JP2000030991A

JP2000030991A - ウェハｉｄ読み取り方法および装置

Info

Publication number: JP2000030991A
Application number: JP10196907A
Authority: JP
Inventors: Haruo Nagai; 晴夫長井; Hiroshi Moriguchi; 博司森口; Kazuhiro Yamatani; 和弘山谷; Seigo Nakamura; 清吾中村
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1998-07-13
Filing date: 1998-07-13
Publication date: 2000-01-28

Abstract

(57)【要約】【課題】ウェハＩＤ読み取り装置において小形・高速
・低価格でかつ高機能を実現する。【解決手段】複数の半導体ウェハ１を収容可能なウェ
ハカセット２と、半導体ウェハ１に対してウェハ検出用
照明光３ａを照射するウェハ検出用光源３と、ウェハカ
セット２内の半導体ウェハ１を撮像するウェハ撮像部４
と、ウェハカセット２から半導体ウェハ１を取り出し、
かつこの半導体ウェハ１を位置決めして支持するロボッ
ト本体５と、半導体ウェハ１のウェハＩＤを撮像するウ
ェハＩＤ撮像部７と、前記ウェハＩＤに複数の方向から
複数の照射角度でＩＤ検出用照明光を照射可能な複数の
ＩＤ検出用光源６と、ウェハカセット２内の半導体ウェ
ハ１の状態とウェハＩＤ撮像部７が撮像した前記ウェハ
ＩＤとを画像処理によって認識するとともに、複数のＩ
Ｄ検出用光源６を個々に制御する認識制御部９とからな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、半導体ウェハに形成されたウェハＩＤの認
識に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】半導体製造工程においては、半導体ウェハ
の表面に、ウェハＩＤ（Identification）と呼ばれるマ
ーク（文字列）を印字している。

【０００４】このウェハＩＤは、半導体ウェハの品名、
ロットＮｏ．またはウェハＮｏ．などを表すものである
が、印字後に様々なウェハ製造工程を経るため、半導体
ウェハの表面状態が変化してウェハＩＤの安定した自動
認識が困難な状況にある。

【０００５】特に、半導体ウェハの表面平坦化処理を行
うＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing)技術の進展
に伴い、ウェハＩＤが低コントラストとなり、自動認識
の困難さが増える傾向にある。

【０００６】また、半導体ウェハの大口径化（例えば、
φ３００製品）や高集積化が進む中で半導体ウェハの価
格が上昇するとともに、製造工程での枚葉管理が必須と
なり、高性能でかつウェハ製造工程間での共通使用条件
の設定を行えるウェハＩＤの自動認識（読み取り）装置
が望まれている。

【０００７】なお、物品（例えば、半導体ウェハ）に付
された識別コード（ウェハＩＤ）を認識する技術につい
ては、例えば、特開平９−６９４７６号公報に開示され
ている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術におけるウェハＩＤ認識（読み取り）装置は、半導体
ウェハを検出するウェハサーチ機構と、半導体ウェハの
位置決めを行うアライナ（位置決め機構）とを備えてい
るため、半導体ウェハの大口径化に比例して使用する床
面積や装置購入への投資が増えることが問題とされる。

【０００９】さらに、ウェハＩＤのＩＤ情報と形成され
た膜との重なりなどにより、ウェハ製造工程特有のＩＤ
認識率低下要因が発生し、これに対しての有効な手段が
無いことが問題とされる。

【００１０】また、半導体ウェハを収容する前面開閉式
カセットであるＦＯＵＰ（Front Open Unified Pod) の
φ３００ウェハ対応のものに関して、高速処理が行える
ウェハサーチ方式が無いことが問題とされる。

【００１１】本発明の目的は、小形・高速・低価格でか
つ高機能を実現するウェハＩＤ読み取り方法および装置
を提供することにある。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１４】すなわち、本発明によるウェハＩＤ読み取
り方法は、複数のＩＤ検出用光源から照射条件を個々に
制御して、半導体ウェハに形成されたウェハＩＤを含む
撮像対象部位にＩＤ検出用照明光を照射する工程と、前
記半導体ウェハの前記ウェハＩＤをウェハＩＤ撮像部に
よって撮像する工程と、前記ウェハＩＤ撮像部が撮像し
た前記ウェハＩＤを画像処理によって認識する工程とを
有し、複数の前記ＩＤ検出用照明光を前記撮像対象部位
に照射する際に、前記ＩＤ検出用照明光の照射条件を個
々に制御して複数の方向から複数の照射角度で前記ＩＤ
検出用照明光を照射し得るものである。

【００１５】また、本発明によるウェハＩＤ読み取り装
置は、複数の半導体ウェハを収容可能なウェハ収容部
と、前記ウェハ収容部に収容された前記半導体ウェハに
対してウェハ検出用照明光を照射するウェハ検出用光源
と、前記ウェハ収容部に収容された前記半導体ウェハを
撮像するウェハ撮像部と、前記ウェハ収容部に収容され
た前記半導体ウェハを取り出し、かつ取り出した前記半
導体ウェハを位置決めして支持するウェハ支持部と、前
記ウェハ支持部によって支持された前記半導体ウェハの
ウェハＩＤを含む撮像対象部位を撮像するウェハＩＤ撮
像部と、前記半導体ウェハの前記撮像対象部位に複数の
方向から複数の照射角度でＩＤ検出用照明光を照射可能
な複数のＩＤ検出用光源と、前記ウェハ撮像部が撮像し
たウェハ検出情報に基づいた前記ウェハ収容部内の前記
半導体ウェハの状態と前記ウェハＩＤ撮像部が撮像した
前記ウェハＩＤとを画像処理によって認識するととも
に、複数の前記ＩＤ検出用光源を個々に制御する認識制
御部とを有するものである。

【００１６】これにより、画像処理に適した画像を取り
込むことができる。

【００１７】したがって、画像処理を行った際に半導体
ウェハの検出を高精度に行うことができるとともに、ロ
ボットハンドによるウェハ支持部を備えることにより、
ウェハＩＤ読み取り装置において、ウェハサーチ専用装
置とアライナ（位置決め専用装置）とを不要にすること
ができる。

