JP2000076716A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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JP2000076716A JP10244156A JP24415698A JP2000076716A JP 2000076716 A JP2000076716 A JP 2000076716A JP 10244156 A JP10244156 A JP 10244156A JP 24415698 A JP24415698 A JP 24415698A JP 2000076716 A JP2000076716 A JP 2000076716A
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ブエ ローレンス
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高分解能、高記録密度、低ノイズであり、S
/N比の優れたガーネットフェライト系光磁気記録媒体
を提供すること。 【解決手段】 ガラス基板1上に記録層及び反射層4を
備えた光磁気記録媒体であって、前記記録層がスピネル
フェライト(又はルチル型酸化物)層2及びガーネット
フェライト層3を含む。反射層4はガラス基板1と前記
記録層の間に位置することが好ましい。ガーネットフェ
ライト層3の厚さは100〜400nm、スピネルフェ
ライト(又はルチル型酸化物)層2の厚さは10〜10
0nmの範囲内であることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体に
関し、特に、ファラデー回転角の大きいガーネットフェ
ライト、すなわちガーネット型の結晶構造を有するフェ
ライトを光磁気記録材料として用いた光磁気記録媒体に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、商用となっている光磁気記録媒体
は、主に、TbFeCoのような希土類金属材料を光磁気記録
材料として使用しており、光磁気記録部が酸化等により
劣化しやすい。そのため、プラスチック層等にて該記録
部を密封して保護する必要がある。
【0003】一方、ガーネットフェライト等を光磁気記
録材料として使用した記録媒体は、材料そのものが酸化
物であるため劣化による影響が小さく、上記のような特
別な保護対策をとる必要がないといった特徴を持ってい
る。
【0004】しかし、ガーネットフェライトを光磁気記
録材料として使用した場合は、スパッタリングによって
基板表面にガーネットフェライト層を形成する際に、熱
膨張によって層内部に応力が発生し、その結果、ガーネ
ットフェライト層にクラックが入り、層表面のモルフォ
ロジが荒れ、また、結晶粒子が巨大化することがある。
これらは記録再生時のノイズの原因となるので好ましく
ない。
【0005】そこで、上記の問題点を克服するために、
特開平8−249740号公報には、基板の熱膨張係数
を調整したり、また、アニール後に逆スパッタ等を施す
ことで、光磁気記録材料層上のモルフォロジの特性を改
善することが開示されている。
【0006】また、特開平6−290497号公報に
は、非磁性ガーネットフェライトのアンダーレーヤを用
いた二層ガーネットフェライト構造を採用することによ
り、ガーネットフェライト層の結晶粒径を1μm以下に
押さえ、ビット形状の乱れ及びノイズを改善することが
開示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た方法は、プロセスが複雑となるために実用的ではなか
った。また、組成の異なるガーネットフェライト同士で
多層構造を形成した場合は、熱処理後に各ガーネットフ
ェライト層の元素が層境界付近において拡散する。した
がって、上記の多層構造では層に対して垂直方向に組成
ずれが生じ、特性劣化および再現性に問題が生じてい
た。そして、上記のガーネットフェライト層形成方法で
は、ナノオーダーの微細結晶を得ることができないの
で、高密度記録の障害になっていた。
【0008】また、一般にガーネットフェライトは大き
なファラデー効果を有することが知られているが、熱に
よって膨脹するので、基板上に多結晶ガーネットフェラ
イト層を作製するときの熱処理の後に層内部に圧縮応力
が加わり、面記録密度の指標となる角形比(残留磁化/
飽和磁化)の低い層しか得ることができなかった。
【0009】本発明は、上記した問題点を解決すること
をその課題とする。すなわち、本発明の目的は、ガーネ
ットフェライト層のモルフォロジ及び磁気特性を実用的
な手法で改善し、さらに、微細なガーネットフェライト
結晶粒子を得ることにより、高分解能、高記録密度、低
ノイズであり、S/N比の優れた光磁気記録媒体を提供
することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記した目的は、ガラス
基板上に記録層及び反射層を備えた光磁気記録媒体であ
って、前記記録層がスピネルフェライト層又はルチル型
酸化物層のいずれか一方及びガーネットフェライト層を
含むことを特徴とする光磁気記録媒体によって達成され
る。なお、前記反射層は前記ガラス基板と前記記録層の
間に位置することが好ましい。また、前記ガーネットフ
ェライト層の厚さは100〜400nm、前記スピネル
フェライト層又はルチル型酸化物層の厚さは10〜10
0nmの範囲内であることが好ましい。
【0011】前記記録層は複数のガーネットフェライト
層及び複数のスピネルフェライト層又はルチル型酸化物
層を含んでいてもよい。その場合は、前記記録層の厚さ
が100〜1000nmであることが好ましい。
【0012】前記ガラス基板、前記反射層、前記記録層
の少なくとも一つの表面には溝が形成されていてもよ
く、また、装荷が設けられていてもよい。ここで、装荷
とは、各層表面の実効屈折率を変化させるための部材で
あって、通常は、矩形の断面を有しており、層表面に突
出部を形成する。
【0013】そして、前記記録層又は反射層の表面に
は、さらに透明層が積層されていてもよく、その場合
は、該透明層の表面に溝が形成されていてもよい。
【0014】
【発明の実施の形態】光磁気記録材料の一つとして知ら
れているスピネルフェライト、すなわち、スピネル型の
結晶構造を有するフェライトは高いファラデー効果を有
しており、クラックも発生ぜず、また、ナノメートルオ
ーダーの微細結晶を作製できる(Brevet Francais No.
