JP2000034143A

JP2000034143A - 流動層セメント焼成方法及び装置

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Publication number: JP2000034143A
Application number: JP10200103A
Authority: JP
Inventors: Isao Hashimoto; 橋本　　勲; Shozo Kanamori; 省三金森; Noboru Ichitani; 昇市谷; Katsuharu Mukai; 克治向井; Toshiyuki Ishibachi; 俊幸石鉢
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd; Kawasaki Heavy Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd; Kawasaki Heavy Industries Ltd
Priority date: 1998-07-15
Filing date: 1998-07-15
Publication date: 2000-02-02
Anticipated expiration: 2018-07-15
Also published as: JP2928921B1

Abstract

(57)【要約】【課題】流動層セメント焼成装置において、造粒炉排
ガス中に含まれるアルカリ、塩素、硫黄、重金属等の有
害な低融点化合物を効率よく除去する。【解決手段】原料予熱系統で予熱されたセメント原料
粉を流動層造粒炉１１に導入して造粒し、ついで、造粒
炉１１から造粒物を分級排出して流動層焼成炉１２に投
入し焼成した後、焼成物を冷却器１４、１６に導入して
冷却するセメントクリンカの焼成方法において、造粒炉
排ガスの一部を造粒炉１１のフリーボード３３から抽気
するとともに、抽気抜出し部３４に冷却用空気を噴出・
供給して抽気排ガスを５００〜８００℃の範囲に冷却し
た後、この冷却排ガスをサイクロン４６に導入して粗粒
ダストを分離捕集し、捕集された粗粒ダストの少なくと
も一部を造粒炉１１に戻すとともに、サイクロン排ガス
の一部を造粒炉１１のフリーボード３３に循環導入し、
サイクロン排ガスの残部を系外に排出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、流動層式もしくは
噴流層式の造粒炉と流動層焼成炉との２炉を備え、造粒
炉から造粒物を分級排出して焼成炉に投入する流動層セ
メント焼成装置、又は流動層式の造粒・焼成炉の１炉を
備え、造粒・焼成炉から造粒・焼成物を分級排出して冷
却する流動層セメント焼成装置において、排ガス中に含
まれるアルカリ、塩素、硫黄、重金属等の有害物質を効
率よく除去する方法及び装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】セメント原料中に含まれるアルカリ（Ｎ
ａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ）、塩素化合物（ＮａＣｌ、ＫＣｌ、Ｃ
ａＣｌ₂）、硫酸化合物（Ｎａ₂ＳＯ₄、Ｋ₂ＳＯ₄、
ＣａＳＯ₄）、炭酸化合物（Ｎａ₂ＣＯ₃、Ｋ₂Ｃ
Ｏ₃）等の低融点化合物は、いわゆる２炉方式の造粒炉
又はいわゆる１炉方式の造粒・焼成炉で加熱され揮発
（ガス化）する。これらは排ガスとともにサスペンショ
ンプレヒータ、又は仮焼炉及びサスペンションプレヒー
タに入り、ここで凝縮固化して粉体と一緒に、再度、造
粒炉（２炉方式の場合）又は造粒・焼成炉（１炉方式の
場合）に入り、再度揮発してサスペンションプレヒー
タ、又は仮焼炉及びサスペンションプレヒータへと流
れ、造粒炉又は造粒・焼成炉と、サスペンションプレヒ
ータ、又は仮焼炉及びサスペンションプレヒータとの間
にアルカリ、塩素等のサイクル現象が生じ、アルカリ、
塩素等は循環され濃縮されていく。

【０００３】そして、次々に入ってくる原料から揮発し
たアルカリ、塩素等がサイクルに加わって濃縮され、そ
の濃度がある限界値以上になると、例えば、原料予熱系
統が仮焼炉及びサスペンションプレヒータから構成され
る場合は、２炉方式における造粒炉の上部又は１炉方式
における造粒・焼成炉の上部と仮焼炉の下部との間の排
ガス通路で、濃縮されたアルカリ、塩素等の低融点化合
物が凝縮・付着してコーチングが発生し、その除去作業
に多大の労力を要している。また、脱落したコーチング
（大塊）の排出が困難なため、装置の連続運転を阻害す
る原因となっている。

【０００４】このような問題に対して、従来、アルカ
リ、塩素等の揮発分濃厚ガスの一部を抽気して系外に取
り出す、いわゆるアルカリバイパス方式が知られてお
り、下記の示すような種々の方法及び装置が提案されて
いるが、いずれも実用上何らかの問題が未解決であっ
た。すなわち、従来技術の問題点として、（１）抽気ダ
クト内にコーチングが発生する。（２）原料（ダスト）
損失が多い。（３）熱損失が多い。（４）原料が直落
し、安定な操業ができない。が挙げられるが、従来のア
ルカリバイパス方式は、いずれも実用上、（１）〜
（４）のうちの少なくともいずれかが解決されていな
い。このため、従来のロータリキルン式セメント焼成装
置における、アルカリ、塩素等の揮発分濃厚ガスの一部
を抽気して系外に取り出す方式、いわゆるアルカリバイ
パス方式に相当する流動層セメント焼成装置に適する対
策が必要となる。

【０００５】特開平６−１９９５５３号公報には、流動
層焼成炉のフリーボードのコーチングを防止するため
に、コーチングの発生する温度領域１０００〜１２００
℃を避けるよう、焼成炉のフリーボード又は／及び流動
層クーラのフリーボードにバーナ等の加熱手段を設けて
１３００℃程度に昇温するようにしたセメントクリンカ
の焼成装置が記載されている。また、特開平６−２８７
０４１号公報には、流動層造粒炉のスロートや分散板の
下面等のコーチングを防止するために、コーチングの発
生する温度領域１０５０〜１２００℃を避けるよう、流
動層クーラからの排空気（８００〜９００℃）を流動層
焼成炉のフリーボード又はその上方のスロートに導入し
て降温させるようにしたセメントクリンカの焼成装置が
記載されている。

