JPH07283099A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

Info

Publication number
JPH07283099A
JPH07283099A JP8914294A JP8914294A JPH07283099A JP H07283099 A JPH07283099 A JP H07283099A JP 8914294 A JP8914294 A JP 8914294A JP 8914294 A JP8914294 A JP 8914294A JP H07283099 A JPH07283099 A JP H07283099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tank
airtight
processing tank
transfer
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8914294A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeo Sato
武夫 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP8914294A priority Critical patent/JPH07283099A/ja
Publication of JPH07283099A publication Critical patent/JPH07283099A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】複数の気密槽を有する半導体製造装置に於い
て、気密槽と気密槽間の組立て、分解を容易にして清
浄、保守を容易に而も短時間で行える様にする。 【構成】複数の気密槽1,2を具備する半導体製造装置
に於いて、少なくとも1つの気密槽2を独立した槽支持
架台17に取付け、該気密槽と独立した槽支持架台とを
一体化し他の気密槽1に連設可能とし、気密槽と独立し
た槽支持架台を一体化することで気密槽と気密槽間の組
立て、分解が容易になり、又気密槽が単独で機能試験、
性能試験が行える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は減圧下で被処理物を処理
する半導体製造装置、特に半導体製造装置を構成する気
密槽間の結合構造の改善に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5、図6に於いて従来の半導体製造装
置を示す。
【0003】図中、1は被処理物の搬送を行う搬送機構
(図示せず)を収納する搬送槽、2は真空減圧下で反応
ガスを導入し、高周波電力を供給してプラズマを発生さ
せ薄膜を生成し、或はプラズマエッチングを行う処理ユ
ニット(図示せず)を収納する処理槽、3は被処理物を
半導体製造装置と外部間で授受を行う被処理授受ユニッ
ト(図示せず)を収納するロードロック槽である。
【0004】前記搬送槽1に前記処理槽2、前記ロード
ロック槽3が気密に連設されており、前記搬送槽1と前
記処理槽2とは搬送口4により連通され、前記搬送槽1
と前記ロードロック槽3とは搬送口5により連通され、
又前記ロードロック槽3には装置外部に対する被処理物
の搬入搬出を行う為の搬送口6が設けられている。
【0005】前記搬送口4にはゲートバルブ7が設けら
れ、前記搬送口5にはゲートバルブ8が設けられ、前記
搬送口6にはゲートバルブ9が設けられている。尚、図
中10は前記ゲートバルブ7を開閉する為のバルブ開閉
駆動部である。
【0006】前記搬送槽1、処理槽2、ロードロック槽
3は共通の槽支持架台11に載置され、前記搬送槽1を
前記槽支持架台11に固定した後、前記処理槽2、ロー
ドロック槽3を前記搬送槽1にボルト12により処理槽
2、ロードロック槽3側から固定していた。
【0007】又、前記処理槽2には電極、ターボ分子ポ
ンプ、可変コンダクタンスバルブ、真空計、主開閉バル
ブ、加熱機構、冷却機構、被処理物移載機構の1部、蓋
開閉機構、ガス導入機構及び排気用配管等が関連して設
けられるが、これら機構は前記槽支持架台11内に収納
されていた。
【0008】上記半導体製造装置に於いて、被処理物
(図示せず)を処理する場合は、前記ロードロック槽3
のゲートバルブ9を開き、被処理物をロードロック槽3
内に搬入する。
【0009】該ロードロック槽3のゲートバルブ9が閉
じ、ロードロック槽3は減圧される。該ロードロック槽
3の圧力が所定の圧力に減圧されると、予め減圧にされ
ている前記搬送槽1のゲートバルブ8が開き、搬送槽1
の前記搬送機構(図示せず)によって前記ロードロック
槽3の被処理物を搬送機構に移載し被処理物を前記搬送
槽1に移す。該搬送槽1のゲートバルブ8が閉じると前
記処理槽2のゲートバルブ7が開き、被処理物は前記搬
送槽から搬送機構によって前記処理槽2に移載される。
該処理槽2のゲートバルブ7が閉じ、被処理物に所要の
処理が行われる。
【0010】処理が終了すると前記処理槽2のゲートバ
