KR20090044797A - 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물, 이를이용하여 제조된 전자 방출원, 상기 전자 방출원을포함하는 전자 방출 소자, 및 상기 전자 방출 소자를적용한 백라이트 장치 및 전자 방출 디스플레이 장치 - Google Patents

보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물, 이를이용하여 제조된 전자 방출원, 상기 전자 방출원을포함하는 전자 방출 소자, 및 상기 전자 방출 소자를적용한 백라이트 장치 및 전자 방출 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말 100 중량부; 글라스 프리트 500 내지 2000 중량부; 필러 분말 1000 내지 2000 중량부; 유기용매 2000 내지 4000 중량부; 및 바인더 폴리머 4000 내지 6000 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 제공한다.
상기 본 발명에 따른 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 사용하여 형성된 전자 방출원을 포함하는 전자 방출 소자는 장수명을 구현하고, 화소간 균일도 향상되는 효과를 갖는다.
보론 나이트라이드 나노 튜브, 전자 방출 소자

Description

보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 전자 방출원, 상기 전자 방출원을 포함하는 전자 방출 소자, 및 상기 전자 방출 소자를 적용한 백라이트 장치 및 전자 방출 디스플레이 장치 {Boron nitride nano tube paste composition, electron emission source using thereof, electron emission device employing the electron emission source, and backlight unit and electron emission display device employing the electron emission device}
본 발명은 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 전자 방출원, 상기 전자 방출원을 포함하는 전자 방출 소자, 및 상기 전자 방출 소자를 적용한 백라이트 장치 및 전자 방출 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 장수명 및 향상된 화소간 균일도를 구현할 수 있는 전자 방출원을 제조할 수 있는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 전자 방출원, 상기 전자 방출원을 포함하는 전자 방출 소자, 및 상기 전자 방출 소자를 적용한 백라이트 장치 및 전자 방출 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자는 전자방출원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는, FEA (Field Emitter Array)형, SCE (Surface Conduction Emitter)형, MIM (Metal Insulator Metal)형 및 MIS (Metal Insulator Semiconductor)형, BSE (Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.
상술한 바와 같은 전자 방출 소자 중, 전자를 방출시키는 전자 방출원을 이루는 물질로서, 카본계 물질, 예를 들면, 전도성, 전계 집중 효과 및 전계 방출 특성이 우수하고, 일함수가 낮은 카본나노튜브가 널리 사용되고 있다.
그러나, 탄소 나노 튜브는 전자 방출시 매우 고온이므로 미량의 산소라도 존재하는 경우 CO 또는 CO2로 연소 반응이 일어나게 되어, 말단 부분이 타버릴 수 있다. 또한, 탄소 나노 튜브가 말린 방향에 따라 밴드 갭 등의 특성이 변하는데, 그 말리는 방향을 통제할 수 없어서, 도체 또는 반도체성 특성을 제어할 수 없는 단점이 있다. 즉, 탄소 나노 튜브는 재료의 균일성 (uniformity) 및 수명 등에서 많은 문제점을 갖고 있다.
최근에, 탄소 나노 튜브의 이러한 단점을 해결하고자 저가의 카바이드 계열 화합물들로부터 탄소 나노 튜브를 대체할 수 있는 물질을 개발하기 위한 연구들이 진행되고 있으며, 구체적으로 대한민국 공개특허공보 제2001-13225호는 카바이드를 탄소 전구 물질로 사용하여 운반 공극율을 갖는 작업편을 형성하고, 열화학 처리에 의해서 상기 작업편에 나노크기의 공극을 형성하는 단계를 포함하는 다공성 탄소 제품의 제조방법 및 상기 제조된 다공성 탄소 제품을 전기층 캐패시터에서 전극 물질로 사용하는 것을 개시하고 있다. 또한, 러시아 공개특허공보 제2,249,876호에 따르면, 소정의 크기를 갖는 나노 기공들이 분포된 나노 다공성 탄소를 냉음극으로 채용하는 것을 개시하고 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같이 탄소 나노 튜브에 있어서의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 안정성 및 수명 개선, 및 화소간 균일도 향상 효과를 갖는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 사용하여 형성된 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원을 포함하고 있는 전자 방출 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전자 방출 소자를 적용한 백라이트 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전자 방출 소자를 적용한 전자 방출 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위한 제1 태양에서,
보론 나이트라이드 나노 튜브 분말 100 중량부;
글라스 프리트 500 내지 2000 중량부;
필러 분말 1000 내지 2000 중량부;
유기용매 2000 내지 4000 중량부; 및
바인더 폴리머 4000 내지 6000 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 제공한다.
