JP2000086393A

JP2000086393A - シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法

Info

Publication number: JP2000086393A
Application number: JP10259917A
Authority: JP
Inventors: Takashi Fujikawa; 孝藤川; Masaharu Ninomiya; 正晴二宮
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1998-09-14
Filing date: 1998-09-14
Publication date: 2000-03-28
Anticipated expiration: 2018-09-14
Also published as: US6261362B1; JP4244411B2

Abstract

(57)【要約】【課題】エピタキシャルウェーハにおいて、少なくと
もデバイス特性に悪影響を及ぼさない高品質なエピタキ
シャル表面品質を得るために、エピタキシャルウェーハ
用として最適な低COPの基板を効率よく製造でき、高品
質エピタキシャルウェーハを歩留りよく製造できる製造
方法の提供。【解決手段】炭素濃度を0.3×10¹⁶〜3.2×10¹⁷atoms/
cm³(NEW ASTM)の範囲に添加、制御させることによっ
て、COPの発生が低減、抑制され、特に、その後のエピ
タキシャル成長によっても消滅し難い0.130μm以上のCO
Pの発生を頭著に低減、抑制でき、従来の結晶の生産性
低下を招く低速引き上げを行うことなく、COP発生を低
減抑制できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】この発明は、高集積半導体デ
バイスの素材に供され、所定表面に気相成長させたシリ
コンエピタキシャル膜を有するシリコンエピタキシャル
ウェーハにおける、その表面に発生する欠陥LPD(Light
Point Defect)の低減化を目的とした製造方法の改良に
係り、CZ法もしくはMCZ法(以下、総称してCZ法という)
により、比較的高速度でシリコン単結晶を引き上げる際
に、単結晶中の炭素濃度を所定範囲に故意に高く制御し
て引き上げられたシリコン単結晶インゴットより切り出
されたウェーハを用い、加えてその表面におけるGrown-
in欠陥(COP、Crystal-Originated-Particle)の密度が0.
130μm以上のサイズにおいて0.03個/cm³以下となるよう
なウェーハを用いてエピタキシャル膜を成膜させるシリ
コンエピタキシャルウェーハとその製造方法に関する。

【0002】

【従来の技術】従来の半導体デバイス(4M、16Mデバイス
相当)では、一般的に0.35μm程度より線幅の広いデザイ
ンルールが使われてきた。この線幅サイズの2/3程度以
上のCOPサイズのものが、実際のデバイス特性へ影響を
及ぼすと言われている。さらに厳しい見方をするデバイ
スメーカではこの値を1/2と見る場合もある。

【0003】すなわち、デバイスに影響するCOPサイズはデ
バイスメーカ、デバイス用途によって若干の違いはある
が、0.233μm以下、厳しい見方をすると0.175μm以下の
サイズのCOPについては、ウェーハ表面に多少存在(例え
ば、0.20μmのサイズで0.3個/cm²程度存在)していて
も、デバイス特性や最終歩留まりヘ悪影響を及ぼすこと
もさほどなく問題視されていなかった。

【0004】ところが、次世代の高集積デバイスではデザイ
ンルールの微細化がさらに進み、従来、問題視されてい
なかった表面の微小かつ低密度なCOPがデバイス特性に
悪影響を及ぼすことは必至で、良好なデバイス最終歩留
まりを得るにはこれらのCOPの低減化が必要不可欠とな
ってきた。

【0005】従来、4M、16Mデバイス相当を想定したウェー
ハでは、このような問題を解決するために、結晶引き上
げ時の育成プロセスを改良して対応してきた。代表的な
改善事例として、通常の引き上げ速度よりもかなり遅い
速度で結晶を引き上げる、例えば、引上げ速度を30%〜6
0%低下させて引上げを行う方法などが採用されている。

【0006】このように低速度で引き上げられて作製された
結晶から切り出されたウェーハは、1000〜1150℃程度の
熱酸化処理を施すとOSF(Oxidation-Induced‐Stackingf
ault)リングと呼ばれるリング状の酸化誘起積層欠陥が
生じることが知られている。

【0007】このOSFリングの外側領域と内側領域では物性
が大きく異なっており、例えば表面検査装置(KLA-Tenco
r社製、SP1)でウェーハの表面状態を計測すると、リン
グの内側領域ではCOPが高密度で発生し、そのサイズは
比較的小さいのに対し、外側領域ではCOPは低密度で、
そのサイズは大きい。