ルブ7が開き前記搬送槽1の搬送機構によって被処理物
は搬送槽1に移され、前記処理槽2のゲートバルブ7が
閉じられる。
【0011】前記搬送槽1からの被処理物の搬出は上記
した搬入の逆動作となる。
【0012】上記半導体製造装置では処理槽2に反応ガ
スを導入し、プラズマを発生させ、被処理物を処理して
いるが、反応生成物が処理槽2の内壁、及び前記ゲート
バルブ7に付着し、パーティクルの原因となる。この
為、定期的に清浄を行い、被処理物の品質を保持してい
る。又、搬送槽1と処理槽2間、搬送槽1とロードロッ
ク槽3間の気密性を保持する為、接合面にはOリング等
のシール部材が挾設されているが、このシール材は性能
維持の為定期的に交換されなければならない。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に、半導体
製造装置の被処理物の品質を保証する為、処理槽を定期
的に清浄し、或はシール部材の交換をしているが、従来
の半導体製造装置で処理槽2の清浄、シール部材の交換
を行うには、先ず処理槽2と槽支持架台11間の締結を
解除し、更にボルト12を抜脱して搬送槽1と処理槽2
とを切離していた。
【0014】従って、搬送槽1と処理槽2との切離しに
は、搬送槽1と処理槽2との切離し以外に前記した電
極、ターボポンプ、ガス導入機構、排気管と前記槽支持
架台11又は処理槽2との切離しが必要となり、分解、
組立て作業が面倒であると共に処理槽2を切離した後の
搬送槽1と処理槽2間に充分な作業空間を確保すること
ができず、接合面に関する保守、例えば搬送口4、ゲー
トバルブ7の清浄が困難であり、更に接合面に挾設した
Oリングの交換が困難である。この為、清浄、保守作業
には長時間を要し、半導体製造装置の稼働率向上の妨げ
となっていた。
【0015】更に、製作に於いては槽支持架台11に順
序よく組立てる工程を必要とし、処理槽2と搬送槽1と
の接合面の真空シールが不完全である場合には、既に組
込まれた構成部品を取外して真空チェックを行う必要が
生ずる為、作業手順が煩雑で、長時間を要する作業とな
っていた。
【0016】本発明は斯かる実情に鑑み、搬送槽と処理
槽との組立て、分解を容易にして清浄、保守を容易に而
も短時間で行える様にしようとするものである。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の気密槽
を具備する半導体製造装置に於いて、少なくとも1つの
気密槽を独立した槽支持架台に取付け、該気密槽と独立
した槽支持架台を一体化し他の気密槽に連設可能とした
ことを特徴とするものである。
【0018】
【作用】少なくとも1つの気密槽を独立した槽支持架台
に取付け、該気密槽と独立した槽支持架台を一体化した
ので、組立て、切離しが容易に行え、保守作業性が向上
し、半導体製造装置の稼働率が向上すると共に単独で機
能試験、性能試験が行え作業効率が向上する。
【0019】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
【0020】図1、図2中、図5、図6中で示したもの
と同一のものには同符号を付してある。
【0021】搬送槽1を搬送槽支持架台15に載置固定
し、該搬送槽支持架台15より連結ガイド16を延設す
る。該連結ガイド16には後述する車輪18が走行可能
な走行面が形成され、該走行面は後述する処理槽支持架
台17が軌乗した場合に、搬送槽1と処理槽2のレベル
が一致する様になっている。
【0022】処理槽2は処理槽支持架台17に載置固定
し、該処理槽支持架台17には車輪18を設け、該車輪
18を介して前記連結ガイド16に軌乗可能とする。前
記搬送槽支持架台15には締結ブロック19を固着し、
前記処理槽支持架台17と搬送槽支持架台15の締結
は、処理槽支持架台17に挿通したボルト20を前記締
結ブロック19に螺着することで行う。
【0023】前記搬送槽1の両側面には締結ブラケット
21を固着し、前記処理槽2の両側面で前記締結ブラケ
ット21に対峙する位置に締結ブラケット22を固着す
る。一方の締結ブラケット21に嵌合ピン24を固着
し、他方の締結ブラケット22には前記嵌合ピン24に
嵌合可能な位置決め孔(図示せず)を穿設する。
【0024】前記搬送槽1と前記処理槽2との連設は、
前記嵌合ピン24を締結ブラケット22に嵌合させ、前
記締結ブラケット21と前記締結ブラケット22とをボ
ルト23により締結して行う。
【0025】図中、25は補助ガイドであり、該補助ガ
イド25は半導体製造装置の設置面から前記連結ガイド
16の走行面迄を連続させる為の傾斜面を有している。
26は連結ガイド16から処理槽支持架台17が脱落す
るのを防止する為の、ストッパを示す。
【0026】次に組立て手順について説明する。
【0027】前記搬送槽1内に搬送ユニット等を組込ん
だ状態として搬送槽1を搬送槽支持架台15に組付け
る。同様に、前記処理槽2内に処理ユニットを組込んだ
状態で処理槽2を処理槽支持架台17に組付ける。
【0028】前記ストッパ26を除去した状態で、前記
連結ガイド16に前記補助ガイド25を継足し、該補助
