JP2000094696A - インクジェットヘッド及びその作製方法 - Google Patents

インクジェットヘッド及びその作製方法

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oxide film
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Hidekazu Ota
英一 太田
Makoto Tanaka
田中  誠
Koji Nomura
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 インクジェットヘッドにおける振動板と対向
電極間の微小ギャップを均一にかつ量産できる構造及び
作製方法を提供する。 【解決手段】 振動板を形成した基板と、凹部を有しか
つ該凹部による空隙を隔てて該振動板に対向する位置に
設けられた電極を備えた電極基板とを有し、前記電極と
振動板の間に働く静電力によって振動板を変形せしめ、
記録体を被記録体に吐出するインクジェットヘッドにお
いて、前記電極を形成する半導体基板の特定部位を選択
的に酸化して熱酸化膜22を形成し、その後熱酸化膜2
2を除去して凹部2を形成する。熱酸化膜22はその膜
厚制御が非常に良好に制御できるため均一なギャップを
提供する凹部を容易に作製でき、しかも量産に適する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェットヘ
ッド、例えば、静電型の駆動原理を併用したインクジェ
ットヘッド及びその作製方法に関するものである。本発
明は静電型インクジェットヘッドの振動板、例えば、カ
ラープリント等の高画質印刷,マイクロポンプ,圧力セ
ンサ等の振動板として利用可能である。
【0002】
【従来の技術】オンデマンド型インクジェットヘッドと
しては、液室の壁の一部を薄い振動板にしておき、ここ
に電気機械変換素子として圧電素子を設け、電圧印加に
伴って発生する圧電素子の変形で前記振動板を変形せし
め、液室の圧力を変化させインクを吐出する方式(ピエ
ゾオンデマンド型)、液室内部に発熱体素子を設け、通
電による発熱体の加熱によって気泡を発生せしめ、気泡
の圧力によってインクを吐出する方式(バブルジェット
方式)が広く一般に知られている。これらの方式には、
低コスト化,小型化,高密度化,高速化,高画質化等の
課題があり、これら課題を解決するものとして、静電型
インクジェットが提案されている。静電型インクジェッ
トは液室に設けた薄い振動板を静電力で変形させ、その
変形によって液室の圧力を上昇させてインクを吐出させ
るものである。この点を特許公開公報を参照して具体的
に説明する。
【0003】特開平5−50601号公報には、シリコ
ンからなる小基板に、ノズル,吐出室,インクキャビテ
ィ及び振動板をエッチングにて形成し、インク供給口を
有する上基板と、前記振動板に対向して電極を設けた下
基板とを一体化してヘッドを構成したものが記載されて
いる。これは振動板と電極間に電界を印加して、前記の
原理でインクを吐出させるものである。また、特開平6
−71882号公報には、小型高密度で低電圧駆動を目
的として、振動板と電極の間隔(ギャップ)を0.05
μ〜2.0μに規定したインクジェットヘッドが記載さ
れている。さらに、振動板と電極の間隔を保持する手段
として、基板自体をエッチングして得られる振動基板あ
るいは電極基板上の凹部、SiO2膜あるいはホウケイ
酸ガラス膜を形成し、その一部をエッチングして得られ
る凹部を開示している。しかし、このようなギャップの
形成方法では、微小ギャップを数ミリの長さにわたって
均一に、しかも複数個をバラツキなく量産することは難
しい。また、Si基板あるいガラス基板自体をエッチン
グする方法ではエッチング深さでギャップが決定され
る。エッチング深さはエッチング時間でコントロールす
るためエッチャントの温度,濃度の変動,時間の変動に
よってバラツクことになる。SiO2膜あるいはホウケ
イ酸ガラス膜を形成し、その一部をエッチングする方法
でもエッチング時間でコントロールするためバラツキは
上記と同様に大きくなる。
【0004】さらにガラス基板の場合には、潜傷(ガラ
ス研磨時に入る目視できない微小キズ)に起因した大き
なヘコミが発生してしまう。また、電極,保護膜を薄膜
プロセスで形成した場合(従来例に開示)にはその表面
性が悪く(表面の凹凸が約2000Å程度できる)、と
ても均一なギャップとは言い難くなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
例で説明したような微小ギャップ形成の問題点を解決
し、かつ、量産に適したヘッド構成を与えることにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、記録
体を吐出する吐出口と、記録体に圧力を加える加圧液室
と、加圧液室の一部を構成する振動板を形成した基板
と、凹部を有しかつ該凹部による空隙を隔てて該振動板
に対向する位置に設けられた電極を備えた電極基板とを
有し、前記電極と振動板の間に働く静電力によって振動
板を変形せしめ、記録体を被記録体に吐出するインクジ
ェットヘッドにおいて、前記凹部は、前記電極を形成す
る半導体基板の特定部位を選択的に酸化して酸化膜を形
成し、その後該酸化膜を除去して形成されたインクジェ
