JP2000028321A - 位置検出装置及びこれを用いた露光装置並びに位置検出方法 - Google Patents

位置検出装置及びこれを用いた露光装置並びに位置検出方法

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JP2000028321A
JP2000028321A JP10197116A JP19711698A JP2000028321A JP 2000028321 A JP2000028321 A JP 2000028321A JP 10197116 A JP10197116 A JP 10197116A JP 19711698 A JP19711698 A JP 19711698A JP 2000028321 A JP2000028321 A JP 2000028321A
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time
converting
series signal
gain
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JP10197116A
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Tsuneyuki Hagiwara
恒幸 萩原
Shinko Morita
眞弘 森田
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Nikon Corp
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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】アライメントマークの反射率が相違しても高精
度の位置検出を行うことができる位置検出装置を提供す
る。 【解決手段】撮像素子42Xで検出されたアライメント
マークMXJの光信号を計測方向+Xに向かう第1の走
査により第1の時系列信号に変換するとともに、計測方
向とは逆方向−Xに向かう第2の走査により第2の時系
列信号に変換する。こうして得られた第1および第2の
時系列信号のそれぞれの利得を調整したのち、利得調整
の際に生じた時間的な位相誤差を除去し、得られた時系
列信号を位置信号に変換する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、撮像
素子、液晶表示素子または薄膜磁気ヘッドなどの各種マ
イクロデバイスを製造するためのフォトリソグラフィ工
程で用いられる露光装置に関し、特にマスクと基板との
位置合わせのための位置検出装置及びこれを用いた露光
装置並びに位置検出方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトリソグラフ
ィ工程では、フォトレジストが塗布されたウェハやガラ
スプレート(以下、基板ともいう。)にマスクのパター
ンを転写することが行われるが、この種の露光装置とし
て、従来よりステップアンドリピート式露光装置が広く
用いられている。このステップアンドリピート式露光装
置は、マスクのパターンをウェハの各ショット領域に一
括して縮小投影することにより露光するもので、一つの
ショット領域の露光を終了すると、ウェハを移動して次
のショット領域の露光を行い、これを順次繰り返す方式
である。
【0003】また、マスクパターンの露光範囲を拡大す
るために、照明系からの露光光をスリット状(矩形状)
に制限し、このスリット光を用いてマスクパターンの一
部をウェハ上に縮小投影した状態で、マスクとウェハと
を投影光学系に対して同期走査させるステップアンドス
キャン式露光装置も開発されている。このステップアン
ドスキャン式露光装置は、一回の走査露光でマスク全面
のパターンを等倍でウェハの全面に転写するアライナー
の転写方式の長所と、上述したステッパーの転写方式の
長所とを兼ね備えたものである。
【0004】この種の露光装置には、マスクと基板とを
高精度で位置合わせするためにアライメントセンサが設
けられており、投影レンズから一定距離だけ離して別設
された顕微鏡対物レンズを介してウェハ上のアライメン
トマークを検出するオフアクシス(Off Axis)系の画像
処理アライメント(いわゆるField Image Alignment)
などが用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウェハ上の
アライメントマークからの反射光は、レジスト膜の厚さ
や下地の材質などの影響によってその反射率が大きく相
違するため、光電素子によって検出されるアライメント
画像の明暗差も大きくなり、その後の画像処理が複雑に
なる。こうした光電変換時の利得を調整して充分なダイ
ナミックレンジが得られるように、光電素子にはオート
マティックゲインコントローラ(AGC)が設けられて
いる。
【0006】しかしながら、オートマティックゲインコ
ントローラなどの演算増幅器は、増幅度(ゲイン調整倍
率)が大きくなると周波数特性が低下するため、増幅度
が大きくなるほど演算増幅器の入出力の位相が遅延する
傾向にある。このため、同一のアライメントマークを使
用した位置計測を行っても、そのアライメントマークの
反射率の相違、つまり増幅度の相違によって位相遅れ特
