JPH05106749A - 弁装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 弁装置１は、第一の弁部２Ａと、第二の弁部
２Ｂと、両弁部に共通な基体８とを有する。基体の第一
の弁部側には、反応ガス導入孔３に連通する第一の連通
孔４Ａと、環状溝16と、環状溝16に連孔するガス排出孔
17とが設けられている。基体の第二の弁部側には、第一
の弁部側の環状溝16に連通する第二の連通孔４Ｂと、置
換ガス供給孔６に連通する置換ガス導入孔５とが設けら
れている。 【効果】 基体内のガス通路に大気が侵入することが無
く、大気中の水分や塵埃による製品品質の劣化が起らな
い。また、第一、第二の弁部に共通の基体に各ガス通路
を設けているので、これらガス通路の容積を小さくでき
る。従って、第一、第二の通体（反応ガスと置換ガス）
の導通切換え時に前段のガスの残存量を小さくできる。
その結果、ガス置換が短時間で済んで迅速になされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、弁装置に関し、更に詳
述すれば、複種類の流体を選択的に導通する弁装置に関
する。

【０００２】

【従来技術】半導体工業においては、有毒で爆発性を有
する或いはその他の特殊なガスの雰囲気中で中間製品を
処理する工程が多々在る。その一例を挙げると、半導体
表面に被着した導電性被膜をプラズマエッチングによっ
て所定の配線パターンにパターニングする工程が在り、
この工程では、プラズマエッチング用ガス（反応ガス）
としてテトラフルオロメタン（ＣＦ₄ ）が用いられる。

【０００３】プラズマエッチング装置が多数配置された
工場にあっては、共通の配管から分岐する各分岐管を通
して各装置にＣＦ₄ ガスを供給するが、これら装置のう
ちの一部の交換やレイアウトの変更等で移動させる場
合、当該分岐管の配管をやり直す必要がある。

【０００４】このような場合、当該分岐管中のＣＦ₄ ガ
スを窒素やアルゴンで置換する必要がある。また、配管
のやり直しのために熔接用ガスとしてのヘリウムやアル
ゴンを当該分岐管に導入する必要があり、前記の置換ガ
スを更に熔接用ガスで置換せねばならない。

【０００５】更に、前記の交換や移動等の処置を講ずる
装置のみを操業停止し、その間、他の装置は操業を経続
することが、生産性の観点から要請される。然し、上記
の各条件を満足する方法やこれに使用する弁装置は未だ
知られていない。

【０００６】ガスを２方向に選択的に又は同時に導通す
るバルブとして、図14に示す構造のものが知られてい
る。

【０００７】このバルブでは、エアシリンダ62Ａ、62Ｂ
で駆動する可動弁体61Ａ、61Ｂを有し、可動弁体61Ａが
開きかつ可動弁体61Ｂが閉じているときに、ガスは一方
の排出口63Ａから排出する（実線矢印）。可動弁体61Ａ
が閉じかつ可動弁体61Ｂが開いているときに、ガスは他
方の排出口63Ｂから排出する（仮想線矢印）。可動弁体
61Ａ、61Ｂの双方が開いているときは、ガスは排出口63
Ａ、63Ｂの双方から排出する。

【０００８】このバルブは、導通経路を選択するだけで
あって、ガスの置換は不可能である。

【０００９】ガス置換を可能とするバルブとして、図15
に平面図で、図15のXVI −XVI 線断面図である図16に示
す構造のものが市販されている。

【００１０】このバルブでは、上流側導通路71Ａと下流
側導通路71Ｂとに分岐管72Ａ、72Ｂを設け、ガス置換時
にはこれらに別のバルブ73Ａ、73Ｂ（図15に仮想線で示
す）を取付けて置換ガスを導入するようにしている。こ
のバルブでは２種類の置換ガス導入を可能としている。
ガス置換時には、可動弁体74を弁座75に接当させて導通
ガスの導通を停止し、バルブ73Ａ、73Ｂのいずれか一方
を開いて置換ガスを導入する。

【００１１】このバルブには次の欠点がある。その一つ
は、導通ガスの導通停止後も分岐管72Ａ、72Ｂ及びその
間のガス通路には可成りの量の導通ガスが充満してお
り、これを置換ガスで完全に置換するには時間がかか
る。下流側の分岐管37Ｂから置換ガスを導入する場合
は、特に長時間を要する。

