JP2000084504A - 基板洗浄方法および基板洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 １つの処理槽内において基板を薬液で洗浄し
た後に純水で水洗する場合に、薬液洗浄の過程で不要物
が基板の表面に付着することを無くし、基板の洗浄効果
を高めることができる方法を提供する。 【手段】 薬液洗浄工程において、処理槽１０内へ液体
供給口１２を通して薬液を供給し基板Ｗを薬液で洗浄し
た後、処理槽の底部に連通した排液管３４を通して処理
槽内から薬液を排出させた後に再び処理槽内へ液体供給
口を通して薬液を供給し基板を薬液で洗浄する排液・薬
液洗浄操作を少なくとも１回行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を薬液
で洗浄した後に純水で水洗する基板洗浄方法、特に、こ
れらの薬液洗浄および水洗を１つの処理槽内において、
いわゆるワンバス方式で行う基板洗浄方法、ならびに、
その方法を実施するために使用される基板洗浄装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイス製造プロセスにお
いて、基板、例えばシリコンウエハの表面に付着した不
要物を除去する場合、例えばウエハ表面からパーティク
ルや有機物を除去する場合には、例えばアンモニア水と
過酸化水素と水との混合液からなる薬液を用いてウエハ
を洗浄し、その後にウエハ上に残存している薬液や分解
生成物、反応生成物等の不要物を純水で水洗して除去す
るようにしている。これらの洗浄および水洗を１つの処
理槽内においてワンバス方式で行う場合には、図３に概
略構成の１例を模式的に示すような基板洗浄装置が使用
される。

【０００３】図３に示した基板洗浄装置は、その詳細は
図示されていないが、下部に液体供給口１２を有すると
ともに上部に液体が溢れ出す溢流部１４を有し内部に基
板Ｗが搬入されて収容される処理槽１０を備えている。
処理槽１０の下部の液体供給口１２には、開閉制御弁１
８が介在して設けられた液体供給管１６が連通して接続
されており、液体供給管１６は、ミキシングバルブ２０
の液体出口に接続されている。ミキシングバルブ２０に
は、純水供給源に接続した純水供給管２２、薬液、例え
ばアンモニア水の供給源に接続した薬液供給管２６、お
よび、別の薬液、例えば過酸化水素の供給源に接続した
薬液供給管３０がそれぞれ接続されている。純水供給管
２２および薬液供給管２６、３０には、それぞれ開閉制
御弁２４、２８、３２が介在して設けられている。そし
て、開閉制御弁２４を開いて開閉制御弁２８、３２を閉
じた状態では、ミキシングバルブ２０の液体出口から液
体供給管１６を通して処理槽１０内へ純水が供給され、
開閉制御弁２４、２８、３２を全て開いた状態では、ミ
キシングバルブ２０で純水にアンモニア水および過酸化
水素が混合されて一定濃度に調製された混合液（例えば
ＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ _２：Ｈ_２Ｏ＝１：１：５０。以下、
「ＡＰＭ」という）が、ミキシングバルブ２０の液体出
口から液体供給管１６を通して処理槽１０内へ供給され
るようになっている。

【０００４】また、処理槽１０の下部の液体供給口１２
には、排水管３５が連通しており、排水管３５には開閉
制御弁３７が介在して設けられている。さらに、処理槽
１０の上部には、吐出口が処理槽１０内の基板Ｗの表面
に対向するようにシャワーノズル３８が配設されてお
り、シャワーノズル３８には、開閉制御弁４２が介在し
て設けられ純水供給管４０が接続されている。

