JP2000089482A - 基板被膜の端縁部除去方法 - Google Patents
基板被膜の端縁部除去方法Info
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- JP2000089482A JP2000089482A JP26113498A JP26113498A JP2000089482A JP 2000089482 A JP2000089482 A JP 2000089482A JP 26113498 A JP26113498 A JP 26113498A JP 26113498 A JP26113498 A JP 26113498A JP 2000089482 A JP2000089482 A JP 2000089482A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の表面に形成された有機樹脂系層間絶縁
膜の不要部分を溶解除去した際に、被膜の除去端部分の
盛り上がりを抑制して被膜からのパーティクルの発生を
防止することができる基板被膜の端縁部除去方法を提供
する。 【解決手段】 基板Ｗの表面に形成された有機樹脂系層
間絶縁膜のうち、基板Ｗの端縁部表面の被膜に処理液を
供給して除去する基板被膜の端縁部除去方法において、
前記処理液としてｏ−ジクロロベンゼンを含む溶液を用
いる。針状ノズル７から供給された処理液は、前記被膜
に対して適度な浸透力を有するので、除去端が盛り上が
ることを抑制できる。
膜の不要部分を溶解除去した際に、被膜の除去端部分の
盛り上がりを抑制して被膜からのパーティクルの発生を
防止することができる基板被膜の端縁部除去方法を提供
する。 【解決手段】 基板Ｗの表面に形成された有機樹脂系層
間絶縁膜のうち、基板Ｗの端縁部表面の被膜に処理液を
供給して除去する基板被膜の端縁部除去方法において、
前記処理液としてｏ−ジクロロベンゼンを含む溶液を用
いる。針状ノズル７から供給された処理液は、前記被膜
に対して適度な浸透力を有するので、除去端が盛り上が
ることを抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光
ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）の表面
に形成された塗布被膜のうち端縁部表面の被膜を除去す
る基板被膜の端縁部除去方法に係り、特に塗布被膜が有
機樹脂系層間絶縁膜である場合の溶解除去技術に関す
る。
表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光
ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）の表面
に形成された塗布被膜のうち端縁部表面の被膜を除去す
る基板被膜の端縁部除去方法に係り、特に塗布被膜が有
機樹脂系層間絶縁膜である場合の溶解除去技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においては、基板の表面
に被膜を形成した後、それ以降の各工程を経てゆく際に
基板の端縁部がカセットの収納溝や搬送機構のチャック
部に接触して、その部分の被膜が剥がれてパーティクル
が発生することが知られている。
に被膜を形成した後、それ以降の各工程を経てゆく際に
基板の端縁部がカセットの収納溝や搬送機構のチャック
部に接触して、その部分の被膜が剥がれてパーティクル
が発生することが知られている。
【０００３】そこで、一般的に基板の表面に被膜を形成
した後、端縁部の被膜を溶解除去しておく処理が行われ
ている。その際に基板の端縁部に供給される処理液とし
ては、シリカ系被膜形成材(SOG:Spin On Glass) などで
使用されているキシレンやシクロヘキサノンなどの溶剤
が利用されている。
した後、端縁部の被膜を溶解除去しておく処理が行われ
ている。その際に基板の端縁部に供給される処理液とし
ては、シリカ系被膜形成材(SOG:Spin On Glass) などで
使用されているキシレンやシクロヘキサノンなどの溶剤
が利用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機樹
脂系層間絶縁膜に対してシリカ系被膜形成材と同じキシ
レンやシクロヘキサノンなどの溶剤を処理液として用い
た場合、シリカ系被膜形成材と有機樹脂系層間絶縁膜の
分子構造や物性が相違することから有機樹脂系層間絶縁
膜に対する処理液の浸透力が強過ぎて、図３のグラフに
示すように絶縁膜の除去端部分において盛り上がりが生
じるという問題がある。なお、このグラフでは、膜厚＝
０の位置が基板の表面位置にあたる。
脂系層間絶縁膜に対してシリカ系被膜形成材と同じキシ
レンやシクロヘキサノンなどの溶剤を処理液として用い
