JP2000087282A - 電着ブレード製造装置及び製造方法 - Google Patents
電着ブレード製造装置及び製造方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイシング装置等に配設されて切削に用いら
れる、表裏面の面粗さが略等しい電着ブレードを製造す
る装置及び方法を提供する。 【解決手段】 砥粒が混入した電解液に電着基盤と電解
金属とを浸漬させ、通電手段によって両者を通電し、電
着基盤に砥粒と電解金属とからなる電着層を成長させる
電着ブレード製造装置及び製造方法において、電着基盤
の電着層が形成される電着面に予め微細な凹凸を形成す
ることによって、電着層の成長開始面を所望の面粗さと
し、表裏面の面粗さの略等しい電着ブレードを製造す
る。
れる、表裏面の面粗さが略等しい電着ブレードを製造す
る装置及び方法を提供する。 【解決手段】 砥粒が混入した電解液に電着基盤と電解
金属とを浸漬させ、通電手段によって両者を通電し、電
着基盤に砥粒と電解金属とからなる電着層を成長させる
電着ブレード製造装置及び製造方法において、電着基盤
の電着層が形成される電着面に予め微細な凹凸を形成す
ることによって、電着層の成長開始面を所望の面粗さと
し、表裏面の面粗さの略等しい電着ブレードを製造す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電着ブレードの製
造装置及び製造方法に関し、詳しくは、表裏面の面粗さ
が略等しい電着ブレードを製造することができる製造装
置及び製造方法に関するものである。
造装置及び製造方法に関し、詳しくは、表裏面の面粗さ
が略等しい電着ブレードを製造することができる製造装
置及び製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電着ブレードが配設される装置として
は、例えば図７に示すようなダイシング装置３０が知ら
れている。このダイシング装置３０は、半導体ウェーハ
等の被加工物を切削する装置であり、例えば半導体ウェ
ーハＷを切削するときは、保持テープＴを介してフレー
ムＦに保持された半導体ウェーハＷがチャックテーブル
３１に吸引保持される。そして、チャックテーブル３１
がＸ軸方向に移動してアライメント手段３２の直下に位
置付けられて切削領域が検出され、更にチャックテーブ
ル３１がＸ軸方向に移動することによって切削手段３３
の作用を受けて切削が行われる。
は、例えば図７に示すようなダイシング装置３０が知ら
れている。このダイシング装置３０は、半導体ウェーハ
等の被加工物を切削する装置であり、例えば半導体ウェ
ーハＷを切削するときは、保持テープＴを介してフレー
ムＦに保持された半導体ウェーハＷがチャックテーブル
３１に吸引保持される。そして、チャックテーブル３１
がＸ軸方向に移動してアライメント手段３２の直下に位
置付けられて切削領域が検出され、更にチャックテーブ
ル３１がＸ軸方向に移動することによって切削手段３３
の作用を受けて切削が行われる。
【０００３】切削手段３３は、図８に示すように、電着
ブレード３４が配設されるスピンドルユニット３５と、
電着ブレード３４の破損状態等を監視するブレード監視
手段３６と、切削時に切削水を供給する切削水供給手段
３７とから構成される。
ブレード３４が配設されるスピンドルユニット３５と、
電着ブレード３４の破損状態等を監視するブレード監視
手段３６と、切削時に切削水を供給する切削水供給手段
３７とから構成される。
【０００４】スピンドルユニット３５の構成について図
９に基づいて説明すると、スピンドルハウジング３８に
回転可能に支持されたスピンドル３９の先端にマウント
フランジ４０が固定ナット４４によって固定される。そ
のマウントフランジ４０には、例えばワッシャータイプ
の電着ブレード４１が装着され、フランジ４２とブレー
ド支持ナット４３とによって挟持固定される。そして、
スピンドル３９が回転することによって、回転するワッ
シャータイプの電着ブレード４１によって半導体ウェー
ハＷが切削される。また、スピンドルユニット３５を構
成する電着ブレードが、図１０に示すようなハブと一体
となったハブタイプの電着ブレード４５である場合も、
同様に回転するハブタイプの電着ブレード４５によって
切削が行われる。
９に基づいて説明すると、スピンドルハウジング３８に
回転可能に支持されたスピンドル３９の先端にマウント
フランジ４０が固定ナット４４によって固定される。そ
のマウントフランジ４０には、例えばワッシャータイプ
の電着ブレード４１が装着され、フランジ４２とブレー
ド支持ナット４３とによって挟持固定される。そして、
スピンドル３９が回転することによって、回転するワッ
シャータイプの電着ブレード４１によって半導体ウェー
ハＷが切削される。また、スピンドルユニット３５を構
成する電着ブレードが、図１０に示すようなハブと一体
となったハブタイプの電着ブレード４５である場合も、