상기 보론 나이트라이드 나노 튜브는, 바람직하게는 B 및 N의 함량비가 1 : 0.5 내지 1.5이다.
상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물은 그 외에도, 필요에 따라서 통상적으로 사용되는 점도 개선제, 레벨링 향상제, 분산제, 및 소포제 등을 더 포함할 수도 있다.
또한, 본 발명은 상기 다른 목적을 달성하기 위한 제2 태양에서, 상기 본 발명에 따른 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 인쇄 및 소성하는 공정을 통하여 형성된 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 또 다른 목적을 달성하기 위한 제3 태양에서,
기판;
상기 기판 상에 배치된 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되도록 배치된 게이트 전극;
상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극을 절연시키는 절연체층;
상기 캐소드 전극의 일부를 노출시키는 전자 방출원 홀;
상기 전자 방출원 홀에 구비되어 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결된 전자 방출원; 및
상기 전자 방출원과 대향되는 형광체층을 포함하는 전자 방출 소자로서,
상기 전자 방출원은 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말 100 중량부, 글라스 프리트 500 내지 2000 중량부, 필러 분말 1000 내지 2000 중량부 및 바인더 폴리머 4000 내지 6000 중량부를 포함하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자를 제공한다.
바람직하게는, 상기 전자 방출원은 비저항이 25℃에서 10-3 Ω·cm 내지 10-8 Ω·cm이다.
상기 전자 방출 소자는 상기 게이트 절연층 상면에 형성된 게이트 전극을 더 포함하여 3극 구조를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 또 다른 목적을 달성하기 위한 제4 태양에서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출형 백라이트 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 또 다른 목적을 달성하기 위한 제5 태양에서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 전자 방출 소자는 탄소 나노 튜브 대신 보론 나이트라이드 나노 튜브를 사용하여 에미터를 형성하고 있기 때문에, 탄소 나노 튜브를 사용했을 경우 야기되었던 산화에 의한 수명 열화를 해결하게 되어, 장수명을 구현할 수 있다. 또한, 종래 탄소 나노 튜브 에미터에 있어서 탄소 나노 튜브의 일정한 전기적 특성을 구현하기 못함으로써 전자 방출 소자 구동시 깜박거림 현상이 발생하던 문제점이 있었으나, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 일정한 전기적인 특성을 갖는 보론 나이트라이드 나노 튜브를 사용하여 해결하였는바, 화소간 균일도가 향상되는 효과를 가져온다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다.
본 발명은:
보론 나이트라이드 나노 튜브 분말 100 중량부;
글라스 프리트 500 내지 2000 중량부;
필러 분말 1000 내지 2000 중량부;
유기용매 2000 내지 4000 중량부; 및
바인더 폴리머 4000 내지 6000 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 제공한다.
보론 나이트라이드 나노 튜브는 탄소 나노 튜브와 동일한 구조를 가지고 있으나, 산소와 반응하지 않기 때문에 안정성이 뛰어나고, 고온에서의 내열성 또한 더욱 우수하다.
본 발명에서 사용되는 보론 나이트라이드 나노 튜브는 탄소 나노 튜브와 동일한 구조를 가지고 있으며, 이때 탄소 대신에 랜덤하게 보론 또는 질소가 치환된 구조이다. 이러한, 보론 나이트라이드 나노 튜브는 보론과 질소만으로 이루어질 수도 있고, 탄소를 더 포함할 수도 있다.
바람직하게는, 본 발명에 사용되는 보론 나이트라이드 나노 튜브에서, B 및 N의 함량비는 1 : 0.5 내지 1.5이다. N의 함량이 1 : 0.5 미만으로 N의 함량에 상 대적으로 작은 경우 구조가 불안정한 문제점이 있고, 1 : 1.5 초과하여 N의 함량에 상대적으로 큰 경우 전자 방출 전류 밀도가 작은 문제점이 있다.
또한, 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브가 B, N 및 C로 이루어진 경우, 바람직하게는 탄소의 함량이 보론 100 질량부 대비 0.01 내지 100 질량부이다. C의 함량이 보론 100 질량부 대비 100 질량부를 초과하여 상대적으로 큰 경우 전자방출시 산화반응이 일어나는 문제점이 있다.
상기 보론 나이트라이드 나노 튜브는 탄소 나노 튜브 제조법과 동일한 방법을 이용하여 합성할 수 있다.