【０００６】また、特開昭６２−２５２３４９号公報に
は、いわゆるアルカリバイパス方式として、ロータリキ
ルン排ガスの一部に空気を供給して６００〜７００℃に
冷却した後、分級器に導入して１０μm 程度以上のダス
トを分離してロータリキルンに戻し、サイクロン排ガス
をボイラで熱交換した後、集塵機で微粉を除去するセメ
ントキルン排ガスの処理方法が記載されている。また、
特開昭５４−１３８０２１号公報には、いわゆるアルカ
リバイパス方式として、ロータリキルン排ガス全量に空
気を供給して８００℃以下に冷却してサイクロンに導入
し、このサイクロンでダストを捕集してロータリキルン
に戻し、サイクロン排ガスを熱交換器に導入して熱回収
した後、電気集塵機で除塵して排出し、ダストを廃棄す
るようにしたセメント焼成方法が記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】特開平６−１９９５５
３号公報記載の方式は、コーチングを防止するために、
バーナ等の加熱手段を設けて、コーチングの発生する温
度領域以上にガス温度を昇温させるもので、アルカリ、
塩素等の有害物質の循環・濃縮を防止するものではなく
（根本的な原因対策ではなく）、長期的な効果を得るこ
とはできない。また、造粒炉出口部のコーチングは逆に
増加することになる。また、特開平６−２８７０４１号
公報記載の方式は、コーチングを防止するために、流動
層クーラからの排空気でコーチングの発生する温度領域
以下にガス温度を降温させるもので、この場合も、アル
カリ、塩素等の有害物質の循環・濃縮を防止するもので
はなく（根本的な原因対策ではなく）、長期的な効果を
得ることができない。また、造粒炉出口部のコーチング
は逆に増加することになる。

【０００８】また、特開昭６２−２５２３４９号公報記
載の方式では、高温の排ガスの系外排出に際し、できる
だけ熱損失、原料損失を少なくするようにしているが、
この公報記載の技術は、ロータリキルン式焼成炉に関す
るものであり、また、排ガスを抽気するとその分だけ原
料予熱系統へ流入するガス量が減るので、窯尻へ原料が
直落するという問題があり、さらに、装置の構成、機能
が異なる流動層セメント焼成装置に対しては、最適（効
果が優れている）とはいえない。また、特開昭５４−１
３８０２１号公報記載の方式は、高温の排ガスの系外排
出に際し、できるだけ熱損失、原料損失を少なくするよ
うにしているが、排ガスの抽気量の変化に伴う窯尻への
原料の直落の問題が解決されておらず、ロータリキルン
式焼成炉には適していても、装置の構成、機能が異なる
流動層セメント焼成装置に対しては、最適（効果が優れ
ている）とはいえない。

【０００９】本発明は上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、流動層式もしくは噴流層式の造粒
炉と流動層焼成炉との２炉を備え、造粒炉から造粒物を
分級排出して焼成炉に投入する流動層セメント焼成装
置、又は流動層式の造粒・焼成炉の１炉を備え、造粒・
焼成炉から造粒・焼成物を分級排出して冷却する流動層
セメント焼成装置において、排ガス中に含まれるアルカ
リ、塩素、硫黄、重金属等の有害な低融点化合物を効率
よく除去して、２炉方式における造粒炉の上側又は１炉
方式における造粒・焼成炉の上側の排ガス通路に低融点
化合物が凝縮・付着してコーチングが発生するのを抑制
でき、それによって、連続安定運転が可能となり、しか
も、原料損失及び熱損失が少なくなり、原料の直落の問
題が起こらない流動層セメント焼成方法及び装置を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の流動層セメント焼成方法は、原料予熱系
統で予熱されたセメント原料粉を流動層式又は噴流層式
の造粒炉に導入して造粒し、ついで、造粒炉から造粒物
を分級排出して流動層焼成炉に投入し焼成した後、焼成
物を冷却器に導入して冷却するセメントクリンカの焼成
方法（２炉方式）において、造粒炉排ガスの一部を造粒
炉のフリーボードから抽気するとともに、抽気抜出し部
に冷却用空気を噴出・供給して抽気排ガスを５００〜８
００℃の範囲に冷却した後、この冷却排ガスをサイクロ
ンに導入して粗粒ダストを分離捕集し、捕集された粗粒
ダストの少なくとも一部を造粒炉に戻すとともに、サイ
クロン排ガスの一部を造粒炉のフリーボードに循環導入
し、サイクロン排ガスの残部を系外に排出することを特
徴としている（図１〜図８参照）。

【００１１】また、本発明の流動層セメント焼成方法
は、原料予熱系統で予熱されたセメント原料粉を流動層
式の造粒・焼成炉に導入して造粒・焼成し、ついで、造
粒・焼成炉から造粒・焼成物を分級排出して冷却器に導
入し冷却するセメントクリンカの焼成方法（１炉方式）
において、造粒・焼成炉排ガスの一部を造粒・焼成炉の
フリーボードから抽気するとともに、抽気抜出し部に冷
却用空気を噴出・供給して抽気排ガスを５００〜８００
℃の範囲に冷却した後、この冷却排ガスをサイクロンに
導入して粗粒ダストを分離捕集し、捕集された粗粒ダス
トの少なくとも一部を造粒・焼成炉に戻すとともに、サ
イクロン排ガスの一部を造粒・焼成炉のフリーボードに
循環導入し、サイクロン排ガスの残部を系外に排出する
ことを特徴としている（図９〜図１５参照）。

【００１２】なお、上記の方法（２炉方式、１炉方式）
を実施する場合、原料の成分分析の結果により、排ガス
の抽気抜出し量を制御するとともに、抽気抜出し部の冷
却用空気量を制御して、冷却排ガスの温度を５００〜８
００℃の範囲のうち適切な温度に決定する。５００℃未
満の場合は熱損失が大きくなり、８００℃を超えると除
去すべき揮発有害物質の凝縮が少なくなる。なお、５０
０〜８００℃の範囲で、アルカリ、塩素等の揮発有害成
分の大部分が凝縮する。

【００１３】また、上記の本発明の方法において、系外
に排出されるサイクロン排ガスを、熱回収又は冷却した
後、集塵機に導入して微粒ダストを除去することが好ま
しい（図１、図９参照）。また、上記の本発明の方法に
おいて、抽気抜出し部を空冷ボックス構造にして多数の
空気噴出孔から冷却用空気を抽気排ガス中に噴出させ、
抽気抜出し部の全面を均一に冷却することが好ましい
（図１〜図３、図５、図９〜図１１、図１３参照）。ま
た、上記の本発明の方法において、サイクロンで捕集さ
れた粗粒ダストの一部を系外に排出する構成とすること
ができる（図１、図９参照）。また、サイクロンとして
は、粒径１０μm 程度以上の粗粒ダストを捕集できるも
のを、１基又は複数基並列に接続して用いることが好ま
しい。