性も変動し、これが位置ずれの原因となっていた。
【0007】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、アライメントマークの反射
率が相違しても高精度の位置検出を行うことができる位
置検出装置及びこれを用いた露光装置並びに位置検出方
法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】[1]上記目的を達成す
るために、本発明の第1の観点によれば、計測対象物か
らの光信号を時系列信号に変換して位置を検出する位置
検出装置において、計測対象物からの光信号を検出する
撮像手段と、前記撮像手段で検出された光信号を第1の
走査により第1の時系列信号に変換するとともに前記撮
像手段で検出された光信号を第2の走査により第2の時
系列信号に変換する時系列信号変換手段と、前記時系列
信号変換手段で得られた第1および第2の時系列信号の
それぞれの利得を調整する利得調整手段と、前記利得調
整手段で得られた時系列信号を用いて前記利得の調整の
際に生じた時間的な位相誤差を除去する位相誤差除去手
段と、前記位相誤差除去手段で得られた時系列信号を位
置信号に変換する位置信号変換手段と、を備えたことを
特徴とする位置検出装置が提供される。
【0009】本発明の位置検出装置では、撮像手段で検
出された光信号を時系列信号に変換するにあたり、時系
列信号変換手段によって、第1の走査により第1の時系
列信号を得るとともに、第2の走査により第2の時系列
信号を得たのち、利得調整手段により、これら第1およ
び第2の時系列信号のそれぞれの利得を調整する。
【0010】このとき、利得が調整された時系列信号に
は、利得に応じた位相遅れ誤差が含まれているが、第1
の走査と第2の走査とを、その位相遅れ誤差を相殺し得
る走査方向とすることで、位相誤差除去手段にて、利得
調整の際に生じた時間的な位相誤差を除去することがで
きる。こうして時間的な位相誤差が除去された時系列信
号を、位置信号変換手段にて位置信号に変換すること
で、得られる位置信号は、調整される利得の大きさに無
関係の精度の高い測定値となる。
【0011】[2]本発明の第2の観点によれば、計測
対象物からの光信号を時系列信号に変換して位置を検出
する位置検出装置において、計測対象物からの光信号を
検出する撮像手段と、前記撮像手段で検出された光信号
を時系列信号に変換する時系列信号変換手段と、前記時
系列信号変換手段で得られた時系列信号の利得を調整す
る利得調整手段と、前記利得調整手段における前記時系
列信号の利得調整倍率を出力する利得調整倍率出力手段
と、前記時系列信号変換手段で得られた時系列信号を位
置信号に変換する位置信号変換手段と、予め求められた
利得調整倍率に対する位置信号の誤差の関係を記憶する
位置誤差記憶手段と、前記位置誤差記憶手段に記憶され
た情報を参照して前記利得調整倍率出力手段から出力さ
れた利得調整倍率に応じた位置信号の誤差を選定する位
置誤差選定手段と、前記位置信号変換手段で得られた位
置信号から前記位置誤差選定手段で選定された位置誤差
を除去する位置誤差除去手段と、を備えたことを特徴と
する位置検出装置が提供される。
【0012】上述した本発明の第1の観点により提供さ
れる位置検出装置では、第1および第2の走査によって
時間的な位相誤差を相殺できる時系列信号を生成した
が、この第2の観点による位置検出装置では、利得の調
整倍率とそれが原因で生じる時間的または距離的な誤差
とが、予め求めることができる物性値である点に着目
し、これらの関係をマトリックスデータとして所有し、
調整された利得の倍率に応じてその誤差を参照して補正
するものである。
【0013】すなわち、この位置検出装置では、撮像手
段で検出された光信号を時系列信号変換手段によって時
系列信号に変換し、利得調整手段によりこの時系列信号
の利得を調整し、さらに位置信号変換手段により位置信
号に変換する。この位置信号には、利得調整倍率に応じ
た位置誤差が含まれている。
【0014】利得調整倍率出力手段は、利得調整手段に
おける利得調整倍率を位置誤差選定手段へ出力し、位置
誤差選定手段では、位置誤差記憶手段に記憶されている
利得調整倍率に対する位置的な誤差の関係データを参照
して、利得調整倍率に該当する位置的な誤差を選定す
る。そして、位置誤差除去手段にて、位置信号変換手段
で得られた位置信号から位置誤差選定手段で選定された
位置誤差を除去する。これにより、得られる位置信号
は、調整される利得の大きさに無関係の精度の高い測定
値となる。
【0015】[3]本発明の第3の観点によれば、マス
クに形成されたパターンの像を基板に転写する露光装置
において、前記マスクおよび前記基板の少なくとも一方
に設けられたアライメントマークにアライメント光を照
射するアライメント光学系と、請求項1乃至3の何れか
に記載され、前記アライメントマークからの光信号を時
系列信号に変換して前記マスクおよび前記基板の少なく
とも一方の位置を検出する位置検出装置と、を備えたこ
とを特徴とする露光装置が提供される。
【0016】本発明の第1および第2の観点による位置
検出装置を露光装置に応用することで、アライメントマ
ークからの反射光の反射率に拘わらず、マスクまたは基
板の少なくとも一方の位置が正確に検出される。
【0017】[4]本発明の第4の観点によれば、入力
