JP2000033271A - 光触媒フィルム及びその製造方法 - Google Patents
光触媒フィルム及びその製造方法Info
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Landscapes
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- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光触媒層を設けたプラスチックフィルムが、
光触媒フィルムとして使用されたとき、上記のプラスチ
ックフィルムが、光触媒の作用によって分解したり、劣
化したりはしない透明な光触媒フィルム及びその製造方
法の提供を課題とする。 【解決手段】基材フィルム1の一方の側に、厚みが10
0〜400Åのケイ素酸化物の蒸着層からなる活性遮断
層2及び酸化チタンを主成分とする光触媒層3とからな
る光触媒フィルム10であって、上記の活性遮断層2が
SiOx 及び炭素、水素、ケイ素、酸素の中の少なくと
も1種類以上の化合物を化学蒸着法により連続して含ま
せる。
光触媒フィルムとして使用されたとき、上記のプラスチ
ックフィルムが、光触媒の作用によって分解したり、劣
化したりはしない透明な光触媒フィルム及びその製造方
法の提供を課題とする。 【解決手段】基材フィルム1の一方の側に、厚みが10
0〜400Åのケイ素酸化物の蒸着層からなる活性遮断
層2及び酸化チタンを主成分とする光触媒層3とからな
る光触媒フィルム10であって、上記の活性遮断層2が
SiOx 及び炭素、水素、ケイ素、酸素の中の少なくと
も1種類以上の化合物を化学蒸着法により連続して含ま
せる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光活性作用が高
く、脱臭、殺菌、汚染防止、藻類の成育を抑制する触媒
層を含む光触媒フィルムにおいて、光触媒の作用によっ
て基材フイルムが劣化したり、光触媒層が脱落したりし
ない安定した光触媒フィルムの提供を課題とするもので
ある。
く、脱臭、殺菌、汚染防止、藻類の成育を抑制する触媒
層を含む光触媒フィルムにおいて、光触媒の作用によっ
て基材フイルムが劣化したり、光触媒層が脱落したりし
ない安定した光触媒フィルムの提供を課題とするもので
ある。
【0002】
【従来技術】紫外線のエネルギーによって、化学物質か
ら発する臭いの除去、細菌、藻類や黴の成育を抑制して
水処理や太陽電池の受光部ガラスの汚染防止や、建材、
家具、家電製品などの表面に黴防止や、細菌的汚染など
を抑制するために光触媒フィルムが使用されてきた。そ
して、表面に付着する化学物質の分解や微生物の成育の
抑制(広義の分解)を促進する触媒にはアナダーゼ型酸
化チタンが光触媒として多用されている。光触媒は粉末
状もしくは溶液に懸濁させる方が触媒活性は高いが、実
用的には触媒の微粒子をバインダーで固着させた光触媒
層を透明なフィルム状の担体に設けられる。そして太陽
電池受光部や、建材、家具、家電製品などの表面に貼着
や積層して使用されることが多い。
ら発する臭いの除去、細菌、藻類や黴の成育を抑制して
水処理や太陽電池の受光部ガラスの汚染防止や、建材、
家具、家電製品などの表面に黴防止や、細菌的汚染など
を抑制するために光触媒フィルムが使用されてきた。そ
して、表面に付着する化学物質の分解や微生物の成育の
抑制(広義の分解)を促進する触媒にはアナダーゼ型酸
化チタンが光触媒として多用されている。光触媒は粉末
状もしくは溶液に懸濁させる方が触媒活性は高いが、実
用的には触媒の微粒子をバインダーで固着させた光触媒
層を透明なフィルム状の担体に設けられる。そして太陽
電池受光部や、建材、家具、家電製品などの表面に貼着
や積層して使用されることが多い。
【0003】光触媒フィルムは、光触媒の微粒子を含む
光触媒層を基材フイルムとしてニトロセルロース、ポリ
ビニルブチラール、アクリル酸及び/又はメタアクリル
酸エステルの共重合体、塩化ビニル系共重合体、ポリプ
ロピレン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・
アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共
重合体、アイオノマー、ポリアミド、ポリエステルなど
の延伸又は未延伸フィルムに光触媒層を形成して供され
ていた。また、ガラス又はセラミックなどの無機高分子
のシートや板に光触媒層を直接形成することも行われて
いた。
光触媒層を基材フイルムとしてニトロセルロース、ポリ
ビニルブチラール、アクリル酸及び/又はメタアクリル
酸エステルの共重合体、塩化ビニル系共重合体、ポリプ
ロピレン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・
アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共
重合体、アイオノマー、ポリアミド、ポリエステルなど
の延伸又は未延伸フィルムに光触媒層を形成して供され
