JP2000082772A - 半導体モジュール接続装置 - Google Patents

半導体モジュール接続装置

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JP2000082772A
JP2000082772A JP25103698A JP25103698A JP2000082772A JP 2000082772 A JP2000082772 A JP 2000082772A JP 25103698 A JP25103698 A JP 25103698A JP 25103698 A JP25103698 A JP 25103698A JP 2000082772 A JP2000082772 A JP 2000082772A
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conductor
wiring
connection
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Osamu Yamamoto
治 山本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体モジュールの端子を外部に接続する複
数の配線ブスバーを小間隔をもって上下に対向配置する
ために、半導体モジュールの端子と配線ブスバーとの間
に配設される接続装置において、その接続装置が有する
導電体との絶縁距離の確保に特別な配慮をしなくとも済
むようにする。 【解決手段】 2種類の接続装置21,22を用いて半
導体モジュール1,2に接続される配線ブスバー34,
36,40を上下に対向配置する。この接続装置21,
22は、ほぼコ字形に形成された導電体を電気絶縁体に
より覆って構成されているため、接続装置22が配線ブ
スバー36に形成された孔に通されるという事情があっ
ても、導電体の周囲が電気絶縁体によって覆われている
ので、導電体と配線ブスバー36との絶縁距離を確保す
るために、孔を大きくする必要がない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体モジュールを
外部に対して複数の配線ブスバーを用いて接続する際に
それら配線ブスバーを互いに間隔をもって対向するよう
に配設するために用いられる半導体モジュール接続装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体モジュール接続装置を、イ
ンバータ主回路を構成する半導体モジュールを例にとっ
て図18〜図21に基づき説明する。インバータ主回路
は、図21に示すように、6個のスイッチング素子を例
えば3相ブリッジ接続して構成され、交流電源を直流に
変換する直流電源回路に接続される。図18および図1
9に示された接続構成は、図21に示された正側および
負側の一対のスイッチング素子を構成する半導体モジュ
ール1,2を直流電源回路3の平滑コンデンサ4に接続
するためのものである。
【0003】さて、半導体モジュール1,2は、スイッ
チング時に発生する損失によって発熱するので、その温
度上昇を抑制するために冷却フィン5上に取り付けられ
いる。また、平滑コンデンサ4は複数個用いられ、それ
ら複数個の平滑コンデンサ4の正電極端子および負電極
端子がそれぞれ正電極板6および負電極板7に接続され
ている。
【0004】そして、正側の半導体モジュール1のコレ
クタ端子1aが正電極配線ブスバー8により平滑コンデ
ンサ4の正電極板6に接続され、エミッタ端子1bが中
性点配線ブスバー9によって負側の半導体モジュール2
のコレクタ端子2aに接続され、エミッタ端子2bが負
電極配線ブスバー10により前記平滑コンデンサ4の負
電極板7に接続されている。なお、図19では、各配線
ブスバー8〜10に斜線を付して示した。
【0005】この場合、半導体モジュール1,2と平滑
コンデンサ4との間を接続する各配線ブスバー8〜10
のインダクタンスを低減するために、各配線ブスバー8
〜10は絶縁シート11,12を挟んで上下に小間隔を
もって対向するように配設されている。配線ブスバー8
〜10を上下に対向するように配設するために、負電極
配線ブスバー10を半導体モジュール2のエミッタ端子
2bに直接的に接続して最下段に配置し、正電極配線ブ
スバー8を半導体モジュール1のコレクタ端子1aにや
や高さの低い銅カラー13を介して接続して中段に配置
し、中性点配線ブスバー9を銅カラー13よりも高さの
高い銅カラー14を介して半導体モジュール1のエミッ
タ端子1bと半導体モジュール2のコレクタ端子2aと
に接続して最上段に配置するようにしている。
【0006】このように、正電極配線ブスバー8の上下
に中性点配線ブスバー9および負電極配線ブスバー10