먼저, 아크방전법을 이용하여 합성할 수 있다. 흑연 봉에 홀 (hole)을 형성한 후 보론 나이트라이드 파우더를 충진하여 이것을 양극으로 사용하여 아크 방전을 실시하면 B, N 및 C를 포함하는 나노 튜브를 합성할 수 있으며, 흑연봉 대신 텅스텐 봉을 이용하면 C의 함량이 없는 보론 나이트라이드 나노 튜브를 합성할 수 있다.
또한, 화학 기상 증착법을 이용하여 보론 나이트라이드 나노 튜브를 합성할 수 있다. 반응기 내에 촉매 금속 (Ni, Co, Fe 또는 이들의 합금 물질)을 장착한 후 온도를 700 ~ 900℃ 정도로 가열하면서 B를 포함하는 가스 (예, BCl3)와 N을 포함하는 가스 (예, NH3) 을 공급하면 보론 나이트라이 나노튜브를 형성할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물에 대하여 상술한다.
상기 글라스 프리트의 함량이 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말의 100 중량부 기준으로 500 중량부 미만인 경우에는 페이스트의 부착성이 우수하지 못하고 방출전류 밀도가 낮아질 수 있다는 문제점이 있으며, 2000 중량부를 초과하는 경우에는 조성물의 점도가 지나치게 높아져 인쇄하기 어려우며, 방출전류 밀도도 낮아질 수 있다는 문제점이 있다.
상기 필러 분말은 보론 나이트라이드 나노튜브의 배열성을 개선하기 위하여 사용되며, 그 예로서, Ag, Al2O3, In2O3, SnO2 등을 들 수 있다. 상기 필러 분말의 함량이 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말의 100 중량부 기준으로 1000 중량부 미만인 경우에는 전자 방출원의 형성시 보론 나이트라이드 나노튜브가 잘 배열되지 모하여 결과적으로 우수한 전자 방출 특성을 얻지 못하는 문제점이 있으며, 2000 중량부를 초과하는 경우에는 조성물의 점도가 지나치게 높아져 인쇄하기 어려운 단점이 있다.
상기 유기용매는 본 발명의 조성물의 점도를 조절하기 위하여 사용되며, 터피네올, 부틸 카르비톨 아세테이트, 톨루엔, 또는 텍사놀을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 유기용매의 함량은 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말의 100 중량부 기준으로 2000 내지 4000 중량부인 것이 바람직하다. 상기 유기용매의 함량이 2000 중량부 미만인 경우에는 조성물의 점도가 지나치게 높아져 인쇄하기 어려우며 의 문제점이 있고, 4000 중량부를 초과하는 경우에는 조성물의 점도가 지나치게 낮아져서 적당한 인쇄 두께를 확보하기 어렵다.
상기 바인더 폴리머는 페이스트 내에서 각 성분의 결합력을 증가하기 위하여 사용되며, 그 예로서, MMA-MAA, MMA-AA-PS 등을 들 수 있다. 상기 바인더 폴리머의 함량이 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말의 100 중량부 기준으로 4000 중량부 미만인 경우에는 결합력이 약한 문제점이 있으며, 6000 중량부를 초과하는 경우에는 인쇄성 및 전자방출 특성이 저조한 문제점이 있다.
또한, 본 발명의 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물은 점도 개선제, 레벨링 향상제, 분산제, 소포제 등을 더 포함할 수 있다. 상기 점도 개선제, 레벨링 향상제, 분산제, 소포제 등과 같은 첨가제의 함량은 각각 0 중량% 보다 크고 10 중량%인 이하인 것이 바람직하다. 상기 분산제로는 상용의 계면활성제와 소포제를 사용한다.
이하 본 발명의 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물의 제조방법을 설명한다.
본 발명의 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물은 전자 방출원 형성용 조성물로서, 먼저, 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말, 글라스 프린트, 필러 분말을 혼합하여 제조된다. 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말과 글라스 프리트의 혼합시에 볼 밀 (ball mill)을 사용하여 5 내지 100 rmp의 속도로 1 내지 24 시간 동안 회전시켜 혼합할 수도 있다.
이와는 별도로, 바인더 폴리머를 준비한다. 이를 유기 용매에 희석시킨다. 상기 유기용매로는 터피네올(terpineol), 부틸 카르비톨 아세테이트(butyl carbitol acetate: BCA), 톨루엔(toluene), 또는 텍사놀(texanol)을 사용하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 수지 혼합물에 분산제를 첨가할 수도 있다.