ていた。また、ガラス又はセラミックなどの無機高分子
のシートや板に光触媒層を直接形成することも行われて
いた。
【0004】しかしながら、上記物質のなかで有機物を
基材フイルムとした場合、光触媒層の触媒作用によって
基材フイルムが劣化したり、分解したりして光触媒層を
脱落するなどの問題点があった。光触媒とプラスチック
フィルムとの十分な接着を得ることが困難であった。そ
して、接着を強固にするためには基材フィルムにテトラ
メトキシシランなどのシリカゾルを塗工し、加熱処理、
アルカリ処理などでゲル化する方法もとられている。し
かしながら、加熱処理は塗工材を100℃以上で長時間
の処理が必要であり、また、アルカリ処理はアミンなど
アルカリ性の雰囲気下でゲル化処理を施す必要がある。
したがって、プラスチックフィルムでこのような処理に
耐える材料は限定されたものであり、特殊な乾燥装置や
ゲル化装置などが必要である。そして、このようにして
光触媒を施しても、有機物である基材フィルムは、光触
媒の分解促進作用によって分解したり、脱落したりする
などの問題点を避けることができないものである。ま
た、基材がセラミックなどの無機物の場合でも、光触媒
層のバインダーに有機高分子を使用すると、光触媒の粒
子表面がバインダーで被覆されるために触媒としての活
性が低下されるばかりでなく、バインダーも触媒作用に
よって劣化したり、分解したりして触媒層が基材から脱
落するなどの問題点があった。
基材フイルムとした場合、光触媒層の触媒作用によって
基材フイルムが劣化したり、分解したりして光触媒層を
脱落するなどの問題点があった。光触媒とプラスチック
フィルムとの十分な接着を得ることが困難であった。そ
して、接着を強固にするためには基材フィルムにテトラ
メトキシシランなどのシリカゾルを塗工し、加熱処理、
アルカリ処理などでゲル化する方法もとられている。し
かしながら、加熱処理は塗工材を100℃以上で長時間
の処理が必要であり、また、アルカリ処理はアミンなど
アルカリ性の雰囲気下でゲル化処理を施す必要がある。
したがって、プラスチックフィルムでこのような処理に
耐える材料は限定されたものであり、特殊な乾燥装置や
ゲル化装置などが必要である。そして、このようにして
光触媒を施しても、有機物である基材フィルムは、光触
媒の分解促進作用によって分解したり、脱落したりする
などの問題点を避けることができないものである。ま
た、基材がセラミックなどの無機物の場合でも、光触媒
層のバインダーに有機高分子を使用すると、光触媒の粒
子表面がバインダーで被覆されるために触媒としての活
性が低下されるばかりでなく、バインダーも触媒作用に
よって劣化したり、分解したりして触媒層が基材から脱
落するなどの問題点があった。
【0005】基材が無機物の場合は、触媒を有機物を全
く存在しない状態でスパッタリングで形成したり、アル
キルチタネートを塗工・焼成して形成したり、チタニア
ゾルのスプレー・焼成したりして、光触媒層を無機物に
形成されたりしている。しかしながら、基材上での光触
媒粒子の生成は、結晶化及び基材との接着を確実にする
ために、場合によっては200℃を超える高温度の焼成
が必要であり、大面積の光触媒フィルムを形成できない
ばかりでなく、製造コストが高いという問題点があっ
た。
く存在しない状態でスパッタリングで形成したり、アル
キルチタネートを塗工・焼成して形成したり、チタニア
ゾルのスプレー・焼成したりして、光触媒層を無機物に
形成されたりしている。しかしながら、基材上での光触
媒粒子の生成は、結晶化及び基材との接着を確実にする
ために、場合によっては200℃を超える高温度の焼成
が必要であり、大面積の光触媒フィルムを形成できない
ばかりでなく、製造コストが高いという問題点があっ
た。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決するために、有機物である透明なプラスチックフ
ィルムに、光触媒層を形成して、光触媒フィルムとして
供されても基材フイルムが光触媒の作用によって分解し
たり、劣化したりしない透明な光触媒フィルムの提供を
課題とするものである。
を解決するために、有機物である透明なプラスチックフ
ィルムに、光触媒層を形成して、光触媒フィルムとして
供されても基材フイルムが光触媒の作用によって分解し
たり、劣化したりしない透明な光触媒フィルムの提供を
課題とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
めに本発明は、図1に示すとおりの「基材フイルム
1」、厚みが100〜400Åの蒸着層からなる「活性
遮断層2」及び光活性による分解性をもつ酸化チタンの
「光触媒層3」から構成される光触媒フィルム10にお
いて、該活性遮断層2がケイ素酸化物、及び炭素、水
素、ケイ素、酸素のなかの2種以上の元素からなる少な
くとも1種類の化合物を連続して含む光触媒フィルム1
0である。また、前記の活性遮断層3の炭素元素の含有
量が深さ方向に減少した光触媒フィルムである。更に、
前記のケイ素酸化物(SiOx )のxが1.3乃至1.
