JP2000058549A

JP2000058549A - 集積回路配線の形成方法

Info

Publication number: JP2000058549A
Application number: JP10220339A
Authority: JP
Inventors: Shuji Asai; 周二浅井
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1998-08-04
Filing date: 1998-08-04
Publication date: 2000-02-25

Abstract

(57)【要約】【課題】従来、絶縁膜をＲＩＥするときにマスクとな
る配線のＡｌやＡｕは弗素系プラズマではほとんどエッ
チングされない。しかし多層配線の厚い絶縁膜を速くエ
ッチングしようとして印加する高周波電力を強めると、
イオンシースによるスパッタ効果で配線金属がエッチン
グされ、絶縁膜表面に再付着して残り、電流リークの要
因になる。【解決手段】基板上に絶縁膜と配線を積み重ね多層配
線を形成した後、各層の配線パターンを和合成したレジ
ストパターンをマスクに前記絶縁膜を垂直にドライエッ
チングして除去し、サイドエッチングを加え、絶縁膜を
保持できる程度に細める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の多
層配線の形成方法に関し、特に配線容量を小さくし高速
動作を可能にする多層配線の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＳｉバイポーラトランジスタやＧ
ａＡｓショットキー接触型電界効果トランジスタを用い
た集積回路により、単位論理ゲート当たり数十ピコ秒で
動作する超高速の信号処理回路や記憶回路が開発されて
いる。これら集積回路で要求されることは少ない消費電
力で高速動作することである。素子数が多くなるほど、
配線が長くなり配線間が狭くなって配線の寄生容量が増
大し、動作速度への影響が大きくなる。寄生容量が大き
いほど、動作速度を確保するために、この静電容量を充
放電する電力が必要になる。速度／電力の性能指数を向
上させるために、寄生容量を削減することが重要にな
る。寄生容量に関係する配線長を短くするには、コンピ
ュータ等の支援により回路の配置を最適化することがな
される。

【０００３】一方、配線間容量を小さくするには第１に
配線間隔を広くすることである。配線の幅と間隔の基準
を１：３や１：５や１：１０と大きくする。しかし信号
線を４ビットや８ビットに対応して並べると配線領域が
広がりチップが大きくなる問題があった。また、層間絶
縁膜を厚くすることで交差する配線容量を下げるように
される。しかし層間絶縁膜の厚さは生産性や基板への応
力から極端に厚くすることはできない。

【０００４】第２に配線間容量を小さく方法として、配
線を比誘電率４のＳｉＯ₂に埋め込むのではなく、比誘
電率１の空気にするエアーブリッジがあった。この形成
はホトレジスト等を層間膜として多層配線を形成した
後、層間膜のホトレジストを溶解して除去し、スルーホ
ールの金属を柱として配線を支える中空構造とする。し
かし長い配線では垂れ下がり、他の配線と接触する問題
があった。このため、配線の保持を改善した方法を特公
平５−６６７３８号（以下、「従来例１」と記す）にお
いて提案した。

【０００５】この多層配線の形成方法を３層配線の例
で、図８（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図８（ａ）
に示すように、まず一般的に３層配線の形成を行う。Ｓ
ｉＯ₂等の絶縁膜２ａに覆われた基板１にアルミニウム
Ａｌもしくは金Ａｕをスパッタ堆積してドライ加工する
第１層配線３ａの形成、絶縁膜２ｂの堆積、ホトレジス
トもしくはスピン・オン・グラス（ＳＯＧ）を塗布して
ドライエッチングする絶縁膜の平坦化、絶縁膜へのスル
ーホール形成、次の第２層配線３ｂの形成、とこのよう
な一連の工程を繰り返すことで３層配線が形成される。