された光信号を時系列信号に変換して位置を検出する方
法において、入力された光信号を第1の走査により第1
の時系列信号に変換する過程と、前記第1の時系列信号
の利得を調整する過程と、入力された光信号を第2の走
査により第2の時系列信号に変換する過程と、前記第2
の時系列信号の利得を調整する過程と、前記利得が調整
された第1および第2の時系列信号を用いて前記利得の
調整の際に生じた時間的な位相誤差を除去する過程と、
前記時間的な位相誤差が除去された時系列信号を位置信
号に変換する過程とを有することを特徴とする位置検出
方法が提供される。
【0018】本発明の位置検出方法では、入力された光
信号を時系列信号に変換するにあたり、第1の走査によ
り第1の時系列信号を得るとともに、第2の走査により
第2の時系列信号を得たのち、これら第1および第2の
時系列信号のそれぞれの利得を調整する。
【0019】このとき、利得が調整された時系列信号に
は、利得に応じた位相遅れ誤差が含まれているが、第1
の走査と第2の走査とを、その位相遅れ誤差を相殺し得
る走査方向とすることで、利得調整の際に生じた時間的
な位相誤差を除去することができる。こうして時間的な
位相誤差が除去された時系列信号を位置信号に変換する
ことで、得られる位置信号は、調整される利得の大きさ
に無関係の精度の高い測定値となる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1は本発明の露光装置の実施形態
を示す全体構成図、図2は図1の照明視野絞り板(3
2)を示す拡大図、図3(a)は実施形態で露光対象と
されるウェハのショット配列を示す平面図、同図(b)
はそのウェハ上のサンプルショット(SA)の近傍を示
す拡大平面図、図4(a)は撮像素子で観察されるウェ
ハマークおよび指標マークを示す図、同図(b)は
(a)に対応する映像信号を示す波形図である。
【0021】本実施形態は、フォトレジストが塗布され
たウェハ上の各ショット領域に、ステップアンドリピー
ト方式で順次レチクルのパターン像を転写して露光する
投影露光装置、いわゆるステッパーであって、オフアク
シス方式のアライメントセンサを用いてアライメントを
行うものに本発明を適用したものである。
【0022】まず、本実施形態の露光装置の全体構成か
ら説明する。図1に示すように、超高圧の水銀ランプ1
から発生した露光光IL1は、楕円鏡2で反射されてそ
の第2焦点で一度集光した後、コリメータレンズ、干渉
フィルター、オプティカル・インテグレータ(フライア
イレンズ)および開口絞り(σ絞り)等を含む照度分布
均一化光学系3に入射する。また、楕円鏡2の第2焦点
の近傍には、モータ5によって露光光IL1の光路の閉
鎖および開放を行うシャッター(たとえば4枚羽根のロ
ータリーシャッター)4が配置されている。
【0023】なお、露光光IL1としては、上述した水
銀ランプ1等の輝線(i線等)の他にも、KrFエキシ
マレーザ若しくはArFエキシマレーザ等のレーザ光、
または金属蒸気レーザやYAGレーザの高調波等を用い
ることもできる。
【0024】照度分布均一化光学系3から射出されたウ
ェハのフォトレジスト層を感光させる波長域の露光光I
L1は、その大部分がビームスプリッター6を透過し、
この透過光が第1リレーレンズ7、可変視野絞り(レチ
クルブラインド)8および第2リレーレンズ9を通過し
てミラー10に至り、ここでほぼ垂直に下方に反射され
た後、メインコンデンサーレンズ11を介してレチクル
Rのパターン領域PAをほぼ均一な照度分布で照明す
る。レチクルブラインド8の配置面は、レチクルRのパ
ターン形成面と共役関係(結像関係)にある。
【0025】レチクルRは、駆動モータ15によって投
影光学系16の光軸方向に微動可能で、かつ水平面内で
2次元的な移動および微小回転が可能なレチクルステー
ジ12上に載置されている。レチクルステージ12の端
部には、レーザ光波干渉式測長器(以下、単に「干渉
計」と呼ぶ。)13からのレーザビームを反射する移動
鏡13mが固定され、レチクルステージ12の2次元的
な位置は、干渉計13によってたとえば0.01μm程
度の分解能で常時検出されている。
【0026】レチクルR上にはレチクルアライメント系
(不図示)が配置され、これらレチクルアライメント系
は、レチクルRの外周付近に形成された2組のアライメ
ントマークを検出するものである。レチクルアライメン
ト系からの検出信号に基づいてレチクルステージ12を
微動させることで、レチクルRはパターン領域PAの中
心点が光軸AXと一致するように位置決めされる。
【0027】レチクルRのパターン領域PAを通過した
露光光IL1は、両側テレセントリックな投影光学系1
6に入射し、投影光学系16はレチクルRの回路パター
ンを1/5に縮小した投影像を、表面にフォトレジスト
層が形成され、その表面が投影光学系16の結像面とほ
ぼ一致するように保持されたウェハW上の1つのショッ
ト領域に重ね合わせて投影(結像)する。
【0028】図3(a)は、ウェハW上の座標系(x,
y)に沿ってウェハW上に配列されたショット領域ES
1〜ESNを示し、各ショット領域ESi(i=1〜
N)に隣接するストリートラインには、それぞれX方向
用のウェハマークMXi、およびY方向用のウェハマー
クMYiが形成されている。一方のウェハマークMXi