6である光触媒フィルムである。
めに本発明は、図1に示すとおりの「基材フイルム
1」、厚みが100〜400Åの蒸着層からなる「活性
遮断層2」及び光活性による分解性をもつ酸化チタンの
「光触媒層3」から構成される光触媒フィルム10にお
いて、該活性遮断層2がケイ素酸化物、及び炭素、水
素、ケイ素、酸素のなかの2種以上の元素からなる少な
くとも1種類の化合物を連続して含む光触媒フィルム1
0である。また、前記の活性遮断層3の炭素元素の含有
量が深さ方向に減少した光触媒フィルムである。更に、
前記のケイ素酸化物(SiOx )のxが1.3乃至1.
6である光触媒フィルムである。
【0008】基材フイルム1、厚みが100〜400Å
の蒸着層からなる活性遮断層2及び光活性による分解性
をもつ酸化チタンの光触媒層3からなる光触媒フィルム
10であって、該活性遮断層2がケイ素酸化物、及び炭
素、水素、ケイ素、酸素のなかの2種以上の元素からな
る化合物を連続して含む化合物を、プロセスガスの酸素
ガス量と有機ケイ素化合物の少なくとも2倍に設定した
プラズマ化学蒸着法(以下、CVD法と記載する。)で
形成する光触媒フィルムの製造方法である。そして、前
記の活性遮断層2の炭素含有量が、プラズマCVD法で
深さ方向へ減少して形成する光触媒フィルムの製造方法
である。
の蒸着層からなる活性遮断層2及び光活性による分解性
をもつ酸化チタンの光触媒層3からなる光触媒フィルム
10であって、該活性遮断層2がケイ素酸化物、及び炭
素、水素、ケイ素、酸素のなかの2種以上の元素からな
る化合物を連続して含む化合物を、プロセスガスの酸素
ガス量と有機ケイ素化合物の少なくとも2倍に設定した
プラズマ化学蒸着法(以下、CVD法と記載する。)で
形成する光触媒フィルムの製造方法である。そして、前
記の活性遮断層2の炭素含有量が、プラズマCVD法で
深さ方向へ減少して形成する光触媒フィルムの製造方法
である。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の光触媒フィルムを構成す
る基材フイルムは、透明なプラスチックフィルムで、か
つ物理蒸着法を施せるとともに耐久性に優れた材料から
選択する。例えば、酢酸セルロース、ニトロセルロース
(セルロイド)、ポリビニルブチラール、アクリル酸及
び/又はメタアクリル酸エステルの共重合体、塩化ビニ
ル系共重合体、ポリプロピレン、エチレン・酢酸ビニル
共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・
アクリル酸エステル共重合体、アイオノマー、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリエステル、エチレン・酢酸ビニル
共重合体ケン化物などの延伸あるいは未延伸フィルムで
ある。基材フイルムの厚みは、材質や製造方法にもよる
が10〜200μm、好ましくは15〜50μmであ
る。
る基材フイルムは、透明なプラスチックフィルムで、か
つ物理蒸着法を施せるとともに耐久性に優れた材料から
選択する。例えば、酢酸セルロース、ニトロセルロース
(セルロイド)、ポリビニルブチラール、アクリル酸及
び/又はメタアクリル酸エステルの共重合体、塩化ビニ
ル系共重合体、ポリプロピレン、エチレン・酢酸ビニル
共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・
アクリル酸エステル共重合体、アイオノマー、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリエステル、エチレン・酢酸ビニル
共重合体ケン化物などの延伸あるいは未延伸フィルムで
ある。基材フイルムの厚みは、材質や製造方法にもよる
が10〜200μm、好ましくは15〜50μmであ
る。
【0010】本発明のCVD法で形成する蒸着層は、透
明性をもつとともに、構成元素は、SiOx の他に、C
VD法の蒸着原料と反応混合ガスの種類や割合を選択す
ることによって、有機ケイ素化合物やそれらの誘導体を
含ませることができる。
明性をもつとともに、構成元素は、SiOx の他に、C
VD法の蒸着原料と反応混合ガスの種類や割合を選択す
ることによって、有機ケイ素化合物やそれらの誘導体を
含ませることができる。
【0011】蒸着層は、光触媒の活性が基材フイルムに
到達することを阻止するバリア作用をもち、かつ透明な
蒸着層が好ましい。バリア効果を奏する蒸着層の厚みは
100Å以上が必要であり、100Åに達しないとき
は、バリア効果を奏することができず、結果として基材
フイルムが光触媒の作用で劣化することになる。そし
て、CVD法に使用する有機ケイ素化合物は、1,1,
3,3ーテトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシ
ロキサン、ビニルトリメチルジシラン、ヘキサメチルジ
シラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシロ
キサン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキ
シシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、オクタメチルシクロテトラシシロキサン
などを挙げることができる。好ましくは、炭素含有量が
深さ方向への減少を均一に形成できる1,1,3,3ー
テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン
である。
到達することを阻止するバリア作用をもち、かつ透明な
蒸着層が好ましい。バリア効果を奏する蒸着層の厚みは
100Å以上が必要であり、100Åに達しないとき
は、バリア効果を奏することができず、結果として基材
フイルムが光触媒の作用で劣化することになる。そし
て、CVD法に使用する有機ケイ素化合物は、1,1,
3,3ーテトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシ
ロキサン、ビニルトリメチルジシラン、ヘキサメチルジ
シラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシロ
キサン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキ
シシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、オクタメチルシクロテトラシシロキサン
などを挙げることができる。好ましくは、炭素含有量が
深さ方向への減少を均一に形成できる1,1,3,3ー
テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン
である。
【0012】本発明の活性遮断層は、光触媒が基材フイ
ルムの分解に影響を与えないように相互の接触を遮断す
るものである。そして、SiOx 層からなる活性遮断層
の総厚みが400Åを超えることがなく、SiOx 蒸着
層の厚みが100〜250Åの範囲に設けることが好ま
しい。蒸着層の厚みが400Åを超えると、透明性が欠
けるばかりでなく可撓性をも損なうことになる。しかし
ながら、活性遮断層の種類や用途によっては、蒸着層の
厚みを最高400Åに限定することはなく、任意の厚
み、例えば2000Å程度にまで増すことによって活性
遮断層の作用を増大することもできる。透明な活性遮断
層を形成するSiOx 蒸着層と光触媒層との接着を強固
にする目的で、活性遮断層の面に必要に応じてコロナ放
電処理や、プラズマ処理を施すことが好ましい。
ルムの分解に影響を与えないように相互の接触を遮断す
るものである。そして、SiOx 層からなる活性遮断層
の総厚みが400Åを超えることがなく、SiOx 蒸着
層の厚みが100〜250Åの範囲に設けることが好ま
しい。蒸着層の厚みが400Åを超えると、透明性が欠
けるばかりでなく可撓性をも損なうことになる。しかし
ながら、活性遮断層の種類や用途によっては、蒸着層の
厚みを最高400Åに限定することはなく、任意の厚
み、例えば2000Å程度にまで増すことによって活性
遮断層の作用を増大することもできる。透明な活性遮断
層を形成するSiOx 蒸着層と光触媒層との接着を強固
にする目的で、活性遮断層の面に必要に応じてコロナ放
電処理や、プラズマ処理を施すことが好ましい。
【0013】SiOx のxは、1.2以下の場合や2.
1以上になると、蒸着層(活性遮断層)と光触媒層との
接着力が低下する。したがって、SiOx のxは、1.
3〜2.0のものが好ましく使用できる。
1以上になると、蒸着層(活性遮断層)と光触媒層との
接着力が低下する。したがって、SiOx のxは、1.
3〜2.0のものが好ましく使用できる。
【0014】単なる金属酸化物の蒸着層(本発明の明細
書においてはSiOx を金属酸化物に含める。)は、通
常、基材フイルムとの接着や、蒸着層との接着が十分で
ないことが多い。したがって、前述のように基材フイル
ムにプライマー層を設けて形成することもある。また、
蒸着層のケイ素酸化物に炭素、水素、ケイ素及び酸素の
中の1種類以上の化合物を含ませることが好ましい。こ
の微量元素は基材フイルムと蒸着層との接着や、蒸着層
と光触媒層との接着を強固にするばかりでなく、蒸着層
の可撓性を増加する効果をも奏するものである。
書においてはSiOx を金属酸化物に含める。)は、通
常、基材フイルムとの接着や、蒸着層との接着が十分で
ないことが多い。したがって、前述のように基材フイル
ムにプライマー層を設けて形成することもある。また、
蒸着層のケイ素酸化物に炭素、水素、ケイ素及び酸素の
中の1種類以上の化合物を含ませることが好ましい。こ
の微量元素は基材フイルムと蒸着層との接着や、蒸着層
と光触媒層との接着を強固にするばかりでなく、蒸着層
の可撓性を増加する効果をも奏するものである。
【0015】蒸着層に含む構成元素としてケイ素、炭
素、水素、及び酸素の中の1種類以上の元素は、前述の
有機ケイ素化合物から選択した1種以上のものと、プロ
セスガスの酸素ガス量を有機ケイ素ガスの少なくとも2
