JP2000046212A - 容器弁 - Google Patents
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- container valve
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K7/00—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves
- F16K7/12—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm
- F16K7/14—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm arranged to be deformed against a flat seat
- F16K7/16—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm arranged to be deformed against a flat seat the diaphragm being mechanically actuated, e.g. by screw-spindle or cam
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K1/00—Lift valves or globe valves, i.e. cut-off apparatus with closure members having at least a component of their opening and closing motion perpendicular to the closing faces
- F16K1/30—Lift valves or globe valves, i.e. cut-off apparatus with closure members having at least a component of their opening and closing motion perpendicular to the closing faces specially adapted for pressure containers
- F16K1/304—Shut-off valves with additional means
- F16K1/305—Shut-off valves with additional means with valve member and actuator on the same side of the seat
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K7/00—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/4238—With cleaner, lubrication added to fluid or liquid sealing at valve interface
- Y10T137/4245—Cleaning or steam sterilizing
- Y10T137/4259—With separate material addition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Valve Housings (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構造で、混入不純物を効率的に除去す
ることができ、残留不純物を低減させることができる高
純度ガス用に適した容器弁を提供する。 【解決手段】 弁室１２と口金部１４とを接続する２本
の外部側ガス流路１５ａ，１５ｂを設けるとともに、口
金部１４には、前記２本の外部側ガス流路１５ａ，１５
ｂにそれぞれ接続する２本の接続流路２０ａ，２０ｂを
有し、かつ、一方の流路がパージガス導入側に、他方の
流路がパージガス導出側に接続される連結金具２１を装
着する。
ることができ、残留不純物を低減させることができる高
純度ガス用に適した容器弁を提供する。 【解決手段】 弁室１２と口金部１４とを接続する２本
の外部側ガス流路１５ａ，１５ｂを設けるとともに、口
金部１４には、前記２本の外部側ガス流路１５ａ，１５
ｂにそれぞれ接続する２本の接続流路２０ａ，２０ｂを
有し、かつ、一方の流路がパージガス導入側に、他方の
流路がパージガス導出側に接続される連結金具２１を装
着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、容器弁に関し、詳
しくは、半導体産業において、電子デバイスの製造プロ
セスに使用される半導体材料ガスやパージガス，キャリ
アガス等の高純度ガスを供給するガス充填容器用の容器
弁として適した構造の容器弁に関する。
しくは、半導体産業において、電子デバイスの製造プロ
セスに使用される半導体材料ガスやパージガス，キャリ
アガス等の高純度ガスを供給するガス充填容器用の容器
弁として適した構造の容器弁に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
