JP2000077708A - 発光素子アレイ - Google Patents
発光素子アレイInfo
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- JP2000077708A JP2000077708A JP24535398A JP24535398A JP2000077708A JP 2000077708 A JP2000077708 A JP 2000077708A JP 24535398 A JP24535398 A JP 24535398A JP 24535398 A JP24535398 A JP 24535398A JP 2000077708 A JP2000077708 A JP 2000077708A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シャープな発光出力を得ることが可能な発光素
子アレイを提供する。 【解決手段】上面に断面Ｕ字状もしくは断面Ｖ字状の溝
１ａを有し、且つ該溝１ａの下部領域の内表面に多孔質
シリコン層１ｂを形成したシリコン基板１と、該シリコ
ン基板１の上面に形成され、一端が前記溝１ａ内の多孔
質シリコン層１ｂ上まで延在する複数個の透明電極３
と、前記シリコン基板１の下面に形成された共通電極４
とから成り、各透明電極３と共通電極４との間に電圧を
印加し、両電極間に位置する多孔質シリコン層１ｂより
光が発光するようになした発光素子アレイであって、前
記溝１ａの上部領域の内表面に反射率が９０％以上の金
属層２１を被着させて発光素子アレイを構成する。
子アレイを提供する。 【解決手段】上面に断面Ｕ字状もしくは断面Ｖ字状の溝
１ａを有し、且つ該溝１ａの下部領域の内表面に多孔質
シリコン層１ｂを形成したシリコン基板１と、該シリコ
ン基板１の上面に形成され、一端が前記溝１ａ内の多孔
質シリコン層１ｂ上まで延在する複数個の透明電極３
と、前記シリコン基板１の下面に形成された共通電極４
とから成り、各透明電極３と共通電極４との間に電圧を
印加し、両電極間に位置する多孔質シリコン層１ｂより
光が発光するようになした発光素子アレイであって、前
記溝１ａの上部領域の内表面に反射率が９０％以上の金
属層２１を被着させて発光素子アレイを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光素子アレイに関
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光源等に用い
られる発光素子アレイに関するものである。
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光源等に用い
られる発光素子アレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりページプリンタ用感光ドラム等
の露光源として発光素子アレイが用いられている。
の露光源として発光素子アレイが用いられている。
【０００３】かかる従来の発光素子アレイとしては、例
えば、複数の発光ダイオード素子を直線状に配列させて
なるＬＥＤアレイ等が知られており、該ＬＥＤアレイの
各発光ダイオード素子は、シリコン（Ｓｉ）やガリウム
−砒素（ＧａＡｓ）から成る半導体基板の表面に、ｎ型
半導体の単結晶とｐ型半導体の単結晶とをｐｎ接合させ
て成る化合物半導体層を形成した構造を有している。
尚、このような発光ダイオード素子の化合物半導体層は
ガリウム−砒素−リン（ＧａＡｓＰ）等によって形成さ
れる。
えば、複数の発光ダイオード素子を直線状に配列させて
なるＬＥＤアレイ等が知られており、該ＬＥＤアレイの
各発光ダイオード素子は、シリコン（Ｓｉ）やガリウム
−砒素（ＧａＡｓ）から成る半導体基板の表面に、ｎ型
半導体の単結晶とｐ型半導体の単結晶とをｐｎ接合させ
て成る化合物半導体層を形成した構造を有している。
尚、このような発光ダイオード素子の化合物半導体層は
ガリウム−砒素−リン（ＧａＡｓＰ）等によって形成さ
れる。
【０００４】そして前記発光ダイオード素子は、化合物
半導体層上に形成される個別電極と半導体基板の下面に
被着される共通電極との間に所定の電流を流し、ｐ型半
導体の単結晶に電子を注入するとともにｎ型半導体の単
結晶に正孔を注入し、少数キャリアの一部を多数キャリ
アと発光再結合させることによって光を生じるようにな
