JP2000058320A - ソレノイド駆動回路 - Google Patents
ソレノイド駆動回路Info
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- JP2000058320A JP2000058320A JP10233569A JP23356998A JP2000058320A JP 2000058320 A JP2000058320 A JP 2000058320A JP 10233569 A JP10233569 A JP 10233569A JP 23356998 A JP23356998 A JP 23356998A JP 2000058320 A JP2000058320 A JP 2000058320A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流検出抵抗を用いることなくソレノイド電
流の検出が可能で、回路を小型化することのできるソレ
ノイド駆動回路を提供する。 【解決手段】 ソレノイド駆動信号が与えられた場合
に、制御手段１がソレノイド４の通電回路に直列挿入さ
れたＭＯＳ−ＦＥＴ２をオン状態に制御し、電流検出手
段３がＭＯＳ−ＦＥＴ２のオン抵抗を電流検出抵抗とし
てソレノイド４に流れるソレノイド電流を検出する。制
御手段１は、電流検出手段３のソレノイド電流の検出に
基づいてソレノイド４を駆動する。
流の検出が可能で、回路を小型化することのできるソレ
ノイド駆動回路を提供する。 【解決手段】 ソレノイド駆動信号が与えられた場合
に、制御手段１がソレノイド４の通電回路に直列挿入さ
れたＭＯＳ−ＦＥＴ２をオン状態に制御し、電流検出手
段３がＭＯＳ−ＦＥＴ２のオン抵抗を電流検出抵抗とし
てソレノイド４に流れるソレノイド電流を検出する。制
御手段１は、電流検出手段３のソレノイド電流の検出に
基づいてソレノイド４を駆動する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ソレノイドによっ
て開閉制御される内燃機関の燃料噴射弁などのソレノイ
ド駆動回路に関する。
て開閉制御される内燃機関の燃料噴射弁などのソレノイ
ド駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ソレノイドによって開閉制御される燃料
噴射弁などのソレノイド駆動回路においては、従来、ソ
レノイドの通電回路に電流検出抵抗を直列挿入し、この
電流検出抵抗の両端に生ずる電位差からソレノイドに流
れるソレノイド電流を検出し、これに基づいてソレノイ
ドの駆動制御を行うようになっている。
噴射弁などのソレノイド駆動回路においては、従来、ソ
レノイドの通電回路に電流検出抵抗を直列挿入し、この
電流検出抵抗の両端に生ずる電位差からソレノイドに流
れるソレノイド電流を検出し、これに基づいてソレノイ
ドの駆動制御を行うようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなソレノイド駆動回路では、電流検出抵抗を用いるの
で、それによる電力損失などの問題を生じるばかりでな
く、電流検出抵抗自体の寸法が比較的大きいので、回路
を小型化することができない。
うなソレノイド駆動回路では、電流検出抵抗を用いるの
で、それによる電力損失などの問題を生じるばかりでな
く、電流検出抵抗自体の寸法が比較的大きいので、回路
を小型化することができない。
【０００４】また、従来のソレノイド駆動回路は、エン
ジンに設けられた燃料噴射弁から離間した車両のキャビ
ン側に設けられるなどのように、ソレノイドを有する燃
料噴射弁などの電磁弁とは別の位置に設けられるので、
ソレノイドの通電回路すなわちパワーラインが長くな
り、配線の煩雑化を招来するばかりでなく、パワーライ
ンからのノイズおよびパワーラインによる電力損失が増
大するなどの問題があった。
ジンに設けられた燃料噴射弁から離間した車両のキャビ
ン側に設けられるなどのように、ソレノイドを有する燃
料噴射弁などの電磁弁とは別の位置に設けられるので、
ソレノイドの通電回路すなわちパワーラインが長くな
り、配線の煩雑化を招来するばかりでなく、パワーライ
ンからのノイズおよびパワーラインによる電力損失が増
大するなどの問題があった。
【０００５】本発明は上記観点に基づいてなされたもの
で、その目的は、電流検出抵抗を用いることなくソレノ
イド電流の検出が可能で、回路を小型化することのでき
るソレノイド駆動回路を提供することにある。
で、その目的は、電流検出抵抗を用いることなくソレノ
イド電流の検出が可能で、回路を小型化することのでき
るソレノイド駆動回路を提供することにある。
【０００６】また、本発明の別の目的は、ソレノイドを
有する燃料噴射弁などの電磁弁に実装することにより、
ソレノイドのパワーラインを極めて短くすることのでき
るソレノイド駆動回路を提供することにある。
有する燃料噴射弁などの電磁弁に実装することにより、
ソレノイドのパワーラインを極めて短くすることのでき
るソレノイド駆動回路を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明においては、ソレ
ノイドの通電回路に直列挿入されたＭＯＳ−ＦＥＴと、
前記ＭＯＳ−ＦＥＴのオン抵抗を電流検出抵抗として前
記ソレノイドに流れるソレノイド電流を検出する電流検
出手段と、外部からソレノイド駆動信号が与えられるこ
とで、前記ＭＯＳ−ＦＥＴをオン状態に制御すると共
に、前記電流検出手段のソレノイド電流の検出に基づい
て前記ソレノイドの駆動を制御し、前記ソレノイド駆動
信号の終了で前記ＭＯＳ−ＦＥＴをオフ状態に制御する
と共に前記ソレノイドの駆動制御を停止する制御手段と
を有するソレノイド駆動回路によって、上記目的を達成
する。
ノイドの通電回路に直列挿入されたＭＯＳ−ＦＥＴと、
前記ＭＯＳ−ＦＥＴのオン抵抗を電流検出抵抗として前
記ソレノイドに流れるソレノイド電流を検出する電流検
出手段と、外部からソレノイド駆動信号が与えられるこ
とで、前記ＭＯＳ−ＦＥＴをオン状態に制御すると共
に、前記電流検出手段のソレノイド電流の検出に基づい
て前記ソレノイドの駆動を制御し、前記ソレノイド駆動
信号の終了で前記ＭＯＳ−ＦＥＴをオフ状態に制御する
と共に前記ソレノイドの駆動制御を停止する制御手段と
を有するソレノイド駆動回路によって、上記目的を達成
する。
【０００８】このような構成によれば、ソレノイドの通
電回路に直列挿入されたＭＯＳ−ＦＥＴのオン抵抗を電
流検出抵抗として用いるので、電流検出抵抗を用いるこ
となくソレノイド電流の検出が可能となり、また、ＭＯ
Ｓ−ＦＥＴは電流検出抵抗と比較して極めて小さいの