プロセスに使われる半導体材料ガス，パージガス，キャ
リアガス等は、高純度かつ高清浄度が求められ、これら
のガス中にパーティクルや酸素、水分等の不純物が存在
すると、酸化や金属汚染に起因したデバイス特性不良
や、製品の歩留まり低下といった問題を引き起こす。
プロセスに使われる半導体材料ガス，パージガス，キャ
リアガス等は、高純度かつ高清浄度が求められ、これら
のガス中にパーティクルや酸素、水分等の不純物が存在
すると、酸化や金属汚染に起因したデバイス特性不良
や、製品の歩留まり低下といった問題を引き起こす。
【０００３】一般に、ガス容器を半導体プロセスガスの
供給設備や製造設備に取付ける際には、ガス容器弁の口
金部が大気に暴露されているため、口金部とガス設備の
取付用配管との間に大気が混入してしまう。このとき混
入した大気は、窒素やアルゴンガスといった不活性ガス
によるパージや、真空排気により除去されるが、混入し
た不純物の除去が不十分であると、ガス製造時には、残
留不純物が容器内に混入することになる。例えば、酸素
や水分等の大気成分ガスとの反応性を有するガスの場合
は、ガス濃度の経時変化を引起こし、酸化反応による不
純物生成や、容器と容器弁との接ガス部の金属表面に腐
食を生じさせる原因となる。
供給設備や製造設備に取付ける際には、ガス容器弁の口
金部が大気に暴露されているため、口金部とガス設備の
取付用配管との間に大気が混入してしまう。このとき混
入した大気は、窒素やアルゴンガスといった不活性ガス
によるパージや、真空排気により除去されるが、混入し
た不純物の除去が不十分であると、ガス製造時には、残
留不純物が容器内に混入することになる。例えば、酸素
や水分等の大気成分ガスとの反応性を有するガスの場合
は、ガス濃度の経時変化を引起こし、酸化反応による不
純物生成や、容器と容器弁との接ガス部の金属表面に腐
食を生じさせる原因となる。
【０００４】また、ガス供給時には、ガス供給設備から
消費設備にかけて、残留不純物による汚染が発生する。
ガス供給時における汚染の影響は、ガスシステムに対し
てだけでなく、製品の歩留りの低下や電気的特性の不良
としても現れる。
消費設備にかけて、残留不純物による汚染が発生する。
ガス供給時における汚染の影響は、ガスシステムに対し
てだけでなく、製品の歩留りの低下や電気的特性の不良
としても現れる。
【０００５】従来から最も多く使用されている容器弁
は、一つの口金部がガスの取出口と充填口とを兼用する
一口構造であり、容器弁内にデッドスペースが存在する
ため、容器弁を取付けたときに混入した容器弁内の大気
成分を除去するには長時間を必要としていた。
は、一つの口金部がガスの取出口と充填口とを兼用する
一口構造であり、容器弁内にデッドスペースが存在する
ため、容器弁を取付けたときに混入した容器弁内の大気
成分を除去するには長時間を必要としていた。
【０００６】一方、特開平５−１０６７４９号公報や特
開平６−２８１０２６号公報に記載された容器弁は、こ
の問題を解決するために提案されたもので、容器弁内の
不純物を速やかに除去することはできるが、二個の容器
弁が一体化したブロック弁構造になっているため、弁自
体が非常に大きくなり、容器の輸送時に転倒しやすいと
いう保安上の問題点を有していた。さらに、通常の容器
弁に比較して複雑な構造を有しており、また、この容器
弁を使用するためには、ガス設備側にパージガス用配管
の増設が必要になるなど、コストが大幅に増加するとい
う問題を有していた。さらに、容器弁自体にパージ用弁
を組み込んだものも知られているが、弁の構造が複雑
で、比較的大型であり、コスト的にも高価なものとなっ
ていた。
開平６−２８１０２６号公報に記載された容器弁は、こ
の問題を解決するために提案されたもので、容器弁内の
不純物を速やかに除去することはできるが、二個の容器
弁が一体化したブロック弁構造になっているため、弁自
体が非常に大きくなり、容器の輸送時に転倒しやすいと
いう保安上の問題点を有していた。さらに、通常の容器
弁に比較して複雑な構造を有しており、また、この容器
弁を使用するためには、ガス設備側にパージガス用配管
の増設が必要になるなど、コストが大幅に増加するとい
う問題を有していた。さらに、容器弁自体にパージ用弁
を組み込んだものも知られているが、弁の構造が複雑
で、比較的大型であり、コスト的にも高価なものとなっ
ていた。
【０００７】そこで本発明は、容器弁接続時に混入した
パーティクルや大気成分を速やかに効率よく除去するこ
とができ、真空排気時のコンダクタンスを低下させず、
かつ、簡単な構造で小型化も図れ、しかも安価に製造す
ることができる容器弁を提供することを目的としてい
る。
パーティクルや大気成分を速やかに効率よく除去するこ
とができ、真空排気時のコンダクタンスを低下させず、
かつ、簡単な構造で小型化も図れ、しかも安価に製造す
ることができる容器弁を提供することを目的としてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の容器弁は、ガス充填容器に装着される容器
弁であって、容器弁内の弁室と該容器弁の一側方に開口
した口金部とを接続するガス流路を２本設け、該ガス流
路の弁室への開口部を離間させて配置するとともに、前