【０００５】次に、図３に示した装置を用いて行われる
基板洗浄処理の基本操作の１例について、図４に示した
タイムチャートを参照しながら説明する。まず、液体供
給管１６を通して処理槽１０内へ、その下部に形設され
た液体供給口１２から純水が連続的に供給され、処理槽
１０の内部に純水を満たして処理槽１０上部の溢流部１
４から純水が溢れ出る状態にする。そして、処理槽１０
内へ基板Ｗが搬入されて純水中に基板Ｗが浸漬させら
れ、基板Ｗが純水で水洗される。水洗後に、純水を所要
の流量で供給するように精密に流量制御して供給しなが
ら、ミキシングバルブ２０へアンモニア水および過酸化
水素を注入することにより、処理槽１０内へ液体供給口
１２を通して一定濃度に管理されたＡＰＭが連続的に供
給される。そして、ＡＰＭにより処理槽１０上部の溢流
部１４から純水が押し出されて、処理槽１０の内部がＡ
ＰＭで置換され、処理槽１０の内部にＡＰＭが満たされ
て処理槽１０上部の溢流部１４からＡＰＭが溢れ出る状
態にする。この状態で、処理槽１０内のＡＰＭによって
基板Ｗが洗浄される。続いて、処理槽１０内へのＡＰＭ
の供給が停止された後、処理槽１０内へ液体供給口１２
を通して純水が連続的に供給され、純水により処理槽１
０上部の溢流部１４からＡＰＭが押し出されて、処理槽
１０の内部が純水で置換され、処理槽１０の内部に純水
が満たされて基板Ｗが水洗される。

【０００６】基板Ｗの１回目の水洗が終了すると、処理
槽１０内から排水管３５を通って純水が排出される。こ
れと同時に、純水供給管４０を通して高圧の純水がシャ
ワーノズル３８へ供給され、シャワーノズル３８から処
理槽１０内の基板Ｗの表面に向けて純水が噴射される。
これにより、基板Ｗの表面が乾燥するのが防がれる。処
理槽１０内からの排水が終了すると、再び、処理槽１０
内へ液体供給口１２を通して純水が連続的に供給され
て、処理槽１０の内部が純水で満たされる。なお、シャ
ワーノズル３８から処理槽１０内の基板Ｗへの純水の噴
射は、処理槽１０内からの排水の終了と同時に止めても
よいし、図４に示した例のように、排水終了後処理槽１
０内への純水の供給を開始してから暫くの間継続した後
に止めてもよい。

【０００７】処理槽１０の内部に純水が満たされて、基
板Ｗの２回目の水洗が行われ、その水洗が終了すると、
再び、シャワーノズル３８から処理槽１０内の基板Ｗへ
の純水の噴射を行いながら、処理槽１０内からの排水が
行われる。そして、基板Ｗの水洗と処理槽１０内からの
排水とを適当な回数だけ繰り返した後、処理槽１０内へ
の純水の供給を連続的に行いつつ、処理槽１０内から基
板Ｗが搬出される。そして、次に処理すべき基板Ｗにつ
いて、同様の操作が行われる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来の方法によった基板洗浄処理では、処理槽
内に満たされた薬液中に基板が浸漬させられて薬液洗浄
される際に、基板の表面から一旦除去されて薬液中に拡
散したパーティクル等が基板の表面に再付着したり、分
解生成物や反応生成物が基板の表面に付着したりする、
といったことが起こる。また、通常、基板の洗浄操作
は、複数枚の基板を基板ホルダに収納した状態で行われ
るが、基板の表面から除去されたパーティクルや分解生
成物、反応生成物等の不要物が、その基板と隣り合った
基板の表面に付着して基板を汚染する、といったことが
起こる可能性もある。

【０００９】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、１つの処理槽内において基板を薬液
で洗浄した後に純水で水洗する場合に、薬液洗浄の過程
で基板の表面から一旦除去されたパーティクルや分解生
成物、反応生成物等の不要物が、基板の表面に付着した
り、複数枚の基板を同時に洗浄処理した際に、基板の表
面から除去されたパーティクルや分解生成物、反応生成
物等の不要物が、その基板と隣り合った基板の表面に付
着して基板を汚染したりする、といったことを無くし、
基板の洗浄効果を高めることができる基板洗浄方法を提
供すること、ならびに、その方法を好適に実施すること
ができる基板洗浄装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
下部に液体供給口を有するとともに上部に液体が溢れ出
す溢流部を有し内部に基板が搬入される処理槽内へ、前
記液体供給口を通して薬液を供給し、基板を薬液中に浸
漬させて洗浄する薬液洗浄工程と、前記処理槽内へ前記
液体供給口を通して純水を供給し、基板を純水中に浸漬
させて水洗する水洗工程とを含む基板洗浄方法におい
て、前記薬液洗浄工程において、前記処理槽内へ前記液
体供給口を通して薬液を供給し基板を薬液で洗浄した
後、前記処理槽の底部に連通した排液管を通して処理槽
内から薬液を排出させた後に再び処理槽内へ前記液体供
給口を通して薬液を供給し基板を薬液で洗浄する排液・
薬液洗浄操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。