っている。
半導体層上に形成される個別電極と半導体基板の下面に
被着される共通電極との間に所定の電流を流し、ｐ型半
導体の単結晶に電子を注入するとともにｎ型半導体の単
結晶に正孔を注入し、少数キャリアの一部を多数キャリ
アと発光再結合させることによって光を生じるようにな
っている。
【０００５】尚、前記ＬＥＤアレイの化合物半導体層
は、従来周知のＭＯＣＶＤ法やメサエッチング等によっ
て発光ダイオード素子毎に半導体基板の上面に島状に形
成されていた。
は、従来周知のＭＯＣＶＤ法やメサエッチング等によっ
て発光ダイオード素子毎に半導体基板の上面に島状に形
成されていた。
【０００６】しかしながら、このような従来の発光素子
アレイにおいては、前述したガリウム−砒素−リンの単
結晶が発光ダイオード素子毎に独立して形成されてお
り、これらを前述のＭＯＣＶＤ法等によって形成する
と、その内部に多数の格子欠陥がランダムに形成された
り、或いは不純物が混入される等して各単結晶の特性が
異なったものとなってしまう。そのため、前述のような
発光素子アレイをプリンタ用の露光源として用いた場
合、発光ダイオード素子間で発光ばらつきが生じ、印画
に濃度むらが形成される欠点を有していた。
アレイにおいては、前述したガリウム−砒素−リンの単
結晶が発光ダイオード素子毎に独立して形成されてお
り、これらを前述のＭＯＣＶＤ法等によって形成する
と、その内部に多数の格子欠陥がランダムに形成された
り、或いは不純物が混入される等して各単結晶の特性が
異なったものとなってしまう。そのため、前述のような
発光素子アレイをプリンタ用の露光源として用いた場
合、発光ダイオード素子間で発光ばらつきが生じ、印画
に濃度むらが形成される欠点を有していた。
【０００７】また上述した従来の発光素子アレイにおい
ては、半導体基板や化合物半導体層が砒素を含んで構成
されており、その製造時にアルシン（ＡｓＨ3 ）等のガ
スが大量に使用されることから、有害な砒素の分離，回
収処理のために多額のコストと手間が発生し、また有害
ガスの使用は環境への配慮という点でも望ましくない。
ては、半導体基板や化合物半導体層が砒素を含んで構成
されており、その製造時にアルシン（ＡｓＨ3 ）等のガ
スが大量に使用されることから、有害な砒素の分離，回
収処理のために多額のコストと手間が発生し、また有害
ガスの使用は環境への配慮という点でも望ましくない。
【０００８】しかも、ガリウム−砒素等の単結晶から成
る発光ダイオード素子は、その使用時等に熱や電界によ
る転位の影響を受けやすく、そのため、発光特性が比較
的短時間のうちに変化し、使用に供しなくなることもあ
った。
る発光ダイオード素子は、その使用時等に熱や電界によ
る転位の影響を受けやすく、そのため、発光特性が比較
的短時間のうちに変化し、使用に供しなくなることもあ
った。
【０００９】一方、上述のような発光ばらつきの問題や
発光特性の変化等を有効に防止するために、砒素やガリ
ウム砒素等を一切用いずに発光素子を製作することが検
討されている。かかる発光素子は、図４に示す如く、多
孔質シリコン層１１ａを有した単結晶シリコン基板１１
の上面に透明電極１３を、下面に共通電極を被着させた
構造を有しており、該発光素子は両電極１３，１４間の
多孔質シリコン層１１ａに所定の電圧を印加することに
よって多孔質シリコン層１１ａを量子効果により発光さ
せるようになしている。
発光特性の変化等を有効に防止するために、砒素やガリ
ウム砒素等を一切用いずに発光素子を製作することが検
討されている。かかる発光素子は、図４に示す如く、多
孔質シリコン層１１ａを有した単結晶シリコン基板１１
の上面に透明電極１３を、下面に共通電極を被着させた
構造を有しており、該発光素子は両電極１３，１４間の
多孔質シリコン層１１ａに所定の電圧を印加することに
よって多孔質シリコン層１１ａを量子効果により発光さ
せるようになしている。
【００１０】尚、前記多孔質シリコン層１１ａは、シリ
コン基板１１の上面に窒化シリコン等から成る所定のマ
スク（図示せず）を被着させておき、その後、前記マス
クの窓部内に位置するシリコン基板１１の上面付近を従
来周知の陽極化成によって多孔質化することにより形成
される。
コン基板１１の上面に窒化シリコン等から成る所定のマ
スク（図示せず）を被着させておき、その後、前記マス
クの窓部内に位置するシリコン基板１１の上面付近を従