記口金部に、前記２本のガス流路にそれぞれ接続する２
本の流路を有し、かつ、一方の流路がパージガス導入側
に、他方の流路がパージガス導出側に接続される連結金
具を装着したことを特徴としている。
め、本発明の容器弁は、ガス充填容器に装着される容器
弁であって、容器弁内の弁室と該容器弁の一側方に開口
した口金部とを接続するガス流路を２本設け、該ガス流
路の弁室への開口部を離間させて配置するとともに、前
記口金部に、前記２本のガス流路にそれぞれ接続する２
本の流路を有し、かつ、一方の流路がパージガス導入側
に、他方の流路がパージガス導出側に接続される連結金
具を装着したことを特徴としている。
【０００９】さらに、前記弁室が容器内部側に連通する
内部側流路を中心としたリング状に形成され、前記２本
のガス流路の弁室への開口部が前記内部側流路を挟んで
対向する位置に設けられていることを特徴としている。
内部側流路を中心としたリング状に形成され、前記２本
のガス流路の弁室への開口部が前記内部側流路を挟んで
対向する位置に設けられていることを特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の容器弁の一形態例
を示す要部の断面正面図、図２は図１のII−II線断面
図、図３は連結金具を取外した状態の容器弁を示す一部
断面正面図、図４は同じく側面図である。
を示す要部の断面正面図、図２は図１のII−II線断面
図、図３は連結金具を取外した状態の容器弁を示す一部
断面正面図、図４は同じく側面図である。
【００１１】この容器弁１０は、ガス容器装着部１１の
中心に形成されて容器内と弁室１２とに連通する内部側
ガス流路１３と、容器弁１０の一側方に開口した口金部
１４と弁室１２とに連通する２本の外部側ガス流路１５
ａ，１５ｂとを有しており、前記弁室１２内には、内部
側ガス流路１３の端部外周に設けられたリング状の弁シ
ート１６と、この弁シート１６に密着することにより流
路を閉塞するダイヤフラム１７とが設けれ、容器弁１０
の上部には、ダイヤフラム１７を駆動する開閉機構１８
が設けられている。
中心に形成されて容器内と弁室１２とに連通する内部側
ガス流路１３と、容器弁１０の一側方に開口した口金部
１４と弁室１２とに連通する２本の外部側ガス流路１５
ａ，１５ｂとを有しており、前記弁室１２内には、内部
側ガス流路１３の端部外周に設けられたリング状の弁シ
ート１６と、この弁シート１６に密着することにより流
路を閉塞するダイヤフラム１７とが設けれ、容器弁１０
の上部には、ダイヤフラム１７を駆動する開閉機構１８
が設けられている。
【００１２】図２に示すように、前記２本の外部側ガス
流路１５ａ，１５ｂにおける弁室１２への開口部１９
ａ，１９ｂは、前記内部側ガス流路１３を中心としたリ
ング状に形成されている弁室１２内で、できるだけ離間
するように、内部側ガス流路１３を挟んで対向する位置
に設けられている、すなわち、一方の外部側ガス流路か
ら弁室１２内に流入したガスが、他方の外部側ガス流路
へ平均的に流れるように設定されている。
流路１５ａ，１５ｂにおける弁室１２への開口部１９
ａ，１９ｂは、前記内部側ガス流路１３を中心としたリ
ング状に形成されている弁室１２内で、できるだけ離間
するように、内部側ガス流路１３を挟んで対向する位置
に設けられている、すなわち、一方の外部側ガス流路か
ら弁室１２内に流入したガスが、他方の外部側ガス流路
へ平均的に流れるように設定されている。
【００１３】また、口金部１４から遠い位置に開口する
外部側ガス流路１５ａは、内部側ガス流路１３に影響を
与えない範囲でできるだけ中心側に位置するように形成
されており、これによって両外部側ガス流路１５ａ，１
５ｂ間の距離を最小にすることができ、従来と同じ口径
の口金部１４内に２本の外部側ガス流路１５ａ，１５ｂ
を容易に形成することができる。
外部側ガス流路１５ａは、内部側ガス流路１３に影響を
与えない範囲でできるだけ中心側に位置するように形成
されており、これによって両外部側ガス流路１５ａ，１
５ｂ間の距離を最小にすることができ、従来と同じ口径
の口金部１４内に２本の外部側ガス流路１５ａ，１５ｂ
を容易に形成することができる。
【００１４】前記口金部１４には、前記外部側ガス流路
１５ａ，１５ｂにそれぞれ接続する２本の接続流路２０
ａ，２０ｂを有する連結金具２１が装着される。この連
結金具２１は、従来の通常の連結金具と同様に、口金部
１４の外周に形成されている雄ネジ部に螺合する袋ナッ
ト２２によって口金部１４に装着され、口金部１４との
接続部には、外部リークを防止するためのシール材２３
が設けられている。
１５ａ，１５ｂにそれぞれ接続する２本の接続流路２０
ａ，２０ｂを有する連結金具２１が装着される。この連
結金具２１は、従来の通常の連結金具と同様に、口金部
１４の外周に形成されている雄ネジ部に螺合する袋ナッ
ト２２によって口金部１４に装着され、口金部１４との
接続部には、外部リークを防止するためのシール材２３
が設けられている。
【００１５】接続流路２０ａ，２０ｂには、ガス製造設
備やガス供給設備等の各種取付用配管がそれぞれ接続さ
れるが、少なくとも一方の接続流路にはパージガス導入
系統を有する配管系が、他方の流路にはパージガス導出
系統を有する配管系統が接続される。