た場合、シリカ系被膜形成材と有機樹脂系層間絶縁膜の
分子構造や物性が相違することから有機樹脂系層間絶縁
膜に対する処理液の浸透力が強過ぎて、図３のグラフに
示すように絶縁膜の除去端部分において盛り上がりが生
じるという問題がある。なお、このグラフでは、膜厚＝
０の位置が基板の表面位置にあたる。
【０００５】このような盛り上がりが被膜に生じると、
この部分においてクラックが発生し易くなってパーティ
クルを発生するため盛り上がりを抑制することは非常に
重要である。
この部分においてクラックが発生し易くなってパーティ
クルを発生するため盛り上がりを抑制することは非常に
重要である。
【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板の表面に形成された有機樹脂系層
間絶縁膜の不要部分を溶解除去した際に、被膜の除去端
部分の盛り上がりを抑制して被膜からのパーティクルの
発生を防止することができる基板被膜の端縁部除去方法
を提供することを目的とする。
たものであって、基板の表面に形成された有機樹脂系層
間絶縁膜の不要部分を溶解除去した際に、被膜の除去端
部分の盛り上がりを抑制して被膜からのパーティクルの
発生を防止することができる基板被膜の端縁部除去方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板の表面に形成された
有機樹脂系層間絶縁膜のうち、基板の端縁部表面の被膜
に処理液を供給して除去する基板被膜の端縁部除去方法
において、前記処理液としてｏ−ジクロロベンゼンを含
む溶液を用いることを特徴とするものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板の表面に形成された
有機樹脂系層間絶縁膜のうち、基板の端縁部表面の被膜
に処理液を供給して除去する基板被膜の端縁部除去方法
において、前記処理液としてｏ−ジクロロベンゼンを含
む溶液を用いることを特徴とするものである。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の基板被膜の端縁部除去方法において、前記処理
液にさらにベンゼンまたはキシレンを混合したことを特
徴とするものである。
に記載の基板被膜の端縁部除去方法において、前記処理
液にさらにベンゼンまたはキシレンを混合したことを特
徴とするものである。
【０００９】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、有機樹脂系層
間絶縁膜に対して、次の化学式で表されるｏ−ジクロロ
ベンゼンを含む溶液を処理液として使用すると、被膜に
対する浸透を抑制することができる。
間絶縁膜に対して、次の化学式で表されるｏ−ジクロロ
ベンゼンを含む溶液を処理液として使用すると、被膜に
対する浸透を抑制することができる。
【００１０】
【化１】
【００１１】また、請求項２に記載の発明によれば、速
乾性のベンゼンまたはキシレンを混合することによって
溶解除去処理の後に行われる乾燥処理に要する時間を短
縮することができる。
乾性のベンゼンまたはキシレンを混合することによって
溶解除去処理の後に行われる乾燥処理に要する時間を短
縮することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、本発明方法を実施する端縁
部除去装置の要部を示す斜視図である。
実施例を説明する。図１は、本発明方法を実施する端縁
部除去装置の要部を示す斜視図である。
【００１３】有機樹脂系層間絶縁膜からなる被膜が表面
に形成されている基板Ｗは、例えば、真空吸引式のスピ
ンチャック１によって吸着支持されている。このスピン
チャック１は、図示しない電動モータに連結された中空
の回転軸３の上端部に嵌め込まれて取り付けられてい
る。図示しない電動モータが回転されると、基板Ｗはス
ピンチャック１に吸着されたまま水平姿勢で回転される
ようになっている。
に形成されている基板Ｗは、例えば、真空吸引式のスピ
ンチャック１によって吸着支持されている。このスピン
チャック１は、図示しない電動モータに連結された中空
の回転軸３の上端部に嵌め込まれて取り付けられてい
る。図示しない電動モータが回転されると、基板Ｗはス
ピンチャック１に吸着されたまま水平姿勢で回転される
ようになっている。
【００１４】なお、図示省略しているが、スピンチャッ
ク１の周囲には一般的に飛散防止カップが配設されてい
る。
ク１の周囲には一般的に飛散防止カップが配設されてい
る。
【００１５】飛散防止カップの側方には、基板Ｗの表面
に形成されている塗布被膜を溶解除去するための被膜除
去機構５が配備されている。
に形成されている塗布被膜を溶解除去するための被膜除
去機構５が配備されている。
【００１６】この被膜除去機構５は、被膜を溶解除去す
