JP2000070853A - 超音波振動子 - Google Patents

超音波振動子

Info

Publication number
JP2000070853A
JP2000070853A JP10245362A JP24536298A JP2000070853A JP 2000070853 A JP2000070853 A JP 2000070853A JP 10245362 A JP10245362 A JP 10245362A JP 24536298 A JP24536298 A JP 24536298A JP 2000070853 A JP2000070853 A JP 2000070853A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vibration
vibrator
vibrating
projection
ultrasonic vibrator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10245362A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3762111B2 (ja
Inventor
Suehiro Imaizumi
末広 今泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP24536298A priority Critical patent/JP3762111B2/ja
Publication of JP2000070853A publication Critical patent/JP2000070853A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3762111B2 publication Critical patent/JP3762111B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】超音波振動子における構造を改良することによ
って、複雑なホーン形状を単純な形状に置き換える。 【解決手段】棒状体２の一部に振動子３を取り付けて、
棒状体２の長さ方向に縦振動が付勢された振動基体４と
を具備する超音波振動子１において、振動基体４の側面
に形成された超音波振動子１に、振動基体４と共振し、
かつその先端が作用点となる振動突起７を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アルミニウム線や
金線などを溶接する超音波ボンディングや超音波加工等
に応用可能な超音波振動子の構造に関する。
【０００２】
【従来技術】従来より、集積回路のワイヤボンディング
等に、その作業能率の高いこと、低温でボンディングで
きることから、超音波振動子を用いた超音波ボンディン
グが広く用いられている。また、超音波振動子を用い
て、加工物の孔開け、切断、表面仕上げなどの研磨を行
う超音波加工も広くおこなわれている。
【０００３】この種の超音波ボンディング等の超音波振
動子の構成は、例えば、図３に示すように、超音波発振
器１１からの信号により圧電体等の電歪形や磁歪形から
なる振動子１２が縦振動を生じ、この振動がホーン１３
を通過してボンディングヘッド１４に伝えられてヘッド
１４が横振動を起こし、そのヘッド１４が作用点とな
り、ヘッド１４と接触する被加工物に対し、振動による
摩擦熱により溶接したり、振動による加工を行うもので
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の超音波振動子においては、ホーン１３は、振動子１２
で加振した振動の振幅を増加させるためのものである
が、その形状は、振動拡大率を高めるために、例えばエ
クスポーネンシャル形ホーンなどのように複雑な曲面を
有する特定形状の略円すい台形とする必要があり、加工
が非常に難しいという問題があった。
【０００５】また、ホーンの形状から共振周波数を求め
るためには非常に複雑な計算が必要であるために、ホー