備やガス供給設備等の各種取付用配管がそれぞれ接続さ
れるが、少なくとも一方の接続流路にはパージガス導入
系統を有する配管系が、他方の流路にはパージガス導出
系統を有する配管系統が接続される。
【００１６】容器弁１０や連結金具２１は、従来のもの
と同様に、真鍮，ステンレス鋼，ニッケル合金等から鍛
造され、機械加工されることによって製作されるもの
で、水分等のガス分子やパーティクルが接ガス部表面に
吸着する影響を少なくし、金属表面の耐食性を向上させ
る目的から、接ガス部表面には、機械研磨，砥粒研磨，
電解研磨，複合電解研磨，化学研磨，複合化学研磨等が
施されている。
と同様に、真鍮，ステンレス鋼，ニッケル合金等から鍛
造され、機械加工されることによって製作されるもの
で、水分等のガス分子やパーティクルが接ガス部表面に
吸着する影響を少なくし、金属表面の耐食性を向上させ
る目的から、接ガス部表面には、機械研磨，砥粒研磨，
電解研磨，複合電解研磨，化学研磨，複合化学研磨等が
施されている。
【００１７】また、前記ダイヤフラム１７は、通常、ス
テンレス鋼やニッケル基合金で形成されるものであっ
て、容器弁１０に設けられた開閉機構１８によって開閉
作動する。開閉機構１８としては、従来からこの種の容
器弁に用いられている各種機構、例えば、圧縮空気によ
る空気作動方式、モーターでネジ棒を回転させる電動
式、ハンドルを手動で操作する手動式等、任意の形式の
開閉機構を適宜に採用することができる。一方、弁シー
ト１６は、フッ素樹脂（商品名テフロン，ダイフロン
等），ポリイミド等の各種高分子材料が一般に使用され
る。さらに、水分の除去効率を考慮した容器弁ボディー
とシートとが一体型のオールメタルバルブ構造を採用す
ることもできる。
テンレス鋼やニッケル基合金で形成されるものであっ
て、容器弁１０に設けられた開閉機構１８によって開閉
作動する。開閉機構１８としては、従来からこの種の容
器弁に用いられている各種機構、例えば、圧縮空気によ
る空気作動方式、モーターでネジ棒を回転させる電動
式、ハンドルを手動で操作する手動式等、任意の形式の
開閉機構を適宜に採用することができる。一方、弁シー
ト１６は、フッ素樹脂（商品名テフロン，ダイフロン
等），ポリイミド等の各種高分子材料が一般に使用され
る。さらに、水分の除去効率を考慮した容器弁ボディー
とシートとが一体型のオールメタルバルブ構造を採用す
ることもできる。
【００１８】また、各流路は、真空排気時におけるコン
ダクタンスの低下を抑えるため、内径を大きくすること
が望ましいが、通常は、２〜６ｍｍが適当である。同様
の理由から、各流路の長さはできる限り短くすることが
望ましく、弁室１２の高さ（弁室底面とダイヤフラムと
の距離）も、３ｍｍ以下にすることが望ましい。
ダクタンスの低下を抑えるため、内径を大きくすること
が望ましいが、通常は、２〜６ｍｍが適当である。同様
の理由から、各流路の長さはできる限り短くすることが
望ましく、弁室１２の高さ（弁室底面とダイヤフラムと
の距離）も、３ｍｍ以下にすることが望ましい。
【００１９】なお、容器弁１０のガス容器への装着は、
従来と同様に行うことができ、また、接続流路２０ａ，
２０ｂ部分への取付用配管の接続は、従来の連結管と同
様にして行うことができるので、これらの詳細な図示及
び説明は省略する。
従来と同様に行うことができ、また、接続流路２０ａ，
２０ｂ部分への取付用配管の接続は、従来の連結管と同
様にして行うことができるので、これらの詳細な図示及
び説明は省略する。
【００２０】前記連結金具２１は、容器弁１０に装着し
た状態としておき、使用時に連結金具２１の接続流路２
０ａ，２０ｂ部分と取付用配管とを接続するようにして
もよいが、通常は、連結金具２１をガス製造設備やガス
供給設備の所定の取付用配管に接続した状態としてお
き、使用時に、連結金具２１を容器弁１０の口金部１４
に連結することによって容器弁１０と各配管とを接続す
るようにすることが好ましい。また、口金部１４に連結
金具２１を取付ける際の方向性を確実なものとするた
め、両者の接触部に、凹凸係合するガイド部を設けてお
くこともできる。
た状態としておき、使用時に連結金具２１の接続流路２
０ａ，２０ｂ部分と取付用配管とを接続するようにして
もよいが、通常は、連結金具２１をガス製造設備やガス
供給設備の所定の取付用配管に接続した状態としてお
き、使用時に、連結金具２１を容器弁１０の口金部１４
に連結することによって容器弁１０と各配管とを接続す
るようにすることが好ましい。また、口金部１４に連結
金具２１を取付ける際の方向性を確実なものとするた
め、両者の接触部に、凹凸係合するガイド部を設けてお
くこともできる。
【００２１】このように形成された容器弁１０をガス供
給設備等の取付用配管に接続する際には、容器弁１０内
の弁室１２や外部側ガス流路１５ａ，１５ｂ及び連結金
具２１の接続流路２０ａ，２０ｂ、ガス供給設備等の取
付用配管内に大気が混入するが、前述のように２本の外
部側ガス流路１５ａ，１５ｂと接続流路２０ａ，２０ｂ
とを設け、接続流路の一方にパージガス導入系統を、他
方にパージガス導出系統を接続することにより、混入し
た大気成分のパージを効率よく確実に行うことができ
る。
給設備等の取付用配管に接続する際には、容器弁１０内
の弁室１２や外部側ガス流路１５ａ，１５ｂ及び連結金
