JP2000082349A

JP2000082349A - 透明導電膜の抵抗値低減方法および装置

Info

Publication number: JP2000082349A
Application number: JP10254414A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Mori; 義明森
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1998-09-08
Filing date: 1998-09-08
Publication date: 2000-03-21

Abstract

(57)【要約】【課題】低抵抗の透明導電膜を容易に得られるように
する。【解決手段】原料ガス供給源１６からのＣＦ₄は、
水バブリングユニット２０において水蒸気を添加された
のち、放電ユニット１８に導入される。放電ユニット１
８は、気体放電を発生させてＣＦ₄と水蒸気とを反応
させ、ＨＦ、ＣＯＦ_２などの反応性のフッ素系ガスを
生成する。反応性フッ素系ガスは、処理ガス供給配管４
０に流入する希釈ガスとともにフッ化処理室１４に供給
される。フッ化処理室１４に配置されたＩＴＯ薄膜４４
は、フッ化処理室１４に供給された反応性フッ素系ガス
によってフッ化され、抵抗値が低下する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電膜の抵抗
値を低減する方法に係り、特に液晶表示装置などの液晶
デバイスの電極に用いられるＩＴＯ（インジウム、錫の
酸化物）薄膜の抵抗値を低減するのに好適な透明導電膜
の抵抗値低減方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶デバイスを用いた製品は、ＣＲＴな
どと比較して小型軽量化が可能であるとともに、消費電
力が小さいところから、近年増加の一途をたどってい
る。液晶デバイスは、液晶に電圧を印加することによっ
て光を透過、遮断するもので、情報を光学的に人々に伝
えるものである。そして、液晶に電圧を印加する電極材
料は、光を透過するとともに、導電性であることが要求
され、一般的に透明導電膜と呼ばれるＩＴＯ薄膜が使用
されている。

【０００３】ＩＴＯ薄膜は、例えば特開平１０−１６８
５５８号公報に記載されているように、一般に真空中に
おけるスパッタリングによって製造される。ＩＴＯ薄膜
を成膜するスパッタリングは、ＩＴＯからなる電極をタ
ーゲットとし、真空中にアルゴンとわずかな酸素とを導
入して行われる。また、ＩＴＯ膜の抵抗値を小さくする
ためにスパッタリングを行う雰囲気に水素等を添加する
場合もある。そして、近年は、液晶表示装置の大型化、
高速化が急速に進んでおり、これに伴ってＩＴＯ薄膜の
低抵抗化が強く求められている。従来、ＩＴＯ薄膜の低
抵抗化は、スパッタリング時の成膜条件の制御、特にＩ
ＴＯ薄膜の抵抗値が膜中の酸素量に大きく依存している
ところから、真空容器中への酸素供給量の制御と、成膜
後におけるアニール処理とによって行っていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、スパッタリン
グによって成膜されるＩＴＯ薄膜は、ＩＴＯターゲット
の消耗や、ＩＴＯターゲットから飛び出したＩＴＯ材と
雰囲気中の酸素とで形成される物質が、ＩＴＯターゲッ
ト表面に再付着して形成される酸化物によるＩＴＯター
ゲットの汚染などにより、雰囲気や装置が経時変化して
ＩＴＯ薄膜の抵抗値を一定にすることが難しいばかりで
なく、低抵抗にするために微量なガス（酸素、または酸
素と水素）を高精度にコントロールする必要がある。そ
して、このような微妙なガスコントロールを行おうとす
ると、生産性が低下するばかりでなく高価な装置を必要
とし、液晶デバイスの製造コストを上昇させる。

【０００５】本発明は、前記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、低抵抗の透明導電膜を容易に安
定して得られるようにすることを目的としている。