を配置することにより、互いに対向する配線ブスバーに
逆方向の電流が流れるようになるので、各配線ブスバー
8〜10のインダクタタンスが低減するものである。こ
の配線ブスバーのインダクタタンス低減化の目的は、各
半導体モジュール1,2に接続されるサージ電圧抑制用
のスナバ回路部品の削減化を図り、近年のインバータ装
置全体の小形化、信頼性の向上の要請に対処しようとす
るところにある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成のもの
では、半導体モジュール2のコレクタ端子2aに接続さ
れる中性点配線ブスバー9の一端部が正電極配線ブスバ
ー8の途中部分に対応位置しているため、該正電極配線
ブスバー8には、図20に示すように、銅カラー13を
通すための孔15を形成している。この孔15は、正電
極配線ブスバー8と銅カラー13との間に所定の絶縁距
離を確保するためのもので、配線ブスバー8,9の寸法
精度および組付精度などを考慮して銅カラー13よりも
相当大きい寸法に形成する必要がある。
【0008】しかしながら、正電極配線ブスバー8に形
成された大きな孔15の存在により、正電極配線ブスバ
ー8と中性点配線ブスバー9、負電極配線ブスバー10
との実質的な対向面積が減少するため、配線ブスバー8
〜10のインダクタタンスの低減効果が少なく、スナバ
回路部品の削減によるインバータ装置全体の小形化、信
頼性の向上を図るには十分といい得るものではなかっ
た。本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、相互
に対向する配線ブスバーの実質的な対向面積の増大化を
図ることができる半導体モジュール接続装置を提供する
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
めに、本発明の半導体モジュール接続装置は、半導体モ
ジュールの複数の端子を外部に接続する複数の配線ブス
バーを、互いに間隔をもって対向する状態に配設するた
めに、前記複数の配線ブスバーのうちの少なくとも1本
の配線ブスバーと前記半導体モジュールの端子との間に
配置される接続装置において、導電体を該導電体が前記
半導体モジュールおよび配線ブスバーに固定される二つ
の接続面部において露出するように電気絶縁体により覆
って構成された本体を備え、この本体の一方の接続面部
において露出する前記導電体を前記半導体モジュールの
端子に接続すると共に、他方の接続面部において露出す
る導電体を前記配線ブスバーに接続するように構成して
なるものである(請求項1)。
【0010】この構成によれば、接続装置の導電体は電
気絶縁体によって覆われているので、該導電体に対し、
他の電気部品や配線ブスバー等の接続用部材との間の絶
縁距離の確保に特別な配慮をしなくとも済む。
【0011】また、本発明の半導体モジュール接続装置
は、インバータ主回路を構成するための半導体モジュー
ルの複数の端子を直流電源のコンデンサに接続する複数
の配線ブスバーを、互いに間隔をもって対向する状態に
配設するために、前記複数の配線ブスバーのうちの少な
くとも1本の配線ブスバーと前記半導体モジュールの端
子との間に配置される接続装置において、導電体を該導
電体が前記半導体モジュールおよび配線ブスバーに固定
される二つの接続面部において露出するように電気絶縁
体により覆って構成された本体を備え、この本体の一方
の接続面部において露出する前記導電体を前記半導体モ
ジュールの端子に接続すると共に、他方の接続面部にお
いて露出する導電体を前記配線ブスバーに接続するよう
に構成してなるものである(請求項2)。
【0012】この構成によれば、接続装置の本体を通す
ために配線ブスバーに孔を形成する場合、接続装置の導
電体と配線ブスバーとの絶縁距離を確保するために特別
な配慮をしなくとも済むので、配線ブスバーの孔は接続
装置の本体が通る程度の大きさのもので良くなる。この
ため、配線ブスバー相互の実質的な対向面積を大きくで
きるので、配線ブスバーのインダクタンスを小さくで
き、従って、スナバ回路の部品数の削減化を図ってイン
バータ装置の小形化および高信頼性を図ることができ
る。
【0013】この場合、本発明では、本体の電気絶縁体
の内部には複数の導電体が設けられ、この本体の半導体
モジュール側の接続面部はほぼ面一に形成されて前記複
数の導電体が露出されていると共に、配線ブスバー側の
接続面部は階段状に形成されて各段部面に前記複数の各
導電体が露出されている構成とすることができる。
【0014】また、本体の電気絶縁体に、他の本体と連
結するための連結手段を設けることができる。また、複
数の導電体は、一つの導電体を半導体モジュールの一の
端子に合わせたとき、他の導電体は半導体モジュールの