【０００６】図８（ｂ）に示すように、陰極結合・平行
平板型ドライエッチング（リアクティブ・イオン・エッ
チング（ＲＩＥ））で、塩素を含まないＣＦ₄等の弗素
系ガスを用いて絶縁膜２を垂直にエッチングする。絶縁
膜の中にある配線材料のＡｌやＡｕは弗素系ガスではエ
ッチングされないため残り、これら配線の下に板状の絶
縁物５が残る。この残った絶縁物５が配線３を保持す
る。配線の側方の絶縁膜はエッチングで除去されて空気
となるため、配線間容量が低減される。

【０００７】図８（ｃ）は、さらに配線容量を低減する
ため、弗素系ガスによる等方性ドライエッチングで、配
線３の下に残る絶縁膜をサイドエッチングして薄くす
る。一度垂直に加工されているため、横方向は均一に薄
くなる。等方性ドライエッチングは、円筒型や陽極結合
・平行平板型を用いる。

【０００８】また、図示しないが、配線を湿気や腐食か
ら保護するため、絶縁膜を全体に薄く設ける。これは、
図８（ｂ）の状態でサイドエッチングしない場合も、薄
く保護の絶縁膜を設けることが有効である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図８（ｂ）において、
絶縁膜をＲＩＥするときにマスクとするＡｌやＡｕは、
弗素系プラズマではほとんどエッチングされない。しか
し多層配線の厚い絶縁膜を速くエッチングしようとして
印加する高周波電力を強めると、イオンシースによるス
パッタ効果で配線金属がエッチングされるようになる。
問題は、このエッチングされたＡｌやＡｕが絶縁膜表面
に再付着して残り、電流リークの要因になることであ
る。

【００１０】したがって本発明が解決しようとする課題
は、配線間の絶縁膜除去で、配線金属の再付着による電
流リークを抑制し、配線間容量を低減した配線構造を得
ることである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に絶縁膜と配線を積み重ねて多層配線を形成する工程
と、前記多層配線における各層の配線パターンを和合成
したレジストパターンを前記多層配線の上に設ける工程
と、前記レジストパターンをマスクとして前記絶縁膜を
垂直にドライエッチングして除去する工程と、前記レジ
ストパターンを除去する工程と、を有する集積回路配線
の形成方法が提供される。

【００１２】前記和合成した配線パターンから離れた領
域に、ダミーのパターンを併せて設けることができる。

【００１３】また前記絶縁膜を垂直にドライエッチング
する工程と前記レジストパターンを除去する工程との間
に、前記の残った絶縁膜を等方性エッチングで横方向に
細めてもよい。

【００１４】さらに、前記絶縁膜を垂直にドライエッチ
ングする工程の後、前記ダミーパターンを有する場合は
これに対応する前記絶縁膜を覆い、かつ前記配線の上を
間隔を置いて横切るように覆う第２のレジストパターン
を設ける工程と、前記配線の上下に残った絶縁膜を等方
性エッチングし、かつ前記第２のレジストパターンの下
に前記絶縁膜を残すことができる。

【００１５】最後の前記レジストパターンを除去する工
程の後、前記配線を保護する絶縁膜を設けてもよい。

【００１６】さらに本発明によれば、基板上に絶縁膜と
配線を積み重ね多層配線を形成する工程と、前記多層配
線の側方もしくは配線間に開口を有し、かつ前記開口を
閉じた領域が前記配線幅より広く前記配線を帯状に横切
り、かつ前記帯状に横切る領域が前記配線に沿って間隔
を置いて設けられるレジストパターンを前記多層配線の
上に設ける工程と、前記レジストパターンをマスクに前
記絶縁膜を垂直にドライエッチングする工程と、前記配
線の上下に残った絶縁膜を等方性エッチングして除去
し、かつ前記レジストパターンの下に前記絶縁膜を残す
工程と、前記レジストパターンを除去する工程とを有す
る集積回路配線の形成方法が提供される。

【００１７】最後の前記レジストパターンを除去する工
程の後、前記配線を保護する絶縁膜を設けてもよい。

【００１８】本発明はさらに、基板上に絶縁膜と配線を
積み重ねて形成する多層配線において、最小単位の幅の
配線と幅の広い配線とが異なる層で交差する箇所で、前
記の幅の広い配線を長さ方向に前記最小単位の幅以上で
細分化して隙間を開ける集積回路配線の形成方法を提供
する。