ットヘッドである。
【0007】請求項2の発明は、記録体を吐出する吐出
口と、凹部を有しかつ記録体に圧力を加える加圧液室と
加圧液室の一部を構成する振動板を形成した基板と、前
記凹部による空隙をおいて該振動板に対向する位置に設
けられた電極を備えた電極基板を有し、前記振動板の前
記電極との間に働く静電力によって振動板を変形せし
め、記録体を被記録体に吐出するインクジェットヘッド
において、前記凹部は、前記振動板を形成する半導体基
板の特定部位を選択的に酸化して酸化膜を形成し、その
後該酸化膜を除去して形成されたインクジェットヘッド
である。
【0008】請求項3の発明は、請求項1又は2に記載
されたインクジェットヘッドにおいて、酸化膜は熱酸化
膜でありその膜厚が0.1〜7μであるインクジェット
ヘッドである。
【0009】請求項4の発明は、請求項1又は3に記載
されたインクジェットヘッドにおいて、前記電極が前記
凹部の内側にn型あるいはp型不純物拡散層で形成され
たインクジェットヘッドである。
【0010】請求項5の発明は、請求項4に記載された
インクジェットヘッドにおいて、前記半導体基板の特定
部位を選択的に酸化する際に使用するマスク層は、前記
n型あるいはp型不純物拡散層を形成する際のマスクと
しても使用するものであるインクジェットヘッドであ
る。
【0011】請求項6の発明は、請求項1,3乃至5の
いずれかに記載されたインクジェットヘッドにおいて、
前記電極基板に酸化膜又は窒化膜を形成し、該酸化膜又
は窒化膜は、電極の保護層及び振動板基板との接合層の
機能を兼ね備えているインクジェットヘッドである。
【0012】請求項7の発明は、請求項6に記載された
インクジェットヘッドにおいて、前記酸化膜又は窒化膜
の膜厚が0.05〜0.5μmであるインクジェットヘッ
ドである。
【0013】請求項8の発明は、請求項1,3乃至5の
いずれかに記載されたインクジェットヘッドにおいて、
前記電極基板に酸化膜と窒化膜との積層膜を形成し、該
積層膜は電極の保護層及び振動板基板との接合層との機
能を兼ね備えているインクジェットヘッドである。
【0014】請求項9の発明は、請求項2又は3に記載
されたインクジェットヘッドにおいて、前記振動板がp
型不純物拡散層であるインクジェットヘッドである。
【0015】請求項10の発明は、請求項9に記載され
たインクジェットヘッドにおいて、前記p型不純物拡散
層の拡散領域が振動板となる領域に限定されているイン
クジェットヘッドである。
【0016】請求項11の発明は、請求項2又は3に記
載されたインクジェットヘッドにおいて、前記振動板が
n型不純物拡散層であるインクジェットヘッドである。
【0017】請求項12の発明は、請求項11に記載さ
れたインクジェットヘッドにおいて、前記n型不純物拡
散層の拡散領域が振動板となる領域に限定されているイ
ンクジェットヘッドである。
【0018】請求項13の発明は、請求項12に記載さ
れたインクジェットヘッドにおいて、前記n型不純物拡
散層は、前記半導体基板である振動板基板の特定部位を
選択的に酸化する際に使用するマスク層を使用して形成
されたものである、インクジェットヘッドである。
【0019】請求項14の発明は、請求項1記載された
凹部を形成した前記電極基板と振動板基板とを貼り合わ
せ、その後前記振動板基板に振動板を作製するインクジ
ェットヘッドの作製方法である。
【0020】請求項15の発明は、請求項2に記載され
た凹部を形成した振動板基板と電極基板を貼り合わせ、
その後振動板基板に振動板を作製するインクジェットヘ
ッドの作製方法である。
【0021】請求項16の発明は、請求項1に記載され
た凹部が形成された電極基板と、振動板が形成された振
動板基板とを貼り合わせるインクジェットヘッドの作製
方法である。
【0022】請求項17の発明は、請求項2に記載され
た凹部が形成されかつ振動板が形成された振動板基板
と、電極基板とを貼り合わせるインクジェットヘッドの
作製方法である。
【0023】
【発明の実施の形態】(請求項1の発明)図1は、本発
明によるインクジェットヘッドを概略的に示す図であ
り、図1(A)は図1(B)のA−A′線に沿った断面
図、図1(B)は平面図である。図1を参考に本発明の
インクジェットヘッドの構成及び動作を説明する。本発
明のインクジェットヘッドにおいては、電極基板1の上
には、後述するように、上部基板上の振動板6と電極3
との間隔Gを保持するための凹部2及び電極3,保護層
4が形成されている。電極基板1の上には振動板6,加
圧液室7,流路8,共通液室9が設けられた振動板基板
5が接合され、さらに、その上に吐出口10及び流入口
11とが形成された上基板12が接合されている。この
構成により、振動板6と電極3間に電界を印加して振動
板を静電力で変形させておき、電界を切って変形した振
動板が復元するときの復元力によって、加圧液室7内の
圧力を上昇させてインクを吐出口から吐出させる。とこ
ろで、振動板6の変形量を決める因子で重要なのは、振
動板6と電極3の間隔Gであり、間隔がバラつけばイン
クの噴射特性は直接的に変化することになる。さらに、
電極や保護膜の表面が悪い(表面荒さが荒い)場合に
は、その表面の突起部に電界が集中し振動板の局部的な
変形を引き起こしてしまう。また、保護層4の膜質が悪
い場合には、振動板6が保護層に当接した場合に比較的
低い電圧でも絶縁破壊が起こる、或いは、電極との界面
