JP2000024924A - Sandblast treating device and treating method - Google Patents

Sandblast treating device and treating method

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JP2000024924A
JP2000024924A JP19428698A JP19428698A JP2000024924A JP 2000024924 A JP2000024924 A JP 2000024924A JP 19428698 A JP19428698 A JP 19428698A JP 19428698 A JP19428698 A JP 19428698A JP 2000024924 A JP2000024924 A JP 2000024924A
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JP
Japan
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processing
substrate
sandblasting
sand
resist
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Takeshi Matsumoto
武司 松本
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the cutting efficiency and to improve the abrasion resistance of a mask composed of a resist to the abrasive sand by mounting a heating part for sending a substrate to a sand blasting treating part in a heated state in the sand blasting process. SOLUTION: A substrate to be treated 180 is conveyed from a convey roller 272 side to a processing chamber 205 of a heating part 200. Then the infared ray 220 is irradiated to the front and rear surfaces of the substrate 180 by a panel heater 21 in the treatment chamber 204 while conveying the substrate 180 by a convey roller 271. The substrate 180 heated at a predetermined temperature is conveyed and sent into a treatment chamber 105 of a sand blasting part 100. Then a work piece is selectively cut through a mask by the blasting abrasive sand 118 jetted from a nozzle 110 by the high-pressure air while conveyed by a convey roller 171 at a predetermined speed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスビーズ等の
研磨砂の粉末を高圧空気を用いて噴射させてサンドブラ
スト処理を行うサンドブラスト処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sandblasting apparatus for performing sandblasting by injecting abrasive sand powder such as glass beads using high-pressure air.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、プラズマディスプレイパネル(以
下PDPとも記す)は、その奥行きの薄いこと、軽量で
あること、更に鮮明な表示と液晶パネルに比べ視野角が
広いことにより、種々の表示装置に利用されつつある。
一般に、プラズマディスプレイパネル(PDP)は、2
枚の対向するガラス基板にそれぞれ規則的に配列した一
対の電極を設け、その間にネオン、キセノン等を主体と
するガスを封入した構造となっている。そして、これら
の電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放
電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を
行うようにしている。特に情報表示をするためには、規
則的に並んだセルを選択的に放電発光させている。
2. Description of the Related Art In recent years, plasma display panels (hereinafter, also referred to as PDPs) have been used in various display devices because of their small depth, light weight, clear display, and wide viewing angle compared to liquid crystal panels. It is being used.
Generally, a plasma display panel (PDP) has two
A pair of regularly arranged electrodes are provided on a pair of opposed glass substrates, and a gas mainly containing neon, xenon, or the like is sealed between the pair of electrodes. Then, a voltage is applied between these electrodes, and a discharge is generated in minute cells around the electrodes, so that each cell emits light and display is performed. In particular, in order to display information, regularly arranged cells are selectively discharged to emit light.

【0003】ここで、PDPの構成を、図7に示すAC
型PDPの1例を挙げて説明しておく。図7はPDP構
成斜視図であるが、分かり易くするため前面板(ガラス
基板710)、背面板(ガラス基板720)とを実際よ
り離して示してある。図7に示すように、2枚のガラス
基板710、720が互いに平行に且つ対向して配設さ
れており、両者は背面板となるガラス基板720上に互
いに平行に設けられた障壁(セル障壁とも言う)730
により、一定の間隔に保持されている。前面板となるガ
ラス基板710の背面側には、放電維持電極である透明
電極740とバス電極である金属電極750とで構成さ
れる複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って、
誘電体層760が形成されており、更にその上に保護層
(MgO層)770が形成されている。また、背面板と
なるガラス基板720の前面側には前記複合電極と直交
するように障壁730間に位置してアドレス電極780
が互いに平行に形成されており、更に障壁730の壁面
とセル底面を覆うように螢光体790が設けられてい
る。障壁730は放電空間を区画するためのもので、区
画された各放電空間をセルないし単位発光領域と言う。
このAC型PDPは面放電型であって、前面板上の複合
電極間に交流電圧を印加して、放電させる構造である。
この場合、交流をかけているために電界の向きは周波数
に対応して変化する。そして、この放電により生じる紫
外線により螢光体790を発光させ、前面板を透過する
光を観察者が視認できるものである。なお、DC型PD
Pにあっては、電極は誘電体層で被膜されていない構造
を有する点でAC型と相違するが、その放電効果は同じ
である。また、図7に示すものは、ガラス基板720の
一面に下地層767を設けその上に誘電体層765を設
けた構造となっているが、下地層767、誘電体層76
5は必ずしも必要としない。
Here, the configuration of the PDP is shown in FIG.
An example of the type PDP will be described. FIG. 7 is a perspective view of the PDP structure, but shows the front plate (glass substrate 710) and the rear plate (glass substrate 720) apart from the actual case for easy understanding. As shown in FIG. 7, two glass substrates 710 and 720 are disposed in parallel and opposed to each other, and both are provided on a glass substrate 720 serving as a back plate in parallel with each other (cell barrier). 730)
Are held at regular intervals. On the back side of the glass substrate 710 serving as a front plate, composite electrodes composed of a transparent electrode 740 serving as a discharge sustaining electrode and a metal electrode 750 serving as a bus electrode are formed in parallel with each other.
A dielectric layer 760 is formed, and a protective layer (MgO layer) 770 is further formed thereon. In addition, on the front side of a glass substrate 720 serving as a back plate, an address electrode 780 is positioned between barriers 730 so as to be orthogonal to the composite electrode.
Are formed in parallel with each other, and a phosphor 790 is provided so as to cover the wall surface of the barrier 730 and the cell bottom surface. The barrier 730 is for defining a discharge space, and each partitioned discharge space is called a cell or a unit light emitting region.
This AC type PDP is a surface discharge type, and has a structure in which an AC voltage is applied between composite electrodes on the front panel to discharge.
In this case, since the alternating current is applied, the direction of the electric field changes according to the frequency. Then, the phosphor 790 is caused to emit light by the ultraviolet light generated by the discharge, and the light transmitted through the front plate can be visually recognized by an observer. In addition, DC type PD
In the case of P, the electrode is different from the AC type in that the electrode has a structure not coated with the dielectric layer, but the discharge effect is the same. 7 has a structure in which a base layer 767 is provided on one surface of a glass substrate 720 and a dielectric layer 765 is provided thereon, but the base layer 767 and the dielectric layer
5 is not necessarily required.