【００１４】また、上記の本発明の方法において、造粒
炉（２炉方式の場合）又は造粒・焼成炉（１炉方式の場
合）のフリーボードに循環導入するサイクロン排ガスの
量を、造粒炉又は造粒・焼成炉のフリーボードから抽気
する抽気排ガス量と略同量とし、系外に排出するサイク
ロン排ガスの量を、抽気抜出し部に供給する冷却用空気
量と略同量とすることが好ましい。この場合、例えば、
原料の成分分析の結果から、造粒炉又は造粒・焼成炉の
フリーボードに循環導入するサイクロン排ガス量（抽気
排ガス量と略同量）を制御して、抽気排ガスが５００〜
８００℃の範囲のうちの適切な温度に冷却されるように
冷却用空気量を制御し、系外排出するサイクロン排ガス
量を冷却用空気量と略同量に制御する。また、サイクロ
ン排ガスの一部を、造粒炉（２炉の場合）又は造粒・焼
成炉（１炉の場合）の上部に接続された原料予熱系統の
仮焼炉に導入する構成とすることができる（図１、図９
参照）。

【００１５】本発明の流動層セメント焼成装置は、サス
ペンションプレヒータと仮焼炉とからなる原料予熱系統
と、予熱された原料を造粒する流動層式又は噴流層式の
造粒炉と、造粒炉の側部の排出シュートから分級排出さ
れた造粒物を焼成する流動層焼成炉と、流動層焼成炉か
らの焼成物を冷却する冷却器とを備えたセメント焼成装
置（２炉方式）において、造粒炉のフリーボードに排ガ
スの一部を抽気するための抽気抜出し部を設け、この抽
気抜出し部に冷却用空気供給管を接続するとともに、こ
の抽気抜出し部に抽気排ガス導管を介して１基又は並列
複数基のサイクロンを接続し、該サイクロンの底部と造
粒炉とを捕集ダスト回収管を介して接続し、該サイクロ
ンの排ガス出口導管を分岐し、一方のサイクロン排ガス
導管を造粒炉のフリーボードに接続し、他方のサイクロ
ン排ガス導管に熱交換器又は冷却器、及び集塵機を直列
に設けたことを特徴としている（図１〜図８参照）。

【００１６】また、本発明の流動層セメント焼成装置
は、サスペンションプレヒータと仮焼炉とからなる原料
予熱系統と、予熱された原料を造粒・焼成する流動層式
の造粒・焼成炉と、造粒・焼成炉の側部の排出シュート
から分級排出された造粒・焼成物を冷却する冷却器とを
備えたセメント焼成装置（１炉方式）において、造粒・
焼成炉のフリーボードに排ガスの一部を抽気するための
抽気抜出し部を設け、この抽気抜出し部に冷却用空気供
給管を接続するとともに、この抽気抜出し部に抽気排ガ
ス導管を介して１基又は並列複数基のサイクロンを接続
し、該サイクロンの底部と造粒・焼成炉とを捕集ダスト
回収管を介して接続し、該サイクロンの排ガス出口導管
を分岐し、一方のサイクロン排ガス導管を造粒・焼成炉
のフリーボードに接続し、他方のサイクロン排ガス導管
に熱交換器又は冷却器、及び集塵機を直列に設けたこと
を特徴としている（図９〜図１５参照）。

【００１７】上記の本発明の装置において、抽気抜出し
部を、内管に多数の噴出孔を有する二重管からなる空冷
ボックス構造とすることが好ましい（図１〜図３、図
５、図９〜図１１、図１３参照）。また、上記の本発明
の装置において、サイクロンの底部に、捕集ダスト回収
管を設けるとともに、捕集したダストの一部を系外に排
出するための捕集ダスト排出管を設ける構成とすること
ができる（図１、図９参照）。また、上記の本発明の装
置において、サイクロンの排ガス出口導管をさらに分岐
して、サイクロン排ガス導管を仮焼炉にも接続する構成
とすることができる（図１、図９参照）。また、原料予
熱系統としては、上記のようなサスペンションプレヒー
タと仮焼炉とから構成されるニューサスペンションプレ
ヒータ（ＮＳＰ）方式の他に、仮焼炉を省略してサスペ
ンションプレヒータのみで構成されるサスペンションプ
レヒータ（ＳＰ）方式を採用することも勿論可能であ
る。

【００１８】また、サイクロンとして、例えば、上側部
に接線方向に排ガスを導入する排ガス導入口を有すると
ともに、上面中央部に排ガス排出管を有する円筒胴体の
下部に、略逆円錐胴体を連設し、この略逆円錐胴体の下
部に拡大壁部を連設し、さらに、この拡大壁部に略逆円
錐胴部を連設し、略逆円錐胴体の下端部内径Ｄ1と排ガ
ス排出管の内径ｄがＤ1≧ｄの関係を有し、円筒胴体の
内径Ｄと拡大壁部の下端部内径Ｄ2との間にＤ2＝（０．
８〜１．０）×Ｄの関係を有するようにした高効率サイ
クロンを用いることが好ましい（図７参照）。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
するが、本発明は下記の実施の形態に何ら限定されるも
のではなく、適宜変更して実施することができるもので
ある。図１は、本発明の実施の第１形態による流動層セ
メント焼成装置（２炉方式）を示している。図１におい
て、１０は仮焼炉、１１は流動層造粒炉、１２は流動層
焼成炉、１４は空冷式の流動層クーラ（１次冷却器）、
１６は空冷式の充填層クーラ（２次冷却器）である。後
述の原料予熱系統（仮焼炉１０を含む）で予熱されたセ
メント原料を造粒炉１１で造粒し、造粒炉１１の側部の
排出シュート１７から分級排出された造粒物は、流動層
焼成炉１２で焼成され、流動層焼成炉１２から排出され
たセメントクリンカは流動層クーラ１４で冷却された
後、充填層クーラ１６で冷却され、ついで、少量の石膏
を加えて再粉砕されて製品となる。流動層クーラ１４の
上部と流動層焼成炉１２のフリーボード１８とは排空気
導管２０を介して接続され、充填層クーラ１６の上部と
流動層焼成炉１２の風箱２２とは排空気導管２４を介し
て接続されている。２６、２８は冷却用空気供給ファ
ン、３０、３２は冷却用空気流量調節弁（例えば、ダン
パ）、３１は排ガス通路である。

