JP2000089050A - 光分岐回路及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】簡略なプロセスによる光分岐回路の製造方法を
提供すること。 【解決手段】石英ガラスから成る基板１上に、ポリフル
オロアルキルメタクリレートから成る下部クラッド層
２、ポリメチルメタクリレートから成るコア層３を順次
積層する。次に、フォトリソグラフィによりエッチング
して、光導波路３０と、光導波路３０の基板１とは反対
側の表面３１から基板面１１に向かって略垂直に切断面
４１、４２、４３を形成する。この後、光導波路３０を
形成するポリメチルメタクリレートのガラス転移点以上
の温度で熱処理することにより、切断面４３が傾斜し、
光導波路ミラーが形成される。この時、各切断面間の距
離又はは熱処理温度を調整して、光導波路ミラーの傾斜
角を制御することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た光導波路にミラーが一体的に形成された光分岐回路に
関する。また、光導波路にミラーが一体的に形成された
光分岐回路の製造方法に関する。本発明は、複数のミラ
ーが形成された光分岐回路の製造に特に有効である。

【０００２】

【従来の技術】図７及び図８は、従来の光分岐回路の断
面図を示したものであり、光導波路内を通る導波光の分
岐方法を示したものである。図７は、J. Liu et al, Pr
oc.SPIE 3005, 230 (1997)による。また図８は、O. Sug
ihara et al, Proc.of POF Conference '97, 144によ
る。図７は、光導波路３０の、基板１とは反対側の表面
３１にホログラム６１、６２、６３を形成した、光分岐
回路２０１を示している。この光分岐回路２０１から図
７の紙面上、上向きに分岐する各光出力は、ホログラム
６１、６２、６３の格子深さと長さによって制御され
る。一方、図８は、光導波路３０の、基板１と反対側の
表面３１の一部に電子ビームを照射して削り出して全面
ミラー７１、７２、７３を形成した、光分岐回路２０２
を示している。この光分岐回路２０２から図８の紙面
上、下向きに分岐する各光出力は、全面ミラー７１、７
２、７３の深さによって制御される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが両者とも、光
導波路３０を形成した後にホログラム又は全面ミラーを
個別に形成しているため、光分岐回路２０１又は２０２
の生産性が悪い。特に、複数のホログラム又は全面ミラ
ーを一本の光導波路に一体的に形成し、各ホログラム又
は全面ミラーから分岐する各光出力の方向をそろえ、光
量を均一にしようとする場合、光分岐回路２０１又は２
０２の設計及び製造工程が複雑となる。

【０００４】図７の、ホログラム６１、６２、６３を光
導波路３０に形成した光分岐回路２０１の製造において
は、ホログラム６１、６２、６３の設計が複雑である。
即ち、前段のホログラム６１は分岐割合を少なく、後段
の６２、６３になるにしたがって順次分岐割合を１００
％に近づけるよう干渉格子を設計及び形成しなければな
らない。これらホログラムの設計には入射光の干渉性が
格子設計上のパラメータとなるため、等位相面の乱れや
すいマルチモード導波路の場合は分岐する割合を大きく
できないという問題がある。

【０００５】一方、図８の、電子ビームで削り出して、
全面ミラー７１、７２、７３を光導波路３０に形成した
光分岐回路２０２の製造においては、全面ミラーの個数
が増すと製造時間が著しく増大する。複数個のミラーか
らそれぞれ光出力を得るためには、前段の全面ミラー７
１は浅く、後段の全面ミラー７２、７３になるにしたが
って深い全面ミラーを形成しなければならない。特に最
終段の全面ミラー７３は、ほとんど光導波路３０の径に
等しい深さまで削り出す必要がある。即ち、後段の全面
ミラーほど、削り出すための電子ビームの露光時間が多
く必要である。これは、複数個の分岐を持つ光分岐回路
の作成のためには、全面ミラーを１個１個個別に形成す
ることを意味する。全面ミラーの角度をそろえるための
調整作業も合わせると、光分岐回路の製造作業は著しく
長時間となる。

【０００６】本発明は上記の課題を解決するために成さ
れたものであり、その目的は、光導波路内を通る導波光
の一部若しくは全部を反射するミラーが一体的に形成さ
れた光分岐回路の、簡略なプロセスによる製造方法を提
供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の手段によれば、光導波路が高分
子材料から形成され、ミラー面の傾斜が高分子材料の熱
収縮により形成されるので、ミラー面の深さにかかわら
ず、所望の傾斜角度を有するミラー面を得ることができ
る。