状態が悪いと電荷の蓄積が起こり、残留電荷が発生し振
動板の変位応答に遅れが生じることになる。本発明は、
以上の問題点を解決するためになされたものである。
【0024】図2は、本願の第1の発明である、振動板
6と電極3との間隔(ギャップ)Gを保持するための凹
部2の形成工程を説明するための図である。先ず電極基
板1の表面にバッファー酸化膜20,窒化膜21を形成
する。その上にフォトリソにより凹部2に対応するパタ
ーンのレジスト開口部を形成し、窒化膜21,バッファ
ー酸化膜20を順次除去し酸化領域22とした(窒化膜
21,バッファー酸化膜20の残っている部分は酸化の
マスク層として作用する)。この時、電極基板1として
は片面を鏡面研磨した厚さ525μのSi(100)基
板を使用した。基板の面方位及び板厚は特に限定される
ものではない。
【0025】Si基板を酸素及び水蒸気雰囲気中で11
00℃の熱酸化処理を行い、酸化領域22に酸化膜23
を形成した。酸化膜の成長速度は雰囲気,酸化温度によ
っても異なるが、約4時間で1μmの酸化膜を形成し
た。次に、HF系エッチャントによるウエットエッチン
グあるいはF系エッチャントガスによるドライエッチン
グによって酸化膜のみを選択的にエッチングし振動板と
のギャップを保持するための凹部2が完成した。本発明
による凹部2の加工精度は形成される酸化膜23の膜
厚、正確にはSi基板を消費しながら、Si基板側に成
長した酸化膜の厚さ精度によって決定されることにな
る。一般に熱酸化膜の膜厚は非常に精度良く制御(±3
%程度)できるために、単純にSiをエッチングして凹
部を形成する従来法に比べて、格段に加工精度,再現
性,バラツキ等が向上できる。さらに、Si基板を消費
しながら基板側に成長する酸化膜の厚さは、酸化膜全体
の厚さの約44%になることが原理的に補償されてお
り、所望の深さの凹部2が得られるようなプロセス条件
を容易に決定できることも本発明の利点の一つである。
【0026】(請求項2の発明)図3は、本願の第2の
発明、すなわち、振動板と電極との間隔(ギャップ)G
を保持するための凹部を振動板基板側に作製する工程を
説明するための図である。まず、振動板基板5の表面に
バッファー酸化膜50、窒化膜51を形成する。その上
にフォトリソ凹部55に対応するパターンのレジスト開
口部を形成し、窒化膜51、バッファー酸化膜50を順
次除去し酸化領域52とした(窒化膜51、バッファー
酸化膜50の残っている部分は酸化のマスク層として作
用する)。この時、振動板基板5としては、両面を鏡面
研磨した厚さ400μのSi(110)基板を使用し
た。基板の板厚は特に限定されるものではないが、高密
度のノズル配置を実現するためには面方位は(110)
を使用した方がよい。
【0027】Si基板を酸素及び水蒸気雰囲気中で11
00℃の熱酸化処理を行い、酸化領域52に酸化膜53
を形成した。酸化膜の成長速度は雰囲気,酸化温度によ
っても異なるが、約4時間で1μmの酸化膜を形成し
た。次に、HF系エッチャントによるウエットエッチン
グあるいはF系エッチャントガスによるドライエッチン
グによって酸化膜のみを選択的にエッチングし、振動板
とギャップを保持するための凹部55を完成する。本発
明による凹部55の加工精度は形成される酸化膜53の
膜厚、正確にはSi基板を消費しながら、Si基板側に
成長した酸化膜の厚さ精度によって決定されることにな
る。既に述べたように、一般に熱酸化膜の膜厚は非常に
精度良く制御(±3%程度)できるために、単純にSi
をエッチングして凹部を形成する従来法に比べて、格段
に加工精度,再現性,バラツキ等が向上できる。
【0028】(請求項3の発明)本願の第3の発明は、
前述した酸化領域22及び52に形成する酸化膜23及
び53の厚さに関するものである。本願の静電型ヘッド
で発生される静電力は下式で表現される。 f=1/2・ε0・(v/t)2 ここで、ε0:真空の誘電率,V:印加電圧,t:ギャ
ップ長,f:静電力である。従って、静電力を大きくす
るためにはギャップ長を小さくすればよい。しかしなが
ら、小さすぎると静電力が強すぎて、インクを吐出する
のに必要な振動板の変位が得られる前に、振動板が電極
に当接してしまうという問題が起こる。この観点から
0.04μm程度がギャップの下限であることが明らか
となった。本発明の場合は、Si基板を消費しながら基
板側に成長する酸化膜の厚さは、酸化膜全体の厚さの約
44%になることが原理的に保証されているため、この
関係より酸化膜全体の厚さを求めたところ、酸化膜23
及び53の厚さの下限は約0.1μmとなった。さら
に、酸化膜厚が厚すぎた場合には、酸化膜形成時間がか
かりすぎ、量産に支障をきたす、また、膜の応力が大き
くなりすぎて基板の緒欠陥を誘発しエッチングに支障を
きたす等の問題が発生する。この観点から酸化膜厚の上
限は約7μmであった。
【0029】(請求項4の発明)図4及び図1(B)に
て本願の第4の発明を説明する。ここで、図4は、振動
板と電極の間隔(ギャップ)Gを保持するための凹部を
振動板基板側に作製する工程を説明する図である。図1
(B)に示したように、電極3は横方向に隣接して配置
されている。電極3は不純物拡散層で形成されており、
電極基板1がp型半導体の場合は、n型不純物拡散層
を、また、電極基板1がn型半導板の場合は、p型不純
物拡散層を形成し電極3とする。隣接するビットに対し