で、ソレノイド駆動回路を小型化することができる。
電回路に直列挿入されたＭＯＳ−ＦＥＴのオン抵抗を電
流検出抵抗として用いるので、電流検出抵抗を用いるこ
となくソレノイド電流の検出が可能となり、また、ＭＯ
Ｓ−ＦＥＴは電流検出抵抗と比較して極めて小さいの
で、ソレノイド駆動回路を小型化することができる。
【０００９】また、本発明によれば、ソレノイド駆動回
路の小型化によりソレノイドを有する燃料噴射弁などの
電磁弁に実装することができ、ソレノイドのパワーライ
ンを短くすることができる。
路の小型化によりソレノイドを有する燃料噴射弁などの
電磁弁に実装することができ、ソレノイドのパワーライ
ンを短くすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態の一例
を示す回路図で、１は制御手段、２はＮチャンネルのパ
ワーＭＯＳ−ＦＥＴ、３は電流検出手段、４はソレノイ
ドである。本例では、ソレノイド４は内燃機関の燃料噴
射弁のソレノイドである。
を示す回路図で、１は制御手段、２はＮチャンネルのパ
ワーＭＯＳ−ＦＥＴ、３は電流検出手段、４はソレノイ
ドである。本例では、ソレノイド４は内燃機関の燃料噴
射弁のソレノイドである。
【００１１】制御手段１は、基準電圧回路５、コンパレ
ータ６、ＰチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ７および
制御回路８を有している。基準電圧回路５は、第１の基
準電圧Ｖ1 と、この第１の基準電圧Ｖ1 よりも低い第２
の基準電圧Ｖ2 とを有し、制御回路８の制御下で第１の
基準電圧Ｖ1 または第２の基準電圧Ｖ2 をコンパレータ
６のネガティブ入力端子に与えるようになっている。コ
ンパレータ６は、ポジティブ入力端子が電流検出手段３
の出力電圧を受け、出力端子が、抵抗９を介してＭＯＳ
−ＦＥＴ７のゲートに接続されていると共に、抵抗１０
を介してポジティブ入力端子に接続されている。コンパ
レータ６の出力端子は更に制御信号線１１を介して制御
回路８に接続されており、後述するように制御回路８か
らＭＯＳ−ＦＥＴ７をオフするためのオフ信号が与えら
れるようになっている。このようなコンパレータ６は、
電流検出手段３の出力電圧が第１または第２の基準電圧
Ｖ1 ，Ｖ2 以下の場合にＬレベル出力をＭＯＳ−ＦＥＴ
７のゲートに与え、電流検出手段３の出力電圧が第１ま
たは第２の基準電圧Ｖ1 ，Ｖ2 以上となることでＨレベ
ル出力をＭＯＳ−ＦＥＴ７のゲートに与える。ＭＯＳ−
ＦＥＴ７のソースは図示しない車載バッテリからバッテ
リ電圧ＶB を受けるパワーライン１２に接続され、その
ドレインは、逆挿入のダイオード１３を介してグランド
されていると共に、ソレノイド４の一端に接続されてい
る。このようなＰチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ７
は、コンパレータ６のＬレベル出力でオン状態となり、
そのＨレベル出力でオフ状態になる。
ータ６、ＰチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ７および
制御回路８を有している。基準電圧回路５は、第１の基
準電圧Ｖ1 と、この第１の基準電圧Ｖ1 よりも低い第２
の基準電圧Ｖ2 とを有し、制御回路８の制御下で第１の
基準電圧Ｖ1 または第２の基準電圧Ｖ2 をコンパレータ
６のネガティブ入力端子に与えるようになっている。コ
ンパレータ６は、ポジティブ入力端子が電流検出手段３
の出力電圧を受け、出力端子が、抵抗９を介してＭＯＳ
−ＦＥＴ７のゲートに接続されていると共に、抵抗１０
を介してポジティブ入力端子に接続されている。コンパ
レータ６の出力端子は更に制御信号線１１を介して制御
回路８に接続されており、後述するように制御回路８か
らＭＯＳ−ＦＥＴ７をオフするためのオフ信号が与えら
れるようになっている。このようなコンパレータ６は、
電流検出手段３の出力電圧が第１または第２の基準電圧
Ｖ1 ，Ｖ2 以下の場合にＬレベル出力をＭＯＳ−ＦＥＴ
７のゲートに与え、電流検出手段３の出力電圧が第１ま
たは第２の基準電圧Ｖ1 ，Ｖ2 以上となることでＨレベ
ル出力をＭＯＳ−ＦＥＴ７のゲートに与える。ＭＯＳ−
ＦＥＴ７のソースは図示しない車載バッテリからバッテ
リ電圧ＶB を受けるパワーライン１２に接続され、その
ドレインは、逆挿入のダイオード１３を介してグランド
されていると共に、ソレノイド４の一端に接続されてい
る。このようなＰチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ７
は、コンパレータ６のＬレベル出力でオン状態となり、
そのＨレベル出力でオフ状態になる。
【００１２】ＮチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ２
は、ドレインがソレノイド４の他端に接続され、ソース
がグランドされている共に、ゲートが制御回路８に接続
されており、制御手段１の制御回路８によってオン／オ
フ制御されるようになっている。
は、ドレインがソレノイド４の他端に接続され、ソース
がグランドされている共に、ゲートが制御回路８に接続
されており、制御手段１の制御回路８によってオン／オ
フ制御されるようになっている。
【００１３】電流検出手段３はＯＰアンプ１４を有して
いる。ＯＰアンプ１４のポジティブ入力端子はソレノイ
ド４の他端とＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレインとの間に接続
され、ネガティブ入力端子が抵抗１５を介してグランド
されていると共に抵抗１６を介して出力端子に接続され
ている。ＯＰアンプ１３の出力端子は制御手段１のコン
パレータ６のポジティブ入力端子に接続されている。こ
のような電流検出手段３は、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のオン抵
抗を電流検出抵抗としてソレノイド４に流れるソレノイ
ド電流を電圧検出し、これを増幅してコンパレータ６に
与える。
いる。ＯＰアンプ１４のポジティブ入力端子はソレノイ
ド４の他端とＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレインとの間に接続
され、ネガティブ入力端子が抵抗１５を介してグランド
されていると共に抵抗１６を介して出力端子に接続され
ている。ＯＰアンプ１３の出力端子は制御手段１のコン
パレータ６のポジティブ入力端子に接続されている。こ
のような電流検出手段３は、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のオン抵
