JP2000081456A - コンデンサの絶縁抵抗測定方法 - Google Patents
コンデンサの絶縁抵抗測定方法Info
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】コンデンサへの測定端子の接触回数を少なくで
き、かつ測定に必要な回路を簡素化できるコンデンサの
絶縁抵抗測定方法を提供する。 【解決手段】コンデンサに直流電圧を印加して予備充電
を行い、その後で測定電圧を印加し、コンデンサに流れ
る充電電流から絶縁抵抗を測定する。予備充電の期間を
コンデンサの容量Ｃ0 の充電を行なう期間とし、予備充
電の終了から測定電圧の印加までの期間をオープン状態
として自己充電を行う。自己充電の期間中にコンデンサ
の誘電分極成分Ｄが自己充電される。
き、かつ測定に必要な回路を簡素化できるコンデンサの
絶縁抵抗測定方法を提供する。 【解決手段】コンデンサに直流電圧を印加して予備充電
を行い、その後で測定電圧を印加し、コンデンサに流れ
る充電電流から絶縁抵抗を測定する。予備充電の期間を
コンデンサの容量Ｃ0 の充電を行なう期間とし、予備充
電の終了から測定電圧の印加までの期間をオープン状態
として自己充電を行う。自己充電の期間中にコンデンサ
の誘電分極成分Ｄが自己充電される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンデンサの良否判
定などに用いられるコンデンサの絶縁抵抗測定方法に関
するものである。
定などに用いられるコンデンサの絶縁抵抗測定方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、コンデンサの良否を判定するた
め、測定用の直流電圧をコンデンサに印加し、十分に充
電された後のコンデンサに流れる電流（充電電流）を測
定することにより、コンデンサの絶縁抵抗を測定する方
法が知られている。当然ながら、良品は充電電流が少な
い。
め、測定用の直流電圧をコンデンサに印加し、十分に充
電された後のコンデンサに流れる電流（充電電流）を測
定することにより、コンデンサの絶縁抵抗を測定する方
法が知られている。当然ながら、良品は充電電流が少な
い。
【０００３】従来、この種の絶縁抵抗測定方法として
は、ＪＩＳ−Ｃ５１０２で規定された測定方式が知られ
ている。この方式は、コンデンサに十分に充電された状
態の電流値を測定する必要があるため、例えば約６０秒
の測定時間が必要であった。しかし、電子機器のコスト
ダウン、信頼性向上の要求に伴い、コンデンサなどの電
子部品もその生産能力向上と品質向上とが求められてお
り、コンデンサ１個当たりこのような長い測定時間を要
する従来の測定方法では、到底このような要求に応える
ことができない。
は、ＪＩＳ−Ｃ５１０２で規定された測定方式が知られ
ている。この方式は、コンデンサに十分に充電された状
態の電流値を測定する必要があるため、例えば約６０秒
の測定時間が必要であった。しかし、電子機器のコスト
ダウン、信頼性向上の要求に伴い、コンデンサなどの電
子部品もその生産能力向上と品質向上とが求められてお
り、コンデンサ１個当たりこのような長い測定時間を要
する従来の測定方法では、到底このような要求に応える
ことができない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】チップ型コンデンサの
絶縁抵抗を効率よく測定するため、ターンテーブルが用
いられている。ターンテーブルを用いた絶縁抵抗測定方
法には、複数の予備充電領域を通過して予備充電を終え
たコンデンサに対して、１個ずつ絶縁抵抗を測定する連
続方式と、ターンテーブルに所定数のコンデンサを供給
した後、ターンテーブルを停止し、複数のコンデンサに
対して同時に予備充電と絶縁抵抗測定とを行うバッチ方
式とがある。
絶縁抵抗を効率よく測定するため、ターンテーブルが用
いられている。ターンテーブルを用いた絶縁抵抗測定方
法には、複数の予備充電領域を通過して予備充電を終え
たコンデンサに対して、１個ずつ絶縁抵抗を測定する連
続方式と、ターンテーブルに所定数のコンデンサを供給
した後、ターンテーブルを停止し、複数のコンデンサに
対して同時に予備充電と絶縁抵抗測定とを行うバッチ方
式とがある。
【０００５】図１，図２は上記の２つの測定方式を示す
原理図である。コンデンサ１はターンテーブルなどの搬
送手段２の上に一定ピッチ間隔で保持され、矢印方向に
間欠搬送される。図１は連続方式を示し、取入ステーシ
ョンＳINでコンデンサ１を取り入れた後、搬送手段２が
停止する毎に複数の予備充電ステーションＳp1〜Ｓp4で
予備充電を行い、その後、測定ステーションＳM で測定
電圧Ｅｍを印加し、測定器３によって絶縁抵抗の測定を
行なう。その後、不良品は不良品取出ステーションＳNG
で取り出し、良品は良品取出ステーションＳG で取り出
す。図２はバッチ方式を示し、複数のコンデンサ１を搬
送手段２に保持した状態で、搬送手段２を一定時間停止
させ、複数の測定ステーションＳM1〜ＳM5で測定電圧Ｅ
ｍと同一の電圧を印加して予備充電すると同時に、測定
器３で絶縁抵抗の測定を行なう。なお、４は定格電圧の
電源、５は予備充電端子、６は測定端子である。
原理図である。コンデンサ１はターンテーブルなどの搬
送手段２の上に一定ピッチ間隔で保持され、矢印方向に
間欠搬送される。図１は連続方式を示し、取入ステーシ
ョンＳINでコンデンサ１を取り入れた後、搬送手段２が
停止する毎に複数の予備充電ステーションＳp1〜Ｓp4で
予備充電を行い、その後、測定ステーションＳM で測定
電圧Ｅｍを印加し、測定器３によって絶縁抵抗の測定を
行なう。その後、不良品は不良品取出ステーションＳNG
で取り出し、良品は良品取出ステーションＳG で取り出
す。図２はバッチ方式を示し、複数のコンデンサ１を搬
送手段２に保持した状態で、搬送手段２を一定時間停止
させ、複数の測定ステーションＳM1〜ＳM5で測定電圧Ｅ
ｍと同一の電圧を印加して予備充電すると同時に、測定
器３で絶縁抵抗の測定を行なう。なお、４は定格電圧の
電源、５は予備充電端子、６は測定端子である。
【０００６】前者の場合には、予備充電端子５をコンデ
ンサ１の電極に多数回にわたって接触させる必要がある
ために、コンデンサ１の電極が傷付きやすくなるという
欠点がある。また、後者の場合には、多数のコンデンサ
１に同時に予備充電・測定を行なうため、大型の電源装
置４が必要であり、しかも多チャンネルの測定を行なう
ために、多数の測定器３が必要になったり、あるいは１
つの測定器３を切り替えて使用するために、複雑な切換
回路が必要となったりして、設備コストが高くなり、メ
ンテナンスも困難になるという欠点があった。
ンサ１の電極に多数回にわたって接触させる必要がある
ために、コンデンサ１の電極が傷付きやすくなるという
欠点がある。また、後者の場合には、多数のコンデンサ
１に同時に予備充電・測定を行なうため、大型の電源装
置４が必要であり、しかも多チャンネルの測定を行なう
ために、多数の測定器３が必要になったり、あるいは１
つの測定器３を切り替えて使用するために、複雑な切換
回路が必要となったりして、設備コストが高くなり、メ