来周知の陽極化成によって多孔質化することにより形成
される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな図４の発光素子は、シリコン基板１１の上面がほぼ
平坦であることから、この平坦面に前述の陽極化成処理
を施して多孔質シリコン層１１ａを形成しようとする
と、多孔質シリコン層１１ａは略半円状に形成されるこ
ととなる。このような発光素子の発光強度は一般に多孔
質シリコン層１１ａの体積に比例するため、所定の発光
強度を得るべく陽極化成の処理時間を長くする等して多
孔質シリコン層１１ａの体積を増やそうとすると、発光
部がシリコン基板１１の面方向に大きく広がり、シャー
プな発光出力が得られなくなる欠点を有している。また
この場合、発光部がシリコン基板１１の面方向に大きく
広がってしまうため、複数の発光素子を高密度に配列さ
せてプリンタ用の露光源を構成することは困難であっ
た。
うな図４の発光素子は、シリコン基板１１の上面がほぼ
平坦であることから、この平坦面に前述の陽極化成処理
を施して多孔質シリコン層１１ａを形成しようとする
と、多孔質シリコン層１１ａは略半円状に形成されるこ
ととなる。このような発光素子の発光強度は一般に多孔
質シリコン層１１ａの体積に比例するため、所定の発光
強度を得るべく陽極化成の処理時間を長くする等して多
孔質シリコン層１１ａの体積を増やそうとすると、発光
部がシリコン基板１１の面方向に大きく広がり、シャー
プな発光出力が得られなくなる欠点を有している。また
この場合、発光部がシリコン基板１１の面方向に大きく
広がってしまうため、複数の発光素子を高密度に配列さ
せてプリンタ用の露光源を構成することは困難であっ
た。
【００１２】
【問題点を解決するための手段】本発明は上記欠点に鑑
み案出されたもので、本発明の発光素子アレイは、上面
に断面Ｖ字状もしくは断面Ｕ字状の溝を有し、且つ該溝
の下部領域の内表面に多孔質シリコン層を形成したシリ
コン基板と、該シリコン基板の上面に形成され、一端が
前記溝内の多孔質シリコン層上まで延在する複数個の透
明電極と、前記シリコン基板の下面に形成された共通電
極とから成り、各透明電極と共通電極との間に電圧を印
加し、両電極間に位置する多孔質シリコン層より光が発
光するようになした発光素子アレイであって、前記溝の
上部領域の内表面に反射率が９０％以上の金属層を被着
させたことを特徴とするものである。
み案出されたもので、本発明の発光素子アレイは、上面
に断面Ｖ字状もしくは断面Ｕ字状の溝を有し、且つ該溝
の下部領域の内表面に多孔質シリコン層を形成したシリ
コン基板と、該シリコン基板の上面に形成され、一端が
前記溝内の多孔質シリコン層上まで延在する複数個の透
明電極と、前記シリコン基板の下面に形成された共通電
極とから成り、各透明電極と共通電極との間に電圧を印
加し、両電極間に位置する多孔質シリコン層より光が発
光するようになした発光素子アレイであって、前記溝の
上部領域の内表面に反射率が９０％以上の金属層を被着
させたことを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づい
て詳細に説明する。図１は本発明の一形態に係る発光素
子アレイの平面図、図２は図１のＸ−Ｘ線断面図であ
り、１はシリコン基板、１ａは溝、１ｂは多孔質シリコ
ン層、２は金属層、３は透明電極、４は共通電極であ
る。
て詳細に説明する。図１は本発明の一形態に係る発光素
子アレイの平面図、図２は図１のＸ−Ｘ線断面図であ
り、１はシリコン基板、１ａは溝、１ｂは多孔質シリコ
ン層、２は金属層、３は透明電極、４は共通電極であ
る。
【００１４】前記シリコン基板１は、厚み方向に１００
方位を配した単結晶シリコンから成り、従来周知のＣＺ
法等によって製作される単結晶シリコンを例えば２５０
〜３５０μｍの厚みにスライスし、しかる後、これをダ
イシングなどによって所定形状と成すことにより製作さ
れる。
方位を配した単結晶シリコンから成り、従来周知のＣＺ
法等によって製作される単結晶シリコンを例えば２５０
〜３５０μｍの厚みにスライスし、しかる後、これをダ
イシングなどによって所定形状と成すことにより製作さ
れる。
【００１５】また前記シリコン基板１の上面には、例え
ば下部領域（底部）の内表面の曲率半径が１．０〜２．
５μｍに設定された断面Ｕ字状の溝１ａが設けられる。
この溝１ａは、シリコン基板上面の長手方向（単結晶シ