【００１１】請求項２に係る発明は、請求項１記載の基
板洗浄方法において、処理槽内に収容された薬液の状態
を検知手段によって検知し、薬液が所定状態となるまで
排液・薬液洗浄操作を繰り返すことを特徴とする。

【００１２】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の基板洗浄方法において、薬液洗浄工程が終
了した後水洗工程を行う場合に、処理槽の底部に連通し
た排液管を通して処理槽内から薬液を排出させた後に、
処理槽内へ液体供給口を通して純水を供給し基板を純水
で水洗することを特徴とする。

【００１３】請求項４に係る発明は、請求項１ないし請
求項３のいずれかに記載の基板洗浄方法において、薬液
洗浄工程での排液・薬液洗浄操作において、処理槽内か
らの薬液の排出後処理槽内への薬液の供給前に、処理槽
内へ液体供給口を通して純水を供給し基板を純水で水洗
した後処理槽の底部に連通した排液管を通して処理槽内
から純水を排出させる水洗・排水操作を挿入することを
特徴とする。

【００１４】請求項５に係る発明は、下部に液体供給口
を有するとともに上部に液体が溢れ出す溢流部を有し、
薬液または純水を収容しその薬液または純水中に基板が
浸漬させられて、基板の薬液洗浄および水洗が行われる
処理槽と、この処理槽内へ前記液体供給口を通して薬液
または純水を供給する給液手段とを備えた基板洗浄装置
において、前記処理槽の底部に排液管を連通させ、その
排液管を通して処理槽内から薬液を排出させる排液手段
を設けるとともに、前記処理槽内に収容された薬液の状
態を検知する検知手段、ならびに、その検知手段によっ
て検知された薬液の状態に基づいて前記給液手段および
前記排液手段を制御する制御手段を設けたことを特徴と
する。

【００１５】請求項６に係る発明は、請求項５記載の基
板洗浄装置において、排液手段により排液管を通して処
理槽内から、薬液のほかに純水が排出されるようにした
ことを特徴とする。

【００１６】請求項１に係る発明の基板洗浄方法による
と、薬液洗浄工程において、処理槽内へ液体供給口を通
して薬液を供給し基板を薬液で洗浄した後、処理槽の底
部に連通した排液管を通して処理槽内から薬液を排出さ
せ、再び処理槽内へ液体供給口を通して薬液を供給し、
２回目の薬液洗浄が行われる。そして、この排液・薬液
洗浄操作が必要により繰り返される。従って、１回目の
薬液洗浄操作で基板の表面から除去されたパーティクル
や分解生成物等の不要物は、排液操作により薬液と共に
処理槽内から排出され、その後に、新鮮な薬液が処理槽
内へ供給されて、２回目の薬液洗浄操作が行われるの
で、基板の表面から一旦除去されて薬液中に拡散したパ
ーティクル等が基板の表面に再付着したり、分解生成物
や反応生成物等が基板の表面に付着したりする、といっ
たことが無くなる。また、複数枚の基板を同時に洗浄処
理した際に、基板の表面から除去されたパーティクルや
分解生成物、反応生成物等の不要物が、その基板と隣り
合った基板の表面に付着して基板を汚染する、といった
ことも無くなる。そして、排液・薬液洗浄操作が繰り返
されるごとに、基板の表面の清浄度が高まる。

【００１７】請求項２に係る発明の基板洗浄方法では、
検知手段によって検知される処理槽内の薬液が所定状態
となるまで排液・薬液洗浄操作が繰り返されるので、薬
液洗浄工程が終了した時点での基板の表面は、常に所定
の清浄度となる。また、検知手段によって検知される処
理槽内の薬液が所定状態になると、排液・薬液洗浄操作
を終了するので、必要以上に排液・薬液洗浄操作が繰り
返されることがない。