【０００６】また、本発明は、透明導電膜の透明導電膜
の生産性を向上させることを目的としている。

【０００７】さらに、本発明は、透明導電膜の抵抗値を
所望の値に制御することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、安定した
特性を有するＩＴＯ薄膜を得るために種々実験を行った
ところ、スパッタリングなどによって成膜したＩＴＯ膜
をフッ化処理すると、そのメカニズムは現在のところ不
明であるが、抵抗値が大幅に低下することを見出した。
本発明は、上記の知見に基づいてなされたもので、上記
の目的を達成するために、本発明に係る透明導電膜の抵
抗値低減方法は、成膜した透明導電膜をフッ化処理する
ことを特徴としている。透明導電膜、特にＩＴＯ薄膜を
フッ化処理すると、その抵抗値を３０〜４０％低下させ
ることができる。また、フッ化の程度によって透明導電
膜の抵抗値を所定値に制御することができるため、スパ
ッタリングなどによって成膜したときの透明導電膜の抵
抗値をその後にそろえることが可能で、成膜条件を緩和
でき、透明導電膜の生産性を向上することができる。そ
して、成膜後に抵抗値を低下させるため、スパッタリン
グを行う真空雰囲気に透明導電膜の抵抗を下げるための
水素などを導入する必要がない。また、酸素の導入量
は、成膜した薄膜の光学的な所定の透過率が得られる程
度に制御すればよく、スパッタリング条件が緩和されて
複雑な制御をする必要がなく、透明導電膜の生産性を向
上することができるとともに装置コストの削減が図れ
る。しかも、従来、スパッタリング時の経時変化に応じ
た制御を必要としていたのに対して、成膜後の任意のと
きに抵抗値を調整できるため、成膜時における抵抗値の
ずれを修正する必要がない。そして、一定の条件で成膜
した透明導電膜に対してフッ化処理をすることにより、
異なる任意の抵抗値を有する透明導電膜を容易に得るこ
とができる。

【０００９】フッ化処理は、真空中で行ってもよいが、
大気圧またはその近傍の圧力下にある反応性のフッ素系
ガスを透明導電膜に接触させて行うことが望ましい。大
気圧中でフッ化処理を行うと、高価な真空装置を必要と
しないばかりでなく、排気などを必要としないためにフ
ッ化処理に要する時間を短縮することができるととも
に、連続処理を行うことができる。また、フッ化処理
は、大気圧またはその近傍の圧力下にある反応性のフッ
素系ガスと水蒸気とを透明導電膜に接触させて行うとよ
い。反応性フッ素系ガスと水蒸気とを透明導電膜に接触
させると、反応性フッ素系ガスと水蒸気とが反応してよ
り活性なフッ素系のイオンが生じ、フッ化処理の速度を
大きくすることができる。

【００１０】反応性フッ素系ガスは、大気圧またはその
近傍の圧力下にある安定なフッ素系ガスを介した放電
（コロナ放電やグロー放電など）を発生させて生成する
ことができる。反応性フッ素系ガスとして例えばＨＦを
使用する場合、ボンベなどによって透明導電膜に供給し
てもよいが、安全装置やボンベユニットなどを必要と
し、コスト高となるのに対して、放電によって安定なフ
ッ素系ガスから反応性フッ素系ガスを得るようにする
と、取り扱いが容易であり、安全装置などが不要でコス
トの削減が図れる。そして、安定なフッ素系ガスには、
水蒸気を添加することができる。安定なフッ素系ガスと
水蒸気との混合ガスによって気体放電を発生させると、
ＨＦ、ＣＯＦ_２などの反応性のフッ素系ガスを効率良
く生成することができる。

【００１１】フッ化処理を透明導電膜に紫外線を照射し
つつ行うと、紫外線のエネルギーが活性なフッ素系ガス
を分解してより反応性が高いフッ素単原子が生成される
ため、フッ化処理の速度を高めることができる。透明導
電膜を加熱してフッ化処理を行うと、熱エネルギーがフ
ッ化処理を促進する。透明導電膜の加熱温度は、透明導
電膜に損傷を与えない温度であれば任意である。そし
て、フッ化処理を透明導電膜の抵抗値を計測しつつ行え
ば、各透明導電膜の抵抗値を所望の値に容易にそろえる
ことができるばかりでなく、１枚ごとに抵抗値の異なる
透明導電膜が容易に得られる。

【００１２】上記の抵抗値低減方法を実施するための透
明導電膜の抵抗値低減装置は、反応性のフッ素系ガスを
供給するフッ化ガス供給部と、このフッ化ガス供給手段
からの前記反応性フッ素系ガスを透明導電膜に接触させ
てフッ化するフッ化処理部とを有することを特徴として
いる。