【００１８】これにより、ウェハＩＤ読み取り装置の小
形化を図ることができ、その結果、使用するスペースを
低減できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２０】図１は本発明によるウェハＩＤ読み取り装
置の基本構造の実施の形態の一例を示す構成概略図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、図２は本発明の
ウェハＩＤ読み取り装置の一例であるウェハソータの構
造を示す構成概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
側面図であり、図３は図２に示すウェハソータに設けら
れたウェハＩＤ撮像部の構造の一例を示す拡大側面図、
図４は図３に示すウェハＩＤ撮像部に設置されたＩＤ検
出用照明光である高角度照明の構造の一例を示す正面
図、図５は図３に示すウェハＩＤ撮像部に設置されたＩ
Ｄ検出用照明光である低角度照明の構造の一例を示す底
面図、図６は図５に示す低角度照明のＡ矢視図、図７は
図５に示す低角度照明のＢ矢視図、図８は図２に示すウ
ェハソータによってウェハサーチを行った際の画像の一
例を示す図であり、（ａ）は撮像画像図、（ｂ）は画像
データ、図９（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は図８に示す画
像データの種類の一例を示す画像データ図、図１０
（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明のウェハＩＤ読み取り装置
によるＩＤ検出用照明光の照射方法の一例を示す照射概
念図、図１１（ａ) は図１０に示す照射方法によってＩ
Ｄ検出用照明光を照射した際の撮像対象部位の状態の一
例を示す概念図であり、（ｂ）は比較例の照射方法によ
ってＩＤ検出用照明光を照射した際の撮像対象部位を示
す概念図、図１２（ａ) は本発明のウェハＩＤ読み取り
装置によってＩＤ検出用照明光を照射した際の撮像対象
部位の状態の一例を示す照射概念図であり、（ｂ）は部
分的照度補正用の照射方法の一例を示す概念図であり、
（ｃ）は（ｂ）の照射によって得られる撮像対象部位の
状態を示す照射概念図である。

【００２１】本実施の形態のウェハＩＤ読み取り装置
は、図１に示すウェハカセット２（ウェハ収容部）に収
容された半導体ウェハ１をこのウェハカセット２内から
取り出し、図１０に示す半導体ウェハ１の主面１ａに印
字されて形成されたウェハＩＤ１ｂを認識する（読み取
る）ものである。

【００２２】まず、図１〜図９を用いて、図１に示す前
記ウェハＩＤ読み取り装置の基本構成について説明する
と、複数（例えば、２５枚程度）の半導体ウェハ１を収
容可能なウェハ収容部であるウェハカセット２と、ウェ
ハカセット２に収容された半導体ウェハ１に対してウェ
ハ検出用照明光３ａを照射するウェハ検出用光源３と、
ウェハカセット２に収容された半導体ウェハ１を撮像す
るウェハ撮像部４と、ウェハカセット２に収容された半
導体ウェハ１を取り出し、かつ取り出した半導体ウェハ
１を位置決めして支持するロボット本体５（ウェハ支持
部）と、ロボット本体５によって支持された半導体ウェ
ハ１のウェハＩＤ１ｂを含む撮像対象部位１ｃを撮像す
るウェハＩＤ撮像部７と、半導体ウェハ１の撮像対象部
位１ｃに複数の方向から複数の照射角度でＩＤ検出用照
明光６ａを照射可能な複数のＩＤ検出用光源６と、ウェ
ハ撮像部４が撮像した画像データ８ａ（ウェハ検出情
報）に基づいたウェハカセット２内の半導体ウェハ１の
状態とウェハＩＤ撮像部７が撮像したウェハＩＤ１ｂと
を画像処理によって認識するとともに、複数のＩＤ検出
用光源６を個々に制御する認識制御部９とからなる。

【００２３】すなわち、本実施の形態のウェハＩＤ読み
取り装置は、ウェハカセット２内に収容された半導体ウ
ェハ１の状態を検出し、その後、ロボット本体５の動作
により所望の半導体ウェハ１を取り出して半導体ウェハ
１のウェハＩＤ１ｂを認識した後、再び、ウェハカセッ
ト２にこの半導体ウェハ１を戻すものである。

【００２４】なお、ウェハＩＤ１ｂの認識を行う際、半
導体ウェハ１の主面１ａ（表面）の状況に合わせた最適
な照明条件によってＩＤ検出用照明光６ａを照射して、
ウェハＩＤ１ｂの認識率を高める機能を有している。

【００２５】その際、個々のＩＤ検出用照明光６ａの照
射、非照射を選択する制御を認識制御部９によって行
い、これにより、選択された複数のＩＤ検出用光源６を
用いて、複数の照射角度で複数の方向からＩＤ検出用照
明光６ａをウェハＩＤ１ｂに照射する。

【００２６】また、前記ウェハＩＤ読み取り装置におい
て、動作機構を有する部材は、ロボット本体５だけであ
る。

【００２７】さらに、ウェハ支持部であるロボット本体
５は、半導体ウェハ１を支持可能なロボットハンド５ａ
を有し、かつこのロボットハンド５ａをＺ方向（高さ方
向）に動作させることが可能な構造となっており、図１
（ｂ）に示すように、ロボットハンド５ａを上下動させ
ることにより、半導体ウェハ１のウェハカセット２から
の取り出しと収容とを行うことができ、さらに、このロ
ボットハンド５ａには、半導体ウェハ１の位置決め機構
が設けられており、この位置決め機構によってウェハＩ
Ｄ読み取り時の半導体ウェハ１の位置決めを行う。

【００２８】また、ウェハカセット２には、図示しない
棚がほぼ均等の間隔で設置されており、その棚の数だけ
半導体ウェハ１を収容することができる。

【００２９】なお、本実施の形態において説明するウェ
ハカセット２は、オープンカセット（常時、ある一面が
開口したウェハ収容カセット）であるが、ＦＯＵＰであ
ってもよい。

【００３０】また、ウェハ検出用光源３は、ウェハカセ
ット２内に収容された全ての半導体ウェハ１の側面にウ
ェハ検出用照明光３ａを照射するものである。

【００３１】さらに、ウェハ撮像部４には、ＴＶ（Tele
vision）カメラとこれに接合された所定のレンズとが設
置され、図８（ａ）に示すように、ウェハカセット２内
に収容された全ての半導体ウェハ１のウェハ検出用照明
光３ａが照射された箇所を撮像するものである。

【００３２】したがって、ウェハ撮像部４によって撮像
されたウェハ検出情報である画像データ８ａに基づいて
認識制御部９において、ウェハカセット２内の半導体ウ
ェハ１の１枚１枚の状態を認識できる。

【００３３】これにより、この認識結果に基づいて、認
識制御部９によりロボット本体５のロボットハンド５ａ
を制御して、所望の半導体ウェハ１を保持するととも
に、半導体ウェハ１のウェハカセット２からの取り出し
や再収容などの所定の処理を行う。