抗を電流検出抵抗としてソレノイド４に流れるソレノイ
ド電流を電圧検出し、これを増幅してコンパレータ６に
与える。
【００１４】制御手段１の制御回路８は、外部からソレ
ノイド駆動信号を入力し、ソレノイド駆動信号が与えら
れている間、制御信号線１１をハイインピーダンス状態
にすると共にＭＯＳ−ＦＥＴ２をオン状態に制御し、ソ
レノイド駆動信号が終了することで、制御信号線１１に
Ｈレベルのオフ信号を与えると共にＭＯＳ−ＦＥＴ２を
オフ状態に制御する。制御信号線１１がハイインピーダ
ンス状態に制御されることで、コンパレータ６によるＭ
ＯＳ−ＦＥＴ７のオン／オフ制御が許容され、制御信号
線１１にＨレベルのオフ信号が与えられることで、ＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ７がオフ状態になり、コンパレータ６による
オン／オフ制御が禁止されることとなる。また、制御回
路８は、ソレノイド駆動信号が与えられた場合に、始動
期間の間第１の基準電圧Ｖ1 を与え、保持期間の間第１
の基準電圧Ｖ1 よりも低い第２の基準電圧Ｖ2 を与える
ように、基準電圧回路５を制御する。
ノイド駆動信号を入力し、ソレノイド駆動信号が与えら
れている間、制御信号線１１をハイインピーダンス状態
にすると共にＭＯＳ−ＦＥＴ２をオン状態に制御し、ソ
レノイド駆動信号が終了することで、制御信号線１１に
Ｈレベルのオフ信号を与えると共にＭＯＳ−ＦＥＴ２を
オフ状態に制御する。制御信号線１１がハイインピーダ
ンス状態に制御されることで、コンパレータ６によるＭ
ＯＳ−ＦＥＴ７のオン／オフ制御が許容され、制御信号
線１１にＨレベルのオフ信号が与えられることで、ＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ７がオフ状態になり、コンパレータ６による
オン／オフ制御が禁止されることとなる。また、制御回
路８は、ソレノイド駆動信号が与えられた場合に、始動
期間の間第１の基準電圧Ｖ1 を与え、保持期間の間第１
の基準電圧Ｖ1 よりも低い第２の基準電圧Ｖ2 を与える
ように、基準電圧回路５を制御する。
【００１５】更に、ＰチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ２のドレインとゲートとの間にツェナーダイオード１
７，ダイオード１８および第１の抵抗１９の直列接続が
挿入されていると共に、そのゲートとソースとの間に第
２の抵抗２０が挿入されている。これにより、ソレノイ
ド駆動信号の終了でＭＯＳ−ＦＥＴ７および２がオフさ
れた際にソレノイド４に発生する誘導エネルギの放電時
間を、ツェナーダイオード１７および第１，第２の抵抗
１９，２０により調節することができる。すなわち、ソ
レノイド駆動信号の終了でＭＯＳ−ＦＥＴ７および２が
オフされると、ソレノイド４の誘導エネルギによりＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ２のゲート電圧が上がりオン抵抗の高い不完
全なオン状態になると共に、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレイ
ン電圧がツェナーダイオード１７および第１，第２の抵
抗１９，２０によって決まる電圧値に上昇する。ドレイ
ン電圧がある程度高くなるようにツェナーダイオード１
７および第１，第２の抵抗１９，２０を設定すれば、ド
レイン電圧の上昇に伴うゲート電圧の上昇でＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ２がより速く完全なオン状態になり、ソレノイド４
の誘導エネルギがＭＯＳ−ＦＥＴ２を通して放電され、
放電時間が短くなり、従って燃料噴射弁をより速く閉弁
させることができる。しかし、ドレイン電圧を高く設定
しすぎると逆効果を招来するので、燃料噴射弁の場合、
ドレイン電圧が５０Ｖ程度になるようにツェナーダイオ
ード１７および第１，第２の抵抗１９，２０が設定され
る。なお、ダイオード１８は、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のオン
制御の際に制御回路８から与えられるゲート電圧がドレ
インに流れ込まないようにするためのゲート電圧保持用
である。
Ｔ２のドレインとゲートとの間にツェナーダイオード１
７，ダイオード１８および第１の抵抗１９の直列接続が
挿入されていると共に、そのゲートとソースとの間に第
２の抵抗２０が挿入されている。これにより、ソレノイ
ド駆動信号の終了でＭＯＳ−ＦＥＴ７および２がオフさ
れた際にソレノイド４に発生する誘導エネルギの放電時
間を、ツェナーダイオード１７および第１，第２の抵抗
１９，２０により調節することができる。すなわち、ソ
レノイド駆動信号の終了でＭＯＳ−ＦＥＴ７および２が
オフされると、ソレノイド４の誘導エネルギによりＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ２のゲート電圧が上がりオン抵抗の高い不完
全なオン状態になると共に、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレイ
ン電圧がツェナーダイオード１７および第１，第２の抵
抗１９，２０によって決まる電圧値に上昇する。ドレイ
ン電圧がある程度高くなるようにツェナーダイオード１
７および第１，第２の抵抗１９，２０を設定すれば、ド
レイン電圧の上昇に伴うゲート電圧の上昇でＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ２がより速く完全なオン状態になり、ソレノイド４
の誘導エネルギがＭＯＳ−ＦＥＴ２を通して放電され、
放電時間が短くなり、従って燃料噴射弁をより速く閉弁
させることができる。しかし、ドレイン電圧を高く設定
しすぎると逆効果を招来するので、燃料噴射弁の場合、
ドレイン電圧が５０Ｖ程度になるようにツェナーダイオ
ード１７および第１，第２の抵抗１９，２０が設定され
る。なお、ダイオード１８は、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のオン
制御の際に制御回路８から与えられるゲート電圧がドレ
インに流れ込まないようにするためのゲート電圧保持用
である。
【００１６】このような構成のソレノイド駆動回路は燃
料噴射弁に実装される。図２は燃料噴射弁への実装の一
例を示す構成図で、３０は燃料噴射弁、３１は図１のソ
レノイド駆動回路である。
料噴射弁に実装される。図２は燃料噴射弁への実装の一
例を示す構成図で、３０は燃料噴射弁、３１は図１のソ
レノイド駆動回路である。