【００１３】フッ化ガス供給部は、ＨＦなどの反応性フ
ッ素系ガスを充填したボンベなどを用いることができる
が、安全性や取り扱いの容易性などから、安定なフッ素
系ガスを供給する原料ガス供給源と、この原料ガス供給
源から大気圧またはその近傍の圧力下の前記安定なフッ
素系ガスが供給され、この安定なフッ素系ガスを介した
放電を発生させて前記反応性フッ素系ガスを生成する放
電ユニットとを有するようにできる。また、放電ユニッ
トには、安定なフッ素系ガスから反応性のフッ素系ガス
を効率よく生成するために、放電ユニット内に水蒸気を
供給する水蒸気発生部を接続できる。

【００１４】フッ化処理部には、反応性フッ素系ガスと
ともに水蒸気を供給する水蒸気供給部を接続し、反応性
フッ素系ガスと水蒸気とを透明導電膜に接触させてフッ
化処理の促進を図ることができる。また、フッ化処理部
には、透明導電膜に紫外線を照射する紫外線源や、透明
導電膜を加熱する加熱手段を設けてフッ化処理速度を大
きくすることができる。さらに、フッ化処理部には、透
明導電膜の抵抗値を検出する抵抗検出手段を設け、透明
導電膜の抵抗値を検出しながらフッ化処理を行い、所望
の抵抗値を有する透明導電膜を得るようにしてよい。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明に係る透明導電膜の抵抗値
低減方法および装置の好ましい実施の形態を、添付図面
に従って詳細に説明する。

【００１６】図１は、本発明の第１実施の形態に係る透
明導電膜の抵抗値低減装置の説明図である。図１におい
て、抵抗値低減装置１０は、フッ化ガス供給部１２とフ
ッ化処理部であるフッ化処理室１４とを有している。フ
ッ化ガス供給部１２は、ＣＦ₄やＳＦ₆などの安定な
フッ素系ガスを供給する原料ガス供給源１６と、その作
用を後述する放電ユニット１８と、原料ガスである安定
なフッ素系ガス（この実施形態においてはＣＦ₄）に
水蒸気を添加する水蒸気発生手段である水バブリングユ
ニット２０とを備えている。

【００１７】原料ガス供給源１６は、ますフローコント
ローラなどの流量制御弁２２を有する原料配管２４を介
して水バブリングユニット２０に接続してあって、水バ
ブリングユニット２０の水槽２６内に原料ガスを供給で
きるようにしてある。また、水槽２６は、恒温水槽であ
って、水槽２６内の水２８の温度を検出する熱電対など
の温度センサ３０が取り付けてある。そして、温度セン
サ３０の検出信号は、制御器３２に入力するようになっ
ていて、制御器３２が温度センサ３０の検出値に基づい
て、水槽２６に設けたヒータ３４に給電する電源３６を
制御し、水２８の温度を一定温度に保持できるようにし
てある。さらに、水バブリングユニット２０と放電ユニ
ット１８とは、配管３８によって接続してあり、水バブ
リングユニット２０において水蒸気（Ｈ_２Ｏ）を添加
されたＣＦ₄を大気圧状態で放電ユニット１８に供給
できるようにしてある。

【００１８】放電ユニット１８は、ＣＦ₄と水蒸気と
の混合ガスが通流する電極間に交流電圧が印加されるよ
うになっていて、電極間を流れるガスを介して気体放電
を発生し、ＣＦ₄と水蒸気とを反応させてＨＦやＣＯ
Ｆ_２などの反応性のフッ素系ガスを生成する。なお、
放電ユニットは、大気圧下でしかも水分の多い状況で放
電できるシステムであればどのようなシステムでもよ
く、この実施形態においては、櫛歯状の電極を使用した
沿面放電方式を採用しており、電極に印加した電圧は１
０ｋＶであって、その周波数は１０ｋＨｚである。

【００１９】放電ユニット１８の流出側には、処理ガス
供給配管４０を介してフッ化処理室１４が接続してあ
り、生成したＨＦなどの反応性フッ素系ガスをフッ化処
理室１４に供給できるようになっている。このフッ化処
理室１４には、例えばガラス基板４２にマグネトロンス
パッタリングなどによって成膜した透明導電膜であるＩ
ＴＯ薄膜４４が配置してある。また、処理ガス供給配管
４０には、希釈ガス管４６が接続してあって、処理ガス
供給配管４０に圧縮空気や窒素などの希釈ガス４８を流
入させることができるようにしてある。希釈ガス管４６
には、流量制御弁５０が設けてあるとともにヒータ５２
が配設してあって、希釈ガス源５４からの希釈ガス４８
を加熱して処理ガス供給配管４０に供給し、処理ガス供
給配管４０内を流れるＨＦが水素結合によって分子会合
するのを防止している。

