JP2000100318A - フィ―ルドエミッションディスプレイ用エレクトロンエミッタ組成物及びこれを利用したエレクトロンエミッタの製造方法 - Google Patents
フィ―ルドエミッションディスプレイ用エレクトロンエミッタ組成物及びこれを利用したエレクトロンエミッタの製造方法Info
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
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- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
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- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
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- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 作業性及び経済性が優れ、面積の大きな
均一な平面エミッタを提供することができるフィールド
エミッションディスプレイ用エレクトロンエミッタ組成
物及び製造方法を提供する。 【解決手段】 電極７０が形成された後面プレート３０
上にフォトレジスト膜を形成する工程と；前記フォトレ
ジスト膜を所定のパターンに露光、現像させる工程と；
電子放出物質とポリオキシエチレンノニルフェニルエー
テル誘導体又はポリビニルピロリドンである分散剤とシ
ラン系化合物又はコロイド性シリカであるバインダと純
水とを含むフィールドエミッションディスプレイ用エレ
クトロンエミッタ組成物を、フォトレジスト膜に塗布乾
燥して電子放出物質膜を形成する工程と；電子放出物質
膜をエッチングしてフォトレジスト膜を露出させる工程
と；露出されたフォトレジスト膜をストリッピングさせ
た後、前記電子放出物質膜を洗浄乾燥する工程と；を含
む。
均一な平面エミッタを提供することができるフィールド
エミッションディスプレイ用エレクトロンエミッタ組成
物及び製造方法を提供する。 【解決手段】 電極７０が形成された後面プレート３０
上にフォトレジスト膜を形成する工程と；前記フォトレ
ジスト膜を所定のパターンに露光、現像させる工程と；
電子放出物質とポリオキシエチレンノニルフェニルエー
テル誘導体又はポリビニルピロリドンである分散剤とシ
ラン系化合物又はコロイド性シリカであるバインダと純
水とを含むフィールドエミッションディスプレイ用エレ
クトロンエミッタ組成物を、フォトレジスト膜に塗布乾
燥して電子放出物質膜を形成する工程と；電子放出物質
膜をエッチングしてフォトレジスト膜を露出させる工程
と；露出されたフォトレジスト膜をストリッピングさせ
た後、前記電子放出物質膜を洗浄乾燥する工程と；を含
む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフィールドエミッシ
ョンディスプレイ（field emission display、以下“Ｆ
ＥＤ“と称する）用エレクトロンエミッタ組成物とこれ
を利用したフィールドエミッションディスプレイ用エレ
クトロンエミッタの製造方法に係り、より詳しくは、平
面タイプのエミッタを形成するためのエレクトロンエミ
ッタ組成物と、これを利用したフィールドエミッション
ディスプレイ（Field Emission Display：ＦＥＤ）にお
いてカソードの役割を果たす平面タイプのエレクトロン
エミッタの製造方法に関する。
ョンディスプレイ（field emission display、以下“Ｆ
ＥＤ“と称する）用エレクトロンエミッタ組成物とこれ
を利用したフィールドエミッションディスプレイ用エレ
クトロンエミッタの製造方法に係り、より詳しくは、平
面タイプのエミッタを形成するためのエレクトロンエミ
ッタ組成物と、これを利用したフィールドエミッション
ディスプレイ（Field Emission Display：ＦＥＤ）にお
いてカソードの役割を果たす平面タイプのエレクトロン
エミッタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フィールドエミッションディスプレイ
（Field Emission Display：ＦＥＤ）は平板表示装置
（Flat Panel Display：ＦＰＤ）の一種であり、平板表
示装置は従来の陰極線管に比べて重量及び体積が小さ
く、かつ、大画面用表示素子として適しており電力消費
が少ないという利点があるため、現在、活発な研究開発
が行われている。
（Field Emission Display：ＦＥＤ）は平板表示装置
（Flat Panel Display：ＦＰＤ）の一種であり、平板表
示装置は従来の陰極線管に比べて重量及び体積が小さ
く、かつ、大画面用表示素子として適しており電力消費
が少ないという利点があるため、現在、活発な研究開発
が行われている。
【０００３】このようなフィールドエミッションディス
プレイの動作を図１に基づいて説明すると次の通りであ
る。フィールドエミッションディスプレイ１００は前面
プレート２０、後面プレート３０、前記前面プレート２
０と前記後面プレート３０とを囲んで支持するための側
面隔壁４０、スペーサ５０から構成されており、その内
部は約１×１０-7ｔｏｒｒの真空状態に維持されてい
る。前記前面プレート２０はアノードプレートともい
い、その内側面にはそれぞれの画素に必要なパルス電圧
を印加するためにＩＴＯ電極６０がストライプ形に形成
されており、前記ＩＴＯ電極上に画像を表示するための
蛍光体パターン６２が形成されている。また、前記後面
プレート３０はカソードプレートともいい、その内側面
には前記前面プレート２０に形成されたＩＴＯ電極６０
と直角方向にＡｇ又はＩＴＯ電極７０が形成されてお
り、前記電極上に電子を放出するエレクトロンエミッタ
７２がコーティングされている。このようなフィールド
エミッションディスプレイ１００において、図示しない
駆動回路によって前記ＩＴＯ電極６０、７０に画像信号
が印加されると、両電極の間に形成された強い電界によ
ってエレクトロンエミッタ７２が励起されて電子（図示
しない）を放出し、このように放出された電子は真空状
態に維持された空間を移動して前記蛍光体パターンを励
起させることによって可視光線を発生させて画像を表示
する。
プレイの動作を図１に基づいて説明すると次の通りであ
る。フィールドエミッションディスプレイ１００は前面
プレート２０、後面プレート３０、前記前面プレート２
０と前記後面プレート３０とを囲んで支持するための側
面隔壁４０、スペーサ５０から構成されており、その内
部は約１×１０-7ｔｏｒｒの真空状態に維持されてい
る。前記前面プレート２０はアノードプレートともい
い、その内側面にはそれぞれの画素に必要なパルス電圧
を印加するためにＩＴＯ電極６０がストライプ形に形成
されており、前記ＩＴＯ電極上に画像を表示するための
蛍光体パターン６２が形成されている。また、前記後面
プレート３０はカソードプレートともいい、その内側面
には前記前面プレート２０に形成されたＩＴＯ電極６０
と直角方向にＡｇ又はＩＴＯ電極７０が形成されてお
り、前記電極上に電子を放出するエレクトロンエミッタ
７２がコーティングされている。このようなフィールド
エミッションディスプレイ１００において、図示しない
駆動回路によって前記ＩＴＯ電極６０、７０に画像信号
が印加されると、両電極の間に形成された強い電界によ
ってエレクトロンエミッタ７２が励起されて電子（図示
しない）を放出し、このように放出された電子は真空状
態に維持された空間を移動して前記蛍光体パターンを励
起させることによって可視光線を発生させて画像を表示
する。
【０００４】このようなフィールドエミッションディス
プレイ１００を製造するためには、まず、前面プレート
２０にＩＴＯをスパッタリングしてエッチングしてスト
ライプ形ＩＴＯ電極６０を形成し、側面隔壁４０用ペー
ストを適切な間隔をおいて並行に印刷して熱処理した
後、印刷又はスピンコーティング法で前記ＩＴＯ電極６
０上に蛍光膜を形成し、前記前面プレート２０の端部に
封着用シーリングフリット（Sealing Frit）を塗布す
る。次いで、後面プレート３０にＩＴＯ又はＡｇをスパ
ッタリング又はスクリーン印刷法で塗布してストライプ
形ＩＴＯ又はＡｇ電極７０を形成し、側面隔壁４０用ペ
ーストを適切な間隔をおいて並行に印刷して熱処理した
後、前記電極７０上にエレクトロンエミッタ組成物をコ
ーティングしてエレクトロンエミッタ７２を形成し、後
面プレート３０の端部に封着用シーリングフリットを塗
布する。
プレイ１００を製造するためには、まず、前面プレート
２０にＩＴＯをスパッタリングしてエッチングしてスト
ライプ形ＩＴＯ電極６０を形成し、側面隔壁４０用ペー