同時にその電極3に駆動電圧を印加すると、不純物拡散
層から基板側に空乏層が広がり、印加電圧及び基板の不
純物拡散量によっては隣接ビットの電極に空乏層が達し
ビット間にリークが生じてしまう。本発明者の試算で
は、基板濃度1E15cm−3で印加電圧が150Vの
場合、空乏層の巾は約10〜15μmにも達する。この
ビット間リークは、隣接ビットを同時に駆動した場合に
より顕著になるのは言うまでもない。また、不純物拡散
層を形成する際に、不純物は深さ方向だけではなく横方
向にも拡散し広がるために、ビット間距離が短くなりビ
ット間リークはさらに厳しい状況となる。
【0030】本発明者は、この問題を解決するために、
図4に示すように、電極3となる不純物拡散層を凹部2
の内側に形成する構成に至った。少なくとも図4に示す
バーズウィークの端部より内側に形成した。図4に従っ
て工程を説明するが、凹部2を形成するまでの工程(図
4(A)〜図4(D)参照)は、図2に示したそれと同
様であるのでここでは説明を省略する。凹部2の上にレ
ジスト層24をスピンコートし電極3に対応した開口パ
ターンを形成する。次に、イオン注入によってP原子
(あるいはAs原子)をエネルギー70KeV,Dos
e量5E215の条件で注入した。レジスト層24を除
去後、1000℃、60分で活性化することにより、電
極3となる不純物拡散層が形成される。以上はp型半導
体基板の場合を例に説明したが、n型半導体基板の場合
には注入するイオン種をB,Sb等にすればよい。ま
た、電極3は不純物拡散層である必要は必ずしもなく、
絶縁層上に形成した耐熱性(500℃以上)導電体、例
えば、W,Ta等メタルやTiN等窒化膜が使用でき
る。
【0031】(請求項5の発明)図5により、第5の発
明を説明する。ここで、図5は振動板と電極との間隔
(ギャップ)Gを保持するための凹部の形成工程を説明
するための図である。まず、電極基板1の表面にバッフ
ァー酸化膜20,窒化膜21を形成する。その上にフォ
トリソにより凹部2に対応するパターンのレジスト開口
部を形成し、窒化膜21,バッファー酸化膜20を順次
除去し酸化領域22とした。電極基板1としては、片面
を鏡面研磨した厚さ525μのSi(100)基板を使
用した。基板の面方位及び板厚は特に限定されるもので
はない。該Si基板を酸素及び水蒸気雰囲気中で110
0℃の熱酸化処理を行い、酸化領域22に酸化膜23を
形成した。酸化膜の成長速度は雰囲気,酸化温度によっ
ても異なるが、約4時間で1μmの酸化膜を形成した。
次に、HFエッチャントによるウエットエッチングある
いはF系エッチャントガスによるドライエッチングによ
って酸化膜23のみを選択的にエッチングし、振動板と
のギャップを保持するための凹部2が完成する。次に、
そのままの状態で、すなわち酸化マスク層であるバッフ
ァー酸化膜20及び窒化膜21をイオン注入時のマスク
として使用してセルフアライン的に、表面から注入を行
い電極3となる不純物拡散層とする。こうすることで、
注入用のマスクを改めて作製する必要がなく、工程が簡
略化できコストの低減が図れる。
【0032】(請求項6の発明)図6は本願第6の発明
の構成を説明するための図であって、保護層兼接合層と
なる酸化膜あるいは窒化膜を形成した電極基板及び電極
基板と振動板基板とを接合した状態を示す。図中、凹部
2の内側に電極3を形成した電極基板1の表面全体に、
後述するように保護層兼接合層となる酸化膜あるいは窒
化膜40を形成する。次に振動板6と加圧液室7を作製
した振動板5と該電極基板1を酸化膜あるいは窒化膜4
0を介して貼り合わせ(接合)する。ここで、酸化膜あ
るいは窒化膜40について具体的に説明する。上記両基
板1,5ともSi基板であるために貼り合わせにはSi
−Siの直接接合技術を使用することが必要となる。通
常,Si−Siの直接接合はSiウエハー同士をプリボ
ンドしてからN2雰囲気中、1100℃程度の高温下で
アニールして行うが、本発明の静電型ヘッドでは、電極
3に不純物拡散層あるいはチタンシリサイド等の高融点
金属を使用するため1100℃の高温下では変質してし
まう。従って、少なくとも800℃以下のアニール条件
で貼り合わせ可能な構成が必要である。図6に示すよう
に、Siの接合界面に酸化膜あるいは窒化膜40を挿入
しかつ少なくともプリボンドを真中で行い、接合界面に
雰囲気ガスが混入することを防止することで上記要件を
達成できる。以下具体的に説明する。
【0033】表面全面に酸化膜あるいは窒化膜40を形
成して電極基板1と振動板基板5をアンモニア−過酸水
素水の混液あるいは硫酸−過酸化水素水の混液で洗浄
し、表面をOH基板で被覆した状態にする。この段階で
酸化膜あるいは窒化膜40はOH基の好適な吸着サイト
を提供する役目を果たす。次に、両基板のアラインを行
った後、真空中で両基板を圧力をかけながら当接させ、
OH基同士の水素結合を利用してプリボンドし、さらに
真空あるいは大気雰囲気中で800℃で1時間アニール
することで、ボイドなく強固な接合状態が実現できる。
また、アニール時に両基板に電圧を印加し静電力を利用
して圧力を付加することは接合の低温化にはより効果が
ある。
【0034】接合強度に関しては、通常のSi−Siウ
エハー同士の接合で実現されている原子オーダーでの非
常に強固な接合状態は、本発明の場合には必ずしも必要
なく、むしろ、ボイドがないことが第一の必要要件にな