【００３４】さらに、ウェハＩＤ１ｂの認識を行う際に
は、認識制御部９によってロボットハンド５ａを制御し
て、半導体ウェハ１をウェハカセット２から取り出し、
このロボットハンド５ａ上で位置決めを行う。

【００３５】また、ウェハＩＤ撮像部７には、半導体ウ
ェハ１のウェハＩＤ１ｂを含む撮像対象部位１ｃを撮像
するＩＤ撮像ＴＶカメラ７ｄ（図３参照）と、これに接
合されたマウントレンズ７ｅ（図３参照）と、複数のＩ
Ｄ検出用光源６とが設置されており、ロボットハンド５
ａによって支持された半導体ウェハ１のウェハＩＤ１ｂ
に対して、複数のＩＤ検出用光源６から複数のＩＤ検出
用照明光６ａを照射し、前記ＩＤ撮像ＴＶカメラ７ｄに
より、撮像対象部位１ｃの画像を取り込むものである。

【００３６】なお、撮像対象部位１ｃに対してＩＤ検出
用照明光６ａを照射する際、半導体ウェハ１の主面１ａ
の状況に合わせてウェハＩＤ１ｂとその背景とを鮮明に
区別するための最適な照明条件を探し出し、この照明条
件に基づいて複数のＩＤ検出用照明光６ａを照射する。

【００３７】また、認識制御部９は、ウェハ撮像部４が
取り込んだウェハカセット２内の半導体ウェハ１の画像
に基づいて、ウェハカセット２内の所望の半導体ウェハ
１の状態を検出し、さらに、この検出結果に基づいてロ
ボットハンド５ａの動作を制御し、また、ＩＤ検出用照
明光６ａを照射する際、半導体ウェハ１の主面１ａの状
況に合わせてウェハＩＤ１ｂとその背景とを鮮明に区別
するための最適な照明条件に基づいて個々のＩＤ検出用
照明光６ａを制御して照射する。

【００３８】さらに、認識制御部９は、ウェハＩＤ撮像
部７が取り込んだ半導体ウェハ１のウェハＩＤ１ｂの情
報に基づいてウェハＩＤ１ｂを認識するものである。

【００３９】なお、本実施の形態の認識制御部９は、こ
れらの制御および認識を全て行うものであるが、ウェハ
カセット２内の半導体ウェハ１の状態を検出する認識部
と、ロボットハンド５ａの動作制御部と、最適な照明条
件に基づいて個々のＩＤ検出用照明光６ａの照射を制御
する照射制御部と、ウェハＩＤ１ｂを認識するＩＤ認識
部とがそれぞれ個別に設けられていてもよく、また、何
れかの組み合わせで設けられていてもよい。

【００４０】次に、本実施の形態のウェハＩＤ読み取り
装置の一例であるウェハソータ１０（図２参照）の構造
について説明する。

【００４１】ここで、ウェハソータ１０は、図１に示す
ウェハＩＤ読み取り装置を応用したものであり、その構
造は、図１のものとほぼ同様である。

【００４２】つまり、ウェハソータ１０は、２つのウェ
ハ収容部である第１ウェハカセット２ａおよび第２ウェ
ハカセット２ｂと、ロボットハンド５ａを備えたロボッ
ト本体５と、ウェハ検出用光源３と、ウェハ撮像部４
と、ＩＤ検出用光源６と、ＩＤ検出用光源６が設けられ
たウェハＩＤ撮像部７と、制御かつ認識を行う認識制御
部９とから構成され、図４〜図７に示す個々のＩＤ検出
用照明光６ａの照射、非照射を選択する制御を認識制御
部９によって行い、これにより、選択された複数のＩＤ
検出用光源６を用いて、複数の照射角度で複数の方向か
らＩＤ検出用照明光６ａをウェハＩＤ１ｂに照射するも
のである。

【００４３】ただし、状況に応じて図４に示す同軸照明
７ａだけを用いたり、複数のＩＤ検出用照明光６ａをあ
る一方向からある１つの照射角度で照射してもよい。

【００４４】ここで、ウェハソータ１０の図１に示すウ
ェハＩＤ読み取り装置との大きな相違点は、ウェハ収容
部（第１ウェハカセット２ａと第２ウェハカセット２
ｂ）を２つ有していることであり、ウェハソータ１０で
は、第１ウェハカセット２ａと第２ウェハカセット２ｂ
との間にロボット本体５が設置されている。

【００４５】これにより、ロボットハンド５ａによって
支持した半導体ウェハ１を双方のウェハ収容部に対して
移載するものである。

【００４６】すなわち、ロボットハンド５ａによって半
導体ウェハ１を第１ウェハカセット２ａから第２ウェハ
カセット２ｂに、また、その反対に、第２ウェハカセッ
ト２ｂから第１ウェハカセット２ａに移載することがで
きる。

【００４７】その結果、第１ウェハカセット２ａまたは
第２ウェハカセット２ｂにおいて、半導体ウェハ１の並
べ替えを行うことも可能である。

【００４８】これらにより、図２に示すウェハソータ１
０では、半導体ウェハ１のサーチ（検出）、取り出し、
位置決め、ウェハＩＤ認識、収容および並べ替えを行う
ことができる。

【００４９】なお、図２（ａ）に示すウェハ検出用光源
３は、例えば、ウェハカセット２内の半導体ウェハ１の
配列に合わせて設けられた複数のＬＥＤ（Light Emitti
ng Diode) 照明であり、その場合、超高輝度なものであ
る。

【００５０】ここで、本実施の形態のウェハＩＤ読み取
り装置の一例であるウェハソータ１０のウェハＩＤ撮像
部７の構造についてその詳細を説明する。

【００５１】まず、ウェハソータ１０の図３に示すウェ
ハＩＤ撮像部７には、ウェハＩＤ１ｂを含む撮像対象部
位１ｃを撮像するＩＤ撮像ＴＶカメラ７ｄと、撮像対象
部位１ｃにＩＤ検出用照明光６ａを照射する３つの照明
ユニットである同軸照明７ａ、高角度照明７ｂおよび低
角度照明７ｃとが設けられている。

【００５２】なお、本実施の形態では、ＩＤ検出用照明
光６ａを照射する複数のＩＤ検出用光源６がＬＥＤ照明
の場合について説明する。

【００５３】ここで、同軸照明７ａは、ＩＤ撮像ＴＶカ
メラ７ｄの撮像軸とその光軸とが一致しているものであ
り、例えば、ハロゲンランプなどである。

【００５４】したがって、この同軸照明７ａによる照射
光は、半導体ウェハ１の撮像対象部位１ｃに対してほぼ
垂直に照射される。

【００５５】また、高角度照明７ｂは、図４に示すよう
に複数のＩＤ検出用光源６からなり、このＩＤ検出用光
源６から発するＩＤ検出用照明光６ａを半導体ウェハ１
の主面１ａに対してその垂線から多少（数°程度）傾斜
した角度（半導体ウェハ１の主面１ａに対しては９０°
に近い比較的大きな角度）で照射するものである。