【００１７】燃料噴射弁３０は、ステータ３２、ステー
タ３２の下部に設けられたバルブハウジング３３、およ
びステータ３２の上部に設けられた実装部３４を有して
いる。
タ３２の下部に設けられたバルブハウジング３３、およ
びステータ３２の上部に設けられた実装部３４を有して
いる。
【００１８】ステータ３２は、第１円筒部３５と第２円
筒部３６と環状部３７とを有し、第１および第２円筒部
３５，３６と環状部３７とによって形成されたソレノイ
ド収納室３８にソレノイド４を収納している。ステータ
３２の第１円筒部３５の下方には筒状のアーマチュア３
９が設けられている。アーマチュア３９は、ステータ３
２の環状部３７の内周面３７ａおよびバルブハウジング
３３の内面を摺動面として、上下動自在に設けられてい
る。アーマチュア３９の下部には弁軸４０が結合されて
おり、アーマチュア３９と共に上下動するようになって
いる。弁軸４０は、下端に弁体４１を有し、弁体４１の
バルブシート部４１ａを開閉することによって、バルブ
ハウジング３３に形成された噴射口４２を開閉するよう
になっている。４３はスプリングで、アーマチュア３９
および弁軸４０を噴射口４２が閉弁する方向に付勢して
いる。
筒部３６と環状部３７とを有し、第１および第２円筒部
３５，３６と環状部３７とによって形成されたソレノイ
ド収納室３８にソレノイド４を収納している。ステータ
３２の第１円筒部３５の下方には筒状のアーマチュア３
９が設けられている。アーマチュア３９は、ステータ３
２の環状部３７の内周面３７ａおよびバルブハウジング
３３の内面を摺動面として、上下動自在に設けられてい
る。アーマチュア３９の下部には弁軸４０が結合されて
おり、アーマチュア３９と共に上下動するようになって
いる。弁軸４０は、下端に弁体４１を有し、弁体４１の
バルブシート部４１ａを開閉することによって、バルブ
ハウジング３３に形成された噴射口４２を開閉するよう
になっている。４３はスプリングで、アーマチュア３９
および弁軸４０を噴射口４２が閉弁する方向に付勢して
いる。
【００１９】実装部３４は中央部分に燃料通路４４を有
し、この燃料通路４４から燃料が、ステータ３２の第１
円筒部３５の上面に開口形成された燃料通路４５、アー
マチュア３９の内部、弁軸４０に形成された燃料通路４
６、および弁体４１の側部に形成された燃料通路４７を
通して、バルブシート部４１ａに与えられるようになっ
ている。実装部３４は例えば樹脂で形成され、実装部３
４の燃料通路４４は例えばアルミニウムなどの金属で形
成される。実装部３４にはソレノイド駆動回路３１を収
納するための収納凹部４８が燃料通路４４の軸方向外側
部に形成され、ソレノイド駆動回路３１が、燃料通路４
４を通して燃料温度を受けるように、燃料通路４４の軸
方向外側部に電気的絶縁を介して設けられる。ソレノイ
ド駆動回路３１はソレノイド４およびコネクタ４９に接
続されており、コネクタ４９を介してソレノイド駆動回
路３１にソレノイド駆動信号およびバッテリ電圧ＶB が
与えられるようになっている。ソレノイド駆動回路３１
が実装された収納凹部４８には例えば樹脂が充填され、
これによってソレノイド駆動回路３１が液密に固定保持
される。このように、ソレノイド駆動回路３１は燃料温
度を受けるように設けられているので、後述するように
燃料噴射弁３０の燃料温度に対する応答特性を補正する
ことができると共に、燃料通路４４を通る燃料温度は１
００℃以上にはならないので、ソレノイド駆動回路３１
の極端な温度上昇を防止することができる。
し、この燃料通路４４から燃料が、ステータ３２の第１
円筒部３５の上面に開口形成された燃料通路４５、アー
マチュア３９の内部、弁軸４０に形成された燃料通路４
６、および弁体４１の側部に形成された燃料通路４７を
通して、バルブシート部４１ａに与えられるようになっ
ている。実装部３４は例えば樹脂で形成され、実装部３
４の燃料通路４４は例えばアルミニウムなどの金属で形
成される。実装部３４にはソレノイド駆動回路３１を収
納するための収納凹部４８が燃料通路４４の軸方向外側
部に形成され、ソレノイド駆動回路３１が、燃料通路４
４を通して燃料温度を受けるように、燃料通路４４の軸
方向外側部に電気的絶縁を介して設けられる。ソレノイ
ド駆動回路３１はソレノイド４およびコネクタ４９に接
続されており、コネクタ４９を介してソレノイド駆動回
路３１にソレノイド駆動信号およびバッテリ電圧ＶB が
与えられるようになっている。ソレノイド駆動回路３１
が実装された収納凹部４８には例えば樹脂が充填され、
これによってソレノイド駆動回路３１が液密に固定保持
される。このように、ソレノイド駆動回路３１は燃料温
度を受けるように設けられているので、後述するように
燃料噴射弁３０の燃料温度に対する応答特性を補正する
ことができると共に、燃料通路４４を通る燃料温度は１
００℃以上にはならないので、ソレノイド駆動回路３１
の極端な温度上昇を防止することができる。
【００２０】燃料噴射弁３０は、ソレノイド４が非励磁
の状態ではスプリング４３の付勢によりバルブシート部
４１ａが閉弁状態となり、ソレノイド４が励磁されるこ
とでアーマチュア３９および弁軸４０がスプリング４３
の付勢力に抗してステータ３２に吸引されてバルブシー
ト部４１ａが開弁するが、燃料温度によって燃料噴射弁
の応答特性が異なってくる。すなわち、燃料温度が低い
場合には、燃料の粘性が高くなるので摺動抵抗が増大
し、燃料噴射弁の応答が遅くなり、一方、燃料温度が高
くなると、燃料の粘性が低くなるので摺動抵抗が小とな
り、燃料噴射弁の応答が速くなる。燃料温度を受けるよ
うに設けられたソレノイド駆動回路３１のＮチャンネル
のパワーＭＯＳ−ＦＥＴ２のオン抵抗は正の温度特性を
有しているので、燃料温度が低い場合にはその抵抗値が
小となりソレノイド電流を増大させ、燃料温度が高くな
ると大となりソレノイド電流を低減させる。従って、応
答が遅くなる燃料温度の低い場合にソレノイド電流を増
大して応答遅れを補正し、また、応答が速くなる燃料温
度の高い場合にソレノイド電流を低減して応答が速くな
るのを補正するので、燃料温度に拘らず燃料噴射弁３０
の応答特性が一定となるように補正されることとなる。
ＭＯＳ−ＦＥＴ２のオン抵抗のバラツキおよび燃料噴射
弁３０の製造バラツキなどによる影響は、電流検出手段
３における帰還抵抗１６の調節や抵抗１５に代えてポジ
スタあるいはサーミスタを用いてＯＰアンプ１４のゲイ
ンを調整するなどにより、容易に対応することができ
る。
の状態ではスプリング４３の付勢によりバルブシート部
４１ａが閉弁状態となり、ソレノイド４が励磁されるこ
とでアーマチュア３９および弁軸４０がスプリング４３
の付勢力に抗してステータ３２に吸引されてバルブシー