同様に回転するハブタイプの電着ブレード４５によって
切削が行われる。
【０００５】例えば、図９に示したようなワッシャータ
イプの電着ブレード４１は、図１１に示す電着ブレード
製造装置５０において製造される。この電着ブレード製
造装置５０においては、電着槽１５内に硫酸ニッケル等
の電解液１１が蓄えられており、この電解液１１中には
電着ブレードを構成する砥粒１２、例えばダイヤモンド
砥粒が混入されている。
イプの電着ブレード４１は、図１１に示す電着ブレード
製造装置５０において製造される。この電着ブレード製
造装置５０においては、電着槽１５内に硫酸ニッケル等
の電解液１１が蓄えられており、この電解液１１中には
電着ブレードを構成する砥粒１２、例えばダイヤモンド
砥粒が混入されている。
【０００６】電解液１１には、電着基盤５１及びニッケ
ル等の電解金属１７が浸漬しており、電着基盤５１は通
電手段１６のマイナス端子に接続され、電解金属１７は
通電手段１６のプラス端子に接続されている。
ル等の電解金属１７が浸漬しており、電着基盤５１は通
電手段１６のマイナス端子に接続され、電解金属１７は
通電手段１６のプラス端子に接続されている。
【０００７】例えば、ワッシャータイプの電着ブレード
４１を製造する場合に使用される電着基盤は、図１２に
示すように、所定の厚みを有するリング状の電着基盤５
１であり、例えばアルミニウム等により構成され、内周
面５２及び外周面５３にはマスキングが施され、平坦な
電着面５４のみが露出している。
４１を製造する場合に使用される電着基盤は、図１２に
示すように、所定の厚みを有するリング状の電着基盤５
１であり、例えばアルミニウム等により構成され、内周
面５２及び外周面５３にはマスキングが施され、平坦な
電着面５４のみが露出している。
【０００８】このように構成される電着ブレード製造装
置５０においては、通電手段１６から電着基盤５１と電
解金属１７との間に所定の電圧を加えると、電解液１１
に混入した砥粒１２が沈降して電着基盤５１の電着面５
４上に堆積すると共に、電解金属によって電着面５４に
おいてメッキされて砥粒１２と電解金属とからなる電着
層５５が成長していく。
置５０においては、通電手段１６から電着基盤５１と電
解金属１７との間に所定の電圧を加えると、電解液１１
に混入した砥粒１２が沈降して電着基盤５１の電着面５
４上に堆積すると共に、電解金属によって電着面５４に
おいてメッキされて砥粒１２と電解金属とからなる電着
層５５が成長していく。
【０００９】そして、電着層５５が所望の厚さまで形成
されると、電着基盤５１を電解液１１から取り出して電
着基盤５１を除去することにより、図９に示したよう
な、ワッシャータイプの電着ブレード４１が形成され
る。
されると、電着基盤５１を電解液１１から取り出して電
着基盤５１を除去することにより、図９に示したよう
な、ワッシャータイプの電着ブレード４１が形成され
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電着基
盤５１の電着面５４は、図１１において拡大して示すよ
うに平坦に形成されているため、図１３において二点鎖
線で示すように、形成された電着ブレード４１の成長開
始面５６が略平坦に形成されてしまい、成長終了面５７
との間で砥粒１２の突出量が大きく異なることになって
しまう。このように両面の面粗さが異なる電着ブレード
を使用して切削を行うと、被切削物の加工状態にも大き
な差異が生じるという問題が生じる。特に、砥粒の粒径
が大きい場合には、加工状態に顕著な相違が現れること
になる。
盤５１の電着面５４は、図１１において拡大して示すよ
うに平坦に形成されているため、図１３において二点鎖
線で示すように、形成された電着ブレード４１の成長開
始面５６が略平坦に形成されてしまい、成長終了面５７
との間で砥粒１２の突出量が大きく異なることになって
しまう。このように両面の面粗さが異なる電着ブレード
を使用して切削を行うと、被切削物の加工状態にも大き
な差異が生じるという問題が生じる。特に、砥粒の粒径
が大きい場合には、加工状態に顕著な相違が現れること
になる。
【００１１】また、電着ブレード４１の成長開始面５６
を所望の面粗さとするには、再度砥粒を堆積させて電着
を行ったり、所定量、例えば図１１及び図１３において
示すエッチングレベル５８までエッチングする等の作業
が必要となり、生産性の点でも問題がある。
を所望の面粗さとするには、再度砥粒を堆積させて電着
を行ったり、所定量、例えば図１１及び図１３において
示すエッチングレベル５８までエッチングする等の作業
が必要となり、生産性の点でも問題がある。
【００１２】従って、電着ブレードを製造する場合にお
いては、簡易な手法によって表裏面の面粗さを略等しく
することに解決すべき課題を有している。
いては、簡易な手法によって表裏面の面粗さを略等しく