はX方向に所定ピッチで配列されたマルチマークであ
り、他方のウェハマークMYiはY方向に所定ピッチで
配列されたマルチマークである。
【0029】本例では、アライメントをたとえばエンハ
ンストグローバルアライメント(以下、EGAともい
う。)方式で行う。このEGA方式では、それらショッ
ト領域ESiから予め選択されたショット領域(以下、
サンプルショットともいう。)SA1〜SA9について
のみオフアクシス方式のアライメントセンサ27でウェ
ハマークの位置を検出し、その検出結果を統計処理する
ことにより、全てのショット領域の計算上の配列座標を
算出し、この配列座標に基づいて位置合わせを行う。
【0030】図1に戻り、ウェハWは、微小回転可能な
ウェハホルダ(不図示)に真空吸着され、このウェハホ
ルダを介してZステージ17上に保持され、Zステージ
17は、XYステージ18上に載置されている。装置全
体の動作を統轄制御する主制御系14は、駆動モータ2
1を介して、XYステージ18をステップアンドリピー
ト方式で駆動することにより、ウェハWを2次元移動さ
せ、Zステージ17を介してウェハWを投影光学系16
の光軸に平行なZ方向で位置決めする。ちなみに、Zス
テージ17内には、ウェハWの水平出し(レベリング)
を行うレベリングステージも組み込まれている。
【0031】ウェハW上の1つのショット領域に対する
レチクルRの転写露光が終了すると、ウェハWは、XY
ステージ18によって次のショット位置までステッピン
グされる。Zステージ17の端部には、干渉計20から
のレーザビームを反射する移動鏡20mが固定され、Z
ステージ17の2次元的な位置は干渉計20によって、
たとえば0.01μm程度の分解能で常時検出されてい
る。
【0032】また、Zステージ17上には、ベースライ
ン計測時等で用いられる基準マークが形成されたガラス
基板よりなる基準部材19が、その表面の高さがウェハ
Wの露光面の高さとほぼ一致するように設けられてい
る。本例では、Zステージ17でZ方向の位置を変え
て、基準部材19上の基準マーク(フィジューシャルマ
ーク)を後述するオフアクシス方式のアライメントセン
サ27で観測し、撮像された基準マーク像のコントラス
トが最も高くなる位置から、そのアライメントセンサ2
7のベストフォーカス位置を求める。その基準部材19
上の基準マークとしては、ウェハマークと同様のマルチ
マーク等が使用できる。
【0033】また、投影光学系16の結像面の位置は、
たとえばテストプリントや、ウェハ側のステージ内に設
けた発光性のマーク(不図示)等を用いて求めることが
できる。また、基準部材19上の基準マークの位置をア
ライメントセンサ27により検出し、次にTTL(スル
ーザレンズ)方式の観察系(不図示)により投影光学系
16を介してその基準マークの位置を検出することによ
り、投影光学系16の光軸とアライメントセンサ27の
光軸とのずれ量であるベースライン量を求めることがで
きる。そして、アライメントセンサ27でウェハW上の
或るウェハマークの位置を検出し、その検出結果にその
ベースライン量を加算することにより、そのウェハマー
クの属するショット領域を投影光学系16による露光フ
ィールド内に位置合わせすることができる。
【0034】ちなみに、ビームスプリッタ6で反射され
た露光光IL1は、集光レンズ24を介して光電検出器
25で受光され、光電検出器25の光電変換信号が主制
御系14に供給されている。予め光電検出器25での受
光量とウェハWの露光面での露光エネルギーとの関係が
求められており、主制御系14は光電検出器25の光電
変換信号を積算することによりウェハWの積算露光量を
モニタすることができ、これにより露光時間の制御を行
う。
【0035】また本例の投影露光装置には、ウェハWの
露光面の位置を計測するための露光用フォーカス位置検
出系(主AFセンサ)47a,47bが設けられてお
り、この主AFセンサ47a,47b、Zステージ17
および主制御系14によりオートフォーカスが行われ
る。主AFセンサは、投影光学系16の側面に配置され
た送光系47aおよび受光系47bより構成されてい
る。
【0036】次に、本例のオフアクシス方式のアライメ
ントセンサ27(本発明の位置検出装置に相当する。)
の構成につき詳細に説明する。図1に戻り、投影光学系
16の側面に、プリズムミラー26と共にアライメント
センサ27が配置されている。このアライメントセンサ
27において、ハロゲンランプ28からの照明光IL2
は、集光レンズ29を介して光ファイバ30に入射し、
光ファイバ30の他端から射出された照明光IL2は、
レンズ31を介して照明視野絞り板32を照明する。
【0037】図2は照明視野絞り板32の構成を示し、
この図において、照明視野絞り板32は、遮光膜48が
形成された円形のガラス基板よりなり、この遮光膜48
の中央部に矩形開口よりなる照野パターン32aが形成
され、この照野パターン32aの上下にそれぞれ微細な
正方形のパターンを所定ピッチで並べた点列状開口より
なるAFパターン32bおよび32cが形成されてい
る。その中央部の照野パターン32aを通過した照明光
によりウェハ上の検出対象とするウェハマークを含む照
明領域が規定され、その上下のAFパターン32bおよ
び32cの像がそのウェハマークの上下に投影される。
【0038】図1に示すように、照明視野絞り板32の
開口パターンを通過した照明光IL2は、レンズ33、