【0008】また、引き上げ速度をさらに低速化することに
よりOSFリングはさらに収縮し、最後にはウェーハ中央
部で消滅してしまい、その結果、ウェーハ全面における
COP密度を減少させることになる。すなわち、従来にお
いては、結晶引き上げ速度の低速化によってCOP発生密
度の低減化に対応していたのである。

【0009】しかしながら、このように引き上げ速度を遅く
すると、引き上げ時間が長くなり、有転位化を生じる危
険性が高くなり、この有転位化によって結晶引き上げ歩
留まりの低下を引き起こすことが問題となっている。ま
た、低速引き上げ結晶は、高速引き上げ時に比べて生産
性が著しく低下するという問題があり、その結果、高速
引き上げ結晶に比べ高コストな製造方法となってしま
う。さらに低速引き上げ結晶はOSFリングの外側領域に
発生するCOPサイズはそれほど小さくないという問題も
ある。

【0010】

【発明が解決しようとする課題】今後の高集積デバイス
(256M、1G相当以降)では、デザインルールが0.25μm、
さらに近い将来には0.18μmになることが明らかになっ
ており、COP密度のさらなる低減に加え、今迄よりもさ
らに小さなサイズのCOP、すなわち前述のデザインルー
ルの厳しい見方を取ると、0.09μmレベルのサイズにつ
いても検討する必要性がある。

【0011】ところが、従来から用いてきた手法である結晶
引き上げ条件の改善による改良では、一層のCOPの低減
化は非常に難しく、また、上述の如く、従来の低速引き
上げ法ではコスト面を考慮した場合に問題が大きい。

【0012】このようなことから、256M以降の高集積デバイ
スでは、結晶引き上げ方法の改良により作製された結晶
より切り出し作製した鏡面仕上げウェーハに代わって、
エピタキシャルウェーハがデバイス用基板として用いら
れる可能性が高い。すなわち、鏡面研磨仕上げウェーハ
に比べ、エピタキシャルウェーハは、エピ層内にはデバ
イス特性を劣化させるGrown‐in欠陥がほぼ存在しない
ため、極めて高品質な表面品質を得ることができるため
である。

【0013】これまでは、鏡面研磨仕上げウェーハに対比
し、エピタキシャルウェーハはコスト面での問題からあ
まり使用されていなかったが、結晶引き上げ条件の改良
による方法でCOPの問題が解決しない限り、エピタキシ
ャルウェーハが高集積デバイス用基板の大勢を成すと考
えられる。

【0014】しかし、エピウェーハであってもその下地とし
て用いる基板ウェーハの品質によっては、成長したエピ
タキシャル表面にデバイス特性に悪影響を及ぼす欠陥が
発生してしまい、エピウェーハ本来のメリットである高
品質な表面状態が期待できないという恐れがある。

【0015】すなわち、前述したとおり低速引き上げ結晶か
ら切り出されたウェーハは、COP密度が少ないOSF外側領
域が広く存在することから、ウェーハ一枚当たりのCOP
発生量は少ない。しかし、OSFリングの外側領域に発生
するCOPサイズは比較的大きなサイズであり、このCOP
は、エピタキシャル成長処理で水素及び塩化水素雰囲気
下におけるエッチング作用を受けても平坦化されずに消
滅しないものも存在するため、エピ表面にはこのCOPに
起因した欠陥(LPD)が発生してしまうのである。

【0016】また、低速引き上げ結晶から切り出されたウェ
ーハのOSF外側領域には転位クラスターが発生し易く、
ウェーハ表面に転位クラスターが存在する場合には、エ
ピタキシャル成長処理を施しても転位クラスターは消滅
せず、そのままエピタキシャル成長表面に出現し、エピ
表面品質を著しく低下させるという問題もある。

【0017】この発明は、前述の結晶引き上げ速度の改良に
よる改善では生産性、コスト、生産歩留まり、COPに代
表される表面品質の完全性等の面で問題があったことに
鑑み、上述のエピタキシャルウェーハにおいて、少なく
ともデバイス特性に悪影響を及ぼさない高品質なエピタ
キシャル表面品質を得るために、エピタキシャルウェー
ハ用として最適な低COPの基板を効率よく製造でき、高
品質エピタキシャルウェーハを歩留りよく製造できる製
造方法の提供を目的とする。