ン形状の設計は困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の複雑
な曲面を有するホーンに代えて単純な棒状体を用い、該
棒状体の縦振動の固有振動数と共振して横振動を発生す
る振動突起を該棒状体の側面の、望ましくは最大振幅部
に形成し、さらに、その先端に作用点を形成することに
より、単純な形状で大きな振幅を有する超音波振動子と
なることを見いだした。
【０００７】すなわち、本発明の超音波振動子は、棒状
体の一部に振動子を取り付けて、該棒状体の長さ方向に
縦振動が付勢された振動基体と、該振動基体の側面に形
成され、該振動基体と共振し、かつその先端が作用点と
なる振動突起とを具備したものである。
【０００８】また、前記棒状体は、略同一断面形状であ
ることが望ましく、前記振動突起は、前記振動基体の最
大振幅部に形成されることが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の超音波振動子の一例を図
１に示した。図１は超音波振動子１の斜視図を示すもの
である。図１によれば、超音波振動子１は、棒状体２
と、その一部に取り付けられた振動子３とからなる振動
基体４とを具備する。
【００１０】棒状体２は、鉄や鉄−ニッケル−クロム系
のステンレス綱およびニッケル−クロム綱等の金属から
なり、その形状は、不要な振動の抑制および設計の容易
性の点で断面が略同一形状の棒状体であることが望まし
く、また、断面の形状は、円形でも多角形でもよい。
【００１１】振動子３は、電歪形であるチタン酸バリウ
ムやチタン酸ジルコン酸鉛等の圧電体や、磁歪形である
ニッケルやフェライト等の磁性体が使用できるが、小型
化が可能であるとともに、高い周波数が利用可能である
点で、圧電体が最も望ましい。
【００１２】また、振動子３は、棒状体２の一部に形成
されるものであり、具体的には、棒状体の端面あるいは
棒状体の側面に貼り付けることもできるが、駆動面間で
振動子３と機械的インピーダンスの整合をとるために、
振動子３を棒状体２の端面に貼り付け、さらに振動子３
を、棒状体２および棒状体２と同部材の棒状体２’で挟
持した構造であることが望ましい。また、より大きな変
位を得るために振動子３を複数枚重ねて形成してもよ
い。
【００１３】図１によれば、振動子３は端子板５によっ
て挟持され、また、端子板５は発振器６と接続されてい
る。そして、振動子３が縦振動を生じる周波数の超音波
信号を発振器６に印加することにより、超音波信号が端
子板５を介して振動子３に伝達され、振動子３に縦振動
が生じ、振動基体４が縦振動を起こす。
【００１４】本発明によれば、振動基体４の棒状体２の
側面の一部に、振動基体４の縦振動と共振する特定形状
の振動突起７が形成されていることが重要である。
【００１５】振動数ｆの振動子を有する振動基体に設け
た突起が共振を起こすための突起形状は、一般に、略同
一断面形状を有する片持ちはりの棒状体とその振動数ｆ
との関係を示す数１および数２によって算出することが
できる。
【００１６】
【数１】
【００１７】
【数２】
【００１８】ここで、ｆは振動突起７の共振周波数、λ
は振動数係数（例えば４．６９４）、ｚ4 は振動突起の
高さ、Ｅは振動突起のヤング率、Ｉは断面２次モーメン
ト、ρは振動突起の質量密度、ｘ4 は振動突起の長さ、
ｙは振動突起の幅を示す。
【００１９】本発明によれば、上記数１、２に示される
振動突起７の共振周波数が、前記振動子の周波数と一致
するように振動突起７の高さｚ4 、長さｘ4 、幅ｙを定
めることによって、振動突起７を振動基体４に励起され
た縦振動と共振させることができる結果、振動突起７の
先端に大きな変位量を有する曲げ振動共振を発生させる
ことができる。
【００２０】なお、振動突起７の共振周波数ｆは、振動
突起７の材質および形状のみに依存するため、共振周波
数ｆを得るためには、上記の振動突起７の形状のみを上
記の条件を満足するように設計すればよい。
【００２１】また、振動突起７の形成位置を振動基体４
における縦振動の振幅が最大となる位置とすることによ
り、振動突起７の先端に最も大きな変位量を有する横振
動を発生させることができる。