【０００８】また、請求項２に記載の手段によれば、光
導波路が高分子材料から形成され、入射面及び各ミラー
面の互いに隣り合う間隔が、高分子材料の熱収縮の特性
に応じて、入射面から順に長くなっている。これによ
り、光導波路に複数のミラー面を形成した光分岐回路で
あって、光導波路の入射面に近い方から遠くなるにした
がって順にミラー面を深く形成した際に、高分子材料の
熱収縮により、ミラー面の傾斜角度を揃えることが可能
となる。

【０００９】更に、請求項３に記載の手段によれば、光
路に略垂直な１以上の切断面を持つ高分子材料から成る
光導波路を作製し、ガラス転移点以上の温度で高分子材
料を熱収縮させ、切断面を傾斜させることによりミラー
を形成する。この際、ミラーの傾斜角度は、光導波路の
端面と切断面との間隔若しくは切断面と隣接する切断面
との距離、又は高分子材料を熱収縮させる温度により制
御するので、複数のミラーの傾斜角度を制御しつつ、複
数のミラーが一体的に形成された光分岐回路を容易に製
造することができる。各々のミラー面の深さに応じてミ
ラーの傾斜角度を制御する設計手段があるので、ミラー
面の形成作業が容易である。

【００１０】

【作用】高分子材料で形成された光導波路に、光路に略
垂直な切断面を、導波路表面から基板面に向かって形成
する。高分子材料のガラス転移点以上の温度で熱処理を
行うと、高分子材料は分子の可動性により緻密化され、
収縮する。この収縮量は切断面の光路方向への変位とし
て現れるため、切断面が傾く。これは、光導波路の基板
と密着している部分は光路方向には熱収縮が抑制され、
切断面の先端から基板より離れるにしたがって抑制が少
なくなり、光路方向の熱収縮が大きくなっていくためで
ある。よって、傾斜角度を大きくするには２つの方法が
ある。第１の方法は、隣接する切断面との距離を大きく
することで、切断面に対する光路方向の総収縮量を大き
くし、切断面の傾斜角度を大きくすることである。第２
の方法は、熱処理温度を高くして熱収縮量を大きくし、
切断面の傾斜角度を大きくすることである。更にここか
ら、次のことも容易に理解できる。即ち、光路に略垂直
な複数の切断面を、光入射面に近いほうから遠ざかるに
したがって順に深くなるよう形成するとき、入射面及び
各切断面の互いに隣り合う間隔が高分子材料の熱収縮の
特性に応じて入射面から順に長くなるよう切断面を形成
することにより、高分子材料の熱収縮により切断面が傾
斜して形成されるミラー面の傾斜角度を均一に揃えるこ
とが可能となる。

【００１１】

【発明の効果】本発明の光分岐回路は、光導波路中のミ
ラー（以下、光導波路ミラーという）が複数であって
も、各ミラーの深さに合わせて、反射面の角度を均一に
も、また個別に任意の角度にも設定できる手段を持って
いる。特に、光導波路に複数のミラー面を形成した光分
岐回路であって、光導波路の入射面に近い方から遠くな
るにしたがって順にミラー面を深く形成し、各ミラーか
ら光出力を同程度に分岐させる場合、入射面及び各ミラ
ー面の互いに隣り合う間隔を、高分子材料の熱収縮の特
性に応じて入射面から順に長くすれば、全ミラー面の傾
斜角度を均一に揃えることも可能となる。また、本発明
の光分岐回路の製造方法によれば、任意の角度に設定で
きる複数の光導波路ミラーを一括して光導波路に形成す
ることができ、光分岐回路を生産性良く製造できる。即
ち、光導波路内を通る導波光の一部若しくは全部を反射
するミラーが一体的に形成された光分岐回路が、簡略な
プロセスにより製造できる。また、本発明の光分岐回路
は、ハイブリッド集積回路用基板や、表示素子としての
応用が期待でき、且つ、生産性良く製造することが可能
である。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図１乃至
図６を用いて説明する。図１、図３、図４においては、
切断面を３つ形成したものを記載しているが、これらは
代表例として記載したものである。以下に示すとおり、
本発明の本質に関わるのは、切断面の深さと、光路上一
つ手前の切断面との距離である。切断面を３つ形成した
ものを記載したのはあくまでも説明の都合上であり、切
断面の個数は本発明の本質には関わらず、切断面の個数
は任意の１以上の個数である。また、図１、図３、図４
では、処理後の光分岐回路の光入射が紙面左側からであ
り、光路は光導波路３０の左端面３００から始まり右端
面３０１に向かうものとする。