【００２０】上記のごとく構成した第１実施の形態にお
いては、原料ガス供給源１６から原料ガスであるＣＦ
₄を水バブリングユニット２０の水２８中に吹き込
み、ＣＦ₄に水蒸気を添加する。この実施形態の場合、
水バブリングユニット２０へのＣＦ₄の供給量は、気
体の標準状態で１００ｍｌ／分にしてある。水２８は、
ヒータ３４によって一定の温度に保持されており、水バ
ブリングユニット２０を通過するＣＦ₄の相対湿度が
一定となるようにしてある。そして、水バブリングユニ
ット２０を通過したＣＦ₄は、水蒸気とともに放電ユ
ニット１８に流入する。放電ユニット１８は、ＣＦ₄
と水蒸気との混合ガスを介した気体放電を発生し、次の
ような反応によってＣＦ₄と水蒸気とを反応させて活
性な反応性フッ素系ガスを生成する。すなわち、

【００２１】

【化１】ＣＦ₄＋ｅ→Ｆ^-＋ＣＦ_３ ^＋＋ｅ

【００２２】

【化２】Ｆ^-＋ＣＦ_３ ^＋＋２Ｈ_２Ｏ→４ＨＦ＋ＣＯ_２
または、

【００２３】

【化３】Ｆ^-＋ＣＦ_３ ^＋＋Ｈ_２Ｏ→２ＨＦ＋ＣＯＦ_２となり、ＨＦ、ＣＯＦ_２などの反応性フッ素系ガスが
生成される。

【００２４】放電ユニット１８において生成された反応
性フッ素系ガスは、処理ガス供給配管４０に流入する。
そして、反応性フッ素系ガスは、処理ガス供給配管４０
に希釈ガス管４６を介して供給された圧縮空気や窒素ガ
スなどの希釈ガス（この実施形態の場合、窒素ガス）４
８によって所定の濃度に希釈されてフッ化処理室１４に
供給され、フッ化処理室１４内に配置されたＩＴＯ薄膜
４４と接触してこれをフッ化する。これにより、ＩＴＯ
薄膜４４の抵抗値がスパッタリングによって成膜された
ときよりも３０〜４０％程度低下するため、低抵抗のＩ
ＴＯ薄膜を容易に得ることができる。しかも、成膜後の
任意のときに処理することができるばかりでなく、成膜
時に抵抗値がばらついていたとしても、フッ化処理によ
って容易に抵抗値を一定の値にそろえることができる。
このため、スパッタリングなどの成膜時に抵抗値を制御
するための酸素ガスの流量調整等を行う必要がなく、成
膜条件が緩和されてＩＴＯ薄膜４４の生産性を向上する
ことができる。また、一定の条件で成膜したＩＴＯ薄膜
４４をフッ化処理する場合に、反応性フッ素系ガスの濃
度やフッ化処理の時間を異ならせることにより、１枚ず
つ任意の異なる抵抗値を有するＩＴＯ薄膜４４を容易に
得ることができる。

【００２５】なお、希釈ガス４８は、ヒータ５２によっ
て所定の温度に加熱してあって、処理ガス供給配管４０
を８０℃程度の温度となるように暖め、ＨＦが水素結合
によって分子会合を形成し、処理ガス供給配管４０の内
面に付着するのを防止する。これにより、フッ化処理室
１４に供給されるフッ化処理ガスの状態や濃度が安定
し、ＩＴＯ薄膜４４のフッ化処理を均一に安定して行え
るとともに、処理ガス供給配管４０が腐食するのを防止
できる。また、この実施形態においては、ＣＦ₄に水蒸
気を添加して放電ユニット１８に供給して反応性フッ素
系ガスを生成しているため、ＣＦ₄単独による気体放
電より効率よく反応性フッ素系ガスを生成することがで
きる。しかも、反応性フッ素系ガスを安定で安全なＣＦ
₄から生成しているため、ボンベなどによってＨＦを
フッ化処理室１４に供給する場合に比較して安全で取り
扱いが容易であり、装置のコストも低減することができ
る。また、ＩＴＯ薄膜４４のフッ化処理は、１枚ずつ行
ってもよいし、複数枚を同時にフッ化処理をしてもよ
い。