することに解決すべき課題を有している。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、砥粒が混入した電解液
と、該電解液中に浸漬する電着基盤と、電解液中に浸漬
する電解金属と、マイナス電極を電着基盤に接続すると
共にプラス電極を電解金属に接続して通電する通電手段
とから少なくとも構成される電着ブレード製造装置であ
って、電着基盤の電着層が形成される電着面には微細な
凹凸が形成されていて、所望の面粗さとなっている電着
ブレード製造装置を提供する。
の具体的手段として本発明は、砥粒が混入した電解液
と、該電解液中に浸漬する電着基盤と、電解液中に浸漬
する電解金属と、マイナス電極を電着基盤に接続すると
共にプラス電極を電解金属に接続して通電する通電手段
とから少なくとも構成される電着ブレード製造装置であ
って、電着基盤の電着層が形成される電着面には微細な
凹凸が形成されていて、所望の面粗さとなっている電着
ブレード製造装置を提供する。
【００１４】そして、所望の面粗さは、微細な凹凸の高
低差が砥粒の粒径以下となるようにしたこと、微細な凹
凸の高低差は、砥粒の粒径の１０％以上８０％以下であ
ること、砥粒の粒径は１０μｍ以上であることを付加的
要件とする。
低差が砥粒の粒径以下となるようにしたこと、微細な凹
凸の高低差は、砥粒の粒径の１０％以上８０％以下であ
ること、砥粒の粒径は１０μｍ以上であることを付加的
要件とする。
【００１５】また本発明は、砥粒が混入した電解液と、
該電解液中に浸漬する電着基盤と、電解液中に浸漬する
電解金属と、マイナス電極を電着基盤に接続すると共に
プラス電極を電解金属に接続して通電する通電手段とか
ら少なくとも構成される電着ブレード製造装置を用いた
電着ブレードの製造方法であって、電着基盤の電着層が
形成される電着面に微細な凹凸を形成して所望の面粗さ
とする粗面形成工程と、電着基盤を電解液中に浸漬し、
通電手段による通電によって電着面に電着層を成長させ
る電着層形成工程と、電着層が形成された後、電着基盤
を電解液から取り出し電着基盤の全部または一部を除去
して電着層の全部または一部を露出させる電着基盤除去
工程とから少なくとも構成される電着ブレードの製造方
法を提供する。
該電解液中に浸漬する電着基盤と、電解液中に浸漬する
電解金属と、マイナス電極を電着基盤に接続すると共に
プラス電極を電解金属に接続して通電する通電手段とか
ら少なくとも構成される電着ブレード製造装置を用いた
電着ブレードの製造方法であって、電着基盤の電着層が
形成される電着面に微細な凹凸を形成して所望の面粗さ
とする粗面形成工程と、電着基盤を電解液中に浸漬し、
通電手段による通電によって電着面に電着層を成長させ
る電着層形成工程と、電着層が形成された後、電着基盤
を電解液から取り出し電着基盤の全部または一部を除去
して電着層の全部または一部を露出させる電着基盤除去
工程とから少なくとも構成される電着ブレードの製造方
法を提供する。
【００１６】そして、電着基盤除去工程において、電着
基盤の全部を除去することによってワッシャータイプの
電着ブレードを製造すること、電着基盤除去工程におい
て、電着基盤の一部を除去することによってハブタイプ
の電着ブレードを製造すること、粗面形成工程におい
て、電着基盤の電着層が形成される面に対して、旋盤に
おけるバイトの回転軸方向への切り込み量及び半径方向
への送り速度を適宜調整することによって、サンドブラ
ストによって、または化学的エッチングによって微細な
凹凸を形成し、所望の面粗さにすること、所望の面粗さ
は、微細な凹凸の高低差が砥粒の粒径以下となるように
したこと、微細な凹凸の高低差は、砥粒の粒径の１０％
以上８０％以下であること、砥粒の粒径は１０μｍ以上
であることを付加的要件とする。
基盤の全部を除去することによってワッシャータイプの
電着ブレードを製造すること、電着基盤除去工程におい
て、電着基盤の一部を除去することによってハブタイプ
の電着ブレードを製造すること、粗面形成工程におい
て、電着基盤の電着層が形成される面に対して、旋盤に
おけるバイトの回転軸方向への切り込み量及び半径方向
への送り速度を適宜調整することによって、サンドブラ
ストによって、または化学的エッチングによって微細な
凹凸を形成し、所望の面粗さにすること、所望の面粗さ
は、微細な凹凸の高低差が砥粒の粒径以下となるように
したこと、微細な凹凸の高低差は、砥粒の粒径の１０％
以上８０％以下であること、砥粒の粒径は１０μｍ以上
であることを付加的要件とする。
【００１７】このように構成される電着ブレード製造装
置及び電着ブレードの製造方法によれば、電着基盤の電
着層に微細な凹凸が形成されており、製造された電着ブ
レードの表裏面の面粗さが略等しくなるため、被加工物
の切削加工において電着ブレードの表裏面における切削
状態が略等しくなる。
置及び電着ブレードの製造方法によれば、電着基盤の電
着層に微細な凹凸が形成されており、製造された電着ブ
レードの表裏面の面粗さが略等しくなるため、被加工物
