式的に示す断面図である。

【図２０】図１４に示すアダプタ装置の製造方法の一工
程を模式的に示す断面図である。

【図２１】本発明のアダプタ装置を用いた回路基板の検
査方法を示す図である。

【符号の説明】

１０ アダプタ本体 １２ 絶縁性基板 １４ 端子電極 １６ コネクタ電極 １８ 非磁性絶縁層 ２０ 配線部 ２２ 第１配線部 ２４ 第２配線部 ２６ 第３配線部 ３０ 異方導電性コネクタ ３２ 弾性体層 ３６ 空間領域 ３８ 充填部 ４０ 導電部 ４２ 弾性高分子層 ４４ 導電性磁性体粒子 ５０ 磁石 ５４ 上型 ５６ 磁性体部 ５８ 非磁性体部 ６２，６４ 電磁石 ７０ 配線部 １００，２００，３００，３０００ アダプタ装置 １０００ 検査対象回路基板 ２０００ 電気的検査装置

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アダプタ本体と、該アダプタ本体に一体
   的に設けられた異方導電性コネクタとを含むアダプタ装
   置であって、 前記アダプタ本体は、 絶縁性基板と、 前記絶縁性基板の面上に所定パターンで形成された端子
   電極と、 前記絶縁性基板の面上に形成され、前記端子電極と電気
   的に接続され、かつ、強磁性および導電性を有するコネ
   クタ電極と、を含み、 前記異方導電性コネクタは、 前記アダプタ本体の前記コネクタ電極が形成された面に
   接触する絶縁性の弾性体層と、 前記弾性体層に形成され、前記コネクタ電極と電気的に
   接続される導電部と、を含み、 前記導電部は、弾性高分子物質中に導電性磁性体粒子が
   含まれ、かつ、該導電性磁性体粒子は前記弾性体層の厚
   さ方向に配向している、アダプタ装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記導電部は、前記弾性体層に形成された空間領域内に
   充填された、アダプタ装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、 前記コネクタ電極は、少なくとも検査対象回路基板の電
   極に対応する位置に形成されている、アダプタ装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、 前記導電部は、前記弾性体層の表面に露出している、ア
   ダプタ装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかにおいて、 前記コネクタ電極は、その相互が前記絶縁性基板の面上
   に形成された非磁性絶縁層によって絶縁された、アダプ
   タ装置。
6. 【請求項６】請求項１ないし５に記載のアダプタ装置
   は、検査対象回路基板と電気的検査装置との間に介在さ
   れて、前記検査対象回路基板の被検査部と前記電気的検
   査装置との電気的接続を行う、アダプタ装置。
7. 【請求項７】請求項１ないし５に記載のアダプタ装置
   と、検査対象回路基板と、電気的検査装置とを含み、前
   記アダプタ装置は前記検査対象回路基板と前記電気的検
   査装置との間に介在される、回路基板検査装置。
8. 【請求項８】 アダプタ本体と、該アダプタ本体に一体
   的に設けられた異方導電性コネクタとを含むアダプタ装
   置の製造方法であって、以下の工程（ａ）および（ｂ）
   を含む製造方法。（ａ） 前記アダプタ本体を形成する
   工程であって、 （ａ）−１； 絶縁性基板の面上に所定パターンで端子
   電極を形成する工程、 （ａ）−２； 前記絶縁性基板の面上において、前記端
   子電極と電気的に接続され、かつ、強磁性および導電性
   を有するコネクタ電極を形成する工程、（ｂ） 前記異
   方導電性コネクタを形成する工程であって、 （ｂ）−１； 前記アダプタ本体の前記コネクタ電極が
   形成された側の面上に、絶縁性の弾性体層を形成する工
   程、 （ｂ）−２； 前記弾性体層に前記コネクタ電極と連続
   する空間領域を形成する工程、 （ｂ）−３； 硬化されて弾性高分子物質となる流動性
   物質中に導電性磁性体粒子が分散された導電部形成用材
   料を、前記空間領域中に充填する工程、および （ｂ）−４； 前記弾性体層の厚さ方向に磁場を形成す