933315258 (1993))ので高密度記録に適しているが、ス
ピネルフェライト層は、層自身の吸収係数が大きいた
め、十分な再生出力信号を得ることができない。しか
し、スピネルフェライトは、ガーネットフェライトとは
結晶構造が異なるので、引っ張り応力が加わる層を容易
に得ることができる。
【0015】また、フェライトと同じ無機酸化物である
ルチル型酸化物についても、ナノオーダーの微細結晶を
作製でき、かつ、引っ張り応力が加わる層を容易に得る
ことができる。
【0016】そこで、本発明では、ガーネットフェライ
ト層とスピネルフェライト層又はルチル型酸化物層とを
積層することにより、ガーネットフェライト層に作用す
る圧縮応力をスピネルフェライト層又はルチル型酸化物
層の有する引っ張り応力によって相殺することとした。
【0017】これにより、角形比が大きく、垂直異方性
が高く、保磁力が増大された優れた磁気特性を有し、か
つ、モルフォロジの改善された記録層を得ることができ
る。したがって、光磁気記録に適した記録媒体を作製で
きる。
【0018】複数のガーネットフェライト層及び複数の
スピネルフェライト層またはルチル型酸化物層を交互又
はランダムに積層した場合は、記録層の内部応力を圧縮
応力から引っ張り応力に至る幅広い範囲で制御可能とな
るため、磁気特性に優れた記録層を容易に得ることがで
きる。また、熱処理の回数を低減することも可能とな
る。
【0019】ガラス基板としては、通常、石英ガラス、
パイレックスガラス等の耐熱ガラスが用いられる。本発
明では、スピネルフェライトとしては、例えばFe
34、γ-Fe23を含む一般式Rx-yCoyFe3-x4
(ここで、0≦x≦1、0≦y≦x、RはDyを含む1種類以
上の希土類元素)で表されるフェライトが使用される。
また、ガーネットフェライトとしては、例えば鉄ガーネ
ットを含む、一般式Bix3-x+uyFe5-y+v12(こ
こで、0≦x≦3、0≦y≦5、-3≦u≦3、-3≦v≦3、RはD
yを含む1種類以上の希土類元素、Mは鉄と置換可能な3
価の金属)で表されるフェライトが使用される。一方、
ルチル型酸化物は、RO2(RはTi、Cr等の遷移金
属)で表されるが、通常、TiO2が用いられる。な
お、反射層としては、アルミニウム、金、クロム、白金
等の金属材料を使用することができる。
【0020】なお、ガラスより熱膨張係数の大きい金属
材料からなる反射層をガラス基板上にスパッタ法によっ
て予め形成すると、スパッタ後に反射層内に引っ張り応
力が作用する。したがって、更にその上に記録層を積層
した場合には、反射層の引っ張り応力とスピネルフェラ
イト層又はルチル型酸化物層に作用する引っ張り応力の
相乗作用により、ガーネットフェライト層内の圧縮応力
を効果的に相殺することができる。
【0021】ところで、スピネルフェライト層又はルチ
ル型酸化物層に隣接してガーネットフェライト層を形成
すると、ガーネットフェライト層はスピネルフェライト
又はルチル型酸化物の特徴である微細な結晶粒子による
モルフォロジを結晶生成時に継承して微細なガーネット
フェライトの結晶を生成させる。したがって、高密度記
録に適した微細なモルフォロジを持つガーネットフェラ
イト層を得ることができる。
【0022】これにより、高分解能、高記録密度、か
つ、低ノイズの光磁気記録媒体を得ることが可能とな
る。そして、ガーネットフェライトが本来持っている巨
大なファラデー効果による高出力と、低ノイズ化との相
乗効果によりS/N比の優れた光磁気記録媒体の作製が
可能となる。
【0023】なお、反射層がガラス基板と記録層の間に
位置している場合は、長期にわたって極めて安定な酸化
物系の記録層によって反射層が被覆される層構造となる
ために、反射層が金属製であってもパッシベーションを
考慮する必要がなくなり、その保護膜が不要となる。こ
れにより、光磁気記録媒体の製造工程の簡素化及び製造
コストの低減を図ることができる。また、再生時におい
ては前記保護膜が存在しないために読み出しヘッド等の
光ピックアップ機構を実質的に記録層により近づけるこ
とが可能となり、さらに高いS/N比を確保できる。
【0024】また、ガラス基板、反射層、記録層の少な
くとも一つの表面に溝が形成され、また、装荷が設けら
れている場合には、表面の実効屈折率を場所によって変
化させることができるので、この屈折率変化に由来する
該表面からの反射光の変化を検出することにより、記録
媒体上の記録位置のサーボ制御が可能となる。
【0025】そして、記録層又は反射層の表面にさらに
透明層が積層された場合は、照射光が記録媒体表面の埃
又は傷の影響を受けにくくなる。さらに、透明層に溝を
形成することによって、この溝を前記サーボ制御用のガ
イドとして利用することもできる。
【0026】本発明におけるガーネットフェライト層の
厚さは100〜400nmとすることが好ましい。10
0nm未満では十分な磁気特性を得ることが困難とな
り、また、400nmを越えるとクラックが発生しやす
くなる。一方、スピネルフェライト層又はルチル型酸化
物層の厚さは10〜100nmとすることが好ましい。