の切削加工において電着ブレードの表裏面における切削
状態が略等しくなる。
【００１８】また、従来は電着ブレードの表裏面の面粗
さを等しくするためには、成長開始面から砥粒一層分以
上除去したり、成長開始面に一層以上の砥粒層を電着し
たりして表裏面の面粗さを調整する作業が必要であった
が、電着基盤の電着面に微細な凹凸を形成したことによ
り、かかる煩雑な作業が不要となり、電着ブレードの生
産性が向上すると共に品質も向上する。
さを等しくするためには、成長開始面から砥粒一層分以
上除去したり、成長開始面に一層以上の砥粒層を電着し
たりして表裏面の面粗さを調整する作業が必要であった
が、電着基盤の電着面に微細な凹凸を形成したことによ
り、かかる煩雑な作業が不要となり、電着ブレードの生
産性が向上すると共に品質も向上する。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態とし
て、図１に示す電着ブレード製造装置１０及びこれを用
いた電着ブレードの製造方法について説明する。なお、
図１１に示した従来の電着ブレード製造装置５０と共通
する部位については同一の符号を付して説明する。
て、図１に示す電着ブレード製造装置１０及びこれを用
いた電着ブレードの製造方法について説明する。なお、
図１１に示した従来の電着ブレード製造装置５０と共通
する部位については同一の符号を付して説明する。
【００２０】図１に示す電着ブレード製造装置１０にお
いては、電解液１１中に電着ブレードを構成する砥粒１
２、例えば粒径が１０μｍ以上のダイヤモンド砥粒が混
入されている。
いては、電解液１１中に電着ブレードを構成する砥粒１
２、例えば粒径が１０μｍ以上のダイヤモンド砥粒が混
入されている。
【００２１】例えば、図９において示したようなワッシ
ャータイプの電着ブレードを製造する場合には、アルミ
ニウム等からなるワッシャータイプの電着基盤を硫酸ニ
ッケル等からなる電解液１１に浸漬するが、その前に、
図２に示すように、電着面１４に微細な凹凸を形成する
（粗面形成工程）。
ャータイプの電着ブレードを製造する場合には、アルミ
ニウム等からなるワッシャータイプの電着基盤を硫酸ニ
ッケル等からなる電解液１１に浸漬するが、その前に、
図２に示すように、電着面１４に微細な凹凸を形成する
（粗面形成工程）。
【００２２】この微細な凹凸は、電着基盤１３の電着面
１４に対して、サンドブラスト、化学的エッチング、旋
盤においてバイトの回転軸方向への切り込み量及び半径
方向への送り速度を適宜調整する等の手段を施すことに
よって形成し、凹部と凸部との高低差が砥粒の粒径以
下、例えば、砥粒の粒径の１０％以上８０％以下となる
程度にする。
１４に対して、サンドブラスト、化学的エッチング、旋
盤においてバイトの回転軸方向への切り込み量及び半径
方向への送り速度を適宜調整する等の手段を施すことに
よって形成し、凹部と凸部との高低差が砥粒の粒径以
下、例えば、砥粒の粒径の１０％以上８０％以下となる
程度にする。
【００２３】そして次に、図１に示したように、微細な
凹凸が形成された電着面１４を上にして電着基盤１３を
電解槽１５の底部に載置して電解液１１に浸漬させ、通
電手段１６のマイナス端子と接続する。また、ニッケル
等からなる電解金属１７を電解液１１に浸漬させると共
に、通電手段１６のプラス端子に接続する。
凹凸が形成された電着面１４を上にして電着基盤１３を
電解槽１５の底部に載置して電解液１１に浸漬させ、通
電手段１６のマイナス端子と接続する。また、ニッケル
等からなる電解金属１７を電解液１１に浸漬させると共
に、通電手段１６のプラス端子に接続する。
【００２４】この状態で通電手段１６から電着基盤１３
と電解金属１７との間に所定の電圧を加えると、電解液
１１に混入した砥粒１２が沈降して電着基盤１３の電着
面１４上に堆積すると共に、溶けた電解金属１７によっ
て砥粒１２が固定されて砥粒１２と電解金属とからなる
電着層１８が成長していく（電着層形成工程）。
と電解金属１７との間に所定の電圧を加えると、電解液
１１に混入した砥粒１２が沈降して電着基盤１３の電着
面１４上に堆積すると共に、溶けた電解金属１７によっ
て砥粒１２が固定されて砥粒１２と電解金属とからなる
電着層１８が成長していく（電着層形成工程）。
【００２５】ここで、電着基盤１３の電着面１４には予
め微細な凹凸が形成されており、この凹凸の高低差は砥
粒１２の粒径以下に形成されているため、砥粒１２はこ
の微細な凹凸に沿って堆積される。即ち、砥粒１２が電
着面の凹部に入り込んで電着層の下面が凹凸に形成され
る。
め微細な凹凸が形成されており、この凹凸の高低差は砥
粒１２の粒径以下に形成されているため、砥粒１２はこ
の微細な凹凸に沿って堆積される。即ち、砥粒１２が電
着面の凹部に入り込んで電着層の下面が凹凸に形成され
る。
【００２６】電着層１８が所望の厚さまで形成されたと
きは、電着基盤１３を電解液１１から取り出し、電着基