ストを適切な間隔をおいて並行に印刷して熱処理した
後、印刷又はスピンコーティング法で前記ＩＴＯ電極６
０上に蛍光膜を形成し、前記前面プレート２０の端部に
封着用シーリングフリット（Sealing Frit）を塗布す
る。次いで、後面プレート３０にＩＴＯ又はＡｇをスパ
ッタリング又はスクリーン印刷法で塗布してストライプ
形ＩＴＯ又はＡｇ電極７０を形成し、側面隔壁４０用ペ
ーストを適切な間隔をおいて並行に印刷して熱処理した
後、前記電極７０上にエレクトロンエミッタ組成物をコ
ーティングしてエレクトロンエミッタ７２を形成し、後
面プレート３０の端部に封着用シーリングフリットを塗
布する。
【０００５】このように製造された前記前面プレート２
０と前記後面プレート３０とを並行に重ねた後、適当な
圧力を加えながら熱処理して封着し、真空排気すること
でフィールドエミッションディスプレイ１００を製造す
る。ここで、カソードの役割を果たすエレクトロンエミ
ッタ７２は、モリブデン蒸着によるコーンタイプエミッ
タ（cone type emitter）、シリコンシャープニング（s
harpening）によるコーンタイプエミッタ、ダイアモン
ド又はＤＬＣ（Diamond Like Carbon）を使用する平面
タイプエミッタ（flat type emitter）などが使用され
ている。
０と前記後面プレート３０とを並行に重ねた後、適当な
圧力を加えながら熱処理して封着し、真空排気すること
でフィールドエミッションディスプレイ１００を製造す
る。ここで、カソードの役割を果たすエレクトロンエミ
ッタ７２は、モリブデン蒸着によるコーンタイプエミッ
タ（cone type emitter）、シリコンシャープニング（s
harpening）によるコーンタイプエミッタ、ダイアモン
ド又はＤＬＣ（Diamond Like Carbon）を使用する平面
タイプエミッタ（flat type emitter）などが使用され
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】モリブデンを材料とす
るコーンタイプエミッタ、即ちスピンドット（spindt）
タイプエミッタ又はシリコンを材料とするコーンタイプ
エミッタは、イオン衝撃又は残留ガスによるチップの損
傷を最少化するために高真空（約１０-8ｔｏｒｒ程度）
環境が要求され、このような環境が維持されない時には
エミッタチップ（tip）の損傷によって寿命特性が低下
する。また、スパッタリング、露光、エッチングなどを
含む薄膜工程を実施しなければならないので費用が高
く、均一なエミッタを面積の大きな基板に形成すること
が難しい。
るコーンタイプエミッタ、即ちスピンドット（spindt）
タイプエミッタ又はシリコンを材料とするコーンタイプ
エミッタは、イオン衝撃又は残留ガスによるチップの損
傷を最少化するために高真空（約１０-8ｔｏｒｒ程度）
環境が要求され、このような環境が維持されない時には
エミッタチップ（tip）の損傷によって寿命特性が低下
する。また、スパッタリング、露光、エッチングなどを
含む薄膜工程を実施しなければならないので費用が高
く、均一なエミッタを面積の大きな基板に形成すること
が難しい。
【０００７】ダイアモンド又はＤＬＣを材料とする平面
タイプエミッタを製造するためには、化学蒸着（chemic
al vapor deposition）、プラズマインヘンスド化学蒸
着（plasma enhanced chemical vapor deposition）、
レーザーエイブレーション蒸着（laser ablation depos
ition）などの方法が使用されており、これらの方法の
場合には面積の大きなエミッタを製造することが難し
く、均一なエミッタ面を提供することが難しい。また、
工程条件が複雑であり、高価な設備が要求されるなど、
作業性及び経済性においても不利な点がある。
タイプエミッタを製造するためには、化学蒸着（chemic
al vapor deposition）、プラズマインヘンスド化学蒸
着（plasma enhanced chemical vapor deposition）、
レーザーエイブレーション蒸着（laser ablation depos
ition）などの方法が使用されており、これらの方法の
場合には面積の大きなエミッタを製造することが難し
く、均一なエミッタ面を提供することが難しい。また、
工程条件が複雑であり、高価な設備が要求されるなど、
作業性及び経済性においても不利な点がある。
【０００８】本発明は前記問題点を解決するためのもの
であって、その目的は製造工程が簡単で大型装置の製作
が容易なフィールドエミッションディスプレイ用エレク
トロンエミッタ組成物及びこれを利用したエレクトロン
エミッタの製造方法を提供することにある。また、本発
明の他の目的は安価な厚膜工程によって高精密度の大型
エレクトロンエミッタパターンを形成することができる
フィールドエミッションディスプレイ用エレクトロンエ
ミッタ組成物及びこれを利用したエレクトロンエミッタ
の製造方法を提供することにある。
であって、その目的は製造工程が簡単で大型装置の製作
が容易なフィールドエミッションディスプレイ用エレク
トロンエミッタ組成物及びこれを利用したエレクトロン
エミッタの製造方法を提供することにある。また、本発
明の他の目的は安価な厚膜工程によって高精密度の大型
エレクトロンエミッタパターンを形成することができる
フィールドエミッションディスプレイ用エレクトロンエ
ミッタ組成物及びこれを利用したエレクトロンエミッタ
の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の特徴構成は、特許請求の範囲の欄の請求項
１から５に記載した点にある。特に、本発明は、電子放
出物質と；ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル
誘導体又はポリビニルピロリドンである分散剤と；シラ
ン系化合物又はコロイド性シリカであるバインダと；水
と；を含むフィールドエミッションディスプレイ用エレ
クトロンエミッタ組成物を提供するものである。
に、本発明の特徴構成は、特許請求の範囲の欄の請求項
１から５に記載した点にある。特に、本発明は、電子放
出物質と；ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル
誘導体又はポリビニルピロリドンである分散剤と；シラ
ン系化合物又はコロイド性シリカであるバインダと；水
と；を含むフィールドエミッションディスプレイ用エレ
クトロンエミッタ組成物を提供するものである。
【００１０】また、前記目的を達成するために本発明
は、電極が形成された後面プレート（カソードプレー
ト）上にフォトレジスト組成物を塗布して乾燥してフォ
トレジスト膜を形成する工程と；マスクを用いて前記フ
ォトレジスト膜を所定のパターンに露光、現像させる工
程と；電子放出物質、バインダ、分散剤、水を含むエレ
クトロンエミッタ組成物を前記の現像されたフォトレジ
スト膜に塗布して乾燥して電子放出物質膜を形成する工
程と；前記電子放出物質膜をエッチングしてフォトレジ
スト膜を露出させる工程と；前記の露出されたフォトレ
ジスト膜をストリッピングさせた後、洗浄及び乾燥する
工程と；を含むフィールドエミッションディスプレイ用
エレクトロンエミッタの製造方法を提供するものであ
る。
は、電極が形成された後面プレート（カソードプレー
ト）上にフォトレジスト組成物を塗布して乾燥してフォ
トレジスト膜を形成する工程と；マスクを用いて前記フ
ォトレジスト膜を所定のパターンに露光、現像させる工
程と；電子放出物質、バインダ、分散剤、水を含むエレ
クトロンエミッタ組成物を前記の現像されたフォトレジ
スト膜に塗布して乾燥して電子放出物質膜を形成する工
程と；前記電子放出物質膜をエッチングしてフォトレジ
スト膜を露出させる工程と；前記の露出されたフォトレ
ジスト膜をストリッピングさせた後、洗浄及び乾燥する
工程と；を含むフィールドエミッションディスプレイ用
エレクトロンエミッタの製造方法を提供するものであ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のエレクトロンエミッタ組成物は、グラファイト
粉末、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）、グラファイト
シート（graphite sheet）が丸く巻かれたカーボンナノ
チューブ（Nanotube）、カーボンファイバーパウダーな
どのカーボン物質、エネルギーバンドギャップが２．７
〜４．５ｅＶであってバンドギャップが広い物質である
ボロンニトリド（boron nitride：ＢＮ）パウダー、ア
ルミニウムニトリド（aluminium nitride：ＡＩＮ）パ
ウダーからなる群から選択される１つ以上の電子放出化
合物、バインダ、分散剤、水を含む。前記ボロンニトリ