具２１の接続流路２０ａ，２０ｂ、ガス供給設備等の取
付用配管内に大気が混入するが、前述のように２本の外
部側ガス流路１５ａ，１５ｂと接続流路２０ａ，２０ｂ
とを設け、接続流路の一方にパージガス導入系統を、他
方にパージガス導出系統を接続することにより、混入し
た大気成分のパージを効率よく確実に行うことができ
る。
【００２２】すなわち、一方の接続流路２０ａにパージ
ガスを供給して他方の接続流路２０ｂからパージガスを
導出する場合、接続流路２０ａに流入したパージガス
は、該流路に接続されている外部側ガス流路１５ａを流
れて弁室１２内に流入した後、二手に別れて弁室１２を
半周し、外部側ガス流路１５ｂから接続流路２０ｂを経
て導出される。このとき、弁室１２への開口部１９ａ，
１９ｂを前述のように対向した位置に設けたので、弁室
１２内を流れるパージガスの流量や流速を均等化するこ
とができ、効率よく効果的なパージを行うことができ
る。
ガスを供給して他方の接続流路２０ｂからパージガスを
導出する場合、接続流路２０ａに流入したパージガス
は、該流路に接続されている外部側ガス流路１５ａを流
れて弁室１２内に流入した後、二手に別れて弁室１２を
半周し、外部側ガス流路１５ｂから接続流路２０ｂを経
て導出される。このとき、弁室１２への開口部１９ａ，
１９ｂを前述のように対向した位置に設けたので、弁室
１２内を流れるパージガスの流量や流速を均等化するこ
とができ、効率よく効果的なパージを行うことができ
る。
【００２３】したがって、パージガスは、弁室１２及び
各流路内を一方向に流れ、しかも、ガス通路におけるデ
ッドスペース（ガス溜まり）を極小にすることができる
ので、ガス置換特性を大幅に向上させることができ、パ
ージガスを流し続ける流通パージを行うことにより、混
入した大気成分を速やかに除去することができる。ま
た、パージガスで系内を加圧した後、大気圧以下に排気
する（加圧−排気）回分式パージを繰返すことによって
も大気成分を除去することができる。この回分式パージ
は、一般に、１０回以上繰返すことが好ましく、その回
数が多いほど確実なパージを行うことができる。
各流路内を一方向に流れ、しかも、ガス通路におけるデ
ッドスペース（ガス溜まり）を極小にすることができる
ので、ガス置換特性を大幅に向上させることができ、パ
ージガスを流し続ける流通パージを行うことにより、混
入した大気成分を速やかに除去することができる。ま
た、パージガスで系内を加圧した後、大気圧以下に排気
する（加圧−排気）回分式パージを繰返すことによって
も大気成分を除去することができる。この回分式パージ
は、一般に、１０回以上繰返すことが好ましく、その回
数が多いほど確実なパージを行うことができる。
【００２４】また、通常の一口構造の容器弁と同じ大き
さで製造することが可能であり、現有の設備にも容易に
適用できるため、容器弁１０を使用するにあたり、ガス
設備側に新規のコストが発生することはほとんどない。
さで製造することが可能であり、現有の設備にも容易に
適用できるため、容器弁１０を使用するにあたり、ガス
設備側に新規のコストが発生することはほとんどない。
【００２５】半導体プロセスにおけるパージガスとして
は、一般に、窒素，アルゴン，ヘリウム，水素が使用さ
れ、その純度は、水分０．１ｐｐｍ以下，酸素０．１ｐ
ｐｍ以下，０．３μｍの大きさのパーティクルが１００
個／ｃｆであり、特に、水分０．０１ｐｐｍ以下，酸素
０．０１ｐｐｍ以下，パーティクル１０個／ｃｆ以下の
パージガスが好適に使用される。
は、一般に、窒素，アルゴン，ヘリウム，水素が使用さ
れ、その純度は、水分０．１ｐｐｍ以下，酸素０．１ｐ
ｐｍ以下，０．３μｍの大きさのパーティクルが１００
個／ｃｆであり、特に、水分０．０１ｐｐｍ以下，酸素
０．０１ｐｐｍ以下，パーティクル１０個／ｃｆ以下の
パージガスが好適に使用される。
【００２６】なお、弁室１２への外部側ガス流路１５
ａ，１５ｂの開口部１９ａ，１９ｂの位置は、弁室１２
の形状等に応じて適宜に設定することができ、例えば、
弁室１２がＵ字状に形成されている場合は、その両端に
開口部１９ａ，１９ｂを儲ければよい。
ａ，１５ｂの開口部１９ａ，１９ｂの位置は、弁室１２
の形状等に応じて適宜に設定することができ、例えば、
弁室１２がＵ字状に形成されている場合は、その両端に
開口部１９ａ，１９ｂを儲ければよい。
【００２７】
【実施例】実施例１ 図１に示す構造のダイヤフラム容器弁１０及び連結金具
２１を製作した。弁本体は、ＳＵＳ３１６Ｌ材の鍛造品
を機械加工したものであり、ダイヤフラム１７はＮｉ基
合金製である。これらの接ガス面には複合化学研磨を施
した。また、弁シート１６にはダイフロン（商品名）を
使用した。各流路径は３ｍｍとした。
２１を製作した。弁本体は、ＳＵＳ３１６Ｌ材の鍛造品
を機械加工したものであり、ダイヤフラム１７はＮｉ基
合金製である。これらの接ガス面には複合化学研磨を施
した。また、弁シート１６にはダイフロン（商品名）を
使用した。各流路径は３ｍｍとした。
【００２８】図５に示すように、上記容器弁１０の口金
部１４に装着した連結金具２１の一方の接続流路に高純
度窒素導入管３１を、他方の接続流路に導出管３２をそ
れぞれ接続し、導出管３２に等速吸引サンプラー３３を