【００５６】つまり、高角度照明７ｂにおけるそれぞれ
のＩＤ検出用光源６は、同軸照明７ａの照射光の光軸に
対して僅かに傾斜してＩＤ検出用照明光６ａを照射可能
なように同軸照明７ａに対して僅かに傾斜して設置され
ている。

【００５７】一方、低角度照明７ｃも、図５〜図７に示
すように複数のＩＤ検出用光源６からなり、ＩＤ検出用
照明光６ａを半導体ウェハ１の主面１ａに対して比較的
小さな照射角度で照射するものである。

【００５８】したがって、高角度照明７ｂおよび低角度
照明７ｃの両者とも、斜方照明を行うことができるもの
である。

【００５９】なお、高角度照明７ｂおよび低角度照明７
ｃにおける複数のＩＤ検出用光源６は、本実施の形態で
はＬＥＤである。

【００６０】すなわち、高角度照明７ｂにおいては、図
４に示すように、複数のＩＤ検出用光源６であるＬＥＤ
が、その中心に同軸照明７ａを配置した状態で、この同
軸照明７ａの周りに円周状および格子状に複数個配置さ
れている。

【００６１】また、低角度照明７ｃにおいては、図５〜
図７に示すように、複数のＩＤ検出用光源６であるＬＥ
Ｄが、四角形の４辺上にそれぞれ直線配置されており、
それぞれが所定の傾斜角度（図６、図７に示すθ₁〜θ
₅であり、θ₁〜θ₅はそれぞれ異なった任意の角度）
で取り付けられている。

【００６２】すなわち、本実施の形態のウェハソータ１
０では、高角度照明７ｂおよび低角度照明７ｃに取り付
けられた複数のＩＤ検出用光源６であるＬＥＤが、ウェ
ハＩＤ撮像部７に複数種類の異なった角度で取り付けら
れており、これにより、半導体ウェハ１の主面１ａの状
態に応じて認識制御部９により、使用するＩＤ検出用光
源６を選択し、この選択されたＩＤ検出用照明光６ａを
照射することにより、複数の選択的な傾斜角度で、かつ
複数の方向（例えば、周囲３６０°のうちの種々の方
向）からウェハＩＤ１ｂを含む撮像対象部位１ｃに対し
て選択されたＩＤ検出用照明光６ａを照射することがで
きる。

【００６３】また、本実施の形態のウェハソータ１０で
は、低角度照明７ｃおよび高角度照明７ｂにおいて、２
種類の波長のＩＤ検出用光源６であるＬＥＤが取り付け
られている。

【００６４】例えば、図４、図５および図７において
は、黒色図示したＩＤ検出用光源６であるＬＥＤが、赤
色の光を放つ所定の波長の光源であり、白色図示したＩ
Ｄ検出用光源６であるＬＥＤが、黄色の光を放つ他の波
長の光源である。

【００６５】これにより、ウェハソータ１０は、ウェハ
ＩＤ撮像部７から照射するＩＤ検出用照明光６ａの波長
を、何れのＩＤ検出用照明光６ａを選択するかによって
認識制御部９により自動で切り換えることができ、その
結果、半導体ウェハ１の膜厚の変化に対応させてＩＤ検
出用照明光６ａの波長を切り換えられる。

【００６６】次に、本実施の形態のウェハＩＤ読み取り
方法について説明する。

【００６７】なお、本実施の形態では、図２に示すウェ
ハソータ１０の動作の一例として、第１ウェハカセット
２ａに収容された複数（例えば、２５枚）の半導体ウェ
ハ１をロボットハンド５ａによって１枚ずつ取り出し、
それぞれのウェハＩＤ１ｂを認識した（読み取った）
後、第２ウェハカセット２ｂに収容する場合について説
明する。

【００６８】まず、ウェハソータ１０の動作としてウェ
ハサーチを行う。

【００６９】すなわち、図２（ａ）に示すように、ＬＥ
Ｄ照明であるウェハ検出用光源３から第１ウェハカセッ
ト２ａ内に収容された全ての半導体ウェハ１の側面に対
してウェハ検出用照明光３ａを照射する。

【００７０】続いて、第１ウェハカセット２ａ内の全て
の半導体ウェハ１のウェハ検出用照明光３ａが照射され
た箇所をウェハ撮像部４に設置されたＴＶカメラによっ
て撮像し、これにより、図８（ａ）に示す撮像画像８を
取り込む。

【００７１】さらに、この撮像画像８から図８（ｂ）に
示すウェハ検出情報である画像データ８ａを取り出し、
この画像データ８ａに基づいて認識制御部９において、
第１ウェハカセット２ａ内の半導体ウェハ１の１枚１枚
の状態を認識する。

【００７２】この時、図９に示すように、半導体ウェハ
１の収容状態に異常がある時には、この異常を直ぐに認
識することができる。

【００７３】ここで、図９（ａ）は、第１ウェハカセッ
ト２ａの１つの棚において、半導体ウェハ１が欠落して
いる状態（「無し」）を画像データ８ａによって認識し
たものである。また、図９（ｂ）は、搬入カセットの間
違いなどにより、各棚の高さが異なって各半導体ウェハ
１の高さがずれている状態（「高さズレ」）を認識した
ものである。この場合には、この認識結果に基づいてロ
ボットハンド５ａの動作位置を変えることができる。

【００７４】さらに、図９（ｃ）は、異なった高さの棚
に跨がって半導体ウェハ１が収容された状態（「クロ
ス」）を認識したものである。また、図９（ｄ）は、１
つの棚において、２枚の半導体ウェハ１が重複して載置
された状態（「重なり」）を認識したものである。

【００７５】これらの前記認識結果に基づいて、ロボッ
トハンド５ａの動作にフィードバックをかけることがで
き、その結果、前記した種々の異常に直ぐに対応でき
る。

【００７６】続いて、ウェハソータ１０の動作のウェハ
取り出しを行う。

【００７７】つまり、画像データ８ａに基づいて、認識
制御部９によりロボット本体５のロボットハンド５ａの
上下・回転などの動作を制御して、所望の半導体ウェハ
１を保持（把持）して第１ウェハカセット２ａから取り
出す。