ンテナンスも困難になるという欠点があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、コンデンサへの
端子の接触回数を少なくでき、かつ測定に必要な回路を
簡素化できるコンデンサの絶縁抵抗測定方法を提供する
ことにある。
端子の接触回数を少なくでき、かつ測定に必要な回路を
簡素化できるコンデンサの絶縁抵抗測定方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、コンデンサに直流電圧Ｅ
ｐを印加して予備充電を行い、その後で測定電圧Ｅｍを
印加し、コンデンサに流れる充電電流から絶縁抵抗を測
定する方法において、上記予備充電の終了から測定電圧
Ｅｍの印加までの期間をオープン状態として自己充電を
行うことを特徴とする絶縁抵抗測定方法を提供する。
め、請求項１に記載の発明は、コンデンサに直流電圧Ｅ
ｐを印加して予備充電を行い、その後で測定電圧Ｅｍを
印加し、コンデンサに流れる充電電流から絶縁抵抗を測
定する方法において、上記予備充電の終了から測定電圧
Ｅｍの印加までの期間をオープン状態として自己充電を
行うことを特徴とする絶縁抵抗測定方法を提供する。
【０００９】ここで、本発明にかかる絶縁抵抗測定方法
の原理を説明する。セラミックコンデンサのようなコン
デンサの等価回路は、図３のように容量Ｃ0、内部抵抗
ｒ、絶縁抵抗Ｒ0 、誘電分極成分（または静電吸収成
分）Ｄで構成されている。このようなコンデンサに直流
電圧を印加すると、その充電特性は図４のようになる。
すなわち、初期の非線形的な充電特性1)は容量Ｃ0 の充
電領域であり、線形的な充電特性3)は誘電分極成分Ｄの
充電領域であり、2)はその遷移領域である。なお、図４
の縦軸（電流) および横軸 (時間) はlog 対数である。
の原理を説明する。セラミックコンデンサのようなコン
デンサの等価回路は、図３のように容量Ｃ0、内部抵抗
ｒ、絶縁抵抗Ｒ0 、誘電分極成分（または静電吸収成
分）Ｄで構成されている。このようなコンデンサに直流
電圧を印加すると、その充電特性は図４のようになる。
すなわち、初期の非線形的な充電特性1)は容量Ｃ0 の充
電領域であり、線形的な充電特性3)は誘電分極成分Ｄの
充電領域であり、2)はその遷移領域である。なお、図４
の縦軸（電流) および横軸 (時間) はlog 対数である。
【００１０】ところで、図４において、線形的な充電特
性3)の途中で充電を中止し、オープン状態で放置した
後、所定時間後に充電を再開すると、図４に破線で示す
ように一旦電流値が高くなるものの、直ぐに線形的な充
電特性3)に安定することを発見した。これについて検討
したところ、次のような現象が生じているものと考えら
れる。すなわち、最初に充電を開始すると、まずコンデ
ンサ内部の容量Ｃ0 が充電電圧で充電される。しかし、
誘電分極成分Ｄの充電には時間がかかるので、この段階
では殆ど充電されていない。充電を中止している間はオ
ープン状態であるため、外部との電気の流れは全くな
い。この間、容量Ｃ0 に充電された電荷により誘電分極
成分Ｄへの充電（自己充電）が進み、あたかも充電を継
続しているような状況で進行する。なお、容量Ｃ0 は誘
電分極成分Ｄに比較して容量が大きいので、充電電圧は
殆ど低下しない。そして、充電を再開すると、誘電分極
成分Ｄの充電が既に進んでいるので、僅かな充電で所望
の充電特性3)に安定するものと考えられる。
性3)の途中で充電を中止し、オープン状態で放置した
後、所定時間後に充電を再開すると、図４に破線で示す
ように一旦電流値が高くなるものの、直ぐに線形的な充
電特性3)に安定することを発見した。これについて検討
したところ、次のような現象が生じているものと考えら
れる。すなわち、最初に充電を開始すると、まずコンデ
ンサ内部の容量Ｃ0 が充電電圧で充電される。しかし、
誘電分極成分Ｄの充電には時間がかかるので、この段階
では殆ど充電されていない。充電を中止している間はオ
ープン状態であるため、外部との電気の流れは全くな
い。この間、容量Ｃ0 に充電された電荷により誘電分極
成分Ｄへの充電（自己充電）が進み、あたかも充電を継
続しているような状況で進行する。なお、容量Ｃ0 は誘
電分極成分Ｄに比較して容量が大きいので、充電電圧は
殆ど低下しない。そして、充電を再開すると、誘電分極
成分Ｄの充電が既に進んでいるので、僅かな充電で所望
の充電特性3)に安定するものと考えられる。
【００１１】そこで、本発明では、予備充電の終了から
測定電圧の印加までの期間をオープン状態として自己充
電を行うことで、予備充電端子を多数回にわたってコン
デンサの電極に接触させることなく充電できる。しか
も、自己充電が終了したコンデンサに対して測定電圧を
印加すれば、短時間で正常な絶縁抵抗を測定できるの
で、多数の測定器や複雑な切換回路を必要としない。
測定電圧の印加までの期間をオープン状態として自己充
電を行うことで、予備充電端子を多数回にわたってコン
デンサの電極に接触させることなく充電できる。しか
も、自己充電が終了したコンデンサに対して測定電圧を
印加すれば、短時間で正常な絶縁抵抗を測定できるの
で、多数の測定器や複雑な切換回路を必要としない。
【００１２】請求項３のように、予備充電の期間Ｔ1 は
コンデンサの容量Ｃ0 の充電期間1)と遷移期間2)との和
の時間Ｔｂ以上とするのが望ましい。これによって、容
量Ｃ0に完全に充電できる。なお、時間Ｔｂは一定値で
はなく、予備充電電圧Ｅｐを測定電圧Ｅｍより高くすれ
ば、時間Ｔｂを短くすることも可能である。また、予備
充電は１回に限るものではなく、複数回実施してもよ
い。２回の予備充電を行なった場合には、１回目および
２回目の予備充電期間をそれぞれＴｂ／２以上としても
よい。
コンデンサの容量Ｃ0 の充電期間1)と遷移期間2)との和
の時間Ｔｂ以上とするのが望ましい。これによって、容
量Ｃ0に完全に充電できる。なお、時間Ｔｂは一定値で
はなく、予備充電電圧Ｅｐを測定電圧Ｅｍより高くすれ
ば、時間Ｔｂを短くすることも可能である。また、予備
充電は１回に限るものではなく、複数回実施してもよ
い。２回の予備充電を行なった場合には、１回目および
２回目の予備充電期間をそれぞれＴｂ／２以上としても
よい。
【００１３】請求項４のように、オープン期間Ｔ2 を、
コンデンサの絶縁抵抗Ｒに定格電圧を印加したときに流
れる充電電流値Ａ1 に達する時間Ｔｃ以上とするのが望
ましい。つまり、誘電分極成分Ｄが十分に自己充電され
る時間を確保するためである。
コンデンサの絶縁抵抗Ｒに定格電圧を印加したときに流
れる充電電流値Ａ1 に達する時間Ｔｃ以上とするのが望
ましい。つまり、誘電分極成分Ｄが十分に自己充電され
る時間を確保するためである。
【００１４】請求項５のように、１回目の予備充電を測
定電圧Ｅｍと同電圧で行い、所定のオープン期間の後、
２回目の予備充電を測定電圧Ｅｍと同電圧で行ない、そ
の後で測定を行なってもよい。オープン期間中、コンデ
ンサの両端の電極にかかっている電圧ｅは、絶縁抵抗Ｒ
0 による消費や誘電分極成分Ｄへの充電のために、僅か
に低下する。この電圧降下はオープン期間が長い程大き
い。後で測定電圧Ｅｍを印加された時、降下した電圧分
だけ容量Ｃ0 の再充電がなされ、所定の閾値Ａ1に達す