【００１２】欠点の他の一つは、置換ガスの導入を停止
し、可動弁体74を弁座から離間させて導通ガスを再び導
通するとき、その直前に、バルブ73Ａ、73Ｂを分岐管72
Ａ、72Ｂから外し、キャップ（図示省略）で閉塞するの
であるが、この作業中に分岐管72Ａ、72Ｂは大気に開口
するので、此処から大気が侵入する。これにより、大気
中の水分や塵埃が導通ガスに入ることになり、半導体工
業にあっては製品の品質が甚だしく劣化する。

【００１３】

【発明の目的】本発明は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、流体置換を短時間で行え、大気等の不所
望な流体が侵入することがなく、信頼性の高い弁装置を
提供することを目的としている。

【００１４】

【発明の構成】本発明は、第一の流体の導通及び導通停
止をさせる第一の弁部( 例えば後述の第一の弁部２Ａ）
と、第二の流体の導通及び導通停止をさせる第二の弁部
（例えば後述の第二の弁部２Ｂ）と、両弁部に共通の基
体（例えば後述の基体８）とを有し、前記基体の前記第
一の弁部側には、前記第一の流体を供給する第一流体供
給部（例えば後述の反応ガス導入孔３）と、前記第二の
流体を導入する第二流体導入部（例えば後述の置換ガス
導入孔５）と、この第二流体導入部に常時連通する流体
排出部（例えば後述のガス排出孔17) とが設けられ、前
記基体の前記第二の弁部側には、前記第二の流体を供給
する第二流体供給部（例えば後述の置換ガス供給孔６）
と、前記第二流体導入部に連通する第二流体導出部（例
えば後述の第二の連通孔４Ｂ）とが設けられ、前記第一
及び第二の弁部の操作により、前記第一の流体及び前記
第二の流体のいずれか一方が選択的に導通されるように
構成されている弁装置に係る。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。先ず、プ
ラズマエッチング装置に供給するガスの流通回路を図12
によって説明する。

【００１６】反応ガスＣＦ₄ の供給源41からの主配管42
から多数の分岐管43Ａ、43Ｂ、……が分岐し、各分岐管
43Ａ、43Ｂ、……の上流側位置に後述の実施例１の弁装
置１又は同実施例２の弁装置21が配設されている。

【００１７】各分岐管43Ａ、43Ｂ、……の後端はプラズ
マエッチング装置44Ａ、44Ｂ、……に接続している。各
弁装置１又は21は第一の弁部２Ａ又は22Ａと第二の弁部
２Ｂ又は22Ｂとを有し、第一の弁部２Ａ又は22Ａは反応
ガスＣＦ₄ の導通及び導通停止を、第二の弁部２Ｂ又は
22Ｂは置換ガスＳＧの導通及び導通停止を司る。

【００１８】プラズマエッチング装置44Ａ、44Ｂ、……
のうちのいずれかについて、前述した処置を施すとき
は、その前に、当該プラズマエッチング装置に接続して
いる第一の弁部２Ａ又は22Ａを閉じて反応ガスＣＦ₄ の
導入を停止し、次いで第二の弁部２Ｂ又は22Ｂを開いて
置換ガスＳＧを導入し、ガスの置換を行う。

【００１９】当該弁装置以外の弁装置は、通常は第一の
弁部２Ａ又は22Ａが開き、第二の弁部２Ｂ又は22Ｂが閉
じていて、反応ガスＣＦ₄ が他の各プラズマエッチング
装置に供給される。従って、特定のプラズマエッチング
装置が操業停止している間、他のプラズマエッチング装
置は操業を中断することなく続行できる。

【００２０】実施例１ 図１は弁装置の部分断面図、図２は図１のII−Ｏ−II線
部分断面図、図３は図１の右側から見た一部破砕側面
図、図４は反応ガス導通状態での図１の部分拡大図、図
５は置換ガス導入状態での図１の部分拡大図である。

【００２１】弁装置１は、第一の弁部２Ａ、第二の弁部
２Ｂ及び両者に共通の基体８を有する。第一の弁部２Ａ
は反応ガスの導通及び導通停止を、第二の弁部２Ｂは置
換ガスの導通及び導通停止を夫々司る。