【0018】

【課題を解決するための手段】発明者らは、エピタキシ
ャルウェーハ表面におけるCOP発生量が極めて低く、高
品質な次世代高集積デバイスに対応し得るエピタキシャ
ルウェーハを効率よく製造することを目的に、種々検討
した結果、低速引上げ法によるウェーハはCOP密度は少
ないが、サイズが大きく、これにエピタキシャル成膜し
てもサイズの大きいものについては溶態化もしくは平坦
化されずCOPとして残ってしまうこと、これに対して意
図的に炭素濃度を高く制御するとCOP密度は多いが、サ
イズが小さく、エピタキシャル成膜に際して溶態化もし
くは平坦化されてCOPが消滅することを知見した。

【0019】そこで発明者らは、炭素濃度と引き上げ速度と
の関係について詳細に検討した結果、CZ法にて結晶を引
き上げる際に、8インチ以上のサイズの場合、引き上げ
速度が0.7mm/min未満についてはウェーハ面内にOSFリン
グが発生し、その外側領域では転移クラスターが発生す
ること、意図的に炭素濃度を高く制御するとCOP低減効
果が見られること、COP低減効果は引き上げ速度が0.7mm
/min以上で顕著であることを知見した。

【0020】発明者らは、さらに上記の引き上げ速度、炭素
濃度、COPのサイズと密度との関係について鋭意検討し
た結果、所要範囲に炭素濃度を高く制御し、ウェーハ面
内にOSFリングの外側領域が存在しないように比較的高
速引き上げにてシリコン単結晶を育成し、ウェーハに切
り出した後のウェーハをエピタキシャルウェーハの基板
として用いることに加え、ウェーハ状態にて計測、選別
し、0.130μm以上におけるCOPが特定の密度以下のもの
について、エピタキシャル成長を行うことにより、極め
て高品質な次世代高集積デバイスに対応し得るエピタキ
シャルウェーハが作製できることを知見し、この発明を
完成した。

【0021】炭素を意図的に添加することによってCOPの発
生を抑制する因子になり得ることを発明者らは、後述の
ごとく種々の実験及び調査から明らかにしたが、これを
踏まえて、発明者らは、エピタキシャル成長前のウェー
ハのCOPの発生に炭素濃度の影響を詳細に調査した結
果、炭素濃度を0.3×10¹⁶〜3.2×10¹⁷atoms/cm³(NEW AS
TM)の範囲に添加、制御させることによって、COPの発生
が低減、抑制され、特に、その後のエピタキシャル成長
によっても消滅し難い0.130μm以上のCOPの発生を頭著
に低減、抑制でき、従来の結晶の生産性低下を招く低速
引き上げを行うことなく、COP発生を低減抑制できるこ
とを知見した。

【0022】すなわち、この発明において0.130μm以上のGr
own-in欠陥(COP)密度が0.03個/cm²以下のシリコン単結
晶ウェーハで、その表面にシリコンエピタキシャル膜を
成膜したことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェ
ーハを提案する。

【0023】さらに、この発明において、CZ法にてシリコン
単結晶をウェーハ面内にOSFリングの外側領域が存在し
ない速度、例えば直径8インチ以上の結晶引き上げ速度
が0.7mm/min以上で引き上げ、炭素濃度を0.3×10¹⁶〜3.
2×10¹⁷atoms/cm³(NEW ASTM)の範囲で添加したシリコン
単結晶から、ウェーハに切り出した後、種々の研削や研
磨工程を施し、最終的にシリコンウェーハの片面又は両
面を鏡面研磨仕上げし、そして研磨表面にエピタキシャ
ル膜を成膜することを特徴とするシリコンエピタキシャ
ルウェーハの製造方法を併せて提案する。

【0024】

【発明の実施の形態】この発明は、公知のCZ法にて育成
されたもので、結晶引き上げ育成時に公知の制御方法に
て炭素を故意に添加してその濃度を0.3×10¹⁶〜3.2×10
¹⁷atoms/cm³(NEW ASTM)の範囲に制御することにより、
使用する結晶の高速引き上げが可能となり、且つ、ウェ
ーハに切り出した後に、片面あるいは両面を鏡面研磨仕
上げを施し、0.130μm以上のCOP密度を計測、選別し
て、その密度が0.03個/cm²以下のものについてエピタキ
シャル膜を成膜したエピタキシャルウェーハにおいて、
高品質なエピタキシャルウェーハを作製できることを特
徴としている。