【００１３】光導波路ミラーを複数形成して、１の光入
射に対し各光導波路ミラーから光出力を同程度に分岐さ
せるためには、光導波路ミラーは、光入射面に近い方か
ら遠ざかるにしたがって深くなっていくよう形成しなけ
ればならない。即ち、図４で、３つの光導波路ミラー
（光が入射する左端面３００に近い方から５１、５２、
５３）は、左端面３００に近い方から右端面３０１に近
づくにしたがって深くなっていくよう形成しなければな
らない。よって、図３で形成する３つの切断面（左端面
３００に近い方から４１、４２、４３）は、左端面３０
０に近い４１から右端面３０１に近づくにしたがって４
２、４３と深くなっていくよう形成しなければならな
い。全く同様に、光導波路ミラーを任意の２個以上形成
する場合は、切断面を、左端面３００に近い方から右端
面３０１に近づくにしたがって深くなっていくよう形成
しなければならない。

【００１４】石英ガラスから成る基板１上に、ディップ
法で積層成膜して、ポリフルオロアルキルメタクリレー
トで構成されたアンダークラッド層２、ポリメチルメタ
クリレートで構成された光導波路層（コア層）３を順次
形成した。この際、膜厚をそれぞれ20μｍ及び 100μｍ
とした。続いてフォトリソグラフィを行うため、アルミ
ニウムのエッチングマスク９０を、必要部分スリット９
１、９２、９３を持たせてコア層３の上にパターン形成
した（図１）。

【００１５】スリット９１、９２、９３の間隙は、形成
すべき略垂直な切断面の深さに関わる。左端面３００に
近い方から３つの切断面４１、４２、４３と順に深くし
ていくためには、スリット９１、９２、９３の各間隙を
順に広くしていく必要がある。本実施例の方法によれば
エッチングによりコア層３をリッジ型の光導波路３０と
する際に略垂直な切断面も同時に形成することができ
る。スリットの間隙により切断面の深さを制御すると同
時に光導波路を分離する技術は、特開平７−３１８７４
０号公報に記載された公知の技術である。

【００１６】エッチングは、平行平板型の反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）を用いた。ＲＩＥ等の反応性プラ
ズマを用いたエッチング法は、電界により加速された荷
電粒子による物理的なエッチングと反応性イオンによる
化学的エッチングが併用されている。一般的に基板上に
形成される光導波路３０の断面は矩形状が要求され、そ
のために、エッチングの異方性（基板面に対して垂直方
向と水平方向のエッチング速度比）が大きくなるエッチ
ング条件が選定される。エッチングは、厚さＨのコア層
３の不必要な部分のエッチングが完了して光導波路３０
が分離され、基板面１１が露出した状態となる時を停止
時とした。このエッチングにおいて、上記構成のコア層
３及びアンダークラッド層２のエッチング特性はほぼ同
じであった。

【００１７】切断面４３の形成について、図２で説明す
る。異方性エッチングにより、アルミニウムのエッチン
グマスク９０の幅Ｗよりも２ΔＳだけ幅の狭い光導波路
３０が形成される。この時、間隙ΔＬのスリット９３に
ついて、スリットの直下に深さΔＨ、水平方向にΔＳの
エッチングが施される。切断面４３の深さΔＨはスリッ
ト９３の間隙ΔＬとエッチング条件により調節でき、水
平方向のエッチング量ΔＳはエッチング条件により調節
できる。本実施例では略垂直な切断面とするため、切断
面４３の初期傾斜角が２〜３度となるよう、エッチング
条件を設定した。エッチング終了の後、エッチングマス
ク９０は、リフトオフにより取り除かれた。