ハーフプリズム34および対物レンズ35を介してプリ
ズムミラー26に入射し、プリズムミラー26で反射さ
れた照明光がウェハW上のウェハマークの近傍をほぼ垂
直に照射する。この場合、ウェハWの露光面は、照明視
野絞り板32の配置面とほぼ共役となっている。そこ
で、プリズムミラー26の直下にたとえば図3(a)の
サンプルショットSA1に付設されたX方向用のウェハ
マークMXjがあるものとすると、同図(b)に拡大図
で示すように、ウェハマークMXjを囲む矩形の照明領
域65に照明光が照射される。すなわち、照明領域65
は、図2に示す照明視野絞り板32中の照野パターン3
2aと共役となっている。
【0039】図1において、ウェハW上のウェハマーク
からの反射光は、同じ経路を戻ってプリズムミラー2
6、対物レンズ35を介してハーフプリズム34に達
し、ハーフプリズム34で反射された光が、結像レンズ
36を経て指標板37上にウェハマークの像を結像す
る。この指標板37には、X方向用の指標マーク37
a,37b(図4(a)参照)およびY方向用の指標マ
ークが形成されている。これら指標マーク37a,37
bは図4(a)に示すように、それぞれY方向に対応す
る方向に伸びた直線状パターンがX方向に対応する方向
に所定間隔で並設された2本のパターンより構成されて
いる。
【0040】図1において、指標板37は、対物レンズ
35と結像レンズ36とによってウェハWの露光面とほ
ぼ共役な面に配置されている。したがって、ウェハW上
のウェハマークの像は、指標板37上に結像され、指標
板37からの光が、リレー系38、ビームスプリッター
39、リレー系40およびハーフプリズム41を介し
て、それぞれ2次元CCDカメラ等よりなる撮像素子4
2Xおよび42Y(本発明の撮像手段に相当する。)の
撮像面に達する。撮像素子42Xおよび42Yの撮像面
にはそれぞれウェハマークの像と指標マークの像とが結
像される。
【0041】そして、撮像素子42Xおよび42Yから
の撮像信号に基づいて、信号処理系43が指標板37上
の指標マークとウェハマークとの位置ずれ量を検出し、
この位置ずれ量を主制御系14に供給する。
【0042】この際に、撮像素子42Xの走査線の方向
はX方向に対応する方向であり、撮像素子42Yの走査
線の方向はY方向に対応する方向である。そこで、たと
えば図3(a)のサンプルショットSA1のX方向用の
ウェハマークMXjの位置検出は、撮像素子42Xの撮
像信号SXに基づいて行い、Y方向用のウェハマークM
Yjの位置検出は、撮像素子42Yの撮像信号に基づい
て行う。このように指標マークを用いるのは、撮像素子
42Xおよび42Yによる画像のスキャン開始位置のド
リフトの影響を軽減するためである。
【0043】こうしたオフアクシス方式アライメントセ
ンサ27の撮像素子42XによるマークMXjおよび画
像信号波形の様子を、図4〜図8を参照しながらさらに
詳細に説明する。
【0044】図5は、オフアクシス方式のアライメント
センサ27の撮像素子42Xによって検出されたウェハ
マークMXjと画素との関係を示し、図6〜図8はその
ときの画像信号の波形を示す。
【0045】まず図4(a)において、ウェハW上の照
明領域65は、ウェハマークMXjに対応する領域65
cと、ウェハマークMXjの両側での指標板37上の指
標マーク37a,37bに実質的に対応する領域65
a,65bとで構成されている。これらの領域65a,
65bにまで広げてその照明領域65を規定しているの
は、それらの領域65a,65bのウェハからの戻り光
を利用して指標板37上の指標マーク37a,37bを
透過照明しているからである。したがって、指標マーク
37a,37bを照明する光に他のマークや回路パター
ンからのノイズ成分が混入しないように、領域65a,
65bは回路パターンもマークも形成されていない領域
となっており、通常は鏡面状に加工されている。以下、
領域65a,65bのような回路パターンもマークも形
成されていない領域を禁止帯と呼ぶ。
【0046】このときのウェハマークMXj、指標マー
ク37a,37bに対応する撮像素子42Xからの撮像
信号SXの概要を図4(b)に示す。ここで、縦軸は信
号強度を表し、横軸は図1のXYステージ18のX方向
の走査位置を表している。図4(b)に示すように、撮
像素子42Xからの撮像信号は、指標マーク37a,3
7bの位置やウェハマークMXjのエッジに対応する位
置(画素位置)でそれぞれボトムとなる信号波形とな
る。また、Y方向にも指標マークが設けられており、Y
方向のウェハマークMYjの位置は撮像素子42Yによ
り検出される。
【0047】ここで、本実施形態の撮像素子42Xは、
エリアセンサであり、二次元マトリックス状に設けられ
た複数の受光素子群341およびこれらの受光素子34
1に蓄積された電荷を非計測方向(ここでは、同図に示
されるように線条パターンMXjの延在方向をいう。)
に積分して読み出すための水平読み出し部342とを有
し、受光素子群341は駆動回路343によって駆動さ
れ、水平読み出し部342は駆動回路344によって駆
動される。
【0048】この撮像素子42Xでは、ウェハマークM
Xjの5本の線条パターンP〜Pと指標マーク
37a,37bとの像を画素スキャン方向(ここでは、
図5に示されるように線条パターンMXjの延在方向に
垂直な方向という。)に沿って電子的に走査する。この
とき、例えば1本の走査線だけではS/N比の点で不利
なので、まず最初に駆動回路343を駆動して受光素子
群341のマトリックス領域で蓄積された電荷をそれぞ
れ非計測方向に水平読み出し部342へ読み出したの
ち、こうして水平読み出し部342に積分された電荷を
駆動回路344を駆動することにより読み出す。
【0049】撮像素子42Xは、ウェハマークMXjの
明視野像を光電検出しているため、5本の線条パターン
〜Pの夫々の左右の段差エッジでは光の散乱
によって対物レンズ35へ戻る光が極端に減少する。こ
のため、線条パターンP〜Pの夫々の左エッジ、
右エッジは黒い線のように撮像される。従って、画像信
号上の波形は、図6(a)に示すように、左エッジ、右
エッジに対応した位置でボトム状となる。
【0050】特に本実施形態では、図5に示す撮像素子
42Xを用いてウェハマークMXjを電子的に走査する
にあたり、まず最初の走査にて、駆動回路343を駆動
することにより受光素子群341のうち奇数ラインの受
光素子群に蓄積された電荷を水平読み出し部342へ読
み出し(積分し)、この水平読み出し部342へ読み出
された電荷を、駆動回路344を駆動することにより、
図示する+X方向に時系列信号として読み出し出力す
る。そして次の走査にて、駆動回路343を駆動するこ
とにより、今度は受光素子群341のうち偶数ラインの
受光素子群に蓄積された電荷を水平読み出し部342へ
読み出し(積分し)、この水平読み出し部342へ読み
出された電荷を、駆動回路344を駆動することによ
り、今度は図示する−X方向に時系列信号として読み出
し出力する。
【0051】図6(a)に、最初の走査によって得られ
た時系列信号の時間に対する信号強度の関係を示し、図
7(a)に、次の走査によって得られた時系列信号の時
間に対する信号強度の関係を示す。これらは何れも同じ
ウェハマークMXjを撮像したときの出力信号であるこ
とから、最初の走査および次の走査による信号強度レベ
ルはほぼ等しい。
【0052】ここで、ウェハ上のアライメントマークM
Xjからの反射光は、レジスト膜の厚さや下地の材質な
どの影響によってその反射率が大きく相違するため、撮
像素子42Xによって検出されるアライメント画像の明
暗差も大きくなり、その後の画像処理が複雑になる。こ
うした光電変換時のゲインを調整して充分なダイナミッ
クレンジが得られるように、本実施形態の撮像素子42
Xにはオートマティックゲインコントローラ(AGC)
が設けられている。
【0053】したがって、図6(a)および図7(a)
に示す信号強度が2値化処理を行うには微弱すぎる場合
には、かかるオートマティックゲインコントローラAG
Cによってそのゲインが調整され、これにより図6
(a)および図7(a)に示す信号は、それぞれ図6
(b)および図7(b)に示すように所定のスラッシュ
レベルに達する程度の強度を有する時系列信号になる。
【0054】ところが、AGCなどの演算増幅器では、
増幅度(ゲイン調整倍率)が大きくなると周波数特性が
低下するため、増幅度が大きくなるほど演算増幅器の入
出力の位相が遅延する傾向にある。したがって、図6
(a)および図7(a)の時系列信号を図6(b)およ
び図7(b)の時系列信号にゲイン調整したときに、増
幅度に応じた時間的位相誤差Δtが発生する。本実施形
態においても、同図(b)に示されるように、それぞれ
の時系列信号にはΔtの位相誤差が含まれることにな
る。
【0055】しかしながら、図6(b)および図7
(b)の時系列信号それぞれに含まれる時間的位相誤差
Δtを位置座標に変換して考えると、図6(b)に示す
走査では時間軸が+X方向であるのに対し、図7(b)
に示す走査では時間軸が−X方向に相当する。つまり、
2回の走査方向が互いに逆方向であることから、これを
図8に示すように位置座標で合成すると、2ΔXだけ離
れた位置座標波形となる。したがって、互いのピーク値
の座標の平均値を求めれば、時間的位相誤差Δtが除去
された位置座標が得られることになる。
【0056】なお、図5に示す撮像素子42Xは、エリ
アセンサから構成されているが、本発明の位置検出装置
では、ウェハマークMXjの計測方向Xに沿ったライン
センサで構成することもできる。また、こうしたエリア
センサやラインセンサに代えて、少なくとも一つの受光
素子を有する撮像素子42Xを用い、これを計測方向に
沿って移動させることにより、計測方向に対するウェハ
マークMXjの時系列信号を生成し、上述した手順で位
置情報を求めることもできる。
【0057】さらに、上述した例では、ウェハマークM
Xjの計測方向±Xに走査することで2つの時系列信号
を得たのち、これらを合成することで時間的誤差を相殺
するように構成したが、本発明の位置検出装置では、こ
れに代えてルックアップテーブルを用いた情報処理も採
用することができる。
【0058】すなわち、撮像素子42Xからの時系列信
号をAGCなどの演算増幅器で増幅すると時間的位相誤
差が生じるが、この誤差は増幅度に応じた値となるた
め、考えられる増幅度の範囲で増幅度と時間的位相誤差
との関係を予め求めておき、これをテーブルフォーマッ
トなどでメモリに格納しておく。そして、AGCによる
ゲイン調整が行われたら、その調整倍率に応じた時間的
位相誤差をメモリから読み出し、その誤差を補正する。
【0059】この場合、ゲインの調整倍率と時系列信号
の時間的位相誤差との関係をルックアップテーブルに格
納する方法の他、ゲインの調整倍率と位置誤差との関係
をルックアップテーブルに格納する方法であっても良
い。
【0060】ちなみに、その後の処理について説明すれ
ば、信号処理系43は、このような波形に基づいて、予
め選択されたいくつかのマークMXj,MYjの中心の
xおよびy方向の位置Xm,Ymをそれぞれ計算し、そ
して、先に求めておいた指標マーク37a,37bの中
点位置XR,YRとマーク計測位置Xm,Ym
との差ΔX=XR−XmおよびΔY=YR−Y
mを算出し、これらの検出結果を統計処理することによ
り、全てのショット領域の計算上の配列座標を算出し、
この配列座標に基づいて位置合わせを行う。
【0061】なお、以上説明した実施形態は、本発明の
理解を容易にするために記載されたものであって、本発
明を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技
術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨
である。
【0062】たとえば、本発明における露光装置自体の
構成は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、
他のステップアンドスキャン式露光装置、あるいはスキ
ャンステッパその他の露光装置に適用することができ
る。
【0063】また、上述した実施形態では、本発明の位
置検出装置および位置検出方法を、投影レンズから一定
距離だけ離して別設した顕微鏡対物レンズを介してウェ
ハ上のアライメントマークを検出するオフアクシス方式
のアライメント系に適用したが、本発明のアライメント
光学系には、これ以外にも、マスクに形成されたアライ
メントマークとウェハ上のアライメントマークとを投影
レンズを介して同時に観察するTTR( Through The R
eticle)式のアライメント光学系、およびマスクのアラ
イメントセンサは検出しないで投影レンズを介してウェ
ハ上のアライメントマークのみを検出するTTL(Thro
ugh The Lens)式のアライメント光学系が含まれる。
【0064】また、こうした光学的分類以外の、たとえ
ば位置検出原理による分類についても、全てのアライメ
ント光学系が含まれる。たとえば、投影光学系を介して
ウェハに設けられた回折格子状のマークに可干渉性の2
光束を照射し、このマークから発生する干渉縞を検出し
て目的とする位置を求める、いわゆるレーザ干渉アライ
メント方式( Laser Interferometric Alignment)や、
投影光学系を介してウェハに設けられた回折格子状のマ
ークにスリット状のスポット光を照射し、このマークか
ら発生する回折光または散乱光を検出して目的とする位
置を求める、いわゆるレーザステップアライメント方式
( Laser Step Alignment )も含まれる。さらに、基板
ステージの基準面に形成された所定形状の開口パターン
に照射光を導き、投影光学系を介してマスクのパターン
面に形成された照明光による投影像の反射光を、投影光
学系及び開口パターンを介して検出することで目的とす
る位置を求める、いわゆる空間像計測方式(Areal Imag
e Sensor)も含まれる。
【0065】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、計測
対象物からの反射率の相違により光信号のゲインを調整
しても、その調整倍率に拘わらず調整の際に生じる位置
誤差を除去することができ、高精度の位置検出を行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の露光装置の実施形態を示す構成図であ
る。
【図2】図1の照明視野絞り板を示す拡大図である。
【図3】(a)は露光対象とされるウェハのショット配
列を示す平面図、(b)はそのウェハ上のサンプルショ
ットの近傍を示す拡大平面図である。
【図4】(a)は撮像素子で観察されるウェハマークお
よび指標マークを示す図、(b)は(a)に対応する映
像信号を示す波形図である。
【図5】アライメントマークの検出方法を説明するため
の図である。
【図6】図5のアライメント系による位置検出方法を説
明するための信号波形図である。
【図7】図5のアライメント系による位置検出方法を説
明するための信号波形図である。
【図8】図5のアライメント系による位置検出方法を説
明するための信号波形図である。
【符号の説明】
R…レチクル W…ウェハ 16…投影レンズ MXj,MYj…アライメントマーク 42X,42Y…撮像素子(撮像手段101) 43…信号処理系(時系列信号変換手段102、利得調
整手段103、位相誤差除去手段104、位置信号変換
手段105、利得調整倍率出力手段106、位相誤差記
憶手段107、位相誤差選定手段108、位置誤差記憶
手段109、位置誤差選定手段110、位置誤差除去手
段111)
フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA03 AA14 BB28 CC20 FF01 FF04 FF23 GG02 HH17 JJ03 JJ05 JJ26 LL02 LL12 LL30 MM22 PP23 QQ31 UU05 5F046 BA04 CA02 CA03 CA04 CB02 CB03 CB05 CB06 CB14 CB23 CC01 CC02 CC04 CC05 CC06 CC16 DB04 EB01 EB03 ED02 FA10 FB06 FB08 FB09 FB10 FC04 FC06

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 計測対象物からの光信号を時系列信号に
    変換して位置を検出する位置検出装置において、 計測対象物からの光信号を検出する撮像手段と、前記撮
    像手段で検出された光信号を第1の走査により第1の時
    系列信号に変換するとともに前記撮像手段で検出された
    光信号を第2の走査により第2の時系列信号に変換する
    時系列信号変換手段と、前記時系列信号変換手段で得ら
    れた第1および第2の時系列信号のそれぞれの利得を調
    整する利得調整手段と、前記利得調整手段で得られた時
    系列信号を用いて前記利得の調整の際に生じた時間的な
    位相誤差を除去する位相誤差除去手段と、前記位相誤差
    除去手段で得られた時系列信号を位置信号に変換する位
    置信号変換手段と、を備えたことを特徴とする位置検出
    装置。
  2. 【請求項2】 前記撮像手段は、少なくとも位置の計測
    方向に沿って複数の光電変換素子が配列された電荷結合
    素子を含み、前記時系列信号変換手段は、前記光電変換
    素子に入力された光信号を少なくとも前記計測方向の何
    れか一方向に対して電子的に読み出して前記第1の時系
    列信号に変換するとともに、前記光電変換素子に入力さ
    れた光信号を前記計測方向の逆方向に対して電子的に読
    み出して前記第2の時系列信号に変換することを特徴と
    する請求項1記載の位置検出装置。
  3. 【請求項3】 計測対象物からの光信号を時系列信号に
    変換して位置を検出する位置検出装置において、計測対
    象物からの光信号を検出する撮像手段と、前記撮像手段
    で検出された光信号を時系列信号に変換する時系列信号
    変換手段と、前記時系列信号変換手段で得られた時系列
    信号の利得を調整する利得調整手段と、前記利得調整手
    段における前記時系列信号の利得調整倍率を出力する利
    得調整倍率出力手段と、前記時系列信号変換手段で得ら
    れた時系列信号を位置信号に変換する位置信号変換手段
    と、予め求められた利得調整倍率に対する位置信号の誤
    差の関係を記憶する位置誤差記憶手段と、前記位置誤差
    記憶手段に記憶された情報を参照して前記利得調整倍率
    出力手段から出力された利得調整倍率に応じた位置信号
    の誤差を選定する位置誤差選定手段と、前記位置信号変
    換手段で得られた位置信号から前記位置誤差選定手段で
    選定された位置誤差を除去する位置誤差除去手段と、を
    備えたことを特徴とする位置検出装置。
  4. 【請求項4】 マスクに形成されたパターンの像を基板
    に転写する露光装置において、前記マスクおよび前記基
    板の少なくとも一方に設けられたアライメントマークに
    アライメント光を照射するアライメント光学系と、請求
    項1〜3の何れかに記載され、前記アライメントマーク
    からの光信号を時系列信号に変換して前記マスクおよび
    前記基板の少なくとも一方の位置を検出する位置検出装
    置と、を備えたことを特徴とする露光装置。
  5. 【請求項5】 入力された光信号を時系列信号に変換し
    て位置を検出する方法において、入力された光信号を第
    1の走査により第1の時系列信号に変換する過程と、前
    記第1の時系列信号の利得を調整する過程と、入力され
    た光信号を第2の走査により第2の時系列信号に変換す
    る過程と、前記第2の時系列信号の利得を調整する過程
    と、前記利得が調整された第1および第2の時系列信号
    を用いて前記利得の調整の際に生じた時間的な位相誤差
    を除去する過程と、前記時間的な位相誤差が除去された
    時系列信号を位置信号に変換する過程とを有することを
    特徴とする位置検出方法。
  6. 【請求項6】 前記第1の走査は、位置の計測方向に沿
    って入力された光信号を少なくとも前記計測方向の何れ
    か一方向に対して電子的に読み出す走査であり、前記第
    2の走査は、前記計測方向に沿って入力された光信号を
    前記計測方向の逆方向に対して電子的に読み出す走査で
    あることを特徴とする請求項5記載の位置検出方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001065591A1 (fr) * 2000-03-02 2001-09-07 Nikon Corporation Appareil de mesure de position et dispositif d'alignement
JP2004531062A (ja) * 2001-05-14 2004-10-07 ウルトラテック インク 裏側アライメントシステム及び方法

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