JP2000053956A - 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子

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JP2000053956A
JP2000053956A JP10225504A JP22550498A JP2000053956A JP 2000053956 A JP2000053956 A JP 2000053956A JP 10225504 A JP10225504 A JP 10225504A JP 22550498 A JP22550498 A JP 22550498A JP 2000053956 A JP2000053956 A JP 2000053956A
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美智子 玉野
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Abstract

(57)【要約】 【課題】発光輝度が高く、繰り返し使用時での安定性の
優れた有機EL素子の提供することを目的とする。 【解決手段】一般式[1]で示される有機エレクトロル
ミネッセンス素子用発光材料。 一般式[1] 【化1】 [式中、R1〜R6は、それぞれ独立に−NR78
(R7、R8は、置換もしくは未置換のアルキル基、置換
もしくは未置換のアリール基を表わし、R7とR8が一体
となってもよい。)、水素原子、ハロゲン原子、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアル
コキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置
換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアリール基
を表わす(ただし、R1〜R6の2個以上は−NR78
示す。)。]

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平面光源や表示に使用さ
れる有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子用発光
材料および高輝度の発光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】有機物質を使用したEL素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL素
子は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から
構成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。
【0003】従来の有機EL素子は、無機EL素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法は、金属キレート錯体を発光層、アミ
ン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光
を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は数1000c
d/m2、最大発光効率は1.5lm/Wを達成して、
実用領域に近い性能を持っている。
【0004】しかしながら、現在までの有機EL素子
は、構成の改善により発光強度は改良されているが、未
だ充分な発光輝度は有していない。また、繰り返し使用
時の安定性に劣るという大きな問題を持っている。これ
は、例えば、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ア
ルミニウム錯体等の金属キレート錯体が、電界発光時に
化学的に不安定であり、陰極との密着性も悪く、短時間
の発光で大きく劣化していた。以上の理由により、高い
発光輝度、発光効率を持ち、繰り返し使用時での安定性
の優れた有機EL素子の開発のために、優れた発光能力
を有し、耐久性のある発光材料の開発が望まれている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、発光輝度が
高く、繰り返し使用時での安定性の優れた有機EL素子
の提供にある。本発明者らが鋭意検討した結果、一般式
[1]で示される有機EL素子用発光材料を発光層に使
用した有機EL素子の発光輝度および発光効率が高く、
繰り返し使用時での安定性も優れていることを見いだし
本発明を成すに至った。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
[1]で示される有機エレクトロルミネッセンス素子用
発光材料に関する。 一般式[1]
【0007】
【化2】
【0008】[式中、R1〜R6は、それぞれ独立に−N
78 、(R7、R8は、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、置換もしくは未置換のアリール基を表わし、R7
とR8が一体となってもよい。)、水素原子、ハロゲン
原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは
未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリール
オキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換
もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換
のアリール基を表わす(ただし、R1〜R6の2個以上は
−NR78を示す。)。]
【0009】さらに、本発明は一般式[1]の少なくと
もR3とR6、または少なくともR1とR4が、−NR7
8である上記発光材料に関する。さらに、本発明はホス
ト材料と上記一般式[1]で示される化合物からなる有
機エレクトロルミネッセンス素子用ドーピング発光材料
に関する。さらに、本発明は一対の電極間に発光層を含
む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、発光層が上記有機エレクト
ロルミネッセンス素子用発光材料を含有する層である有
機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明における一般式[1]で示
される化合物のR1〜R6は、それぞれ独立に−NR78
(R7、R8は、置換もしくは未置換のアルキル基、置換
もしくは未置換のアリール基を表す。)、水素原子、ハ
ロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換も
しくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のア
リールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ
基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしく
は未置換のアリール基を表す。ただし、R1〜R6の2個
以上は、−NR78である。また、少なくともR3
6、またはR1とR4が、−NR78であることが好ま
しい。
【0011】これらの具体例は、ハロゲン原子としては
弗素、塩素、臭素、ヨウ素があり、置換もしくは未置換
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ステアリル基等の炭素数1〜20の未置換のアルキ