【００１８】こうして、一回のエッチングにより、光導
波路３０の形成と同時に、任意の深さの略垂直な複数の
切断面を持つ未処理の光分岐回路１００が得られた。即
ち、図３の如く、矩形状の断面を持つ光導波路３０と、
光導波路３０の基板１とは反対側の表面３１より基板面
１１に向かって光路に略垂直に形成された切断面４１、
４２、４３とを持つ、未処理の光分岐回路１００が得ら
れた。以下、図３、図４での説明の都合上、着目する切
断面を切断面４３とする。切断面４３の深さはΔＨ、切
断面４３から見て光路手前側（図４で切断面４３のすぐ
左側）の切断面を切断面４２とし、２つの切断面４２と
４３との距離をＬとおく。

【００１９】まず、切断面間の距離Ｌの、熱処理により
形成されるミラーの傾斜角度への影響を調べた。即ち、
２つの切断面４２と４３との距離Ｌが 5mmと 2.5mmのそ
れぞれの場合について、20μm から95μm までの間のさ
まざまの深さΔＨの切断面４３を持つ未処理光分岐回路
１００を作製し、 147℃で10時間熱処理した。光導波路
３０を形成するポリメチルメタクリレートのガラス転移
点は約 110℃であるので、この 147℃での熱処理により
コア層３は光路方向（紙面左右方向）に熱収縮し、切断
面４３は傾斜した。こうして切断面４３が傾斜すること
により、光導波路ミラー５３が形成された。光導波路ミ
ラー５３の傾斜角度（光路に垂直な平面と光導波路ミラ
ー５３の成す角度、図４でθ）と、切断面の深さΔＨと
光導波路径Ｈ(100μm)の比ΔＨ／Ｈとの関係を図５に示
す。これより、深さ比ΔＨ／Ｈが等しい場合でも、２つ
の切断面４２と４３との距離Ｌが長いほど、形成される
光導波路ミラー５３の傾斜角度θが大きくなっているこ
とがわかる。

【００２０】以上から、切断面間の距離Ｌを調整するこ
とにより、熱処理により形成される光導波路ミラー５３
の傾斜角度θを広い範囲で制御できることがわかった。
即ち、光導波路ミラー５３をある角度θになるようにす
るためには、深さΔＨに対して光路手前側の切断面との
距離を調整すれば良い。光路上第１番目のミラーについ
ては光入射面である光導波路端面との距離を調整する。
図４の光分岐回路１０１の３つの光導波路ミラー５１、
５２、５３の傾斜角度をある角度θにそろえるために
は、未処理光分岐回路１００の設計、作製を次のとおり
とする。即ち、切断面４１の深さ、切断面４２の深さ、
切断面４３の深さが順次大きくなるのに対応して、端面
３００と切断面４１との距離、切断面４１と切断面４２
との距離、切断面４２と切断面４３との距離を順次大き
く設計すれば良い。こうして、深さ比ΔＨ／Ｈを順次大
きくした光分岐回路を作製する際、切断面間の距離を順
次大きくすることにより、熱処理により形成される光導
波路ミラーの角度を制御することができる。

【００２１】次に、熱処理温度の、熱処理により形成さ
れるミラーの傾斜角度への影響を調べた。まず、２つの
切断面４２と４３との距離Ｌを 2.5mmとし、切断面４３
の深さΔＨが20μm から95μm までの間でさまざまの未
処理光導波路１００を作製した。これらを、 147℃、 1
52℃、 157℃で10時間熱処理して光導波路ミラー５３を
形成し、熱処理済光分岐回路１０１を作製した。この際
の、切断面４３が傾斜することにより形成される光導波
路ミラー５３の傾斜角度（光路に垂直な平面と光導波路
ミラー５３の成す角度、図４でθ）を測定した。結果を
図６に示す。これより、切断面の深さΔＨと光導波路径
Ｈ(100μm)の比ΔＨ／Ｈが等しい場合でも、熱処理温度
が高いほど光導波路ミラー５３の傾斜角度θが大きくな
っていることがわかる。

【００２２】以上から、熱処理温度を調整することによ
り、熱処理により形成される光導波路ミラー５３の傾斜
角度θを広い範囲で制御できることがわかった。即ち、
ある深さΔＨを持つ光導波路ミラー５３を、距離Ｌを変
化させずに角度θに設定するためには、熱処理温度を調
整すれば良い。