상기 분산제로는 상용제품인 테고(Tego) 사의 포멕스(Foamex) 810, BYK-164 등을 사용할 수 있으며, 분산제의 함량은 0 중량% 보다 크고 10 중량% 미만인 것이 바람직하다.
상기 분산제로는 상용제품인 테고(Tego) 사의 포멕스(Foamex) 810, BYK-164 등을 사용할 수 있으며, 분산제의 함량은 0 중량% 보다 크고 10 중량% 미만인 것이 바람직하다.
먼저 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말 및 글라스 프리트의 혼합물을 바인더 폴리머와 혼합한다. 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말과 글라스 프리트의 혼합물이 수지 혼합물과 고르게 섞이도록 분산시킨다. 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말과 글라스 프리트의 혼합물과 수지 혼합물의 혼합물에 소포제를 0 중량% 보다 크고 10 중량% 이하의 함량으로 첨가할 수 있고, 여기에 분산제 0 내지 10 중량%를 첨가하여 1 내지 10 시간 동안 교반한다.
다음, 유기 용매를 첨가하여 점도가 10,000 cP 내지 50,000 cP인 본 발명의 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 제조한다. 상기 유기용매로는 터피네올(terpineol), 부틸 카르비톨 아세테이트(butyl carbitol acetate: BCA), 톨루엔(toluene), 또는 텍사놀(texanol)을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 유기용매의 함량은 20 내지 40 중량%인 것이 바람직하다. 상기 유기용매의 함량이 40 중량%를 초과하는 경우에는 조성물의 점도가 지나치게 낮아져서 적당한 인쇄 두께를 확보하기 어렵다.
또한, 본 발명은 상기 본 발명에 따른 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 인쇄 및 소성하는 공정을 통하여 형성된 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원을 제공한다.
또한, 본 발명은:
기판;
상기 기판 상에 배치된 캐소드 전극;
상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되도록 배치된 게이트 전극;
상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극을 절연시키는 절연체층;
상기 캐소드 전극의 일부를 노출시키는 전자 방출원 홀;
상기 전자 방출원 홀에 구비되어 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결된 전자 방출원; 및
상기 전자 방출원과 대향되는 형광체층을 포함하는 전자 방출 소자로서,
상기 전자 방출원은 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말 100 중량부, 글라스 프리트 500 내지 2000 중량부, 필러 분말 1000 내지 2000 중량부, 및 바인더 폴리머 4000 내지 6000 중량부를 포함하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자를 제공한다.
전자 방출 소자용 전자 방출원으로서 일반적으로 도체를 사용하나, 본 발명에 따른 보론 나이트라이드 나노 튜브는 반도체적 성질을 갖는다. 이로 인하여 발광 특성이 저하되는 우려가 있으나, 이는 게이트 전압을 올려줌으로써 보상이 가능하다. 이때 전압은 펄스로 인가되기 때문에 비용이 크게 문제되지 않는다.
상기 전자 방출원은 탄소 나노 튜브와는 달리 반도체적 특성을 갖는다. 그 비저항 값은 대략 25℃에서 10-3 Ω·cm 내지 10-8 Ω·cm일 수 있다.
바람직하게는, 상기 전자 방출원은 전술하여 설명한 본 발명에 따른 보론 나이트라이드 나노 튜브 조성물로써 제조된 보론 나이트라이드 나노 튜브이다.
따라서, 상기 전자 방출원은 바람직하게는 비저항이 25℃에서 10-3 Ω·cm 내지 10-8 Ω·cm이다.
또한, 상기 전자 방출원에 있어서, 바람직하게는, 보론 나이트라이드 나노 튜브의 B 및 N의 함량비가 1 : 0.5 내지 1.5이다.
또한, 상기 전자 방출원에 있어서, 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브가 탄소를 더 포함할 수 있다. 상기 탄소의 함량은, 바람직하게는, 보론 100 질량부 대비 0.01 내지 100 질량부이다.
보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원은 캐소드 전극 위에 일반적인 탄소 나노 튜브 전자 방출원 제조시 사용되는 페이스트법을 적용할 수 있다. 이때, 탄소 나노 튜브 페이스트 조성물 대신, 본 발명에 따른 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 사용한다. 즉, 페이스트 형태의 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 캐소드 전극 위에 인쇄 및 소성하는 공정을 통하여 형성할 수 있다. 이때, 보론 나이트라이드 나노 튜브는 단일벽 및 다중벽 모두 사용하는 것이 가능하다.