   ることにより、前記空間領域内に充填された導電部形成
   用材料中の導電性磁性体粒子を前記厚さ方向に配向させ
   る工程。
9. 【請求項９】 請求項８において、 前記工程（ｂ）−３において、導電部形成用材料を磁力
   によって前記空間領域中に充填する、アダプタ装置の製
   造方法。
10. 【請求項１０】 請求項８または９において、 前記工程（ｂ）−３は減圧状態で行われる、アダプタ装
    置の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項８ないし１０のいずれかにおい
    て、 前記工程（ｂ）−２において、前記空間領域はレーザー
    加工によって形成される、アダプタ装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項８ないし１０のいずれかにおい
    て、 前記工程（ｂ）−２において、前記空間領域はフォトリ
    ソグラフィー加工によって形成される、アダプタ装置の
    製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項８ないし１２のいずれかにおい
    て、 前記工程（ａ）−２において、前記コネクタ電極は、磁
    性体金属層のメッキあるいは磁性体金属層のエッチング
    で形成される、アダプタ装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 請求項８ないし１３のいずれかにおい
    て、 前記工程（ａ）−２において、さらに、前記コネクタ電
    極の相互を絶縁する非磁性絶縁層を形成する工程が含ま
    れる、アダプタ装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 アダプタ本体と、該アダプタ本体に一
    体的に設けられた異方導電性コネクタとを含むアダプタ
    装置の製造方法であって、以下の工程（Ａ）ないし
    （Ｆ）を含む製造方法。 （Ａ）絶縁性基板の面上に所定パターンで端子電極を形
    成する工程、 （Ｂ）前記絶縁性基板の前記端子電極が形成されていな
    い側の面上に、絶縁性の弾性体層を形成する工程、 （Ｃ）前記弾性体層に前記絶縁性基板の面と連続する空
    間領域を形成する工程、 （Ｄ）前記絶縁性基板の前記空間領域での露出面上にお
    いて、前記端子電極と電気的に接続され、かつ、強磁性
    および導電性を有するコネクタ電極を形成する工程、 （Ｅ）硬化されて弾性高分子物質となる流動性物質中に
    導電性磁性体粒子が分散された導電部形成用材料を、前
    記空間領域中に充填する工程、および （Ｆ）前記弾性体層の厚さ方向に磁場を形成することに
    より、前記空間領域内に充填された導電部形成用材料中
    の導電性磁性体粒子を前記厚さ方向に配向させる工程。
16. 【請求項１６】 請求項１５において、 前記工程（Ｅ）において、導電部形成用材料を磁力によ
    って前記空間領域中に充填する、アダプタ装置の製造方
    法。
17. 【請求項１７】 請求項１５または１６において、 前記工程（Ｅ）は減圧状態で行われる、アダプタ装置の
    製造方法。
18. 【請求項１８】 請求項１５ないし１７のいずれかにお
    いて、 前記工程（Ｃ）において、前記空間領域はレーザー加工
    によって形成される、アダプタ装置の製造方法。
19. 【請求項１９】 請求項１５ないし１７のいずれかにお
    いて、 前記工程（Ｃ）において、前記空間領域はフォトリソグ
    ラフィー加工によって形成される、アダプタ装置の製造
    方法。
20. 【請求項２０】 請求項１５ないし１９のいずれかにお
    いて、 前記工程（Ｄ）において、前記コネクタ電極は、磁性体
    金属層のメッキで形成される、アダプタ装置の製造方
    法。
21. 【請求項２１】請求項１ないし５のいずれかに記載のア
    ダプタ装置を、検査対象回路基板と電気的検査装置との
    間に介在させて、前記検査対象回路基板の被検査部と前
    記電気的検査装置との電気的接続を行う、回路基板の検
    査方法。