盤１３の全部を例えば水酸化ナトリウムによって溶解し
て除去する（電着基盤除去工程）。すると、端部を拡大
して図示した図３に示したような、表裏面における砥粒
１２の突出量が略等しい電着ブレード１９が形成され
る。
きは、電着基盤１３を電解液１１から取り出し、電着基
盤１３の全部を例えば水酸化ナトリウムによって溶解し
て除去する（電着基盤除去工程）。すると、端部を拡大
して図示した図３に示したような、表裏面における砥粒
１２の突出量が略等しい電着ブレード１９が形成され
る。
【００２７】このようにして形成された電着ブレード１
９を、例えば図７に示したダイシング装置３０に搭載し
て半導体ウェーハのダイシングを行うと、電着ブレード
１９の切削条件が表裏面において等しくなっているた
め、半導体ウェーハの加工状態に表裏の差異が生じなく
なり、歪み、撓み、揺れ等が生じなくなり、加工精度が
向上して品質が向上する。
９を、例えば図７に示したダイシング装置３０に搭載し
て半導体ウェーハのダイシングを行うと、電着ブレード
１９の切削条件が表裏面において等しくなっているた
め、半導体ウェーハの加工状態に表裏の差異が生じなく
なり、歪み、撓み、揺れ等が生じなくなり、加工精度が
向上して品質が向上する。
【００２８】なお、電着基盤が図１０において示したよ
うなハブタイプの電着ブレードに対応した電着基盤であ
る場合にも、図４に示すように、電着基盤２０の電着面
２１に上記と同様の手法により微細な凹凸を形成する。
また、図５に示すように、電着面２１の外周部２２のみ
が露出するようにマスキング２３を施して電着面２１を
上にして電解液１１に浸漬し、上記と同様にして電着面
２１に電着層を成長させる。
うなハブタイプの電着ブレードに対応した電着基盤であ
る場合にも、図４に示すように、電着基盤２０の電着面
２１に上記と同様の手法により微細な凹凸を形成する。
また、図５に示すように、電着面２１の外周部２２のみ
が露出するようにマスキング２３を施して電着面２１を
上にして電解液１１に浸漬し、上記と同様にして電着面
２１に電着層を成長させる。
【００２９】そして、マスキングが施されていない外周
部２２に所定量の電着層が形成されると、電解液１１か
ら取り出し、今度は、電着基盤２０を構成するハブ２４
及び裏面２５の外周部以外にマスキングを施し、水酸化
ナトリウム等により溶解する。すると、外周部２６のみ
が除去されてそこに電着層が露出し、ハブタイプの電着
ブレードが形成される。
部２２に所定量の電着層が形成されると、電解液１１か
ら取り出し、今度は、電着基盤２０を構成するハブ２４
及び裏面２５の外周部以外にマスキングを施し、水酸化
ナトリウム等により溶解する。すると、外周部２６のみ
が除去されてそこに電着層が露出し、ハブタイプの電着
ブレードが形成される。
【００３０】このようにして形成されたハブタイプの電
着ブレードも、図３に示したように、表裏面の状態が略
等しくなる。
着ブレードも、図３に示したように、表裏面の状態が略
等しくなる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電着
ブレード製造装置及び電着ブレードの製造方法によれ
ば、電着基盤の電着層に微細な凹凸が形成されており、
製造された電着ブレードの表裏面の面粗さが略等しくな
るため、被加工物の切削加工において電着ブレードの表
裏面における切削状態が略等しくなり、被加工物に歪
み、撓み、揺れ等が生じにくくなり、加工精度が向上し
て品質が向上する。
ブレード製造装置及び電着ブレードの製造方法によれ
ば、電着基盤の電着層に微細な凹凸が形成されており、
製造された電着ブレードの表裏面の面粗さが略等しくな
るため、被加工物の切削加工において電着ブレードの表
裏面における切削状態が略等しくなり、被加工物に歪
み、撓み、揺れ等が生じにくくなり、加工精度が向上し
て品質が向上する。
【００３２】また、従来は電着ブレードの表裏面の面粗
さを等しくするためには、成長開始面から砥粒一層分以
上除去したり、成長開始面に一層以上の砥粒層を電着し
たりして表裏面の面粗さを調整する作業が必要であった
が、電着基盤の電着面に微細な凹凸を形成したことによ
り、かかる煩雑な作業が不要となり、電着ブレードの生
産性が向上すると共に品質も向上する。
さを等しくするためには、成長開始面から砥粒一層分以
上除去したり、成長開始面に一層以上の砥粒層を電着し
たりして表裏面の面粗さを調整する作業が必要であった
が、電着基盤の電着面に微細な凹凸を形成したことによ
り、かかる煩雑な作業が不要となり、電着ブレードの生
産性が向上すると共に品質も向上する。
【図１】本発明に係る電着ブレード製造装置を示す説明
図である。
図である。
【図２】同電着ブレード製造装置を構成する、ワッシャ
ータイプの電着ブレード製造用の電着基盤の一例を示す
斜視図である。
ータイプの電着ブレード製造用の電着基盤の一例を示す
斜視図である。
【図３】同電着ブレード製造装置によって製造された電