【００７８】続いて、半導体ウェハ１のウェハＩＤ１ｂ
がウェハＩＤ撮像部７の真下に配置されるようにロボッ
トハンド５ａ上で半導体ウェハ１を位置決めする。

【００７９】その後、ウェハソータ１０の動作のウェハ
ＩＤ１ｂの認識を行う。

【００８０】なお、ウェハＩＤ１ｂの認識を行う際に
は、まず、同軸照明７ａと高角度照明７ｂと低角度照明
７ｃとにおける複数のＩＤ検出用光源６から照射条件を
個々に制御して、半導体ウェハ１に形成されたウェハＩ
Ｄ１ｂを含む撮像対象部位１ｃにＩＤ検出用照明光６ａ
を照射する。

【００８１】すなわち、半導体ウェハ１の主面１ａの撮
像対象部位１ｃの状態に応じて照射するＩＤ検出用光源
６を選択する。例えば、複数のＩＤ検出用光源６のうち
幾つかの光源を選択的に組み合わせることにより、ウェ
ハＩＤ１ｂの部分的な箇所に対して、照射角度などの照
射条件が制御されたＩＤ検出用照明光６ａを照射するこ
とも可能である。

【００８２】その際には、低角度照明７ｃおよび高角度
照明７ｂにおける複数のＩＤ検出用光源６の中から適切
な照射角度のＩＤ検出用光源６を選択し、この選択した
ＩＤ検出用光源６からＩＤ検出用照明光６ａをウェハＩ
Ｄ１ｂまたはその周辺の撮像対象部位１ｃに照射する。

【００８３】なお、その際には、ハロゲンランプなどか
らなる同軸照明７ａも一緒に照射してもよい。

【００８４】さらに、本実施の形態のウェハソータ１０
のウェハＩＤ撮像部７の低角度照明７ｃおよび高角度照
明７ｂには、２種類の波長（赤色光と黄色光）のＩＤ検
出用光源６が設けられているため、認識制御部９により
これらの中から最適な光源を選択し、選択した波長のＩ
Ｄ検出用照明光６ａを所定の傾斜角度でかつ複数の方向
からウェハＩＤ１ｂに照射する。

【００８５】ここで、ウェハ製造工程で生じる生成物の
ウェハＩＤ１ｂへの影響を低減するＩＤ検出用照明光６
ａの照射方法の一例を図１０〜図１２を用いて説明す
る。

【００８６】図１０は、図１１（ｂ）に示すＩＤ撮像画
像１３の周辺露光跡境界線１１を図１１（ａ）に示す周
辺露光跡境界線１１のように薄くまたは消す照射方法を
示したものである。

【００８７】つまり、ウェハＩＤ１ｂの文字ドットは円
形の窪みであるため、方向性が無く、また、周辺露光跡
境界線１１は、方向性を有した１方向の段差である。

【００８８】したがって、認識制御部９によって個々の
ＩＤ検出用照明光６ａの使用・未使用を選択する制御を
行うことにより、図１０（ａ),（ｂ),（ｃ) に示すよう
に、ウェハＩＤ１ｂの横方向、すなわち周辺露光跡境界
線１１に沿った方向から照射角度や波長などが適切な複
数のＩＤ検出用照明光６ａを照射することができ、これ
により、図１１（ａ）に示すＩＤ撮像画像１３のよう
に、周辺露光跡境界線１１を薄くまたは消すことが可能
になる。

【００８９】また、半導体ウェハ１のＣＭＰ処理（平坦
化処理）によってウェハＩＤ１ｂの文字の窪みと直径が
小さくなり、その結果、ウェハＩＤ１ｂとその背景との
コントラストが低くなり、ウェハＩＤ１ｂが認識しにく
い場合がある。

【００９０】このような場合には、ウェハＩＤ撮像部７
の高角度照明７ｂに設けられた同軸照明７ａまたはこれ
に近い照射角度のＩＤ検出用照明光６ａを発するＩＤ検
出用光源６を認識制御部９によって選択し、ウェハＩＤ
１ｂに対してほぼ垂直にＩＤ検出用照明光６ａを照射す
る。

【００９１】また、図１２（ａ）に示すように、ＩＤ撮
像画像１３においてウェハＩＤ１ｂの一部の照度が低く
暗い低照度部１ｄがある場合には、図１２（ｂ）に示す
ように、照度分布を補正する照射制御を行う。

【００９２】つまり、暗い低照度部１ｄの照度を上げる
照射制御を認識制御部９によって行う。

【００９３】これは、複数のＩＤ検出用光源６のうち適
切な照射角度のＩＤ検出用照明光６ａを幾つか選択し、
これらを組み合わせることにより、ウェハＩＤ１ｂの部
分的な暗い低照度部１ｄに対して、照射角度などの照射
条件が制御された幾つかのＩＤ検出用照明光６ａを部分
的に照射できる。

【００９４】その結果、図１２（ｂ）に示すように、部
分的に照度を上げて高照度部１ｅが形成されるような照
度分布補正照射を行うことにより、図１２（ｃ）に示す
ようなウェハＩＤ１ｂ全体を鮮明に表したＩＤ撮像画像
１３をウェハＩＤ撮像部７によって撮像できる。

【００９５】これらの制御により、ＩＤ検出用照明光６
ａの照射条件を認識制御部９によって個々に制御して複
数の方向から複数の照射角度でＩＤ検出用照明光６ａを
撮像対象部位１ｃに照射することができる。

【００９６】したがって、半導体ウェハ１の主面１ａに
対して、そのウェハＩＤ１ｂを含む撮像対象部位１ｃに
適切なＩＤ検出用照明光６ａを照射できる。

【００９７】その後、半導体ウェハ１のウェハＩＤ１ｂ
をウェハＩＤ撮像部７のＩＤ撮像ＴＶカメラ７ｄによっ
て撮像する。

【００９８】さらに、ウェハＩＤ撮像部７のＩＤ撮像Ｔ
Ｖカメラ７ｄが撮像したウェハＩＤ１ｂを認識制御部９
で画像処理によって認識する（読み取る）。

【００９９】認識後、ロボットハンド５ａによってこの
半導体ウェハ１を第２ウェハカセット２ｂの所定の棚に
移載してそこに収容する。

【０１００】これらの動作を順次繰り返すことにより、
第１ウェハカセット２ａに収容された半導体ウェハ１の
ウェハＩＤ１ｂを認識（読み取り）し、その後、この半
導体ウェハ１を第２ウェハカセット２ｂの所定の棚に収
容する。