るための処理液を吐出する針状ノズル７と、この針状ノ
ズル７を先端部に取り付けられたノズル支持用アーム９
と、このアーム９の基端部側に上端部が嵌め付けられ、
鉛直姿勢に保持された回動軸１１と、この回動軸１１を
鉛直軸周りに回動自在に支持した可動枠１３と、この可
動枠１３に作動軸１５ａの上端部が取り付けられるとと
もに、図示しない装置フレームにシリンダ側が固着され
て、可動枠１３を昇降させるエアシリンダ１５と、ノズ
ル支持用アーム９の下部に取り付けられた一対のガイド
ローラ１７と、図示省略した装置フレームに固着され、
上部がスピンチャック１に保持された基板Ｗから離間す
る方向へ傾斜するとともに、上述した一対のガイドロー
ラ１７によって挟み付けられるように係合されたガイド
レール１９とから構成されている。
るための処理液を吐出する針状ノズル７と、この針状ノ
ズル７を先端部に取り付けられたノズル支持用アーム９
と、このアーム９の基端部側に上端部が嵌め付けられ、
鉛直姿勢に保持された回動軸１１と、この回動軸１１を
鉛直軸周りに回動自在に支持した可動枠１３と、この可
動枠１３に作動軸１５ａの上端部が取り付けられるとと
もに、図示しない装置フレームにシリンダ側が固着され
て、可動枠１３を昇降させるエアシリンダ１５と、ノズ
ル支持用アーム９の下部に取り付けられた一対のガイド
ローラ１７と、図示省略した装置フレームに固着され、
上部がスピンチャック１に保持された基板Ｗから離間す
る方向へ傾斜するとともに、上述した一対のガイドロー
ラ１７によって挟み付けられるように係合されたガイド
レール１９とから構成されている。
【００１７】このように構成されている被膜除去機構５
の動作について説明する。
の動作について説明する。
【００１８】＜待機状態＞溶解除去処理を行っていると
き以外の状態であり、このときエアシリンダ１５は伸長
駆動されてその作動軸１５ａが上昇されている。したが
って、作動軸１５ａによって可動枠１３が上方に押し上
げられるとともに、図中に実線で示したようにノズル支
持用アーム９が基板Ｗから大きく離間するように平面視
反時計周りに旋回して、針状ノズル７が基板Ｗから斜め
上方に離れた待機位置に保持されている。
き以外の状態であり、このときエアシリンダ１５は伸長
駆動されてその作動軸１５ａが上昇されている。したが
って、作動軸１５ａによって可動枠１３が上方に押し上
げられるとともに、図中に実線で示したようにノズル支
持用アーム９が基板Ｗから大きく離間するように平面視
反時計周りに旋回して、針状ノズル７が基板Ｗから斜め
上方に離れた待機位置に保持されている。
【００１９】＜処理状態＞処理液を基板Ｗに対して供給
して溶解除去処理を行っているときの状態である。ま
ず、エアシリンダ１５が収縮駆動され、その作動軸１５
ａが下降される。すると可動枠１３も下降し、この下降
動作に伴ってノズル支持用アーム９がガイドレール１９
により案内されて基板Ｗの端縁部に接近するように時計
周りに旋回される。このとき二点鎖線で示すように針状
ノズル７は、最も低い位置に移動し、この供給位置にお
いて先端部が基板Ｗの端縁部に対して所定の間隔をもっ
て対向するようになっている。所定の間隔は、例えば、
１ｍｍ程度である。
して溶解除去処理を行っているときの状態である。ま
ず、エアシリンダ１５が収縮駆動され、その作動軸１５
ａが下降される。すると可動枠１３も下降し、この下降
動作に伴ってノズル支持用アーム９がガイドレール１９
により案内されて基板Ｗの端縁部に接近するように時計
周りに旋回される。このとき二点鎖線で示すように針状
ノズル７は、最も低い位置に移動し、この供給位置にお
いて先端部が基板Ｗの端縁部に対して所定の間隔をもっ
て対向するようになっている。所定の間隔は、例えば、
１ｍｍ程度である。
【００２０】そして、図示しない電動モータを駆動して
基板Ｗを回転させながら、有機樹脂系層間絶縁膜を溶解
除去するための処理液を針状ノズル７から供給する。こ
れにより処理液が基板Ｗの端縁部分に供給され、基板Ｗ
の全周にわたって不要な有機樹脂系層間絶縁膜を除去す
ることができる。
基板Ｗを回転させながら、有機樹脂系層間絶縁膜を溶解
除去するための処理液を針状ノズル７から供給する。こ
れにより処理液が基板Ｗの端縁部分に供給され、基板Ｗ
の全周にわたって不要な有機樹脂系層間絶縁膜を除去す
ることができる。
【００２１】その後、上述した動作とは逆の動作によっ
て針状ノズル７を待機位置に移動させる。そして、図示
しない電動モータの回転数を高めて基板Ｗを所定時間だ
け高速回転させ、処理液を振り切って乾燥処理を行う。
これにより基板Ｗに対する被膜の端縁部除去処理が完了
する。
て針状ノズル７を待機位置に移動させる。そして、図示
しない電動モータの回転数を高めて基板Ｗを所定時間だ
け高速回転させ、処理液を振り切って乾燥処理を行う。
これにより基板Ｗに対する被膜の端縁部除去処理が完了