【００２６】図２は、第２の実施形態に係る透明導電膜
の抵抗値低減装置の要部説明図である。図２において、
放電ユニット１８には、原料ガス供給源からＣＦ₄が
供給されるとともに、水蒸気発生部から水蒸気が供給さ
れるようになっている。そして、放電ユニット１８とフ
ッ化処理室１４とを接続している処理ガス供給配管４０
には、希釈ガス管４６が接続してある。この希釈ガス管
４６は、流量調整弁５６を備えた分岐管５８が設けてあ
って、希釈ガス源５４からの希釈ガス４８の一部を水蒸
供給部となる水バブリングユニット６０に導入できるよ
うにしてある。また、希釈ガス管４６の分岐管５８の接
続部より下流側と水バブリングユニット６０との間に
は、水蒸気供給管６２が設けてあって、水バブリングユ
ニット６０において水蒸気を添加した希釈ガスを希釈ガ
ス管４６に戻すことができるようになっている。

【００２７】このように構成してある第２実施の形態に
おいては、前記したように放電ユニット１８においてＣ
Ｆ₄と水蒸気とが反応してＨＦ、ＣＯＦ_２などの反
応性フッ素系ガスが生成される。この反応性フッ素系ガ
スは、処理ガス供給配管４０に流入した希釈ガス、水蒸
気とともにフッ化処理室１４に供給され、水（水蒸気）
と次のような反応を生ずる。

【００２８】

【化４】ＣＯＦ_２＋Ｈ_２Ｏ→ＣＯ_２＋２ＨＦさらに、

【００２９】

【化５】２ＨＦ＋Ｈ_２Ｏ→ＨＦ^-＋Ｈ_３Ｏ⁺ となり、ＨＦやＣＯＦ_２よりも反応性が高いフッ素系
イオン分子が生成される。そして、このイオンがＩＴＯ
薄膜４４と反応し、ＩＴＯ薄膜をフッ化する。

【００３０】このように、第２の実施形態においては、
より反応性の高いフッ素系のイオンを生ずるため、ＩＴ
Ｏ薄膜４４のフッ化処理に要する時間を短縮することが
できる。

【００３１】図３は、第３実施の形態に係る抵抗値低減
装置の要部説明図である。この実施形態においては、フ
ッ化処理室１４に紫外線源となる紫外線ランプ６４が設
けてあって、ＩＴＯ薄膜４４に紫外線を照射できるよう
にしてある。このように構成した第３実施の形態におい
ては、紫外線ランプ６４から出射される紫外線がＨＦ、
ＣＯＦ_２の結合を切り、より反応性の高いフッ素単原
子を生成し、このフッ素単原子がＩＴＯ薄膜４４をフッ
化する。従って、フッ化処理室１４にＨＦ、ＣＯＦ_２
を単に供給してフッ化処理するよりも迅速なフッ化処理
が行える。

【００３２】なお、図３の破線に示したように、フッ化
処理室１４に加熱するヒータ６６などの加熱手段を設け
てＩＴＯ薄膜４４を加熱するようにすると、フッ化反応
をより促進することができる。ＩＴＯ薄膜の加熱温度
は、ＩＴＯ薄膜が熱によって劣化しないような温度であ
れば任意であって、例えば５０〜１５０℃とすることが
できる。