【０１０１】本実施の形態のウェハＩＤ読み取り方法お
よび装置によれば、以下のような作用効果が得られる。

【０１０２】すなわち、複数のＩＤ検出用照明光６ａの
照射条件を認識制御部９によって個々に制御してウェハ
ＩＤ１ｂに対してＩＤ検出用照明光６ａを照射すること
により、画像処理に適した画像を取り込むことができ
る。

【０１０３】したがって、画像処理を行った際に半導体
ウェハ１の検出を高精度に行うことができるとともに、
ロボットハンド５ａによるロボット本体５（ウェハ支持
部）を備えることにより、ウェハソータ１０（ウェハＩ
Ｄ読み取り装置）において、ウェハサーチ専用装置とア
ライナ（位置決め専用装置）とを不要にすることができ
る。

【０１０４】これにより、ウェハソータ１０の小形化を
図ることができ、その結果、使用するスペースを低減で
きる。

【０１０５】したがって、半導体ウェハ１の大口径化
（例えば、直径３００ｍｍなど）が図られても使用する
床面積を少なくすることができ、これにより、スペース
の有効活用を図ることができる。

【０１０６】また、ウェハサーチ専用装置とアライナと
を不要にすることができるため、アライナとのウェハ受
け渡し時間およびウェハサーチ機構動作時間を無くすこ
とができる。

【０１０７】その結果、ウェハＩＤ読み取り工程におけ
る処理時間を短縮して高速化を図ることができる。

【０１０８】また、ウェハサーチ専用装置とアライナと
を不要にすることができるため、ウェハソータ１０の価
格を低減できる。

【０１０９】その結果、ウェハソータ１０への投資を低
減できる。

【０１１０】これらにより、ウェハソータ１０におい
て、半導体ウェハ１のサーチ（検出）、取り出し、位置
決め、ＩＤ認識および収容を１つのロボット機構の動作
によって行えるため、高機能（多機能）化を図るととも
に、小形化・高速化および低価格化を実現できる。

【０１１１】また、複数のＩＤ検出用光源６がウェハＩ
Ｄ撮像部７に複数の異なった角度で取り付けられ、この
複数のＩＤ検出用光源６において照射条件を個々に制御
してＩＤ検出用照明光６ａを照射することにより、撮像
対象部位１ｃに対してその横方向すなわち周辺露光跡境
界線１１にほぼ沿った方向からＩＤ検出用照明光６ａを
照射できるため、周辺露光跡境界線１１の影響を低減ま
たは消去できる。

【０１１２】さらに、縦・横に形成された配線跡などを
低減または消すことができる。

【０１１３】これにより、種々の外乱混入（例えば、周
辺露光跡境界線１１とウェハＩＤ１ｂとの重なりによっ
て起こる横線外乱混入や製品パターン生成の時に生じる
パターンとウェハＩＤ１ｂとの重なりによって起こるパ
ターン外乱混入、もしくはハンドリング跡とウェハＩＤ
１ｂとの重なりによって起こる外乱混入および明るさム
ラなど）の影響を低減または消去できる。

【０１１４】さらに、半導体ウェハ１の製造工程におい
て、薄膜生成の影響によるウェハＩＤ１ｂとその背景と
のコントラストの変化や、ＣＭＰ処理によるウェハＩＤ
１ｂの段差形状変化によって起こるウェハＩＤ１ｂの低
コントラスト現象などについては、認識制御部９によっ
て個々のＩＤ検出用照明光６ａを選択する制御すなわち
適切な照射角度のＩＤ検出用光源６を選択してこれによ
るＩＤ検出用照明光６ａを照射することにより、半導体
ウェハ１の主面１ａの状態に対応させることができる。

【０１１５】また、２種類の波長（本実施の形態では、
赤色光と黄色光）のＩＤ検出用光源６が取り付けられて
いることにより、半導体ウェハ１上の膜厚に応じて異な
った波長のＩＤ検出用照明光６ａを照射できる。

【０１１６】すなわち、照射するＩＤ検出用照明光６ａ
の波長を自動で切り換えることが可能になるため、膜厚
の変化に対応させてＩＤ検出用照明光６ａの波長を切り
換えることができ、その結果、半導体ウェハ１のウェハ
ＩＤ１ｂとその背景とをより鮮明に区別できる。

【０１１７】これにより、半導体ウェハ１の膜厚変化に
係わらず常時ウェハＩＤ１ｂを高精度に読み取ることが
できる。

【０１１８】また、複数のＩＤ検出用光源６のうち幾つ
かの光源を選択的に組み合わせることにより、ウェハＩ
Ｄ１ｂの部分的な箇所に対して照射条件が制御されたＩ
Ｄ検出用照明光６ａを照射することができ、これによ
り、半導体ウェハ１上のウェハＩＤ１ｂにおいてコント
ラストが不均一な箇所に対してスポット照射することが
可能になる。

【０１１９】したがって、ウェハＩＤ１ｂの部分的な箇
所の照度補正（例えば、部分的に暗い箇所を明るくす
る）を行うことが可能になる。

【０１２０】これらにより、複数のＩＤ検出用照明光６
ａの照射制御を個々に行うことにより、ウェハＩＤ１ｂ
を認識する際に、半導体ウェハ１の製造工程において形
成される生成物のウェハＩＤ１ｂへの影響を低減でき
る。

【０１２１】さらに、半導体ウェハ１の製造工程ごとに
異なる環境であっても、安定したウェハＩＤ１ｂの自動
認識が行えるようになり、その結果、５インチサイズの
半導体ウェハ１や直径３００ｍｍの大口径の半導体ウェ
ハ１についてもその枚葉管理も行うことができる。

【０１２２】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【０１２３】例えば、前記実施の形態において説明した
ウェハＩＤ読み取り装置の一例であるウェハソータ１０
（図２参照）は、２つのウェハカセット２である第１ウ
ェハカセット２ａと第２ウェハカセット２ｂとを有する
ものであったが、前記ウェハＩＤ読み取り装置は、ウェ
ハカセット２を少なくとも１つ有していればよく、した
がって、２つ以上の複数個有していてもよい。

【０１２４】ここで、４つのウェハカセット２を有した
ウェハＩＤ読み取り装置の他の実施の形態を図１３に示
す。

【０１２５】つまり、図１３に示す他の実施の形態のウ
ェハＩＤ読み取り装置は、細長いテーブル１２上を移動
自在でかつロボットハンド５ａ（図１参照）を備えたロ
ボット本体５が設置され、かつテーブル１２に沿って４
つのウェハカセット２を配置可能なものであり、その他
の構造は、図１に示すウェハＩＤ読み取り装置と同様の
ものである。