リコンの１１０方位）にわたり例えば幅２〜５μｍ、深
さ２〜６μｍでもって形成されており、該Ｕ字状の溝１
ａは後述する多孔質シリコン層１ｂを陽極化成処理によ
って形成する際、多孔質シリコン層１ａを縦長状に形成
すべくシリコン基板１の厚み方向にかかる電流の流れを
溝１ａの下部領域に集中させる作用を為す。尚、このよ
うな断面Ｕ字状の溝１ａはカッターを用いたスクライビ
ング等によって形成される。
ば下部領域（底部）の内表面の曲率半径が１．０〜２．
５μｍに設定された断面Ｕ字状の溝１ａが設けられる。
この溝１ａは、シリコン基板上面の長手方向（単結晶シ
リコンの１１０方位）にわたり例えば幅２〜５μｍ、深
さ２〜６μｍでもって形成されており、該Ｕ字状の溝１
ａは後述する多孔質シリコン層１ｂを陽極化成処理によ
って形成する際、多孔質シリコン層１ａを縦長状に形成
すべくシリコン基板１の厚み方向にかかる電流の流れを
溝１ａの下部領域に集中させる作用を為す。尚、このよ
うな断面Ｕ字状の溝１ａはカッターを用いたスクライビ
ング等によって形成される。
【００１６】また前記シリコン基板１は、溝１ａの下部
領域の内表面に多孔質シリコン層１ｂを有している。前
記多孔質シリコン層１ｂは縦長の半楕円状を成すように
形成され、その多孔度は５０〜６５％に、平均気孔径は
１×１０-7〜１×１０-4μｍに設定されているため、間
接遷移型よりも直接遷移型に近いと考えられており、後
述する透明電極３及び共通電極４間に所定の電圧を印加
すると、多孔質シリコンの量子効果によって波長６００
〜７８０ｎｍの光を発光するようになっている。
領域の内表面に多孔質シリコン層１ｂを有している。前
記多孔質シリコン層１ｂは縦長の半楕円状を成すように
形成され、その多孔度は５０〜６５％に、平均気孔径は
１×１０-7〜１×１０-4μｍに設定されているため、間
接遷移型よりも直接遷移型に近いと考えられており、後
述する透明電極３及び共通電極４間に所定の電圧を印加
すると、多孔質シリコンの量子効果によって波長６００
〜７８０ｎｍの光を発光するようになっている。
【００１７】この場合、多孔質シリコン層１ｂは縦長の
半楕円状に形成されているため、必要な発光出力を確保
するのに多孔質シリコン層１ｂの体積を増やすような場
合であっても、多孔質シリコン層１ｂの形成領域がシリ
コン基板１の面方向に大きく広がることはなく、従って
個々の発光領域を小さくして高密度に配列させることが
できるとともに、個々の発光領域から極めてシャープな
発光出力が得られるようになり、これによりプリンタ用
の露光源として適した発光素子アレイを得ることが可能
となる。
半楕円状に形成されているため、必要な発光出力を確保
するのに多孔質シリコン層１ｂの体積を増やすような場
合であっても、多孔質シリコン層１ｂの形成領域がシリ
コン基板１の面方向に大きく広がることはなく、従って
個々の発光領域を小さくして高密度に配列させることが
できるとともに、個々の発光領域から極めてシャープな
発光出力が得られるようになり、これによりプリンタ用
の露光源として適した発光素子アレイを得ることが可能
となる。
【００１８】尚、前記多孔質シリコン層１ｂは、まず溝
１ａの下部領域のみを露出させるようにして表面をマス
クで被覆したシリコン基板１を所定のフッ酸溶液中に浸
漬し、該浸漬したシリコン基板１の露出部に従来周知の
陽極化成処理を施し、露出部に位置する単結晶シリコン
を多孔質化することにより形成される。例えばこの陽極
化成処理の際の露出部の電流密度を３０ｍＡ・ｃｍと
し、この状態を約５分間保持した場合、多孔質シリコン
層１ｂの幅ｗは３〜５μｍ、深さｈは５〜１０μｍとな
る。
１ａの下部領域のみを露出させるようにして表面をマス
クで被覆したシリコン基板１を所定のフッ酸溶液中に浸
漬し、該浸漬したシリコン基板１の露出部に従来周知の
陽極化成処理を施し、露出部に位置する単結晶シリコン
を多孔質化することにより形成される。例えばこの陽極
化成処理の際の露出部の電流密度を３０ｍＡ・ｃｍと
し、この状態を約５分間保持した場合、多孔質シリコン
層１ｂの幅ｗは３〜５μｍ、深さｈは５〜１０μｍとな
る。
【００１９】そして前記溝１ａの上部領域の内表面には
反射率が９０％以上の金属層２が被着される。前記金属
層２は例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ），金