【0025】この発明において、CZ法にて育成する際の引き
上げ速度は、ウェーハ面内にOSFリングの外側領域が存
在しないように比較的高速とするが、これは表面に発生
したOSFリングの外側領域では転移クラスターが発生
し、これはその後のエピタキシャル成長でも消滅しない
ためであり、例えば、直径8インチ以上の場合は、0.7mm
/min未満ではウェーハ面内OSFリングの外側領域が発生
するため、好ましくなく、また、0.7mm/min以上では高
炭素濃度によるCOP低減効果がより顕著になり、生産性
の向上からも望ましい、しかし、速すぎると軸切れの危
険性もあるため、2.0mm/min以下が好ましく、特に1.6mm
/min以下が好ましい。

【0026】炭素によって、COPの発生が抑制され、中でも
特に0.130μm以上のCOPの発生が抑制される理由につい
ては現時点では明確とはなっていないが、一応次のよう
に考えられる。Si原子の共有半径と炭素原子のそれを比
較した場合、炭素原子の方が約4割近くも小さい。その
ため、炭素あるいはSiCの形成によってSi格子に収縮場
が生じ、圧縮場を伴う格子間シリコンは吸収され密度が
低減する。この作用により結果として大きなCOPの発生
を抑制しているのではないかと考えられる。

【0027】この発明において、炭素濃度は、0.3×10¹⁶ato
ms/cm³(NEW ASTM)未満についてはCOPを抑制する効果は
認められず、COPの抑制の観点からすると1.0×10¹⁷atom
s/cm³以上が特に好ましい。また、上限については、固
溶上限値である3.2×10¹⁷atoms/cm³でも品質上は特に問
題はないが、あまり高すぎると有転位化の原因となる可
能性が高いことを経験上熱知しており、上限については
8.0×10¹⁶atoms/cm³以下が好ましく、5.0×10¹⁶atoms/c
m³以下が特に好ましい。

【0028】この発明において、エピタキシャル成長行うに
あたっては、上述の炭素濃度を有するウェーハを用いる
ことに加え、ウェーハ上に存在する0.130μm以上のサイ
ズを有するCOPが単位面積当たり発生個数が、0.03個以
下であることを構成上の特徴とする。

【0029】このことは、前述のように、特定の炭素濃度を
含有したエピタキシャル成長前のウェーハは、検出限界
以下のウェーハに比べ、COPの抑制が期待でき、ウェー
ハにおいて0.130μm以上のCOPもこの効果によって、発
生したとしても極めて低い個数でデバイス歩留まり上問
題になるレベルではないが、万が一、外乱を含め発生し
た場合においてはエピタキシャル成長処理を行っても、
かかるエピタキシャルウェーハでは、良好な表面品質が
得られないことを本発明者らによる種々の実験結果より
明らかにしており、その閾値が0.130μm以上のCOPが0.0
3個/cm²を超える場合である。

【0030】すなわち、小さいサイズのCOPについては、そ
の後のエピタキシャル成長処理を行うことによって、処
理中の高温度域における水素及び塩化水素雰囲気下にお
ける、エッチング作用により、表面が平坦化され、その
結果ほとんどのCOPは消滅する。一方、大きなサイズを
有するCOPは、エピタキシャル成長処理を行っても消滅
し難いことから、エピタキシャル成長後においても表面
にCOP起因の欠陥LPDが残留することが懸念され、その結
果、良品エピタキシャルウェーハとしてデバイスメーカ
ヘ出荷できない恐れがあり、エピタキシャル成長前にこ
の0.130μm以上のCOPの発生密度を計測し、選別するこ
とがひいてはエピタキシャル成長後の最終歩留まりに大
きく影響してくることを見出した。

【0031】以上のことより、炭素濃度を所定の範囲に故意
に制御し、引き上げた結晶を用い、加えてエピタキシャ
ル成長前に0.130μm以上のCOP密度を計測、選別するこ
とによって、結晶の引き上げ速度についても、生産性の
面で優位なOSFリングが結晶の最外周部に発生するか、
もしくは外側に消滅する高速引き上げにより高品質なエ
ピタキシャルウェーハの作製が可能となる。

【0032】この発明によるエピタキシャルウェーハの製造
方法は、まず、CZ法にてシリコン単結晶をウェーハ面内
にOSFリングが存在しないように結晶の最外周部に発生
するか、もしくは外側に消滅するような速度で引き上
げ、例えば直径8インチ以上の結晶引き上げ速度が0.7mm
/min以上で引き上げる。引上げに際して炭素濃度を0.3
×10¹⁶〜3.2×10¹⁷atoms/cm³の範囲で添加したシリコン
単結晶からウェーハに切り出す。