ド、アルミニウムニトリドはダイアモンドと同様に負電
子親和力（negative electron affinity：ＮＥＡ）効果
によって電子を放出する物質である。
本発明のエレクトロンエミッタ組成物は、グラファイト
粉末、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）、グラファイト
シート（graphite sheet）が丸く巻かれたカーボンナノ
チューブ（Nanotube）、カーボンファイバーパウダーな
どのカーボン物質、エネルギーバンドギャップが２．７
〜４．５ｅＶであってバンドギャップが広い物質である
ボロンニトリド（boron nitride：ＢＮ）パウダー、ア
ルミニウムニトリド（aluminium nitride：ＡＩＮ）パ
ウダーからなる群から選択される１つ以上の電子放出化
合物、バインダ、分散剤、水を含む。前記ボロンニトリ
ド、アルミニウムニトリドはダイアモンドと同様に負電
子親和力（negative electron affinity：ＮＥＡ）効果
によって電子を放出する物質である。
【００１２】前記グラファイト粉末は粒径が０．５ない
し３μｍ、より好ましくは０．５〜１μｍであるものを
使用するのが好ましい。通常、グラファイトは商業的に
流通するグラファイトを適正な大きさに粉砕して使用す
るので、０．５μｍ未満の粒径に粉砕するのは事実上難
しい。粒径が３μｍを超える場合には粗いエミッタ表面
を形成するのでエミッションが不均一になるという問題
点が発生する。
し３μｍ、より好ましくは０．５〜１μｍであるものを
使用するのが好ましい。通常、グラファイトは商業的に
流通するグラファイトを適正な大きさに粉砕して使用す
るので、０．５μｍ未満の粒径に粉砕するのは事実上難
しい。粒径が３μｍを超える場合には粗いエミッタ表面
を形成するのでエミッションが不均一になるという問題
点が発生する。
【００１３】また、前記電子放出物質は組成物全体の１
ないし５０重量％含まれるのが好ましく、より好ましく
は５ないし３０重量％含まれ、最も好ましくは１０ない
し２０重量％含まれる。電子放出物質の含量が１重量％
未満である場合には電子放出がほとんど行われず、５０
重量％を超える場合にはエミッタ組成物の粘度が高すぎ
るために工程が容易ではない。
ないし５０重量％含まれるのが好ましく、より好ましく
は５ないし３０重量％含まれ、最も好ましくは１０ない
し２０重量％含まれる。電子放出物質の含量が１重量％
未満である場合には電子放出がほとんど行われず、５０
重量％を超える場合にはエミッタ組成物の粘度が高すぎ
るために工程が容易ではない。
【００１４】前記分散剤としてはポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル誘導体、ポリビニルピロリドンな
どを使用することができ、前記バインダとしてはシラン
系化合物、コロイド性シリカなどを使用することができ
る。
ニルフェニルエーテル誘導体、ポリビニルピロリドンな
どを使用することができ、前記バインダとしてはシラン
系化合物、コロイド性シリカなどを使用することができ
る。
【００１５】前記ポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル誘導体やポリビニルピロリドンはエレクトロンエ
ミッタ組成物中で電子放出物質を分散させる役割を果た
す。この分散剤の含量は組成物全体の０．０１ないし２
０重量％であるのが好ましく、より好ましくは、０．５
ないし５重量％であり、最も好ましくは１ないし３重量
％である。分散剤の含量が０．０１重量％未満である場
合には組成物中の電子放出物質が均一に分散されないと
いう問題点が発生し、２０重量％を超える場合には電子
放出物質の電子放出が阻害されるおそれがある。
ーテル誘導体やポリビニルピロリドンはエレクトロンエ
ミッタ組成物中で電子放出物質を分散させる役割を果た
す。この分散剤の含量は組成物全体の０．０１ないし２
０重量％であるのが好ましく、より好ましくは、０．５
ないし５重量％であり、最も好ましくは１ないし３重量
％である。分散剤の含量が０．０１重量％未満である場
合には組成物中の電子放出物質が均一に分散されないと
いう問題点が発生し、２０重量％を超える場合には電子
放出物質の電子放出が阻害されるおそれがある。
【００１６】前記シラン系化合物やコロイド性シリカで
あるバインダは本発明による組成物を銀、インジウムチ
ンオキシド（ＩＴＯ）などで形成したカソード電極上に
付着させる作用をする。このバインダの含量は組成物全
体の０．０１ないし５０重量％であるのが好ましく、よ
り好ましくは１ないし２０重量％であり、最も好ましく
は１ないし５重量％である。バインダの含量が０．０１
重量％未満である場合にはエレクトロンエミッタがカソ
ード電極から脱落しやすく、５０重量％を超える場合に
はバインダが電子放出物質の電子放出作用を妨害するお
それがある。
あるバインダは本発明による組成物を銀、インジウムチ
ンオキシド（ＩＴＯ）などで形成したカソード電極上に
付着させる作用をする。このバインダの含量は組成物全
体の０．０１ないし５０重量％であるのが好ましく、よ
り好ましくは１ないし２０重量％であり、最も好ましく
は１ないし５重量％である。バインダの含量が０．０１
重量％未満である場合にはエレクトロンエミッタがカソ
ード電極から脱落しやすく、５０重量％を超える場合に
はバインダが電子放出物質の電子放出作用を妨害するお
それがある。
【００１７】本発明による組成物は分散媒として水を使
用する。ここで、水は純水を使用するのが好ましく、使
用量は組成物全体において前記電子放出物質、分散剤、
バインダの量を除いた残りの分量である。
用する。ここで、水は純水を使用するのが好ましく、使
用量は組成物全体において前記電子放出物質、分散剤、
バインダの量を除いた残りの分量である。
【００１８】本発明によるエレクトロンエミッタ組成物
を製造するために、電子放出物質、分散剤、純水を適正
比率で混合した後、ジルコニウムボールなどでボールミ
ルしながら約４８時間攪拌し、その後、バインダを添加
して約６時間マグネチックバーで攪拌する。
を製造するために、電子放出物質、分散剤、純水を適正
比率で混合した後、ジルコニウムボールなどでボールミ
ルしながら約４８時間攪拌し、その後、バインダを添加
して約６時間マグネチックバーで攪拌する。
【００１９】このように製造したエレクトロンエミッタ
組成物を使用して図１に示されているように、後面プレ
ート３０（カソードプレート）上に平面タイプエレクト
ロンエミッタ７２を製造する。これを具体的に説明する
と、まず、電極が形成された後面プレート（カソードプ
レート）上にフォトレジストを塗布してから露光、現像
させてパターンを形成する。次いで、本発明によるエレ
クトロンエミッタ組成物をフォトレジストパターン上に
前面スピンコーティングした後、エッチング、ストリッ
ピングを実施してエレクトロンエミッタを完成する。
組成物を使用して図１に示されているように、後面プレ
ート３０（カソードプレート）上に平面タイプエレクト
ロンエミッタ７２を製造する。これを具体的に説明する
と、まず、電極が形成された後面プレート（カソードプ
レート）上にフォトレジストを塗布してから露光、現像
させてパターンを形成する。次いで、本発明によるエレ
クトロンエミッタ組成物をフォトレジストパターン上に
前面スピンコーティングした後、エッチング、ストリッ
ピングを実施してエレクトロンエミッタを完成する。
【００２０】一般に、カーボンブラックを液状の油性溶
媒に分散させてスラリーを形成した後、複写機トナー用
炭素膜を形成したり黒鉛を水溶液に分散させてカソード
レイチューブ（Cathode Ray Tube：ＣＲＴ）のブラック
マトリックスを形成する技術が知られているが、このよ
うなエレクトロンエミッタ組成物は多様な有機物質とバ
インダを含有しているので、これらを使用してエレクト
ロンエミッタを製造すると電子放出効率が低下したり電
子が全く放出されないという問題点がある。従って、フ
ィールドエミッションディスプレイのエミッタの製造に
使用するためのエレクトロンエミッタ組成物は電子放出
を妨害する物質を含んではならず、最小限の試薬を使用
して適切な組成比に配合することが重要であり、かつ、
製造されたエレクトロンエミッタ組成物の基板に対する
付着力が優れていなければならなく、パターニング作業
が容易に行われなければならない。
媒に分散させてスラリーを形成した後、複写機トナー用
炭素膜を形成したり黒鉛を水溶液に分散させてカソード
レイチューブ（Cathode Ray Tube：ＣＲＴ）のブラック
マトリックスを形成する技術が知られているが、このよ
うなエレクトロンエミッタ組成物は多様な有機物質とバ
インダを含有しているので、これらを使用してエレクト
ロンエミッタを製造すると電子放出効率が低下したり電
子が全く放出されないという問題点がある。従って、フ