る。さらに、本構成のもう一つの利点は電極基板1の表
面全体に形成した酸化膜あるいは窒化膜40が電極3の
表面保護層としても機能していることにある。保護層が
ないと振動板が変形しすぎて電極と接した場合あるいは
ギャップに異物があった場合にはショートが発生しビッ
トは破損してしまう。従って、表面全体に形成した酸化
膜あるいは窒化膜40は直接接合時の接合性を高め、か
つ、電極の保護層をも兼ねる好適な構成である。
【0035】(請求項7の発明)本願の第7の発明は、
前記酸化膜又は窒化膜の膜厚に関するものである。酸化
膜又は窒化膜は電極保護層の機能も果たすので、駆動電
圧が35Vの場合は少なくとも0.05μm以上の膜厚
が必要である。逆に酸化膜又は窒化膜が厚過ぎると貼り
合わせ時の、諸問題((ア)酸化膜又は窒化膜が厚過ぎ
ると基板に反りが発生しボイドの原因となる、(イ)酸
化膜又は窒化膜が厚過ぎると酸化膜又は窒化膜とSiの
熱膨張差が無視できなくなり、振動板の変位を阻害する
ような余分なストレス)が発生し、静電ヘッドの特性を
著しく損うことになる。この観点から酸化膜又は窒化膜
の膜厚は0.05〜0.5μmが実用化に支障のない範囲
であるが、上記の両観点と酸化膜又は窒化膜の絶縁耐圧
及びストレスのプロセスマージン,量産コスト,歩留ま
り等を考慮すると、前記酸化膜又は窒化膜の膜厚は0.
07〜0.4μmがさらに好適な範囲である。
【0036】(請求項8の発明)本願の第8の発明は、
電極保護層兼接合層の構成に関するものである。説明は
図6についての説明で代用するが、保護層兼接合層40
を酸化膜と窒化膜との積層体とすることで絶縁耐圧及び
耐環境性(特に高湿度環境に対する)が単層の時よりも
向上し、使用環境に強いヘッドが得られる。酸化膜及び
窒化膜の膜圧はそれぞれ500〜2000Å及び500
〜1000Åである。作製方法は酸化膜の場合には通常
の熱酸化法、各種CVD法が適用でき、窒化膜は熱CV
D法P−CVD法が適用できるがこれらに限定されるも
のではない。
【0037】(請求項9の発明)本願の第9の発明は、
振動板作製方法及びその構成に関するものである。図7
は振動板の作製工程を説明するための図である。図7に
従って前記発明を説明する。ここで、ギャップを保持す
るための凹部55を作製するまで(図7(A)〜図7
(D))は、請求項2の発明に関連して説明した工程と
同様なのでここでは説明を省略する。凹部55が形成さ
れた振動板基板5の裏面全面にp型不純物拡散層である
B拡散層56を形成する。このB拡散層56はSiの異
方性エッチングを行って振動板57を形成するときのエ
ッチングストップ層の機能をにない、これにより振動板
の膜厚をバラツキなく均一に作製することができる。
【0038】B拡散層56の形成は、通常の不純物拡散
法によるが、気相拡散の場合には以下の条件で行う。拡
散炉に基板5をセットし、N2をキャリアガスとしてB
Br3蒸気とO2を導入し、1100℃において所定時間
ボロンデポを行い、次に、酸素雰囲気中で活性化を行い
B拡散層56を形成した。また、イオン注入によっても
形成することができる。加速電圧100KeVで注入し
1000℃でドライブインしてB拡散層56を形成し
た。Bの濃度は1E20cm3以上、B拡散層56の厚
さは1〜10μmになるように作製した。特にB濃度が
高く、ドープ深さが深い(振動板が厚い)場合にはイオ
ン注入法により気相拡散あるいはB23のスピンコート
あるいはBN板を使用した個相拡散法の方が適してい
る。
【0039】次に、上面のマスク層54に振動板57に
相当するパターンを開口し、アルカリ異方性エッチング
を行う。エッチング液としては、KOH水溶液(濃度1
0〜30wt%)を使用し、温度80℃〜90℃でエッ
チンクした。アルカリエッチングにおけるSiのエッチ
ングレイトはB濃度依存性を示し、通常のSi基板(中
抵抗基板程度)では1〜2μm/minであるのに対し
てB高濃度領域では0.01μm/min程度まで低下
する。従って、エッチングがB拡散層56に達すると、
実質上エッチンクの進行が自発的に停止した状態となっ
て振動板の厚さが均一に作製できる。エッチング液はE
DP液(エチレンジアミンピロテカテコール)が使用が
できる。
【0040】(請求項10の発明)本願の第10の発明
は、振動板の構成に関する別の発明である。前項ではB
拡散層は全面であったが、本発明では振動板となる領域
にのみ拡散領域を作製するものである。他の構成は、請
求項9の発明に関連して説明したものと同様なので説明
は省略する。高B拡散層は非常に内部応力が高く、全面
に拡散層を作製すると基板自体に反りが発生し、電極基
板と直接接合する際にボイドの発生原因になる。そこで
振動板となる領域にのみB拡散領域を作製すれば、スト
レスはその領域にのみ限定されるため基板全体の反りを
回避することができる。この構成は、図3に示すよう
に、振動板基板側にギャップ保持の凹部55が設けられ
た構成においても、振動板基板がフラットな場合(電極
基板側に凹部2が形成されている場合)にも適用可能で
ある。但し、図8に示す振動板の作製工程のように、振
動板基板側にギャップ保持の凹部55が設けられた構成
の場合には、酸化領域52のマスク層をそのままBドー
プマスクとしても使用できるため、そのメリットは大き
い。
【0041】(請求項11の発明)本願の第11の発明
は、振動板の構成に関する別の発明であり、振動板の作