ト部４１ａが開弁するが、燃料温度によって燃料噴射弁
の応答特性が異なってくる。すなわち、燃料温度が低い
場合には、燃料の粘性が高くなるので摺動抵抗が増大
し、燃料噴射弁の応答が遅くなり、一方、燃料温度が高
くなると、燃料の粘性が低くなるので摺動抵抗が小とな
り、燃料噴射弁の応答が速くなる。燃料温度を受けるよ
うに設けられたソレノイド駆動回路３１のＮチャンネル
のパワーＭＯＳ−ＦＥＴ２のオン抵抗は正の温度特性を
有しているので、燃料温度が低い場合にはその抵抗値が
小となりソレノイド電流を増大させ、燃料温度が高くな
ると大となりソレノイド電流を低減させる。従って、応
答が遅くなる燃料温度の低い場合にソレノイド電流を増
大して応答遅れを補正し、また、応答が速くなる燃料温
度の高い場合にソレノイド電流を低減して応答が速くな
るのを補正するので、燃料温度に拘らず燃料噴射弁３０
の応答特性が一定となるように補正されることとなる。
ＭＯＳ−ＦＥＴ２のオン抵抗のバラツキおよび燃料噴射
弁３０の製造バラツキなどによる影響は、電流検出手段
３における帰還抵抗１６の調節や抵抗１５に代えてポジ
スタあるいはサーミスタを用いてＯＰアンプ１４のゲイ
ンを調整するなどにより、容易に対応することができ
る。
【００２１】図３は図１のソレノイド駆動回路の動作タ
イムチャートで、（ａ）はソレノイド駆動信号、（ｂ）
は基準電圧回路５の第１および第２の基準電圧Ｖ1 ，Ｖ
2 、（ｃ）はＮチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ２の
オン／オフ、（ｄ）はＰチャンネルのパワーＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ７のオン／オフ、（ｅ）はソレノイド４に流れるソ
レノイド電流である。
イムチャートで、（ａ）はソレノイド駆動信号、（ｂ）
は基準電圧回路５の第１および第２の基準電圧Ｖ1 ，Ｖ
2 、（ｃ）はＮチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ２の
オン／オフ、（ｄ）はＰチャンネルのパワーＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ７のオン／オフ、（ｅ）はソレノイド４に流れるソ
レノイド電流である。
【００２２】ソレノイド駆動信号が与えられると、制御
回路８は、基準電圧回路５が第１の基準電圧Ｖ1 を与え
るように制御し、更に、制御信号線１１をハイインピー
スダンス状態にすると共に、ＮチャンネルのパワーＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ２をオン状態に制御する。制御信号線１１が
ハイインピーダンス状態になることで、コンパレータ６
のＬレベル出力がＮチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ
７に与えられ、ＭＯＳ−ＦＥＴ７のオンによりソレノイ
ド電流が立上る。電流検出手段３はＭＯＳ−ＦＥＴ２の
オン抵抗によりソレノイド電流を電圧検出する。電圧検
出手段３の電圧出力が第１の基準電圧Ｖ1 以上になる
と、コンパレータ６がＨレベル出力を与え、ＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ７がオフする。これによりソレノイド電流すなわち
電流検出手段３の電圧出力が下がって、コンパレータ６
が再びＬレベル出力、従ってＭＯＳ−ＦＥＴ７がオンす
る。このような第１の基準電圧Ｖ1 に基づくＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ７のオン／オフにより、始動期間におけるソレノイ
ド４の始動電流が制御される。始動期間に続く保持期間
の開始で、制御回路８は基準電圧回路５が第１の基準電
圧Ｖ1 よりも低い第２の基準電圧Ｖ2 を与えるように制
御する。これにより、より低い第２の基準電圧Ｖ2 に基
づく上述のようなＭＯＳ−ＦＥＴ７のオン／オフ制御に
より、保持期間の間、ソレノイド電流が始動電流よりも
低い保持電流に制御される。なお、ＭＯＳ−ＦＥＴ７の
オン／オフ制御中のオフ時に、ソレノイド４の誘導エネ
ルギがダイオード１３，ソレノイド４およびＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ２を通して流れ、ソレノイド４の誘導エネルギがソ
レノイド電流として機能する。また、第１の基準電圧Ｖ
1 の調節によって燃料噴射弁３０の開弁時間を調節する
ことができ、また、第２の基準電圧Ｖ2 の調節によって
保持期間における保持力を調節することができる。
回路８は、基準電圧回路５が第１の基準電圧Ｖ1 を与え
るように制御し、更に、制御信号線１１をハイインピー
スダンス状態にすると共に、ＮチャンネルのパワーＭＯ
Ｓ−ＦＥＴ２をオン状態に制御する。制御信号線１１が
ハイインピーダンス状態になることで、コンパレータ６
のＬレベル出力がＮチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ
７に与えられ、ＭＯＳ−ＦＥＴ７のオンによりソレノイ
ド電流が立上る。電流検出手段３はＭＯＳ−ＦＥＴ２の
オン抵抗によりソレノイド電流を電圧検出する。電圧検
出手段３の電圧出力が第１の基準電圧Ｖ1 以上になる
と、コンパレータ６がＨレベル出力を与え、ＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ７がオフする。これによりソレノイド電流すなわち
電流検出手段３の電圧出力が下がって、コンパレータ６
が再びＬレベル出力、従ってＭＯＳ−ＦＥＴ７がオンす
る。このような第１の基準電圧Ｖ1 に基づくＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ７のオン／オフにより、始動期間におけるソレノイ
ド４の始動電流が制御される。始動期間に続く保持期間
の開始で、制御回路８は基準電圧回路５が第１の基準電
圧Ｖ1 よりも低い第２の基準電圧Ｖ2 を与えるように制
御する。これにより、より低い第２の基準電圧Ｖ2 に基
づく上述のようなＭＯＳ−ＦＥＴ７のオン／オフ制御に
より、保持期間の間、ソレノイド電流が始動電流よりも
低い保持電流に制御される。なお、ＭＯＳ−ＦＥＴ７の
オン／オフ制御中のオフ時に、ソレノイド４の誘導エネ
ルギがダイオード１３，ソレノイド４およびＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ２を通して流れ、ソレノイド４の誘導エネルギがソ
レノイド電流として機能する。また、第１の基準電圧Ｖ