【００２２】第一の弁部２Ａ、第二の弁部２Ｂは、夫々
共通の基体８に固定された弁座９Ａ、９Ｂ；可動弁体と
してのダイアフラム10Ａ、10Ｂ；ダイアフラム押え11
Ａ、11Ｂ；ダイアフラム10Ａ、10Ｂの周縁部を基体８に
固定する環状のダイアフラム固定片12Ａ、12Ｂ；基体８
に螺着してこれにダイアフラム固定片12Ａ、12Ｂを固定
させるスリーブ13Ａ、13Ｂ；スリーブ13Ａ、13Ｂに往復
動可能に螺合しこの往復動によってダイアフラム押え11
Ａ、11Ｂを往復動させる弁棒14Ａ、14Ｂ；及びスリーブ
13Ａ、13Ｂに螺着したナット15Ａ、15Ｂ；を有する。

【００２３】基体８には、図12の分岐管43Ａ、43Ｂ、…
…に接続する反応ガス導入孔３、反応ガス導入孔３と弁
座８Ａの内側とを連通する第一の連通孔４Ａ、第一の連
通孔４Ａの周囲に位置する環状溝16、環状溝16に連通す
るガス排出孔17、弁座８Ｂの内側に位置する置換ガス導
入孔５、弁座８Ｂの外側に位置して環状溝16に連通する
第二の連通孔４Ｂ、及び置換ガス導入孔５に連通する置
換ガス供給孔６が設けられている。

【００２４】基体８の側面には、ガス導入孔３に接続
し、分岐管に接続させるための反応ガス供給用の第一の
管継手７Ａ（図２）及びガス排出孔17に接続し、分岐管
に接続させるための第三の管継手７Ｃが取付けられる。
基体８の上面には、置換ガス供給孔６の先端に接続する
置換ガス供給用の第二の管継手７Ｂ（図２）が取付けら
れる。

【００２５】反応ガスが導通しているときは、図４に示
すように、第一の弁部２Ａの弁棒14Ａが上昇し、第二の
弁部２Ｂの弁棒14Ｂが弁座９Ｂの法に位置している。従
って、ダイアフラム10Ｂは弁座９Ｂに接当していて置換
ガスは導入されない。他方、ダイアフラム10Ａは弁座９
Ａから離間し、反応ガスＣＦ₄ は、反応ガス導入孔３か
ら第一の連通孔４Ａ、弁座９Ａとダイアフラム10Ａとの
間の空間18Ａ、及び環状溝16を経由してガス排出孔17か
ら排出する。

【００２６】置換ガスを導入するときは、図５に示すよ
うに、第二の弁部２Ｂの弁棒14Ｂが図において左方に移
動し、第一の弁部２Ａの弁棒14Ａが下降している。従っ
て、ダイアフラム10Ａは弁座９Ａに接当していて反応ガ
スは導入されない。他方、ダイアフラム10Ｂは弁座９Ｂ
から離間し、置換ガスＳＧは、置換ガス供給孔６、置換
ガス導入孔５、弁座９Ｂとダイアフラム10Ｂとの間の空
間18Ｂ、及び第二の連通孔４Ｂ、環状溝16を経由し、ガ
ス排出孔17から排出する。

【００２７】次に、特定のプラズマエッチング装置に対
し、配管をやり直すときのガス供給の手順を図２、図４
及び図５によって説明する。

【００２８】先ず、第二の管継手７Ｂに置換ガス供給用
管（図示省略）を接続し、上記の特定のプラズマエッチ
ング装置の操業を停止する。次に、上記装置の分岐管に
設けられた弁装置１について、図４の状態から第一の弁
部２Ａを閉じ、第二の弁部２Ｂを開いて図５の状態とす
る。この状態で置換ガス導入孔５から置換ガスＳＧとし
ての窒素（Ｎ₂ ）（又はアルゴン（Ａｒ））を導入す
る。

【００２９】置換ガスＳＧは前述した経路を経てガス排
出孔17から排出する。置換ガスＳＧの導入により、図４
の状態で弁装置内及びその下流側の分岐管部分に充満し
ていた反応ガスＣＦ₄ は、置換ガスによって追出され、
置換ガスＳＧによって置換される。

【００３０】上記の置換が終了したら、第二の弁部２Ａ
を閉じ、第二の管継手７Ｂに接続している置換ガス供給
用管を外してこれに替えて熔接用ガス供給管（図示省
略）を接続する。次に、第二の弁部２Ｂを開いて熔接用
ガスＷＧとしてのヘリウム（Ｈｅ）（又はアルゴン（Ａ
ｒ））を導入し、前記と同様にして熔接用ガスＷＧで置
換ガスＳＧを置換したら分岐管の熔接をやり直す。