介してレーザ式パーティクルカウンター３４を接続し
た。
部１４に装着した連結金具２１の一方の接続流路に高純
度窒素導入管３１を、他方の接続流路に導出管３２をそ
れぞれ接続し、導出管３２に等速吸引サンプラー３３を
介してレーザ式パーティクルカウンター３４を接続し
た。
【００２９】ステンレス製オールメタルフィルター３５
で、０．１μｍ以上のパーティクルを１個／ｃｆ以下に
除去した窒素ガスを、毎分１００リットルで高純度窒素
導入管３１から導入するとともに、容器弁１０から導出
管３２に導出されたガスを等速吸引サンプラー３３に導
入し、毎分２．８ミリリットルを配管３６に分流してレ
ーザ式パーティクルカウンター３４に導入することによ
り、０．０５μｍ以上のパーティクル数を計測した。
で、０．１μｍ以上のパーティクルを１個／ｃｆ以下に
除去した窒素ガスを、毎分１００リットルで高純度窒素
導入管３１から導入するとともに、容器弁１０から導出
管３２に導出されたガスを等速吸引サンプラー３３に導
入し、毎分２．８ミリリットルを配管３６に分流してレ
ーザ式パーティクルカウンター３４に導入することによ
り、０．０５μｍ以上のパーティクル数を計測した。
【００３０】また、比較として、通常の一口型及び二口
型容器弁をそれぞれ用意し、一口型容器弁については、
従来の一般的な連結金具を使用して同様の試験を行い、
二口型容器弁については、パージポート弁から前記窒素
ガスを導入してサンプルガス取出口からガスを導出させ
た。
型容器弁をそれぞれ用意し、一口型容器弁については、
従来の一般的な連結金具を使用して同様の試験を行い、
二口型容器弁については、パージポート弁から前記窒素
ガスを導入してサンプルガス取出口からガスを導出させ
た。
【００３１】各計測結果を図６に示す。図６から明らか
なように、本実施例の容器弁は、従来の一口型容器弁よ
りも速やかにパーティクルを除去することが可能であ
り、そのレベルは二口型容器弁と同程度であることが確
認された。
なように、本実施例の容器弁は、従来の一口型容器弁よ
りも速やかにパーティクルを除去することが可能であ
り、そのレベルは二口型容器弁と同程度であることが確
認された。
【００３２】実施例２ 図７に示すように、導出管３２の下流に大気圧質量分析
計（ＡＰＩ−ＭＳ）４０を接続し、導出ガス中の水分を
測定することにより、パージ特性を調べた。なお、導出
管３２の下流側には、ＡＰＩ−ＭＳ４０用のパージガス
を導入するための配管４１及び弁４２と、ＡＰＩ−ＭＳ
４０におけるガス流量を一定に保つための流量制御器
（マスフローコントローラー）４３，４４と、切換弁４
５，４６とを設けている。
計（ＡＰＩ−ＭＳ）４０を接続し、導出ガス中の水分を
測定することにより、パージ特性を調べた。なお、導出
管３２の下流側には、ＡＰＩ−ＭＳ４０用のパージガス
を導入するための配管４１及び弁４２と、ＡＰＩ−ＭＳ
４０におけるガス流量を一定に保つための流量制御器
（マスフローコントローラー）４３，４４と、切換弁４
５，４６とを設けている。
【００３３】本実施例では、実際のガス容器交換作業に
基づいたパージ操作を行った。すなわち、連結金具２１
にあらかじめ高純度窒素導入管３１と導出管３２とを接
続した状態とし、ガス容器交換時には、容器弁１０の口
金部１４に連結金具２１を着脱して行うようにした。連
結金具２１を口金部１４に装着する際には、高純度窒素
導入管３１から微量の高純度窒素ガスを流しながら行っ
た。
基づいたパージ操作を行った。すなわち、連結金具２１
にあらかじめ高純度窒素導入管３１と導出管３２とを接
続した状態とし、ガス容器交換時には、容器弁１０の口
金部１４に連結金具２１を着脱して行うようにした。連
結金具２１を口金部１４に装着する際には、高純度窒素
導入管３１から微量の高純度窒素ガスを流しながら行っ
た。
【００３４】容器弁１０に連結金具２１を装着した後、
高純度窒素導入管３１から高純度窒素ガス（水分１ｐｐ
ｂ以下）を毎分２リットルで容器弁１０に導入し、導出
管３２に導出されたガスの一定量をＡＰＩ−ＭＳ４０に
導入した。ＡＰＩ−ＭＳ４０で定量した不純物の質量数
は、水分のＺ／Ｍ＝１８とした。また、一口型及び二口
型容器弁についても同様の測定を行った。
高純度窒素導入管３１から高純度窒素ガス（水分１ｐｐ
ｂ以下）を毎分２リットルで容器弁１０に導入し、導出
管３２に導出されたガスの一定量をＡＰＩ−ＭＳ４０に
導入した。ＡＰＩ−ＭＳ４０で定量した不純物の質量数
は、水分のＺ／Ｍ＝１８とした。また、一口型及び二口
型容器弁についても同様の測定を行った。
【００３５】図８は、測定した不純物（水分）濃度（イ
オン強度）の経時変化を示すものである。本実施例の容
器弁及び二口型容器弁は、一口型容器弁よりも速やかに
水分が除去されており、そのレベルは、双方共に同程度
であることが確認された。すなわち、実際の容器交換時
に混入する大気成分についても十分な除去効果を有して
いることがわかる。
オン強度）の経時変化を示すものである。本実施例の容
器弁及び二口型容器弁は、一口型容器弁よりも速やかに
水分が除去されており、そのレベルは、双方共に同程度
であることが確認された。すなわち、実際の容器交換時
に混入する大気成分についても十分な除去効果を有して
いることがわかる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の容器弁に