ィールドエミッションディスプレイのエミッタの製造に
使用するためのエレクトロンエミッタ組成物は電子放出
を妨害する物質を含んではならず、最小限の試薬を使用
して適切な組成比に配合することが重要であり、かつ、
製造されたエレクトロンエミッタ組成物の基板に対する
付着力が優れていなければならなく、パターニング作業
が容易に行われなければならない。
【００２１】ＦＥＤ素子を製造するために、ガラス基板
（前面プレート）上にインジウムチンオキシド（ＩＴ
Ｏ）をスパッタリングした後、エッチングしてライン
（line）形態のアノード電極を形成する。アノード電極
上に蛍光体パターンを印刷法で形成して熱処理する。次
いで、側面隔壁及びスペーサ用ペーストを蛍光体パター
ン間に並行に印刷して熱処理することでアノード基板を
完成する。
（前面プレート）上にインジウムチンオキシド（ＩＴ
Ｏ）をスパッタリングした後、エッチングしてライン
（line）形態のアノード電極を形成する。アノード電極
上に蛍光体パターンを印刷法で形成して熱処理する。次
いで、側面隔壁及びスペーサ用ペーストを蛍光体パター
ン間に並行に印刷して熱処理することでアノード基板を
完成する。
【００２２】他のガラス基板（後面プレート）上にイン
ジウムチンオキシド又は銀をスパッタリング又はスクリ
ーン印刷してライン（line）形態のカソード電極を形成
する。スクリーン印刷法を用いてカソード電極間に隔壁
及びスペーサをライン（line）形態に形成する。
ジウムチンオキシド又は銀をスパッタリング又はスクリ
ーン印刷してライン（line）形態のカソード電極を形成
する。スクリーン印刷法を用いてカソード電極間に隔壁
及びスペーサをライン（line）形態に形成する。
【００２３】前記のように製造されたエレクトロンエミ
ッタ組成物を利用してカソードの役割を果たす平面型エ
レクトロンエミッタ７２をフォトリソグラフィ（photol
ithography）法によって形成するためには、まず、電極
が形成された後面プレート上にスピンコーター（Spin c
oater）を用いてフォトレジスト組成物を塗布して回転
させてフォトレジスト膜を形成した後、乾燥オーブンに
入れてフォトレジスト膜を乾燥する。次いで、フォトレ
ジスト膜が形成された基板にマスクをかぶせた後、Ｉ−
ライン超高圧水銀灯を用いて露光してから、低圧現像ノ
ズルを用いて露光されなかったフォトレジスト部位、即
ち、電極に対応した所定の領域を除去することによって
現像させる。基板を回転させて水分を除去してオーブン
で乾燥した後、スピンコーターを用いて前記エレクトロ
ンエミッタ組成物を塗布して回転させ、電子放出物質膜
を形成する。この時、エレクトロンエミッタ組成物は、
電子放出物質、分散剤としてポリオキシエチレンノニル
フェニルエーテル誘導体又はポリビニルピロリドン、バ
インダとしてシラン系化合物又はコロイド性シリカ、純
水を含む。電子放出物質膜が形成された基板を乾燥オー
ブンに入れて乾燥する。このように形成されたフォトレ
ジストパターン上の電子放出物質膜の膜厚分を薄い硫酸
溶液でエッチングし、高圧ノズルを使用して残っている
フォトレジストをストリッピング（Stripping）してパ
ターニングした後、洗浄してオーブンで乾燥して後面プ
レートを完成する。前記フォトリソグラフィ工程は前記
条件に限られず当業者の便宜に応じて多様に変形して適
用することができる。
ッタ組成物を利用してカソードの役割を果たす平面型エ
レクトロンエミッタ７２をフォトリソグラフィ（photol
ithography）法によって形成するためには、まず、電極
が形成された後面プレート上にスピンコーター（Spin c
oater）を用いてフォトレジスト組成物を塗布して回転
させてフォトレジスト膜を形成した後、乾燥オーブンに
入れてフォトレジスト膜を乾燥する。次いで、フォトレ
ジスト膜が形成された基板にマスクをかぶせた後、Ｉ−
ライン超高圧水銀灯を用いて露光してから、低圧現像ノ
ズルを用いて露光されなかったフォトレジスト部位、即
ち、電極に対応した所定の領域を除去することによって
現像させる。基板を回転させて水分を除去してオーブン
で乾燥した後、スピンコーターを用いて前記エレクトロ
ンエミッタ組成物を塗布して回転させ、電子放出物質膜
を形成する。この時、エレクトロンエミッタ組成物は、
電子放出物質、分散剤としてポリオキシエチレンノニル
フェニルエーテル誘導体又はポリビニルピロリドン、バ
インダとしてシラン系化合物又はコロイド性シリカ、純
水を含む。電子放出物質膜が形成された基板を乾燥オー
ブンに入れて乾燥する。このように形成されたフォトレ
ジストパターン上の電子放出物質膜の膜厚分を薄い硫酸
溶液でエッチングし、高圧ノズルを使用して残っている
フォトレジストをストリッピング（Stripping）してパ
ターニングした後、洗浄してオーブンで乾燥して後面プ
レートを完成する。前記フォトリソグラフィ工程は前記
条件に限られず当業者の便宜に応じて多様に変形して適
用することができる。
【００２４】製造されたアノード基板及びカソード基板
の端部にシールフリット（seal frit）を塗布する。シ
ールフリットが塗布されたアノード電極とカソード電極
とが互いに直交するように配置し、適当な圧力を加えて
熱処理することで封着させる。次いで、真空排気を実施
してＦＥＤ素子を完成する。
の端部にシールフリット（seal frit）を塗布する。シ
ールフリットが塗布されたアノード電極とカソード電極
とが互いに直交するように配置し、適当な圧力を加えて
熱処理することで封着させる。次いで、真空排気を実施
してＦＥＤ素子を完成する。
【００２５】このように製造されたＦＥＤ素子は前面プ
レート２０上に形成されたＩＴＯ電極６０（アノード電
極）と後面プレート３０上に形成されたＩＴＯ電極７０
（カソード電極）との間に形成された強い電界によって
エレクトロンエミッタ７２から電子を放出させる。この
電子がアノード電極６０上に形成された蛍光体パターン
６２を打って発光させる。この時、前記アノード電極６
０及びカソード電極７０はそれぞれストライプ状で互い
に直角をなすように形成されており、ストライプ状のカ
ソード電極７０及びアノード電極６０の間にはスペーサ
５０が形成されている。この素子はそれぞれの画素に必
要なパルス信号電圧が印加されることによって駆動され
る。
レート２０上に形成されたＩＴＯ電極６０（アノード電
極）と後面プレート３０上に形成されたＩＴＯ電極７０
（カソード電極）との間に形成された強い電界によって
エレクトロンエミッタ７２から電子を放出させる。この
電子がアノード電極６０上に形成された蛍光体パターン
６２を打って発光させる。この時、前記アノード電極６
０及びカソード電極７０はそれぞれストライプ状で互い
に直角をなすように形成されており、ストライプ状のカ
ソード電極７０及びアノード電極６０の間にはスペーサ
５０が形成されている。この素子はそれぞれの画素に必
要なパルス信号電圧が印加されることによって駆動され
る。
【００２６】以下、本発明の理解を助けるために好まし
い実施例を提示する。しかし、下記の実施例は本発明を
より容易に理解するために提供されるものにすぎず、本
発明が下記の実施例に限定されるのではない。 〔実施例１〕粒径が約０．７μｍであるグラファイト
（製造会社：Dong-won Ceramic Corporation、韓国）５
ｇ及びポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル誘導
体（商品名：ＮＰ１０１８、製造会社：Dong-nam Synth
esis Corporation、韓国）０．２ｇを純水３０ｇと混合
した後、ジルコニウムボールでボールミルしながら４８
時間攪拌した。この混合物にシラン（商品名：ＫＢＭ６
０３、製造会社：Shin-etsu Corporation、日本）０．
５ｇを添加して６時間マグネチックバーで攪拌してフィ
ールドエミッションディスプレイ用エミッタの形成に必
要なエレクトロンエミッタ組成物を製造した。一方、ガ
ラス基板上にインジウムチンオキシドをスクリーン印刷
してライン（line）形態のカソード電極を形成し、スク
リーン印刷法を使用してカソード電極間にスペーサをラ
イン（line）形態に形成したカソード基板を準備した。
電極が形成されたフィールドエミッションディスプレイ
の後面プレートにスピンコーター（Spin coater）を用
いてフォトレジスト組成物を塗布して回転させてフォト
レジスト膜を形成した後、乾燥オーブンを用いてフォト
レジスト膜を乾燥した。この時、使用されたフォトレジ
スト組成物は通常のネガティブタイプのフォトレジスト
組成物であって、高分子であるポリビニルピロリドン、
感光剤である４，４′−ジアゾスチルベンゼン−２，
２′−ソジウムジスルホネート、界面活性剤であるポリ
オキシエチレンオクチルフェノールエーテル、シランカ
