JPS62136032A - 半導体ウエハ−の裏面加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体ウェハーの裏面加工方法に関する。

（従来の技術） 周知のように半導体ウェハー（以下単にウェハーと呼ぶ
。）は当初その厚さは約５００μ程度であって、これに
チップとしての処理を行ったあと、必要な厚さ例えば約
３００μ程度までに切削することが要求される。この場
合チップとしてのダイボンディングの際に、ダイボンデ
ィング不良が起きないようにその裏面を鏡面状に仕上げ
ることが必要とされている。しかし前記した切削のため
には通常ダイヤモンドホイールなどにより機械的に切削
研磨するようにしているので、これだけでは鏡面仕上げ
は側底期待できない。

具体的にはダイヤモンドホイールによって切削するとき
、これを構成している砥粒の径程度の条痕がウェハーの
表面に生ずるが、この条痕の表面に前記砥粒のひっかき
傷による微細な突出部が発生する。これが鏡面状の仕上
げを阻害するひとつの原因となっている。

一方この研磨のあとダイボンディングの際の密着性を図
るため、ウェハーの裏面に金の薄膜を蒸着によって形成
する。この蒸着のあと熱処理して金とシリコンとの共晶
物を形成する。しかし前記した微細な突出部が存在して
いると、この共晶物を突出部が突き破ってしまうことが
ある。これを回避するために少なくとも前記した突出部
が残らない程度に鏡面仕上げが要求されるのである。

そのため従来では前記した切削研磨のあと、これを化学
的にエツチングするのを普通としている。

これによれば前記した突出部を除去することができて極
めて都合がよい。しかし実際問題としてこのような化学
的なエツチング方法を採用するときは、そのウェハーを
切削研磨のあと、その切削機から取外してエツチング処
理場まで移動させなければならない。

これでは切削研磨の加工処理の他にエツチング処理とい
った別工程が必要となるばかりでなく。

その移動の過程でウェハーが割れたりするなどの不都合
が生じやすい欠点があった。

（発明が解決しようとする問題点） この発明はウェハーの裏面を機械的に研磨加工するにあ
たり、少なくともその条痕の表面に生ずる突出部の除去
を従来方法よりも簡易に可能とすることを目的とする。

（問題点を解決するための手段） この発明はウェハーの裏面を回転砥石により機械的に切
削研磨する過程で、その研磨を電解液中で行うとともに
、その電解液を使用して研磨面を電気化学的にエツチン
グすることにより、少なくとも条痕表面の突出部を除去
するようにしたことを特徴とする。これによれば切削研
磨の過程で電解エツチングを行うので、ウェハーの移動
はなんら必要としないようになる。

（実施例） この発明の実施例を図によって説明する。図において１
はウェハーで、これはたとえば真空チャック２によって
水平に保持されてあり、３はダイヤモンドホイールなど
からなる回転砥石で、その回転軸４によって回転される
とともに、矢印５で示すようにウェハー１と平行する方
向に移動自在とされている。この回転砥石３の移動しな
がらの回転によって、ウェハー１の裏面が研磨され切削
されていく。

これらの構成ならびに切削方法は従来のものと特に相違
するところはない。この発明にしたがい前記した研磨の
過程で、ウェハー１の裏面を電解によって電気化学にエ
ツチングする。そのために電解用の電源６を用意し、こ
れをウェハー１と回転砥石３とのかんに接続する。

具体的には電源６の陽極をたとえば回転軸４を介して回
転砥石３に、また陰極を直接または間接にウェハー１に
接続する。またウェハー１と回転砥石３との間にノズル
７などから電解液（たとえばアルカリ電解液）を供給す
る。なおこれに代えてウェハー１と回転砥石３とを電解
液中に浸漬するようにしてもよい。

以上の構成において、回転砥石３の回転と移動とによっ
てウェハー１の裏面は従来と同様に機械的に研磨されて
切削されていくが、この切削過程において電源６によっ
て電解を行うと、ウェハー１の裏面での、前記した切削
によって生じた微細な突出部に電流が集中して流れ、こ
れによってその突出部は溶かされて鏡面化される。すな
わちウェハーｌは電気化学的にエツチングされることに
なるのである。

もちろんこの電解によって砥粒の条痕による凸部をも溶
かすようにしてもよく、このようにすれば更に鏡面化さ
れることはいうまでもない。

なおこのような電解研磨はその加工面に加工歪みを残さ
ない点で都合がよいが、更にこの加工を電解液中に行う
と、その電解液は摩擦によって温度が上昇している回転
砥石３、ウェハー１に接するのでその液温か上昇するた
め、対流がよいことにより、エツチング量が大きくなる
といった利点もある。

（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば、ダイポンディグ
時の不良を回避するために、ウェハーの裏面を鏡面仕上
げするにあたって、その裏面を回転砥石によって機械的
に切削研磨する過程で電解研磨によって鏡面化するよう
にしたので、従来のような化学的エツチングによる場合
のように、機械的切削研磨工程に加えてこれとは別工程
を実施する必要はなくなり、したがってそれだけこの種
の加工処理の簡易化が可能となるといった効果を奏する
。

【図面の簡単な説明】

図はこの発明の実施例工程を示す正面図である。 １・・・ウェハー、３・・・回転砥石、６・・・電源、
７・・・ノズル。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体ウェハーの裏面を回転砥石により機械的に切削研
   磨する過程で、前記切削研磨を電解液中で行うとともに
   、その電解液を使用して前記回転砥石による切削研磨面
   を電気化学的にエッチングして、前記裏面を鏡面仕上げ
   するようにしたことを特徴とする半導体ウェハーの裏面
   加工方法。