ル基の他、2−フェニルイソプロピル基、トリクロロメ
チル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェ
ノキシベンジル基、α,α−ジメチルベンジル基、α,
α−メチルフェニルベンジル基、α,α−ジトリフルオ
ロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベン
ジルオキシベンジル基等の炭素数1〜20のアルキル基
の置換体がある。また、隣接するアルキル基同士が結合
してシクロアルキル環を形成してもよい。
【0012】置換もしくは未置換のアルコキシル基とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブ
トキシ基、t−ブトキシ基、n−オクチルオキシ基、t
−オクチルオキシ基等の炭素数1〜20の未置換のアル
コキシル基の他、1,1,1−テトラフルオロエトキシ
基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、オクチルフェノ
キシ基等の炭素数1〜20のアルコキシル基の置換体が
あり、置換もしくは未置換のアルキルチオ基の具体例と
ては、メチルチオ基、エチルチオ基、tert−ブチル
チオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオ
ロメチルチオ基等があり、置換もしくは未置換のアリー
ル基としては、フェニル基、2−メチルフェニル基、3
−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチ
ルフェニル基、ビフェニル基、4−メチルビフェニル
基、4−エチルビフェニル基、4−シクロヘキシルビフ
ェニル基ターフェニル基、3,5−ジクロロフェニル
基、ナフチル基、5−メチルナフチル基、アントリル
基、ピレニル基等の芳香族炭素数6〜18の置換もしく
は未置換のアリール基があり、さらに、アリール基は、
窒素原子、酸素原子およびまたは硫黄原子により芳香族
炭素原子が置換されていてもよい。このようなアリール
基としては、フラニル基、チオフェニル基、ピロール
基、ピラニル基、チオピラニル基、ピリジニル基、チア
ゾリル基、イミダゾリール基、ピリミジニル基、ピリジ
ニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリル
基、プリニル基等がある。
【0013】置換もしくは未置換のアリールオキシ基の
具体例としては、フェノキシ基、p−ニトロフェノキシ
基、p−tert−ブチルフェノキシ基、3−フルオロ
フェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、3−トリフ
ルオロメチルフェノキシ基等があり、アリールチオ基の
具体例とては、フェニルチオ基、p−ニトロフェニルチ
オ基、p−tert−ブチルフェニルチオ基、3−フル
オロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、
3−トリフルオロメチルフェニルチオ基等がある。
【0014】本発明における一般式[1]で表される化
合物の−NR78(R7、R8は、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基を表
す。)のアルキルアミノ基の具体例としては、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジ
ブチルアミノ基、ベンジルアミノ基、ジベンジルアミノ
基等のアルキルアミノ基があり、アリールアミノ基の具
体例としては、フェニルメチルアミノ基、ジフェニルア
ミノ基、ジトリルアミノ基、ジビフェニルアミノ基、ジ
(4−メチルビフェニル)アミノ基、ジ(3−メチルフ
ェニル)アミノ基、ジ(4−メチルフェニル)アミノ
基、ナフチルフェニルアミノ基、ビス[4−(α,α’
−ジメチルベンジル)フェニル]アミノ基等がある。
【0015】また、R7とR8が一体となって、モルホリ
ン環、ピペラジン環、ピペリジン環、ベンゾピペラジン
環、アクリジン環、フェナジン環、ピレニル環、カルバ
ゾール環、ベンゾピラニル環、キサンテン環、チアゾリ
ル環、チアジン環、ファノチアジン環等の飽和もしくは
不飽和環を形成してもよい。
【0016】この化合物の中で、一般式[1]で表され
るようなアリール基を有している置換基を持つ化合物
は、ガラス転移点や融点が高くなり電界発光時における
有機層中、有機層間もしくは、有機層と金属電極間で発
生するジュール熱に対する耐性(耐熱性)が向上するの
で、有機EL素子の発光材料として使用した場合、高い
発光輝度を示し、長時間発光させる際にも有利である。
本発明の化合物は、これらの置換基に限定されるもので
はない。
【0017】本発明において、一般式[1]で表される
化合物は例えば次のような方法で合成することが出来
る。ニトロベンゼン溶媒中、ジブロモキノキサリンもし
くはジヨードキノキサリンと芳香族ジアミン化合物を、
炭酸カリウム、銅等の触媒と共に200℃で50時間反
応させて、一般式[1]で示される芳香族アミン化合物
を合成する。もしくは、ジアミノキノキサリンとハロゲ
ン置換されたアリール誘導体を、1,3−ジメチル−2
−イミダゾリジノン中、水酸化カリウム、銅触媒を用い
て反応させることによっても同様に合成することができ
る。炭酸カリウムに代えて、炭酸ナトリウム、水酸化ナ
トリウム等を使用することが出来る。触媒としては、銅
粉、塩化第一銅、錫、塩化第一錫等がある。溶媒は、
N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
等がある。
【0018】一般式[1]で示される化合物の代表例を
具体的に表1に例示するが、これらに限定されるもので
はない。
【0019】
【表1】
【0020】
【0021】
【0022】
【0023】
【0024】
【0025】
【0026】有機EL素子は、陽極と陰極間に一層もし
くは多層の有機化合物薄膜を形成した素子である。一層
型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発
光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入
した正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで
輸送させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を
含有しても良い。多層型は、(陽極/正孔注入層/発光
層/陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、
(陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)の多
層構成で積層した有機EL素子がある。本発明の一般式
[1]で示される化合物は、固体状態において強い蛍光
を持つ化合物であり電界発光性に優れているので、発光
材料として発光層内で使用することができる。また、一
般式[1]の化合物は、発光層内においてドーピング材
料として発光層中にて最適の割合でドーピングすること
により、高い発光効率および発光波長の最適な選択が可
能である。ここで、正孔注入層、発光層、もしくは電子
注入層は、それぞれ二層以上で形成されても良い。
【0027】発光層のホスト材料に、ドーピング材料
(ゲスト材料)として一般式[1]の化合物を使用し
て、発光輝度が高い有機EL素子を得ることもできる。
一般式[1]の化合物は、発光層内において、ホスト材