【0033】次に、ウェーハに切り出した後、公知の平面研
削工程、化学研磨工程を適宜組み合せて実施したり、エ
ッジ部の研削や化学研磨を施したりして、最終的にはシ
リコンウェーハの片面又は両面を鏡面研磨仕上げを完了
する。そして、仕上げ研磨を施した所要表面にエピタキ
シャル膜を成膜する。

【0034】前述の如く、従来は、炭素濃度については引き
上げ中にシリコン単結晶中に極力混入しないように対処
し、また炭素濃度が高い場合、ウェーハ表面及び表面近
傍領域の完全性が劣化したり、種々特性の低下が問題視
されていたが、実施例に明らかなように、炭素濃度が高
いウェーハであってもエピタキシャル成長を施すことに
よって、何ら悪影響を与えることがないことを確認して
いる。

【0035】

【実施例】実施例1 CZ法によってシリコン単結晶を育成する際に、B(ボロ
ン)を添加し、基板抵抗値が7〜15Ω・cm、酸素濃度が1
2.5〜14(×10¹⁷atoms/cm³)、不純物元素である炭素を検
出下限にあたる0.1×10¹⁶atoms/cm³未満にそれぞれ制御
し、結晶引き上げ速度を0.4〜1.2mm/minの範囲で種々変
化させて8インチ外径のシリコン単結晶を引き上げ育成
した。

【0036】種々の引き上げ速度で得られた8インチシリコ
ン単結晶より所定位置で切り出したサンプルウェーハ
を、平面研削後、両面鏡面研磨を施して鏡面ウェーハと
なし、表面異物検査装置(KLA-Tencor社製SP-1)にてCOP
サイズとCOP密度を測定した。その測定結果を図1の結晶
引き上げ速度とCOPサイズ及びCOP密度との関係のグラフ
に示す。

【0037】図1から明らかなように、COPサイズとCOP密度
は、引き上げ速度との依存関係において逆相関になって
おり、結晶引き上げ速度0.7mm/minが、ウェーハ面内にO
SF-Ringが発生する閾値になる。この0.7mm/minより遅い
場合、転移クラスターがOSF-Ringの外側領域に発生し、
またこの転移クラスターは、サイズが大きい。

【0038】実施例2 CZ法によってシリコン単結晶を育成する際に、Bを添加
し、基板抵抗値が2〜6Ω・cm、酸素濃度が13〜14(×10
¹⁷atoms/cm³)、結晶引き上げ速度をOSFリングの外側領
域がウェーハ面内に発生しない状態となる0.7mm/minに
設定し、不純物元素である炭素を検出下限にあたる0.1
×10¹⁶atoms/cm³から12×10¹⁶atoms/cm³の範囲で種々変
化させて制御し、8インチ外径のシリコン単結晶を引き
上げ育成した。

【0039】種々の炭素濃度で得られた8インチシリコン単
結晶より所定位置で切り出したサンプルウェーハを、平
面研削後、両面鏡面研磨を施して鏡面ウェーハとなし、
仕上げ洗浄後、表面異物検査装置(KLA-Tencor社製SP-1)
にてCOPサイズを測定した。その測定結果を図2の炭素濃
度とCOPサイズとの関係のグラフに示す。

【0040】図2から明らかなように、COPサイズは炭素濃度
に依存し、炭素濃度0.3×10¹⁶atoms/cm³以上になると、
COPサイズは急激に小さくなる傾向にある。なお、この
炭素濃度0.1×10¹⁶atoms/cm³の実際の値は1ケタ低いこ
とが放射化分析より確認された。但し、FT-IRでは0.1×
10¹⁶atoms/cm³が測定下限値である。

【0041】実施例3 実施例2で得られた種々炭素濃度を変化させた8インチ外
径のシリコン単結晶ウェーハに、図5に示すシーケンス
のエピタキシャル成長を実施し、シリコンエピタキシャ
ルウェーハとなした。このエピウェーハを仕上げ洗浄
後、表面異物検査装置(KLA-Tencor社製SP-1)にて、ウェ
ーハ表面に発生するCOP起因の欠陥(LPD)密度を測定した
結果を図3に示す。