【００３３】図４は、第４の実施形態に係る抵抗値低減
装置の要部説明図である。図４（１）においてフッ化処
理室１４の内部には、例えば三次元的に移動可能なテー
ブル７０が配置してあって、このテーブル７０の上にＩ
ＴＯ薄膜４４を設けたガラス基板４２を配置するように
なっている。また、テーブル７０の上方には、処理ガス
供給配管４０に接続した局所処理ノズル７２が設けてあ
って、処理ガス供給配管４０によって放電ユニット１８
から輸送されてきたフッ化処理ガス７４をＩＴＯ薄膜４
４の任意の部分に吹き付けることができるようにしてあ
る。局所処理ノズル７２は、詳細を図４（２）に示した
ように、二重管構造となっていて、中心部が円筒状の吹
き出し管部７６となっており、その周囲が排気管部７８
となっている。そして、排気管部７８は、図示しない吸
引装置に接続してあって、吹き出し管７６の先端から吹
き出されてＩＴＯ薄膜４４と接触し、ＩＴＯ薄膜４４を
フッ化したフッ化処理ガス７４を吸引し、排気８０とし
てフッ化処理ガスを無害化する除害装置に送ることがで
きるようになっている。さらに、フッ化処理室１４に
は、抵抗値検出手段となる例えば四探針法を利用したシ
ート抵抗測定器８２の探針（電極）８４が配置してあ
り、ＩＴＯ薄膜４４の抵抗値（シート抵抗）を検出でき
るようになっている。

【００３４】このように構成した第４の実施形態におい
ては、テーブル７０を駆動してＩＴＯ薄膜４４のフッ化
処理したい部分を局所処理ノズル７２の下方に移動させ
るとともに、ＩＴＯ薄膜４４を局所処理ノズル７２の先
端に近接させる。そして、局所処理ノズル７２の吹き出
し管部７６の先端から反応性フッ素系ガスを含んだフッ
化処理ガス７４を吹き出し、ＩＴＯ薄膜４４の所望の位
置にに吹き付け、局部的なフッ化処理を行う。また、局
所処理ノズル７２によるフッ化処理と同時に、フッ化処
理を行っている部分のＩＴＯ薄膜４４のシート抵抗をシ
ート抵抗測定器８２によって検出し、シート抵抗が所定
値に低下した段階でＩＴＯ薄膜４４のフッ化処理を終了
する。

【００３５】このように、この実施形態においては、局
所的なフッ化処理が可能で、ＩＴＯ薄膜４４の所望位置
の抵抗値を低減して所望の値にすることができる。しか
も、シート抵抗測定器８２によってＩＴＯ薄膜４４のシ
ート抵抗を検出しながらフッ化処理を行うため、フッ化
処理下部分の抵抗値を容易、正確に所定値とすることが
できる。

【００３６】なお、前記実施形態においては、局所処理
ノズル７２が二重円筒状をなしている場合について説明
したが、例えば平滑なガラス板を平行に配置して吹き出
し口を帯状または線状をなすように形成してもよい。ま
た、前記実施の形態においては、ＩＴＯ薄膜４４を停止
させた状態でフッ化処理する場合について説明したが、
ＩＴＯ薄膜４４を移動させつつフッ化処理をしてもよ
い。そして、前記した各実施形態のように、ＩＴＯ薄膜
４４の全面をフッ化処理する場合にも、シート抵抗測定
器８２によってシート抵抗を検出しつつフッ化処理する
ことにより、所望の抵抗値を有するＩＴＯ薄膜４４を容
易に得ることができ、また各ＩＴＯ薄膜４４の抵抗値を
そろえることができるばかりでなく、１枚ずつ任意の抵
抗値に制御することができる。さらに、前記実施の形態
においては、ＩＴＯ薄膜４４をフッ化処理室１４内に配
置してフッ化処理する場合について説明したが、ＩＴＯ
薄膜４４をコンベヤなどの搬送装置の上に配置し、搬送
装置によって移動しているＩＴＯ薄膜４４にフッ化処理
ガスを吹き付けてフッ化処理を行ってもよい。これによ
り、ＩＴＯ薄膜４４の連続的なフッ化処理が可能とな
る。

【００３７】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、成膜した透明導電膜をフッ化処理することにより、
透明導電膜の抵抗値を低下させることができ、低抵抗の
透明導電膜を容易に得ることができる。また、スパッタ
リングなどによって成膜した透明導電膜をフッ化処理し
て抵抗値を低下させるようにしているため、抵抗値を所
定の値に制御することが容易で、スパッタリングなどの
成膜条件を緩和でき、透明導電膜の生産性を向上するこ
とができる。しかも、成膜後のフッ化処理によって透明
導電膜の抵抗値を調整できるため、所望の抵抗値を有す
る透明導電膜を容易に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る透明導電膜の抵
抗値低減装置の説明図である。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る透明導電膜の抵
抗値低減装置の要部説明図である。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る透明導電膜の抵
抗値低減装置の要部説明図である。