する。
【００２２】（１）処理液としては、ｏ−ジクロロベン
ゼンを単独で用いる。
ゼンを単独で用いる。
【００２３】このｏ−ジクロロベンゼンは、有機樹脂系
層間絶縁膜に対して適度な浸透力を有するため図２のグ
ラフに示すように除去端部分において盛り上がりを生じ
ることもなく、外観も綺麗に処理することができる。し
たがって、被膜の除去端部分の盛り上がりを抑制するこ
とができ、被膜の盛り上がりに起因するパーティクルの
発生を防止することができる。
層間絶縁膜に対して適度な浸透力を有するため図２のグ
ラフに示すように除去端部分において盛り上がりを生じ
ることもなく、外観も綺麗に処理することができる。し
たがって、被膜の除去端部分の盛り上がりを抑制するこ
とができ、被膜の盛り上がりに起因するパーティクルの
発生を防止することができる。
【００２４】なお、図２のグラフにおいて膜厚＝０の位
置は基板Ｗの表面位置を示し、２，０００オングストロ
ームの位置が有機樹脂系層間絶縁膜の表面位置を示して
いる。
置は基板Ｗの表面位置を示し、２，０００オングストロ
ームの位置が有機樹脂系層間絶縁膜の表面位置を示して
いる。
【００２５】（２）処理液としては、ｏ−ジクロロベン
ゼンにベンゼンを混合した混合溶液を用いる。
ゼンにベンゼンを混合した混合溶液を用いる。
【００２６】このように有機樹脂系層間絶縁膜に対して
適度な浸透力を有するｏ−ジクロロベンゼンにベンゼン
を混合しておくと、ベンゼンが速乾性であるため溶解除
去処理の後に行われる乾燥処理に要する時間を短縮でき
る。したがって、処理効率を向上することができる。
適度な浸透力を有するｏ−ジクロロベンゼンにベンゼン
を混合しておくと、ベンゼンが速乾性であるため溶解除
去処理の後に行われる乾燥処理に要する時間を短縮でき
る。したがって、処理効率を向上することができる。
【００２７】（３）処理液としては、ｏ−ジクロロベン
ゼンにキシレンを混合した混合溶液を用いる。
ゼンにキシレンを混合した混合溶液を用いる。
【００２８】ベンゼンに代えてキシレンをｏ−ジクロロ
ベンゼンに混合しても、速乾性であるため溶解除去処理
の後に行われる乾燥処理に要する時間を短縮できて、や
はり処理効率を向上することができる。
ベンゼンに混合しても、速乾性であるため溶解除去処理
の後に行われる乾燥処理に要する時間を短縮できて、や
はり処理効率を向上することができる。
【００２９】なお、ｏ−ジクロロベンゼンに混合する溶
剤として挙げたベンゼンやキシレンは一例であり、他の
溶剤を混合するようにしてもよい。
剤として挙げたベンゼンやキシレンは一例であり、他の
溶剤を混合するようにしてもよい。
【００３０】また、実施例では、端縁部除去装置を例に
採って本発明方法について説明したが、基板に対して有
機樹脂系層間絶縁膜を塗布する塗布装置に上述した被膜
除去機構を配備した装置であっても上記同様に本発明方
法を適用できる。
採って本発明方法について説明したが、基板に対して有
機樹脂系層間絶縁膜を塗布する塗布装置に上述した被膜
除去機構を配備した装置であっても上記同様に本発明方
法を適用できる。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、有機樹脂系層間絶縁膜に対し
てｏ−ジクロロベンゼンを含む処理液を使用することに
より、被膜に対する浸透を抑制することができるので、
被膜の除去端部分の盛り上がりを抑制することができ
る。したがって、被膜の盛り上がりに起因するパーティ
クルの発生を防止することができる。
１に記載の発明によれば、有機樹脂系層間絶縁膜に対し
てｏ−ジクロロベンゼンを含む処理液を使用することに
より、被膜に対する浸透を抑制することができるので、
被膜の除去端部分の盛り上がりを抑制することができ
る。したがって、被膜の盛り上がりに起因するパーティ
クルの発生を防止することができる。
【００３２】また、請求項２に記載の発明によれば、速
乾性のベンゼンまたはキシレンをさらに混合することで
溶解除去処理の後に行われる乾燥処理に要する時間を短
縮でき、処理効率を向上することができる。
乾性のベンゼンまたはキシレンをさらに混合することで
溶解除去処理の後に行われる乾燥処理に要する時間を短
縮でき、処理効率を向上することができる。
【図１】本発明方法を実施する端縁部除去装置の要部を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】本発明に係る方法において使用される処理液を
使用して被膜を除去したときの除去端部分における膜厚
分布を示すグラフである。
使用して被膜を除去したときの除去端部分における膜厚
分布を示すグラフである。
【図３】従来の処理液を使用して被膜を除去したときの
除去端部分における膜厚分布を示すグラフである。
除去端部分における膜厚分布を示すグラフである。