（Ａｕ）等の金属を所定厚みに被着させてなり、該金属
層２は溝１ａ内で四方に拡散しようとする光を溝１ａの
上方に反射させて溝１ａの真上に集めることにより発光
素子アレイの発光出力をより効果的に向上させる作用を
為す。
反射率が９０％以上の金属層２が被着される。前記金属
層２は例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ），金
（Ａｕ）等の金属を所定厚みに被着させてなり、該金属
層２は溝１ａ内で四方に拡散しようとする光を溝１ａの
上方に反射させて溝１ａの真上に集めることにより発光
素子アレイの発光出力をより効果的に向上させる作用を
為す。
【００２０】尚、前記反射率９０％以上の金属層２は、
例えばアルミニウム（Ａｌ）から成る場合、従来周知の
スパッタリング法により０．１〜０．５μｍの厚みに被
着させることによって形成され、また金（Ａｕ）から成
る場合、従来周知の蒸着法により０．０５〜０．２μｍ
の厚みに被着させることによって形成される。
例えばアルミニウム（Ａｌ）から成る場合、従来周知の
スパッタリング法により０．１〜０．５μｍの厚みに被
着させることによって形成され、また金（Ａｕ）から成
る場合、従来周知の蒸着法により０．０５〜０．２μｍ
の厚みに被着させることによって形成される。
【００２１】そしてこのようなシリコン基板１の上面に
は複数個の透明電極３が、また下面には共通電極４が被
着・形成される。これらの電極３，４は多孔質シリコン
層１ｂを発光させるための所定の電力を印加する作用を
為す。前記透明電極３はシリコン基板１の下面に例え
ば、ＩＴＯ等の透明な導電材料により０．０５〜０．２
μｍの厚みをもって２０〜３０μｍのピッチで被着・配
列され、該各透明電極３の一端を前記溝１ａ内の多孔質
シリコン層１ｂ上まで延在させておくことにより多孔質
シリコン層１ａと電気的に接続される。
は複数個の透明電極３が、また下面には共通電極４が被
着・形成される。これらの電極３，４は多孔質シリコン
層１ｂを発光させるための所定の電力を印加する作用を
為す。前記透明電極３はシリコン基板１の下面に例え
ば、ＩＴＯ等の透明な導電材料により０．０５〜０．２
μｍの厚みをもって２０〜３０μｍのピッチで被着・配
列され、該各透明電極３の一端を前記溝１ａ内の多孔質
シリコン層１ｂ上まで延在させておくことにより多孔質
シリコン層１ａと電気的に接続される。
【００２２】また前記共通電極４は、シリコン基板１の
下面に例えば、金や銀，銅等の導電材料により０．０５
〜０．２μｍの厚みをもって形成される。
下面に例えば、金や銀，銅等の導電材料により０．０５
〜０．２μｍの厚みをもって形成される。
【００２３】尚、前記透明電極３及び共通電極４は、従
来周知の薄膜手法、例えば、スパッタリングやフォトリ
ソグラフィー技術等を採用することによって所定厚み、
所定パターンに被着・形成される。
来周知の薄膜手法、例えば、スパッタリングやフォトリ
ソグラフィー技術等を採用することによって所定厚み、
所定パターンに被着・形成される。
【００２４】かくして上述した発光素子アレイは、プリ
ンタ用の露光源として用いる場合、各透明電極３及び共
通電極４間に外部からの印画データに基づいて所定の電
圧を印加し、両電極３，４間の多孔質シリコン層１ａよ
り選択的に光を発光させ、これを感光ドラム等に照射さ
せることによって発光素子アレイとして機能する。
ンタ用の露光源として用いる場合、各透明電極３及び共
通電極４間に外部からの印画データに基づいて所定の電
圧を印加し、両電極３，４間の多孔質シリコン層１ａよ
り選択的に光を発光させ、これを感光ドラム等に照射さ
せることによって発光素子アレイとして機能する。
【００２５】尚、本発明は上述の形態に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々
の変更、改良が可能である。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々
の変更、改良が可能である。
【００２６】例えば上述の形態ではシリコン基板上面に
設けられる溝１ａの形状を断面Ｕ字状になしたが、これ
に代えて図３に示す如く溝１ａ’を断面Ｖ字状になして
も良い。この場合、溝１ａ’は、カッターを用いたスク
ライビング以外に、シリコン単結晶の異方性を利用した
エッチング技術によっても形成することができ、その場