よれば、簡単な構造で十分なパージ特性を得ることがで
き、しかも、外形的には、従来の一口型容器弁と同一に
形成することが可能なため、既存のガス製造設備やガス
供給設備にも、容易に対応できる。
よれば、簡単な構造で十分なパージ特性を得ることがで
き、しかも、外形的には、従来の一口型容器弁と同一に
形成することが可能なため、既存のガス製造設備やガス
供給設備にも、容易に対応できる。
【図１】 本発明の容器弁の一形態例を示す要部の断面
正面図である。
正面図である。
【図２】 図１のII−II線断面図である。
【図３】 連結金具を取外した状態の容器弁を示す一部
断面正面図である。
断面正面図である。
【図４】 同じく側面図である。
【図５】 実施例１における機器の接続状態を示す系統
図である。
図である。
【図６】 パーティクル数の経時変化を示す図である。
【図７】 実施例２における機器の接続状態を示す系統
図である。
図である。
【図８】 不純物（水分）濃度の経時変化を示す図であ
る。
る。
１０…容器弁、１１…ガス容器装着部、１２…弁室、１
３…内部側ガス流路、１４…口金部、１５ａ，１５ｂ…
外部側ガス流路、１６…弁シート，１７…ダイヤフラ
ム、１８…開閉機構、１９ａ，１９ｂ…開口部、２０
ａ，２０ｂ…接続流路、２１…連結金具、２２…袋ナッ
ト、２３…シール材
３…内部側ガス流路、１４…口金部、１５ａ，１５ｂ…
外部側ガス流路、１６…弁シート，１７…ダイヤフラ
ム、１８…開閉機構、１９ａ，１９ｂ…開口部、２０
ａ，２０ｂ…接続流路、２１…連結金具、２２…袋ナッ
ト、２３…シール材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽坂 智 東京都港区西新橋１−16−７ 日本酸素株 式会社内 (72)発明者 長谷川 英晴 東京都港区西新橋１−16−７ 日本酸素株 式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ガス充填容器に装着される容器弁であっ
て、容器弁内の弁室と該容器弁の一側方に開口した口金
部とを接続するガス流路を２本設け、該ガス流路の弁室
への開口部を離間させて配置するとともに、前記口金部
に、前記２本のガス流路にそれぞれ接続する２本の流路
を有し、かつ、一方の流路がパージガス導入側に、他方
の流路がパージガス導出側に接続される連結金具を装着
したことを特徴とする容器弁。 - 【請求項２】 前記弁室が容器内部側に連通する内部側
流路を中心としたリング状に形成され、前記２本のガス
流路の弁室への開口部が前記内部側流路を挟んで対向す
る位置に設けられていることを特徴とする請求項１記載
の容器弁。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21431398A JP2000046212A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 容器弁 |
| KR10-2000-7003302A KR100378408B1 (ko) | 1998-07-29 | 1999-07-27 | 용기밸브 |
| EP99931549A EP1020668A4 (en) | 1998-07-29 | 1999-07-27 | TAP FOR LPG CYLINDER |
| PCT/JP1999/004004 WO2000006929A1 (fr) | 1998-07-29 | 1999-07-27 | Robinet pour cylindre a gpl |
| US09/509,346 US6206026B1 (en) | 1998-07-29 | 1999-07-27 | Valve for LP gas cylinder |
| TW88112861A TW399132B (en) | 1998-07-29 | 1999-07-29 | Valve for gas cylinder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21431398A JP2000046212A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 容器弁 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000046212A true JP2000046212A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16653689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21431398A Pending JP2000046212A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 容器弁 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6206026B1 (ja) |
| EP (1) | EP1020668A4 (ja) |
| JP (1) | JP2000046212A (ja) |