【００３１】熔接が終了したら第二の弁部２Ｂを閉じ、
第二の管継手７Ｂに接続している熔接用ガス供給管を外
し、これに替えて再び置換ガス供給用管を接続し、次い
で第二の弁部２Ｂを開く。そして、前記と同様にして置
換ガスＳＧで熔接用ガスＷＧを置換してから第二の弁部
２Ｂを閉じ、次いで第一の弁部２Ａを開いて図４の状態
に戻す。

【００３２】その後は第一の管継手７Ａを経由して反応
ガスを送り、プラズマエッチングの操業を再開する。第
二の管継手７Ｂには、前述のように管内のガスを度々置
換、変更するので、Ｔ型分岐継手（図示せず）により作
業が終了する迄は置換用ガスの配管と溶接用ガスの配管
との双方を接続しておいて、両方のガスを切替えながら
使用するのが望ましい。それは、大気等の不所望な流体
の侵入をふせぐためである。

【００３３】以上のように、本例による弁装置１では、
ガス置換中に大気が侵入する機会が無いので、大気中の
水分や塵埃の侵入による製品品質の劣化が起ることが無
い。

【００３４】また、図４の状態から第一の弁部２Ａを閉
じた瞬間では、第二の連通孔４Ｂ、環状溝16内には反応
ガスが充満しているのであるが、共通の基体８によって
第一、第二の弁部２Ａ、２Ｂを一体にした構造としてい
るので、上記の反応ガス充満領域の容積が小さくなる。
その結果、図５の状態で反応ガスを置換ガスで置換する
のに要する時間が短時間で済み、操業停止の時間が短縮
されて頗る好都合である。

【００３５】また、前回使用した反応ガスや熔接用ガス
の僅かな部分が弁装置内のガス通路の壁面に付着し、こ
れが後段に供給される反応ガスに混入して反応ガスの分
圧が変化するような不都合が起ることも無い。

【００３６】次に、弁装置１によってガス置換をするの
に要する時間を実験によって測定した結果について説明
する。

【００３７】この実験では、熔接用ガスにヘリウムを、
置換ガスに窒素を使用し、ヘリウムガスを窒素ガスで置
換するときの経過時間と両ガスの量との関係を求めた。
ガスの種類を上記のように選択したのは、実験において
危険な反応ガスの使用を避けるためである。

【００３８】ガスの測定には、弁装置１のガス排出孔17
に管継手７Ｃによって接続された管にサンプリングチュ
ーブを取付け、このサンプリングチューブで採取された
ガスを四重極ガス分析計Ｑmax ＭＳＱ−150 （日本真空
技術社製）で分析し、その出力をパーソナルコンピュー
タを経由して陰極線管に表示すると共に、データを記録
紙に記録させ、プロッタによってグラフ表示させる方法
を採った。

【００３９】測定結果は図６に示す通りである。同図に
は、比較のため、２個の市販のストップバルブを図13に
示すように接続してなるバルブアッセンブリ51を使用し
て同様の測定を行った結果を併記してある。

【００４０】比較のバルブアッセッブリ51は、第二のス
トップバルブ52Ｂとサンプリングチューブ55とを接続す
る管53の途中に管54を介して第一のストップバルブ52Ａ
を接続してなっている。そして、第一のストップバルブ
52Ａを通してヘリウムガスを、第二のストップバルブ52
Ｂを通して窒素ガスを導入している。

【００４１】図６から解るように、比較のバルブアッセ
ンブリ51ではヘリウムガスの導入を停止し、窒素ガスの
導入を開始した時点から150 秒を経過した時点で、ヘリ
ウムガスは約１×10^-6 気圧から１×10^-10 気圧に低下
している。これに対し、実施例の弁装置１では、ヘリウ
ムガスの上記と同じ減少が25秒という著しく短い時間に
短縮されている。

【００４２】これは、比較のバルブアッセンブリ51では
管53、54中に充満していたヘリウムガスの量が多いのに
対し、実施例の弁装置１では前述したように前段のガス
充満領域の容積が小さいことに起因している。

【００４３】図２において、第二の管継手７Ｂを２個設
け、両者のいずれか一方を三方コックによって選択的に
使用することにより、置換ガス供給管と熔接用ガス供給
管とを着脱する手間を省くことができる。即ち、第二の
管継手の一方には置換ガス供給管を、他方には熔接用ガ
ス供給管を夫々接続しておく。このようにして、操作時
間の短縮を図ることができる。