【符号の説明】 Ｗ … 基板 １ … スピンチャック ３ … 回転軸 ５ … 被膜除去機構 ７ … 針状ノズル ９ … ノズル支持用アーム １１ … 回動軸 １３ … 可動枠 １５ … エアシリンダ １７ … ガイドローラ １９ … ガイドレール
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の表面に形成された有機樹脂系層間
絶縁膜のうち、基板の端縁部表面の被膜に処理液を供給
して除去する基板被膜の端縁部除去方法において、 前記処理液としてｏ−ジクロロベンゼンを含む溶液を用
いることを特徴とする基板被膜の端縁部除去方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板被膜の端縁部除去
方法において、 前記処理液にさらにベンゼンまたはキシレンを混合した
ことを特徴とする基板被膜の端縁部除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26113498A JP2000089482A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 基板被膜の端縁部除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26113498A JP2000089482A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 基板被膜の端縁部除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000089482A true JP2000089482A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17357574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26113498A Pending JP2000089482A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 基板被膜の端縁部除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000089482A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001084615A1 (fr) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Zeon Corporation | Procede de production de substrat a utiliser dans des pieces electroniques et solvant de nettoyage |
| JP2002009355A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 金属酸化物膜付き基板及び金属酸化物膜付き基板の製造方法 |
| WO2008123223A1 (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-16 | Nec Corporation | 情報処理端末、情報処理端末の制御方法、およびプログラム |
-
1998
- 1998-09-16 JP JP26113498A patent/JP2000089482A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001084615A1 (fr) * | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Zeon Corporation | Procede de production de substrat a utiliser dans des pieces electroniques et solvant de nettoyage |
| KR100744981B1 (ko) * | 2000-04-28 | 2007-08-02 | 제온 코포레이션 | 전자 부품 제조용 기재의 제조 방법 및 세정 용제 |
| JP2002009355A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 金属酸化物膜付き基板及び金属酸化物膜付き基板の製造方法 |
| WO2008123223A1 (ja) | 2007-03-27 | 2008-10-16 | Nec Corporation | 情報処理端末、情報処理端末の制御方法、およびプログラム |
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