【００１８】請求項３に係る発明の基板洗浄方法では、
薬液洗浄工程が終了した後水洗工程を行う場合に、処理
槽内から薬液を排出させた後に処理槽内へ純水が供給さ
れるので、純水により処理槽上部の溢流部から薬液を押
し出して処理槽の内部を純水で置換させる場合に比べ
て、薬液から純水への置換が速やかに行われる。

【００１９】請求項４に係る発明の基板洗浄方法では、
薬液洗浄工程での排液・薬液洗浄操作において、１回目
あるいはｎ回目の薬液洗浄が終了して処理槽内から薬液
が排出された後に、処理槽内へ液体供給口を通して純水
が供給され、基板を純水で水洗した後処理槽の底部に連
通した排液管を通して処理槽内から純水が排出され、そ
の後に処理槽内へ薬液が供給されて、２回目あるいは
（ｎ＋１）回目の薬液洗浄が行われるので、薬液洗浄後
に基板上に残存している分解生成物や反応生成物等の不
要物が純水で水洗されて除去される。このため、基板の
表面の清浄度がより高まることとなる。

【００２０】請求項５に係る発明の基板洗浄装置を使用
すると、給液手段により処理槽内へ液体供給口を通して
薬液を供給し基板を薬液で洗浄した後、排液手段により
処理槽の底部に連通した排液管を通して処理槽内から薬
液を排出させ、再び給液手段により処理槽内へ液体供給
口を通して薬液を供給し、２回目の薬液洗浄を行うこと
が可能になり、その排液・薬液洗浄操作を薬液洗浄工程
において繰り返すことが可能になる。このようにしたと
きは、１回目の薬液洗浄操作で基板の表面から除去され
たパーティクルや分解生成物等の不要物は、排液操作に
より薬液と共に処理槽内から排出され、その後に、新鮮
な薬液が処理槽内へ供給されて、２回目の薬液洗浄操作
が行われるので、基板の表面から一旦除去されて薬液中
に拡散したパーティクル等が基板の表面に再付着した
り、分解生成物や反応生成物等が基板の表面に付着した
りする、といったことが無くなる。また、複数枚の基板
を同時に洗浄処理した際に、基板の表面から除去された
パーティクルや分解生成物、反応生成物等の不要物が、
その基板と隣り合った基板の表面に付着して基板を汚染
する、といったことも無くなる。

【００２１】そして、検知手段によって処理槽内の薬液
の状態が検知され、その検知された薬液の状態に基づい
て制御手段により給液手段および排液手段が制御され、
処理槽内の薬液が所定状態となるまで排液・薬液洗浄操
作を繰り返することが可能になるので、薬液洗浄工程が
終了した時点での基板の表面が常に所定の清浄度となる
ようにすることができる。また、検知手段によって検知
される処理槽内の薬液が所定状態になると、排液・薬液
洗浄操作を終了することが可能になるので、必要以上に
排液・薬液洗浄操作が繰り返されることがない。

【００２２】請求項６に係る発明の基板洗浄装置では、
排液手段により排液管を通して処理槽内から純水を排出
することが可能になるので、薬液洗浄工程が終了した後
水洗工程を行う場合に、処理槽内から薬液を排出させた
後に処理槽内へ純水を供給することが可能になり、純水
により処理槽上部の溢流部から薬液を押し出して処理槽
の内部を純水で置換させる場合に比べて、薬液から純水
への置換を速やかに行うことができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１および図２を参照しながら説明する。

【００２４】図１は、この発明に係る基板洗浄方法を実
施するのに使用される基板洗浄装置の概略構成の１例を
示す模式図である。この基板洗浄装置は、図３に示した
従来の装置と共通する構成部分を有しており、その構成
部分ついては、図３で使用した符号と同一符号を付し
て、その説明を省略する。