예를 들면, 본 발명의 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원은 다음과 같이 제조될 수 있다. 먼저, 상기한 방법과 같이 제조된 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 캐소드 전극에 인쇄하여 후막을 형성하고, 이를 90 내지 110 ℃의 온도에서 10 분 내지 1 시간 동안 건조시킨다.
다음, 마스크를 사용하여 상기 후막을 노광한다. 이때, 노광 에너지는 100 내지 20,000 mJ/㎠인 것이 바람직하며, 원하는 막 두께에 따라 조절할 수 있다. 상기 노광된 막을 0.4 내지 5%의 탄산나트륨 수용액과 아세톤의 혼합용액, 또는 에탄올에서 현상하고, 초음파 클리너를 이용하여 잔사를 제거한다.
상기 현상막을 공기 및 질소 분위기 하에서 400 내지 500℃의 온도로 10 내지 30 분간 소성하여 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원을 제조한다. 상기 소성 온도가 400 ℃ 미만인 경우에는 유기물 성분이 제거되지 않고 글라스 프리트가 녹지 않을 수 있다는 문제점이 있어 바람직하지 않으며, 500 ℃를 초과하는 경우에는 캐소드 전극이 불안정해지는 문제점이 있어 바람직하지 않다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면들이다. 이하 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 제조방법을 도 1a 내지 도 1e를 참조하여 설명한다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 기판 (10) 위에 캐소드 전극 (11)을 형성한다. 상기 기판 (10)은 일반적으로 유리기판이 사용될 수 있다. 그리고, 상기 캐소드 전극 (11)은 투명한 도전성 물질, 예컨대 ITO (Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다.
구체적으로, 기판 (10) 상에 캐소드 전극층을 증착한 다음, 이를 소정 형상, 예컨대, 라인 형상으로 패터닝하여 캐소드 전극 (11)을 형성한다. 바람직하게는, 상기 캐소드 전극은 라인 형상이다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 캐소드 전극 (11) 위에 에미터를 적층하여 에미터층을 형성한다. 상기 에미터층으로 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원을 사용한다. 즉, 상기 페이스트 형태의 보론 나이트라이드 나노 튜브 조성물을 상기 캐소드 전극 (11) 위에 도포하여 에미터층을 형성한다.
상기 캐소드 전극 (11) 위에 에미터층을 형성한 후에는, 상기 에미터층을 소망하는 에미터 패턴에 따라 패터닝하여 에미터 (12)를 형성한다. 이러한 패터닝은 공지의 임의의 기술에 따라 행해질 수 있으며, 일례를 들어 설명하면, 다음과 같다.
투명기판 (10) 하부에 마스크 (미도시)를 정렬하고 상기 투명기판 (10)을 향해 UV를 조사한다. 상기 마스크에는 소망하는 에미터 패턴에 대응하는 패턴이 미리 형성되어 있다. 따라서, 상기 마스크를 통하여 UV를 조사하면, 상기 에미터층은 마스크의 패턴에 따라 감광된다. 마지막으로, 예컨대, 아세톤 등을 이용하여 상기 에미터층을 세척하면, 도 1b에 도시된 것과 같은, 전자 방출 소자용 에미터 (12)가 완성된다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 에미터 (12)가 형성된 기판 구조물의 표면에 상기 에미터 (12)를 매립하도록 감광성 유리 페이스트 (13a)를 도포한다. 이를 건조하여 얻어진 결과물을 후면 노광한다. 이로써, 에미터 상부에 존재하는 감광성 유리 페이스트는 노광되지 않은 영역으로 남아있게 되고, 나머지 부분의 감광성 유리 페이스트는 노광된 영역이 된다. 이때, 바람직하게는 200 내지 500 mJ/cm2의 강도로 노광시킨다.
감광성 유리 페이스트는 유리 분말 (glass powder), 감광성 수지 및 용제를 함유하는 페이스트상 조성물이다.
유리 분말의 구체예로서는 ① 산화납, 산화붕소, 산화규소, 산화칼슘 (PbO-B2O3-SiO2-CaO계) ② 산화아연, 산화붕소, 산화규소 (ZnO-B2O3-SiO2계) ③ 산화납, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄 (PbO-B2O3-SiO2-Al2O3계) ④ 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소 (PbO-ZnO-B2O3-SiO2) ⑤ 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화티탄 (PbO-ZnO-B2O3-SiO2-TiO2계) 등을 예시할 수 있다. 또한 이들 유리 분말에 예를 들면, 산화알루미늄, 산화크롬, 산화망간 등의 무기 산화물 화합물 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다.