1 の調節によって燃料噴射弁３０の開弁時間を調節する
ことができ、また、第２の基準電圧Ｖ2 の調節によって
保持期間における保持力を調節することができる。
【００２３】ソレノイド駆動信号が終了すると、制御回
路８は、制御信号線１１にＨレベルのオフ信号を与える
と共に、ＮチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ２をオフ
状態に制御する。制御信号線１１にオフ信号が与えられ
ることで、ＰチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ７がオ
フ状態になる。これにより、構成説明で述べたように、
ツェナーダイオード１７および第１，第２の抵抗１９，
２０の機能によりＭＯＳ−ＦＥＴ２が２０〜３０μｓｅ
ｃ程度の短時間の間オン状態となり、ソレノイド４の誘
導エネルギを放電させ、燃料噴射弁３０の閉弁を促進す
る。
路８は、制御信号線１１にＨレベルのオフ信号を与える
と共に、ＮチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ２をオフ
状態に制御する。制御信号線１１にオフ信号が与えられ
ることで、ＰチャンネルのパワーＭＯＳ−ＦＥＴ７がオ
フ状態になる。これにより、構成説明で述べたように、
ツェナーダイオード１７および第１，第２の抵抗１９，
２０の機能によりＭＯＳ−ＦＥＴ２が２０〜３０μｓｅ
ｃ程度の短時間の間オン状態となり、ソレノイド４の誘
導エネルギを放電させ、燃料噴射弁３０の閉弁を促進す
る。
【００２４】また、構成説明で述べたように、ソレノイ
ド駆動回路３１が燃料噴射弁３０内の燃料温度を受ける
ように設けられているので、燃料噴射弁３０の燃料温度
に対する応答特性を補正することができると共に、燃料
通路４４を通る燃料温度は１００℃以上にはならないの
で、ソレノイド駆動回路３１の極端な温度上昇を防止す
ることができる。
ド駆動回路３１が燃料噴射弁３０内の燃料温度を受ける
ように設けられているので、燃料噴射弁３０の燃料温度
に対する応答特性を補正することができると共に、燃料
通路４４を通る燃料温度は１００℃以上にはならないの
で、ソレノイド駆動回路３１の極端な温度上昇を防止す
ることができる。
【００２５】図４は本発明の実施の形態の別の例を示す
回路図で、その特徴は、ソレノイド４の始動電流および
保持電流をオン／オフ制御することに代えて、制御手段
６０によりソレノイド４の始動電流および保持電流を定
電流制御することにある。
回路図で、その特徴は、ソレノイド４の始動電流および
保持電流をオン／オフ制御することに代えて、制御手段
６０によりソレノイド４の始動電流および保持電流を定
電流制御することにある。
【００２６】制御手段６０は、基準電圧回路５、ＯＰア
ンプ６１、バイポーラトランジスタ６２および制御回路
６３を有している。基準電圧回路５は、制御回路６３の
制御下で、第１の基準電圧Ｖ1 またはこれよりも低い第
２の基準電圧Ｖ2 をＯＰアンプ６１のネガティブ入力端
子に与えるようになっている。ＯＰアンプ６１は、ポジ
ティブ入力端子が電流検出手段３の出力電圧を受け、出
力端子が抵抗６４を介してトランジスタ６２のベースに
接続されている。トランジスタ６２のベースは更に制御
信号線６５を介して制御回路６３に接続されており、後
述するように制御回路６３からトランジスタ６２をオフ
するためのオフ信号が与えられるようになっている。ト
ランジスタ６２のエミッタはバッテリ電圧ＶB を受ける
パワーライン１２に接続され、そのコレクタはソレノイ
ド４の一端に接続されている。制御回路６３は、外部か
らソレノイド駆動信号を入力し、ソレノイド駆動信号が
与えられている間、制御信号線６５をハイインピーダン
ス状態にすると共にＭＯＳ−ＦＥＴ２をオン状態に制御
し、ソレノイド駆動信号が終了することで、制御信号線
６５にＬレベルのオフ信号を与えると共にＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ２をオフ状態に制御する。制御信号線６５がハイイン
ピーダンス状態に制御されることで、ＯＰアンプ６１に
よるトランジスタ６２の駆動が許容され、制御信号線６
５にＬレベルのオフ信号が与えられることで、トランジ
スタ６０がオフ状態になり、ＯＰアンプ６１による駆動
が禁止されることとなる。また、制御回路６３は、ソレ
ノイド駆動信号が与えられた場合に、始動期間の間第１
の基準電圧Ｖ1 を与え、保持期間の間第１の基準電圧Ｖ
1 よりも低い第２の基準電圧Ｖ2 を与えるように、基準
電圧回路５を制御する。その他の構成は図１で述べた通
りである。
ンプ６１、バイポーラトランジスタ６２および制御回路
６３を有している。基準電圧回路５は、制御回路６３の
制御下で、第１の基準電圧Ｖ1 またはこれよりも低い第
２の基準電圧Ｖ2 をＯＰアンプ６１のネガティブ入力端
子に与えるようになっている。ＯＰアンプ６１は、ポジ
ティブ入力端子が電流検出手段３の出力電圧を受け、出
力端子が抵抗６４を介してトランジスタ６２のベースに
接続されている。トランジスタ６２のベースは更に制御
信号線６５を介して制御回路６３に接続されており、後
述するように制御回路６３からトランジスタ６２をオフ
するためのオフ信号が与えられるようになっている。ト
ランジスタ６２のエミッタはバッテリ電圧ＶB を受ける
パワーライン１２に接続され、そのコレクタはソレノイ
ド４の一端に接続されている。制御回路６３は、外部か
らソレノイド駆動信号を入力し、ソレノイド駆動信号が
与えられている間、制御信号線６５をハイインピーダン
ス状態にすると共にＭＯＳ−ＦＥＴ２をオン状態に制御
し、ソレノイド駆動信号が終了することで、制御信号線
６５にＬレベルのオフ信号を与えると共にＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ２をオフ状態に制御する。制御信号線６５がハイイン
ピーダンス状態に制御されることで、ＯＰアンプ６１に
よるトランジスタ６２の駆動が許容され、制御信号線６
５にＬレベルのオフ信号が与えられることで、トランジ
スタ６０がオフ状態になり、ＯＰアンプ６１による駆動
が禁止されることとなる。また、制御回路６３は、ソレ
ノイド駆動信号が与えられた場合に、始動期間の間第１
の基準電圧Ｖ1 を与え、保持期間の間第１の基準電圧Ｖ
1 よりも低い第２の基準電圧Ｖ2 を与えるように、基準
電圧回路５を制御する。その他の構成は図１で述べた通
りである。
【００２７】このような構成において、ソレノイド駆動
信号が与えられると、制御回路６３が、第１の基準電圧
Ｖ1 を与えるように基準電圧回路５を制御し、更に、制