着ブレードの一部を示す側面図である。
着ブレードの一部を示す側面図である。
【図４】同電着ブレード製造装置を構成する、ハブタイ
プの電着ブレード製造用の電着基盤の一例を示す斜視図
である。
プの電着ブレード製造用の電着基盤の一例を示す斜視図
である。
【図５】同ハブタイプの電着ブレード製造用の電着基盤
の電着面にマスキングを施した様子を示す斜視図であ
る。
の電着面にマスキングを施した様子を示す斜視図であ
る。
【図６】同ハブタイプの電着ブレード製造用の電着基盤
のハブ及び裏面にマスキングを施した様子を示す斜視図
である。
のハブ及び裏面にマスキングを施した様子を示す斜視図
である。
【図７】電着ブレードが配設されるダイシング装置を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】同ダイシング装置の切削手段の構成を示す斜視
図である。
図である。
【図９】ワッシャータイプの電着ブレードが装着される
スピンドルユニットの構成を示す斜視図である。
スピンドルユニットの構成を示す斜視図である。
【図１０】ハブタイプの電着ブレードが装着されるスピ
ンドルユニットの構成を示す斜視図である。
ンドルユニットの構成を示す斜視図である。
【図１１】従来の電着ブレード製造装置を示す説明図で
ある。
ある。
【図１２】同電着ブレード製造装置を構成する、ワッシ
ャータイプの電着ブレード製造用の電着基盤の一例を示
す斜視図である。
ャータイプの電着ブレード製造用の電着基盤の一例を示
す斜視図である。
【図１３】同電着ブレード製造装置によって製造された
電着ブレードの一部を示す側面図である。
電着ブレードの一部を示す側面図である。
１０……電着ブレード製造装置 １１……電解液 １２
……砥粒 １３……電着基盤 １４……電着面 １５……電解槽
１６……通電手段 １７……電解金属 １８……電着層 １９……電着ブレ
ード ２０……電着基盤 ２１……電着面 ２２……外周部 ２３……マスキング
２４……ハブ ２５……裏面 ２６……外周部 ３０……ダイシング装置 ３１……チャックテーブル ３２……アライメント手段 ３３……切削手段 ３４…
…電着ブレード ３５……スピンドルユニット ３６……ブレード監視手
段 ３７……切削水供給手段 ３８……スピンドルハウジン
グ ３９……スピンドル ４０……マウントフランジ ４１……ワッシャータイプ
の電着ブレード ４２……フランジ ４３……ブレード支持ナット ４４
……固定ナット ４５……ハブタイプの電着ブレード ５０……電着ブレード製造装置 ５１……電着基盤 ５
２……内周面 ５３……外周面 ５４……電着面 ５５……電着層 ５
６……成長開始面 ５７……成長終了面 ５８……エッチングレベル
……砥粒 １３……電着基盤 １４……電着面 １５……電解槽
１６……通電手段 １７……電解金属 １８……電着層 １９……電着ブレ
ード ２０……電着基盤 ２１……電着面 ２２……外周部 ２３……マスキング
２４……ハブ ２５……裏面 ２６……外周部 ３０……ダイシング装置 ３１……チャックテーブル ３２……アライメント手段 ３３……切削手段 ３４…
…電着ブレード ３５……スピンドルユニット ３６……ブレード監視手
段 ３７……切削水供給手段 ３８……スピンドルハウジン
グ ３９……スピンドル ４０……マウントフランジ ４１……ワッシャータイプ
の電着ブレード ４２……フランジ ４３……ブレード支持ナット ４４
……固定ナット ４５……ハブタイプの電着ブレード ５０……電着ブレード製造装置 ５１……電着基盤 ５
２……内周面 ５３……外周面 ５４……電着面 ５５……電着層 ５
６……成長開始面 ５７……成長終了面 ５８……エッチングレベル
Claims (11)
- 【請求項１】 砥粒が混入した電解液と、該電解液中に
浸漬する電着基盤と、該電解液中に浸漬する電解金属
と、マイナス電極を該電着基盤に接続すると共にプラス
電極を該電解金属に接続して通電する通電手段とから少
なくとも構成される電着ブレード製造装置であって、 該電着基盤の電着層が形成される電着面には微細な凹凸
が形成されていて、所望の面粗さとなっている電着ブレ
ード製造装置。 - 【請求項２】 所望の面粗さは、微細な凹凸の高低差が
砥粒の粒径以下となるようにした請求項１に記載の電着
ブレード製造装置。 - 【請求項３】 微細な凹凸の高低差は、砥粒の粒径の１
０％以上８０％以下である請求項２に記載の電着ブレー
ド製造装置。 - 【請求項４】 砥粒の粒径は１０μｍ以上である請求項
１、２または３に記載の電着ブレード製造装置。 - 【請求項５】 砥粒が混入した電解液と、該電解液中に
浸漬する電着基盤と、該電解液中に浸漬する電解金属
と、マイナス電極を該電着基盤に接続すると共にプラス
電極を該電解金属に接続して通電する通電手段とから少
なくとも構成される電着ブレード製造装置を用いた電着
ブレードの製造方法であって、 該電着基盤の電着層が形成される電着面に微細な凹凸を