ガイド25、連結ガイド16に沿って処理槽支持架台1
7を移動させる。該処理槽支持架台17を前記連結ガイ
ド16に軌乗させると前記ストッパ26により処理槽支
持架台17を係止する。
【0029】前記嵌合ピン24を前記締結ブラケット2
2に嵌合させ、搬送槽1と処理槽2との位置合わせを行
い、前記ボルト23により締結ブラケット21と締結ブ
ラケット22とを締結する。次に、前記ボルト20によ
り搬送槽支持架台15と処理槽支持架台17との締結を
行って前記搬送槽1と処理槽2との締結を完了する。
【0030】前記搬送槽1と処理槽2との切離しを行う
場合は前記ボルト23、ボルト20を抜脱し、前記スト
ッパ26を除去し、処理槽支持架台17と処理槽2とを
一体として前記車輪18を利用して移動させる。
【0031】従って、前記搬送槽1と処理槽2との切離
し、該処理槽2の移動は容易であり、短時間に行えると
共に搬送槽1と処理槽2間に充分な作業空間を確保する
ことができ、処理槽2内の清浄、ゲートバルブ7の清
浄、搬送槽1と処理槽2間に挾設したシール部材の交換
が容易に行える。
【0032】尚、前記補助ガイド25は組立て分解以外
の場合は取外しておく。
【0033】図3、図4により他の実施例を説明する。
【0034】上記実施例では搬送槽1、搬送槽支持架台
15と処理槽2、処理槽支持架台17との連結案内手段
として連結ガイド16を用い、該連結ガイド16に沿っ
て直線的に近接離反可能としたが、以下に述べる他の実
施例では連結案内手段としてヒンジ機構を用い、搬送槽
1、搬送槽支持架台15に対して処理槽2、処理槽支持
架台17が回動し、近接離反可能としたものである。
【0035】搬送槽1の1側面に軸受29を介してガイ
ド軸27を垂直軸心を中心に回転自在に設け、前記ガイ
ド軸27に上下一対のガイドアーム28を固着し、上側
のガイドアーム28の先端を前記処理槽2の側面に固着
し、下側のガイドアーム28の先端を前記処理槽支持架
台17の側面に固着する。該処理槽支持架台17の下面
には車輪18を設け、前記処理槽支持架台17が半導体
製造装置設置面を走行可能とする。
【0036】前記搬送槽1の他側面には締結ブラケット
21を固着し、前記処理槽2の他側面で前記締結ブラケ
ット21に対峙する位置に締結ブラケット22を固着す
る。一方の締結ブラケット21に嵌合ピン24(図示せ
ず)を固着し、他方の締結ブラケット22には前記嵌合
ピン24に嵌合可能な位置決め孔(図示せず)を穿設す
る。
【0037】前記搬送槽1と前記処理槽2との連設は、
前記嵌合ピン24を締結ブラケット22に嵌合させ、前
記締結ブラケット21と前記締結ブラケット22とをボ
ルト23により締結して行う。
【0038】次に組立て手順について説明する。
【0039】前記搬送槽1内に搬送ユニット等を組込ん
だ状態として搬送槽1を搬送槽支持架台15に組付け
る。同様に、前記処理槽2内に処理ユニットを組込んだ
状態で処理槽2を処理槽支持架台17に組付ける。
【0040】前記ガイド軸27を中心に車輪18を介し
て処理槽支持架台17を回動させ、更に前記嵌合ピン2
4を前記締結ブラケット22に嵌合させ、搬送槽1と前
記処理槽2の接合面を密着させる。前記ボルト23によ
り締結ブラケット21と締結ブラケット22とを締結す
る。
【0041】前記搬送槽1と処理槽2との切離しを行う
場合は前記ボルト23を抜脱し、処理槽支持架台17と
処理槽2とを一体とし、前記ガイド軸27を中心に前記
処理槽2を回動させ、処理槽2を搬送槽1から離反させ
る。
【0042】従って、本実施例も上記実施例同様、搬送
槽1と処理槽2との切離し、該処理槽2の移動は容易で
あり、短時間に行えると共に搬送槽1と処理槽2間に充
分な作業空間を確保することができ、処理槽2内の清
浄、ゲートバルブ7の清浄、搬送槽1と処理槽2間に挾
設したシール部材の交換が容易に行える。
【0043】尚、本発明は搬送槽1と処理槽2以外、搬
送槽1とロードロック槽3に対しても同様に実施可能で
あることは言う迄もない。又、3以上の気密槽を有する
場合は、所要数の気密槽に対して槽支持架台を独立して
設け、所要数の気密槽が槽支持架台と一体で組立て切離
しが可能としてもよく、更に1つのみの気密槽に対して
槽支持架台を独立して設け槽支持架台と気密槽を一体化
してもよい等適宜変更が可能であることは言う迄もな
い。
【0044】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、各槽間
の組立て切離しが容易に行え、又作業空間を充分に確保
できることから、槽の内面、ゲート弁、搬送口等の清
浄、及び保守部品の交換を良好に且容易に行うことがで
き、又各槽間の組立て切離しの作業時間を短縮でき半導
体製造装置の稼働率が向上し、各槽に関連する構成機
構、構成部品を各槽が独立して取付けられている槽支持
架台に収納できるので、組立て切離し作業が容易になる
と共に必要な機能、性能試験を個別に行えるので作業効
率が大幅に向上する等の優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す側面図である。