御信号線６５をハイインピースダンス状態にすると共
に、パワーＭＯＳ−ＦＥＴ２をオン状態に制御する。制
御信号線６５がハイインピーダンス状態になることで、
ＯＰアンプ５１の出力がトランジスタ６２のベースに与
えられ、ソレノイド電流が立上る。ＯＰアンプ６１は電
圧検出手段３の電圧出力が第１の基準電圧Ｖ1 になるよ
うにトランジスタ６２にベース電流を与え、これによ
り、始動期間の間、第１の基準電圧Ｖ1 に基づく始動電
流がソレノイド４に与えられる。始動期間に続く保持期
間の開始で、制御回路６３は基準電圧回路５が第１の基
準電圧Ｖ1 よりも低い第２の基準電圧Ｖ2 を与えるよう
に制御する。これにより、より低い第２の基準電圧Ｖ2
に基づく保持電流がソレノイド４に与えられる。その他
の動作は図１で説明した通りである。
信号が与えられると、制御回路６３が、第１の基準電圧
Ｖ1 を与えるように基準電圧回路５を制御し、更に、制
御信号線６５をハイインピースダンス状態にすると共
に、パワーＭＯＳ−ＦＥＴ２をオン状態に制御する。制
御信号線６５がハイインピーダンス状態になることで、
ＯＰアンプ５１の出力がトランジスタ６２のベースに与
えられ、ソレノイド電流が立上る。ＯＰアンプ６１は電
圧検出手段３の電圧出力が第１の基準電圧Ｖ1 になるよ
うにトランジスタ６２にベース電流を与え、これによ
り、始動期間の間、第１の基準電圧Ｖ1 に基づく始動電
流がソレノイド４に与えられる。始動期間に続く保持期
間の開始で、制御回路６３は基準電圧回路５が第１の基
準電圧Ｖ1 よりも低い第２の基準電圧Ｖ2 を与えるよう
に制御する。これにより、より低い第２の基準電圧Ｖ2
に基づく保持電流がソレノイド４に与えられる。その他
の動作は図１で説明した通りである。
【００２８】以上説明した例では燃料噴射弁への適用に
ついて説明したが、これに限定するものではなく、ソレ
ノイドを有する電磁弁あるいは電磁装置に広く適用する
ことができる。また、燃料噴射弁等の電磁弁に実装する
ことなく、用いるようにすることも勿論可能である。
ついて説明したが、これに限定するものではなく、ソレ
ノイドを有する電磁弁あるいは電磁装置に広く適用する
ことができる。また、燃料噴射弁等の電磁弁に実装する
ことなく、用いるようにすることも勿論可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ソ
レノイドの通電回路に直列挿入されたＭＯＳ−ＦＥＴの
オン抵抗を電流検出抵抗として用いるので、電流検出抵
抗を用いることなくソレノイド電流の検出が可能とな
り、また、ＭＯＳ−ＦＥＴは電流検出抵抗と比較して極
めて小さいので、ソレノイド駆動回路を小型化すること
ができる。
レノイドの通電回路に直列挿入されたＭＯＳ−ＦＥＴの
オン抵抗を電流検出抵抗として用いるので、電流検出抵
抗を用いることなくソレノイド電流の検出が可能とな
り、また、ＭＯＳ−ＦＥＴは電流検出抵抗と比較して極
めて小さいので、ソレノイド駆動回路を小型化すること
ができる。
【００３０】また、本発明によれば、ソレノイド駆動回
路の小型化によりソレノイドを有する燃料噴射弁などの
電磁弁に実装することができ、そのため、ソレノイドの
パワーラインを短くすることができ、配線の簡単化を図
ることができるばかりでなく、パワーラインからのノイ
ズおよびパワーラインによる電力損失を低減することが
できる。
路の小型化によりソレノイドを有する燃料噴射弁などの
電磁弁に実装することができ、そのため、ソレノイドの
パワーラインを短くすることができ、配線の簡単化を図
ることができるばかりでなく、パワーラインからのノイ
ズおよびパワーラインによる電力損失を低減することが
できる。
【００３１】また、燃料噴射弁内の燃料温度を受けるよ
うにＭＯＳ−ＦＥＴを設け、このＭＯＳ−ＦＥＴのオン
抵抗の温度特性に基づいて、燃料噴射弁の燃料温度に対
する応答特性を補正するようにしたので、燃料温度に拘
らず燃料噴射弁の応答特性が一定となるようにすること
ができる。
うにＭＯＳ−ＦＥＴを設け、このＭＯＳ−ＦＥＴのオン
抵抗の温度特性に基づいて、燃料噴射弁の燃料温度に対
する応答特性を補正するようにしたので、燃料温度に拘
らず燃料噴射弁の応答特性が一定となるようにすること
ができる。
【００３２】また、ＭＯＳ−ＦＥＴ，電流検出手段およ
び制御手段を、燃料噴射弁の燃料通路の外側部に設ける
ことにより、燃料噴射弁内の燃料による冷却効果を得る
ことができ、回路の極端な温度上昇を防止することがで
きる。
び制御手段を、燃料噴射弁の燃料通路の外側部に設ける
ことにより、燃料噴射弁内の燃料による冷却効果を得る
ことができ、回路の極端な温度上昇を防止することがで
きる。
【００３３】更に、ＭＯＳ−ＦＥＴのドレインとゲート
との間に挿入されたツェナーダイオード，ダイオードお
よび第１の抵抗との直列接続と、ＭＯＳ−ＦＥＴのゲー
トとソースとの間に挿入された第２の抵抗とを設け、ソ
レノイド駆動信号が終了した際にソレノイドに発生する
誘導エネルギの放電時間をツェナーダイオードおよび第
１，第２の抵抗により設定することができるようにした
ので、ソレノイドの誘導エネルギの放電を促進するよう
に設定することで、燃料噴射弁などの電磁弁の応答性の
向上を図ることができる。
との間に挿入されたツェナーダイオード，ダイオードお
よび第１の抵抗との直列接続と、ＭＯＳ−ＦＥＴのゲー
トとソースとの間に挿入された第２の抵抗とを設け、ソ
レノイド駆動信号が終了した際にソレノイドに発生する
誘導エネルギの放電時間をツェナーダイオードおよび第
１，第２の抵抗により設定することができるようにした
ので、ソレノイドの誘導エネルギの放電を促進するよう
に設定することで、燃料噴射弁などの電磁弁の応答性の
向上を図ることができる。
【図１】図１は本発明の実施の形態の一例を示す回路図
である。
である。
【図２】図２は図１のソレノイド駆動回路の燃料噴射弁
への実装の一例を示す構成図である。
への実装の一例を示す構成図である。
【図３】図３は図１のソレノイド駆動回路の動作タイム
チャートである。
チャートである。
【図４】図４は本発明の実施の形態の別の例を示す回路
図である。
図である。
１，６０ 制御手段 ２ ＭＯＳ−ＦＥＴ ３ 電流検出手段 ４ ソレノイド １７ ツェナーダイオード １９ 第１の抵抗 ２０ 第２の抵抗 ３０ 燃料噴射弁 ３１ ソレノイド駆動回路 ４４ 燃料通路
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3G066 BA19 BA41 BA67 CC06U CC14 CC18 CD25 CD26 CD28 CE29 CE31 DC00 DC15 3H106 DA07 DA13 DA23 DB02 DB12 DB23 DB32 DC02 DC17 DD03 FA02 GA19 KK18