他の端子に対して横方向にずれた状態となるように配設
され、該横方向にずれた導電体は半導体モジュールに対
する接続面においてずれ分だけ延長されている構成とす
ることができる。
【0015】更に、本発明は、本体の電気絶縁体に、配
線ブスバーの相互間に設けられる絶縁シートを保持する
ための保持手段が設けらることすることができる。ま
た、導電体はほぼコ字形に形成され、電気絶縁体は、ほ
ぼコ字形の導電体の内側に配設される内部絶縁部体と、
組合わされた導電体と内部絶縁部体を収納する筒型の絶
縁ケースとから構成することができる。また、導電体は
ほぼコ字形に形成され、電気絶縁体は、ほぼコ字形の導
電体を両端部および一側面部に嵌合させる主部と、この
主部の一側面部に取り付けられ前記導電体を両端部を除
いて覆うカバー部とから構成することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明をインバータ装置の
適用した第1実施例を図1〜図5に基づいて説明する。
なお、以下では、重複説明を避けるために、インバータ
装置の半導体モジュール、平滑コンデンサ、平滑コンデ
ンサの正負の両電極板および冷却フィンについては、前
述の従来技術の項で参照した図18および図19に付し
た符号を使用して重複説明を避ける。
【0017】図3および図4に示す接続構成では、2種
類の接続装置21,22が用いられる。これら2種類の
接続装置21,22のうち、一方の接続装置21は、半
導体モジュール1のコレクタ端子1aに配線ブスバーを
接続するためのもの、他方の接続装置22は、半導体モ
ジュール1のエミッタ端子1bおよび半導体モジュール
2のコレクタ端子2aに配線ブスバーを接続するための
ものである。
【0018】これら両接続装置21,22は、高さが異
なるだけで、他の構成は全く同じであるので、ここで
は、低い方の接続装置21についてだけ説明し、他方の
接続装置22については説明を省略することとする。図
1に示すように、接続装置21の本体23は、導電体2
4の周囲を電気絶縁体25により覆って構成されてい
る。上記の導電体24は、例えば銅板をほぼコ字形に折
り曲げて形成されており、電気絶縁体25は、この導電
体24を埋め込むようにしてプラスチックのインサート
成形により角柱状に形成されている。本体23の両端面
部は、半導体モジュール1,2および配線ブスバーに対
する接続面部23a,23bとされ、この両接続面部2
3a,23bにおいて導電体24の両端の接続端24
a,24bが露出している。
【0019】導電体24の両接続端24a,24bおよ
び電気絶縁体25には孔26および27が形成されてい
る。これらの孔26,27は、同心状に形成されていて
固定用のねじを通す通し孔28とされている。なお、図
示はしないが、半導体モジュール1,2の各端子1a,
1b,2a,2b側および平滑コンデンサ4の正負両電
極板6,7には、上記の通し孔28に通された固定用の
ねじを螺着するための雌ねじ部が設けられている。
【0020】また、本体23の配線ブスバー側の接続面
部23bには、ほぼT字形の溝29が形成されている。
そして、この溝29の存在によって、導電体24の接続
端24bの裏側には3方向に開放する差込み孔部30が
形成され、この差込み孔部30にスナバ回路(図示せ
ず)に接続されたリード31先端の端子32を差し込む
ことができるようにしている。更に、本体23の半導体
モジュール1,2側の接続面部23aには、電気絶縁体
25から一対の突部33が一体に突設されており、図2
に示すように、これら一対の突部33間に半導体モジュ
ール1,2の端子1a,1b,2a,2bを挟み込むこ
とができるようになっている(図2では、半導体モジュ
ール1のコレクタ端子1aのみ図示)。
【0021】上記のように構成した接続装置21,22
を用いて半導体モジュール1,2を外部の電気部品、す
なわち各半導体モジュール1,2にとっては外部の電気
部品である相手側の半導体モジュールとの接続構成、お
よび、平滑コンデンサ4との接続構成につき、図3およ
び図4を参照しながら説明する。
【0022】まず、最下段の負電極配線ブスバー34の
両端部を、半導体モジュール2のエミッタ端子2bおよ
び平滑コンデンサ4の負電極端子4bに直接的に載置
し、固定用の皿ねじ35によって固定する。このとき、
図示はしないが、半導体モジュール2側のスナバ回路の
一方のリード線31の端子32の孔32aに皿ねじ35
を通しておき、負電極配線ブスバー34の一端部をコレ
クタ端子2aに固定する時、同時に端子32を半導体モ
ジュール2側の一端部に固定するようにする。
【0023】次に、高さの低い方の接続装置21の本体
23を、電気絶縁体25の一対の突部33間に半導体モ
ジュール1のコレクタ端子1aが挟み付けられるように
して該半導体モジュール1上に載置する。これにより、