製工程を示す図9に従って説明する。ギャップを保持す
るための凹部55を作製するまでは、請求項2の発明と
関連して説明したものと同様なのでここでは省略する。
凹部55の形成された振動板基板5の裏面全面にn型不
純物拡散層であるP拡散層66を形成する。このP拡散
層66はSiの電気化学的異方性エッチング(ECE
法)を行って振動板57を形成するときのエッチングス
トップ層の機能をにない、これにより振動板57の膜厚
をバラツキ少なく均一に作製することができる。P拡散
層66の形成は通常の不純物拡散法によるが、気相拡散
の場合には以下の条件で行う。即ち、拡散炉に基板5を
セットし、N2をキャリアガスとしてPH3と蒸気とO2
を導入し、1100℃において所定時間ボロンデポを行
い、次に、酸素雰囲気中で活性化を行い、P拡散層66
を形成した。また、イオン注入によっても形成すること
ができる。加速電圧100KeVで注入し1000℃で
ドライブインしてP拡散層66を形成した。Pの濃度は
1E18cm3以上、P拡散層66の厚さは1〜10μ
mになるように作製した。特に、P濃度が高く、ドープ
深さが深い(振動板が厚い)場合には、イオン注入法に
より気相拡散あるいはP25のスピンコートあるいはリ
ン拡散ソースを使用した固相拡散法の方が適している。
【0042】次に、上面のマスク層54に振動板57に
相当するパターンを開口し、ECEエッチングを実施す
る。ECE法とは、P型基板とP拡散層66(すなわち
n型不純物層)とに逆バイアスの電圧を印加しながら、
アルカリ性エッチングを行う方法であり、p型半導体と
n型半導体の酸化ポテンシャルの差を利用して、エッチ
ングが進行してn型不純物層がエッチャントにさらされ
たときに、n型不純物層表面に酸化膜が形成されてエッ
チングが自発的にストップする方法である。エッチング
液としては、KOH水溶液(濃度10〜45wt%)を
使用し、温度80℃〜90℃でエッチングして、逆バイ
アスは1〜4Vであった。
【0043】(請求項12の発明)本願の第12の発明
は、振動板の構成に関する別の発明である。前項ではP
拡散層66は全面であったが、本発明では振動板となる
領域にのみ拡散領域56を作製するものである。ECE
法の基本はpnジャンクションが正常にできていること
が前提であり、もし、ジャンクションにリーク電流が流
れると、n層に到着する前にp層で酸化反応が起こり、
エッチングがストップしてしまう。pnジャンクション
の欠陥は接合面積が広くなると指数的に増加し、ウエハ
ー全面にn型不純物拡散層を無欠陥で作製することは非
常に難しい。従って、振動板となる領域にのみn型拡散
領域を作製すれば、pnジャンクションはその領域にの
み限定されるため、歩留まりは飛躍的に増大する。この
構成は、図3に示すように、振動板基板側にギャップ保
持の凹部55が設けられた構成にも、振動板基板がフラ
ットな場合(電極基板側に凹部2が形成されている場
合)にも適用可能である。
【0044】(請求項13の発明)本願の第13の発明
は、振動板の構成に関する別の発明であり、図10はそ
の振動板の作製工程を示す。図10に示すように、振動
板基板側にギャップ保持の凹部55が設けられた構成の
場合には、酸化領域52のマスク層をそのまリンドープ
のマスクとしても使用できるため、pnジャンクション
はその領域にのみ限定されるため、歩留まりは飛躍的に
増大する。リンドープがセルアラインで作製できること
はフォトリソ工程を省けるためにそのメリットは非常に
大きく、コスト低減が図れる。
【0045】(請求項14,15の発明)本発明は、ヘ
ッドの全体工程に関するものである。図11は電極基板
及び振動板基板を接合させる工程及び接合した状態で振
動板を形成する工程を説明するための図である。図示の
ように、電極基板1と振動板基板5とを貼り合わせてか
ら、マスク層を施した振動板基板を外方からエッチング
を行うことにより、振動板を作製する工程にしたもので
ある。このような工程を採ることで、貼り合わせ時に振
動板基板5は通常のウエハーと同様、バルク体としてハ
ンドリングでき損傷することが少なくなり、歩留まりす
なわちコストが低減できる。また、貼り合わせ時には、
800℃程度の高温下にさらされるため、その熱による
振動板の変形あるいは接合時に加わる圧力による振動板
の変形の可能性が低くでき、安定したアクチュエータの
振動特性が得られる。
【0046】(請求項16,17の発明)本発明は、ヘ
ッドの全体工程に関するものである。図12は振動板を
形成した振動板基板と電極基板とを接合する工程を説明
するための図である。図示のように、振動板6を形成し
てから電極基板1と貼り合わせる工程にしたものであ
る。図12のギャップ維持用凹部2の内部には電極3が
設置されており、引き出し電極として振動板基板5より
外側に配置されなければならない。このため、凹部2の
空間はクローズ系ではなく、必ず外気と接しているオー
プン系になっている。従って、図11のように、電極基
板1と振動板基板5とを貼り合せてから振動板を作製す
る工程にすると、エッチャントが凹部2の空間に入り込
んで電極3及び酸化膜44を侵すことになる。また、こ
れを防ぐために開口部をシールするエッチング治具を使
用した場合には、治具への基板のセットがあり、スルー
プットが低下する。図11に示す工程は、上述した問題
点を解決することができる。
【0047】
【発明の効果】請求項1,2に対応する効果:振動板と