【００２５】この基板洗浄装置では、処理槽１０の下部
の液体供給口１２に排液管３４が連通しており、排液管
３４に開閉制御弁３６が介在して設けられている。そし
て、排液管３４を通して処理槽１０内から純水が排出さ
れるほか、洗浄に使用された薬液、例えばＡＰＭも処理
槽１０内から排出されるようになっている。また、この
装置には、処理槽１０内に収容されたＡＰＭをサンプリ
ングしてそのサンプル液中に含まれるパーティクルの個
数を計数するパーティクルカウンタ４４が付設されてい
る。このパーティクルカウンタ４４により、薬液洗浄終
了時における処理槽１０内のＡＰＭ中のパーティクル濃
度が測定されて、ＡＰＭの状態が検知される。そして、
パーティクルカウンタ４４によって検知されたＡＰＭの
状態を示す信号は、コントローラ４６へ送られるように
なっており、コントローラ４４により、液体供給管１
６、純水供給管２２、薬液供給管２６、３０、排液管３
４および純水供給管４０にそれぞれ介在して設けられた
開閉制御弁１８、２４、２８、３２、３６、４２の開閉
動作が制御されるようになっている。

【００２６】図１に示した装置を用いて行われる基板洗
浄処理の基本操作の１例について、図２に示したタイム
チャートを参照しながら説明する。従来の装置同様に、
まず、液体供給管１６を通して処理槽１０内へ、その下
部に形設された液体供給口１２から純水を連続的に供給
し、処理槽１０の内部に純水を満たして処理槽１０上部
の溢流部１４から純水が溢れ出る状態にする。そして、
処理槽１０内へ基板Ｗを搬入して純水中に基板Ｗを浸漬
させ、基板Ｗを純水で水洗する。水洗後に、純水を所要
の流量で供給するように精密に流量制御して供給しなが
ら、ミキシングバルブ２０へアンモニア水および過酸化
水素を注入することにより、処理槽１０内へ液体供給口
１２を通して一定濃度に管理されたＡＰＭを連続的に供
給する。そして、ＡＰＭにより処理槽１０上部の溢流部
１４から純水を押し出して、処理槽１０の内部をＡＰＭ
で置換し、処理槽１０の内部にＡＰＭが満たされて処理
槽１０上部の溢流部１４からＡＰＭが溢れ出る状態にす
る。この状態で、処理槽１０内のＡＰＭによって基板Ｗ
を洗浄する。

【００２７】基板Ｗの１回目の薬液洗浄が終了すると、
ミキシングバルブ２０への純水の供給ならびにアンモニ
ア水および過酸化水素の注入を停止させ、それと同時
に、処理槽１０内から排液管３４を通してＡＰＭを排出
させる。この際、純水供給管４０を通して高圧の純水を
シャワーノズル３８へ供給し、シャワーノズル３８から
処理槽１０内の基板Ｗの表面に向けて純水を噴射させ、
基板Ｗの表面が乾燥するのを防止する。

【００２８】処理槽１０内からの排液操作が終了する
と、シャワーノズル３８からの純水の噴射を停止させ、
再び、純水供給管２２を通して純水を所要の流量で供給
するように精密に流量制御しながら、ミキシングバルブ
２０へアンモニア水および過酸化水素を注入し、処理槽
１０内へ液体供給口１２を通して一定濃度に管理された
ＡＰＭを連続的に供給する。そして、処理槽１０の内部
にＡＰＭが満たされて処理槽１０上部の溢流部１４から
ＡＰＭが溢れ出る状態にして、処理槽１０内のＡＰＭに
よる基板Ｗの２回目の洗浄を行う。

【００２９】基板Ｗの２回目の薬液洗浄が終了すると、
処理槽１０内に収容されたＡＰＭの一部をサンプリング
し、パーティクルカウンタ４４により、２回目の薬液洗
浄終了時における処理槽１０内のＡＰＭ中のパーティク
ル濃度が測定されてＡＰＭの状態が検知される。その検
知信号は、パーティクルカウンタ４４からコントローラ
４６へ送られ、コントローラ４４において、検知された
ＡＰＭの状態が予め設定された清浄状態に到達している
かどうか、すなわち、測定されたＡＰＭ中のパーティク
ル濃度が所定濃度以下になっているかどうかが判定され
る。そして、検知されたＡＰＭの状態が予め設定された
清浄状態に到達しているときは、薬液洗浄工程を終了
し、水洗工程へ移行する。