ップリング剤であるＮ−（β−アミノエチル）−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシランを含む。次いで、フォ
トレジスト膜が形成された基板にマスクをかぶせた後、
Ｉ−ライン超高圧水銀灯を用いてフォトレジスト膜を露
光させ、低圧現像ノズルを用いて露光されなかった部位
を除去することによって現像させた。基板をスピンコー
ター上で回転させて水分を除去してからオーブンで乾燥
した後、スピンコーターを用いて前記エレクトロンエミ
ッタ組成物を塗布して回転させて電子放出物質膜を形成
した。電子放出物質膜が形成された基板を乾燥オーブン
に入れて乾燥した。このように形成された電子放出物質
膜を薄い硫酸溶液でエッチングし、高圧ノズルを用いて
残っているフォトレジスト膜をストリッピング（Stripp
ing）してパターニングした後、洗浄してオーブンで乾
燥してフィールドエミッションディスプレイの後面プレ
ートを完成した。
い実施例を提示する。しかし、下記の実施例は本発明を
より容易に理解するために提供されるものにすぎず、本
発明が下記の実施例に限定されるのではない。 〔実施例１〕粒径が約０．７μｍであるグラファイト
（製造会社：Dong-won Ceramic Corporation、韓国）５
ｇ及びポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル誘導
体（商品名：ＮＰ１０１８、製造会社：Dong-nam Synth
esis Corporation、韓国）０．２ｇを純水３０ｇと混合
した後、ジルコニウムボールでボールミルしながら４８
時間攪拌した。この混合物にシラン（商品名：ＫＢＭ６
０３、製造会社：Shin-etsu Corporation、日本）０．
５ｇを添加して６時間マグネチックバーで攪拌してフィ
ールドエミッションディスプレイ用エミッタの形成に必
要なエレクトロンエミッタ組成物を製造した。一方、ガ
ラス基板上にインジウムチンオキシドをスクリーン印刷
してライン（line）形態のカソード電極を形成し、スク
リーン印刷法を使用してカソード電極間にスペーサをラ
イン（line）形態に形成したカソード基板を準備した。
電極が形成されたフィールドエミッションディスプレイ
の後面プレートにスピンコーター（Spin coater）を用
いてフォトレジスト組成物を塗布して回転させてフォト
レジスト膜を形成した後、乾燥オーブンを用いてフォト
レジスト膜を乾燥した。この時、使用されたフォトレジ
スト組成物は通常のネガティブタイプのフォトレジスト
組成物であって、高分子であるポリビニルピロリドン、
感光剤である４，４′−ジアゾスチルベンゼン−２，
２′−ソジウムジスルホネート、界面活性剤であるポリ
オキシエチレンオクチルフェノールエーテル、シランカ
ップリング剤であるＮ−（β−アミノエチル）−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシランを含む。次いで、フォ
トレジスト膜が形成された基板にマスクをかぶせた後、
Ｉ−ライン超高圧水銀灯を用いてフォトレジスト膜を露
光させ、低圧現像ノズルを用いて露光されなかった部位
を除去することによって現像させた。基板をスピンコー
ター上で回転させて水分を除去してからオーブンで乾燥
した後、スピンコーターを用いて前記エレクトロンエミ
ッタ組成物を塗布して回転させて電子放出物質膜を形成
した。電子放出物質膜が形成された基板を乾燥オーブン
に入れて乾燥した。このように形成された電子放出物質
膜を薄い硫酸溶液でエッチングし、高圧ノズルを用いて
残っているフォトレジスト膜をストリッピング（Stripp
ing）してパターニングした後、洗浄してオーブンで乾
燥してフィールドエミッションディスプレイの後面プレ
ートを完成した。
【００２７】〔実施例２〕粒径が約０．７μｍであるグ
ラファイト（製造会社：Dong-won Ceramic Corporatio
n、韓国）５ｇ及びポリビニルピロリドン（商品名：Ｐ
ＶＰ、製造会社：BASF Corporation、米国）１ｇを２０
ｇの純水と混合した後、ジルコニウムボールでボールミ
ルしながら４８時間攪拌した。この混合物にコロイド性
シリカ（商品名：ＳＴ−３０、製造会社：Il-san Chemi
cal Corporation、韓国）２ｇを添加して６時間マグネ
チックバーで攪拌してフィールドエミッションディスプ
レイ用エミッタの形成に必要なエレクトロンエミッタ組
成物を製造した。一方、ガラス基板上にインジウムチン
オキシドをスクリーン印刷してライン（line）形態のカ
ソード電極を形成し、スクリーン印刷法を使用してカソ
ード電極間にスペーサをライン（line）形態に形成した
カソード基板を準備した。電極が形成されたフィールド
エミッションディスプレイの後面プレートにスピンコー
ター（Spin coater）を用いてフォトレジスト組成物を
塗布して回転させてフォトレジスト膜を形成した後、乾
燥オーブンを用いてフォトレジスト膜を乾燥した。この
時、使用されたフォトレジスト組成物は通常のネガティ
ブタイプのフォトレジスト組成物であって、高分子であ
るポリビニルピロリドン、感光剤である４，４′−ジア
ゾスチルベン−２，２′−ソジウムジスルホネート、界
面活性剤であるポリオキシエチレンオクチルフェノール
エーテル、シランカップリング剤であるＮ−（β−アミ
ノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシランを
含む。次いで、フォトレジスト膜が形成された基板にマ
スクをかぶせた後、Ｉ−ライン超高圧水銀灯を用いて前
記フォトレジスト膜を露光し、低圧現像ノズルを用いて
露光されなかった部位を除去することによって現像させ
た。基板をスピンコーター上で回転させて水分を除去し
てからオーブンで乾燥した後、スピンコーターを用いて
前記エレクトロンエミッタ組成物を塗布して回転させて
電子放出物質膜を形成した。電子放出物質膜が形成され
た基板を乾燥オーブンに入れて乾燥した。このように形
成された電子放出物質膜を薄い硫酸溶液でエッチング
し、高圧ノズルを用いて残っているフォトレジスト膜を
ストリッピング（Stripping）してパターニングした
後、洗浄してオーブンで乾燥してフィールドエミッショ
ンディスプレイの後面プレートを完成した。
ラファイト（製造会社：Dong-won Ceramic Corporatio
n、韓国）５ｇ及びポリビニルピロリドン（商品名：Ｐ
ＶＰ、製造会社：BASF Corporation、米国）１ｇを２０
ｇの純水と混合した後、ジルコニウムボールでボールミ
ルしながら４８時間攪拌した。この混合物にコロイド性
シリカ（商品名：ＳＴ−３０、製造会社：Il-san Chemi
cal Corporation、韓国）２ｇを添加して６時間マグネ
チックバーで攪拌してフィールドエミッションディスプ
レイ用エミッタの形成に必要なエレクトロンエミッタ組
成物を製造した。一方、ガラス基板上にインジウムチン
オキシドをスクリーン印刷してライン（line）形態のカ
ソード電極を形成し、スクリーン印刷法を使用してカソ
ード電極間にスペーサをライン（line）形態に形成した
カソード基板を準備した。電極が形成されたフィールド
エミッションディスプレイの後面プレートにスピンコー
ター（Spin coater）を用いてフォトレジスト組成物を
塗布して回転させてフォトレジスト膜を形成した後、乾
燥オーブンを用いてフォトレジスト膜を乾燥した。この
時、使用されたフォトレジスト組成物は通常のネガティ
ブタイプのフォトレジスト組成物であって、高分子であ
るポリビニルピロリドン、感光剤である４，４′−ジア
ゾスチルベン−２，２′−ソジウムジスルホネート、界
面活性剤であるポリオキシエチレンオクチルフェノール
エーテル、シランカップリング剤であるＮ−（β−アミ
ノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシランを
含む。次いで、フォトレジスト膜が形成された基板にマ
スクをかぶせた後、Ｉ−ライン超高圧水銀灯を用いて前
記フォトレジスト膜を露光し、低圧現像ノズルを用いて
露光されなかった部位を除去することによって現像させ
た。基板をスピンコーター上で回転させて水分を除去し
てからオーブンで乾燥した後、スピンコーターを用いて
前記エレクトロンエミッタ組成物を塗布して回転させて
電子放出物質膜を形成した。電子放出物質膜が形成され
た基板を乾燥オーブンに入れて乾燥した。このように形
成された電子放出物質膜を薄い硫酸溶液でエッチング
し、高圧ノズルを用いて残っているフォトレジスト膜を
ストリッピング（Stripping）してパターニングした
後、洗浄してオーブンで乾燥してフィールドエミッショ
ンディスプレイの後面プレートを完成した。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、エレクトロンエミッタ組
成物を使用してフィールドエミッションディスプレイの