【００２０】流動層造粒炉１１のフリーボード３３に
は、排ガスの一部を抽気するための抽気抜出し部３４が
設けられ、この抽気抜出し部３４に冷却用空気供給管３
６が接続されている。３８は冷却用空気供給ファン、４
０は冷却用空気流量調節弁（例えば、ダンパ）である。
また、抽気抜出し部３４には抽気排ガス導管４４を介し
てサイクロン４６が接続され、このサイクロン４６の底
部と造粒炉１１とが捕集ダスト回収管４８を介して接続
されている。なお、図１の破線で示すように、サイクロ
ン４６の底部に捕集ダスト排出管４９を設けて、捕集し
たダストの一部を系外に排出する構成とすることもでき
る。このサイクロン４６の排ガス出口導管５０は２本に
分岐しており、一方のサイクロン排ガス導管５２は造粒
炉１１のフリーボード３３に接続され、他方のサイクロ
ン排ガス導管５４には熱交換器５６及び集塵機（例え
ば、電気集塵機、バグフィルタ）５８が直列に設けられ
ている。熱交換器５６の代わりに、水を散布して排ガス
温度を下げる冷却器、例えば、スタビライザーを設ける
ことも可能である。６０は排ガスファン、６２は排ガス
流量調節弁（例えば、ダンパ）、６４は排ガス循環ファ
ンである。なお、図１の破線で示すように、サイクロン
４６の排ガス出口導管５０を３本に分岐して、１本のサ
イクロン排ガス導管６５を仮焼炉１０に接続する構成と
することもできる。６６は排ガス流量調節弁（例えば、
ダンパ）である。

【００２１】図２は、図１における抽気抜出し部３４の
一例を示し、図３は図２におけるＢ−Ｂ線断面の一例を
示している。この抽気抜出し部３４は、内管６８に多数
の空気噴出孔７０を有する二重管からなる空冷ボックス
構造に形成されている。７２は外管、７４は空気入口、
７６は空冷ボックスである。この場合、図３に示すよう
に、空気入口７４を外管７２の接線方向に接続し、空気
噴出孔７０からのガス流が旋回流となるようにすること
が好ましい。このように構成すれば、より効率よく内管
６８及び抽気排ガスを冷却することができる。なお、内
管６８から空気が斜め方向に噴出されてガス流が旋回流
となるように、内管６８に多数の斜め方向の空気噴出ノ
ズルを設ける構成とすることも可能である。図５は抽気
抜出し部３４ａの他の例を示している。この抽気抜出し
部３４ａは、内管６８内にプラグダンパ７８を設けたも
のである。他の番号は図２における番号と同じ部材を示
している。原料中のアルカリ、塩素等の有害物質が少な
い場合は、抽気する必要がないので、このような場合に
は、プラグダンパ７８を閉位置（図５における二点鎖線
で示す位置）に移動させて、抽気量を零とする。

【００２２】図４は、図１における流動層造粒炉１１の
横断面の一例の概略を示している。ただし、流動層の図
示を省略している。すなわち、流動層造粒炉１１は、ガ
ス分散板８０の上面の延長上に造粒物落下口８２を有
し、ガス分散板８０から造粒物落下口８２に至る排出溝
部８４が形成され、この排出溝部８４にノズル８６が設
けられ、造粒物落下口８２に排出シュート１７が連設さ
れ、この排出シュート１７の下部から分級用空気が供給
されるように構成されている。図１及び図４に示すよう
な構造の流動層造粒炉１１を用いることにより、分級性
能の向上を図ることができる。また、図６は、図１にお
ける流動層造粒炉１１のＡ−Ａ線断面の一例の概略を示
している。図６では、造粒炉１１のフリーボード３３に
おいて排ガス流が旋回流を形成するように、抽気抜出し
部３４を造粒炉１１の炉壁の接線方向に接続するととも
に、フリーボード３３から抽気排ガスが流れていく方向
とサイクロン排ガス導入口８８からサイクロン排ガスが
流れてくる方向とがフリーボード３３内で同じ旋回方向
となるように、サイクロン排ガス導入口８８を造粒炉１
１の炉壁の接線方向に接続している。

【００２３】サイクロン４６を複数基並列に設置する場
合もある。この場合は、サイクロンの径が、１基設置の
場合に比べて小さくなるので、より細かいダストを捕集
することができる。サイクロン４６としては、例えば、
実公平７−４６３５７号公報に示されているような高効
率サイクロンを用いることが好ましい。この高効率サイ
クロンは、図７に示すように、上側部に接線方向に排ガ
スを導入する排ガス導入口９０を有するとともに、上面
中央部に排ガス排出管９２を有する円筒胴体９４の下部
に、略逆円錐胴体９６を連設し、この略逆円錐胴体９６
の下部に拡大壁部９８を連設し、さらに、この拡大壁部
９８に略逆円錐胴部１００を連設し、略逆円錐胴体９６
の下端部内径Ｄ1と排ガス排出管９２の内径ｄがＤ1≧ｄ
の関係を有し、円筒胴体９４の内径Ｄと拡大壁部９８の
下端部内径Ｄ2との間にＤ2＝（０．８〜１．０）×Ｄの
関係を有するように構成されたものである。このような
構造のサイクロンを使用することにより、１０〜２０μ
m 程度以上のダストを効率よく捕集することができる。

【００２４】図８は、図１で図示を省略した原料予熱系
統の詳細を示している。なお、図８では流動層造粒炉１
１における抽気抜出し部３４等の構成は省略している。
図８はサスペンションプレヒータと仮焼炉とから原料予
熱系統を構成するニューサスペンションプレヒータ（Ｎ
ＳＰ）方式を示している。図８において、１０２はサス
ペンションプレヒータで、複数基（図８では、一例とし
て、４基）のサイクロンＣ1、Ｃ2、Ｃ3、Ｃ4からなって
いる。このサスペンションプレヒータ１０２と仮焼炉１
０とで原料予熱系統が構成され、仮焼炉１０の下端は流
動層造粒炉１１の上部に接続されている。１０４は排ガ
スファンである。なお、仮焼炉を省略してサスペンショ
ンプレヒータのみで原料予熱系統を構成するサスペンシ
ョンプレヒータ（ＳＰ）方式を採用することも勿論可能
であり、本発明は、ＮＳＰ方法、ＳＰ方式のいずれにも
適用できるものである。

【００２５】上記のように構成された流動層セメント焼
成装置において、造粒炉１１からの１２００〜１３００
℃前後の排ガスは仮焼炉１０及びサスペンションプレヒ
ータ１０２に導入され、これらを順次に、原料の流れと
は反対方向に通過して原料を予熱し、排ガスファン１０
４により系外に排出される。予熱された原料は造粒炉１
１の流動層に供給されて造粒され、造粒物は造粒物落下
口８２から排出シュート１７に落下する際に、分級用空
気により微粒は造粒炉１１に戻され、大粒のみが排出シ
ュート１７を落下して焼成炉１２に投入される。焼成物
は流動層クーラ１４で１次冷却された後、充填層クーラ
１６で２次冷却される。