【図４】本発明の第４の実施形態に係る透明導電膜の抵
抗値低減装置の要部説明図であって、（１）はフッ化処
理室の説明図、（２）は局所処理ノズルの詳細説明図で
ある。

【符号の説明】

１０抵抗値低減装置１２フッ化ガス供給部１４フッ化処理部（フッ化処理室）１６原料ガス供給源１８放電ユニット２０水蒸気発生部（水バブリングユニット）４４透明導電膜（ＩＴＯ薄膜）５２ヒータ５４希釈ガス源６０水蒸気供給部（水バブリングユニット）６４紫外線源（紫外線ランプ）６６加熱手段（ヒータ）７２局所処理ノズル７４フッ化処理ガス８２抵抗検出手段（シート抵抗測定器）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】成膜した透明導電膜をフッ化処理するこ
とを特徴とする透明導電膜の抵抗値低減方法。
【請求項２】前記フッ化処理は、大気圧またはその近
傍の圧力下にある反応性のフッ素系ガスを前記透明導電
膜に接触させて行うことを特徴とする請求項１に記載の
透明導電膜の抵抗値低減方法。
【請求項３】前記フッ化処理は、大気圧またはその近
傍の圧力下にある反応性のフッ素系ガスと水蒸気とを前
記透明導電膜に接触させて行うことを特徴とする請求項
１に記載の透明導電膜の抵抗値低減方法。
【請求項４】前記反応性フッ素系ガスは、大気圧また
はその近傍の圧力下にある安定なフッ素系ガスを介した
放電を発生させて生成することを特徴とする請求項２ま
たは３に記載の透明導電膜の抵抗値低減方法。
【請求項５】前記安定なフッ素系ガスは、水蒸気が添
加されていることを特徴とする請求項４に記載の透明導
電膜の抵抗値低減方法。
【請求項６】前記フッ化処理は、前記透明導電膜に紫
外線を照射しつつ行うことを特徴とする請求項１ないし
５のいずれかに記載の透明導電膜の抵抗値低減方法。
【請求項７】前記フッ化処理は、前記透明導電膜を加
熱して行うことを特徴とする請求項１ないし６のいずれ
かに記載の透明導電膜の抵抗値低減方法。
【請求項８】前記フッ化処理は、前記透明導電膜の抵
抗値を計測しながら行うことを特徴とする請求項１ない
し７のいずれかに記載の透明導電膜の抵抗値低減方法。
【請求項９】反応性のフッ素系ガスを供給するフッ化
ガス供給部と、このフッ化ガス供給部からの前記反応性
フッ素系ガスを透明導電膜に接触させてフッ化するフッ
化処理部とを有することを特徴とする透明導電膜の抵抗
値低減装置。
【請求項１０】前記フッ化ガス供給部は、安定なフッ
素系ガスを供給する原料ガス供給源と、この原料ガス供
給源から大気圧またはその近傍の圧力下の前記安定なフ
ッ素系ガスが供給され、この安定なフッ素系ガスを介し
た放電を発生させて前記反応性フッ素系ガスを生成する
放電ユニットとを有することを特徴とする請求項９に記
載の透明導電膜の抵抗値低減装置。
【請求項１１】前記放電ユニットには、放電ユニット
内に水蒸気を供給する水蒸気発生部が接続してあること
を特徴とする請求項１０に記載の透明導電膜の抵抗値低
減装置。
【請求項１２】前記フッ化処理部には、水蒸気が供給
される水蒸気供給部が接続してあることを特徴とする請
求項９ないし１１のいずれかに記載の透明導電膜の抵抗
値低減装置。
【請求項１３】前記フッ化処理部は、前記透明導電膜
に紫外線を照射する紫外線源が設けてあることを特徴と
する請求項９ないし１２のいずれかに記載の透明導電膜
の抵抗値低減装置。
【請求項１４】前記フッ化処理部は、前記透明導電膜
を加熱する加熱手段を有していることを特徴とする請求
項８ないし１３のいずれかに記載の透明導電膜の抵抗値
低減装置。
【請求項１５】前記フッ化処理部は、前記透明導電膜
の抵抗値を検出する抵抗検出手段を有することを特徴と
する請求項９ないし１４のいずれかに記載の透明導電膜
の抵抗値低減装置。