エミッタを製作すると、第１に、電子放出が均一に行わ
れるので安価な厚膜工程でも薄膜工程と類似した良質の
電子放出効果を得ることができ、第２に、フォトレジス
ト工程を用いてエレクトロンエミッタを形成するので精
密なエミッタのパターニング（patterning）ができて工
業用モニターの製作にも応用することができ、第３に、
面積の大きなカソードの製作ができるのでフィールドエ
ミッションディスプレイ以外にも平面ＣＲＴなどの他の
平板表示装置にも応用することができるという長所があ
る。
成物を使用してフィールドエミッションディスプレイの
エミッタを製作すると、第１に、電子放出が均一に行わ
れるので安価な厚膜工程でも薄膜工程と類似した良質の
電子放出効果を得ることができ、第２に、フォトレジス
ト工程を用いてエレクトロンエミッタを形成するので精
密なエミッタのパターニング（patterning）ができて工
業用モニターの製作にも応用することができ、第３に、
面積の大きなカソードの製作ができるのでフィールドエ
ミッションディスプレイ以外にも平面ＣＲＴなどの他の
平板表示装置にも応用することができるという長所があ
る。
【図１】本発明の一実施例による組成物から製造したエ
レクトロンエミッタを含むフィールドエミッションディ
スプレイの概略断面図である
レクトロンエミッタを含むフィールドエミッションディ
スプレイの概略断面図である
２０ 前面プレート ３０ 後面プレート ４０ 隔壁 ５０ スペーサ ６０ ＩＴＯ電極 ６２ 蛍光体パターン ７０ ＩＴＯ電極 ７２ エレクトロンエミッタ １００ フィールドエミッションディスプレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 相 辰 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘４洞（無 番地） 現代アパートメント103棟1001号 (72)発明者 金 載 明 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘４洞（無 番地） 韓国２次アパートメント106棟205 号 (72)発明者 南 仲 祐 大韓民国京畿道水原市八達區牛満洞470- ９番地
Claims (5)
- 【請求項１】 電子放出物質と、 ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル誘導体又は
ポリビニルピロリドンである分散剤と、 シラン系化合物又はコロイド性シリカであるバインダ
と、 水と、 を含むフィールドエミッションディスプレイ用エレクト
ロンエミッタ組成物。 - 【請求項２】 前記電子放出物質は、グラファイト粉
末、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）、ナノチューブ（N
anotube）、カーボンファイバーパウダー、ボロンニト
リドパウダー、アルミニウムニトリドパウダーからなる
群から選択される１つ以上の化合物であることを特徴と
する請求項１に記載のフィールドエミッションディスプ
レイ用エレクトロンエミッタ組成物。 - 【請求項３】 前記グラファイト粉末は、粒径が０．５
ないし３μｍである請求項２に記載のフィールドエミッ
ションディスプレイ用エレクトロンエミッタ組成物。 - 【請求項４】 前記電子放出物質は組成物全体の１０な
いし２０重量％、前記分散剤は１ないし３重量％、前記
バインダは１ないし５重量％、前記水は７２ないし８８
重量％含む請求項１に記載のフィールドエミッションデ
ィスプレイ用エレクトロンエミッタ組成物。 - 【請求項５】 電極が形成された後面プレート（カソー
ドプレート）上にフォトレジスト組成物を塗布して乾燥
してフォトレジスト膜を形成する工程と、 マスクを用いて前記フォトレジスト膜を所定のパターン
に露光、現像させる工程と、 電子放出物質、バインダ、分散剤、水を含むエレクトロ
ンエミッタ組成物を前記の現像されたフォトレジスト膜
に塗布して乾燥して電子放出物質膜を形成する工程と、 前記電子放出物質膜をエッチングしてフォトレジスト膜
を露出させる工程と、 前記の露出されたフォトレジスト膜をストリッピング
（Stripping）させた後、前記電子放出物質膜を洗浄及
び乾燥する工程と、を含むフィールドエミッションディ
スプレイ用エレクトロンエミッタの製造方法。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980039660A KR100280994B1 (ko) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 필드 에미션 디스플레이 소자의 필드 에미터용 조성물 |
| KR1019980039661A KR100294199B1 (ko) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | 필드에미션디스플레이소자의필드에미터제조방법 |
| KR1999-11045 | 1999-03-30 | ||
| KR1998-39660 | 1999-03-30 | ||
| KR1019990011045A KR100300325B1 (ko) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 전계 방출 디스플레이용 탄소 에미터의 제조방법 |
| KR1998-39661 | 1999-03-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000100318A true JP2000100318A (ja) | 2000-04-07 |
| JP4409003B2 JP4409003B2 (ja) | 2010-02-03 |
Family
ID=27349815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26998199A Expired - Fee Related JP4409003B2 (ja) | 1998-09-24 | 1999-09-24 | フィールドエミッションディスプレイ用エレクトロンエミッタ組成物及びこれを利用したエレクトロンエミッタの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6146230A (ja) |
| JP (1) | JP4409003B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002003413A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Printable Field Emitters Limited | Field electron emission materials and devices |
| JP2005197247A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子の電子放出源形成用組成物及びそれから製造される電子放出源 |
| JP2006182601A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | カーボンナノチューブ含有ペーストとカーボンナノチューブ膜の製造方法及びカーボンナノチューブ膜並びに電界電子放出素子 |
| JP2006190539A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Dialight Japan Co Ltd | フィールドエミッション型面状光源 |
| JP2006209973A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Shinshu Univ | 電界放出電極およびその製造方法 |
| US7201627B2 (en) | 2003-07-31 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Method for manufacturing ultrafine carbon fiber and field emission element |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6250984B1 (en) * | 1999-01-25 | 2001-06-26 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article |
| US6989631B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-01-24 | Sony Corporation | Carbon cathode of a field emission display with in-laid isolation barrier and support |