【図2】同前本発明の一実施例の平面図である。
【図3】本発明の他の実施例を示す側面図である。
【図4】同前本発明の他の実施例の平面図である。
【図5】従来例を示す側面図である。
【図6】同前従来例を示す平面図である。
【符号の説明】
1 搬送槽 2 処理槽 15 搬送槽支持架台 16 連結ガイド 17 処理槽支持架台 18 車輪 21 締結ブラケット 24 嵌合ピン 26 ストッパ 27 ガイド軸 28 ガイドアーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 A

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の気密槽を具備する半導体製造装置
    に於いて、少なくとも1つの気密槽を独立した槽支持架
    台に取付け、該気密槽と独立した槽支持架台とを一体化
    し他の気密槽に連設可能としたことを特徴とする半導体
    製造装置。
  2. 【請求項2】 独立した槽支持架台に車輪を設け移動可
    能とした請求項1の半導体製造装置。
  3. 【請求項3】 他の気密槽が設けられる他の槽支持架台
    に連結ガイドを設け、該連結ガイドに独立した槽支持架
    台が乗載可能とし、該連結ガイドに沿って移動可能とし
    た請求項2の半導体製造装置。
  4. 【請求項4】 他の気密槽、他の槽支持架台と、少なく
    とも1つの気密槽、独立した槽支持架台との間にヒンジ
    機構を設け、少なくとも1つの気密槽、独立した槽支持
    架台を回動可能とした請求項2の半導体製造装置。
  5. 【請求項5】 少なくとも1つの気密槽及び該1つの気
    密槽が連設される他の気密槽の内いずれか一方に嵌合ピ
    ンを設け、いずれか他方に該嵌合ピンが嵌合する孔を設
    けた請求項1、請求項3、請求項4の半導体製造装置。
JP8914294A 1994-04-04 1994-04-04 半導体製造装置 Pending JPH07283099A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8914294A JPH07283099A (ja) 1994-04-04 1994-04-04 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8914294A JPH07283099A (ja) 1994-04-04 1994-04-04 半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07283099A true JPH07283099A (ja) 1995-10-27

Family

ID=13962625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8914294A Pending JPH07283099A (ja) 1994-04-04 1994-04-04 半導体製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07283099A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002248337A (ja) * 2001-02-27 2002-09-03 Foi:Kk 真空装置
KR100396468B1 (ko) * 2001-05-17 2003-09-02 삼성전자주식회사 공기 샘플링 캐리어와 공기 분석장치 및 방법
EP2246875A1 (en) * 2008-02-20 2010-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Vacuum processing device, method for maintaining vacuum processing device and vacuum processing factory
WO2011024749A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 シャープ株式会社 真空処理装置、および真空処理工場
JP2012066248A (ja) * 2011-12-08 2012-04-05 Lam Research Corp 真空装置
JP2014154854A (ja) * 2013-02-14 2014-08-25 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置のモジュール検査装置
JP2016506071A (ja) * 2012-12-03 2016-02-25 エーエスエム イーペー ホールディング ベー.フェー. モジュール式縦型炉処理システム
JP2016100570A (ja) * 2014-11-26 2016-05-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 処理装置およびその据え付け方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002248337A (ja) * 2001-02-27 2002-09-03 Foi:Kk 真空装置