【００３０】一方、検知されたＡＰＭの状態が予め設定
された清浄状態に到達していないとき、すなわち、ＡＰ
Ｍ中に所定濃度以上のパーティクルが含まれているとき
は、上記したように、処理槽１０内へのＡＰＭの供給を
停止させると同時に、シャワーノズル３８から処理槽１
０内の基板Ｗの表面に向けて純水を噴射させつつ、処理
槽１０内から排液管３４を通してＡＰＭを排出させる。
処理槽１０内からの排液操作が終了すると、シャワーノ
ズル３８からの純水の噴射を停止させ、再び、処理槽１
０内へ液体供給口１２を通して一定濃度に管理されたＡ
ＰＭを連続的に供給する。そして、処理槽１０の内部に
ＡＰＭが満たされて処理槽１０上部の溢流部１４からＡ
ＰＭが溢れ出る状態にして、処理槽１０内のＡＰＭによ
る基板Ｗの３回目の洗浄を行う。

【００３１】基板Ｗの３回目の薬液洗浄が終了すると、
再び、パーティクルカウンタ４４により、３回目の薬液
洗浄終了時における処理槽１０内のＡＰＭ中のパーティ
クル濃度が測定されてＡＰＭの状態が検知され、コント
ローラ４４において、検知されたＡＰＭの状態が予め設
定された清浄状態に到達しているかどうかの判定が行わ
れる。そして、検知されたＡＰＭの状態が予め設定され
た清浄状態に到達しているときは、薬液洗浄工程を終了
して水洗工程へ移行し、一方、検知されたＡＰＭの状態
が清浄状態に到達していないときは、ＡＰＭの状態が予
め設定された清浄状態に到達するまで、上記した排液・
薬液洗浄操作を繰り返す。

【００３２】以上の薬液洗浄工程が終了すると、処理槽
１０内へのＡＰＭの供給を停止させた状態で、シャワー
ノズル３８から処理槽１０内の基板Ｗの表面に向けて純
水を噴射させつつ、処理槽１０内から排液管３４を通し
てＡＰＭを排出させる。処理槽１０内からのＡＰＭの排
出が完了すると、処理槽１０内へ液体供給口１２を通し
て純水を連続的に供給する。なお、シャワーノズル３８
から処理槽１０内の基板Ｗへの純水の噴射は、処理槽１
０内からの排液の終了と同時に止めてもよいが、図２に
示した例では、排液終了後処理槽１０内への純水の供給
を開始してから暫くの間継続した後に止めるようにして
いる。

【００３３】処理槽１０内へ純水が供給されて処理槽１
０の内部が純水で満たされると、処理槽１０上部の溢流
部１４から純水が溢れ出る状態にして、基板Ｗが水洗さ
れる。基板Ｗの１回目の水洗が終了すると、従来の装置
と同様に、処理槽１０内から排液管３４を通って純水が
排出される。これと同時に、純水供給管４０を通して高
圧の純水がシャワーノズル３８へ供給され、シャワーノ
ズル３８から処理槽１０内の基板Ｗの表面に向けて純水
が噴射される。処理槽１０内からの排水が終了すると、
再び、処理槽１０内へ液体供給口１２を通して純水を連
続的に供給して、処理槽１０の内部を純水で満たした状
態にする。処理槽１０の内部に純水が満たされて、基板
Ｗの２回目の水洗が行われ、その水洗が終了すると、再
び、シャワーノズル３８から処理槽１０内の基板Ｗへの
純水の噴射を行いながら、処理槽１０内からの排水が行
われる。そして、基板Ｗの水洗と処理槽１０内からの排
水とを適当な回数だけ繰り返した後、処理槽１０内への
純水の供給を連続的に行いつつ、処理槽１０内から基板
Ｗを搬出する。そして、次に処理すべき基板Ｗについ
て、同様の操作が行われる。