【０１２６】これによれば、省スペース化を図ることが
できるとともに、ロボット本体５をテーブル１２上で移
動させることにより、４つのウェハカセット２に対して
半導体ウェハ１の搬入出を行うことができ、ウェハＩＤ
１ｂの認識とともにウェハカセット２相互における半導
体ウェハ１の入れ換えや並べ替えなどができる。

【０１２７】また、前記実施の形態においては、ロボッ
トハンド５ａに半導体ウェハ１の位置決め機構が設けら
れている場合を説明したが、ロボットハンド５ａにおけ
る半導体ウェハ１の支持は裏面吸着による吸着支持であ
ってもよい。

【０１２８】その際、ロボット本体５の動作との連携で
ウェハＩＤ撮像部７または他の装置の撮像部からの半導
体ウェハ１の位置情報を認識制御部９で検出してウェハ
ＩＤ１ｂの認識を行うウェハＩＤ読み取り装置であって
もよい。

【０１２９】これによれば、ロボット本体５のロボット
ハンド５ａから半導体ウェハ１の位置決め機構を取り除
くことができる。

【０１３０】また、半導体ウェハ１の製造工程に応じた
照射条件を自動設定する上で、ハーフミラーを光路上に
設置しておき、このハーフミラーにより、ＩＤ検出用照
明光６ａの照射角度を変えることも可能である。

【０１３１】さらに、ＩＤ検出用照明光６ａの照射角度
の切り換えは、ＩＤ検出用光源６の設置角度を切り換え
る駆動機構を設置してもよく、または、撮像対象部位１
ｃの配置角度を切り換える駆動機構が撮像側に設置され
ていてもよい。

【０１３２】また、ＩＤ検出用光源６の波長の種類につ
いては、異なった複数種類の波長の光源群の組み合わせ
だけでなく、機能を限定した単一波長（１種類の波長）
の光源を用いてもよい。

【０１３３】なお、本実施の形態のウェハＩＤ読み取り
装置は、ウェハＩＤ１ｂの情報を基にした半導体ウェハ
１の製造条件の自動設定を行うこともでき、さらに、ウ
ェハＩＤ１ｂの情報の送信と製造装置間の情報を共有す
ることも可能である。その際、ウェハＩＤ１ｂの認識機
能を有していない製造装置に適用することも可能であ
る。

【０１３４】また、前記ウェハＩＤ読み取り装置は、前
記実施の形態で説明したウェハソータ１０だけでなく、
ウェハＩＤ１ｂの認識機能が設けられた他の半導体製造
装置であってもよい。

【０１３５】例えば、ウェハ検査装置などのローダ部に
前記ウェハＩＤ読み取り装置を取り付けることにより、
予め設定しておくウェハＩＤ１ｂに対しての関連付け処
理条件によって検査などの処理を行うことができる。

【０１３６】これらにより、前記ウェハＩＤ読み取り装
置を有した各製造工程の半導体製造装置を上位ホストの
コンピュータなどと接続しておけば、所望のウェハカセ
ット２内の半導体ウェハ１の状態すなわちウェハＩＤ１
ｂを何れの製造工程においてもウェハＩＤ情報として共
有できるとともに、各製造工程において容易に前記ウェ
ハＩＤ情報を取り出すことが可能になる。

【０１３７】また、前記実施の形態のウェハＩＤ読み取
り装置においては、ウェハＩＤ１ｂだけでなく、半導体
チップ上に形成されたチップＩＤも同様にして認識する
（読み取る）ことができる。

【０１３８】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【０１３９】（１）．複数のＩＤ検出用照明光の照射条
件を個々に制御してウェハＩＤにＩＤ検出用照明光を照
射することにより、画像処理に適した画像を取り込むこ
とができる。したがって、画像処理を行った際に半導体
ウェハの検出を高精度に行うことができるとともに、ロ
ボットハンドによるウェハ支持部を備えることにより、
ウェハＩＤ読み取り装置において、ウェハサーチ専用装
置とアライナ（位置決め専用装置）とを不要にすること
ができる。これにより、ウェハＩＤ読み取り装置の小形
化を図ることができ、その結果、使用するスペースを低
減できる。

【０１４０】（２）．前記（１）により、半導体ウェハ
の大口径化が図られても使用する床面積を少なくするこ
とができ、これにより、スペースの有効活用を図ること
ができる。また、ウェハサーチ専用装置とアライナとを
不要にすることができるため、アライナとのウェハ受け
渡し時間およびウェハサーチ機構動作時間を無くすこと
ができる。その結果、ウェハＩＤ読み取り工程における
処理時間を短縮して高速化を図ることができる。

【０１４１】（３）．ウェハサーチ専用装置とアライナ
とを不要にすることができるため、ウェハＩＤ読み取り
装置の価格を低減できる。その結果、ウェハＩＤ読み取
り装置への投資を低減できる。

【０１４２】（４）．前記（１）〜（３）により、ウェ
ハＩＤ読み取り装置において、半導体ウェハのサーチ
（検出）、取り出し、位置決め、ＩＤ認識および収容を
１つのロボット機構の動作によって行えるため、高機能
（多機能）化を図るとともに、小形化・高速化および低
価格化を実現できる。

【０１４３】（５）．複数のＩＤ検出用光源のうち幾つ
かの光源を選択的に組み合わせることにより、ウェハＩ
Ｄの部分的な箇所に対して照射条件が制御されたＩＤ検
出用照明光を照射することができ、これにより、半導体
ウェハ上のウェハＩＤにおいてコントラストが不均一な
箇所に対してスポット照射することが可能になる。した
がって、ウェハＩＤの部分的な箇所の照度補正を行うこ
とが可能になる。

【０１４４】（６）．前記（１）〜（５）により、複数
のＩＤ検出用照明光の照射制御を個々に行うことによ
り、ウェハＩＤを認識する際に、半導体ウェハの製造工
程において形成される生成物のウェハＩＤへの影響を低
減できる。さらに、半導体ウェハの製造工程ごとに異な
る環境であっても、安定したウェハＩＤの自動認識が行
えるようになり、その結果、半導体ウェハの枚葉管理も
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ),（ｂ) は本発明によるウェハＩＤ読み取
り装置の基本構造の実施の形態の一例を示す構成概略図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。

【図２】（ａ),（ｂ) は本発明のウェハＩＤ読み取り装
置の一例であるウェハソータの構造を示す構成概略図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。