상기 감광성 수지는 전자 방출원의 패터닝에 사용되는 물질로서, 이러한 감광성 수지의 구체적인 예로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 열분해성 아크릴레이트 계열의 모노머, 벤조페논계 모노머, 아세트페논계 모노머, 또는 티오크산톤계 모노머 등이 있으며, 보다 구체적으로는 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 2,4-디에틸옥산톤 (2,4-diethyloxanthone), 또는 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논을 사용할 수 있다.
상기 감광성 물질의 함량은 유리 분말 100 중량부를 기준으로 3 내지 7 중량 부일 수 있다. 감광성 수지의 함량이 유리 분말 100 중량부를 기준으로 3 중량부 미만인 경우에는 노광 감도가 떨어지고, 7 중량부를 초과하는 경우에는 현상이 잘 되지 않기 때문에 바람직하지 못하다.
상기 용제로는 부틸 카르비톨 아세테이트 (BCA), 터피네올 (TP), 톨루엔, 텍사놀 및 부틸 카르비톨 (BC)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물에서의 용제의 함유 비율로서는, 페이스트 조성물의 점도를 바람직한 범위로 유지하는 관점에서 유리 분말 100 중량부에 대하여 10 내지 20 중량부인 것이 바람직하다. 상기 범위의 용제의 함량으로써 인쇄 공정이 효율적으로 수행될 수 있도록 조절할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 감광성 유리 페이스트는 광개시제, 점도 개선제, 해상도 개선제, 분산제, 및 소포제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 더 포함할 수도 있다. 광개시제는 상기 감광성 수지가 노광될 때 감광성 수지의 가교결합을 개시하는 역할을 한다. 상기 광개시제의 비제한적인 예로는 벤조피논 등이 있다.
도 1c에서의 결과물을 노광시킨 후, 현상하면, 에미터 층 상부의 노광되지 않은 영역이 제거되고, 이를 450 내지 500 ℃의 온도에서 소성 및 경화시킴으로써, 도 1d에 도시된 바와 같이 게이트 절연층 (13b)을 형성한다.
본 발명에 따른 전자 방출 소자는, 상기 게이트 절연층 상면에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함함으로써, 3극 구조를 형성할 수 있다. 도 1e에 도시 된 바와 같이, 상기 게이트 절연층 (13b) 상에 게이트 전극 (14)을 형성한다. 게이트 전극 (14)은 상기 에미터 상부의 관통공에 대응하는 게이트홀을 가질 수 있으며, 소위 박막 공정인 금속 물질의 증착 및 패터닝 또는 후막 공정인 금속 페이스트의 스크린 프린팅 등에 의해 형성될 수 있다.
상기 전자 방출 소자는 다양한 전자 장치, 예를 들면, LCD (Liquid Crystal Display) 등의 백라이트 장치 등으로 사용되거나, 또는 전자 방출 디스플레이 장치에 사용될 수 있다.
본 발명은 본 발명에 따른 전자 방출 소자를 구비하고 있는 전자 방출형 백라이트 장치를 제공한다.
상기 백라이트 장치는 소정 간격으로 나란하게 배치된 상부기판 및 하부기판; 상기 상부기판에 형성된 애노드 전극; 상기 애노드 전극 상에 소정 두께로 형성된 형광층; 및 상기 상부 기판 및 상기 하부 기판 사이에 개재된 본 발명에 따른 전자 방출 소자를 포함한다.
상기 백라이트 장치의 작용을 설명하면, 먼저, 게이트 전극에 소정 전압을 인가하고, 애노드 전극에 소정의 전압을 인가하면, 전자 방출원으로부터 전자가 방출된다. 이렇게 방출된 전자는 애노드 전극을 향하여 진행되며, 형광층에 충돌한다. 이때 형광층으로부터 가시광선이 배출되며, 이 가시광선은 상부기판 및/또는 하부기판을 통과한다.
본 발명은 본 발명에 따른 전자 방출 소자를 구비하고 있는 전자 방출 디스플레이 장치를 제공한다.
도 2에는, 본 발명을 따르는 전자 방출 표시장치 중 탑 게이트형 전자 방출 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 보여주는 부분 사시도가 도시되어 있고, 도 3에는 도 2의 II-II 선을 따라 취한 단면도가 도시되어 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 것과 같이, 전자 방출 디스플레이 장치 (100)는 나란하게 배치되어 진공인 발광 공간 (103)을 형성하는 본 발명의 전자 방출 소자 (101) 및 전면 패널 (102)과, 상기 전자 방출 소자 (101) 및 전면 패널 (102) 사이의 간격을 유지하여 주는 스페이서 (60)를 구비한다.