【００１９】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図１（ａ）
〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態を説明するため
の工程断面図である。

【００２０】まず従来例１と同様、図８（ａ）に示すよ
うに、３層配線を形成する。厚さ１．５μｍのＳｉＯ₂
等の絶縁膜２ａに覆われた半絶縁性ＧａＡｓ基板１にア
ルミニウムＡｌを厚さ０．５μｍスパッタ堆積し、ホト
レジスト膜をマスクに塩素系ガスを用いてドライ加工し
第１層配線３ａを形成する。プラズマ成長ＳｉＯ₂の絶
縁膜２ｂを厚さ２．０μｍ堆積する。ホトレジスト膜も
しくはスピン・オン・グラス（ＳＯＧ）を塗布し、この
表面の平坦性を利用してドライエッチングして絶縁膜表
面を平坦化する。絶縁膜２ｂの厚さは１．５μｍに減少
し、第１層配線３ａ上の厚さは１．０μｍとなる。

【００２１】絶縁膜２ｂにＲＩＥでスルーホールを形成
し、配線３ａの面を露出する。また、始めと同様に配線
金属をスパッタ堆積し第２層配線３ｂを形成する。この
ような工程を繰り返すことで３層配線が形成される。

【００２２】第１層と第２層の信号配線の配線ルールは
線幅１．０μｍと線間２．５μｍとする。給電配線とし
ての第３層配線は金属厚さを５μｍと厚くしてシート抵
抗を下げる。第３層配線の下、第２層配線の上の絶縁膜
２ｃは平坦化した後に追加堆積して３μｍと厚くし、幅
広い第３層電源配線と第２層信号配線の交差容量を低減
する。絶縁膜の厚さは第１層２ａが１．５μｍ、第２層
２ｂが１．５μｍ、第３層２ｃが３．０μｍで、合計
６．０μｍである。

【００２３】一般的な半導体集積回路の多層配線は、第
１層および第２層が信号配線、第３層が電源配線に割り
当てられる。第１層と第２層各々の信号配線は縦横一方
向に割り当て、立体交差を自由にする。第３層の電源配
線は、ブロック間もしくは回路群間に幅広いものが設け
られ、単位論理回路で信号配線群の上を横切る箇所は幅
の細いものにされ、信号配線の交差容量を低減するよう
に配慮される。また、電源配線として第３層を立体交差
するときには第２層さらには第１層を重ねて用い抵抗を
下げるようにする。

【００２４】なお、図１や図８において配線を全て一方
向に示したが、説明を簡単にするためにこのようにし
た。

【００２５】次に図１（ａ）に示すように、形成された
３層配線の上に各層の配線パターンを重ね合わせたホト
レジストのパターン４を設ける。ホトレジスト膜の厚さ
は２μｍである。このパターン形成は通常のステッパ露
光による。

【００２６】図１（ｂ）に示すようにこのホトレジスト
パターン４をマスクに配線間にある厚さ６μｍの絶縁膜
２をＲＩＥで垂直エッチングする。ＲＩＥは、ＣＨＦ₃
ガス、もしくはＣＦ₄ガスに水素を数十％添加し、Ｓｉ
Ｏ₂／ホトレジストのエッチング選択比を５倍以上に高
める。また、実際には基板表面にあるトランジスタ等の
半導体素子に損傷の影響を与えないように、絶縁膜２を
厚さ０．５μｍ程度残す。図１（ｃ）に示すようにホト
レジストパターン４を除去すると、配線間の絶縁膜が除
去され、配線３が板状の絶縁物５で支えられた配線構造
が残る。