倍に設定してCVD法で形成できる。例えば、CVDの
反応ガス組成比を、ヘキサメチルジシロキサン:酸素ガ
ス:ヘリウム=1:10:10(単位:slm)のよう
に有機ケイ素化合物に対して酸素ガス量を多くすること
により、蒸着層にSiOx の他に炭素、水素、酸素とか
らなる化合物を活性遮断層の炭素量が深さ方向に減少す
るように含ませることができる。また、酸素ガス濃度を
任意に変化することにより、ケイ素原子に対する炭素原
子の割合を任意に構成することができる。好ましい炭素
原子の割合は、ケイ素原子100に対して70〜100
である。炭素原子が70以下の場合は、蒸着層の基材フ
イルム又は光触媒層との接着が悪いばかりでなく、可撓
性に欠ける欠点がある。また、炭素原子が100を超え
るとSiOx の特性が失われ活性遮断層としての性能が
損なわれ、また接着を低下することもあり好ましくな
い。また、CVD法で形成される活性遮断層は、これら
の炭素、水素、酸素などから形成される化合物の存在に
より、蒸着層はコロナ放電処理や、プラズマ処理などの
表面処理を更に施すことにより、塗工により設けられる
光触媒層との接着を強固にすることができる。
素、水素、及び酸素の中の1種類以上の元素は、前述の
有機ケイ素化合物から選択した1種以上のものと、プロ
セスガスの酸素ガス量を有機ケイ素ガスの少なくとも2
倍に設定してCVD法で形成できる。例えば、CVDの
反応ガス組成比を、ヘキサメチルジシロキサン:酸素ガ
ス:ヘリウム=1:10:10(単位:slm)のよう
に有機ケイ素化合物に対して酸素ガス量を多くすること
により、蒸着層にSiOx の他に炭素、水素、酸素とか
らなる化合物を活性遮断層の炭素量が深さ方向に減少す
るように含ませることができる。また、酸素ガス濃度を
任意に変化することにより、ケイ素原子に対する炭素原
子の割合を任意に構成することができる。好ましい炭素
原子の割合は、ケイ素原子100に対して70〜100
である。炭素原子が70以下の場合は、蒸着層の基材フ
イルム又は光触媒層との接着が悪いばかりでなく、可撓
性に欠ける欠点がある。また、炭素原子が100を超え
るとSiOx の特性が失われ活性遮断層としての性能が
損なわれ、また接着を低下することもあり好ましくな
い。また、CVD法で形成される活性遮断層は、これら
の炭素、水素、酸素などから形成される化合物の存在に
より、蒸着層はコロナ放電処理や、プラズマ処理などの
表面処理を更に施すことにより、塗工により設けられる
光触媒層との接着を強固にすることができる。
【0016】活性遮断層が、基材フイルムと十分な接着
をもたせるために、図3に示すように、基材フイルム1
にプライマー層4を設け、更に蒸着層2及び光触媒層3
を形成することが好ましい。プライマー層は、耐候性を
もつ材料を基材フイルムに0.5〜5g/m2 塗工し均
一な塗膜を設けるものである。使用される材料は、基材
フイルムの種類にもよるが、塩化ビニル・酢酸ビニル系
共重合体、線状ポリエステル、ポリエーテルやこれらを
ポリイソシアネートで硬化したもの、ウレタン、エポキ
シ樹脂、特に無水マレイン酸による酸硬化物やポリイソ
シアネートによる硬化物や、加水分解うけ易いイソプロ
ピルチタネート、ブチルチタネートなどのアルキルチタ
ネートを適用できる。また、プライマー層に光安定剤を
加えることもできる。
をもたせるために、図3に示すように、基材フイルム1
にプライマー層4を設け、更に蒸着層2及び光触媒層3
を形成することが好ましい。プライマー層は、耐候性を
もつ材料を基材フイルムに0.5〜5g/m2 塗工し均
一な塗膜を設けるものである。使用される材料は、基材
フイルムの種類にもよるが、塩化ビニル・酢酸ビニル系
共重合体、線状ポリエステル、ポリエーテルやこれらを
ポリイソシアネートで硬化したもの、ウレタン、エポキ
シ樹脂、特に無水マレイン酸による酸硬化物やポリイソ
シアネートによる硬化物や、加水分解うけ易いイソプロ
ピルチタネート、ブチルチタネートなどのアルキルチタ
ネートを適用できる。また、プライマー層に光安定剤を
加えることもできる。
【0017】光触媒としての活性をもつ化合物は、Ti
O2 、ZnO、SrTiO3 、CdS、CaP、In
P、GaAs、BaTiO3 、K2 TiO3 、K2 Nb
O3 、Fe2 O3 、Ta2 O3 、WO3 、SnO2 、B
i2 O3 、NiO、Cu2 O、SiC、SiO2 、Mo
S2 、InPb、RuO2 、CeO2 などや、これらに
Pt、Rh、RuO2 、Nb、Cu、Sn、Ni、Fe
などの金属及び/又はこれらの金属酸化物とを混合した
組成物を使用できる。光触媒層の塗工液に含まれる光触
媒粉末、若しくはゾルのものに含まれる粒子の含有量は
多いほど触媒としての活性が高くなるが、基材フィルム
と蒸着層との接着や塗工適性(粉末が多いと塗工液がダ
イラタンシテイを示す)が低下するばかりでなく、光触
媒層が脆くなったり、蒸着層の層間強度が低下し脱落し
たりすることがある。したがって、光触媒の密度、粒形
状にもよるが0.1〜30重量%が好ましい。