상기 전자 방출 소자 (101)는, 제1 기판 (110), 상기 제1 기판 (110) 상에 교차되도록 배치된 게이트 전극 (140)들과 캐소드 전극 (120)들 및 상기 게이트 전극 (140)과 상기 캐소드 전극 (120) 사이에 배치되어 상기 게이트 전극 (140)과 상기 캐소드 전극 (120)을 전기적으로 절연하는 절연체층 (130)을 구비한다.
상기 게이트 전극 (140)들과 상기 캐소드 전극 (120)들이 교차하는 영역들에는 전자 방출원 홀 (131)들이 형성되어 있으며, 그 내부에 전자 방출원 (150)이 배치되어 있다.
상기 전면 패널 (102)은 제2기판(90), 상기 제2기판 (90)의 저면에 배치된 애노드 전극 (80), 상기 애노드 전극 (80)의 저면에 배치된 형광체층 (70)을 구비한다.
본 발명을 따르는 전자 방출 디스플레이 장치는 상기 도 2 및 도 3을 예로 들어 설명하였으나, 제2 절연체층 및/또는 집속전극을 더 포함하는 전자 방출 표시장치 등과 같은 다양한 변형예가 가능함은 물론이다.
이하, 하기의 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명의 범위가 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
터피네올 20g에 보론 나이트라이드 분말 2g, 바인더 폴리머 50g, In2O3 분말 15g, 글라스 프리트 10g, 분산제인 BYK111 3g을 첨가 및 교반하여 페이스트 상태의 전자 방출원 형성용 조성물을 제조하였다.
유리 기판 상에 ITO 캐소드 전극을 라인 패터닝하고, 여기에 상기 전자 방출원 형성용 조성물을 도포한 다음, 1000 mJ/cm2의 노광 에너지로 평행 노광기를 이용하여 조사하였다. 그 후, 아세톤을 이용하여 현상하여, 전자 방출원 형성 영역에 전자 방출원 형성용 조성물을 형성하였다.
상기 결과물에 감광성 유리 페이스트 조성물을 도포하고 건조하여 감광성 유리 페이스트층을 형성하였다. 이를 기판 후면에서 300 mJ/cm2의 노광 에너지로 (평행 노광기)를 이용하여 조사하였다. 알칼리 현상액으로서 카보네이트 나트륨염을 이용하여 현상하였고, 500 ℃의 온도 및 Air 가스 존재 하에서 열처리하여 게이트 절연층을 형성하였다.
상기 게이트 절연층 상에 (게이트 전극의 재료, 예를 들면, Cr) 게이트 전극을 형성하여 전자 방출 소자를 제조하였다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 일실시예에 따른 전자 방출 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2는 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 구성을 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 II-II 선을 따라 취한 단면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10: 기판 11: 캐소드 전극
12: 에미터 13a: 감광성 유리 페이스트층
13b: 게이트 절연층 14: 게이트 전극
70: 형광체층 80: 애노드 전극
90: 제2 기판 100: 전자 방출 디스플레이 장치
101: 전자 방출 소자 102: 전면 패널
103: 발광 공간 110: 제1 기판
120: 캐소드 전극 130: 제1 절연체층
140: 게이트 전극 150: 전자 방출원

Claims (18)

  1. 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말 100 중량부;
    글라스 프리트 500 내지 2000 중량부;
    필러 분말 1000 내지 2000 중량부;
    유기용매 2000 내지 4000 중량부; 및
    바인더 폴리머 4000 내지 6000 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브에 있어서, B 및 N의 함량비가 1 : 0.5 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브가 탄소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 탄소의 함량이 보론 100 질량부 대비 0.01 내지 100 질량부인 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 필러 분말이 Ag, Al2O3, In2O3 또는 SnO2인 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기용매가 터피네올, 부틸 카르비톨 아세테이트 또는 텍사놀인 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 바인더 폴리머가 MMA-MAA 또는 MMA-AA-PS인 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 점도 개선제, 레벨링 향상제, 분산제, 및 소포제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항에 따른 보론 나이트라이드 나노 튜브 페이스트 조성물을 인쇄 및 소성하는 공정을 통하여 형성된 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원.