料に対して0.001重量%〜50重量%の範囲で含有
されていることが望ましく、更には0.01重量%〜1
0重量%の範囲が効果的である。
【0028】一般式[1]の化合物と併せて使用できる
ホスト材料としては、キノリン金属錯体、オキサジアゾ
ール、ベンゾチアゾール金属錯体、ベンゾオキサゾール
金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯体、トリアゾー
ル、イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、
スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルア
ミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン
型トリフェニルアミンフルオレノン、ジアミノアントラ
セン型トリフェニルアミン、ジアミノフェナントレン型
トリフェニルアミン、アントラキノジメタン、ジフェノ
キノン、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレンテト
ラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノ
ジメタン、トリフェニレン、アントロン等とそれらの誘
導体、および、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン等
の導電性高分子の高分子材料等がある。
【0029】一般式[1]と共に更なるドーピング材料
を使用して発光色を変化させることも可能となる。一般
式[1]と共に使用されるドーピング材料としては、ア
ントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テ
トラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリ
レン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、
フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジ
エン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジ
アゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビスス
チリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属
錯体、アミノキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエ
チレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、
ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミ
ダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリド
ン、ルブレン等およびそれらの誘導体があるが、これら
に限定されるものではない。
【0030】発光層には、発光材料およびドーピング材
料に加えて、必要があれば正孔注入材料や電子注入材料
を使用することもできる。
【0031】有機EL素子は、多層構造にすることによ
り、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことが
できる。また、必要があれば、発光材料、ドーピング材
料、キャリア注入を行う正孔注入材料や電子注入材料を
二種類以上組み合わせて使用することも出来る。また、
正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上
の層構成により形成されても良く、正孔もしくは電子が
効率よく電極から注入され、層中で輸送される素子構造
が選択される。
【0032】有機EL素子の陽極に使用される導電性材
料は、4eVより大きな仕事関数を持つものが好適であ
り、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、
ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等
およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板と称さ
れる酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらには
ポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用
いられる。陰極に使用される導電性材料は、4eVより
小さな仕事関数を持つものが好適であり、マグネシウ
ム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、
リチウム、ルテニウム、マンガン等およびそれらの合金
が用いられる。合金としては、マグネシウム/銀、マグ
ネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代
表例として挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。合金の比率は、加熱の温度、雰囲気、真空度によ
り制御され適切な比率が選択される。陽極および陰極
は、必要があれば二層以上の層構成により形成されてい
ても良い。
【0033】有機EL素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明であれば限定されるものではない
が、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエ
ーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明性樹脂
があげられる。
【0034】本発明に係わる有機EL素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が適しているが、10nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。
【0035】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、
その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜
においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため
適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。このような樹脂
としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリ
レート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポ
リスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチル
アクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポ
リチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げるこ
とができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外