O2 、ZnO、SrTiO3 、CdS、CaP、In
P、GaAs、BaTiO3 、K2 TiO3 、K2 Nb
O3 、Fe2 O3 、Ta2 O3 、WO3 、SnO2 、B
i2 O3 、NiO、Cu2 O、SiC、SiO2 、Mo
S2 、InPb、RuO2 、CeO2 などや、これらに
Pt、Rh、RuO2 、Nb、Cu、Sn、Ni、Fe
などの金属及び/又はこれらの金属酸化物とを混合した
組成物を使用できる。光触媒層の塗工液に含まれる光触
媒粉末、若しくはゾルのものに含まれる粒子の含有量は
多いほど触媒としての活性が高くなるが、基材フィルム
と蒸着層との接着や塗工適性(粉末が多いと塗工液がダ
イラタンシテイを示す)が低下するばかりでなく、光触
媒層が脆くなったり、蒸着層の層間強度が低下し脱落し
たりすることがある。したがって、光触媒の密度、粒形
状にもよるが0.1〜30重量%が好ましい。
【0018】光触媒層の塗工液にバインダーは、アクリ
ル・シリコーン樹脂、エポキシ・シリコーン樹脂などの
耐光性に優れた材料から選択する。光触媒層の塗工は、
その粘度や、乾燥・硬化条件によっても異なるが、材料
に応じて通常の方法で設けることができる。例えば、グ
ラビア版を用いたグラビアコート、ゴムあるいはスチー
ルロールによるロールコート、エアナイフコート、スプ
レーコート、スピンコート、ディップコートなどから適
宜に選択できる。光触媒層の触媒粒子の径が、40nm
以下のものであり、硬化後の比表面積が50m2 /g以
上の金属酸化物及び/又は水酸化物のゾルを用いた光触
媒層の全光線透過率は70%以上となる。また波長が5
50nmの全光線透過率が70%以上の透明な基材フイ
ルムを用いた場合、透過した可視光線を照明として利用
できる。
ル・シリコーン樹脂、エポキシ・シリコーン樹脂などの
耐光性に優れた材料から選択する。光触媒層の塗工は、
その粘度や、乾燥・硬化条件によっても異なるが、材料
に応じて通常の方法で設けることができる。例えば、グ
ラビア版を用いたグラビアコート、ゴムあるいはスチー
ルロールによるロールコート、エアナイフコート、スプ
レーコート、スピンコート、ディップコートなどから適
宜に選択できる。光触媒層の触媒粒子の径が、40nm
以下のものであり、硬化後の比表面積が50m2 /g以
上の金属酸化物及び/又は水酸化物のゾルを用いた光触
媒層の全光線透過率は70%以上となる。また波長が5
50nmの全光線透過率が70%以上の透明な基材フイ
ルムを用いた場合、透過した可視光線を照明として利用
できる。
【0019】以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細
に説明する。 (実験例 1〜5)図1に示すように、基材フィルム1
として、厚み20μmの二軸延伸ポリプロピレンフィル
ムの処理面に下記の条件で酸素ガス濃度を変化させて、
CVD法によって厚み120Åの表1に示すSiOx か
らなる活性遮断層2を形成した。 ・反応混合ガス (単位:slm)ヘキサメチルジシロ
キサン:酸素ガス:ヘリウムガス=1:10:10 ・真空チャンバー内の真空度:5×10-6mbar ・蒸着チャンバー内の真空度:6×10-2mbar ・冷却ドラムの供給電力 :20KW 蒸着直後の活性遮断層を出力10KW、処理速度100
m/minの条件下でコロナ放電処理を施し、活性遮断
層の表面張力を35dより62dynに向上した。上記
の活性遮断層2に酸化チタン微粒子(結晶粒子径27n
m)を20重量部、シリカゾル(150℃乾燥後の比表
面積180m2 /g)を20重量部とテトラエトキシシ
ランを60重量部とからなる光触媒塗工液をグラビアコ
ートで厚み1g/m2 塗工し、光触媒層3を設け実験例
1〜5の光触媒フィルム10を構成した。
に説明する。 (実験例 1〜5)図1に示すように、基材フィルム1
として、厚み20μmの二軸延伸ポリプロピレンフィル
ムの処理面に下記の条件で酸素ガス濃度を変化させて、
CVD法によって厚み120Åの表1に示すSiOx か
らなる活性遮断層2を形成した。 ・反応混合ガス (単位:slm)ヘキサメチルジシロ
キサン:酸素ガス:ヘリウムガス=1:10:10 ・真空チャンバー内の真空度:5×10-6mbar ・蒸着チャンバー内の真空度:6×10-2mbar ・冷却ドラムの供給電力 :20KW 蒸着直後の活性遮断層を出力10KW、処理速度100
m/minの条件下でコロナ放電処理を施し、活性遮断
層の表面張力を35dより62dynに向上した。上記
の活性遮断層2に酸化チタン微粒子(結晶粒子径27n
m)を20重量部、シリカゾル(150℃乾燥後の比表
面積180m2 /g)を20重量部とテトラエトキシシ
ランを60重量部とからなる光触媒塗工液をグラビアコ
ートで厚み1g/m2 塗工し、光触媒層3を設け実験例
1〜5の光触媒フィルム10を構成した。
【0020】
【表1】
【0021】基材フィルムとして、厚み20μmの二軸
延伸フポリプロピレンフィルムの処理面に、実験例と同
様の酸化チタン微粒子からなる光触媒塗工液を用いて、