形成して所望の面粗さとする粗面形成工程と、 該電着基盤を該電解液中に浸漬し、該通電手段による通
電によって該電着面に電着層を成長させる電着層形成工
程と、 該電着層が形成された後、該電着基盤を該電解液から取
り出し該電着基盤の全部または一部を除去して該電着層
の全部または一部を露出させる電着基盤除去工程とから
少なくとも構成される電着ブレードの製造方法。 - 【請求項６】 電着基盤除去工程において、電着基盤の
全部を除去することによってワッシャータイプの電着ブ
レードを製造する請求項５に記載の電着ブレードの製造
方法。 - 【請求項７】 電着基盤除去工程において、電着基盤の
一部を除去することによってハブタイプの電着ブレード
を製造する請求項５に記載の電着ブレードの製造方法。 - 【請求項８】 粗面形成工程において、電着基盤の電着
層が形成される面に対して、旋盤におけるバイトの回転
軸方向への切り込み量及び半径方向への送り速度を適宜
調整することによって、サンドブラストによって、また
は化学的エッチングによって微細な凹凸を形成し、所望
の面粗さにする請求項５、６または７に記載の電着ブレ
ードの製造方法。 - 【請求項９】 所望の面粗さは、微細な凹凸の高低差が
砥粒の粒径以下となるようにした請求項５乃至８に記載
の電着ブレードの製造方法。 - 【請求項１０】 微細な凹凸の高低差は、砥粒の粒径の
１０％以上８０％以下である請求項９に記載の電着ブレ
ードの製造方法。 - 【請求項１１】 砥粒の粒径は１０μｍ以上である請求
項５乃至１０に記載の電着ブレードの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26286598A JP3992168B2 (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 電着ブレードの製造方法 |
| KR1019990034057A KR100597545B1 (ko) | 1998-09-17 | 1999-08-18 | 전착 블레이드 제조 장치 및 제조 방법 |
| US09/392,458 US6306274B1 (en) | 1998-09-17 | 1999-09-09 | Method for making electrodeposition blades |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26286598A JP3992168B2 (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 電着ブレードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000087282A true JP2000087282A (ja) | 2000-03-28 |
| JP3992168B2 JP3992168B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=17381714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26286598A Expired - Lifetime JP3992168B2 (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 電着ブレードの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6306274B1 (ja) |
| JP (1) | JP3992168B2 (ja) |
| KR (1) | KR100597545B1 (ja) |
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| DE102019201317A1 (de) | 2018-02-02 | 2019-08-08 | Disco Corporation | Ringförmiger schleifstein und herstellungsverfahren für einen ringförmigen schleifstein |
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| DE102019204461A1 (de) | 2018-03-29 | 2019-10-02 | Disco Corporation | Ringförmiger schleifstein |
| KR20210018080A (ko) | 2019-08-06 | 2021-02-17 | 가부시기가이샤 디스코 | 드레싱 보드 및 절삭 블레이드의 드레싱 방법 |
| KR20210081246A (ko) | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 가부시기가이샤 디스코 | 피가공물의 가공 방법 |