【００２６】造粒炉１１のフリーボード３３における排
ガスは、１２００〜１３００℃前後の温度を有し、か
つ、原料ダスト、及び霧化又は気化した状態のアルカ
リ、塩素化合物等を含んでいる。霧化又は気化した状態
のアルカリ等は次第に濃縮されて、造粒炉１１のフリー
ボード３３上部と仮焼炉１０下部との間の排ガス通路３
１等に凝縮・付着する可能性がある。そこで、造粒炉排
ガスの一部を造粒炉１１のフリーボード３３から抽気す
るとともに、抽気抜出し部３４に冷却用空気を多数の空
気噴出孔７０から、例えば、２０〜３０m／sの流速で噴
出し、抽気排ガスを５００〜８００℃の範囲で設定され
た温度（原料中の成分により異なる）に冷却する。

【００２７】このように、抽気排ガスは５００〜８００
℃に急激に冷却される。この場合、アルカリ蒸気等はき
わめて小さい粒子に凝固するものと、原料ダストに付着
・凝固するものとがある。そして、アルカリ等有害物質
の大半は粒径１０〜２０μm以下のダスト中に含まれ
る。５００〜８００℃に冷却された排ガスはサイクロン
４６に導入されて、粗粒ダストが分離捕集される。この
場合、粒径１０〜２０μm 程度以上、好ましくは、粒径
１０μm 程度以上の粗粒ダストを捕集できるようなサイ
クロンが用いられる。捕集された粗粒ダストは、アルカ
リ分等の少ない原料ダストが大部分を占めるので、これ
を造粒炉１１内に戻す。また、サイクロン排ガスの一部
を造粒炉１１のフリーボード３３に循環導入する。この
場合、粗粒ダストの一部を系外に排出したり、サイクロ
ン排ガスの一部を仮焼炉１０に導入することも可能であ
る。また、サイクロン排ガスの残部を熱交換器５６に導
入して熱回収した後、集塵機（例えば、電気集塵機、バ
グフィルタ）５８に導入してアルカリ等を主成分とする
１０〜２０μm 以下の微粒ダストを除去した後、系外に
排出する。なお、熱交換器５６の代りに、スタビライザ
ー等の冷却器を設ける場合は、熱回収が行われずに冷却
された排ガスが集塵機５８に導入される。

【００２８】そして、サイクロン排ガスの一部を造粒炉
１１のフリーボード３３に循環導入する量を、造粒炉１
１のフリーボード３３から抽気する抽気排ガス量と等し
くすることが好ましい。例えば、図１においては、冷却
用空気流量調節弁４０及び排ガス流量調節弁６２によ
り、抽気抜出し部３４に供給する冷却用空気量と、熱交
換器５６及び集塵機５８を通って系外に排出されるサイ
クロン排ガス量とが等しくなるように制御すれば、必然
的に抽気排ガス量と循環導入排ガス量とは等しくなる。
このようにすれば、抽気排ガス量が変動しても、この抽
気排ガス量と同量の循環導入排ガスが造粒炉１１に入っ
てくるので、仮焼炉１０に流れるガス量は変動せず、仮
焼炉１０スロート（排ガス通路３１）のガス流速が確保
され、原料が直落することなく安定運転を継続すること
ができる。また、上記の場合、原料の成分分析の結果等
から、造粒炉１１のフリーボード３３に循環導入するサ
イクロン排ガス量（抽気排ガス量と同量）を制御して、
抽気排ガスが５００〜８００℃の範囲のうちの適切な温
度に冷却されるように冷却用空気量を制御し、系外排出
するサイクロン排ガス量を冷却用空気量と略同量に制御
することも可能である。

【００２９】図９は、本発明の実施の第２形態による流
動層セメント焼成装置（１炉方式）を示している。図９
において、１０は仮焼炉、１０６は流動層造粒・焼成
炉、１０８は空冷式の充填層クーラである。なお、充填
層クーラの代わりに流動層クーラを用いることも可能で
ある。後述の原料予熱系統（仮焼炉１０を含む）で予熱
されたセメント原料を造粒・焼成炉１０６で造粒・焼成
し、造粒・焼成炉１０６の側部の排出シュート１１０か
ら分級排出された造粒・焼成物は、充填層クーラ１０８
で冷却された後、少量の石膏を加えて再粉砕されて製品
となる。１１２はスロート、３１は排ガス通路である。

【００３０】流動層造粒・焼成炉１０６のフリーボード
１１４には、排ガスの一部を抽気するための抽気抜出し
部３４が設けられ、この抽気抜出し部３４に冷却用空気
供給管３６が接続されている。また、抽気抜出し部３４
には抽気排ガス導管４４を介してサイクロン４６が接続
され、このサイクロン４６の底部と造粒・焼成炉１０６
とが捕集ダスト回収管４８を介して接続されている。な
お、図９の破線で示すように、サイクロン４６の底部に
捕集ダスト排出管４９を設けて、捕集したダストの一部
を系外に排出する構成とすることもできる。このサイク
ロン４６の排ガス出口導管５０は２本に分岐しており、
一方のサイクロン排ガス導管５２は造粒・焼成炉１０６
のフリーボード１１４に接続され、他方のサイクロン排
ガス導管５４には熱交換器５６及び集塵機（例えば、電
気集塵機、バグフィルタ）５８が直列に設けられてい
る。なお、図９の破線で示すように、サイクロン４６の
排ガス出口導管５０を３本に分岐して、１本のサイクロ
ン排ガス導管６５を仮焼炉１０に接続する構成とするこ
ともできる。

【００３１】図１０は、図９における抽気抜出し部３４
の一例を示し、図１１は図１０におけるＤ−Ｄ線断面の
一例を示している。この抽気抜出し部３４は、内管６８
に多数の空気噴出孔７０を有する二重管からなる空冷ボ
ックス構造に形成されている。この場合、図１１に示す
ように、空気入口７４を外管７２の接線方向に接続し、
空気噴出孔７０からのガス流が旋回流となるようにする
ことが好ましい。このように構成すれば、より効率よく
内管６８及び抽気排ガスを冷却することができる。図１
３は抽気抜出し部３４ｂの他の例を示している。この抽
気抜出し部３４ｂは、内管６８内にプラグダンパ７８を
設けたものである。他の番号は図１０における番号と同
じ部材を示している。原料中のアルカリ、塩素等の有害
物質が少ない場合は、抽気する必要がないので、このよ
うな場合には、プラグダンパ７８を閉位置（図１３にお
ける二点鎖線で示す位置）に移動させて、抽気量を零と
する。