【0042】図3から明らかなように、エピタキシャル成長
前のシリコンウェーハ中の炭素濃度が0.3×10¹⁶atoms/c
m³以上では、エピタキシャル成長後の表面に発生するCO
P起因の欠陥(LPD)の個数は0.03個/cm²以下になることが
分かる。

【0043】実施例4 実施例2で得られた炭素濃度が0.3×10¹⁶atoms/cm³の8イ
ンチ外径のシリコン単結晶ウェーハに、実施例3と同様
にエピタキシャル成長を実施し、エピタキシャルウェー
ハとなした。表面異物検査装置(KLA-Tencor社製SP-1)に
てエピタキシャル成長前のウェーハ表面のCOPとエピタ
キシャル成長後のウェーハ表面の欠陥(LPD)について、
各サイズごとの個数変化を測定した結果を図4に示す。

【0044】図4から明らかなように、エピタキシャル成長
後のウェーハ表面には0.130μm以下のCOP起因の欠陥(LP
D)が存在しないことから、エピタキシャル成長前にウェ
ーハ表面に存在していた0.130μm以下のCOPは、エピタ
キシャル成長の過程で収縮消滅したと言える。しかも、
エピタキシャル成長後のウェーハ表面に発生する0.130
μm以上のCOP起因の欠陥(LPD)も極めて高い確率で低減
化されていることが分かる。

【0045】なお、各実施例では、8インチ、P型(B)につい
てのみの実施例を説明したが、12インチ及びN型(P)につ
いても同様の効果が得られることを確認した。また、CO
P密度およびLPD密度の測定は、KLA-Tencor社 SP1を用い
ての実施例について述べたが、PSL(ポリスチレンラミネ
ート粒子)等を用いての校正を行うことにより、他の装
置、例えばAOS社製AWIS等でも同等の測定結果が得られ
ることを確認した。さらに、ウェーハ裏面は鏡面仕上げ
の例を示したが、片面鏡面仕上げ、裏面が平面研削のみ
のウェーハであっても同等であることを確認した。

【0046】

【発明の効果】この発明は、CZ法によるシリコン単結晶
を引き上げる際に、通常は混入を極力避ける炭素を故意
に適量添加することにより、結晶育成工程で引き上げ速
度を低下させずとも特定サイズ以上のCOPの発生を顕著
に抑制でき、従来の低速育成工程による製造方法の場合
に比べ、極めて低COP結晶で且つ転位クラスターの発生
がなく、しかも低コストでの製造が可能となった。

【0047】加えて、上述のシリコン結晶を用い、ウェーハ
に切り出した後に、ウェーハ状態での計測、選別を行う
ことによりエピタキシャル成長後の良品、不良品の予測
ができ、これは特定サイズ以上のCOP発生密度以下のも
のにエピタキシャル膜を成膜することによリエピタキシ
ャルウェーハでのCOP起因の欠陥LPDが事前に判定でき、
高い確率での良品で一層の高品質なエピタキシャルウェ
ーハの製造が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図1】結晶引き上げ速度に依存するCOPサイズと密度と
の関係を示すグラフである。

【図2】炭素濃度ドープ量とCOPサイズの関係を示すグラ
フである。

【図3】炭素濃度とCOP起因の欠陥LPDの個数との関係を
示すグラフである。

【図4】エピタキシャル成長処理前後でのCOPとCOP起因
の欠陥LPD発生分布を示すグラフである。

【図5】エピタキシャル成長処理のプロセスを示すヒー
トパターン図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G077 AA02 AA03 AB01 AB10 BA04 CF10 ED06 EE01 EH05 EH09 FG11 GA01 GA02 HA06 HA12 PB04 PF35 TB01 TC06 TK02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項1】 0.130μm以上のGrown-in欠陥(COP)密度が
0.03個/cm²以下のシリコン単結晶ウェーハの表面にシリ
コンエピタキシャル膜を成膜したシリコンエピタキシャ
ルウェーハ。
【請求項2】 CZ法にてシリコン単結晶を高速度で引上
げ、炭素濃度を0.3×10¹⁶〜3.2×10¹⁷atoms/cm³(NEW AS
TM)の範囲で添加したシリコン単結晶から、ウェーハに
切り出した後、シリコンウェーハの片面又は両面を鏡面
研磨仕上げし、さらに研磨表面にエピタキシャル膜を成
膜するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項3】請求項2において、結晶引き上げ速度がウ
ェーハ面内にOSFリングの外側領域が存在しない引き上
げ速度であるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方
法。