接続装置21の本体23が半導体モジュール1上に仮固
定される。
【0024】この状態で、正電極配線ブスバー36の一
端部を接続装置21の本体23上に載置すると共に、ほ
ぼL字形に曲げられた他端部を平滑コンデンサ4の正電
極板6上に載置する。そして、半導体モジュール1側の
スナバ回路の一方のリード線31の端子32を、接続装
置21の本体23の差込み孔部30に差込み、皿ねじ3
5を該差込み孔部30内に差し込まれた端子32の孔3
2aにも通すようにして接続装置21の通し孔28に通
し、コレクタ端子1aの雌ねじに締め付ける。また、正
電極配線ブスバー36の他端部を皿ねじ35により平滑
コンデンサ4の正電極板6に固定する。
【0025】この後、絶縁シート37を正電極配線ブス
バー36の下側に配置し、高い方の接続装置22の本体
23を正電極配線ブスバー36に形成された孔38(図
5参照)および絶縁シート37に形成された孔(図示せ
ず)に通し、そして、電気絶縁体25の一対の突部33
間に半導体モジュール2のコレクタ端子2aを挟み付け
るようにして接続装置22の本体23を半導体モジュー
ル2上に仮固定する。また、別の接続装置22の本体2
3を、その一対の突部33間に半導体モジュール1のエ
ミッタ端子1bを挟み付けるようにして該半導体モジュ
ール1上に仮固定する。
【0026】そして、上記別の絶縁シート37とは別の
絶縁シート39を、その両端部分に形成された孔(図示
せず)にコレクタ端子1aおよびエミッタ端子1b上に
仮固定された接続装置22の本体23を通すように配置
し、次いで、中性点配線ブスバー40の両端部をそれら
2個の接続装置22の本体23上に載置する。
【0027】この状態で、負側の半導体モジュール2の
エミッタ端子2b側に接続されたスナバ回路の他方の端
子32をコレクタ端子2a上に仮固定されている接続装
置22の本体23の差込み孔部30に差込むと共に、正
側の半導体モジュール1のコレクタ端子1a側に接続さ
れたスナバ回路の他方の端子32をエミッタ端子1b上
に仮固定されている接続装置22の本体23の差込み孔
部30に差込む。そして、2個の接続装置22の通し孔
28に前述と同様にして皿ねじ35を通し、コレクタ端
子2aおよびエミッタ端子1bの雌ねじにそれぞれ締め
付ける。なお、絶縁シート37,39は、正電極配線ブ
スバー36、中性点配線ブスバー40に接着して固定す
るようにしても良い。なお、図4では、配線ブスバー3
4,36,40を斜線を付して示した。
【0028】このように本実施例によれば、接続装置2
1,22の導電体24は、その周囲が電気絶縁体25に
よって覆われているので、接続装置21,22の導電体
24との絶縁距離の確保に特別な配慮をしなくとも済
む。そのため、特に、接続装置22が正電極配線ブスバ
ー36の孔38に通されるという事情があっても、接続
装置22の導電体24と正電極配線ブスバー36との絶
縁距離を確保するために孔38を特に大きく形成する必
要がない。
【0029】このように孔38をそれ程大きくしなくと
もよいので、正電極配線ブスバー36の導電のための面
積を大きくすることができ、正電極配線ブスバー36と
負電極配線ブスバー35、中性点配線ブスバー40との
実質的な対向面積が大きくなる。従って、配線ブスバー
34,36,40のインダクタンスが低減され、スナバ
回路部品の削減によるインバータ装置全体の小形化、信
頼性の向上を図ることができる。
【0030】また、従来の正電極配線ブスバー8では、
孔15を大きくしなければならなかったため、導電面積
を確保するために孔15部分で幅広にせねばならなかっ
た。これに対し、本実施例では、孔38を小さくできる
ので、正電極配線ブスバー36の幅を全長にわたって等
しくでき、外形状を簡素化できる。これにより、孔38
の小形化に伴う材料ロスの減少化と相俟って、正電極配
線ブスバー36の材料取りを良好に行うことができ、材
料コストを低減できる。
【0031】その上、接続装置21,22にスナバ回路
の端子32を接続するための差込み孔部30を設けたの
で、スナバ回路の接続を容易に行うことができると共
に、スナバ回路の端子32を配線ブスバーの上部に接続
する構成のものとは異なり、その端子32を接続した配
線ブスバーの上にある別の配線ブスバーに端子32との
絶縁距離確保のための孔等を明けなくとも済み、配線ブ
スバー相互の対向面積の一層の増大化を図ることができ
る。
【0032】更に、接続装置21,22に一対の突部3
3を設け、該一対の突部33間に半導体モジュール1,
2の端子1a,1b,2aを挟み付けるようにすること
によって、該接続装置21,22を半導体モジュール
1,2に仮固定することができるように構成したので、
各配線ブスバー34,36,40や絶縁シート37,3
9を上部から見得る状態で簡単に配置(仮固定)しなが