【００３４】なお、上記した実施形態では、処理槽１０
内からのＡＰＭの排出時にシャワーノズル３８から処理
槽１０内の基板Ｗの表面に向けて純水を噴射させるよう
にしているが、シャワーノズル３８から基板Ｗへの純水
の噴射は、必ずしも行わなくてもよい。また、上記した
実施形態では、パーティクルカウンタ４４により薬液洗
浄終了時における処理槽１０内のＡＰＭの状態を検知す
るようにしたが、パーティクル以外の指標、例えばｐＨ
値や薬液濃度などを測定して処理槽１０内のＡＰＭの状
態を検知することにより、薬液洗浄工程の終了時点を決
めるようにしてもよい。さらに、上記した実施形態で
は、パーティクルカウンタ４４により検知された薬液洗
浄終了時における処理槽１０内のＡＰＭの状態の如何に
より、薬液洗浄工程を終了して水洗工程へ移行するかど
うかを決定しているが、パーティクルカウンタ４４を設
けないで、薬液洗浄工程において排液・薬液洗浄操作
を、予め決められた回数だけ一律に繰り返させた後、水
洗工程を行うようにしてもよい。

【００３５】また、上記した基板洗浄処理の基本操作は
１例であり、この発明に係る基板洗浄方法は、種々の形
態で実施し得る。例えば、薬液洗浄工程が終了した後水
洗工程へ移行する際に、処理槽１０内からのＡＰＭの排
出操作を行わずに、処理槽１０内へ液体供給口１２を通
して純水を連続的に供給し、純水により処理槽１０上部
の溢流部１４からＡＰＭを押し出して、処理槽１０の内
部を純水で置換させるようにしてもよい。また、薬液洗
浄工程において、処理槽１０内からＡＰＭを排出させた
後処理槽１０内へ新鮮なＡＰＭを供給する前に、処理槽
１０内へ液体供給口１２を通して純水を供給し基板Ｗを
純水で水洗した後処理槽１０内から純水を排出させる水
洗・排水操作を挿入するようにすることもできる。

【００３６】なお、前記基板洗浄装置では、前記液体供
給口１２に排液管３４を連通させ、排液管３４に介在さ
せた開閉制御弁３６を開けることにより、液体供給口１
２より排液するようにしているが、処理槽の底部に前記
液体供給口１２とは別に排液口を設け、この排液口に排
液管３４を連通させ、この排液口から排液するようにし
てもよい。

【００３７】また、前記液体供給口１２は、処理槽の底
壁に設けるのが、先に供給した液を次に供給する液で押
し出すようにして処理槽上部から溢流させる際の液交換
効率が高くて望ましいが、必ずしも槽の底壁に設ける必
要はない。例えば、側壁の最も底部寄りに臨むように設
けてもよく、処理槽の底部と連通していれば、必ずしも
底壁に設ける必要はない。

【００３８】

【発明の効果】請求項１に係る発明の基板洗浄方法によ
ると、１つの処理槽内において基板を薬液で洗浄した後
に純水で水洗する場合に、薬液洗浄の過程で基板の表面
から一旦除去されたパーティクルや分解生成物、反応生
成物等の不要物が、基板の表面に付着したり、複数枚の
基板を同時に洗浄処理した際に、基板の表面から除去さ
れたパーティクルや分解生成物、反応生成物等の不要物
が、その基板と隣り合った基板の表面に付着して基板を
汚染したりする、といったことを無くすことができ、こ
のため、基板の洗浄効果を向上させることができる。

【００３９】請求項２に係る発明の基板洗浄方法では、
薬液洗浄工程が終了した時点での基板の表面が常に所定
の清浄度となるようにすることができるので、基板の洗
浄品質を均一化することができる。また、必要以上に排
液・薬液洗浄操作が繰り返されることがないので、処理
時間および薬液使用量の効率化を図ることができる。

【００４０】請求項３に係る発明の基板洗浄方法では、
純水により処理槽上部の溢流部から薬液を押し出して処
理槽の内部を純水で置換させる場合に比べて、薬液から
純水への置換が速やかに行われるので、処理時間の短縮
化および薬液使用量の低減化を図ることができる。

【００４１】請求項４に係る発明の基板洗浄方法では、
薬液洗浄後に基板上に残存している分解生成物等の異物
が純水で水洗されて除去されるので、基板の洗浄効果を
より高めることができる。