合、まずシリコン基板１の表面に上面の所定領域のみが
露出されるようにしてマスクを被着させ、これを所定濃
度の水酸化カリウム溶液中に一定時間浸漬してシリコン
基板１の露出部をエッチングすることにより形成され
る。このとき、シリコン基板１を形成する単結晶シリコ
ンの１００方位はシリコン基板１の厚み方向に、１１１
方位は溝１ａ’の向きと直交する方向にそれぞれ合致さ
せてあり、シリコン基板１の厚み方向にかかるエッチン
グレートは溝１ａ’の向きと直交する方向にかかるエッ
チングレートの約１０倍となっているため、エッチング
により形成される溝１ａ’の断面形状は角度θが５４〜
５５°のＶ字状となる。
設けられる溝１ａの形状を断面Ｕ字状になしたが、これ
に代えて図３に示す如く溝１ａ’を断面Ｖ字状になして
も良い。この場合、溝１ａ’は、カッターを用いたスク
ライビング以外に、シリコン単結晶の異方性を利用した
エッチング技術によっても形成することができ、その場
合、まずシリコン基板１の表面に上面の所定領域のみが
露出されるようにしてマスクを被着させ、これを所定濃
度の水酸化カリウム溶液中に一定時間浸漬してシリコン
基板１の露出部をエッチングすることにより形成され
る。このとき、シリコン基板１を形成する単結晶シリコ
ンの１００方位はシリコン基板１の厚み方向に、１１１
方位は溝１ａ’の向きと直交する方向にそれぞれ合致さ
せてあり、シリコン基板１の厚み方向にかかるエッチン
グレートは溝１ａ’の向きと直交する方向にかかるエッ
チングレートの約１０倍となっているため、エッチング
により形成される溝１ａ’の断面形状は角度θが５４〜
５５°のＶ字状となる。
【００２７】また上述の形態では溝１ａの下部領域の内
表面を曲面により構成したが、これに代えて複数の平面
を多角形状に並べて溝１ａの下部領域の内表面を構成し
ても構わない。
表面を曲面により構成したが、これに代えて複数の平面
を多角形状に並べて溝１ａの下部領域の内表面を構成し
ても構わない。
【００２８】
【発明の効果】本発明の発光素子アレイによれば、シリ
コン基板の上面に断面Ｕ字状もしくは断面Ｖ字状の溝を
設け、該溝の下部領域の内表面に多孔質シリコン層を形
成するとともに、上部領域の内表面に反射率が９０％以
上の金属層を被着させるようになしたことから、多孔質
シリコン層を縦長の半楕円状として発光素子を高密度に
配列させることができるとともに、個々の発光領域より
発光する光を極めてシャープになすことができ、しかも
前記溝内で拡散しようとする光を前記金属層で反射させ
て溝の真上に集めることができる。これにより、発光素
子アレイの解像度及び発光輝度が著しく向上し、プリン
タ用の露光源として適した発光素子アレイを得ることが
可能となる。
コン基板の上面に断面Ｕ字状もしくは断面Ｖ字状の溝を
設け、該溝の下部領域の内表面に多孔質シリコン層を形
成するとともに、上部領域の内表面に反射率が９０％以
上の金属層を被着させるようになしたことから、多孔質
シリコン層を縦長の半楕円状として発光素子を高密度に
配列させることができるとともに、個々の発光領域より
発光する光を極めてシャープになすことができ、しかも
前記溝内で拡散しようとする光を前記金属層で反射させ
て溝の真上に集めることができる。これにより、発光素
子アレイの解像度及び発光輝度が著しく向上し、プリン
タ用の露光源として適した発光素子アレイを得ることが
可能となる。
【図１】本発明の一形態に係る発光素子アレイの平面図
である。
である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】本発明の他の形態に係る発光素子アレイの断面
図である。
図である。
【図４】従来の発光素子の断面図である。
１・・・・シリコン基板、１ａ，１ａ’・・・・溝、１
ｂ・・・・多孔質シリコン層、２・・・・金属層、３・
・・・透明電極、４・・・・共通電極
ｂ・・・・多孔質シリコン層、２・・・・金属層、３・
・・・透明電極、４・・・・共通電極
Claims (1)
- 【請求項１】上面に断面Ｕ字状もしくは断面Ｖ字状の溝
を有し、且つ該溝の下部領域の内表面に多孔質シリコン
層を形成したシリコン基板と、 該シリコン基板の上面に形成され、一端が前記溝内の多
孔質シリコン層上まで延在する複数個の透明電極と、 前記シリコン基板の下面に形成された共通電極とから成
り、 各透明電極と共通電極との間に電圧を印加し、両電極間