【００４４】図４、図５の第二の連通孔４Ｂとガス排出
孔17との連通を、第一のダイアフラム10Ａの直下で行う
ようにして良い。図７はこのようにした第一のダイアフ
ラム直下の図４と同様の状態での拡大断面図（図８のVI
I −VII 線断面図）、図８は図７のVIII−VIII線断面図
である。

【００４５】この変形例では、図４、図５の環状溝16に
替えて置換ガス導通孔19Ａと排出ガス導通孔19Ｂとを第
一の弁座９Ａの両側の対称位置に配設し、これら導通孔
を第二の貫通孔４Ｂ、ガス排出孔17に夫々連通させる。
基体８の上面には、置換ガス導通孔19Ａとガス排出ガス
導出孔19Ｂとに接続する環状の浅い溝20を設け、浅い環
状溝20と両導通孔19Ａ、19Ｂとによって第二の貫通孔４
Ｂとガス排出孔17とを連通させる。

【００４６】このようにすると、ガス置換前に使用した
ガスの充満領域の容積が更に小さくなり、ガス置換に要
する時間が一層短縮される。このような変形は、次に述
べる実施例２に対しても同様に適用可能である。

【００４７】実施例２ 前記実施例１では第一、第二の弁部の開閉を各弁棒の回
転によっているのに対し、この例では上記開閉をエアシ
リンダの駆動によっている。図９は反応ガス導通状態に
おける弁装置の部分断面図、図10は置換ガス導通状態に
おける弁装置の部分断面図、図11は弁装置の底面図であ
る。

【００４８】弁装置21は、第一の弁部22Ａ、第二の弁部
22Ｂ及び両者に共通の基体28を有する。第一の弁部22Ａ
は反応ガスの導通及び導通停止を、第二の弁部22Ｂは置
換ガスの導通及び導通停止を夫々司る。

【００４９】第二の弁部22Ｂは、第一の弁部22Ａよりも
小型であること及び置換ガス供給孔26が第二の弁部の側
壁からその内部に通じていることが第一の弁部22Ａと異
なるだけで、その他は同様であるので、第二の弁部22Ｂ
を構成する各部の符号及び説明を省略する。

【００５０】第一の弁部22Ａは、共通の基体28に固定さ
れた弁座29Ａ、可動弁体としてのダイアフラム30Ａ、ダ
イアフラム30Ａに固定された弁座への接当片31Ａ、ダイ
アフラム30Ａの周縁部を基体28に固定する環状のダイア
フラム固定片32Ａ、基体28Ａに螺着してこれにダイアフ
ラム固定片32Ａを固定させるスリーブ33Ａ、弁棒34Ａ、
弁棒34Ａを弁座29Ａとは逆の方向へ付勢するコイルばね
39Ａ、及び弁棒34Ａに接続するピストンロッド40Ａａを
有するエアシリンダ40Ａ、を有する。

【００５１】基体28には、図12の分岐管43Ａ、43Ｂ、…
…に接続する反応ガス導入孔33、反応ガス導入孔33と弁
座28Ａの内側とを連通する第一の連通孔24Ａ、第一の連
通孔24Ａの周囲に位置する環状溝36、環状溝36に連通す
るガス排出孔37、第二の弁部22Ｂ、第二の弁部22Ｂと環
状溝36とを連通する第二の連通孔24Ｂ、置換ガス供給管
（図示省略）を接続するための管継手27Ｂ及びガス排出
孔37に接続する管継手27Ｃが設けられている。

【００５２】反応ガスが導通しているときは、図９に示
すように、第一の弁部22Ａの弁棒34Ａがコイルばね39Ａ
の付勢力によって上昇しており、ダイアフラム30Ａが彎
曲して接当片31Ａが弁座29Ａから離間している。これに
より、反応ガスＣＦ₄ は、反応ガス導入孔23から、第一
の連通孔24Ａ、弁座29Ａと接当片31Ａとの間の空間38
Ａ、及び環状溝36を経由してガス排出孔37から排出す
る。

【００５３】置換ガスを導入するときは、図10に示すよ
うに、エアシリンダ40Ａの駆動によるピストンロッド40
Ａａの下降によって第一の弁部22Ａの弁棒34Ａがコイル
ばね39Ａの付勢力に逆って下降し、ダイアフラム30Ａが
略平面状になって接当片31Ａが弁座29Ａに圧接し、これ
によって反応ガス導通を停止する。