| KR (1) | KR100378408B1 (ja) |
| TW (1) | TW399132B (ja) |
| WO (1) | WO2000006929A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004345941A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-12-09 | Showa Denko Kk | 高純度アンモニアガスの供給機器および供給方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6522605B2 (ja) * | 2013-10-21 | 2019-05-29 | エイヴォックス システムズ インコーポレイテッド | 破裂ディスクをカスケードするためのシステム及び方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0393662A (ja) | 1989-09-06 | 1991-04-18 | Okutama Kogyo Kk | ゼオライト系調湿建材 |
| JPH0393662U (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-25 | ||
| FR2671598B1 (fr) * | 1991-01-16 | 1993-04-16 | Tilles Mec | Robinet pour bouteilles de gaz comprimes ou liquefies. |
| JP3092174B2 (ja) | 1991-02-19 | 2000-09-25 | 石川島播磨重工業株式会社 | 炭素鋼の溶接方法 |
| JPH05106749A (ja) | 1991-10-18 | 1993-04-27 | Texas Instr Japan Ltd | 弁装置 |
| JP2573335Y2 (ja) * | 1991-12-09 | 1998-05-28 | テイサン株式会社 | ガス貯蔵容器用パージ弁 |
| EP0588531B1 (en) * | 1992-09-09 | 1995-07-26 | Kabushiki Kaisha Neriki | Valve assembly for gas cylinder |
| JPH06281026A (ja) | 1993-03-22 | 1994-10-07 | Fujikin:Kk | ブロック弁 |
| JP3387630B2 (ja) * | 1994-06-16 | 2003-03-17 | 株式会社フジキン | ブロック弁 |
| AU691270B2 (en) * | 1994-06-24 | 1998-05-14 | Kabushiki Kaisha Neriki | Valve assembly for gas cylinder |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP21431398A patent/JP2000046212A/ja active Pending
-
1999
- 1999-07-27 KR KR10-2000-7003302A patent/KR100378408B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-07-27 US US09/509,346 patent/US6206026B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-27 WO PCT/JP1999/004004 patent/WO2000006929A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1999-07-27 EP EP99931549A patent/EP1020668A4/en not_active Withdrawn
- 1999-07-29 TW TW88112861A patent/TW399132B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004345941A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-12-09 | Showa Denko Kk | 高純度アンモニアガスの供給機器および供給方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW399132B (en) | 2000-07-21 |
| KR20010024324A (ko) | 2001-03-26 |
| EP1020668A4 (en) | 2004-06-09 |
| WO2000006929A1 (fr) | 2000-02-10 |
| US6206026B1 (en) | 2001-03-27 |
| KR100378408B1 (ko) | 2003-03-29 |
| EP1020668A1 (en) | 2000-07-19 |
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