| US7449081B2 (en) * | 2000-06-21 | 2008-11-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emission of electron field emitters |
| US6436221B1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-20 | Industrial Technology Research Institute | Method of improving field emission efficiency for fabricating carbon nanotube field emitters |
| US6486599B2 (en) * | 2001-03-20 | 2002-11-26 | Industrial Technology Research Institute | Field emission display panel equipped with two cathodes and an anode |
| US7250569B2 (en) * | 2001-04-26 | 2007-07-31 | New York University School Of Medicine | Method for dissolving nanostructural materials |
| JP4863599B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2012-01-25 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電気抵抗を低下させた誘電体組成物 |
| US6723299B1 (en) | 2001-05-17 | 2004-04-20 | Zyvex Corporation | System and method for manipulating nanotubes |
| US6682382B2 (en) * | 2001-06-08 | 2004-01-27 | Sony Corporation | Method for making wires with a specific cross section for a field emission display |
| US6663454B2 (en) * | 2001-06-08 | 2003-12-16 | Sony Corporation | Method for aligning field emission display components |
| US6624590B2 (en) * | 2001-06-08 | 2003-09-23 | Sony Corporation | Method for driving a field emission display |
| US6756730B2 (en) * | 2001-06-08 | 2004-06-29 | Sony Corporation | Field emission display utilizing a cathode frame-type gate and anode with alignment method |
| US7002290B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-02-21 | Sony Corporation | Carbon cathode of a field emission display with integrated isolation barrier and support on substrate |
| US7276844B2 (en) * | 2001-06-15 | 2007-10-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emission of electron field emitters |
| US6891319B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-05-10 | Motorola, Inc. | Field emission display and methods of forming a field emission display |
| US7070472B2 (en) * | 2001-08-29 | 2006-07-04 | Motorola, Inc. | Field emission display and methods of forming a field emission display |
| AU2002326082A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-10 | Element Six (Pty) Ltd | Cathodic device comprising ion-implanted emitted substrate having negative electron affinity |
| KR100814838B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2008-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 소자의 카본 나노튜브 에미터 형성용 조성물 및그 제조 방법 |
| KR100448479B1 (ko) * | 2002-01-15 | 2004-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 박막형 전계 방출 소자의 제조방법 |
| US8145316B2 (en) | 2002-04-08 | 2012-03-27 | Ardian, Inc. | Methods and apparatus for renal neuromodulation |
| US6777869B2 (en) * | 2002-04-10 | 2004-08-17 | Si Diamond Technology, Inc. | Transparent emissive display |
| US6873118B2 (en) * | 2002-04-16 | 2005-03-29 | Sony Corporation | Field emission cathode structure using perforated gate |
| US6791278B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-09-14 | Sony Corporation | Field emission display using line cathode structure |
| US6747416B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-06-08 | Sony Corporation | Field emission display with deflecting MEMS electrodes |
| US20040034177A1 (en) | 2002-05-02 | 2004-02-19 | Jian Chen | Polymer and method for using the polymer for solubilizing nanotubes |
| US6905667B1 (en) | 2002-05-02 | 2005-06-14 | Zyvex Corporation | Polymer and method for using the polymer for noncovalently functionalizing nanotubes |
| US6869753B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-03-22 | Agilent Technologies, Inc. | Screen printing process for light emitting base layer |
| KR100801820B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2008-02-11 | 삼성전자주식회사 | 표면수식된 탄소나노튜브를 이용한 패턴 형성방법 |
| US7012582B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-03-14 | Sony Corporation | Spacer-less field emission display |