【００２３】切断面間の距離Ｌと熱処理温度を同時に調
整すれば、複数個の光導波路ミラーの傾斜角度を更に容
易に制御することができることが容易に理解できる。即
ち、傾斜角度をある角度に設定するとき、熱処理温度を
高くすることにより、光路手前側の切断面との距離を短
く設定することができる。図４の光分岐回路１０１の３
つの光導波路ミラー５１、５２、５３の傾斜角度をある
角度θにそろえるためには、未処理光分岐回路１００の
設計、作製を次のとおりとする。即ち、切断面４１の深
さ、切断面４２の深さ、切断面４３の深さに対応して、
熱処理後の傾斜角度がθに達するよう熱処理温度を決め
る。最も深い切断面４３を熱処理後に傾斜角度をθとす
るためには熱処理温度を十分高くする必要がある。この
温度での、切断面の深さ、切断面間の距離、及び熱処理
により形成される光導波路ミラーの傾斜角度との関係か
ら、端面３００と切断面４１との距離、切断面４１と切
断面４２との距離、切断面４２と切断面４３との距離を
設計すれば良い。こうして、深さ比ΔＨ／Ｈを順次大き
くした光分岐回路を作製する際、切断面間の距離と熱処
理温度を同時に調整することにより、熱処理により形成
される光導波路ミラーの角度を更に容易に制御すること
ができる。

【００２４】以上の通り、本発明によれば、略垂直な切
断面を複数個形成した光導波路を、熱処理することによ
り切断面を傾斜させて、複数個の光導波路ミラーが一体
的に形成された光分岐回路を容易に、生産性良く製造す
ることができる。上記実施例のように、特開平７−３１
８７４０号公報記載の技術によれば、ガラス基板上に光
導波路となるべきコア層を積層した後、エッチングにて
光導波路を形成する際、同時に略垂直な切断面を一括形
成することができる。即ち、エッチング条件と、エッチ
ングマスクの各スリットの間隙を調整することで、略垂
直な複数個の切断面の深さを容易に制御できるので、多
数の未処理光分岐回路を一括して製造できる。これを本
発明と組み合わせることは光分岐回路の製造方法に有効
である。即ち、本発明による熱処理も、多数の光分岐回
路を一括して処理できるので、光分岐回路の製造の生産
性を著しく向上させることができる。

【００２５】また、この際、１の光分岐回路のミラーの
個数と、各ミラーからの光出力の割合と光出力の方向を
容易に制御できることを意味する。また、本発明によ
り、入射面となる端面若しくは各切断面間の距離、又は
熱処理温度を調整することで、各ミラー面の傾斜角度を
それぞれ容易に制御できる。以上から、本発明によっ
て、各ミラー面の傾斜角度と光出力の割合を任意に設計
でき、簡易で大量生産に適した光分岐回路の製造が可能
となった。

【００２６】上記実施例では、基板１として石英ガラ
ス、アンダークラッド層２としてポリフルオロアルキル
メタクリレートを用いたが、透光性のある他の無機ある
いは有機材料を使用しても良い。基板１の屈折率がコア
層３の屈折率より小さい場合は、アンダークラッド層２
を省略しても良い。また、光導波路３０を形成するコア
層３の材料としてポリメチルメタクリレートを用いた
が、ガラス転移点を持つ他の無機あるいは有機材料とし
ても良い。尚、光導波路層３０の保護のため、エッチン
グマスク９０の下層にエッチング可能な保護層を積層し
ても良い。更に、本発明より光導波路ミラーを形成した
後、シリコン樹脂、フッ素系樹脂あるいはその他の材料
によりオーバークラッド層、上部基板を形成して保護層
とし、光分岐回路を作製しても良い。また、光導波路ミ
ラー面にアルミニウム等を蒸着して導波光の透過を防ぐ
などしてもよい。

【００２７】上記実施例では、注目する切断面と光路手
前側の切断面との間隔に注目したが、光路上第１の切断
面の場合は、光の入射面である、光路の端面（図４で３
００）からの距離が、熱処理により形成される光導波路
ミラーの傾斜角度に寄与することは明らかである。

【００２８】熱処理前の切断面の形成を、機械的方法に
より作成することも可能である。切断面の形成を機械的
方法により作成した場合も、本発明により、複数のミラ
ーを傾斜角度を制御しながら熱処理し、複数の光導波路
ミラーを形成した光分岐回路を多数、一括して製造する
ことが可能である。