る時間が長くなる。そのため、２回目の予備充電で測定
電圧Ｅｍと同電圧Ｅｐを印加し、電圧降下分を小さくす
ることで、測定時間を短縮できる。なお、２回目の予備
充電は測定電圧Ｅｍの印加の直前であるのが望ましい。
定電圧Ｅｍと同電圧で行い、所定のオープン期間の後、
２回目の予備充電を測定電圧Ｅｍと同電圧で行ない、そ
の後で測定を行なってもよい。オープン期間中、コンデ
ンサの両端の電極にかかっている電圧ｅは、絶縁抵抗Ｒ
0 による消費や誘電分極成分Ｄへの充電のために、僅か
に低下する。この電圧降下はオープン期間が長い程大き
い。後で測定電圧Ｅｍを印加された時、降下した電圧分
だけ容量Ｃ0 の再充電がなされ、所定の閾値Ａ1に達す
る時間が長くなる。そのため、２回目の予備充電で測定
電圧Ｅｍと同電圧Ｅｐを印加し、電圧降下分を小さくす
ることで、測定時間を短縮できる。なお、２回目の予備
充電は測定電圧Ｅｍの印加の直前であるのが望ましい。
【００１５】また、２回目の予備充電には次のような効
果もある。すなわち、オープン期間中、コンデンサの誘
電分極成分はコンデンサの両端にかかっている電圧ｅに
よって充電される。しかし、電圧ｅはオープン期間の経
過に伴って徐々に小さくなるので、ｅ＜Ｅｍである。測
定電圧Ｅｍの印加時、誘電分極成分の再充電にかかる時
間は、容量Ｃ0 に比べて遙に長い。例えば、１μＦのセ
ラミックコンデンサの場合、容量Ｃ0 の充電時間は数ｍ
ｓであるのに対し、誘電分極成分Ｄの充電時間は数百ｍ
ｓである。この電圧降下分Ｅｍ−ｅを小さくするため
に、２回目の予備充電を行なうものである。この場合、
２回目の予備充電は、最初の予備充電から√（Ｔｃ）だ
け時間経過した後に行なってもよい。その理由は、１回
目の予備充電後の電圧降下を、２回目の予備充電後の電
圧降下と等しくし、測定電圧Ｅｍと異なる電圧に誘電分
極成分Ｄが充電されるのを防止するためである。
果もある。すなわち、オープン期間中、コンデンサの誘
電分極成分はコンデンサの両端にかかっている電圧ｅに
よって充電される。しかし、電圧ｅはオープン期間の経
過に伴って徐々に小さくなるので、ｅ＜Ｅｍである。測
定電圧Ｅｍの印加時、誘電分極成分の再充電にかかる時
間は、容量Ｃ0 に比べて遙に長い。例えば、１μＦのセ
ラミックコンデンサの場合、容量Ｃ0 の充電時間は数ｍ
ｓであるのに対し、誘電分極成分Ｄの充電時間は数百ｍ
ｓである。この電圧降下分Ｅｍ−ｅを小さくするため
に、２回目の予備充電を行なうものである。この場合、
２回目の予備充電は、最初の予備充電から√（Ｔｃ）だ
け時間経過した後に行なってもよい。その理由は、１回
目の予備充電後の電圧降下を、２回目の予備充電後の電
圧降下と等しくし、測定電圧Ｅｍと異なる電圧に誘電分
極成分Ｄが充電されるのを防止するためである。
【００１６】請求項６のように、予備充電の充電電圧Ｅ
ｐを測定電圧Ｅｍより高くし、かつオープン期間中にコ
ンデンサの両端の電圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じまたはこ
れより低くなるまで降下するように充電電圧Ｅｐを設定
するのが望ましい。すなわち、上述のようにオープン期
間中、コンデンサの両端の電極にかかっている電圧ｅ
は、絶縁抵抗Ｒ0 による消費や誘電分極成分Ｄへの充電
のために僅かに低下する。通常は予備充電も測定電圧Ｅ
ｍと同様な定格電圧が印加されるので、オープン期間が
長くなると、測定時には電圧ｅがかなり低下しており、
測定時に充電電流が収束するまでに時間がかかり、漏れ
電流の測定が遅れることになる。そこで、予備充電電圧
Ｅｐを測定電圧Ｅｍより高くすることで、電圧ｅの低下
を抑制し、測定時に充電電流を速やかに収束させて漏れ
電流を短時間で測定できるようにしている。ただ、予備
充電電圧Ｅｐを高くしすぎると、コンデンサの両端にか
かっている電圧ｅが測定時における測定電圧Ｅｍより高
くなり、測定時に逆電流が流れてしまうことがある。つ
まり、絶縁抵抗が高めに検出されてしまい、不良品でも
良品と誤判定される可能性がある。そこで、オープン期
間中にコンデンサの両端の電圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じ
またはこれより低くなるまで降下するように充電電圧Ｅ
ｐを設定し、測定時に逆電流が流れる不具合を解消して
いる。
ｐを測定電圧Ｅｍより高くし、かつオープン期間中にコ
ンデンサの両端の電圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じまたはこ
れより低くなるまで降下するように充電電圧Ｅｐを設定
するのが望ましい。すなわち、上述のようにオープン期
間中、コンデンサの両端の電極にかかっている電圧ｅ
は、絶縁抵抗Ｒ0 による消費や誘電分極成分Ｄへの充電
のために僅かに低下する。通常は予備充電も測定電圧Ｅ
ｍと同様な定格電圧が印加されるので、オープン期間が
長くなると、測定時には電圧ｅがかなり低下しており、
測定時に充電電流が収束するまでに時間がかかり、漏れ
電流の測定が遅れることになる。そこで、予備充電電圧
Ｅｐを測定電圧Ｅｍより高くすることで、電圧ｅの低下
を抑制し、測定時に充電電流を速やかに収束させて漏れ
電流を短時間で測定できるようにしている。ただ、予備
充電電圧Ｅｐを高くしすぎると、コンデンサの両端にか
かっている電圧ｅが測定時における測定電圧Ｅｍより高
くなり、測定時に逆電流が流れてしまうことがある。つ
まり、絶縁抵抗が高めに検出されてしまい、不良品でも
良品と誤判定される可能性がある。そこで、オープン期
間中にコンデンサの両端の電圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じ
またはこれより低くなるまで降下するように充電電圧Ｅ
ｐを設定し、測定時に逆電流が流れる不具合を解消して
いる。
【００１７】請求項７のように、１回目の予備充電の充
電電圧Ｅｐを測定電圧Ｅｍより高くし、所定のオープン
期間の後、測定の直前に測定電圧Ｅｍと同電圧による２
回目の予備充電を行なうようにしてもよい。すなわち、
請求項６のように高圧予備充電を行なうと、コンデンサ
によってはオープン期間中の電圧降下が小さく、測定時
において両端の電圧が測定電圧より高い場合があり、測
定電圧の印加時に逆電流が流れてしまう。そこで、測定
の直前に測定電圧Ｅｍと同電圧による２回目の予備充電
を行なうことで、コンデンサの両端の電圧ｅを測定電圧
Ｅｍに補正し、測定時に逆電流が流れるという問題を解
消できる。
電電圧Ｅｐを測定電圧Ｅｍより高くし、所定のオープン
期間の後、測定の直前に測定電圧Ｅｍと同電圧による２
回目の予備充電を行なうようにしてもよい。すなわち、
請求項６のように高圧予備充電を行なうと、コンデンサ
によってはオープン期間中の電圧降下が小さく、測定時
において両端の電圧が測定電圧より高い場合があり、測
定電圧の印加時に逆電流が流れてしまう。そこで、測定
の直前に測定電圧Ｅｍと同電圧による２回目の予備充電
を行なうことで、コンデンサの両端の電圧ｅを測定電圧
Ｅｍに補正し、測定時に逆電流が流れるという問題を解
消できる。
【００１８】請求項８のように、１回目の予備充電を測