に位置する多孔質シリコン層より光が発光するようにな
した発光素子アレイであって、 前記溝の上部領域の内表面に反射率が９０％以上の金属
層を被着させたことを特徴とする発光素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24535398A JP3652134B2 (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 発光素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24535398A JP3652134B2 (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 発光素子アレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077708A true JP2000077708A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3652134B2 JP3652134B2 (ja) | 2005-05-25 |
Family
ID=17132422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24535398A Expired - Fee Related JP3652134B2 (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 発光素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3652134B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100809216B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 반도체 발광소자 제조방법 |
| JP2009509353A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-05 | エルジー・ケム・リミテッド | ｐ−ｎ接合半導体素子の埋込み接触電極の形成方法及びこれを用いた光電子半導体素子 |
| CN101838852A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-09-22 | 北京化工大学 | 一种具有强发光性能的纳米硅的蒸汽腐蚀制备方法 |
| US8440496B2 (en) * | 2009-07-08 | 2013-05-14 | Solarmer Energy, Inc. | Solar cell with conductive material embedded substrate |
| CN104078543A (zh) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | 英迪股份有限公司 | 发光元件及其制造方法 |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP24535398A patent/JP3652134B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2009509353A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-05 | エルジー・ケム・リミテッド | ｐ−ｎ接合半導体素子の埋込み接触電極の形成方法及びこれを用いた光電子半導体素子 |
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| US9437789B2 (en) | 2013-03-25 | 2016-09-06 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Light generating device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3652134B2 (ja) | 2005-05-25 |
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