【００２７】従来例１のように直接に配線金属をマスク
にＲＩＥを行うと、対向する配線間がリークで１ｋΩ以
下になることがあったが、このような方法によれば１０
ＭΩ以上の絶縁が維持される。評価したパターンは２つ
櫛状の配線パターンが対向し、伸びた櫛歯が交互に対向
するように入り込んだものである。櫛歯の配線は幅１．
０μｍ、対向する間隔は２．５μｍで、対向する全横幅
は数十ｍｍである。本発明の方法によれば、配線金属が
直接にＲＩＥでスパッタされることがなくなり、配線金
属が再付着して電流のリークパスになることがない。

【００２８】この配線パターンでの配線間容量は、比誘
電率４のＳｉＯ₂に埋め込まれた第２層配線の初期では
９０ｆＦ／ｍｍであるが、配線間のＲＩＥ除去すること
で５０ｆＦ／ｍｍと約半分に下がる。配線間だけである
が、絶縁膜を除去することは有効である。この容量の測
定はパッド等の付属容量を別のパターンで測定し除去し
た。

【００２９】次に図１（ａ）における、３層配線のパタ
ーンを重ね合わせたホトレジストのパターン４の作成に
ついて説明する。パターン作成は計算機援用設計（ＣＡ
Ｄ：Computer Aided Design）を用いて行う。１〜３層
のパターンを和（ＯＲ）で合成し、マージンとして０．
２μｍ広げる。図２（ａ）の上面図を用い改めて説明す
る。配線３のパターンを点線で示す。第１層配線３ａと
この上部を交差する第２層配線３ｂがある。両者を重ね
合わせて和合成し、０．２μｍ広げて実線で示したもの
がホトレジストのパターンである。

【００３０】また、ウエハの裏面研磨やチップの真空吸
着での表面配線を保護するため、配線から離れたパター
ンがない領域にダミーパターン６を設ける。方法は和合
成したパターンを反転（ＮＯＴ）してパターンでない部
分をパターン化し、このパターンを４．０μｍ狭めて元
のパターンに和合成する。反転して狭めたときに細い配
線間のパターンは消えてなくなり、大きな隙間パターン
のみが残る。

【００３１】図２（ａ）の上面図に示したＡ−Ａ'間に
ついてホトレジスト４が設けられた断面を図２（ｂ）に
示す。この後、絶縁膜をＲＩＥでエッチングしホトレジ
ストパターン４を除去した状態を図２（ｃ）に示す。ダ
ミーパターン６の絶縁膜が配線から４μｍ離れるため、
配線寄生容量が抑制され影響が少ない。

【００３２】設けられた絶縁膜のダミーパターンは、ウ
エハ表面形成後にウエハ基板を薄くする裏面研磨で、表
面側を保持するとき、配線が崩れないように保護する。
また、ダイシングしてチップ化した後にケースへの組み
込みで、チップの表面を真空吸着するとき、配線を保護
する。

【００３３】（第２の実施の形態）配線下の板状の絶縁
物５を従来例１と同様に細めることは可能である。図３
（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図１（ｂ）のホトレ
ジスト４をマスクに絶縁膜２をＲＩＥで垂直にエッチン
グし、ホトレジスト４を残した状態で、図３（ａ）に示
すように等方性エッチングにより横方向に０．５μｍサ
イドエッチングし、板状の絶縁物５を約０．４μｍまで
細める。装置はＣＦ₄ガスを用いた円筒型である。始め
に垂直にエッチングされているため、横方向に一定な速
度でエッチングが進む。円筒型エッチング装置はＲＩＥ
のようなイオンシースによるイオンの加速がないため、
配線金属のスパッタがない。

【００３４】また、円筒型に替えて陽極結合の平行平板
型でもイオンシースの作用が少ないため、等方的なエッ
チングが可能である。なお、トランジスタ等の半導体素
子に影響を与えないために、ＲＩＥ後に残す絶縁膜２の
厚さは１．０μｍとする。０．５μｍの等方性エッチン
グ後に、０．５μｍの絶縁膜が残る。