ら組立て作業を進めることができる。このため、各配線
ブスバー34,36,40や絶縁シート37,39の位
置を確認し、絶縁距離を確保する上で不十分ならば修正
する等の作業を容易に行うことができ、作業性が向上す
る。
【0033】さて、本発明は上記の第1実施例に限ら
ず、以下の各実施例に示すような変更が可能である。な
お、以下の各実施例は、上記第1実施例で説明したと同
一部分には同一符号を付して示し、異なる部分のみ説明
する。図6および図7は本発明の第2実施例を示す。こ
の実施例の特徴は、上記の第1実施例における2種類の
接続装置21,22を一体化したところにある。
【0034】すなわち、接続装置41の本体42は、複
数個、この実施例では2個の導電体43,44を電気絶
縁体45により覆って構成されている。それら2個の導
電体43,44は、銅板をほぼコ字形に折り曲げて形成
されたもので、上下方向の高さが高低異なる。電気絶縁
体45は、これら導電体43,44を埋め込むようにし
てプラスチックのインサート成形により階段状に形成さ
れている。
【0035】そして、本体42の半導体モジュールに対
する接続面部42aは、ほぼ面一に形成されており、こ
の接続面部42aに上記の導電体43,44の一方の接
続端43a,44aが露出されている。また、本体42
の配線ブスバーに対する接続面部42b,42cは、高
さが異なる階段状をなし、それら各接続面部42b,4
2cに各導電体43,44の他方の接続端43b,44
bが露出されている。また、本体42の接続面部42a
には、正側の半導体モジュール1のコレクタ端子1aお
よびエミッタ端子1bに嵌合する突部30が2対突設さ
れている。
【0036】この接続装置41は、図7に示すように、
正側の半導体モジュール1上に2対の突部30間にコレ
クタ端子1aおよびエミッタ端子1bを嵌合するように
して仮固定される。そして、導電体43の接続端43b
および導電体44の接続端44bに前述したと同様にし
て正電極配線ブスバー36および中性点配線ブスバー4
0を皿ねじ35により接続する。このように構成された
接続装置41では、第1実施例における2個の接続装置
21,22に相当する接続装置を一体に取扱うことがで
きるので、作業性が向上する。
【0037】図8および図9は本発明の第3実施例を示
すもので、この実施例は第1実施例の各接続装置21,
22を複数個連結可能に構成したものである。なお、各
接続装置21,22について、その連結構成は同一であ
るので、ここでは、接続装置21についてだけ図8によ
り説明する。
【0038】接続装置21の本体23において、その電
気絶縁体25の対応両側面部には、ほぼL字形の係合突
部46が一体に突設されていると共に、この係合突部4
6と共に連結手段を構成する係合凹部47が形成されて
いる。この場合、係合突部46と係合凹部47の位置
は、本体23の対応両側面部で互いに逆となっている。
【0039】一方、この実施例では、半導体モジュール
1,2は、電流容量を大きくするために、IGBT等の
スイッチング素子を2個ずつ備えており、それらIGB
Tのコレクタ端子とエミッタ端子(図示せず)がそれぞ
れ2個ずつ設けられている。このような半導体モジュー
ル1,2に対処するために、接続装置21,22は、そ
れぞれ複数個、この実施例では2個ずつ用意され、それ
ぞれ2個ずつの接続装置21,22の係合突部46と係
合凹部47とを互いに嵌合させることによって、図9に
示すように、接続装置21,22を2個ずつ連結した形
態になされている。
【0040】そして、2個の連結された接続装置21
を、半導体モジュール1の2個のコレクタ端子に対応さ
せて配設し、2個の連結された接続装置22を、半導体
モジュール1の2個のエミッタ端子および半導体モジュ
ール2の2個のコレクタ端子に対応させて配設するもの
である。なお、図9では、半導体モジュール1について
のみ図示している。このように構成した場合には、端子
数が異なる複数種の半導体モジュールに対して、接続装
置21,22を共通に使用でき、コストの低減化を図る
ことができる。
【0041】図10〜図12は本発明の第4実施例を示
す。この実施例は前記第1実施例における2種類の接続
装置21,22をずらした状態で一体化したところにあ
る。すなわち、接続装置48の本体49は、複数個、こ
の実施例では2個の導電体50,51を電気絶縁体52
により覆って構成されている。それら2個の導電体5
0,51は、銅板をほぼコ字形に折り曲げて形成された
もので、上下方向の高さが高低異なる。電気絶縁体52
のうち、導電体50,51を埋め込んだ部分は、互いに
横方向にずれた角柱状の第1絶縁部および第2絶縁部と
して形成され、両者は角部で互いに連なった状態になっ
ている。
【0042】本体52の半導体モジュール1,2に対す