グラビアコート法で1g/m2 塗工して光触媒層3を設
け比較例の光触媒フィルムを構成した。
延伸フポリプロピレンフィルムの処理面に、実験例と同
様の酸化チタン微粒子からなる光触媒塗工液を用いて、
グラビアコート法で1g/m2 塗工して光触媒層3を設
け比較例の光触媒フィルムを構成した。
【0022】上記の実験例、及び比較例の光触媒フィル
ムを下記の方法で評価・比較を行った結果を表2に示
す。 ・全光線透過率 基材フイルムを基準として、各光触媒フィルムを、55
0nmの全光線透過率(%)を自記分光光度計を用いて
測定した。 ・耐候試験 光触媒フィルムの触媒層側に、JIS K5400に規
定された、サンシャインカーボンアークウェザーメータ
ーを用いて、500時間の照射後の基材フィルムの劣化
程度(抗張力Kg/mm2 及び延び%)を照射前のもの
と比較する。また、光触媒層の接着強度の変化をJIS
K5400に準拠し、塗膜面に縦横各11本の切込み
を入れ、縦横各10列の碁盤目をセロハン粘着テープ
〔セロテープ LD18 ニチバン(株)製 商品名〕
を貼着した後、180度方向の剥離テストを行い、その
剥離数(n/100)のnを計数する。 ・抗菌性試験(参考) 100mm×100mmに断裁した試料を125℃10
分間に相当する滅菌処理をした光触媒フィルムの光触媒
層の面に大腸菌を105個/mlの溶液を0.2ml滴
下する。そして、30℃に保ち、インキュベーターに設
けた螢光灯(15W×2本)を5時間照射する。所定の
照射後に試料を取り出し、滅菌生理食塩水を浸した滅菌
ガーゼで菌液を拭き取り、ガーゼを10mlの滅菌生理
食塩水に入れ攪拌した。この上澄み液を寒天培地に植え
つけ、36℃24時間培養後通常のコロニー数を計数し
た。
ムを下記の方法で評価・比較を行った結果を表2に示
す。 ・全光線透過率 基材フイルムを基準として、各光触媒フィルムを、55
0nmの全光線透過率(%)を自記分光光度計を用いて
測定した。 ・耐候試験 光触媒フィルムの触媒層側に、JIS K5400に規
定された、サンシャインカーボンアークウェザーメータ
ーを用いて、500時間の照射後の基材フィルムの劣化
程度(抗張力Kg/mm2 及び延び%)を照射前のもの
と比較する。また、光触媒層の接着強度の変化をJIS
K5400に準拠し、塗膜面に縦横各11本の切込み
を入れ、縦横各10列の碁盤目をセロハン粘着テープ
〔セロテープ LD18 ニチバン(株)製 商品名〕
を貼着した後、180度方向の剥離テストを行い、その
剥離数(n/100)のnを計数する。 ・抗菌性試験(参考) 100mm×100mmに断裁した試料を125℃10
分間に相当する滅菌処理をした光触媒フィルムの光触媒
層の面に大腸菌を105個/mlの溶液を0.2ml滴
下する。そして、30℃に保ち、インキュベーターに設
けた螢光灯(15W×2本)を5時間照射する。所定の
照射後に試料を取り出し、滅菌生理食塩水を浸した滅菌
ガーゼで菌液を拭き取り、ガーゼを10mlの滅菌生理
食塩水に入れ攪拌した。この上澄み液を寒天培地に植え
つけ、36℃24時間培養後通常のコロニー数を計数し
た。
【0023】
【表2】
【0024】
【発明の効果】本発明の光触媒フィルムは基材フイルム
に炭素、酸素及び水素の1種又は2種以上の化合物含む
SiOx からなる活性遮断層を設けて形成されたもので
ある。そして、蒸着層がもつ活性遮断作用によって、活
性のある光触媒と基材フィルムとが接することがない。
したがって、上記の試験にも十分に耐える耐久性に優れ
た効果を奏する光触媒フィルムである。そして、不特定
多数の人が接する器具などで、透明な光触媒フィルムを
要求される窓ガラスや、計器盤、家電製品、医療設備、
OA機器、各種包装材料、表面の汚染を嫌う園芸用フィ
ルムなどに使用することができる。
に炭素、酸素及び水素の1種又は2種以上の化合物含む
SiOx からなる活性遮断層を設けて形成されたもので
ある。そして、蒸着層がもつ活性遮断作用によって、活
性のある光触媒と基材フィルムとが接することがない。
したがって、上記の試験にも十分に耐える耐久性に優れ
た効果を奏する光触媒フィルムである。そして、不特定
多数の人が接する器具などで、透明な光触媒フィルムを
要求される窓ガラスや、計器盤、家電製品、医療設備、
OA機器、各種包装材料、表面の汚染を嫌う園芸用フィ
ルムなどに使用することができる。
【図1】本発明の光触媒フィルムの基本的構成を示す断
面概略図である。
面概略図である。
【図2】本発明の光触媒フィルムの他の構成を示す断面
概略図である。
概略図である。