【００３５】図３（ｂ）に示すようにホトレジストパタ
ーン４を剥離除去する。次に図３（ｃ）に示すように、
露出した配線３を湿気等から保護するため、プラズマ窒
化膜（ＳｉＮ_x）の保護絶縁膜７を厚さ０．１μｍと薄
く設ける。

【００３６】第１の実施の形態で述べた対向する配線パ
ターンにおける配線間の抵抗は１０ＭΩ以上で、サイド
エッチングの追加で電流リークの増大はない。円筒型エ
ッチングが化学的で、スパッタ性がないため問題がな
い。

【００３７】この配線パターンで配線間容量は、多層配
線形成後の９０ｆＦ／ｍｍ、ＲＩＥ後の５０ｆＦ／ｍｍ
から、配線を支える板状絶縁物をサイドエッチングで細
めることで４０ｆＦ／ｍｍに下がる。ただし、比誘電率
７のＳｉＮ_x膜で覆うことで配線間容量がすこし増加し
ている。

【００３８】信号配線群の上を横切る給電配線は信号配
線に比べて幅が広い。この領域では図４に示すように、
信号配線１２の上の給電配線１３を幅１．０μｍと間隔
１．４μｍのピッチで隙間を設けて細分化しスリット状
にする。パターンとしては広がるが、給電配線の下の絶
縁膜がサイドエッチングされて少なくなり、給電配線と
信号配線間の静電容量が削減される。一方、薄い板状の
絶縁物が残ることで給電配線が保持される。

【００３９】（第３の実施の形態）第２の実施の形態で
は配線の上下に絶縁膜が薄く残り配線を保持するが、こ
の絶縁膜のために寄生容量が残る。この寄生容量を削減
する方法を、第１の実施の形態における図２（ｃ）に続
き、図５（ａ）〜（ｃ），図６（ｄ）〜（ｅ）を用いて
説明する。

【００４０】図２（ｃ）のように加工した後、図５
（ａ）の上面図に実線で示すようにホトレジストパター
ン８を設ける。細かい点線が配線、荒い破線が絶縁膜の
パターンで、図２（ａ）に対応する。ホトレジストパタ
ーン８は、絶縁膜２のダミーパターン６を覆い、配線部
を横切る４．０μｍの幅で覆い、これを約１０μｍ間隔
で設ける。ＣＡＤ作業では、絶縁膜のダミーパターンを
０．５μｍ広げたパターンを作成し、開口部を横切るよ
うに幅４μｍの長方形パターンを重ね和合成する。この
横切るパターンの配置は、ＣＡＤに配線の交点と端点を
認識させ、各点間を約１０μｍの等分割の間隔で設ける
ように設定する。また、トランジスタ等の半導体素子領
域にも保護用のパターンを設ける。

【００４１】図５（ａ）の上面図におけるＢ−Ｂ'に対
応する断面を図５（ｂ）に示す。第１層配線３ａの中央
に沿ってであり、この上を第２層配線３ｂが横切ってい
る。第１層配線３ａの上部のため、第２層配線３ｂは絶
縁膜２に埋め込まれている。配線を覆うホトレジストパ
ターン８は第１層配線３ａおよびこの上下にある絶縁膜
２を囲むように覆う。絶縁膜２の奥側にあるホトレジス
トパターン８を点線で示す。

【００４２】次に図５（ｃ）に示すように、円筒型エッ
チング装置でＣＦ₄ガスを用いて１．５μｍサイドエッ
チングを行う。ホトレジストパターン８の領域に幅１μ
ｍの絶縁物の柱９が残る。それ以外の配線部分は配線幅
１．０μｍに対応して絶縁膜がサイドエッチングされて
なくなる。なお、この図ではホトレジストより奥側に見
える線は複雑にしないため示してない。そして、ホトレ
ジスト８を除去したところを図６（ｄ）に示す。次に図
６（ｅ）に示すように、露出した配線３を湿気等から保
護するため、プラズマ窒化膜（ＳｉＮ_x）の保護絶縁膜
７を厚さ０．１μｍと薄く設ける。