【００２９】また、上記実施例では、切断面を略垂直に
形成した後、光導波路材料のガラス転移点以上の温度で
処理して熱収縮させ、切断面を傾斜させたが、本発明の
本質は、ガラス転移点以上の温度で光導波路層を熱収縮
させて、切断面の傾斜角を増大させることである。更に
本発明の本質は、切断面間の距離或いは熱処理温度にて
ミラーの傾斜角の増大量を調整可能とするところにあ
る。したがって、熱処理前の切断面を略垂直に形成する
ことに必ずしもこだわる必要はない。例えば、上記実施
例で示した特開平７−３１８７４０号公報記載の技術で
あらかじめ十分傾斜した切断面を持った未処理光分岐回
路を作製し、本発明により傾斜角を増大させて所望の傾
斜角を持った分岐を形成した光分岐回路とするなどの変
形例も可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる、フォトリソグラフィのエッチ
ングマスク９０とスリット９１、９２、９３を示した、
エッチング前の積層板の斜視図。

【図２】（ａ）は、本発明にかかる、エッチングにより
形成された光導波路３０のスリット９３付近及び切断面
４３を示した平面図、（ｂ）はその正面図、（ｃ）はそ
の断面図。

【図３】本発明にかかる、熱処理前の未処理光分岐回路
１００を示した斜視図。

【図４】本発明にかかる、熱処理後の処理済光分岐回路
１０１を示した斜視図。

【図５】本発明にかかる、切断面間の距離Ｌを変えたと
きの、切断面の深さΔＨと光導波路径Ｈの比ΔＨ／Ｈ
と、光導波路ミラー５３の傾斜角θとの関係図。

【図６】本発明にかかる、熱処理温度を変えたときの、
切断面の深さΔＨと光導波路径Ｈの比ΔＨ／Ｈと、光導
波路ミラー５３の傾斜角θとの関係図。

【図７】従来例にかかる、ホログラムを形成した光分岐
回路２０１を示した断面図。

【図８】従来例にかかる、全面ミラーを形成した光分岐
回路２０２を示した断面図。

【符号の説明】 １００ 未処理光分岐回路 １０１ 処理済光分岐回路 １ 基板 １１ 基板表面 ２ アンダークラッド層 ３ 光導波路を形成するコア層 ３０ 光導波路 ３００、３０１ 光導波路の、左及び右端面 ３１ 光導波路の、基板とは反対側の表面 ４１、４２、４３ 切断面 ５１、５２、５３ 光導波路ミラー ６１、６２、６３ ホログラム ７１、７２、７３ 全面ミラー ９０ エッチングマスク ９１、９２、９３ スリット ２０１ 従来の、ホログラムを形成した光分
岐回路 ２０２ 従来の、全面ミラーを形成した光分
岐回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 博 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１ 株式会社豊田中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H047 KA05 LA09 LA14 PA21 PA24 PA28 QA05 TA42 TA43

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成された光導波路に、該光導
   波路内を通る導波光の一部若しくは全部を反射する１個
   以上のミラーが一体的に形成された光分岐回路であっ
   て、 前記光導波路が高分子材料から形成されており、 前記ミラー面の傾斜が前記高分子材料の熱収縮により形
   成されたことを特徴とする光分岐回路。
2. 【請求項２】 基板上に形成された光導波路に、該光導
   波路内を通る導波光の一部若しくは全部を反射する１個
   以上のミラーが一体的に形成された光分岐回路であっ
   て、 前記光導波路が高分子材料から形成されており、 前記光導波路の入射面及び各ミラー面の互いに隣り合う
   間隔が、前記高分子材料の熱収縮の特性に応じて、入射
   面から順に長くなっていることを特徴とする光分岐回
   路。
3. 【請求項３】 基板上に形成された光導波路に、該光導
   波路内を通る導波光の一部若しくは全部を反射する１個
   以上のミラーが一体的に形成された光分岐回路の製造方
   法であって、（ａ）光路に略垂直な１個以上の切断面を
   持つ、高分子材料から成る光導波路を作製する工程と、
   （ｂ）ガラス転移点以上の温度で前記高分子材料を熱収
   縮させて前記切断面を傾斜させることによりミラーを形
   成する工程と、から成り、 前記ミラー面の傾斜角度を、前記光導波路の端面と前記
   切断面との間隔若しくは前記切断面とそれに隣接する切
   断面との間隔、又は前記高分子材料を熱収縮させる温度
   により制御することを特徴とする光分岐回路の製造方
   法。