  10. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 캐소드 전극;
    상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되도록 배치된 게이트 전극;
    상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극을 절연시키는 절연체층;
    상기 캐소드 전극의 일부를 노출시키는 전자 방출원 홀;
    상기 전자 방출원 홀에 구비되어 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결된 전자 방출원; 및
    상기 전자 방출원과 대향되는 형광체층을 포함하는 전자 방출 소자로서,
    상기 전자 방출원은 보론 나이트라이드 나노 튜브 분말 100 중량부, 글라스 프리트 500 내지 2000 중량부, 필러 분말 1000 내지 2000 중량부; 및 바인더 폴리머 4000 내지 6000 중량부를 포함하는 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전자 방출원은 비저항이 25℃에서 10-3 Ω·cm 내지 10-8 Ω·cm인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  12. 제10항에 있어서, 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브 전자 방출원에 있어서, 보론 나이트라이드 나노 튜브의 B 및 N의 함량비가 1 : 0.5 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  13. 제12항에 있어서, 상기 보론 나이트라이드 나노 튜브가 탄소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  14. 제13항에 있어서, 탄소의 함량이 보론 100 질량부 대비 0.01 내지 100 질량부인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  15. 제10항에 있어서, 상기 캐소드 전극은 기판에 나란한 방향으로 라인 패턴인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  16. 제10항에 있어서, 상기 게이트 절연층 상면에 형성된 게이트 전극을 더 포함하여 3극 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
  17. 제10항에 따른 전자 방출 소자를 구비하고 있는 전자 방출형 백라이트 장치.
  18. 제10항에 따른 전자 방출 소자를 구비하고 있는 전자 방출 디스플레이 장치.
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US12/193,524 US7855496B2 (en) 2007-11-01 2008-08-18 Boron nitride nanotube paste composition, electron emission source including the same, electron emission device including the electron emission source, and backlight unit and electron emission display device including the electron emission device
JP2008274785A JP2009117360A (ja) 2007-11-01 2008-10-24 ボロンナイトライドナノチューブペースト組成物、それを利用して製造された電子放出源、該電子放出源を含む電子放出素子、該電子放出素子を適用したバックライト装置及び電子放出ディスプレイ装置
CNA2008101710144A CN101425440A (zh) 2007-11-01 2008-10-31 氮化硼纳米管糊状合成物、电子发射器件和背光单元
EP08168023A EP2055682B1 (en) 2007-11-01 2008-10-31 Boron nitride nanotube paste composition, electron emission source including the same, electron emission device including the electron emission source, and backlight unit and electron emission display device including the electron emission device

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2451867A1 (de) * 2009-07-08 2012-05-16 Siemens AG Nanokomposit mit bornitrid-nanoröhrchen
CN103500597B (zh) * 2013-09-30 2016-02-03 广州市尤特新材料有限公司 一种基于功能化石墨烯的太阳能背铝浆料及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6231980B1 (en) * 1995-02-14 2001-05-15 The Regents Of The University Of California BX CY NZ nanotubes and nanoparticles
US6057637A (en) * 1996-09-13 2000-05-02 The Regents Of The University Of California Field emission electron source
US20010023021A1 (en) * 1997-11-25 2001-09-20 Cohen Marvin Lou BxCyNz nanotubes and nanoparticles
JP4409003B2 (ja) * 1998-09-24 2010-02-03 三星エスディアイ株式会社 フィールドエミッションディスプレイ用エレクトロンエミッタ組成物及びこれを利用したエレクトロンエミッタの製造方法
US6401526B1 (en) * 1999-12-10 2002-06-11 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotubes and methods of fabrication thereof using a liquid phase catalyst precursor
US6413487B1 (en) * 2000-06-02 2002-07-02 The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma Method and apparatus for producing carbon nanotubes
US7521851B2 (en) * 2003-03-24 2009-04-21 Zhidan L Tolt Electron emitting composite based on regulated nano-structures and a cold electron source using the composite
KR20060037878A (ko) * 2004-10-29 2006-05-03 삼성에스디아이 주식회사 전자방출 표시장치
KR101082437B1 (ko) * 2005-03-02 2011-11-11 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출원, 그 제조방법 및 이를 채용한 전자 방출 소자
JP2007095409A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Ngk Insulators Ltd 電子放出素子、及び電子放出素子の製造方法
KR20070046614A (ko) * 2005-10-31 2007-05-03 삼성에스디아이 주식회사 절연체층 또는 전자 방출원 형성용 조성물, 이로부터 얻은절연체층 또는 전자 방출원 및 이들을 구비한 전자 방출소자
US7556788B2 (en) * 2007-10-05 2009-07-07 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing boron carbon nanorods

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