1 基材フイルム 2 活性遮断層 3 光触媒層 4 プライマー層 10 光触媒フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C23C 28/04 C23C 28/04 Fターム(参考) 4F100 AA07C AA20A AA20B AA21B AH02B AH06B AR00A AT00C BA03 BA06 BA10B BA10C EH66A EJ38C EJ55A EJ61A GB01 GB08 GB15 GB48 GB66 JA20A JL08B JM01B YY00A 4G069 AA03 AA08 AA09 AA12 BA02B BA32C BA37 BA48A BB04A BB04B BC50A BC50B BD01B BD02A BD02B BD04B BD05B BE06B BE32B CA01 DA06 EA08 EB16X ED10 EE01 EE10 FA02 FA03 FA06 FB03 FB23 FC04 FC06 FC08 4K030 AA06 AA09 AA14 BA24 BA27 BA29 BA44 CA07 CA12 DA08 FA01 HA03 JA01 LA11 4K044 AA16 AB02 BA12 BA14 BB03 BC02 CA14 CA22
Claims (5)
- 【請求項1】 基材フイルム、厚みが100〜400Å
の蒸着層からなる活性遮断層及び光活性による分解性を
もつ酸化チタンの光触媒層からなる光触媒フィルムであ
って、該活性遮断層がケイ素酸化物、及び炭素、水素と
ケイ素、酸素のなかの2種以上の元素からなる化合物を
連続して含むことを特徴とする光触媒フィルム。 - 【請求項2】 前記活性遮断層の炭素元素の含有量が深
さ方向に減少したものであることを特徴とする請求項1
に記載の光触媒フィルム。 - 【請求項3】 前記ケイ素酸化物(SiOx )のxが
1.3乃至1.6であることを特徴とする請求項1乃至
2に記載の光触媒フィルム。 - 【請求項4】 基材フイルム、厚みが100〜400Å
の蒸着層からなる活性遮断層及び光活性による分解性を
もつ酸化チタンの光触媒層からなる光触媒フィルムであ
って、該活性遮断層がケイ素酸化物及び炭素、水素、酸
素とケイ素のなかの2種以上の元素からなる化合物を連
続して含む化合物を、プロセスガスの酸素ガス量を有機
ケイ素化合物の少なくとも2倍に設定したプラズマ化学
蒸着法で形成することを特徴とする光触媒フィルムの製
造方法。 - 【請求項5】 前記活性遮断層の炭素含有量の深さ方向
への減少をプラズマ化学蒸着法で形成することを特徴と
する光触媒フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10204764A JP2000033271A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 光触媒フィルム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10204764A JP2000033271A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 光触媒フィルム及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000033271A true JP2000033271A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=16495968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10204764A Pending JP2000033271A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 光触媒フィルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000033271A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002248355A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-03 | Ulvac Japan Ltd | 光触媒装置 |
JP2014132111A (ja) * | 2004-05-14 | 2014-07-17 | Dow Corning Ireland Ltd | コーティング組成物 |
-
1998
- 1998-07-21 JP JP10204764A patent/JP2000033271A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002248355A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-03 | Ulvac Japan Ltd | 光触媒装置 |
JP4590118B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2010-12-01 | 株式会社アルバック | 光触媒装置 |
JP2014132111A (ja) * | 2004-05-14 | 2014-07-17 | Dow Corning Ireland Ltd | コーティング組成物 |
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