る接続面部52aは、第1絶縁部および第2絶縁部にわ
たって面一に形成されており、この接続面部52aに上
記の導電体50および51の一方の接続端50aおよび
51aが露出されている。また、本体52の配線ブスバ
ー7,8に対する接続面部52bおよび52cは、第1
絶縁部および第2絶縁部において高さが異なっており、
それら各接続面部52b,52cにおいて各導電体5
0,51の他方の接続端50b,51bが露出されてい
る。
【0043】しかして、一方の導電体51の接続端51
aは、他方の導電体50の接続端50aを半導体モジュ
ール1,2のコレクタ端子1a,2a(一方の端子)に
合わせたとき、エミッタ端子1b,2b(他方の端子)
に対して横方向にずれた状態となるように構成されてい
る。そして、該導電体51の接続端51aは、本体49
の接続面49aにおいて、上記のずれ分だけ延長されて
いる。なお、図示はしないが、第2絶縁部54には、配
線ブスバーを固定するための皿ねじの螺着用雌ねじが形
成されている。
【0044】また、第1および第2絶縁部53および5
4の接続面部53aおよび54aには、正側の半導体モ
ジュール1のコレクタ端子1aおよびエミッタ端子1b
に嵌合する突部30がそれぞれ一対ずつ突設されてい
る。
【0045】この実施例によれば、一種類の接続装置4
8で複数の配線ブスバー、具体的には正電極配線ブスバ
ー34と中性点配線ブスバー40に対応でき、コスト安
となる。また、インバータ電流の増大化を図るために、
半導体モジュール1,2を2個ずつ並列使用する場合に
は、図11および図12に示すような使い方ができる。
すなわち、接続装置48を4個用意し、2個の正側の半
導体モジュール1のコレクタ端子1aに、それぞれ接続
装置48の導電体50を接続し、導電体51の接続端5
1aの延長部分をエミッタ端子1bに接続する。一方、
2個の負側の半導体モジュール2のコレクタ端子2a
に、それぞれ接続装置48の導電体51の延長部分を接
続し、導電体50の接続端50aは半導体モジュール2
から外側に突出させて不使用状態とする。
【0046】そして、四角形の負電極配線ブスバー53
を2個の負側の半導体モジュール2のエミッタ端子2a
に接続し、横方向に長い四角形の正電極配線ブスバー5
4の一端側を2個の正側の半導体モジュール1に配設さ
れた接続装置48の導電体50に接続する。また、菱形
に形成された中性点配線ブスバー55の一端部を2個の
正側の半導体モジュール1に配設された接続装置48の
導電体51に接続すると共に、中性点配線ブスバー55
の他端部を2個の負側の半導体モジュール2に配設され
た接続装置48の導電体50に接続する。なお、図11
および図12では、簡単化のために絶縁シートは図示を
省略した。このようにすることにより、配線ブスバー5
3〜55相互の対向面積が増加するので、配線ブスバー
53〜55のインダクタンスをより一層低下させること
ができる。
【0047】図13および図14は本発明の第5実施例
を示すもので、これは、接続装置21,22に絶縁シー
ト37,39の保持機能をもたせたものである。すなわ
ち、接続装置21,22の本体23において、その電気
絶縁体25の外周部には、上下2段にわたりリブ56,
57が一体突設されており、それら両リブ56,57に
挟まれた部分は嵌合部とされている。これらリブ56,
57のうち、上側のリブ56は、下側のリブ57よりも
突出量が少なくなっていて、絶縁シート56,57に接
続装置21,22の本体23に嵌めるために形成された
孔58が、上側のリブ56は容易に通過するが、下側の
リブ57は通過せず、止められるようにしている。
【0048】従って、絶縁シート37,39を接続装置
21,22に挿入し、そして、孔58が上側のリブ56
を通過するようにすると、該絶縁シート37,39は下
側のリブ57によって保持される。このため、絶縁シー
ト37,39を接着等せずとも済み、作業の容易化を図
ることができる。
【0049】図59は本発明の第6実施例を示すもの
で、これは、接続装置21,22の本体23を導電体2
4と電気絶縁体25とに容易に分解できるように構成し
たものである。すなわち、電気絶縁体25は、内部絶縁
体59と、角筒形の絶縁ケース60とから構成されてい
る。内部絶縁体59は、ほぼコ字形の導電体24の内側
に配設されるもので、一側部に導電体24に形成された
小孔61に嵌合される突起62が突設されている。ま
た、内部絶縁体59には、固定用の皿ねじ35を通す孔
27が形成されている。
【0050】そして、内部絶縁体59を導電体24の内
側に配設して突起62を小孔61に嵌合して両者の位置
がずれないようにし、この状態で、内部絶縁体59およ
び導電体24を絶縁ケース60内に収納し、内部絶縁体
59と絶縁ケース60とを接着等により一体化する。