【００４３】配線パターンでの配線間容量は、多層配線
形成後の９０ｆＦ／ｍｍ、ＲＩＥ後の５０ｆＦ／ｍｍ、
サイドエッチング後の４０ｆＦ／ｍｍに対して、本実施
形態のように一定間隔の絶縁物の柱９に配線が支えられ
たエアブリッジに近づけることで３０ｆＦ／ｍｍと初期
の３０％に下がる。

【００４４】第２の実施の形態で信号配線群の上を横切
る給電配線を幅１．０μｍと間隔１．４μｍでスリット
化することを述べた。この実施の形態ではサイドエッチ
ング量が大きいため、細分化する配線の幅を２．０μｍ
と広くしてパターンの広がりを少なくできる。この場合
は配線下の絶縁膜はサイドエッチングされてなくなる。
一方、給電配線の幅を４μｍとすればこの下に幅１μｍ
の板状の絶縁物が残り、給電配線が保持される。

【００４５】（第４の実施の形態）第３の実施の形態で
は合計２枚の露光ステッパレチクルを必要とする。次に
露光ステッパレチクル１枚でこの仕上がりに近い形状を
得る方法について説明する。

【００４６】図７（ａ）はこのホトレジストのパターン
の上面図である。点線が配線で、この側方に実線で示す
長方形の開口が設けられる。ＣＡＤ作業は、図２（ａ）
に示した配線パターンおよびこれから一定間隔離れたダ
ミーパターンで形成される各々の間の開口部に、図５
（ａ）と同様に配線とこの開口を横切るように長方形の
パターンを約１０μｍの毎の間隔で重ね和合成する。こ
の横切るパターンの幅は３μｍとする。この横切るパタ
ーンの配置は、ＣＡＤに配線の交点と端点を認識させ、
各点間を約１０μｍの等分割の間隔で設けるように設定
する。また、信号配線の上を横切る領域の給電配線は線
幅３．０μｍ，間隔１．２μｍのピッチで細分化してス
リット化する。

【００４７】ホトレジストパターンを設けた後の加工は
これまで述べた工程を組み合わせる。ＲＩＥで絶縁膜を
垂直にエッチングし、円筒型エッチング装置で絶縁膜を
１μｍサイドエッチングし、ホトレジストパターンを除
去する。図７（ｂ）に示すように、幅１μｍ配線の下の
絶縁膜は除去される。一方、配線を横切るように設けた
幅３μｍのホトレジストパターンや細分化した給電配線
の下には絶縁物１０が約１μｍの幅で板状もしくは節状
に残る。この後これまでの実施の形態で述べた通り、プ
ラズマ窒化膜（ＳｉＮ_x）の保護絶縁膜７を厚さ０．１
μｍと薄く設け、配線を保護する。

【００４８】この節状に残る絶縁膜１０が配線３を保持
する。節状の絶縁膜がダミーパターン６に接続されるた
め、第３の実施の形態におえる柱状に比べ配線を保持す
る強度が大きい。配線容量は、配線方向に対して約１
０：１の割合で絶縁膜が存在するが、大半が中空のため
寄生容量が削減される。

【００４９】また、トランジスタ等の半導体素子に影響
を与えないために、ＲＩＥ後に残す絶縁膜２の厚さは
１．５μｍとする。１．０μｍの等方性エッチング後
に、０．５μｍの絶縁膜が残る。

【００５０】以上述べた一連の集積回路配線の形成方法
は、アナログ集積回路やマイクロ波集積回路に使用され
るスパイラル型等のインダクタやコイルにも有用であ
る。これらは多層配線群として構成され、配線間の寄生
容量を低減し高周波性能を高めることが必要とされる。
本発明の多層配線の形成方法により配線間の絶縁物を大
半除去することで寄生容量が低減できる。