定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐ1 で行い、所定のオープン
期間の後、２回目の予備充電を１回目の充電電圧Ｅｐ1
より低く測定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐ2 で行ない、さ
らに所定のオープン期間の後に測定を行なうようにして
もよい。この場合には、２回の予備充電を共に測定電圧
Ｅｍより高い電圧Ｅｐ1 ，Ｅｐ2で行なうので、オープ
ン期間が短くても、誘電分極成分Ｄに十分に充電を進め
ることができる。なお、２回目の予備充電電圧を、オー
プン期間中にコンデンサの両端の電圧ｅが測定電圧Ｅｍ
と同じまたはこれより低くなるまで降下するような電圧
に設定すれば、測定時の逆電流を防止できるので、望ま
しい。
定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐ1 で行い、所定のオープン
期間の後、２回目の予備充電を１回目の充電電圧Ｅｐ1
より低く測定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐ2 で行ない、さ
らに所定のオープン期間の後に測定を行なうようにして
もよい。この場合には、２回の予備充電を共に測定電圧
Ｅｍより高い電圧Ｅｐ1 ，Ｅｐ2で行なうので、オープ
ン期間が短くても、誘電分極成分Ｄに十分に充電を進め
ることができる。なお、２回目の予備充電電圧を、オー
プン期間中にコンデンサの両端の電圧ｅが測定電圧Ｅｍ
と同じまたはこれより低くなるまで降下するような電圧
に設定すれば、測定時の逆電流を防止できるので、望ま
しい。
【００１９】請求項７または８のように高圧予備充電を
行なう場合には、請求項９のように高圧予備充電の直後
に放電を行なってもよい。すなわち、高圧予備充電を必
要以上に長く行なうと、充電電圧が高くなり過ぎ、測定
を行なった場合に、逆電流が流れて不良品であるにもか
かわらず、良品のような特性となる場合が生じるからで
ある。そのため、高圧予備充電の後で放電することで、
充電電圧が高くなり過ぎるのを防止できる。
行なう場合には、請求項９のように高圧予備充電の直後
に放電を行なってもよい。すなわち、高圧予備充電を必
要以上に長く行なうと、充電電圧が高くなり過ぎ、測定
を行なった場合に、逆電流が流れて不良品であるにもか
かわらず、良品のような特性となる場合が生じるからで
ある。そのため、高圧予備充電の後で放電することで、
充電電圧が高くなり過ぎるのを防止できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】図５は本発明方法を実施するため
の絶縁抵抗測定装置の第１実施例を示す。図において、
１はコンデンサ、２は搬送手段である。ここでは、搬送
手段２を帯状部材として図示したが、ターンテーブル、
無端ベルト、搬送パレットなどいかなる搬送手段を用い
てもよい。また、コンデンサ１は搬送手段２の所定位置
に保持されて搬送されるが、保持方法は搬送手段２に凹
部を設けてもよいし、エアー吸引などによって吸着保持
してもよい。さらに、搬送手段２の駆動形態は、間欠駆
動あるいは連続駆動のいずれでもよい。
の絶縁抵抗測定装置の第１実施例を示す。図において、
１はコンデンサ、２は搬送手段である。ここでは、搬送
手段２を帯状部材として図示したが、ターンテーブル、
無端ベルト、搬送パレットなどいかなる搬送手段を用い
てもよい。また、コンデンサ１は搬送手段２の所定位置
に保持されて搬送されるが、保持方法は搬送手段２に凹
部を設けてもよいし、エアー吸引などによって吸着保持
してもよい。さらに、搬送手段２の駆動形態は、間欠駆
動あるいは連続駆動のいずれでもよい。
【００２１】取入ステーションＳINでコンデンサ１を取
り入れた後、次の予備充電ステーションＳP で搬送手段
２が停止すると、予備充電端子５をコンデンサ１の電極
に接触させ予備充電を行なう。ここでは、予備充電とし
て測定電圧Ｅｍと同じ定格電圧がコンデンサ１に印加さ
れ、コンデンサ内部の容量Ｃ0 が充電される。この予備
充電期間Ｔ1 はコンデンサの容量Ｃ0 の充電期間1)と遷
移期間2)との和の時間Ｔｂ以上としてある。 Ｔ1 ≧Ｔｂ
り入れた後、次の予備充電ステーションＳP で搬送手段
２が停止すると、予備充電端子５をコンデンサ１の電極
に接触させ予備充電を行なう。ここでは、予備充電とし
て測定電圧Ｅｍと同じ定格電圧がコンデンサ１に印加さ
れ、コンデンサ内部の容量Ｃ0 が充電される。この予備
充電期間Ｔ1 はコンデンサの容量Ｃ0 の充電期間1)と遷
移期間2)との和の時間Ｔｂ以上としてある。 Ｔ1 ≧Ｔｂ
【００２２】予備充電終了後、コンデンサ１は複数のオ
ープンステーションＳO1〜ＳO3を通過する。ここでは、
コンデンサ１はオープン状態で維持されるので、外部と
の電気の流れは全くない。この間、容量Ｃ0 に充電され
た電荷により誘電分極成分Ｄへの充電（自己充電）が進
む。このオープン期間Ｔ2 は、コンデンサの絶縁抵抗Ｒ
0 に定格電圧を印加したときに流れる充電電流値Ａ1
（＝Ｅ0 ／Ｒ0 ）に達する時間Ｔｃ以上に設定してい
る。すなわち、 Ｔ2 ≧Ｔｃ
ープンステーションＳO1〜ＳO3を通過する。ここでは、
コンデンサ１はオープン状態で維持されるので、外部と
の電気の流れは全くない。この間、容量Ｃ0 に充電され
た電荷により誘電分極成分Ｄへの充電（自己充電）が進
む。このオープン期間Ｔ2 は、コンデンサの絶縁抵抗Ｒ
0 に定格電圧を印加したときに流れる充電電流値Ａ1
（＝Ｅ0 ／Ｒ0 ）に達する時間Ｔｃ以上に設定してい
る。すなわち、 Ｔ2 ≧Ｔｃ
【００２３】コンデンサ１が測定ステーションＳM に到
達すると、ここで測定端子６をコンデンサ１の電極に接
触させ、測定電圧Ｅｍで充電しながら測定器３によって
絶縁抵抗の測定を行なう。このとき、容量Ｃ0 はもちろ
ん、誘電分極成分Ｄにも十分に充電された状態であるの
で、測定端子６をコンデンサ１の電極に長時間接触させ
ておく必要がなく、測定時間は短くて済む。その後、不
良品は不良品取出ステーションＳNGで取り出し、良品は
良品取出ステーションＳG で取り出す。
達すると、ここで測定端子６をコンデンサ１の電極に接
触させ、測定電圧Ｅｍで充電しながら測定器３によって
絶縁抵抗の測定を行なう。このとき、容量Ｃ0 はもちろ
ん、誘電分極成分Ｄにも十分に充電された状態であるの
で、測定端子６をコンデンサ１の電極に長時間接触させ
ておく必要がなく、測定時間は短くて済む。その後、不
良品は不良品取出ステーションＳNGで取り出し、良品は
良品取出ステーションＳG で取り出す。
【００２４】図６は図５に示した絶縁抵抗測定装置によ
るコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。予備
充電として電圧Ｅｐ（＝Ｅｍ）を印加した後、オープン
期間中に、コンデンサ１の両端にかかる電圧ｅは絶縁抵
抗Ｒ0 による消費や誘電分極成分Ｄへの充電のために徐
々に低下し、オープン期間終了時には、電圧ｅが測定電
圧Ｅｍよりやや低くなるまで低下している。オープン期
間中に自己充電が進み、誘電分極成分Ｄにも十分に充電
された状態であるので、測定ステーションＳM において