Claims (5)
- 【請求項１】 ソレノイドの通電回路に直列挿入された
ＭＯＳ−ＦＥＴと、 前記ＭＯＳ−ＦＥＴのオン抵抗を電流検出抵抗として前
記ソレノイドに流れるソレノイド電流を検出する電流検
出手段と、 外部からソレノイド駆動信号が与えられることで、前記
ＭＯＳ−ＦＥＴをオン状態に制御すると共に、前記電流
検出手段のソレノイド電流の検出に基づいて前記ソレノ
イドの駆動を制御し、前記ソレノイド駆動信号の終了で
前記ＭＯＳ−ＦＥＴをオフ状態に制御すると共に前記ソ
レノイドの駆動制御を停止する制御手段とを有するソレ
ノイド駆動回路。 - 【請求項２】 前記ソレノイドが電磁弁のソレノイド
で、前記ＭＯＳ−ＦＥＴ，前記電流検出手段および前記
制御手段を前記電磁弁に実装した請求項１に記載のソレ
ノイド駆動回路。 - 【請求項３】 前記電磁弁が内燃機関の燃料噴射弁で、
少なくとも前記ＭＯＳ−ＦＥＴが前記燃料噴射弁内の燃
料温度を受けるように設け、前記ＭＯＳ−ＦＥＴのオン
抵抗の温度特性に基づいて、前記燃料噴射弁の燃料温度
に対する応答特性を補正するようにした請求項２に記載
のソレノイド駆動回路。 - 【請求項４】 前記ＭＯＳ−ＦＥＴ，前記電流検出手段
および前記制御手段を、前記燃料噴射弁の燃料通路の外
側部に設けた請求項３に記載のソレノイド駆動回路。 - 【請求項５】 前記ＭＯＳ−ＦＥＴのドレインとゲート
との間に挿入されたツェナーダイオード，ダイオードお
よび第１の抵抗との直列接続と、前記ＭＯＳ−ＦＥＴの
ゲートとソースとの間に挿入された第２の抵抗とを設
け、前記ソレノイド駆動信号が終了した際に前記ソレノ
イドに発生する誘導エネルギの放電時間を前記ツェナー
ダイオードおよび前記第１，第２の抵抗により設定する
ようにした請求項１又は２又は３又は４に記載のソレノ
イド駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10233569A JP2000058320A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | ソレノイド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10233569A JP2000058320A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | ソレノイド駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058320A true JP2000058320A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16957138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10233569A Pending JP2000058320A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | ソレノイド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058320A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005511966A (ja) * | 2001-12-06 | 2005-04-28 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 燃料噴射弁・点火プラグ・コンビネーション |
| JP2006135242A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Sanken Electric Co Ltd | ソレノイド駆動装置 |
| JP2011505507A (ja) * | 2007-11-20 | 2011-02-24 | アブロイ オサケ ユキチュア | 電気機械式錠のソレノイド・コントローラ |
| JP2011127442A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Bosch Corp | 還元剤噴射弁の制御装置及び制御方法 |
| CN110219758A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-09-10 | 柳州源创电喷技术有限公司 | 电磁阀式喷射器驱动电路系统 |
-
1998
- 1998-08-05 JP JP10233569A patent/JP2000058320A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005511966A (ja) * | 2001-12-06 | 2005-04-28 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 燃料噴射弁・点火プラグ・コンビネーション |
| JP2006135242A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Sanken Electric Co Ltd | ソレノイド駆動装置 |
| JP4561321B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2010-10-13 | サンケン電気株式会社 | ソレノイド駆動装置 |
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| US8793979B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-08-05 | Bosch Corporation | Control device and control method for reduction agent injection valve |
| CN110219758A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-09-10 | 柳州源创电喷技术有限公司 | 电磁阀式喷射器驱动电路系统 |
| CN110219758B (zh) * | 2019-06-03 | 2024-01-23 | 柳州源创电喷技术有限公司 | 电磁阀式喷射器驱动电路系统 |
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