10nm未満では十分な磁気特性を得ることが困難とな
り、また、100nmを越えると層が着色してS/N比
が低下する。
【0027】記録層が複数のガーネットフェライト層及
び複数のスピネルフェライト層又はルチル型酸化物層を
含む場合は、記録層の厚さは100〜1000nmとす
ることが好ましい。100nm未満では、十分な磁気特
性を得ることが困難とあり、また、1000nmを越え
ると記録層の透明性が悪化する。
【0028】本発明においては、記録層は必要に応じて
ガーネットフェライト、スピネルフェライト又はルチル
型酸化物以外の磁気記録材料からなる層を含んでいても
よい。ただし、スピネルフェライト層またはルチル型酸
化物層にガーネットフェライト層が隣接していることが
望ましい。
【0029】
【実施例】以下、図面を参照しつつ、本発明を以下の実
施例によって説明する。しかし、これらの実施例は本発
明の範囲を制限するものではない。 [比較例]まず、本発明との比較のために、スピネルフ
ェライト層、ルチル型酸化物層及びガーネットフェライ
ト層のみからなる記録層を有する記録媒体を作製した。
【0030】図1はスピネルフェライト又はルチル(T
iO2)の単層からなる記録層を有する光磁気記録媒体
(以下、比較例1という)の2つのタイプの断面を示す
図である。図1(a)に示す例では石英ガラス基板1上の
スピネルフェライト(又はルチル)層2に金属反射層4
が被覆されている。一方、図1(b)に示す例では石英ガ
ラス基板1上への、金属反射層4とスピネルフェライト
(又はルチル)層2の積層順序が図1(a)の場合とは異
なる。
【0031】スピネルフェライトを用いた比較例1は以
下のようにして作製された。すなわち、図1(a)の場合
は、まず石英ガラス基板1上に高周波スパッタリング法
によって、Mn0.13Co0.73Fe2.144からなるスピ
ネルフェライト層2を形成し、100nmの厚さとし
た。次いで400℃で10分間、酸素20%、窒素80
%の1気圧雰囲気中において熱処理を行い、その後に金
属反射層4をスピネルフェライト層2上にコートした。
原子間力顕微鏡(AFM)による表面観察では、熱処理
後のスピネルフェライト層2の面荒さは2nm、結晶粒
径は30nm以下であり、非常に平坦であった。
【0032】図1(b)の場合は、金属反射層4を予め石
英ガラス基板1上に形成する点を除いて図1(a)の場合
と同一の条件で比較例1の作製を行った。AFMによる
表面観察では、この場合も、スピネルフェライト層2の
表面荒さは2nm、結晶粒径は30nm以下であり、非
常に平坦であった。
【0033】一方、スピネルフェライトに代えてルチル
(TiO2)を用いた比較例1も上記と同一の条件によ
って作製された。AFMによる表面観察では、図1(a)
及び(b)の両方のタイプとも、ルチル層2の表面荒さは
2nm、結晶粒径は30nm以下であり、非常に平坦で
あった。
【0034】図2はガーネットフェライト単層からなる
記録層を有する光磁気記録媒体(以下、比較例2とい
う)の2つのタイプの断面を示す図である。図2(a)に
示す例では、石英ガラス基板1上のガーネットフェライ
ト層3に金属反射層4が積層されている。一方、図2
(b)に示す例では石英ガラス基板1上への金属反射層4
とガーネットフェライト層3の積層順序が図2(a)の場
合とは異なる。
【0035】比較例2は以下のようにして作製された。
すなわち、図2(a)の場合は、まず石英ガラス基板1上
に高周波スパッタリング法によって、Bi2DyFe4
aO 12からなるガーネットフェライト層3を形成し、3
50nmの厚さとした。次いで、650℃で10分間、
酸素100%の1気圧雰囲気中において熱処理を行い、
その後に金属反射層4をガーネットフェライト層3上に
コートした。AFMによる表面観察では、熱処理後のガ
ーネット層3の結晶粒径は70nm、面荒さは4nmで
あり、その表面には1〜3μmのクラックが発生してい
た。
【0036】図2(b)の場合は、金属反射層4を予め石
英ガラス基板1上に形成する点を除いて図2(a)と同一
の条件で比較例2の作製を行った。AFMによる表面観
察では、この場合も、ガーネットフェライト層3の表面
荒さは4nm、結晶粒径は70nmであり、また、その
表面には1〜3μmのクラックが発生していた。
【0037】[実施例1]図3はガーネットフェライト
/スピネルフェライト(又はルチル)の二層からなる記
録層を有する光磁気記録媒体(以下、実施例1という)
の2つのタイプの断面を示す図である。図3(a)に示す
例では、石英ガラス基板1上に形成されたスピネルフェ
ライト(又はルチル)層2の上にガーネットフェライト
層3が積層され、更に金属反射層4が積層されている。
一方、図3(b)に示す例では、石英ガラス基板1上に形
成された金属反射層4の上に、スピネルフェライト(又
はルチル)層2が積層されている点が図3(a)の場合と
は異なる。なお、図3(a)の例では、図の下方から石英
ガラス基板1を貫通してレーザを照射することにより記
録再生を行う一方、図3(b)の例では、図の上方からレ
ーザー光を記録層に直接照射することにより記録再生を