測定端子６をコンデンサ１の電極に長時間接触させてお
く必要がなく、測定時間は短くて済む。
るコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。予備
充電として電圧Ｅｐ（＝Ｅｍ）を印加した後、オープン
期間中に、コンデンサ１の両端にかかる電圧ｅは絶縁抵
抗Ｒ0 による消費や誘電分極成分Ｄへの充電のために徐
々に低下し、オープン期間終了時には、電圧ｅが測定電
圧Ｅｍよりやや低くなるまで低下している。オープン期
間中に自己充電が進み、誘電分極成分Ｄにも十分に充電
された状態であるので、測定ステーションＳM において
測定端子６をコンデンサ１の電極に長時間接触させてお
く必要がなく、測定時間は短くて済む。
【００２５】次表は、図５に示す本発明の測定方法と、
図１，図２に示す従来の測定方法との設備の比較を示
す。
図１，図２に示す従来の測定方法との設備の比較を示
す。
【表１】
【００２６】表１から明らかなように、本発明では従来
技術1)（図１）に比べて端子数および端子の接触回数を
格段に減らすことができ、予備充電回路も減らすことが
できる。また、従来技術2)（図２）と比べても、予備充
電回路数および端子の接触回数がやや増えるものの、端
子および測定回路を減らすことができる。その結果、設
備価格の低減効果が大きいことが分かる。なお、図１で
は予備充電回数を４回、図２では測定回路数を５とした
が、実際にはこれより遙に多いので、本発明との効果の
差はさらに顕著となる。
技術1)（図１）に比べて端子数および端子の接触回数を
格段に減らすことができ、予備充電回路も減らすことが
できる。また、従来技術2)（図２）と比べても、予備充
電回路数および端子の接触回数がやや増えるものの、端
子および測定回路を減らすことができる。その結果、設
備価格の低減効果が大きいことが分かる。なお、図１で
は予備充電回数を４回、図２では測定回路数を５とした
が、実際にはこれより遙に多いので、本発明との効果の
差はさらに顕著となる。
【００２７】図７は本発明方法を実施するための絶縁抵
抗測定装置の第２実施例を示す。この実施例では、予備
充電ＳP1, ＳP2を２回に分けて行なっている。１回当た
りの予備充電期間をＴｂ／２以上とすることで、合計の
予備充電期間Ｔ1 をＴｂ以上としている。この場合に
は、１個のコンデンサの予備充電にかかる時間をＴｂ／
２とすると、これと設備時間（端子の昇降と搬送にかか
る時間の合計）との和が１個当たりの処理時間であり、
図５に比べて処理速度を向上させることが可能である。
例えば、Ｔｂ＝６０ｍｓとし、設備時間Ｔａ＝６０ｍｓ
とすると、図５の実施例では１個当たりの処理時間は６
０ｍｓ＋６０ｍｓ＝１２０ｍｓであるのに対し、図７で
は１個当たりの処理時間は３０ｍｓ＋６０ｍｓ＝９０ｍ
ｓとなり、約３０％の処理速度の向上となる。
抗測定装置の第２実施例を示す。この実施例では、予備
充電ＳP1, ＳP2を２回に分けて行なっている。１回当た
りの予備充電期間をＴｂ／２以上とすることで、合計の
予備充電期間Ｔ1 をＴｂ以上としている。この場合に
は、１個のコンデンサの予備充電にかかる時間をＴｂ／
２とすると、これと設備時間（端子の昇降と搬送にかか
る時間の合計）との和が１個当たりの処理時間であり、
図５に比べて処理速度を向上させることが可能である。
例えば、Ｔｂ＝６０ｍｓとし、設備時間Ｔａ＝６０ｍｓ
とすると、図５の実施例では１個当たりの処理時間は６
０ｍｓ＋６０ｍｓ＝１２０ｍｓであるのに対し、図７で
は１個当たりの処理時間は３０ｍｓ＋６０ｍｓ＝９０ｍ
ｓとなり、約３０％の処理速度の向上となる。
【００２８】図８は図７に示した絶縁抵抗測定装置によ
るコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。２回
の予備充電ＳP1, ＳP2を行なった後の電圧ｅは図６と同
様の変化を示し、図５の実施例と同様の効果を得ること
ができる。
るコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。２回
の予備充電ＳP1, ＳP2を行なった後の電圧ｅは図６と同
様の変化を示し、図５の実施例と同様の効果を得ること
ができる。
【００２９】図９は本発明方法を実施するための絶縁抵
抗測定装置の第３実施例を示す。この実施例では、測定
ステーションＳM の直前に、２回目の予備充電ステーシ
ョンＳP2を設けたものである。オープン期間中、コンデ
ンサ１の両端の電極にかかっている電圧ｅは絶縁抵抗Ｒ
0 による消費や誘電分極成分Ｄへの充電のために低下す
るので、２回目の予備充電ステーションＳP2で測定電圧
Ｅｍと同電圧Ｅｐを印加することによって、コンデンサ
１の両端の電圧ｅを測定電圧Ｅｍとほぼ同等にすること
ができる。これによって、測定ステーションＳM で測定
電圧Ｅｍを印加した時、容量Ｃ0 の再充電が瞬時になさ
れ、所定の閾値Ａ1 に達する時間を短くできる。なお、
５，７は予備充電端子である。
抗測定装置の第３実施例を示す。この実施例では、測定
ステーションＳM の直前に、２回目の予備充電ステーシ
ョンＳP2を設けたものである。オープン期間中、コンデ
ンサ１の両端の電極にかかっている電圧ｅは絶縁抵抗Ｒ
0 による消費や誘電分極成分Ｄへの充電のために低下す
るので、２回目の予備充電ステーションＳP2で測定電圧
Ｅｍと同電圧Ｅｐを印加することによって、コンデンサ
１の両端の電圧ｅを測定電圧Ｅｍとほぼ同等にすること
ができる。これによって、測定ステーションＳM で測定
電圧Ｅｍを印加した時、容量Ｃ0 の再充電が瞬時になさ
れ、所定の閾値Ａ1 に達する時間を短くできる。なお、
５，７は予備充電端子である。
【００３０】図１０は図９に示した絶縁抵抗測定装置に
よるコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。測
定の直前に電圧Ｅｍで２回目の予備充電を行なうことに
よって、測定時におけるコンデンサ１の電圧ｅと測定電
圧Ｅｍとの差が非常に小さくなり、測定時間を一層短縮
できることがわかる。
よるコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。測
定の直前に電圧Ｅｍで２回目の予備充電を行なうことに
よって、測定時におけるコンデンサ１の電圧ｅと測定電
圧Ｅｍとの差が非常に小さくなり、測定時間を一層短縮
できることがわかる。
【００３１】図１１は本発明方法を実施するための絶縁
抵抗測定装置の第４実施例を示す。この実施例では、１
回目の予備充電ステーションＳP1と測定ステーションＳ
M の中間点に２回目の予備充電ステーションＳP2を設け
たものである。具体的には、１回目の予備充電から√
（Ｔｃ）だけ時間経過した後に行なう。これは、オープ
ン期間中にコンデンサ１の両端の電極にかかっている電
圧ｅが僅かに低下するので、２回目の予備充電で測定電
圧Ｅｍに充電しなおすとともに、測定電圧Ｅｍと違う電
圧に誘電分極成分Ｄが充電されるのを防ぐためである。
抵抗測定装置の第４実施例を示す。この実施例では、１
回目の予備充電ステーションＳP1と測定ステーションＳ
M の中間点に２回目の予備充電ステーションＳP2を設け
たものである。具体的には、１回目の予備充電から√