線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。
【0036】正孔注入材料としては、正孔を注入する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
【0037】本発明の有機EL素子において使用できる
正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、
芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシアニン誘導体
である。具体的には、トリフェニルアミン、トリトリル
アミン、トリルジフェニルアミン、N,N’−ジフェニ
ル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’−
ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’
−テトラ(4−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニ
ル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラ
(4−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,
4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ
ナフチル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミ
ン、N,N’−ジ(メチルフェニル)−N,N’−ジ
(4−n−ブチルフェニル)−フェナントレン−9,1
0−ジアミン、1,1−ビス[N,N−ジ(トリルアミ
ノ)フェニル]シクロヘキサン等、もしくはこれらの芳
香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマ
ー等があるが、これらに限定されるものではない。フタ
ロシアニン(Pc)誘導体としては、H2Pc、CuP
c、CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FeP
c、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClIn
Pc、ClSnPc、Cl2SiPc、(HO)AlP
c、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoO
Pc、GaPc−O−GaPc等のフタロシアニン誘導
体およびナフタロシアニン誘導体等があるが、これらに
限定されるものではない。
【0038】電子注入材料としては、電子を注入する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、キノリン金属錯
体、オキサジアゾール、ベンゾチアゾール金属錯体、ベ
ンゾオキサゾール金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯
体、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキ
ノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チア
ジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物
質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加して増感さ
せることもできる。
【0039】本発明の有機EL素子において、さらに効
果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素
五員環誘導体である。具体的には、金属錯体化合物とし
ては、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8
−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、ビス(8−ヒドロキ
シキノリナート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナー
ト)マンガン、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)
アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキ
ノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキ
ノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ
[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチ
ル−8−キノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メ
チル−8−キノリナート)(o−クレゾラート)ガリウ
ム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフ
トラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノ
リナート)(2−ナフトラート)ガリウム等があるが、
これらに限定されるものではない。また、含窒素五員誘
導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジア
ゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が
好ましい。
【0040】具体的には、2,5−ビス(1−フェニ
ル)−1,3,4−オキサゾール、ジメチルPOPO
P、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チア
ゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−
オキサジアゾール、2−(4’−tert−ブチルフェ
ニル)−5−(4”−ビフェニル)1,3,4−オキサジ
アゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4
−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニ
ルオキサジアゾリル)]ベンゼン、1,4−ビス[2−
(5−フェニルオキサジアゾリル)]−2−tert−ブ
チルベンゼン、2−(4’−tert−ブチルフェニ
ル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−チアジア
ゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−
チアジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチ
アジアゾリル)]ベンゼン、2−(4’−tert−ブ
チルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4
−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,
3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−( 5−フェ
ニルトリアゾリル)]ベンゼン等があるが、これらに限