【図３】図２に示すウェハソータに設けられたウェハＩ
Ｄ撮像部の構造の一例を示す拡大側面図である。

【図４】図３に示すウェハＩＤ撮像部に設置されたＩＤ
検出用照明光である高角度照明の構造の一例を示す正面
図である。

【図５】図３に示すウェハＩＤ撮像部に設置されたＩＤ
検出用照明光である低角度照明の構造の一例を示す底面
図である。

【図６】図５に示す低角度照明のＡ矢視図である。

【図７】図５に示す低角度照明のＢ矢視図である。

【図８】（ａ),（ｂ) は図２に示すウェハソータによっ
てウェハサーチを行った際の画像の一例を示す図であ
り、（ａ）は撮像画像図、（ｂ）は画像データである。

【図９】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は図８に示す画像デ
ータの種類の一例を示す画像データ図である。

【図１０】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明のウェハＩＤ読
み取り装置によるＩＤ検出用照明光の照射方法の一例を
示す照射概念図である。

【図１１】（ａ) は図１０に示す照射方法によってＩＤ
検出用照明光を照射した際の撮像対象部位の状態の一例
を示す概念図であり、（ｂ）は比較例の照射方法によっ
てＩＤ検出用照明光を照射した際の撮像対象部位を示す
概念図である。

【図１２】（ａ) は本発明のウェハＩＤ読み取り装置に
よってＩＤ検出用照明光を照射した際の撮像対象部位の
状態の一例を示す照射概念図であり、（ｂ）は部分的照
度補正用の照射方法の一例を示す概念図であり、（ｃ）
は（ｂ）の照射によって得られる撮像対象部位の状態を
示す照射概念図である。

【図１３】本発明のウェハＩＤ読み取り装置の他の実施
の形態の構造を示す構成概略図である。

【符号の説明】

１半導体ウェハ１ａ主面１ｂウェハＩＤ１ｃ撮像対象部位１ｄ低照度部１ｅ高照度部２ウェハカセット（ウェハ収容部）２ａ第１ウェハカセット（ウェハ収容部）２ｂ第２ウェハカセット（ウェハ収容部）３ウェハ検出用光源３ａウェハ検出用照明光４ウェハ撮像部５ロボット本体（ウェハ支持部）５ａロボットハンド６ＩＤ検出用光源６ａＩＤ検出用照明光７ウェハＩＤ撮像部７ａ同軸照明７ｂ高角度照明７ｃ低角度照明７ｄＩＤ撮像ＴＶカメラ７ｅマウントレンズ８撮像画像８ａ画像データ（ウェハ検出情報）９認識制御部１０ウェハソータ１１周辺露光跡境界線１２テーブル１３ＩＤ撮像画像

フロントページの続き (72)発明者森口博司東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者山谷和弘東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者中村清吾東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のＩＤ検出用光源から照射条件を個
々に制御して、半導体ウェハに形成されたウェハＩＤを
含む撮像対象部位にＩＤ検出用照明光を照射する工程
と、前記半導体ウェハの前記ウェハＩＤをウェハＩＤ撮像部
によって撮像する工程と、前記ウェハＩＤ撮像部が撮像した前記ウェハＩＤを画像
処理によって認識する工程とを有し、複数の前記ＩＤ検出用照明光を前記撮像対象部位に照射
する際に、前記ＩＤ検出用照明光の照射条件を個々に制
御して複数の方向から複数の照射角度で前記ＩＤ検出用
照明光を照射し得ることを特徴とするウェハＩＤ読み取
り方法。
【請求項２】請求項１記載のウェハＩＤ読み取り方法
であって、複数の前記ＩＤ検出用光源のうち幾つかの光
源を選択的に組み合わせることにより、前記ウェハＩＤ
の部分的な箇所に対して、照射条件が制御された前記Ｉ
Ｄ検出用照明光を照射することを特徴とするウェハＩＤ
読み取り方法。
【請求項３】請求項１または２記載のウェハＩＤ読み
取り方法であって、複数種類の波長の前記ＩＤ検出用光
源を用いて、複数種類の波長の前記ＩＤ検出用照明光を
前記ウェハＩＤに照射することを特徴とするウェハＩＤ
読み取り方法。
【請求項４】複数の半導体ウェハを収容可能なウェハ
収容部と、前記ウェハ収容部に収容された前記半導体ウェハに対し
てウェハ検出用照明光を照射するウェハ検出用光源と、前記ウェハ収容部に収容された前記半導体ウェハを撮像
するウェハ撮像部と、前記ウェハ収容部に収容された前記半導体ウェハを取り
出し、かつ取り出した前記半導体ウェハを位置決めして
支持するウェハ支持部と、前記ウェハ支持部によって支持された前記半導体ウェハ
のウェハＩＤを含む撮像対象部位を撮像するウェハＩＤ
撮像部と、前記半導体ウェハの前記撮像対象部位に複数の方向から
複数の照射角度でＩＤ検出用照明光を照射可能な複数の
ＩＤ検出用光源と、前記ウェハ撮像部が撮像したウェハ検出情報に基づいた
前記ウェハ収容部内の前記半導体ウェハの状態と前記ウ
ェハＩＤ撮像部が撮像した前記ウェハＩＤとを画像処理
によって認識するとともに、複数の前記ＩＤ検出用光源
を個々に制御する認識制御部とを有することを特徴とす
るウェハＩＤ読み取り装置。
【請求項５】請求項４記載のウェハＩＤ読み取り装置
であって、複数の前記ＩＤ検出用光源が前記ウェハＩＤ
撮像部に取り付けられていることを特徴とするウェハＩ
Ｄ読み取り装置。
【請求項６】請求項４または５記載のウェハＩＤ読み
取り装置であって、複数の前記ＩＤ検出用光源が前記ウ
ェハＩＤ撮像部に複数の異なった角度で取り付けられて
いることを特徴とするウェハＩＤ読み取り装置。
【請求項７】請求項４，５または６記載のウェハＩＤ
読み取り装置であって、複数種類の波長の前記ＩＤ検出
用光源が取り付けられていることを特徴とするウェハＩ
Ｄ読み取り装置。
【請求項８】請求項４，５，６または７記載のウェハ
ＩＤ読み取り装置であって、前記ウェハ収容部が２つ設
けられるとともに、前記ウェハ支持部が前記半導体ウェ
ハを支持可能なロボットハンドを有し、前記ロボットハ
ンドにより支持された前記半導体ウェハが双方の前記ウ
ェハ収容部間で移載されることを特徴とするウェハＩＤ
読み取り装置。