【0051】図16および図17は本発明の第7実施例
を示すもので、これも、上記第6実施例と同様に、接続
装置21,22の本体23を導電体24と電気絶縁体2
5とに容易に分解できるように構成したものである。す
なわち、電気絶縁体25は、固定用の皿ねじ35を通す
孔27が形成された主部63と、この主部63の一側部
に取り付けられるカバー部64とからなる。ほぼコ字形
の導電体24は、主部63に嵌合され、カバー部64
は、主部63に嵌合された導電体24を接続端24a,
24bを除いて覆うものである。
【0052】ここで、カバー部64の主部63への取り
付けは、カバー部64の両側部にほぼL字形の係合辺6
4aを一体に形成すると共に、主部63の対応両側部に
係合辺64aが係合する係合溝63aを形成したもので
ある。上記の第6および第7の各実施例のように構成し
た場合には、廃棄時に金属部分である導電体23とプラ
スチック部分である電気絶縁体25とを分離できるか
ら、資源の再活用等に有効である。
【0053】なお、本発明は、上記し且つ図面に限定さ
れるものではなく、インバータ装置の半導体モジュール
の端子を平滑コンデンサに接続する場合に限られず、半
導体モジュールの端子を外部と接続する場合一般に広く
適用して実施できる等、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更して実施できるものである。
【0054】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果を得ることができる。請求項1記載の発明
では、導電体が電気絶縁体によって覆われているので、
接続装置の導電体と他の電気部品や配線ブスバー等の接
続用部材との間の絶縁距離の確保に特別な配慮をしなく
とも済む。
【0055】請求項2記載の発明では、特に、接続装置
の本体を通すために配線ブスバーに形成する孔をそれ程
大きくしなくとも済むので、複数の配線ブスバーの実質
的な対向面積を大きくでき、このため、配線ブスバーの
インダクタンスを小さくでき、スナバ回路の部品数の削
減化を図ってインバータ装置の小形化および高信頼性を
図ることができる。
【0056】請求項3記載の発明では、接続装置の電気
絶縁体の内部に複数の導電体が設けられているので、導
電体毎に一つの接続装置を形成する場合とは異なり、複
数の接続装置を一体に取扱うことができ、作業性が向上
する。請求項4記載の発明では、複数個の接続装置を連
結することができ、また、請求項5記載の発明では、複
数の導電体は一つの導電体を除き半導体モジュールの複
数の端子位置に対して横方向にずらして配設されている
ので、半導体モジュールの端子数が複数個の場合、或い
は半導体モジュールを複数個並列に接続する場合に便利
である。
【0057】請求項6記載の発明では、本体に絶縁シー
トを保持することができるので、該絶縁シートを接着等
しなくとも済む。請求項7および8記載の発明では、金
属製の導電部材と絶縁材製の電気絶縁体とを分離するこ
とができ、廃棄等の場合に便利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す斜視図
【図2】接続装置を半導体モジュールに仮固定した状態
で示す断面図
【図3】半導体モジュールと配線ブスバーとの接続構成
を示す側面図
【図4】同平面図
【図5】正電極配線ブスバーの平面図
【図6】本発明の第2実施例を示す図1相当図
【図7】半導体モジュールと配線ブスバーとの接続構成
を示す部分的な側面図
【図8】本発明の第3実施例を示す図1相当図
【図9】連結した接続装置の使用形態を示す斜視図
【図10】本発明の第4実施例を示す図1相当図
【図11】図3相当図
【図12】図4相当図
【図13】本発明の第5実施例を示す図1相当図
【図14】部分的な断面図
【図15】本発明の第6実施例を示す分解斜視図
【図16】本発明の第7実施例を示す図15相当図
【図17】連結構成を示す拡大斜視図
【図18】従来例を示す図3相当図
【図19】図4相当図
【図20】図5相当図
【図21】インバータ装置の概略的な回路図
【符号の説明】
図中、1,2は半導体モジュール、4は平滑コンデン
サ、21,22は接続装置、23は本体、24は導電
体、25は電気絶縁体、30は差込み孔部、34は負電
極配線ブスバー、36は正電極配線ブスバー、37,3
9は絶縁シート、40は中性点配線ブスバー、41は接
続装置、42は本体、43,44は導電体、45は電気
絶縁体、46は係合突部(連結手段)、47は係合凹部
(連結手段)、53は負電極配線ブスバー、54は正電
極配線ブスバー、55は中性点配線ブスバー、56,5
7はリブ(嵌合部)、59は内部絶縁体、60は絶縁ケ
ース、63は主部、64はカバー部である。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体モジュールの複数の端子を外部に