【００４２】請求項５に係る発明の基板洗浄装置を使用
すると、請求項１および請求項２に係る発明を好適に実
施することができて、基板の洗浄効果を向上させること
ができ、また、基板の洗浄品質を均一化することができ
るとともに、処理時間および薬液使用量の効率化を図る
ことができる。

【００４３】請求項６に係る発明の基板洗浄装置では、
純水により処理槽上部の溢流部から薬液を押し出して処
理槽の内部を純水で置換させる場合に比べて、薬液から
純水への置換を速やかに行うことが可能になるので、処
理時間の短縮化および薬液使用量の低減化を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板洗浄方法を実施するのに使
用される基板洗浄装置の概略構成の１例を示す模式図で
ある。

【図２】図１に示した装置を用いて行われる基板洗浄処
理の基本操作の１例を説明するためのタイムチャートで
ある。

【図３】従来の基板洗浄方法を実施するのに使用される
基板洗浄装置の概略構成の１例を示す模式図である。

【図４】図４に示した装置を用いて行われる従来の基板
洗浄処理の基本操作の１例を説明するためのタイムチャ
ートである。

【符号の説明】

Ｗ 基板 １０ 処理槽 １２ 処理槽の液体供給口 １４ 処理槽の溢流部 １６ 液体供給管 １８、２４、２８、３２、３６、４２ 開閉制御弁 ２０ ミキシングバルブ ２２、４０ 純水供給管 ２６、３０ 薬液供給管 ３４ 排液管 ３８ シャワーノズル ４４ パーティクルカウンタ ４６ コントローラ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下部に液体供給口を有するとともに上部
   に液体が溢れ出す溢流部を有し内部に基板が搬入される
   処理槽内へ、前記液体供給口を通して薬液を供給し、基
   板を薬液中に浸漬させて洗浄する薬液洗浄工程と、 前記処理槽内へ前記液体供給口を通して純水を供給し、
   基板を純水中に浸漬させて水洗する水洗工程と、を含む
   基板洗浄方法において、 前記薬液洗浄工程において、前記処理槽内へ前記液体供
   給口を通して薬液を供給し基板を薬液で洗浄した後、前
   記処理槽の底部に連通した排液管を通して処理槽内から
   薬液を排出させた後に再び処理槽内へ前記液体供給口を
   通して薬液を供給し基板を薬液で洗浄する排液・薬液洗
   浄操作を少なくとも１回行うことを特徴とする基板洗浄
   方法。
2. 【請求項２】 処理槽内に収容された薬液の状態を検知
   手段によって検知し、薬液が所定状態となるまで排液・
   薬液洗浄操作を繰り返す請求項１記載の基板洗浄方法。
3. 【請求項３】 水洗工程において、処理槽の底部に連通
   した排液管を通して処理槽内から薬液を排出させた後
   に、処理槽内へ液体供給口を通して純水を供給し基板を
   純水で水洗する請求項１または請求項２記載の基板洗浄
   方法。
4. 【請求項４】 排液・薬液洗浄操作において、処理槽内
   からの薬液の排出後処理槽内への薬液の供給前に、処理
   槽内へ液体供給口を通して純水を供給し基板を純水で水
   洗した後処理槽の底部に連通した排液管を通して処理槽
   内から純水を排出させる水洗・排水操作を挿入する請求
   項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板洗浄方法。
5. 【請求項５】 下部に液体供給口を有するとともに上部
   に液体が溢れ出す溢流部を有し、薬液または純水を収容
   しその薬液または純水中に基板が浸漬させられて、基板
   の薬液洗浄および水洗が行われる処理槽と、 この処理槽内へ前記液体供給口を通して薬液または純水
   を供給する給液手段と、を備えた基板洗浄装置におい
   て、 前記処理槽の底部に排液管を連通させ、その排液管を通
   して処理槽内から薬液を排出させる排液手段を設けると
   ともに、前記処理槽内に収容された薬液の状態を検知す
   る検知手段、ならびに、その検知手段によって検知され
   た薬液の状態に基づいて前記給液手段および前記排液手
   段を制御する制御手段を設けたことを特徴とする基板洗
   浄装置。
6. 【請求項６】 排液手段により排液管を通して処理槽内
   から純水が排出されるようにした請求項５記載の基板洗
   浄装置。