【００３２】図１２は、図９における流動層造粒・焼成
炉１０６の横断面の一例の概略を示している。ただし、
流動層の図示を省略している。すなわち、流動層造粒・
焼成炉１０６は、ガス分散板１１６の上面の延長上に造
粒物落下口１１８を有し、ガス分散板１１６から造粒物
落下口１１８に至る排出溝部１２０が形成され、この排
出溝部１２０にノズル１２２が設けられ、造粒物落下口
１１８に排出シュート１１０が連設され、この排出シュ
ート１１０の下部から分級用空気が供給されるように構
成されている。図９及び図１２に示すような構造の流動
層造粒・焼成炉１０６を用いることにより、分級性能の
向上を図ることができる。また、図１４は、図９におけ
る流動層造粒・焼成炉１０６のＣ−Ｃ線断面の一例の概
略を示している。図１４では、造粒・焼成炉１０６のフ
リーボード１１４において排ガス流が旋回流を形成する
ように、抽気抜出し部３４を造粒・焼成炉１０６の炉壁
の接線方向に接続するとともに、フリーボード１１４か
ら抽気排ガスが流れていく方向とサイクロン排ガス導入
口８８からサイクロン排ガスが流れてくる方向とがフリ
ーボード１１４内で同じ旋回方向となるように、サイク
ロン排ガス導入口８８を造粒・焼成炉１０６の炉壁の接
線方向に接続している。

【００３３】図１５は、図９で図示を省略した原料予熱
系統の詳細を示している。なお、図１５では流動層造粒
・焼成炉１０６における抽気抜出し部３４等の構成は省
略している。図１５はサスペンションプレヒータと仮焼
炉とから原料予熱系統を構成するニューサスペンション
プレヒータ（ＮＳＰ）方式を示している。図１５におい
て、１０２はサスペンションプレヒータで、複数基（図
１５では、一例として、４基）のサイクロンＣ1、Ｃ2、
Ｃ3、Ｃ4からなっている。このサスペンションプレヒー
タ１０２と仮焼炉１０とで原料予熱系統が構成され、仮
焼炉１０の下端は流動層造粒・焼成炉１０６の上部に接
続されている。なお、仮焼炉を省略してサスペンション
プレヒータのみで原料予熱系統を構成するサスペンショ
ンプレヒータ（ＳＰ）方式を採用することも勿論可能で
ある。

【００３４】上記のように構成された流動層セメント焼
成装置において、造粒・焼成炉１０６からの１２００〜
１３００℃前後の排ガスは仮焼炉１０及びサスペンショ
ンプレヒータ１０２に導入され、これらを順次に、原料
の流れとは反対方向に通過して原料を予熱し、排ガスフ
ァン１０４により系外に排出される。予熱された原料は
造粒・焼成炉１０６の流動層に供給されて造粒・焼成さ
れ、造粒・焼成物は造粒物落下口１１８から排出シュー
ト１１０に落下する際に、分級用空気により微粒は造粒
・焼成炉１０６に戻され、大粒のみが排出シュート１１
０を落下して充填層クーラ１０８に投入されて冷却され
る。

【００３５】造粒・焼成炉１０６のフリーボード１１４
における排ガスは、１２００〜１３００℃前後の温度を
有し、かつ、原料ダスト、及び霧化又は気化した状態の
アルカリ、塩素化合物等を含んでいる。霧化又は気化し
た状態のアルカリ等は次第に濃縮されて、造粒・焼成炉
１０６のフリーボード１１４上部と仮焼炉１０下部との
間の排ガス通路３１等に凝縮・付着する可能性がある。
そこで、造粒・焼成炉排ガスの一部を造粒・焼成炉１０
６のフリーボード１１４から抽気するとともに、抽気抜
出し部３４に冷却用空気を多数の空気噴出孔７０から、
例えば、２０〜３０m／sの流速で噴出し、抽気排ガスを
５００〜８００℃の範囲で設定された温度（原料中の成
分により異なる）に冷却する。

【００３６】このように、抽気排ガスは５００〜８００
℃に急激に冷却される。この場合、アルカリ蒸気等はき
わめて小さい粒子に凝固するものと、原料ダストに付着
・凝固するものとがある。そして、アルカリ等有害物質
の大半は粒径１０〜２０μm以下のダスト中に含まれ
る。５００〜８００℃に冷却された排ガスはサイクロン
４６に導入されて、粗粒ダストが分離捕集される。この
場合、粒径１０〜２０μm 程度以上、好ましくは、粒径
１０μm 程度以上の粗粒ダストを捕集できるようなサイ
クロンが用いられる。捕集された粗粒ダストは、アルカ
リ分等の少ない原料ダストが大部分を占めるので、これ
を造粒・焼成炉１０６内に戻す。また、サイクロン排ガ
スの一部を造粒・焼成炉１０６のフリーボード１１４に
循環導入する。この場合、粗粒ダストの一部を系外に排
出したり、サイクロン排ガスの一部を仮焼炉１０に導入
することも可能である。また、サイクロン排ガスの残部
を熱交換器５６に導入して熱回収した後、集塵機５８に
導入してアルカリ等を主成分とする１０〜２０μm 以下
の微粒ダストを除去した後、系外に排出する。

【００３７】そして、サイクロン排ガスの一部を造粒・
焼成炉１０６のフリーボード１１４に循環導入する量
を、造粒・焼成炉１０６のフリーボード１１４から抽気
する抽気排ガス量と等しくすることが好ましい。例え
ば、図９においては、冷却用空気流量調節弁４０及び排
ガス流量調節弁６２により、抽気抜出し部３４に供給す
る冷却用空気量と、熱交換器５６及び集塵機５８を通っ
て系外に排出されるサイクロン排ガス量とが等しくなる
ように制御すれば、必然的に抽気排ガス量と循環導入排
ガス量とは等しくなる。このようにすれば、抽気排ガス
量が変動しても、この抽気排ガス量と同量の循環導入排
ガスが造粒・焼成炉１０６に入ってくるので、仮焼炉１
０に流れるガス量は変動せず、仮焼炉１０スロート（排
ガス通路３１）のガス流速が確保され、原料が直落する
ことなく安定運転を継続することができる。また、上記
の場合、原料の成分分析の結果等から、造粒・焼成炉１
０６のフリーボード１１４に循環導入するサイクロン排
ガス量（抽気排ガス量と同量）を制御して、抽気排ガス
が５００〜８００℃の範囲のうちの適切な温度に冷却さ
れるように冷却用空気量を制御し、系外排出するサイク
ロン排ガス量を冷却用空気量と略同量に制御することも
可能である。他の構成及び作用等は、実施の第１形態の
場合と同様である。