（Ｔｃ）だけ時間経過した後に行なう。これは、オープ
ン期間中にコンデンサ１の両端の電極にかかっている電
圧ｅが僅かに低下するので、２回目の予備充電で測定電
圧Ｅｍに充電しなおすとともに、測定電圧Ｅｍと違う電
圧に誘電分極成分Ｄが充電されるのを防ぐためである。
【００３２】図１２は図１１に示した絶縁抵抗測定装置
によるコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。
１回目の予備充電から√（Ｔｃ）だけ時間経過した後に
２回目の予備充電を行ない、２回目の予備充電からＴｃ
−√（Ｔｃ）だけ時間経過した後に測定を行なうことに
よって、１回目の予備充電後の電圧降下を、２回目の予
備充電後の電圧降下と等しくし、測定電圧Ｅｍと異なる
電圧に誘電分極成分Ｄが充電されるのを防止することが
できる。
によるコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。
１回目の予備充電から√（Ｔｃ）だけ時間経過した後に
２回目の予備充電を行ない、２回目の予備充電からＴｃ
−√（Ｔｃ）だけ時間経過した後に測定を行なうことに
よって、１回目の予備充電後の電圧降下を、２回目の予
備充電後の電圧降下と等しくし、測定電圧Ｅｍと異なる
電圧に誘電分極成分Ｄが充電されるのを防止することが
できる。
【００３３】図１３は本発明方法を実施するための絶縁
抵抗測定装置の第５実施例を示す。この実施例では、予
備充電ステーションとして高圧予備充電ステーションＳ
HPを設けたものである。高圧予備充電ステーションＳHP
では測定電圧Ｅｍ（定格電圧）より高い直流電圧Ｅｈｐ
を用い、かつオープン期間中にコンデンサ１の両端の電
圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じまたはこれより低くなるまで
降下するように充電電圧Ｅｈｐが設定されている。例え
ばオープン期間を２０秒程度とした場合には、Ｅｈｐ／
Ｅｍ＝１．０５〜１．１５程度に設定される。なお、８
は高圧予備充電ステーションの電源、９は高圧予備充電
端子である。
抵抗測定装置の第５実施例を示す。この実施例では、予
備充電ステーションとして高圧予備充電ステーションＳ
HPを設けたものである。高圧予備充電ステーションＳHP
では測定電圧Ｅｍ（定格電圧）より高い直流電圧Ｅｈｐ
を用い、かつオープン期間中にコンデンサ１の両端の電
圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じまたはこれより低くなるまで
降下するように充電電圧Ｅｈｐが設定されている。例え
ばオープン期間を２０秒程度とした場合には、Ｅｈｐ／
Ｅｍ＝１．０５〜１．１５程度に設定される。なお、８
は高圧予備充電ステーションの電源、９は高圧予備充電
端子である。
【００３４】図１４は図１３に示した絶縁抵抗測定装置
によるコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。
図１４の二点鎖線は、予備充電として測定電圧Ｅｍと同
じ定格電圧を印加した場合の電圧ｅの時間変化を示す。
この場合には、オープン期間が長くなると電圧ｅの落ち
込みが大きくなり、測定段階における電圧ｅと測定電圧
Ｅｍとの差が大きく、測定に時間を要する。これに対
し、第５実施例のように高圧予備充電を行なえば、図１
４の実線で示すように、測定段階における電圧ｅと測定
電圧Ｅｍとの差が小さく、測定電圧Ｅｍの印加時に充電
電流が速やかに収束して漏れ電流を短時間で測定でき
る。
によるコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。
図１４の二点鎖線は、予備充電として測定電圧Ｅｍと同
じ定格電圧を印加した場合の電圧ｅの時間変化を示す。
この場合には、オープン期間が長くなると電圧ｅの落ち
込みが大きくなり、測定段階における電圧ｅと測定電圧
Ｅｍとの差が大きく、測定に時間を要する。これに対
し、第５実施例のように高圧予備充電を行なえば、図１
４の実線で示すように、測定段階における電圧ｅと測定
電圧Ｅｍとの差が小さく、測定電圧Ｅｍの印加時に充電
電流が速やかに収束して漏れ電流を短時間で測定でき
る。
【００３５】また、高圧予備充電の電圧Ｅｈｐは測定電
圧Ｅｍより高いが、測定段階においてコンデンサ１の両
端にかかる電圧ｅが測定電圧Ｅｍより高くならないの
で、測定時に逆電流が流れるのを防止できる。そのた
め、不良品でも良品と誤判定される可能性を解消でき
る。
圧Ｅｍより高いが、測定段階においてコンデンサ１の両
端にかかる電圧ｅが測定電圧Ｅｍより高くならないの
で、測定時に逆電流が流れるのを防止できる。そのた
め、不良品でも良品と誤判定される可能性を解消でき
る。
【００３６】図１５は本発明方法を実施するための絶縁
抵抗測定装置の第６実施例を示す。この実施例では、第
５実施例と同様に、予備充電ステーションとして測定電
圧Ｅｍより高い電圧Ｅｈｐで充電する高圧予備充電ステ
ーションＳHPを設けるとともに、測定の前に測定電圧Ｅ
ｍと同じ電圧Ｅｐで充電する予備充電ステーションＳ P
を設けたものである。この場合、高圧予備充電の充電電
圧Ｅｈｐは、オープン期間中にコンデンサ１の両端の電
圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じまたはこれより低くなるまで
降下するような値に設定する必要はなく、それより高め
の電圧としてもよい。
抵抗測定装置の第６実施例を示す。この実施例では、第
５実施例と同様に、予備充電ステーションとして測定電
圧Ｅｍより高い電圧Ｅｈｐで充電する高圧予備充電ステ
ーションＳHPを設けるとともに、測定の前に測定電圧Ｅ
ｍと同じ電圧Ｅｐで充電する予備充電ステーションＳ P
を設けたものである。この場合、高圧予備充電の充電電
圧Ｅｈｐは、オープン期間中にコンデンサ１の両端の電
圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じまたはこれより低くなるまで
降下するような値に設定する必要はなく、それより高め
の電圧としてもよい。
【００３７】図１６は図１５に示した絶縁抵抗測定装置
によるコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。
この場合には、高圧予備充電を行なうことで、自己充電
を短時間で終了でき、予備充電ＳP と測定ＳM との間の
期間が短くても、誘電分極成分に十分に充電を進めるこ
とができる。また、通常のコンデンサであれば、実線で
示すような特性を持つが、コンデンサによっては二点鎖
線で示すように電圧ｅの降下量が少ないものがあり、図
１４のような測定方法では、測定時に逆電流が流れる可
能性がある。図１５の絶縁抵抗測定方法では、測定の前
に定格電圧Ｅｍでの予備充電を行なうので、２回目の予
備充電でコンデンサ１の電圧ｅを定格電圧に補正するこ
とができ、測定時に逆電流が流れるのを確実に防止でき
る。
によるコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。
この場合には、高圧予備充電を行なうことで、自己充電
を短時間で終了でき、予備充電ＳP と測定ＳM との間の