| DE102022202596A1 (de) | 2021-03-23 | 2022-09-29 | Disco Corporation | Schneidvorrichtung |
| DE102022207637A1 (de) | 2021-08-02 | 2023-02-02 | Disco Corporation | Bestimmungswerkzeug und formbestimmungsverfahren |
| KR20240034115A (ko) | 2022-09-06 | 2024-03-13 | 가부시기가이샤 디스코 | 드레싱 공구의 고정 방법, 및 드레싱 공구 |
| DE102023209741A1 (de) | 2022-10-12 | 2024-04-18 | Disco Corporation | Abrichtplatte und formbestimmungsverfahren |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002113666A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Funasoo Kk | ガラス瓶を切断可能な手鋸及びその製造方法 |
| JP4571821B2 (ja) * | 2004-05-19 | 2010-10-27 | 株式会社ディスコ | 電着砥石の製造方法 |
| JP2023022523A (ja) * | 2021-08-03 | 2023-02-15 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3691707A (en) * | 1969-11-12 | 1972-09-19 | Sola Basic Ind | Semiconductor material cutting apparatus and method of making the same |
| DE2218288A1 (de) * | 1972-04-15 | 1973-10-31 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur reinigung von l-dopa |
| US4079552A (en) * | 1974-11-06 | 1978-03-21 | Fletcher J Lawrence | Diamond bonding process |
| SU871843A1 (ru) * | 1979-11-16 | 1981-10-15 | Войсковая Часть 44388-Р/1 | Устройство дл ультразвуковой размерной обработки |
| US5545439A (en) * | 1994-12-02 | 1996-08-13 | Deng; Chih-Chiang | Method for coating a metal cookware |
-
1998
- 1998-09-17 JP JP26286598A patent/JP3992168B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-08-18 KR KR1019990034057A patent/KR100597545B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-09-09 US US09/392,458 patent/US6306274B1/en not_active Expired - Lifetime
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| KR20190114759A (ko) | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 가부시기가이샤 디스코 | 환상의 지석 |
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| KR20210081246A (ko) | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 가부시기가이샤 디스코 | 피가공물의 가공 방법 |
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Also Published As
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| KR20000022730A (ko) | 2000-04-25 |
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