【００２２】振動突起７は、鉄、鉄−ニッケル−クロム
系のステンレス綱およびニッケル−クロム綱等の金属あ
るいはアルミナやジルコニア等のセラミックスからな
り、使用周波数および用途に適した特性の材質を用いる
ことが望ましい。また、振動突起７の形状は、特に略同
一断面形状を有する棒状体であることが望ましく、ま
た、その断面形状は特に限定されるものではなく、棒状
体の形状は円柱でも多角柱でも円筒でもよい。
【００２３】さらに、振動モードの対称性を高める上で
は、振動突起７を棒状体２に対して線対称となる位置、
すなわち、棒状体２の振動突起７を形成した側面と反対
側の側面にも同じ形状の振動突起７’を形成することが
望ましい。
【００２４】振動突起７の先端には、前述したとおり振
動基体４および振動突起７の振動により大きな変位の横
振動が発生しており、この横振動を利用して振動突起７
の先端に作用ヘッド８を形成する。作用ヘッド８は、横
振動により摩擦熱を発生させて、例えば、金線等の金属
と半導体チップとを溶接するいわゆるワイヤボンディン
グにおけるボンディングヘッドとして用いたり、微小な
領域の研磨を行う超音波加工における研磨ヘッドとして
用いることができる。この振動突起７の先端の作用ヘッ
ド８は、その用途に応じて先端形状を利用しやすい形状
に加工することもできるが、振動突起７の先端に材質の
異なる作用ヘッド８を取り付けることもできる。
【００２５】作用ヘッド８の材質は、その利用法によっ
て異なり、例えば、上記ボンディングヘッドとして利用
する場合には、熱伝導がよく、耐熱性がありかつ溶接す
る物質と反応を起こさない材料によって形成し、前記研
磨ヘッドとして用いる場合には、耐摩耗性および強度等
の機械的特性等に優れた材質によって形成することが望
ましい。
【００２６】また、図１によれば、振動基体４の縦振動
の振幅がゼロとなる位置に固定具９を取り付けることも
可能である。
【００２７】なお、図１では、振動基体４と振動突起７
とを別体として形成し、それらを貼り合わせることによ
り超音波振動子１を形成しているが、本発明によれば、
これに限られるものではなく、研削加工等により振動基
体４と振動突起７とを一体物として形成してもよい。
【００２８】
【実施例】図２に示すように、長さ（ｘ1 ）４３ｍｍ×
幅（ｙ）３ｍｍ×高さ（ｚ1 ）３ｍｍの鉄（質量８×１
０-10 ｋｇｆ・ｓ2 ／ｍｍ4 、ヤング率２１０００ｋｇ
ｆ／ｍｍ2 、ポアソン比０．２９）からなる棒状体２の
一方の端面に、長さ（ｘ2）２ｍｍ×幅（ｙ）３ｍｍ×
高さ（ｚ1 ）３ｍｍのＰＺＴからなる圧電体を端子板を
介して貼り付け、さらに端子板を介して、棒状体２と同
じ材質からなる長さ（ｘ3 ）５ｍｍ×幅（ｙ）３ｍｍ×
高さ（ｚ1 ）３ｍｍの棒状体２’を貼り付けた。また、
棒状体２の圧電体貼り付け面から長さ方向に１６ｍｍの
位置に、棒状体２と同じ材質からなる長さ（ｘ4 ）２ｍ
ｍ×幅（ｙ）３ｍｍ×高さ（ｚ4 ）１１ｍｍの振動突起
を貼り付けた図３の超音波振動子を作製した。
【００２９】得られた超音波振動子について、端子板を
介して７３ｋＨｚの超音波信号を圧電体に印加し、超音
波振動子を最大振幅１０μｍの縦振動を発生させたとこ
ろ、作用点における振幅拡大比は８．５倍となった。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明によれば、
極めて簡単な形状でかつ従来と同等の振幅増幅性能を有
する超音波振動子を容易に作製できるものである。ま
た、本発明の超音波振動子は、比較的簡単に設計するこ
とも可能であるため、超音波信号の周波数および振動子
の作用点での共振周波数を自由に選択することが可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の超音波振動子の一実施例を示す斜視図
である。
【図２】本発明の超音波振動子の形状を説明するための
図である。
【図３】従来の超音波振動子の一例を示す側面図であ
る。
【符号の説明】
１ 超音波振動子 ２、２’ 棒状体 ３ 振動子 ４ 振動基体 ５ 端子板 ６ 発振器 ７、７’ 振動突起 ８ 作用ヘッド ９ 固定具