期間が短くても、誘電分極成分に十分に充電を進めるこ
とができる。また、通常のコンデンサであれば、実線で
示すような特性を持つが、コンデンサによっては二点鎖
線で示すように電圧ｅの降下量が少ないものがあり、図
１４のような測定方法では、測定時に逆電流が流れる可
能性がある。図１５の絶縁抵抗測定方法では、測定の前
に定格電圧Ｅｍでの予備充電を行なうので、２回目の予
備充電でコンデンサ１の電圧ｅを定格電圧に補正するこ
とができ、測定時に逆電流が流れるのを確実に防止でき
る。
【００３８】図１７は本発明方法を実施するための絶縁
抵抗測定装置の第７実施例を示す。この実施例では、定
格電圧より高い電圧Ｅｈｐ2 による高圧予備充電ステー
ションＳHP2 の前に、さらに高い電圧Ｅｈｐ1 による高
圧予備充電ステーションＳHP 1 を設けたものである。な
お、８ａ，８ｂは高圧予備充電ステーションの電源、９
ａ，９ｂは高圧予備充電端子である。
抵抗測定装置の第７実施例を示す。この実施例では、定
格電圧より高い電圧Ｅｈｐ2 による高圧予備充電ステー
ションＳHP2 の前に、さらに高い電圧Ｅｈｐ1 による高
圧予備充電ステーションＳHP 1 を設けたものである。な
お、８ａ，８ｂは高圧予備充電ステーションの電源、９
ａ，９ｂは高圧予備充電端子である。
【００３９】図１８は図１７に示した絶縁抵抗測定装置
によるコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。
この場合には、１回目の高圧予備充電ＳHP1 によって、
自己充電を短時間で終了でき、２回目の高圧予備充電Ｓ
HP2 から測定ＳM までのオープン期間が短くても、誘電
分極成分に十分に充電を進めることができるので、全体
の充電・測定時間を短縮できる。具体的には、１回目の
オープン期間は０．１〜０．２秒、２回目のオープン期
間は０．５秒程度まで短縮できる。なお、２回目の高圧
予備充電の充電電圧Ｅｈｐ2 は、オープン期間中にコン
デンサ１の両端の電圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じまたはこ
れより低くなるまで降下するような値に設定しておくの
が望ましい。
によるコンデンサ１の両端の電圧ｅの時間変化を示す。
この場合には、１回目の高圧予備充電ＳHP1 によって、
自己充電を短時間で終了でき、２回目の高圧予備充電Ｓ
HP2 から測定ＳM までのオープン期間が短くても、誘電
分極成分に十分に充電を進めることができるので、全体
の充電・測定時間を短縮できる。具体的には、１回目の
オープン期間は０．１〜０．２秒、２回目のオープン期
間は０．５秒程度まで短縮できる。なお、２回目の高圧
予備充電の充電電圧Ｅｈｐ2 は、オープン期間中にコン
デンサ１の両端の電圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じまたはこ
れより低くなるまで降下するような値に設定しておくの
が望ましい。
【００４０】本発明における予備充電の方法は上記実施
例に限定されるものではなく、以下に述べるように種々
に変更可能である。図１９は図１３および図１４に示し
た絶縁抵抗測定方法の変形例であり、高圧予備充電を、
電圧Ｅｈｐによる前半の高圧予備充電と、電圧Ｅｈｐよ
り低いが測定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐによる後半の高
圧予備充電との２段階としたものである。ここで、電圧
Ｅｈｐを測定電圧Ｅｍの２．５倍以上とし、電圧Ｅｐを
測定電圧Ｅｍの１．０５〜１．１５倍程度とすると、オ
ープン期間を２〜３秒程度まで短縮でき、顕著な効果が
得られた。なお、電圧Ｅｈｐによる高圧予備充電および
電圧Ｅｐによる予備充電の期間の和は、５ｍｓ〜２００
ｍｓ程度でよい。
例に限定されるものではなく、以下に述べるように種々
に変更可能である。図１９は図１３および図１４に示し
た絶縁抵抗測定方法の変形例であり、高圧予備充電を、
電圧Ｅｈｐによる前半の高圧予備充電と、電圧Ｅｈｐよ
り低いが測定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐによる後半の高
圧予備充電との２段階としたものである。ここで、電圧
Ｅｈｐを測定電圧Ｅｍの２．５倍以上とし、電圧Ｅｐを
測定電圧Ｅｍの１．０５〜１．１５倍程度とすると、オ
ープン期間を２〜３秒程度まで短縮でき、顕著な効果が
得られた。なお、電圧Ｅｈｐによる高圧予備充電および
電圧Ｅｐによる予備充電の期間の和は、５ｍｓ〜２００
ｍｓ程度でよい。
【００４１】図２０は図１５および図１６に示した絶縁
抵抗測定方法の変形例であり、高圧予備充電を、電圧Ｅ
ｈｐによる前半の高圧予備充電と、電圧Ｅｈｐより低い
が測定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐによる後半の高圧予備
充電との２段階としたものである。この場合も、図１９
の例と同様に、オープン期間を短縮できる効果がある。
抵抗測定方法の変形例であり、高圧予備充電を、電圧Ｅ
ｈｐによる前半の高圧予備充電と、電圧Ｅｈｐより低い
が測定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐによる後半の高圧予備
充電との２段階としたものである。この場合も、図１９
の例と同様に、オープン期間を短縮できる効果がある。
【００４２】図２１は図１９の変形例であり、電圧Ｅｈ
ｐによる前半の高圧予備充電と、電圧Ｅｈｐより低いが
測定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐによる後半の高圧予備充
電との間に、放電期間を挿入したものである。すなわ
ち、前半の高圧予備充電の直後に放電を行なうことで、
高圧予備充電の電圧Ｅｈｐを必要以上に高くしても、余
分な電荷を放電で放出するので、充電電圧が高くなり過
ぎるのを防止でき、測定時の測定不良を防止できる。
ｐによる前半の高圧予備充電と、電圧Ｅｈｐより低いが
測定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐによる後半の高圧予備充
電との間に、放電期間を挿入したものである。すなわ
ち、前半の高圧予備充電の直後に放電を行なうことで、
高圧予備充電の電圧Ｅｈｐを必要以上に高くしても、余
分な電荷を放電で放出するので、充電電圧が高くなり過
ぎるのを防止でき、測定時の測定不良を防止できる。
【００４３】図２２は図２０の変形例であり、電圧Ｅｈ
ｐによる１回目の高圧予備充電と、電圧Ｅｈｐより低い
が測定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐによる２回目の高圧予
備充電との間に、放電期間とオープン期間とを挿入した
ものである。この場合も、１回目の高圧予備充電の直後
に放電を行なうことで、高圧予備充電の電圧Ｅｈｐを必
要以上に高くしても、余分な電荷を放電で放出し、測定
時の測定不良を防止できる。
ｐによる１回目の高圧予備充電と、電圧Ｅｈｐより低い
が測定電圧Ｅｍより高い電圧Ｅｐによる２回目の高圧予
備充電との間に、放電期間とオープン期間とを挿入した
ものである。この場合も、１回目の高圧予備充電の直後
に放電を行なうことで、高圧予備充電の電圧Ｅｈｐを必
要以上に高くしても、余分な電荷を放電で放出し、測定
時の測定不良を防止できる。
【００４４】なお、本発明はセラミックコンデンサに限
らず、誘電分極成分を持つコンデンサであれば、適用で
きる。また、予備充電の回数やパターンには種々の方法
が考えられ、実施例に限定されるものではない。
らず、誘電分極成分を持つコンデンサであれば、適用で
きる。また、予備充電の回数やパターンには種々の方法
が考えられ、実施例に限定されるものではない。
【００４５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、予備充電の終了から測定電圧の印加までの期間
をオープン状態として自己充電を行うようにしたので、
予備充電端子を多数回にわたってコンデンサの電極に接
触させることなく充電でき、コンデンサの電極の損傷を
防止できる。また、自己充電が終了したコンデンサに対
して測定電圧を印加すれば、短時間で正常な絶縁抵抗を
測定できるので、多数の測定器や複雑な切換回路を必要
とせず、設備コストを低減できる。
よれば、予備充電の終了から測定電圧の印加までの期間
をオープン状態として自己充電を行うようにしたので、
予備充電端子を多数回にわたってコンデンサの電極に接
触させることなく充電でき、コンデンサの電極の損傷を
防止できる。また、自己充電が終了したコンデンサに対
して測定電圧を印加すれば、短時間で正常な絶縁抵抗を
測定できるので、多数の測定器や複雑な切換回路を必要
とせず、設備コストを低減できる。
【図１】従来の絶縁抵抗測定方法の一例の説明図であ
る。
る。
【図２】従来の絶縁抵抗測定方法の他の例の説明図であ
る。
る。
【図３】コンデンサの等価回路図である。
【図４】コンデンサの充電特性図である。
【図５】本発明にかかる絶縁抵抗測定方法の第１実施例
の説明図である。
の説明図である。
【図６】図５に示す絶縁抵抗測定方法によるコンデンサ
の両端の電圧の時間変化図である。
の両端の電圧の時間変化図である。
【図７】本発明にかかる絶縁抵抗測定方法の第２実施例
の説明図である。
の説明図である。
【図８】図７に示す絶縁抵抗測定方法によるコンデンサ
の両端の電圧の時間変化図である。
の両端の電圧の時間変化図である。
【図９】本発明にかかる絶縁抵抗測定方法の第３実施例
の説明図である。
の説明図である。
【図１０】図９に示す絶縁抵抗測定方法によるコンデン
サの両端の電圧の時間変化図である。
サの両端の電圧の時間変化図である。
【図１１】本発明にかかる絶縁抵抗測定方法の第４実施
例の説明図である。
例の説明図である。
【図１２】図１１に示す絶縁抵抗測定方法によるコンデ
ンサの両端の電圧の時間変化図である。
ンサの両端の電圧の時間変化図である。
【図１３】本発明にかかる絶縁抵抗測定方法の第５実施
例の説明図である。
例の説明図である。
【図１４】図１３に示す絶縁抵抗測定方法によるコンデ
ンサの両端の電圧の時間変化図である。
ンサの両端の電圧の時間変化図である。
【図１５】本発明にかかる絶縁抵抗測定方法の第６実施
例の説明図である。
例の説明図である。
【図１６】図１５に示す絶縁抵抗測定方法によるコンデ
ンサの両端の電圧の時間変化図である。
ンサの両端の電圧の時間変化図である。
【図１７】本発明にかかる絶縁抵抗測定方法の第７実施
例の説明図である。
例の説明図である。
【図１８】図１７に示す絶縁抵抗測定方法によるコンデ
ンサの両端の電圧の時間変化図である。
ンサの両端の電圧の時間変化図である。
【図１９】本発明の第８実施例のコンデンサの両端の電
圧の時間変化図である。
圧の時間変化図である。
【図２０】本発明の第９実施例のコンデンサの両端の電
圧の時間変化図である。
圧の時間変化図である。
【図２１】本発明の第１０実施例のコンデンサの両端の
電圧の時間変化図である。
電圧の時間変化図である。
【図２２】本発明の第１１実施例のコンデンサの両端の
電圧の時間変化図である。
電圧の時間変化図である。
１ コンデンサ ２ 搬送手段 ３ 測定電源 ＳP 予備充電ステーション ＳM 測定ステーション ＳO1〜Ｓ03 オープンステーション Ｅｐ 予備充電電圧 Ｅｍ 測定電圧 Ｅｈｐ 高圧予備充電電圧
Claims (9)
- 【請求項１】コンデンサに直流電圧Ｅｐを印加して予備
充電を行い、その後で測定電圧Ｅｍを印加し、コンデン
サに流れる充電電流から絶縁抵抗を測定する方法におい
て、上記予備充電の終了から測定電圧Ｅｍの印加までの
期間をオープン状態として自己充電を行うことを特徴と
する絶縁抵抗測定方法。 - 【請求項２】上記予備充電の期間Ｔ1 をコンデンサの容
量Ｃ0 の充電を行なう期間とし、上記予備充電の終了か
ら測定電圧Ｅｍの印加までの期間Ｔ2 をオープン状態と
し、上記オープン期間Ｔ2 をコンデンサの誘電分極成分
Ｄの自己充電を行なう期間としたことを特徴とする請求
項１に記載の絶縁抵抗測定方法。 - 【請求項３】上記予備充電の期間Ｔ1 をコンデンサの容
量Ｃ0 の充電期間1)と遷移期間2)との和の時間Ｔｂ以上
としたことを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁
抵抗測定方法。 - 【請求項４】上記オープン期間Ｔ2 を、コンデンサの絶
縁抵抗Ｒに定格電圧を印加したときに流れる充電電流値
Ａ1 に達する時間Ｔｃ以上としたことを特徴とする請求
項１ないし３のいずれかに記載の絶縁抵抗測定方法。 - 【請求項５】１回目の予備充電を測定電圧Ｅｍと同電圧
で行い、所定のオープン期間の後、２回目の予備充電を
測定電圧Ｅｍと同電圧で行ない、その後で測定を行なう
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の
絶縁抵抗測定方法。 - 【請求項６】上記予備充電の充電電圧Ｅｐを測定電圧Ｅ
ｍより高くし、かつオープン期間中にコンデンサの両端
の電圧ｅが測定電圧Ｅｍと同じまたはこれより低くなる
まで降下するように充電電圧Ｅｐを設定したことを特徴
とする請求項１ないし４のいずれかに記載の絶縁抵抗測
定方法。 - 【請求項７】１回目の予備充電を測定電圧Ｅｍより高い
電圧Ｅｐで行い、所定のオープン期間の後、測定の直前
に２回目の予備充電を測定電圧Ｅｍと同電圧で行なうこ
とを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の絶
縁抵抗測定方法。 - 【請求項８】１回目の予備充電を測定電圧Ｅｍより高い
電圧Ｅｐ1 で行い、所定のオープン期間の後、２回目の
予備充電を１回目の充電電圧Ｅｐ1 より低く測定電圧Ｅ
ｍより高い電圧Ｅｐ2 で行ない、さらに所定のオープン
期間の後に測定を行なうことを特徴とする請求項１ない
し４のいずれかに記載の絶縁抵抗測定方法。 - 【請求項９】１回目の予備充電の直後に放電を行なうこ
とを特徴とする請求項７または８に記載の絶縁抵抗測定
方法。
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-
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