    接続する複数の配線ブスバーを、互いに間隔をもって対
    向する状態に配設するために、前記複数の配線ブスバー
    のうちの少なくとも1本の配線ブスバーと前記半導体モ
    ジュールの端子との間に配置される接続装置において、 導電体を該導電体が前記半導体モジュールおよび配線ブ
    スバーに固定される二つの接続面部において露出するよ
    うに電気絶縁体により覆って構成された本体を備え、こ
    の本体の一方の接続面部において露出する前記導電体を
    前記半導体モジュールの端子に接続すると共に、他方の
    接続面部において露出する導電体を前記配線ブスバーに
    接続するように構成してなる半導体モジュール接続装
    置。
  2. 【請求項2】 インバータ主回路を構成するための半導
    体モジュールの複数の端子を直流電源のコンデンサに接
    続する複数の配線ブスバーを、互いに間隔をもって対向
    する状態に配設するために、前記複数の配線ブスバーの
    うちの少なくとも1本の配線ブスバーと前記半導体モジ
    ュールの端子との間に配置される接続装置において、 導電体を該導電体が前記半導体モジュールおよび配線ブ
    スバーに固定される二つの接続面部において露出するよ
    うに電気絶縁体により覆って構成された本体を備え、こ
    の本体の一方の接続面部において露出する前記導電体を
    前記半導体モジュールの端子に接続すると共に、他方の
    接続面部において露出する導電体を前記配線ブスバーに
    接続するように構成してなる半導体モジュール接続装
    置。
  3. 【請求項3】 本体の電気絶縁体の内部には複数の導電
    体が設けられ、この本体の半導体モジュール側の接続面
    部はほぼ面一に形成されて前記複数の導電体が露出され
    ていると共に、配線ブスバー側の接続面部は階段状に形
    成されて各段部面に前記複数の各導電体が露出されてい
    ることを特徴とする請求項1または2記載の半導体モジ
    ュール接続装置。
  4. 【請求項4】 本体の電気絶縁体には、他の本体と連結
    するための連結手段が設けられていることを特徴とする
    請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体モジュール
    接続装置。
  5. 【請求項5】 複数の導電体は、一つの導電体を半導体
    モジュールの一つの端子に合わせたとき、他の導電体は
    半導体モジュールの他の端子に対して横方向にずれた状
    態となるように配設され、該横方向にずれた導電体は半
    導体モジュールに対する接続面においてずれ分だけ延長
    されていることを特徴とする請求項3記載の半導体モジ
    ュール接続装置。
  6. 【請求項6】 本体の電気絶縁体には、配線ブスバーの
    相互間に設けられる絶縁シートを保持するための保持手
    段が設けられていることを特徴とする請求項1ないし5
    のいずれかに記載の半導体モジュール接続装置。
  7. 【請求項7】 導電体はほぼコ字形に形成され、電気絶
    縁体は、ほぼコ字形の導電体の内側に配設される内部絶
    縁部体と、組合わされた導電体と内部絶縁部体を収納す
    る筒型の絶縁ケースとから構成されていることを特徴と
    する請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体モジュ
    ール接続装置。
  8. 【請求項8】 導電体はほぼコ字形に形成され、電気絶
    縁体は、ほぼコ字形の導電体を両端部および一側面部に
    嵌合させる主部と、この主部の一側面部に取り付けられ
    前記導電体を両端部を除いて覆うカバー部とから構成さ
    れていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか
    に記載の半導体モジュール接続装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7656672B2 (en) 2003-11-11 2010-02-02 Infineon Technologies Ag Power module
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JP2015122365A (ja) * 2013-12-20 2015-07-02 株式会社三社電機製作所 パワー半導体モジュール構造

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