定されるものではない。
【0041】本有機EL素子においては、発光層中に、
一般式[1]の化合物の他に、発光材料、ドーピング材
料、正孔注入材料および電子注入材料の少なくとも1種
が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得ら
れた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安
定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、
シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護すること
も可能である。
【0042】以上のように、有機EL素子の発光層に本
発明の化合物を用い、更には特定の正孔注入層もしくは
電子注入層と組み合わせることにより、発光効率、最大
発光輝度等の有機EL素子特性を改良することができ
た。また、この素子は熱や電流に対して非常に安定であ
り、さらには低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝
度が得られるため、従来まで大きな問題であった劣化も
大幅に低下させることができた。
【0043】本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。
【0044】本発明の材料は、有機EL素子、電子写真
感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等
の分野においても使用できる。
【0045】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に
説明する。なお、説明中の部は重量部を表す。化合物(2)の合成方法 1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン50部中に、
5,8−ジブロモキノキサリン7.2部、p、p’−ジ
トリルアミン16.2部、および炭酸カリウム12部、
銅粉0.5部を入れ、200℃にて50時間加熱撹拌し
た。その後、500部の水で希釈した。酢酸エチルで抽
出を行い、濃縮して、シリカゲルを用いたカラムクロマ
トグラフィーにより精製を行ない白色の蛍光を有する粉
末12部を得た。FD−MSよる分子量分析により、化
合物(2)であることを確認した。
【0046】化合物(3)の合成方法 1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン50部中に、
5,8−ジブロモキノキサリン6.0部、1−ナフチル
−フェニルアミン12.2部、および炭酸カリウム8
部、銅粉0.5部を入れ、200℃にて50時間加熱撹
拌した。その後、500部の水で希釈した。酢酸エチル
で抽出を行い、濃縮して、シリカゲルを用いたカラムク
ロマトグラフィーにより精製を行ない白色の蛍光を有す
る粉末13部を得た。FD−MSよる分子量分析によ
り、化合物(3)であることを確認した。
【0047】化合物(16)の合成方法 1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン30部中に、
2,6−ジブロモキノキサリン8部、ジ(4−(1,1
−ジメチル−1−フェニル)メチルフェニル)アミン3
5部、および炭酸カリウム10部、銅粉0.5部を入
れ、200℃にて50時間加熱撹拌した。その後、50
0部の水で希釈し、この後、酢酸エチルで抽出を行い、
濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー
により精製を行ない白色の蛍光を有する粉末15部を得
た。FD−MSよる分子量分析により、化合物(16)
であることを確認した。以下に本発明の化合物を用いた
実施例を示す。本例では、電極面積2mm×2mmの有
機EL素子の特性を測定した。
【0048】実施例1 洗浄したITO電極付きガラス板上に、発光材料として
表1の化合物(2)、2,5−ビス(1−ナフチル)−
1,3,4−オキサジアゾール、ポリカーボネート樹脂
(帝人化成:パンライトK−1300)を5:3:2の
重量比でテトラヒドロフランに溶解させ、スピンコーテ
ィング法により膜厚100nmの発光層を得た。その上
に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚
150nmの電極を形成して有機EL素子を得た。この
素子の発光特性は、直流電圧5Vで100(cd/
2)、最高輝度1000(cd/m2)、発光効率0.
60(lm/W)の発光が得られた。
【0049】実施例2 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N'―ジ
(3―メチルフェニル)―N,N'―ジフェニル―1,
1―ビフェニル-4,4―ジアミン(TPD)を真空蒸
着して、膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、化
合物(2)を蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、ト
リス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体(A
lq3)を蒸着し、膜厚30nmの電子注入層を得た。
その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金
で膜厚100nmの電極を形成して有機EL素子を得
た。正孔注入層および発光層は10-6Torrの真空中
で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流
電圧5Vで発光輝度110(cd/m2)、最大発光輝
度11000(cd/m2)、5Vの時の発光効率1.
1(lm/W)の青色発光が得られた。
【0050】実施例3 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(11)
を塩化メチレンに溶解させ、スピンコーティング法によ
り膜厚50nmの正孔注入型発光層を得た。次いで、ビ
ス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフトラー
ト)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚10nmの電子注
入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を10:1
で混合した合金で膜厚100nmの電極を形成して有機
EL素子を得た。発光層および電子注入層は10-6To
rrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。こ
の素子は、直流電圧5Vで200(cd/m2)、最高
輝度1200(cd/m2)、発光効率0.70(lm
/W)の青緑色発光が得られた。
【0051】実施例4 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(3)を
真空蒸着して、膜厚50nmの正孔注入型発光層を得
た。次いで、ビス(2−メチル−8−キノリナート)
(1−ナフトラート)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚
10nmの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの電
極を形成して有機EL素子を得た。発光層および電子注
入層は10- 6Torrの真空中で、基板温度室温の条件