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】棒状体の一部に振動子を取り付けて、該棒
    状体の長さ方向に縦振動が付勢された振動基体と、該振
    動基体の側面に形成され、該振動基体と共振し、かつそ
    の先端が作用点となる振動突起とを具備した超音波振動
    子。
  2. 【請求項２】前記棒状体が、略同一断面形状であること
    を特徴とする請求項１記載の超音波振動子。
  3. 【請求項３】前記振動突起が、前記振動基体の最大振幅
    部に形成されてなることを特徴とする請求項１記載の超
    音波振動子。
JP24536298A 1998-08-31 1998-08-31 超音波振動子 Expired - Fee Related JP3762111B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24536298A JP3762111B2 (ja) 1998-08-31 1998-08-31 超音波振動子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24536298A JP3762111B2 (ja) 1998-08-31 1998-08-31 超音波振動子

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004048098A Division JP3784391B2 (ja) 2004-02-24 2004-02-24 超音波加工用振動子及び加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000070853A true JP2000070853A (ja) 2000-03-07
JP3762111B2 JP3762111B2 (ja) 2006-04-05

Family

ID=17132546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24536298A Expired - Fee Related JP3762111B2 (ja) 1998-08-31 1998-08-31 超音波振動子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3762111B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009529359A (ja) * 2006-03-10 2009-08-20 デュール デンタル アクチェンゲゼルシャフト 弾性的に撓む連結ボディ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5423349B2 (ja) * 1972-03-13 1979-08-13
JPS6239870U (ja) * 1985-08-23 1987-03-10
JPH0639392U (ja) * 1992-11-02 1994-05-24 株式会社カイジョー 超音波式切断装置
JPH0819877A (ja) * 1994-07-06 1996-01-23 Hitachi Kasei Shoji Kk 超音波接合装置
JPH09122934A (ja) * 1995-08-22 1997-05-13 Arutekusu:Kk 超音波振動接合装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5423349B2 (ja) * 1972-03-13 1979-08-13
JPS6239870U (ja) * 1985-08-23 1987-03-10
JPH0639392U (ja) * 1992-11-02 1994-05-24 株式会社カイジョー 超音波式切断装置
JPH0819877A (ja) * 1994-07-06 1996-01-23 Hitachi Kasei Shoji Kk 超音波接合装置
JPH09122934A (ja) * 1995-08-22 1997-05-13 Arutekusu:Kk 超音波振動接合装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009529359A (ja) * 2006-03-10 2009-08-20 デュール デンタル アクチェンゲゼルシャフト 弾性的に撓む連結ボディ

Also Published As

Publication number Publication date
JP3762111B2 (ja) 2006-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5603445A (en) Ultrasonic wire bonder and transducer improvements
JP2511077B2 (ja) 超音波ナイフ
KR101475541B1 (ko) 긴 혼을 포함하는 초음파 변환기
JP2003318230A (ja) 超音波ホーンおよびこの超音波ホーンを用いた超音波接合装置
JP2003023031A (ja) 超音波ワイヤボンディング用共振器
JP3589482B2 (ja) 圧電振動体
JP3762111B2 (ja) 超音波振動子
JP3784391B2 (ja) 超音波加工用振動子及び加工装置
Lal Silicon-based ultrasonic surgical actuators
JP3932286B2 (ja) ボンディングヘッドおよびこれを備えたボンディング装置
JPH10173476A (ja) 音叉型圧電振動子
JP4070891B2 (ja) 加振形接触センサ
JPH05252767A (ja) 超音波モータ
JP5036124B2 (ja) 超音波複合振動体とその振動体の形成方法
JP5175434B2 (ja) 超音波撓み振動体の支持装置
JP3466327B2 (ja) 無方向性高周波数超音波ワイヤボンダ
JP3866150B2 (ja) ボンディングヘッド及びこれを備えたボンディング装置
Sadiq et al. Ultrasonic cutting with ad 31-mode PMN-PT-driven planar tool
JPH0787710B2 (ja) 超音波リニアモータ
JP4082982B2 (ja) 超音波撓み振動体の支持方法
JPH0634955Y2 (ja) 超音波カッター
JP2002126645A (ja) 超音波振動子
JP2003111457A (ja) 単一の変位素子により複数方向の駆動力を作用するアクチュエータ
JP2001327919A (ja) 音響振動制御材料及び圧電振動体
JP2002343831A (ja) ボンディングヘッド及びこれを備えたボンディング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20031226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040224

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040227

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20040423

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060112

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120120

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees