JP2000028735A - Ｘ線パネルセンサ - Google Patents
Ｘ線パネルセンサInfo
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- optical plate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良質の画像を得ることができるＸ線パネルセ
ンサを提供する。 【解決手段】 このＸ線パネルセンサによれば、枠体２
の内縁にファイバオプティカルプレート３の外縁が接着
されているので、枠体２によりファイバオプティカルプ
レート３が位置決めされるとともに、この部位が接着さ
れることにより、ＭＯＳ型イメージセンサ５とファイバ
オプティカルプレート３との間の気泡混入による受光面
積の縮小化を抑制し、以て受光面積の大型化を達成して
良質な画像を得ることができる。
ンサを提供する。 【解決手段】 このＸ線パネルセンサによれば、枠体２
の内縁にファイバオプティカルプレート３の外縁が接着
されているので、枠体２によりファイバオプティカルプ
レート３が位置決めされるとともに、この部位が接着さ
れることにより、ＭＯＳ型イメージセンサ５とファイバ
オプティカルプレート３との間の気泡混入による受光面
積の縮小化を抑制し、以て受光面積の大型化を達成して
良質な画像を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線イメージを撮
像するＸ線パネルセンサに関する。
像するＸ線パネルセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＸ線パネルセンサは、特開平９−
２８８１８４号公報に記載されている。このセンサは、
半導体イメージセンサをシンチレータの下に設けてＸ線
検出を行っている。
２８８１８４号公報に記載されている。このセンサは、
半導体イメージセンサをシンチレータの下に設けてＸ線
検出を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＸ線パネルセンサにおいては、配線基板上に設けら
れた半導体イメージセンサにおいて良質な画像を得るに
は不十分であった。本発明は係る課題に鑑みてなされた
ものであり、従来に比して更に良質の画像を得ることが
できるＸ線パネルセンサを提供することを目的とする。
来のＸ線パネルセンサにおいては、配線基板上に設けら
れた半導体イメージセンサにおいて良質な画像を得るに
は不十分であった。本発明は係る課題に鑑みてなされた
ものであり、従来に比して更に良質の画像を得ることが
できるＸ線パネルセンサを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るＸ線パネルセンサは、配線基板上に固
定された枠体と、枠体の内縁にその外縁が接着されたフ
ァイバオプティカルプレートと、ファイバオプティカル
プレートの一方の表面に設けられ入射したＸ線を蛍光に
変換するシンチレータと、ファイバオプティカルプレー
トの他方の表面に対向して配線基板上に設けられた半導
体イメージセンサとを備えることを特徴とする。
め、本発明に係るＸ線パネルセンサは、配線基板上に固
定された枠体と、枠体の内縁にその外縁が接着されたフ
ァイバオプティカルプレートと、ファイバオプティカル
プレートの一方の表面に設けられ入射したＸ線を蛍光に
変換するシンチレータと、ファイバオプティカルプレー
トの他方の表面に対向して配線基板上に設けられた半導
体イメージセンサとを備えることを特徴とする。
【０００５】本発明のＸ線パネルセンサによれば、半導
体イメージセンサと入射Ｘ線を蛍光に変換するシンチレ
ータとの間に分解能を向上させるためのファイバオプテ
ィカルプレートを介在させる。このファイバオプティカ
ルプレートは、枠体の内縁にその外縁が接着される。も
ちろん、ファイバオプティカルプレートを半導体イメー
ジセンサの受光面に接着することも可能であるが、接着
剤の内部に気泡が混入するような場合には半導体イメー
ジセンサによって良質な画像を得ることができない。こ
のような気泡の混入を抑制するためには、半導体イメー
ジセンサの受光面積を縮小化すればよいが、この受光面
積の低下はイメージサイズの低下を招く。
体イメージセンサと入射Ｘ線を蛍光に変換するシンチレ
ータとの間に分解能を向上させるためのファイバオプテ
ィカルプレートを介在させる。このファイバオプティカ
ルプレートは、枠体の内縁にその外縁が接着される。も
ちろん、ファイバオプティカルプレートを半導体イメー
ジセンサの受光面に接着することも可能であるが、接着
剤の内部に気泡が混入するような場合には半導体イメー
ジセンサによって良質な画像を得ることができない。こ
のような気泡の混入を抑制するためには、半導体イメー
ジセンサの受光面積を縮小化すればよいが、この受光面
積の低下はイメージサイズの低下を招く。
【０００６】本発明のＸ線パネルセンサによれば、枠体
の内縁にファイバオプティカルプレートの外縁が接着さ
れているので、枠体によりファイバオプティカルプレー
トが位置決めされるとともに、この部位が接着されるこ
とにより、半導体イメージセンサとファイバオプティカ
ルプレートとの間の気泡混入による画質の劣化を抑制
し、以て受光面積の大型化を達成して良質な画像を得る
ことができる。但し、本発明はファイバオプティカルプ
レートと半導体イメージセンサの間に例えば光学的マッ
チングオイルなどの媒体が介在することを排除するもの
ではない。
の内縁にファイバオプティカルプレートの外縁が接着さ
れているので、枠体によりファイバオプティカルプレー
トが位置決めされるとともに、この部位が接着されるこ
とにより、半導体イメージセンサとファイバオプティカ
ルプレートとの間の気泡混入による画質の劣化を抑制
し、以て受光面積の大型化を達成して良質な画像を得る
ことができる。但し、本発明はファイバオプティカルプ
レートと半導体イメージセンサの間に例えば光学的マッ
チングオイルなどの媒体が介在することを排除するもの
ではない。
【０００７】また、本発明のＸ線パネルセンサは、配線
基板上に設けられ半導体イメージセンサの出力を増幅す
る増幅素子を更に備えることが好ましい。増幅素子は配
線基板上に設けられているので、半導体イメージセンサ
と増幅素子とを近接させることができ、これらの接続配
線に重畳されるノイズを低減させ、良質な画像を得るこ
とができる。
基板上に設けられ半導体イメージセンサの出力を増幅す
る増幅素子を更に備えることが好ましい。増幅素子は配
線基板上に設けられているので、半導体イメージセンサ
と増幅素子とを近接させることができ、これらの接続配
線に重畳されるノイズを低減させ、良質な画像を得るこ
とができる。
【０００８】上記のように増幅素子を近接させた場合に
おいても、入射Ｘ線の影響は撮像時に低減されることが
望ましい。そこで、上記枠体は、Ｘ線を遮蔽する金属で
作製されており、増幅素子は金属によってＸ線の入射が
遮蔽される位置に設けられていることが望ましい。この
ような場合には、増幅素子は枠体によってＸ線の影響が
抑制されるので、本Ｘ線パネルセンサにおいては、更に
良質な画像を得ることができる。
おいても、入射Ｘ線の影響は撮像時に低減されることが
望ましい。そこで、上記枠体は、Ｘ線を遮蔽する金属で
作製されており、増幅素子は金属によってＸ線の入射が
遮蔽される位置に設けられていることが望ましい。この
ような場合には、増幅素子は枠体によってＸ線の影響が
抑制されるので、本Ｘ線パネルセンサにおいては、更に
良質な画像を得ることができる。
【０００９】また、このようなＸ線遮蔽を効率的に達成
するために、枠体の配線基板側の面は、配線基板の表面
との間に所定の隙間を与える凹領域を有しており、増幅
素子は前記隙間に配置されていることが望ましい。
するために、枠体の配線基板側の面は、配線基板の表面
との間に所定の隙間を与える凹領域を有しており、増幅
素子は前記隙間に配置されていることが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に係るＸ線パネ
ルセンサについて説明する。同一要素又は同一機能を有
する要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明
は省略する。
ルセンサについて説明する。同一要素又は同一機能を有
する要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明
は省略する。
【００１１】図１はＸ線パネルセンサの平面図であり、
図２は図１に示したＸ線パネルセンサのＩＩ−ＩＩ矢印
断面図である。
図２は図１に示したＸ線パネルセンサのＩＩ−ＩＩ矢印
断面図である。
【００１２】本Ｘ線パネルセンサは、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ
からなる配線が形成された配線基板１上に固定された枠
体２と、枠体２の内縁にその外縁が接着され、鉛をシリ
カガラス中に含むファイバオプティカルプレート３と、
ファイバオプティカルプレート３の一方の表面に設けら
れ入射したＸ線を蛍光に変換するシンチレータ（蛍光
体）４と、ファイバオプティカルプレート３の他方の表
面に対向して配線基板１上に設けられた半導体イメージ
センサ５（ＭＯＳ型イメージセンサ）とを備えている。
枠体２は、その内縁でファイバオプティカルプレート３
を固定するために、ファイバオプティカルプレート３と
略同じ、若しくは若干大きな面積を有する矩形状の開口
を有している。また、ファイバオプティカルプレート３
の光軸はＭＯＳ型イメージセンサ５の受光面に垂直であ
る。
からなる配線が形成された配線基板１上に固定された枠
体２と、枠体２の内縁にその外縁が接着され、鉛をシリ
カガラス中に含むファイバオプティカルプレート３と、
ファイバオプティカルプレート３の一方の表面に設けら
れ入射したＸ線を蛍光に変換するシンチレータ（蛍光
体）４と、ファイバオプティカルプレート３の他方の表
面に対向して配線基板１上に設けられた半導体イメージ
センサ５（ＭＯＳ型イメージセンサ）とを備えている。
枠体２は、その内縁でファイバオプティカルプレート３
を固定するために、ファイバオプティカルプレート３と
略同じ、若しくは若干大きな面積を有する矩形状の開口
を有している。また、ファイバオプティカルプレート３
の光軸はＭＯＳ型イメージセンサ５の受光面に垂直であ
る。
【００１３】上記部材は鉄製の筐体６内部に配置され、
筐体６の上面にはＸ線入射領域を規定する矩形開口を有
する蓋部材７が設けられ、この蓋部材７にはＸ線入射領
域に設けられた窓材８が内面側から固定されている。す
なわち、蓋部材７はＸ線を遮蔽する厚さ約１ｍｍの金属
（Ｆｅ）から形成され、窓材８はＸ線を透過させる厚さ
約０．５ｍｍの樹脂（ポリカーボネイト）から形成され
ている。
筐体６の上面にはＸ線入射領域を規定する矩形開口を有
する蓋部材７が設けられ、この蓋部材７にはＸ線入射領
域に設けられた窓材８が内面側から固定されている。す
なわち、蓋部材７はＸ線を遮蔽する厚さ約１ｍｍの金属
（Ｆｅ）から形成され、窓材８はＸ線を透過させる厚さ
約０．５ｍｍの樹脂（ポリカーボネイト）から形成され
ている。
【００１４】ＭＯＳ型イメージセンサ５は、２次元状に
配置された複数のフォトダイオードと、光の入射に応答
してそれぞれのフォトダイオードで発生した電荷の読み
出しを制御するための複数のＭＯＳＦＥＴ（電界効果ト
ランジスタ）とを備えている。配線基板１上にはＭＯＳ
ＦＥＴの駆動制御を行うためのシフトレジスタ９と、Ｍ
ＯＳ型イメージセンサ５の出力を増幅する増幅素子（ア
ンプアレイ）１０がベアチップの状態で設けられてい
る。ここで、ＭＯＳ型イメージセンサ５、シフトレジス
タ９、アンプアレイ１０と配線基板１との間には導電性
フィラーを含む熱硬化性樹脂（エポキシ系樹脂）が介在
しており、これらは配線基板１上の配線と電気的に接続
されると同時に物理的に固定されている。
配置された複数のフォトダイオードと、光の入射に応答
してそれぞれのフォトダイオードで発生した電荷の読み
出しを制御するための複数のＭＯＳＦＥＴ（電界効果ト
ランジスタ）とを備えている。配線基板１上にはＭＯＳ
ＦＥＴの駆動制御を行うためのシフトレジスタ９と、Ｍ
ＯＳ型イメージセンサ５の出力を増幅する増幅素子（ア
ンプアレイ）１０がベアチップの状態で設けられてい
る。ここで、ＭＯＳ型イメージセンサ５、シフトレジス
タ９、アンプアレイ１０と配線基板１との間には導電性
フィラーを含む熱硬化性樹脂（エポキシ系樹脂）が介在
しており、これらは配線基板１上の配線と電気的に接続
されると同時に物理的に固定されている。
【００１５】配線基板１は、Ａｌからなる複数のスペー
サ１１，１２及び信号処理基板１３上から上方に立設し
たコネクタ１６を介して信号処理基板１３に固定されて
いる。信号処理基板１３はＡｌからなる複数のスペーサ
１４，１５を介して筐体６の底面に固定されている。コ
ネクタ１６は、配線基板１と信号処理基板１３とを電気
的に接続するものである。なお、装置全体の小型化のた
めに、ＭＯＳイメージセンサ５は、その１つの角部が配
線基板１の角部の近傍に位置するように配置されてい
る。したがって、この位置には、ネジ止めの必要なスペ
ーサを設けることはできないため、この位置において配
線基板１と信号処理基板１３との間に介在するスペーサ
１１は、ブロック形状とした。
サ１１，１２及び信号処理基板１３上から上方に立設し
たコネクタ１６を介して信号処理基板１３に固定されて
いる。信号処理基板１３はＡｌからなる複数のスペーサ
１４，１５を介して筐体６の底面に固定されている。コ
ネクタ１６は、配線基板１と信号処理基板１３とを電気
的に接続するものである。なお、装置全体の小型化のた
めに、ＭＯＳイメージセンサ５は、その１つの角部が配
線基板１の角部の近傍に位置するように配置されてい
る。したがって、この位置には、ネジ止めの必要なスペ
ーサを設けることはできないため、この位置において配
線基板１と信号処理基板１３との間に介在するスペーサ
１１は、ブロック形状とした。
【００１６】信号処理基板１３の一方面上には、アンプ
アレイ１０から出力された映像信号に所定の演算処理を
行う演算処理回路１７ａ，１７ｂ、演算処理回路１７
ａ，１７ｂの出力を増幅する増幅器１８ａ，１８ｂ、及
び増幅器１８ａ，１８ｂの出力を２分の１周期ずらして
合成するマルチプレクサ１９が設けられている。
アレイ１０から出力された映像信号に所定の演算処理を
行う演算処理回路１７ａ，１７ｂ、演算処理回路１７
ａ，１７ｂの出力を増幅する増幅器１８ａ，１８ｂ、及
び増幅器１８ａ，１８ｂの出力を２分の１周期ずらして
合成するマルチプレクサ１９が設けられている。
【００１７】信号処理基板１３の他方面には、シフトレ
ジスタ９及びアンプアレイ１０に信号の読み出しタイミ
ング及び信号増幅タイミングをそれぞれ与え、これらか
ら構成される駆動信号を発生するタイミングパルス発生
回路２０、及びタイミングパルス発生回路２０の基準ク
ロックを生成する発振器２１が設けられている。
ジスタ９及びアンプアレイ１０に信号の読み出しタイミ
ング及び信号増幅タイミングをそれぞれ与え、これらか
ら構成される駆動信号を発生するタイミングパルス発生
回路２０、及びタイミングパルス発生回路２０の基準ク
ロックを生成する発振器２１が設けられている。
【００１８】マルチプレクサ１９から出力された映像信
号は、映像信号出力端子２４から出力される。なお、筐
体６には、この他にタイミングパルス発生回路２０駆動
のためのトリガ信号を装置内部で発生するか、外部で発
生するかを切り換える切換スイッチ２６、外部からトリ
ガ信号を入力する場合の外部トリガ信号入力端子２５、
タイミングパルス発生回路２０から出力された同期信号
を出力する同期信号出力端子２３、及び装置全体に電源
を供給するための電源コネクタ２２が設けられている。
なお、信号処理基板１３は、金属配線１３ａ，１３ｃ，
１３ｅ，１３ｇ及びガラス繊維を含む絶縁性薄膜１３
ｂ，１３ｄ，１３ｆとが交互に積層されてなる４層配線
基板である。露出した金属配線１３ａ及び１３ｇは、Ｃ
ｕ／Ｎｉ／Ａｕからなり、内部の金属配線１３ｃ，１３
ｅはＣｕからなる。この中で、信号処理基板１３の上面
側に形成された回路に最も近い内部金属配線１３ｃは、
信号処理基板１３の上面側に形成された回路のグランド
電位に接続されており、信号処理基板１３の裏面側に形
成された回路に最も近い内部金属配線１３ｅは、信号処
理基板１３の裏面側に形成された回路のグランド電位に
接続されている。また、これらの内部金属配線１３ｃ，
１３ｅは、一カ所のみで電気的に接続されている。
号は、映像信号出力端子２４から出力される。なお、筐
体６には、この他にタイミングパルス発生回路２０駆動
のためのトリガ信号を装置内部で発生するか、外部で発
生するかを切り換える切換スイッチ２６、外部からトリ
ガ信号を入力する場合の外部トリガ信号入力端子２５、
タイミングパルス発生回路２０から出力された同期信号
を出力する同期信号出力端子２３、及び装置全体に電源
を供給するための電源コネクタ２２が設けられている。
なお、信号処理基板１３は、金属配線１３ａ，１３ｃ，
１３ｅ，１３ｇ及びガラス繊維を含む絶縁性薄膜１３
ｂ，１３ｄ，１３ｆとが交互に積層されてなる４層配線
基板である。露出した金属配線１３ａ及び１３ｇは、Ｃ
ｕ／Ｎｉ／Ａｕからなり、内部の金属配線１３ｃ，１３
ｅはＣｕからなる。この中で、信号処理基板１３の上面
側に形成された回路に最も近い内部金属配線１３ｃは、
信号処理基板１３の上面側に形成された回路のグランド
電位に接続されており、信号処理基板１３の裏面側に形
成された回路に最も近い内部金属配線１３ｅは、信号処
理基板１３の裏面側に形成された回路のグランド電位に
接続されている。また、これらの内部金属配線１３ｃ，
１３ｅは、一カ所のみで電気的に接続されている。
【００１９】信号処理基板１３へのＸ線の入射を抑制す
るために、配線基板１と信号処理基板１３との間には段
部を有する遮蔽板２７が介在し、遮蔽板２７の上段部は
スペーサ２８によって、下段部はスペーサ２９によって
信号処理基板１３に固定されている。遮蔽板２７は、表
面にＮｉメッキが施された真鍮からなり、グランド電位
に接続されている。
るために、配線基板１と信号処理基板１３との間には段
部を有する遮蔽板２７が介在し、遮蔽板２７の上段部は
スペーサ２８によって、下段部はスペーサ２９によって
信号処理基板１３に固定されている。遮蔽板２７は、表
面にＮｉメッキが施された真鍮からなり、グランド電位
に接続されている。
【００２０】本実施の形態に係るＸ線パネルセンサによ
れば、窓材８を介してセンサ内にＸ線が入射すると、シ
ンチレータ４がＸ線の入射に応答して蛍光発光する。こ
の蛍光は、複数の光ファイバの集合体であるファイバオ
プティカルプレート３内を、隣接光ファイバ間を通過す
る光と混合することなく、その光軸方向に沿って伝搬
し、ＭＯＳ型イメージセンサ５の受光面に入射する。Ｍ
ＯＳ型イメージセンサ５から出力された信号は、アンプ
アレイ１０に入力されることによって増幅され、コネク
タ１６を介して信号処理基板１０上の回路に入力され、
映像信号出力端子２４から出力される。本実施の形態に
係るＸ線パネルセンサは、上述の如く、枠体２を具備し
ている。
れば、窓材８を介してセンサ内にＸ線が入射すると、シ
ンチレータ４がＸ線の入射に応答して蛍光発光する。こ
の蛍光は、複数の光ファイバの集合体であるファイバオ
プティカルプレート３内を、隣接光ファイバ間を通過す
る光と混合することなく、その光軸方向に沿って伝搬
し、ＭＯＳ型イメージセンサ５の受光面に入射する。Ｍ
ＯＳ型イメージセンサ５から出力された信号は、アンプ
アレイ１０に入力されることによって増幅され、コネク
タ１６を介して信号処理基板１０上の回路に入力され、
映像信号出力端子２４から出力される。本実施の形態に
係るＸ線パネルセンサは、上述の如く、枠体２を具備し
ている。
【００２１】図３は、図１に示したＸ線パネルセンサの
上面側部分のＩＩＩ−ＩＩＩ矢印断面図である。枠体２
の下面は、配線基板１との間に隙間を与える凹領域が設
けられており、この隙間にアンプアレイ１０が設けられ
ている。アンプアレイ１０は、ＭＯＳ型イメージセンサ
５の出力を増幅するものであり、これらはそれぞれの上
に設けられたパッドを介してボンディングワイヤ３１で
接続されている。なお、パッドは、当該隙間の中に位置
する。枠体２は当該隙間を具備するので、ボンディング
ワイヤ３１は枠体２によって押さえつけられることな
く、外部からの物理的応力から保護されている。枠体２
の内縁はファイバオプティカルプレート３の外縁に接着
剤３０を介して接着／固定されている。したがって、フ
ァイバオプティカルプレート３が当該隙間を密閉し、こ
れへの塵の混入を抑制している。
上面側部分のＩＩＩ−ＩＩＩ矢印断面図である。枠体２
の下面は、配線基板１との間に隙間を与える凹領域が設
けられており、この隙間にアンプアレイ１０が設けられ
ている。アンプアレイ１０は、ＭＯＳ型イメージセンサ
５の出力を増幅するものであり、これらはそれぞれの上
に設けられたパッドを介してボンディングワイヤ３１で
接続されている。なお、パッドは、当該隙間の中に位置
する。枠体２は当該隙間を具備するので、ボンディング
ワイヤ３１は枠体２によって押さえつけられることな
く、外部からの物理的応力から保護されている。枠体２
の内縁はファイバオプティカルプレート３の外縁に接着
剤３０を介して接着／固定されている。したがって、フ
ァイバオプティカルプレート３が当該隙間を密閉し、こ
れへの塵の混入を抑制している。
【００２２】なお、シフトレジスタ９も同様に枠体２の
隙間内に設けられており、アンプアレイ１０と同様に保
護されている。更に、配線基板１を透過するＸ線が低減
されるように、基板裏面側にはＣｕ／Ｎｉ／Ａｕからな
る遮蔽膜３２が形成されている。
隙間内に設けられており、アンプアレイ１０と同様に保
護されている。更に、配線基板１を透過するＸ線が低減
されるように、基板裏面側にはＣｕ／Ｎｉ／Ａｕからな
る遮蔽膜３２が形成されている。
【００２３】Ｘ線パネルセンサにおいては、ファイバオ
プティカルプレート３をＭＯＳ型イメージセンサ５の受
光面に接着することで固定することも可能であるが、こ
のような場合、接着剤の内部に気泡が混入する場合があ
る。気泡部分はシェーディングを引き起こすので、この
際には良質な画像を得ることができない。このような気
泡の混入は、ＭＯＳ型イメージセンサ５の受光面積を縮
小化することにより低減することができるが、この受光
面積の低下はイメージサイズの低下を招く。
プティカルプレート３をＭＯＳ型イメージセンサ５の受
光面に接着することで固定することも可能であるが、こ
のような場合、接着剤の内部に気泡が混入する場合があ
る。気泡部分はシェーディングを引き起こすので、この
際には良質な画像を得ることができない。このような気
泡の混入は、ＭＯＳ型イメージセンサ５の受光面積を縮
小化することにより低減することができるが、この受光
面積の低下はイメージサイズの低下を招く。
【００２４】本実施の形態のＸ線パネルセンサによれ
ば、枠体２の内縁にファイバオプティカルプレート３の
外縁が接着されているので、枠体２によりファイバオプ
ティカルプレート３が位置決めされるとともに、この部
位が接着されることにより、ＭＯＳ型イメージセンサ５
とファイバオプティカルプレート３との間の気泡混入に
よる画質の劣化を抑制し、以て受光面積の大型化を達成
して良質な画像を得ることができ、更に歩留まりも向上
させることができる。但し、ファイバオプティカルプレ
ート３とＭＯＳ型イメージセンサ５の間に例えば光学的
マッチングオイルなどの媒体が介在してもよい。
ば、枠体２の内縁にファイバオプティカルプレート３の
外縁が接着されているので、枠体２によりファイバオプ
ティカルプレート３が位置決めされるとともに、この部
位が接着されることにより、ＭＯＳ型イメージセンサ５
とファイバオプティカルプレート３との間の気泡混入に
よる画質の劣化を抑制し、以て受光面積の大型化を達成
して良質な画像を得ることができ、更に歩留まりも向上
させることができる。但し、ファイバオプティカルプレ
ート３とＭＯＳ型イメージセンサ５の間に例えば光学的
マッチングオイルなどの媒体が介在してもよい。
【００２５】また、本実施の形態に係るＸ線パネルセン
サは、配線基板１上に設けられＭＯＳ型イメージセンサ
５の出力を増幅するアンプアレイ１０を備えている。ア
ンプアレイ１０は配線基板１上に設けられているので、
ＭＯＳ型イメージセンサ５とアンプアレイ１０とを近接
させることができ、これらの接続配線に重畳されるノイ
ズを低減させ、良質な画像を得ることができる。
サは、配線基板１上に設けられＭＯＳ型イメージセンサ
５の出力を増幅するアンプアレイ１０を備えている。ア
ンプアレイ１０は配線基板１上に設けられているので、
ＭＯＳ型イメージセンサ５とアンプアレイ１０とを近接
させることができ、これらの接続配線に重畳されるノイ
ズを低減させ、良質な画像を得ることができる。
【００２６】アンプアレイ１０を近接させた場合におい
ても、入射Ｘ線の影響は撮像時に低減されることが望ま
しい。そこで、枠体２は、Ｘ線を遮蔽する金属（Ａｌ又
は更に原子量の大きな金属）で作製されることとし、ア
ンプアレイ１０は金属によってＸ線の入射が遮蔽される
位置に設けられている。この場合には、アンプアレイ１
０は枠体２によってＸ線の影響が抑制されるので、本Ｘ
線パネルセンサにおいては、更に良質な画像を得ること
ができる。
ても、入射Ｘ線の影響は撮像時に低減されることが望ま
しい。そこで、枠体２は、Ｘ線を遮蔽する金属（Ａｌ又
は更に原子量の大きな金属）で作製されることとし、ア
ンプアレイ１０は金属によってＸ線の入射が遮蔽される
位置に設けられている。この場合には、アンプアレイ１
０は枠体２によってＸ線の影響が抑制されるので、本Ｘ
線パネルセンサにおいては、更に良質な画像を得ること
ができる。
【００２７】また、本実施の形態に係るＸ線パネルセン
サにおいては、このようなＸ線遮蔽を効率的に達成する
ために、枠体２の配線基板１側の面は、配線基板１の表
面との間に所定の隙間を与える凹領域を有しており、ア
ンプアレイ１０はこの隙間に配置されている。
サにおいては、このようなＸ線遮蔽を効率的に達成する
ために、枠体２の配線基板１側の面は、配線基板１の表
面との間に所定の隙間を与える凹領域を有しており、ア
ンプアレイ１０はこの隙間に配置されている。
【００２８】以上、説明したように、本実施の形態に係
るＸ線パネルセンサは、良質の画像を得ることができる
ので、医療機器や宇宙観測機器等の高性能測定機器に適
用することができる。
るＸ線パネルセンサは、良質の画像を得ることができる
ので、医療機器や宇宙観測機器等の高性能測定機器に適
用することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係るＸ
線パネルセンサによれば、枠体を用いることにより従来
に比して更に良質の画像を得ることができる。
線パネルセンサによれば、枠体を用いることにより従来
に比して更に良質の画像を得ることができる。
【図１】Ｘ線パネルセンサの平面図。
【図２】図１に示したＸ線パネルセンサのＩＩ−ＩＩ矢
印断面図。
印断面図。
【図３】図１に示したＸ線パネルセンサの上面側部分の
ＩＩＩ−ＩＩＩ矢印断面図。
ＩＩＩ−ＩＩＩ矢印断面図。
１…配線基板、２…枠体、３…ファイバオプティカルプ
レート、４…シンチレータ、５…半導体イメージセン
サ、１０…増幅素子。
レート、４…シンチレータ、５…半導体イメージセン
サ、１０…増幅素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 晃永 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 FF02 GG15 GG19 JJ06
Claims (4)
- 【請求項１】 配線基板上に固定された枠体と、前記枠
体の内縁にその外縁が接着されたファイバオプティカル
プレートと、前記ファイバオプティカルプレートの一方
の表面に設けられ入射したＸ線を蛍光に変換するシンチ
レータと、前記ファイバオプティカルプレートの他方の
表面に対向して前記配線基板上に設けられた半導体イメ
ージセンサとを備えることを特徴とするＸ線パネルセン
サ。 - 【請求項２】 前記配線基板上に設けられ前記半導体イ
メージセンサの出力を増幅する増幅素子を更に備えるこ
とを特徴とする請求項１に記載のＸ線パネルセンサ。 - 【請求項３】 前記枠体は、Ｘ線を遮蔽する金属で作製
されており、前記増幅素子は前記金属によってＸ線の入
射が遮蔽される位置に設けられていることを特徴とする
請求項２に記載のＸ線パネルセンサ。 - 【請求項４】 前記枠体の前記配線基板側の面は前記配
線基板の表面との間に所定の隙間を与える凹領域を有
し、前記増幅素子は前記隙間に配置されていることを特
徴とする請求項３に記載のＸ線パネルセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19917098A JP4005704B2 (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | Ｘ線パネルセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19917098A JP4005704B2 (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | Ｘ線パネルセンサ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000028735A true JP2000028735A (ja) | 2000-01-28 |
| JP2000028735A5 JP2000028735A5 (ja) | 2005-09-08 |
| JP4005704B2 JP4005704B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=16403326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19917098A Expired - Lifetime JP4005704B2 (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | Ｘ線パネルセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4005704B2 (ja) |
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1998
- 1998-07-14 JP JP19917098A patent/JP4005704B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JP4005704B2 (ja) | 2007-11-14 |
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