行う。
【0038】実施例1は以下のようにして作製された。
すなわち、図3(a)の場合は、まず石英ガラス基板1上
に、下地層としてスピネルフェライト(又はルチル)層
2を高周波スパッタリング法によって形成し、比較例1
と同じ条件で熱処理を施した。その後、高周波スパッタ
リング法によってスピネルフェライト(又はルチル)層
2上にファラデー効果の大きいガーネットフェライト層
3を形成し、比較例2と同じ条件で熱処理を施した。最
後に、ガーネットフェライト層3上に金属反射層4をコ
ートした。なお、図3(b)の場合も、金属反射層4を予
め石英ガラス基板1上に形成する点を除いて上記と同一
の条件で処理を行った。
【0039】スピネルフェライトとしては、Mn0.13
0.73Fe2.144を、ルチルとしてはTiO2を、ま
た、ガーネットフェライトとしては、Bi2DyFe4
aO1 2をそれぞれ使用した。そして、スピネルフェライ
ト(又はルチル)層2及びガーネットフェライト層3の
厚さは、それぞれ100nm、350nmとした。
【0040】AFMによる表面観察では、下地層として
スピネルフェライト又はルチルのどちらを用いた場合で
あっても、また、図3(a)及び(b)のどちらの構造であっ
ても、熱処理後のガーネットフェライト層3の表面にク
ラックはなく、その面荒さは3nm、結晶粒径は40n
m以下で非常に平坦であった。このように、スピネルフ
ェライト(又はルチル)層2をガーネットフェライト層
3の下地層として用いることにより著しくガーネットフ
ェライト層3のモルフォロジーが改善された。
【0041】なお、図3(b)のように、金属反射層4が
石英ガラス基板1とスピネルフェライト(又はルチル)
層2の間に位置している場合は、金属反射層4のパッシ
ベーションの心配がなく、被覆膜等の、金属反射層4の
保護手段は必要ない。これにより、光磁気記録媒体の製
造工程の簡素化及び製造コストの低減を図ることができ
る。また、再生時においては前記保護手段が存在しない
ために読み出しヘッド等の光ピックアップ機構を実質的
に記録層により近づけることが可能となり、S/N比を
高めることができる。
【0042】図4は比較例1、2及び実施例1の光磁気
記録媒体の磁化曲線であり、図4(a)、(b)及び(c)は、
それぞれ、スピネルフェライト単層を有する比較例1、
ガーネットフェライト単層を有する比較例2及び実施例
1の磁気特性に対応している。
【0043】スピネルフェライトの単層構造を有する比
較例1は、図4(a)に示すヒステリシスを有しており、
具体的には、保磁力(a)は50000e、飽和磁化(a)は
250emu/cc、残留磁化(a)は150emu/c
cであった。したがって、比較例1は保磁力に関しては
実用上十分な特性(20000e以上)を有している。
しかし、角形比の値が0.6(残留磁化(a)/飽和磁化
(a)=150/250=0.6)と低いため実用上、S
/N比低下等の問題が生じる(実用上は約0.8以上の
角形比が理想とされる)。
【0044】一方、ガーネットフェライト単層構造を有
する比較例2は、図4(b)に示す磁気履歴特性を有して
おり、保磁力(b)は12000e、飽和磁化(b)は13e
mu/cc、残留磁化(b)は10emu/ccであっ
た。したがって、比較例2は、角形比の値が約0.8
(10/13)となり、角形比については実用上十分で
あるが、保磁力(b)が12000eと小さいため、高密
度記録時にノイズの増加等の問題が生じる(実用上は2
0000e以上の保磁力が理想とされる)。
【0045】これに対し、本発明に係るガーネットフェ
ライト/スピネルフェライト(又はルチル)二層構造を
有する実施例1は、図4(c)に示すヒステリシスを有し
ており、保磁力(c)が20000e、飽和磁化(c)が13
emu/cc、残留磁化(c)が10emu/ccであっ
た。したがって、実施例1の角形比の値は約0.8とな
り、角形比及び保磁力の両方で実用上十分な磁気特性を
有している。なお、ガーネットフェライト3層の下地層
としてスピネルフェライト層又はルチル層のどちらを用
いた場合であっても、上記の各磁気特性の値は全く同一
であった。
【0046】このように、ガーネットフェライト/スピ
ネルフェライト(又はルチル)の二層構造を有する記録
媒体では、ガーネットフェライト層のみ、または、スピ
ネルフェライト(又はルチル)層のみを有する記録媒体
で問題となっていた磁気特性が著しく改善された。そし
て、実施例1では、下地層としてスピネルフェライト又
はルチルのどちらを用いた場合であっても、比較例2に
比べてS/N比が20dBほど改善された。
【0047】[実施例2]図5はガーネットフェライト
/スピネルフェライト(又はルチル)の多層積層体から
なる記録層を有する光磁気記録媒体(以下、実施例2と
いう)の2つのタイプの断面を示す図である。図5(a)
に示す例では、石英ガラス基板1上に複数のスピネルフ
ェライト(又はルチル)層及びガーネットフェライト層
からなる多層記録層5が形成され、さらにこの上に金属
反射層4が積層されている。一方、図5(b)に示す例で
は多層記録層5と金属反射層4の積層順序が図5(a)の
場合とは異なる。
【0048】実施例2は、スピネルフェライト(又はル
チル)層及びガーネットフェライト層を複数積層して多
層記録層5を形成した後に一括して多層記録層5に対し
て熱処理を加える点以外は、実施例1の場合と同様に作
製した。なお、図5(a)の層構造のタイプは実施例1の
図3(a)のケースに、また、図5(b)の層構造のタイプは
実施例1の図3(b)のケースに、それぞれ対応してい
る。
【0049】実施例2の特性を調べたところ、ガーネッ
トフェライト以外に多層記録層5を構成する材料として
スピネルフェライト又はルチルのどちらを用いた場合で
あっても、保磁力20000e、飽和磁化13emu/
cc、残留磁化10emu/cc、角形比約0.8の、
実施例1と同じ磁気特性値を有していた。また、熱処理
後の多層記録層5の表面荒さは3nm、結晶粒径は40
nm以下であった。このように、多層の記録層を有する
実施例2においても実施例1と同じの磁気特性とモルフ
ォロジを得ることができた。
【0050】実施例2では多層記録層5が複数のスピネ
ルフェライト(又はルチル)層及びガーネットフェライ
ト層から構成されており、記録層に含まれる各層につい
て熱処理を施す必要がないので、熱処理の回数を低減す
ることができる。
【0051】なお、以下に示す実施例も、実施例1及び
2の場合と実質的に同じ手法によって作製することがで
きる。
【0052】[実施例3]図6はガーネットフェライト
/スピネルフェライト(又はルチル)の二層からなる記
録層を有する光磁気記録媒体であって、サーボ制御用の
溝を表面に形成した記録媒体(以下、実施例3という)
の2つのタイプの断面を示す図である。図6(a)に示す
例では、石英ガラス基板1上に形成されたスピネルフェ
ライト(又はルチル)層2の上にガーネットフェライト
層3が積層され、更に、金属反射層4が積層されてい
る。一方、図6(b)に示す例では石英ガラス基板1上に
形成された金属反射層4の上に、スピネルフェライト
(又はルチル)層2が積層されている点が図6(a)の場
合とは異なる。
【0053】図示されるように、実施例3では、所定の
サイズの幅と深さを備えた溝を表面に有する石英ガラス
基板1を用いることによって、記録媒体表面にも溝6を
形成し、そこでの実効屈折率を場所によって変化させて
いる。そして、この屈折率変化により再生用の光ピック
アップに入射する媒体からの反射光の強度が変化するの
で、この変化を検出することにより、記録媒体上の記録
位置のサーボ制御が可能となる。すなわち、記録媒体表
面の溝6は記録位置のサーボ制御用のガイドとしての機
能を有する。
【0054】光磁気記録媒体を円盤状として、電気的な
モーター又は超音波モーター等の回転手段に搭載して回
転させる場合は、溝6は記録媒体表面の円周方向に沿っ
て形成される。一方、記録媒体を回転させるのではな
く、リニア超音波モーターや積層ピエゾ素子等を用いた
直進機構又は周期的な振動機構に搭載する場合は、溝6
はその直進方向又は振動方向に沿って形成される。な
お、溝6は前記方向に沿って連続している必要はなく、
不連続なピット形状であってもよい。
【0055】[実施例4]図7はガーネットフェライト
/スピネルフェライト(又はルチル)の多層積層体から
なる記録層を有する光磁気記録媒体であって、サーボ制
御用の溝を表面に形成した記録媒体(以下、実施例4と
いう)の2つのタイプの断面を示す図である。図7(a)
に示す例では、石英ガラス基板1上に複数のスピネルフ
ェライト(又はルチル)層及びガーネットフェライト層
からなる多層記録層5が形成され、さらにこの上に金属
反射層4が積層されている。一方、図7(b)に示す例で
は多層記録層5と金属反射層4の積層順序が図7(a)の
場合とは異なる。
【0056】図7(a)に示す例では、予め表面に溝を有
する石英ガラス基板1を用いているが、図7(b)に示す
例のように、石英ガラス基板1ではなく、金属反射層4
の表面に所定のサイズの溝を形成することにより、記録
媒体の表面に溝6を形成することもできる。なお、溝6
は記録媒体の回転、直進又は振動方向に沿って形成さ
れ、必ずしも、連続的である必要がない点は実施例3と
同様である。
【0057】[実施例5]図8はガーネットフェライト
/スピネルフェライト(又はルチル)の二層からなる記
録層を有する光磁気記録媒体であって、サーボ制御用の
装荷を表面に有する記録媒体(以下、実施例5という)
の2つのタイプの断面を示す図である。図8(a)に示す
例では、石英ガラス基板1上に形成されたスピネルフェ
ライト(又はルチル)層2の上にガーネットフェライト
層3が積層され、その上に金属反射層4が被覆されてい
る。金属反射層4の表面上にはアルミニウムからなる装
荷7が取り付けられている。一方、図8(b)に示す例で
は石英ガラス基板1上に金属反射層4が形成されている
点、及び、スピネルフェライト(又はルチル)層2とガ
ーネットフェライト層3からなる記録層の表面上に酸化
シリコンからなる装荷7が直接取り付けられている点が
図8(a)の場合とは異なる。装荷7の材質は特に限定さ
れるものではなく、様々な金属、酸化物、誘電体材料を
使用することができる。
【0058】このように、実施例5では、予め所定のサ
イズの装荷7を取り付けることによって、記録媒体表面
に凹凸を形成し、そこでの実効屈折率を変化させること
ができる。この屈折率変化により光の反射率が変わるの
で、この変化を検出することにより、記録媒体上の記録
位置のサーボ制御が可能となる。すなわち、記録媒体表
面の装荷7は記録位置のサーボ制御用のガイドとしての
機能を有する。
【0059】光磁気記録媒体を円盤状として、電気的な
モーター又は超音波モーター等の回転手段に搭載して回
転させる場合は、装荷7は記録媒体の円周方向に沿って
取り付けられる。一方、記録媒体を回転させるのではな
く、リニア超音波モーターや積層ピエゾ素子等を用いた
直進機構又は周期的な振動機構に搭載する場合は、装荷
7はその直進方向又は振動方向に沿って取り付けられ
る。なお、装荷7は前記方向に沿って連続している必要
はない。
【0060】[実施例6]図9はガーネットフェライト
/スピネルフェライト(又はルチル)の多層積層体から
なる記録層を有する光磁気記録媒体であって、サーボ制
御用の装荷を表面に有する記録媒体(以下、実施例6と
いう)の2つのタイプの断面を示す図である。図9(a)
に示す例では、石英ガラス基板1上に形成された、複数
のスピネルフェライト(又はルチル)層及びガーネット
フェライト層からなる多層記録層5の上に金属反射層4
が積層され、さらに金属反射層4の表面上にアルミニウ
ムからなる装荷7が取り付けられている。一方、図9
(b)に示す例では石英ガラス基板1上に形成された金属
反射層4の上に多層記録層5が積層され、その表面上に
酸化シリコンからなる装荷7が直接取り付けられている
点が図9(a)の場合とは異なる
【0061】実施例6の場合も実施例5と同様に、装荷
7の材質は特に限定されるものではなく、様々な金属、
酸化物、誘電体材料を使用することができ、また、装荷
7によって形成される凹凸を記録位置のサーボ制御用の
ガイドとして利用することができる。なお、装荷7は記
録媒体の回転、進行又は振動方向に沿って形成され、必
ずしも、連続的である必要がない点も実施例5と同様で
ある。
【0062】[実施例7]図10(a)及び(b)は、それぞ
れ、図3(b)及び図5(b)に示す光磁気記録媒体の表面に
更に透明層が形成されたタイプの光磁気記録媒体(以
下、実施例7という)の断面図である。実施例7では透
明層8の材質としてポリカーボネートを使用している
が、必要に応じて他の透明材料から透明層8を構成して
もよい。透明層8の厚さは100nm〜2mmの範囲で
適宜設定される。
【0063】このように、記録層の表面に透明層8を設
けることにより、従来の媒体表面との互換性を得ること
ができると共に、実際に記録が行われる記録層と記録媒
体表面との距離を広げることができる。したがって、万
一記録媒体表面に埃が付着したり、傷が生じたとして
も、再生ヘッドから照射され、記録層上に集光されるレ
ーザーは、記録媒体表面の埃や傷の影響を受けにくくな
る。
【0064】ここで、記録媒体上の透明層8の光学的な
厚さが、光磁気記録で用いられる光の波長よりも十分に
短ければ(例えば700nm以下ならば)、実施例7
は、記録媒体表面から波長程度の距離だけしみ出る近接
場光を用いる近接場光用光磁気記録媒体として使用する
ことができる。他方、透明層8の光学的な厚さが、前記
光の波長程度かもしくはそれ以上ならば、実施例7は、
一般的な集光用のレンズ等を含む光学系において用いら
れる遠視野光磁気記録媒体として使用できる。
【0065】[実施例8]図11(a)及び(b)は、それぞ
れ、図6(b)及び図7(b)に示す光磁気記録媒体の表面に
更に透明層が形成されたタイプの光磁気記録媒体(以
下、実施例8という)の断面図である。このように、サ
ーボ制御用の溝を有する記録層を透明層8で被覆するこ
とにより、記録媒体の内部で実効屈折率及び反射率を変
化させることができる。したがって、実施例8では、記
録位置のサーボ制御を行う場合に記録媒体内部での光の
反射率変化を検出して制御することができ、外界からの
影響を排除して、より正確な制御を行うことが可能とな
る。
【0066】また、実施例8では、再生ヘッドから照射
されたレーザービームは記録媒体内部の記録層上に集光
されるので、記録媒体表面の埃や傷の影響を受けにく
い。なお、記録層表面の溝は、記録媒体の回転、直進又
は振動方向に沿って形成される。なお、前記溝は連続し
ている必要はない。
【0067】[実施例9]図12は実施例8の透明層8
に平坦化処理を行った光磁気記録媒体(以下、実施例9
という)の断面図である。図12(b)においては、表面
に溝を有する石英ガラス基板1を使用している。平坦化
処理により、実施例8の奏する効果に加えて、光ピック
アップ機構を高速で回転する記録媒体表面に近接して走
行させて情報を記録再生することが可能になる。記録媒
体表面への接近は、例えば、磁気記録ディスクドライブ
で日常的に使用されている浮上スライダヘッドに光ピッ
クアップ機構を搭載して行われる。
【0068】[実施例10]図13(a)及び(b)は、それ
ぞれ、図8(b)及び図9(b)に示す光磁気記録媒体の表面
に更に透明層が形成されたタイプの光磁気記録媒体(以
下、実施例10という)の概略断面図である。実施例1
0についても、実施例9と同様の効果を奏することがで
きる。記録層表面の装荷7は、記録媒体の回転、直進又
は振動方向に沿って形成される。なお、装荷7は連続し
ている必要はない点は実施例5と同様である。
【0069】[実施例11]図14(a)及び(b)は、それ
ぞれ、図10(a)及び(b)に示す光磁気記録媒体の透明層
8の表面にサーボ制御用の溝6を形成したタイプの光磁
気記録媒体(以下、実施例11という)の概略断面図で
ある。これにより、透明層8の表面で反射率変化を検出
して記録位置をサーボ制御することが可能となる。ま
た、従来の媒体表面との互換性を図ることができると共
に、実際に記録が行われる記録層と記録媒体表面との距
離を広げることができる。したがって、万一記録媒体表
面に埃が付着したり、傷が生じたとしても、再生ヘッド
から照射され、記録層上に集光されるレーザーは、記録
媒体表面の埃や傷の影響を受けにくくなる。透明層8表
面の溝6は、光磁気記録媒体の回転、直進又は振動方向
に沿って形成される。なお、溝6は連続している必要は
ない。
【0070】
【発明の効果】本発明により、複雑なプロセスを経るこ
となく、良好な磁気特性を有する、光磁気記録媒体とし
て適したガーネットフェライト系記録媒体を作製するこ
とができる。しかも、光磁気記録材料として金属系材料
を用いないために、パッシベーションの問題がない。
【0071】また、高密度記録に適した微細なモルフォ
ロジを持つガーネットフェライト層が得られるので、高
分解能、高記録密度、かつ低ノイズの光磁気記録媒体を
作製することができる。さらに、ガーネットフェライト
が本来持っている巨大なファラデー効果により得られる
高出力と、前記低ノイズとの相乗効果によりS/N比が
従来に比べて大幅に改善される。
【0072】反射層がガラス基板と記録層の間に位置し
ている場合は、反射層が金属系材料から構成されていて
も反射層の保護膜が不要となるので、光磁気記録媒体の
製造工程の簡素化及び製造コストの低減を図ることがで
きる。また、再生時においては前記保護膜が存在しない
ために読み出しヘッド等の光ピックアップ機構を実質的
に記録層により近づけることが可能となり、さらに高い
S/N比を確保できる。
【0073】前記記録層が複数のガーネットフェライト
層及び複数のスピネルフェライト層又はルチル型酸化物
層を含む場合は、記録層を作製するための熱処理の回数
を低減することができる。また、記録層の内部応力の制
御を細やかに行えるために、磁気特性に優れた記録層を
容易に得ることができる。
【0074】また、ガラス基板、反射層、記録層の少な
くとも一つの表面に溝が形成され、また、装荷が設けら
れている場合には、記録媒体における記録位置のサーボ
制御が可能となる。
【0075】そして、記録層又は反射層の表面にさらに
透明層が積層された場合は、照射光が記録媒体表面の埃
又は傷の影響を回避できる。さらに、透明層に溝を形成
した場合は、この溝を前記サーボ制御用のガイドとして
利用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】スピネルフェライト又はルチルの単層からなる
記録層を有する光磁気記録媒体の2つのタイプの断面を
示す図。
【図2】ガーネットフェライト単層からなる記録層を有
する光磁気記録媒体の2つのタイプの断面を示す図。
【図3】ガーネットフェライト/スピネルフェライト
(又はルチル)の二層からなる記録層を有する光磁気記
録媒体の2つのタイプの断面を示す図。
【図4】比較例及び実施例1の光磁気記録媒体の磁気履
歴曲線を示す図。
【図5】ガーネットフェライト/スピネルフェライト
(又はルチル)の多層積層体からなる記録層を有する光
磁気記録媒体の2つのタイプの断面を示す図。
【図6】ガーネットフェライト/スピネルフェライト
(又はルチル)の二層からなる記録層を有する光磁気記
録媒体であって、サーボ制御用の溝を表面に形成した記
録媒体の2つのタイプの断面を示す図。
【図7】ガーネットフェライト/スピネルフェライト
(又はルチル)の多層積層体からなる記録層を有する光
磁気記録媒体であって、サーボ制御用の溝を表面に形成
した記録媒体の2つのタイプの断面を示す図。
【図8】ガーネットフェライト/スピネルフェライト
(又はルチル)の二層からなる記録層を有する光磁気記
録媒体であって、サーボ制御用の装荷を表面に取り付け
た記録媒体の2つのタイプの断面を示す図。
【図9】ガーネットフェライト/スピネルフェライト
(又はルチル)の多層積層体からなる記録層を有する光
磁気記録媒体であって、サーボ制御用の装荷を表面に取
り付けた記録媒体の2つのタイプの断面を示す図。
【図10】図3(b)及び図5(b)に示す光磁気記録媒体の
表面に更に透明層が形成されたタイプの光磁気記録媒体
の断面図。
【図11】図6(b)及び図7(b)に示す光磁気記録媒体の
表面に更に透明層が形成されたタイプの光磁気記録媒体
の断面図。
【図12】実施例8の透明層に平坦化処理を行った光磁
気記録媒体の断面図。
【図13】図8(b)及び図9(b)に示す光磁気記録媒体の
表面に更に透明層が形成されたタイプの光磁気記録媒体
の断面図。
【図14】図10(a)及び(b)に示す光磁気記録媒体の透
明層の表面にサーボ制御用の溝を形成したタイプの光磁
気記録媒体の断面図。
【符号の説明】
1: 石英ガラス基板 2: スピネルフェライト(又はルチル)層 3: ガーネットフェライト層 4: 反射金属層 5: 多層記録層 6: 溝 7: 装荷 8: 透明層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 11/10 523 G11B 11/10 523 (72)発明者 吉川 博 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 大久保 俊文 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 山本 学 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 コリン デスパックス フランス パリ ミッシェル アンジェ通 り 3 セントレ・ナショナル・デ・ラ・ レシェルシェ・サイエンティフィーク内 (72)発明者 フィリップ タヤッド フランス パリ ミッシェル アンジェ通 り 3 セントレ・ナショナル・デ・ラ・ レシェルシェ・サイエンティフィーク内 (72)発明者 ローレンス ブエ フランス トゥールース セデックス ナ ルボンネ通り 118 ユニバーシテ・ポー ル・サバティエール内 (72)発明者 アベル ルセ フランス トゥールース セデックス ナ ルボンネ通り 118 ユニバーシテ・ポー ル・サバティエール内 Fターム(参考) 5D075 FF06 FF07 FF08 FG01 FG10 FG13 FG18

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス基板上に記録層及び反射層を備え
    た光磁気記録媒体であって、 前記記録層がスピネルフェライト層又はルチル型酸化物
    層のいずれか一方及びガーネットフェライト層を含むこ
    とを特徴とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】 前記反射層が前記ガラス基板と前記記録
    層の間に位置していることを特徴とする請求項1記載の
    光磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】 前記ガーネットフェライト層の厚さが1
    00〜400nmであり、前記スピネルフェライト層又
    はルチル型酸化物層の厚さが10〜100nmであるこ
    とを特徴とする請求項1又は2記載の光磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】 前記記録層が複数のガーネットフェライ
    ト層及び複数のスピネルフェライト層又はルチル型酸化
    物層を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の光磁
    気記録媒体。
  5. 【請求項5】 前記記録層の厚さが100〜1000n
    mであることを特徴とする請求項4記載の光磁気記録媒
    体。
  6. 【請求項6】 前記ガラス基板、前記反射層、前記記録
    層の少なくとも一つの表面に溝が形成されていることを
    特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光磁気記録
    媒体。
  7. 【請求項7】 前記ガラス基板、前記反射層、前記記録
    層の少なくとも一つの表面に装荷が設けられていること
    を特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光磁気記
    録媒体。
  8. 【請求項8】 前記記録層又は反射層の表面に透明層が
    積層されたことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに
    記載の光磁気記録媒体。
  9. 【請求項9】 前記透明層の表面に溝が形成されている
    ことを特徴とする請求項8記載の光磁気記録媒体。
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EP99940555A EP1050877B1 (en) 1998-08-28 1999-08-30 Opto-magnetic recording medium and its manufacturing method, and opto-magnetic information recording/reproducing device
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