【００５１】

【発明の効果】本発明の集積回路配線の形成方法は、多
層配線をレジストで覆って配線間の絶縁膜除去すること
で、配線金属の再付着による電流リークを抑制できる。
また、配線の横の絶縁膜を除去し、配線の上下の絶縁膜
も配線を保持できる程度に細めることで、配線の寄生容
量を低減でき、集積回路の動作速度／電力の性能指数を
向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施の形態を
説明するための工程断面図。

【図２】本発明の第１の実施の形態を説明するための図
で、（ａ）は上面図、（ｂ）および（ｃ）は工程断面
図。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施の形態を
説明するための工程断面図。

【図４】本発明の第２の実施の形態を説明するための上
面図。

【図５】本発明の第３の実施の形態を説明するための図
で、（ａ）は上面図、（ｂ）（ｃ）は工程断面図。

【図６】（ｄ）〜（ｅ）は図５（ｃ）に続く工程断面
図。

【図７】（ａ），（ｂ）は本発明の第４の実施の形態を
説明するための上面図。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は従来例を説明するための工程
断面図。

【符号の説明】

１基板２，２ａ，２ｂ，２ｃ絶縁膜３配線３ａ第１層配線３ｂ第２層配線３ｃ第３層配線４ホトレジスト５絶縁物６ダミーパターン７保護絶縁膜８ホトレジスト９絶縁物柱１０開口パターン１１節状の絶縁物１２信号配線１３給電配線１４隙間

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に絶縁膜と配線を積み重ねて多層
配線を形成する工程と、前記多層配線における各層の配
線パターンを和合成したレジストパターンを前記多層配
線の上に設ける工程と、前記レジストパターンをマスク
として前記絶縁膜を垂直にドライエッチングして除去す
る工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、を
有する集積回路配線の形成方法。
【請求項２】前記和合成した配線パターンから離れた
領域にダミーのパターンを併せて設ける請求項１に記載
の方法。
【請求項３】前記絶縁膜を垂直にドライエッチングす
る工程と前記レジストパターンを除去する工程との間
に、前記の残った絶縁膜を等方性エッチングで横方向に
細める工程を有する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】前記絶縁膜を垂直にドライエッチングす
る工程の後、前記ダミーパターンを有する場合はこれに
対応する前記絶縁膜を覆い、かつ前記配線の上を間隔を
置いて横切るように覆う第２のレジストパターンを設け
る工程と、前記配線の上下に残った絶縁膜を等方性エッ
チングし、かつ前記第２のレジストパターンの下に前記
絶縁膜を残す工程とを有する請求項１または３に記載の
方法。
【請求項５】最後の前記レジストパターンを除去する
工程の後、前記配線を保護する絶縁膜を設ける工程とを
有する請求項１，３または４に記載の方法。
【請求項６】基板上に絶縁膜と配線を積み重ね多層配
線を形成する工程と、前記多層配線の側方もしくは配線
間に開口を有し、かつ前記開口を閉じた領域が前記配線
幅より広く前記配線を帯状に横切り、かつ前記帯状に横
切る領域が前記配線に沿って間隔を置いて設けられるレ
ジストパターンを前記多層配線の上に設ける工程と、前
記レジストパターンをマスクに前記絶縁膜を垂直にドラ
イエッチングする工程と、前記配線の上下に残った絶縁
膜を等方性エッチングして除去し、かつ前記レジストパ
ターンの下に前記絶縁膜を残す工程と、前記レジストパ
ターンを除去する工程とを有する集積回路配線の形成方
法。
【請求項７】最後の前記レジストパターンを除去する
工程の後、前記配線を保護する絶縁膜を設ける工程とを
有する請求項６に記載の方法。
【請求項８】基板上に絶縁膜と配線を積み重ねて形成
する多層配線において、最小単位の幅の配線と幅の広い
配線とが異なる層で交差する箇所で、前記の幅の広い配
線を長さ方向に前記最小単位の幅以上で細分化して隙間
を開ける集積回路配線の形成方法。