【００３８】

【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、つぎのような効果を奏する。（１）流動層式もしくは噴流層式の造粒炉と流動層焼
成炉との２炉を備え、造粒炉から造粒物を分級排出して
焼成炉に投入する流動層セメント焼成装置、又は流動層
式の造粒・焼成炉の１炉を備え、造粒・焼成炉から造粒
・焼成物を分級排出して冷却する流動層セメント焼成装
置において、排ガス中に含まれるアルカリ、塩素、硫
黄、重金属等の有害な低融点化合物を効率よく除去する
ことができ、高品質のセメントクリンカを得ることがで
きる。（２）２炉方式における造粒炉の上部又は１炉方式に
おける造粒・焼成炉の上部と仮焼炉の下部との間の排ガ
ス通路や、その他の部位のコーチングの発生を抑制でき
るので、凝縮・付着物の除去作業の労力が大幅に軽減さ
れるとともに、装置の連続運転が可能となる。（３）抽気抜出し部に冷却用空気を噴出・供給するの
で、抽気抜出し部の冷却及び抽気排ガスの冷却を効率よ
く行うことができる。とくに、抽気抜出し部を空冷ボッ
クス構造として、多数の空気噴出孔から冷却用空気を噴
出させる場合は、抽気抜出し部が全面均一に冷却され、
また、空気はほぼ全量が抽気の冷却に有効利用される。（４）抽気抜出し部で抽気排ガスは５００〜８００℃
に急冷されるので、それ以降の系統での付着、すなわち
コーチングはなくなる。（５）サイクロンとして、分離粒径１０μm 程度の高
効率サイクロンを用いる場合は、アルカリ等有害物質の
含有量の少ないダストを効率よく捕集することができ、
比較的高温のままで捕集した粗粒ダストの大半を造粒炉
又は造粒・焼成炉に戻すので、原料損失・熱損失がきわ
めて少なくなる。この場合、サイクロンを複数基並列に
設置すれば、１基当たりの径が小さくなり、より効率よ
くダストを分離することができる。（６）サイクロン排ガスの大半を造粒炉又は造粒・焼
成炉に戻して熱回収（原料の予熱・仮焼）するので、熱
損失はきわめて少ない。（７）造粒炉又は造粒・焼成炉のフリーボードから抽
気する抽気排ガス量と略同量のサイクロン排ガスを、造
粒炉又は造粒・焼成炉のフリーボードに戻す場合は、抽
気排ガス量が変動しても、この抽気排ガス量と同量の排
ガスが造粒炉又は造粒・焼成炉に入ってくるので、仮焼
炉スロートのガス流速が確保され、原料が直落すること
なく安定運転を継続することができる。また、フリーボ
ードの温度が低下するので、さらに付着防止の効果が大
きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の第１形態による流動層セメント
焼成装置（２炉方式）の概略構成図である。

【図２】図１における抽気抜出し部の一例を示す断面説
明図である。

【図３】図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。

【図４】図１における造粒炉の横断面説明図である。た
だし、流動層の図示を省略している。

【図５】図１における抽気抜出し部の他の例を示す断面
説明図である。

【図６】図１における造粒炉のＡ−Ａ線断面図である。

【図７】図１におけるサイクロンの一例を示す立面説明
図である。

【図８】図１における原料予熱系統まわりの一例で、サ
スペンションプレヒータと仮焼炉とで原料予熱系統を構
成するニューサスペンションプレヒータ（ＮＳＰ）方式
の場合を示す概略構成図である。

【図９】本発明の実施の第２形態による流動層セメント
焼成装置（１炉方式）の概略構成図である。

【図１０】図９における抽気抜出し部の一例を示す断面
説明図である。

【図１１】図１０におけるＤ−Ｄ線断面図である。

【図１２】図９における造粒・焼成炉の横断面説明図で
ある。ただし、流動層の図示を省略している。

【図１３】図９における抽気抜出し部の他の例を示す断
面説明図である。

【図１４】図９における造粒・焼成炉のＣ−Ｃ線断面図
である。

【図１５】図９における原料予熱系統まわりの一例で、
サスペンションプレヒータと仮焼炉とで原料予熱系統を
構成するニューサスペンションプレヒータ（ＮＳＰ）方
式の場合を示す概略構成図である。