| US20040145299A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-07-29 | Sony Corporation | Line patterned gate structure for a field emission display |
| US7150801B2 (en) * | 2003-02-26 | 2006-12-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing cold field-emission cathodes |
| US7071629B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-07-04 | Sony Corporation | Image display device incorporating driver circuits on active substrate and other methods to reduce interconnects |
| US20040189552A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-09-30 | Sony Corporation | Image display device incorporating driver circuits on active substrate to reduce interconnects |
| TWI287940B (en) * | 2003-04-01 | 2007-10-01 | Cabot Microelectronics Corp | Electron source and method for making same |
| US7447298B2 (en) * | 2003-04-01 | 2008-11-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Decontamination and sterilization system using large area x-ray source |
| JP2007516314A (ja) | 2003-05-22 | 2007-06-21 | ザイベックス コーポレーション | ナノコンポジットおよびナノコンポジットに関する方法 |
| KR20050104839A (ko) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출원 제조 방법, 전자 방출원 및 상기 전자방출원을 구비하는 전자 방출 소자 |
| US20060012281A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-01-19 | Nyan-Hwa Tai | Carbon nanotube field emitter and method for producing same |
| US7296576B2 (en) | 2004-08-18 | 2007-11-20 | Zyvex Performance Materials, Llc | Polymers for enhanced solubility of nanomaterials, compositions and methods therefor |
| KR101166014B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2012-07-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출원 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 전자 방출원, 및 상기 전자 방출원을 포함하는 전자 방출 소자 |
| US8154185B2 (en) | 2007-02-12 | 2012-04-10 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Diamondoid monolayers as electron emitters |
| KR100821443B1 (ko) | 2007-07-16 | 2008-04-11 | 삼성전자주식회사 | 표면수식된 탄소나노튜브 조성물 |
| KR100801821B1 (ko) | 2007-07-16 | 2008-02-11 | 삼성전자주식회사 | 표면수식된 탄소나노튜브 |
| KR20090044797A (ko) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물, 이를이용하여 제조된 전자 방출원, 상기 전자 방출원을포함하는 전자 방출 소자, 및 상기 전자 방출 소자를적용한 백라이트 장치 및 전자 방출 디스플레이 장치 |
| CN102664130B (zh) * | 2012-05-16 | 2015-03-25 | 中山大学 | 一种场发射显示器封装方法 |
| EP3933881A1 (en) | 2020-06-30 | 2022-01-05 | VEC Imaging GmbH & Co. KG | X-ray source with multiple grids |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5947783A (en) * | 1996-11-01 | 1999-09-07 | Si Diamond Technology, Inc. | Method of forming a cathode assembly comprising a diamond layer |
-
1999
- 1999-09-24 US US09/405,613 patent/US6146230A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-24 JP JP26998199A patent/JP4409003B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002003413A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Printable Field Emitters Limited | Field electron emission materials and devices |
| US7201627B2 (en) | 2003-07-31 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Method for manufacturing ultrafine carbon fiber and field emission element |
| JP2005197247A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出素子の電子放出源形成用組成物及びそれから製造される電子放出源 |
| JP2006182601A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | カーボンナノチューブ含有ペーストとカーボンナノチューブ膜の製造方法及びカーボンナノチューブ膜並びに電界電子放出素子 |
| JP4652044B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2011-03-16 | 住友大阪セメント株式会社 | カーボンナノチューブ膜の製造方法及び膜剥離強度を向上させたカーボンナノチューブ膜並びに電界電子放出素子 |
| JP2006190539A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Dialight Japan Co Ltd | フィールドエミッション型面状光源 |
| JP4691363B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2011-06-01 | 株式会社ピュアロンジャパン | フィールドエミッション型面状光源 |
| JP2006209973A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Shinshu Univ | 電界放出電極およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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