KR100396468B1 (ko) * 2001-05-17 2003-09-02 삼성전자주식회사 공기 샘플링 캐리어와 공기 분석장치 및 방법
EP2246875A1 (en) * 2008-02-20 2010-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Vacuum processing device, method for maintaining vacuum processing device and vacuum processing factory
EP2246875A4 (en) * 2008-02-20 2012-03-14 Sharp Kk VACUUM TREATMENT DEVICE, VACUUM TREATMENT DEVICE MAINTENANCE METHOD, AND VACUUM TREATMENT PLANT
WO2011024749A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 シャープ株式会社 真空処理装置、および真空処理工場
JP2011049308A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Sharp Corp 真空処理装置、および真空処理工場
JP2012066248A (ja) * 2011-12-08 2012-04-05 Lam Research Corp 真空装置
JP2016506071A (ja) * 2012-12-03 2016-02-25 エーエスエム イーペー ホールディング ベー.フェー. モジュール式縦型炉処理システム
JP2014154854A (ja) * 2013-02-14 2014-08-25 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置のモジュール検査装置
JP2016100570A (ja) * 2014-11-26 2016-05-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 処理装置およびその据え付け方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5223001A (en) Vacuum processing apparatus
US7997851B2 (en) Apparatus and method for a multi-level load lock chamber, transfer chamber, and robot suitable for interfacing with same
US4795299A (en) Dial deposition and processing apparatus
US6347918B1 (en) Inflatable slit/gate valve
US7066703B2 (en) Chuck transport method and system
WO2000060653A1 (fr) Dispositif de traitement au plasma, procede de maintenance et procede d'installation dudit dispositif
TWI653685B (zh) 電漿處理裝置
JP2000514601A (ja) チャンバ連結o―リングおよびその構成方法
JPH05218176A (ja) 熱処理方法及び被処理体の移載方法
JP6491891B2 (ja) 真空処理装置
JP2778574B2 (ja) 半導体用製造装置
US6024800A (en) Plasma processing apparatus
JP2000068259A (ja) 熱処理装置
JPH07283099A (ja) 半導体製造装置
TW201834121A (zh) 環境可控的移送模組和處理系統
KR100461292B1 (ko) 수직형열처리장치,수직형열처리장치의분해방법및수직형열처리장치의유지보수방법
US6491518B1 (en) Apparatus for high-temperature and high-pressure treatment
KR20000023693A (ko) 운송챔버 및 그 제조방법
JP2000144430A (ja) 真空処理装置及びマルチチャンバ型真空処理装置
KR100267583B1 (ko) 멀티챔버 프로세스장치
JPH0310078A (ja) 基板加工装置、その組合体および基板加工方法
JP6750928B2 (ja) 真空処理装置
US6725868B2 (en) Liquid processing apparatus
JP3121022B2 (ja) 減圧処理装置
KR0166381B1 (ko) 진공처리장치