対向電極との間隔(ギャップ)を保持する手段が、電極
基板の特定部位を選択的に酸化した後、この酸化膜を除
去して形成される凹部とすることで、ギャップの加工精
度,再現性,バラツキ等を向上することができる。ま
た、所望の深さの凹部が得られるようなプロセス条件を
容易に決定することができる。
【0048】請求項3に対応する効果:酸化膜が熱酸化
膜であり、その膜厚を0.1〜7μとすることで、比較
的低い駆動電圧で安定に駆動可能な静電型ヘッドが実現
できる。また、量産時の酸化工程のスループットが向上
する。
【0049】請求項4に対応する効果:電極が前記凹部
の内側にn型あるいはp型不純物層で形成したため、ビ
ット間リークの起こる可能性を低減できる。
【0050】請求項5に対応する効果:半導体基板の特
定部位を選択的に酸化する際に使用するマスク層を、不
純物層を形成する際のマスクとしても使用するため、フ
ォトリソ工程を簡略化でき低コスト化が図れる。
【0051】請求項6に対応する効果:酸化膜は電極の
保護層及び、該保護層と振動板基板との接合層の機能を
兼ね備えているために、実用上支障のない接合強度が得
られと共に、ビットのショート確率を減少することもで
きる。
【0052】請求項7に対応する効果:前記酸化膜の膜
厚が0.05〜0.5μmであるため、実用上支障のない
耐圧とボイドのない接合を実現することができる。
【0053】請求項8に対応する効果:電極基板に酸化
膜と窒化膜との積層体を形成し、該積層膜は電極の保護
層及び振動板基板との接合層の機能を兼ね備えているた
め、実用上支障のない接合強度が得られると共に、ビッ
トのショート確率も減少することができる。
【0054】請求項9に対応する効果:振動板がp型不
純物拡散層であることで、振動板の膜厚にバラツキがな
く、均一に作製することができる。
【0055】請求項10に対応する効果:振動板がp型
不純物拡散層であり、拡散領域が振動板となる領域に限
定されているため、接合時のボイドの発生を防止するこ
とができる。
【0056】請求項11に対応する効果:前記振動板が
n型不純物拡散層であるため、振動板の膜厚のバラツキ
がなく、均一に作製することができる。
【0057】請求項12に対応する効果:振動板がn型
不純物拡散層であり、拡散領域が振動板となる領域に限
定されているため、振動板作製時の歩留まりが向上、ひ
いては低コスト化を図かることができる。
【0058】請求項13に対応する効果:前記振動板と
なるn型不純物拡散層を形成する際に、前期半導体基板
の特定部位を選択的に酸化する際に使用するマスク層を
使用するため、フォトリソ工程を簡略化でき低コスト化
することができる。
【0059】請求項14に対応する効果:前記電極基板
と前記振動板とを貼り合せてから、振動板を作製するた
め、接合時振動板の変形が防止でき、安定したアクチュ
エータの振動板特性を得ることができる。
【0060】請求項15に対応する効果:前記振動板を
形成してから前記電極基板と貼り合わせるため、振動板
を作製する際の電極及び酸化膜の損傷を防ぐことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のインクジェットヘッドを概略的に示
す図であり、図1(A)は図1(B)のA−A線に沿っ
た断面図、図1(B)は平面図である。
【図2】 電極基板に凹部を形成する工程を説明するた
めの図である。
【図3】 振動板基板に凹部を形成する工程を説明する
ための図である。
【図4】 電極基板に凹部を形成する他の工程を説明す
るための図である。
【図5】 電極基板に凹部を形成する他の工程を説明す
るための図である。
【図6】 電極基板及び電極基板と振動板基板接合させ
た状態を示す図である。
【図7】 振動板基板を作製する工程を説明するための
図である。
【図8】 振動板基板を作製する他の工程を説明するた
めの図である。
【図9】 振動板基板を作製する他の工程を説明するた
めの図である。
【図10】 振動板基板を作製する他の工程を説明する
ための図である。
【図11】 電極基板及び振動板基板を接合させた状態
で振動板を形成する工程を説明するための図である。
【図12】 振動板を形成した振動板基板と電極基板と
を接合する工程を説明する図である。
【符号の説明】
1…電極基板、2,55…凹部、3…電極、4…保護
層、5…振動板基板、6,57…振動板、7…加圧液
室、8…流路、9…共通液室、10…吐出室、11…流
入口、12…上基板、20,50…バッファー酸化膜、
21,51…窒化膜、22,52…酸化領域、23,4
4,53…酸化膜、24…レジスト層、40…保護層兼
接合層、54…マスク層、55…フォトリソ凹部、56
…B拡散層、66…P拡散層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 幸司 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 2C057 AF24 AF93 AG12 AG52 AG54 AG55 AP02 AP14 AP25 AP56 BA04

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記録体を吐出する吐出口と、記録体に圧
    力を加える加圧液室と、加圧液室の一部を構成する振動
    板を形成した基板と、凹部を有しかつ該凹部による空隙