【符号の説明】

１０仮焼炉１１流動層造粒炉１２流動層焼成炉１４流動層クーラ１６、１０８充填層クーラ１７、１１０排出シュート１８、１１４フリーボード２０、２４排空気導管２２風箱２６、２８、３８冷却用空気供給ファン３０、３２、４０冷却用空気流量調節弁３１排ガス通路３３フリーボード３４、３４ａ、３４ｂ抽気抜出し部３６冷却用空気供給管４４抽気排ガス導管４６サイクロン４８捕集ダスト回収管４９捕集ダスト排出管５０排ガス出口導管５２、５４、６５サイクロン排ガス導管５６熱交換器５８集塵機６０、１０４排ガスファン６２、６６排ガス流量調節弁６４排ガス循環ファン６８内管７０空気噴出孔７２外管７４空気入口７６空冷ボックス７８プラグダンパ８０、１１６ガス分散板８２、１１８造粒物落下口８４、１２０排出溝部８６、１２２ノズル８８サイクロン排ガス導入口９０排ガス導入口９２排ガス排出管９４円筒胴体９６略逆円錐胴体９８拡大壁部１００略逆円錐胴部１０２サスペンションプレヒータ１０６流動層造粒・焼成炉１１２スロート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金森省三神戸市中央区東川崎町３丁目１番１号川崎重工業株式会社神戸工場内 (72)発明者市谷昇神戸市中央区東川崎町３丁目１番１号川崎重工業株式会社神戸工場内 (72)発明者向井克治東京都千代田区神田美土代町１番地住友大阪セメント株式会社内 (72)発明者石鉢俊幸東京都千代田区神田美土代町１番地住友大阪セメント株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】原料予熱系統で予熱されたセメント原料
粉を流動層式又は噴流層式の造粒炉に導入して造粒し、
ついで、造粒炉から造粒物を分級排出して流動層焼成炉
に投入し焼成した後、焼成物を冷却器に導入して冷却す
るセメントクリンカの焼成方法において、造粒炉排ガス
の一部を造粒炉のフリーボードから抽気するとともに、
抽気抜出し部に冷却用空気を噴出・供給して抽気排ガス
を５００〜８００℃の範囲に冷却した後、この冷却排ガ
スをサイクロンに導入して粗粒ダストを分離捕集し、捕
集された粗粒ダストの少なくとも一部を造粒炉に戻すと
ともに、サイクロン排ガスの一部を造粒炉のフリーボー
ドに循環導入し、サイクロン排ガスの残部を系外に排出
することを特徴とする流動層セメント焼成方法。
【請求項２】原料予熱系統で予熱されたセメント原料
粉を流動層式の造粒・焼成炉に導入して造粒・焼成し、
ついで、造粒・焼成炉から造粒・焼成物を分級排出して
冷却器に導入し冷却するセメントクリンカの焼成方法に
おいて、造粒・焼成炉排ガスの一部を造粒・焼成炉のフ
リーボードから抽気するとともに、抽気抜出し部に冷却
用空気を噴出・供給して抽気排ガスを５００〜８００℃
の範囲に冷却した後、この冷却排ガスをサイクロンに導
入して粗粒ダストを分離捕集し、捕集された粗粒ダスト
の少なくとも一部を造粒・焼成炉に戻すとともに、サイ
クロン排ガスの一部を造粒・焼成炉のフリーボードに循
環導入し、サイクロン排ガスの残部を系外に排出するこ
とを特徴とする流動層セメント焼成方法。
【請求項３】系外に排出されるサイクロン排ガスを、
熱回収又は冷却した後、集塵機に導入して微粒ダストを
除去する請求項１又は２記載の流動層セメント焼成方
法。
【請求項４】抽気抜出し部を空冷ボックス構造にして
多数の空気噴出孔から冷却用空気を抽気排ガス中に噴出
させ、抽気抜出し部の全面を均一に冷却する請求項１、
２又は３記載の流動層セメント焼成方法。
【請求項５】サイクロンで捕集された粗粒ダストの一
部を系外に排出する請求項１〜４のいずれかに記載の流
動層セメント焼成方法。
【請求項６】サイクロンとして、粒径１０μm 程度以
上の粗粒ダストを捕集できるものを、１基又は複数基並
列に接続して用いる請求項１〜５のいずれかに記載の流
動層セメント焼成方法。
【請求項７】造粒炉又は造粒・焼成炉のフリーボード
に循環導入するサイクロン排ガスの量を、造粒炉又は造
粒・焼成炉のフリーボードから抽気する抽気排ガス量と
略同量とし、系外に排出するサイクロン排ガスの量を、
抽気抜出し部に供給する冷却用空気量と略同量とする請
求項１〜６のいずれかに記載の流動層セメント焼成方
法。
【請求項８】サイクロン排ガスの一部を、造粒炉又は
造粒・焼成炉の上部に接続された原料予熱系統の仮焼炉
に導入する請求項１〜６のいずれかに記載の流動層セメ
ント焼成方法。
【請求項９】サスペンションプレヒータと仮焼炉とか
らなる原料予熱系統と、予熱された原料を造粒する流動
層式又は噴流層式の造粒炉と、造粒炉の側部の排出シュ
ートから分級排出された造粒物を焼成する流動層焼成炉
と、流動層焼成炉からの焼成物を冷却する冷却器とを備
えたセメント焼成装置において、造粒炉のフリーボード
に排ガスの一部を抽気するための抽気抜出し部を設け、
この抽気抜出し部に冷却用空気供給管を接続するととも
に、この抽気抜出し部に抽気排ガス導管を介して１基又
は並列複数基のサイクロンを接続し、該サイクロンの底
部と造粒炉とを捕集ダスト回収管を介して接続し、該サ
イクロンの排ガス出口導管を分岐し、一方のサイクロン
排ガス導管を造粒炉のフリーボードに接続し、他方のサ
イクロン排ガス導管に熱交換器又は冷却器、及び集塵機
を直列に設けたことを特徴とする流動層セメント焼成装
置。
【請求項１０】サスペンションプレヒータと仮焼炉と
からなる原料予熱系統と、予熱された原料を造粒・焼成
する流動層式の造粒・焼成炉と、造粒・焼成炉の側部の
排出シュートから分級排出された造粒・焼成物を冷却す
る冷却器とを備えたセメント焼成装置において、造粒・
焼成炉のフリーボードに排ガスの一部を抽気するための
抽気抜出し部を設け、この抽気抜出し部に冷却用空気供
給管を接続するとともに、この抽気抜出し部に抽気排ガ
ス導管を介して１基又は並列複数基のサイクロンを接続
し、該サイクロンの底部と造粒・焼成炉とを捕集ダスト
回収管を介して接続し、該サイクロンの排ガス出口導管
を分岐し、一方のサイクロン排ガス導管を造粒・焼成炉
のフリーボードに接続し、他方のサイクロン排ガス導管
に熱交換器又は冷却器、及び集塵機を直列に設けたこと
を特徴とする流動層セメント焼成装置。
【請求項１１】抽気抜出し部が、内管に多数の噴出孔
を有する二重管からなる空冷ボックス構造である請求項
９又は１０記載の流動層セメント焼成装置。
【請求項１２】サイクロンの底部に、捕集ダスト回収
管を設けるとともに、捕集したダストの一部を系外に排
出するための捕集ダスト排出管を設けた請求項９、１０
又は１１記載の流動層セメント焼成装置。
【請求項１３】サイクロンの排ガス出口導管をさらに
分岐して、サイクロン排ガス導管を仮焼炉に接続するよ
うにした請求項９〜１２のいずれかに記載の流動層セメ
ント焼成装置。
【請求項１４】原料予熱系統が、仮焼炉を省略してサ
スペンションプレヒータのみで構成されている請求項９
〜１２のいずれかに記載の流動層セメント焼成装置。
【請求項１５】サイクロンが、上側部に接線方向に排
ガスを導入する排ガス導入口を有するとともに、上面中
央部に排ガス排出管を有する円筒胴体の下部に、略逆円
錐胴体を連設し、この略逆円錐胴体の下部に拡大壁部を
連設し、さらに、この拡大壁部に略逆円錐胴部を連設
し、略逆円錐胴体の下端部内径Ｄ1と排ガス排出管の内
径ｄがＤ1≧ｄの関係を有し、円筒胴体の内径Ｄと拡大
壁部の下端部内径Ｄ2との間にＤ2＝（０．８〜１．０）
×Ｄの関係を有するようにした高効率サイクロンである
請求項９〜１４のいずれかに記載の流動層セメント焼成
装置。