【００５４】他方、第二の弁部22Ｂは図９における第一
の弁部22Ａの状態と同様の状態になっている。従って、
図10において、置換ガスＳＧは、置換ガス導入孔26、第
二の弁部22Ｂ内、第二の連通孔24Ｂ、及び環状溝36を経
由してガス排出孔37から排出する。

【００５５】以上のほかは、前記実施例１におけると異
なるところは無い。

【００５６】以上、半導体工業におけるプラズマエッチ
ング工程を例に挙げて本発明の実施例を説明したが、本
発明は他のガス又は液体を使用する工程にも同様に適用
可能である。また、弁装置の構造も、本発明の技術的思
想から外れない範囲で他の適宜の構造とすることができ
る。

【００５７】

【発明の効果】本発明に基づく弁装置は、基体の第一の
弁部側には、第一流体供給部と、第二流体導入部と、第
二流体導入部に常時連通する流体排出部とが設けられ、
基体の第二の弁部側には、第二流体供給部と、前記第一
の弁部側の第二流体導入部に連通する第二流体導出部と
が設けられているので、第一、第二の流体の導通切換え
時に外気が流体通路に侵入することが無い。従って、外
気の水分や塵埃等の不所望な成分が侵入せず、流体は常
に清浄であることが保証される。

【００５８】また、前記基体は、第一、第二の弁部に共
通であるので、、基体内の流体通路の容積を小さくで
き、第一、第二の流体導通の切換え時に基体内に残存す
る前段の流体の量が小さい。従って、上記の切換えが短
時間で終了して迅速になされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第一の実施例による弁装置の部分断面図であ
る。

【図２】図１のII−Ｏ−II線断面図である。

【図３】図１の右側から見た弁装置の側面図である。

【図４】反応ガス導通状態における図１の拡大部分断面
図である。

【図５】置換ガス導通状態における図１の拡大部分断面
図である。

【図６】ガス分析結果を示すグラフである。

【図７】第一の実施例に若干の変形を加えた弁装置の拡
大部分断面図（図８のVII −VII 線断面図）である。

【図８】図７のVIII−VIII線断面図である。

【図９】第二の実施例による弁装置の反応ガス導通状態
での部分断面図である。

【図10】同、置換ガス導通状態での部分断面図である。

【図11】同、底面図である。

【図12】プラズマエッチング工程におけるガス導通の概
略回路図である。

【図13】ガス分析実験に用いたストップバルブアッセン
ブリのガス導通回路図である。

【図14】従来の２方向選択バルブの部分断面図である。

【図15】従来のガス置換用バルブの平面図である。

【図16】図15のXVI −XVI 線断面図である。

【符号の説明】

１、21 弁装置 ２Ａ、22 第一の弁部 ２ 22 第二の弁部 ３、23 反応ガス導入孔 ４Ａ、24Ａ 第一の連通孔 ４Ｂ、24Ｂ 第二の連通孔 ５、25 置換ガス導入孔 ６、26 置換ガス供給孔 ８、28 基体 ９Ａ、９Ｂ、19Ａ 弁座 10Ａ、10Ｂ、30Ａ ダイアフラム 11Ａ、11Ｂ、 ダイアフラム押え 12Ａ、12Ｂ、32Ａ ダイアフラム固定片 14Ａ、14Ｂ、34Ａ 弁棒 16、20、36 環状溝 17、37 ガス排出孔 18Ａ、18Ｂ 弁座とダイアフラムとの間の空間 19Ａ 置換ガス導通孔 19Ｂ 排出ガス導通孔 31Ａ 弁座への接当片 ＣＦ₄ 反応ガス ＳＧ 置換ガス

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第一の流体の導通及び導通停止をさせる
   第一の弁部と、第二の流体の導通及び導通停止をさせる
   第二の弁部と、両弁部に共通の基体とを有し、 前記基体の前記第一の弁部側には、前記第一の流体を供
   給する第一流体供給部と、前記第二の流体を導入する第
   二流体導入部と、この第二流体導入部に常時連通する流
   体排出部とが設けられ、 前記基体の前記第二の弁部側には、前記第二の流体を供
   給する第二流体供給部と、前記第二流体導入部に連通す
   る第二流体導出部とが設けられ、 前記第一及び第二の弁部の操作により、前記第一の流体
   及び前記第二の流体のいずれか一方が選択的に導通され
   るように構成されている弁装置。