下で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで300(c
d/m2)、最高輝度10200(cd/m2)、発光効
率1.60(lm/W)の発光が得られた。
【0052】実施例5〜20 洗浄したITO電極付きガラス板上に、下記化学構造で
示される化合物(26)を真空蒸着して、膜厚20nm
に正孔注入層を形成した。次いで、発光材料として、表
1の化合物を真空蒸着して膜厚20nmの発光層を得
た。次いで、ビス(2−メチル−8−キノリナート)
(1−ナフトラート)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚
10nmの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの電
極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層および発
光層は10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件
下で蒸着した。この素子の発光特性を表2に示す。ここ
での発光輝度は、直流電圧5V印可時の輝度である。本
実施例の有機EL素子は、全て最高輝度10000(c
d/m2)以上の高輝度特性を有し、また、青色から緑
色の発光色を得ることができた。
【0053】化合物(26)
【0054】
【化3】
【0055】
【表2】
【0056】実施例21 洗浄したITO電極付きガラス板上に、4、4’、4”
−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル
アミノ]トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚40
nmの正孔注入層を得た。次いで、4,4’−ビス[N
−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
(α−NPD)を真空蒸着して、膜厚10nmの第二正
孔注入層を得た。さらに、化合物(2)を真空蒸着し
て、膜厚30nmの発光層を作成し、さらにビス(2−
メチル−8−ヒドロキシキノリナト)(1−フェノラー
ト)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚30nmの電子注
入層を作成し、その上に、アルミニウムとリチウムを2
5:1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形成し
て、有機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は1
-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着
した。この素子は、直流電圧5Vで発光輝度610(c
d/m2)、最大発光輝度29000(cd/m2)、発
光効率2.8(lm/W)の青色発光が得られた。
【0057】実施例22 ITO電極と化合物(26)との間に、無金属フタロシ
アニンの膜厚5nmの正孔注入層を設ける以外は、実施
例3と同様の方法で有機EL素子を作製した。この素子
は、直流電圧5Vで1000(cd/m2)、最高輝度
13000(cd/m2)、発光効率1.20(lm/
W)の青緑色発光が得られた。
【0058】実施例23 4、4’、4”−トリス[N−(3−メチルフェニル)
−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミンの代わりに
無金属フタロシアニンの膜厚20nmの正孔注入層を設
ける以外は、実施例21と同様の方法で有機EL素子を
作製した。この素子は、直流電圧5Vで220(cd/
2)、最高輝度12000(cd/m 2)、発光効率
1.10(lm/W)の青緑色発光が得られた。
【0059】実施例24 発光層として、化合物(12):化合物(27)を1:
100の割合で蒸着した膜厚10nmの正孔注入層を設
ける以外は、実施例21と同様の方法で有機EL素子を
作製した。この素子は、直流電圧5Vで1000(cd
/m2)、最高輝度18000(cd/m2)、発光効率
1.50(lm/W)の青緑色発光が得られた。
【0060】化合物(27)
【0061】
【化4】
【0062】実施例25 発光層として、化合物(16):ビス(2−メチル−8
−キノリナート)(フェノラート)ガリウム錯体を1:
100の割合で蒸着した膜厚10nmの正孔注入層を設
ける以外は、実施例21と同様の方法で有機EL素子を
作製した。この素子は、直流電圧5Vで400(cd/
2)、最高輝度11000(cd/m 2)、発光効率
1.10(lm/W)の青色発光が得られた。
【0063】本実施例で示された有機EL素子は、二層
型以上の素子構成において、最大発光輝度10000
(cd/m2)以上の発光が得られ、高い発光効率を得
る ことができた。本実施例で示された有機EL素子に
ついて、3(mA/cm2) で連続発光させたところ、
1000時間以上安定な発光を観測することができた。
本発明の有機EL素子は発光効率、発光輝度の向上と長
寿命化を達成するものであり、併せて使用される発光材
料、ドーピング材料、正孔注入材料、電子注入材料、増
感剤、樹脂、電極材料等および素子作製方法を限定する
ものではない。
【0064】
【発明の効果】本発明の有機EL用発光材料を発光材料
として使用した有機EL素子は、従来に比べて高い発光
効率で高輝度の発光を示し、長寿命の有機EL素子を得
ることができた。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記一般式[1]で示される有機エレクト
    ロルミネッセンス素子用発光材料。 一般式[1] 【化1】 [式中、R1〜R6は、それぞれ独立に−NR78
    (R7、R8は、置換もしくは未置換のアルキル基、置換
    もしくは未置換のアリール基を表わし、R7とR8が一体
    となってもよい。)、水素原子、ハロゲン原子、置換も
    しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアル
    コキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
    換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置
    換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアリール基
    を表わす(ただし、R1〜R6の2個以上は−NR78
    示す。)。]
  2. 【請求項2】一般式[1]の少なくともR3とR6、また
    は少なくともR1とR4が、−NR78である請求項1
    記載の発光材料。
  3. 【請求項3】ホスト材料と上記一般式[1]で示される
    化合物とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用
    発光材料。
  4. 【請求項4】一対の電極間に発光層を含む複数層の有機
    化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセンス素
    子において、発光層が請求項1〜3いずれか記載の有機
    エレクトロルミネッセンス素子用発光材料を含有する層
    である有機エレクトロルミネッセンス素子。
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