    を隔てて該振動板に対向する位置に設けられた電極を備
    えた電極基板とを有し、前記電極と振動板の間に働く静
    電力によって振動板を変形せしめ、記録体を被記録体に
    吐出する記録ヘッドにおいて、前記凹部は、前記電極を
    形成する半導体基板の特定部位を選択的に酸化して酸化
    膜を形成し、その後該酸化膜を除去して形成されたもの
    であることを特徴とするインクジェットヘッド。
  2. 【請求項2】 記録体を吐出する吐出口と、凹部を有し
    かつ記録体に圧力を加える加圧液室と加圧液室の一部を
    構成する振動板を形成した基板と、前記凹部による空隙
    をおいて該振動板に対向する位置に設けられた電極を備
    えた電極基板を有し、前記振動板の前記電極との間に働
    く静電力によって振動板を変形せしめ、記録体を被記録
    体に吐出する記録ヘッドにおいて、前記凹部は、前記振
    動板を形成する半導体基板の特定部位を選択的に酸化し
    て酸化膜を形成し、その後該酸化膜を除去して形成され
    たものであることを特徴とするインクジェットヘッド。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載されたインクジェ
    ットヘッドにおいて、酸化膜は熱酸化膜でありその膜厚
    が0.1〜7μであることを特徴とするインクジェット
    ヘッド。
  4. 【請求項4】 請求項1又は3に記載されたインクジェ
    ットヘッドにおいて、前記電極が前記凹部の内側にn型
    あるいはp型不純物拡散層で形成されたことを特徴とす
    るインクジェットヘッド。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載されたインクジェットヘ
    ッドにおいて、前記半導体基板の特定部位を選択的に酸
    化する際に使用するマスク層は、前記n型あるいはp型
    不純物拡散層を形成する際のマスクとしても使用するも
    のであることを特徴とするインクジェットヘッド。
  6. 【請求項6】 請求項1,3乃至5のいずれかに記載さ
    れたインクジェットヘッドにおいて、前記電極基板に酸
    化膜又は窒化膜を形成し、該酸化膜又は窒化膜は、電極
    の保護層及び振動板基板との接合層の機能を兼ね備えて
    いることを特徴とするインクジェットヘッド。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載されたインクジェットヘ
    ッドにおいて、前記酸化膜又は窒化膜の膜厚が0.05
    〜0.5μmであることを特徴とするインクジェットヘ
    ッド。
  8. 【請求項8】 請求項1,3乃至5のいずれかに記載さ
    れたインクジェットヘッドにおいて、前記電極基板に酸
    化膜と窒化膜との積層膜を形成し、該積層膜は電極の保
    護層及び振動板基板との接合層との機能を兼ね備えてい
    ることを特徴とするインクジェットヘッド。
  9. 【請求項9】 請求項2又は3に記載されたインクジェ
    ットヘッドにおいて、前記振動板がp型不純物拡散層で
    あることを特徴とするインクジェットヘッド。
  10. 【請求項10】 請求項9に記載されたインクジェット
    ヘッドにおいて、前記p型不純物拡散層の拡散領域が振
    動板となる領域に限定されていることを特徴とするイン
    クジェットヘッド。
  11. 【請求項11】 請求項2又は3に記載されたインクジ
    ェットヘッドにおいて、前記振動板がn型不純物拡散層
    であることを特徴とするインクジェットヘッド。
  12. 【請求項12】 請求項11に記載されたインクジェッ
    トヘッドにおいて、前記n型不純物拡散層の拡散領域が
    振動板となる領域に限定されていることを特徴とするイ
    ンクジェットヘッド。
  13. 【請求項13】 請求項12に記載されたインクジェッ
    トヘッドにおいて、前記n型不純物拡散層は、前記半導
    体基板である振動板基板の特定部位を選択的に酸化する
    際に使用するマスク層を使用して形成されたものであ
    る、ことを特徴とするインクジェットヘッド。
  14. 【請求項14】 請求項1記載された凹部を形成した前
    記電極基板と振動板基板とを貼り合わせ、その後前記振
    動板基板に振動板を作製することを特徴とするインクジ
    ェットヘッドの作製方法。
  15. 【請求項15】 請求項2に記載された凹部を形成した
    振動板基板と電極基板を貼り合わせ、その後振動板基板
    に振動板を作製することを特徴とするインクジェットヘ
    ッドの作製方法。
  16. 【請求項16】 請求項1に記載された凹部が形成され
    た電極基板と、振動板が形成された振動板基板とを貼り
    合わせることを特徴とするインクジェットヘッドの作製
    方法。
  17. 【請求項17】 請求項2に記載された凹部が形成され
    かつ振動板が形成された振動板基板と、電極基板とを貼
    り合わせることを特徴とするインクジェットヘッドの作
    製方法。
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