【0004】そして、従来、上記PDPに使用する背面
板の障壁の形成方法としては、ガラス基板上に障壁形成
材料を障壁パターン形状に、スクリーン印刷にて複数回
繰り返して重ねて印刷して所要の高さに積み上げ、乾燥
させる第1の方法(スクリーン印刷法と呼ばれる)、あ
るいは、ガラス基板上に障壁形成材料を全面に塗布した
後、塗布面上にサンドブラストに耐性を有するレジスト
を所定形状にパターニング形成し、該レジストをマスク
としてサンドブラストにより障壁形成材料を所定形状に
形成する第2の方法(サンドブラスト法と呼ばれる)が
採られていた。しかし、上記第1の方法によるPDPに
使用する背面板の障壁形成においては、障壁としての所
定の厚さを得るには、数回〜10数回程度のペーストの
スクリーン印刷が必要で手間がかかる上に、印刷精度の
管理が必要となり、品質的にも満足のいくものを得るこ
とが難しく、現在では、第2の方法が主流となってい
る。
[0004] Conventionally, as a method of forming a barrier of a back plate used in the above-mentioned PDP, a barrier forming material is repeatedly printed on a glass substrate in a barrier pattern shape by screen printing a plurality of times, and a required pattern is formed. The first method of stacking and drying at a height (called a screen printing method), or applying a barrier-forming material over the entire surface of a glass substrate and then patterning a resist having sandblast resistance on the applied surface into a predetermined shape A second method (called a sandblast method) of forming a barrier-forming material into a predetermined shape by sandblasting using the resist as a mask has been employed. However, in forming the barrier of the back plate used in the PDP by the first method, it is necessary to screen-print the paste several times to several tens times to obtain a predetermined thickness as the barrier, which is troublesome. In addition, it is necessary to control the printing accuracy, and it is difficult to obtain satisfactory printing quality. At present, the second method is mainly used.

【0005】ここで、第2の方法(サンドブラスト法)
による障壁の形成の1例を図5に挙げて、サンドブラス
ト法による障壁形成方法を、更に説明しておく。図5
(a)に示すように、ガラス基板510の一面上に下引
き層520を介して電極配線530を形成した後、該電
極配線530上に、ガラス基板510面を覆うように、
更に、誘電体層550を形成する。次いで、誘電体層5
50上全面に、障壁形成用の低融点ガラスペーストから
なる加工用素材560を塗布した(図5(b))後、加
工用素材560上に、サンドブラスト処理に耐性のある
感光性のレジスト540を配設し(図5(c))、次い
で、形成する障壁の形状に対応した所定形状の絵柄を有
するフォトマスクを用いて、レジスト540の所定領域
のみを露光し、これを現像して、所定形状にパターン化
する。(図5(d)) そして、レジスト540を加工用素材560をサンドブ
ラスト処理する際のマスクとして、サンドブラスト処理
を行い、マスクから露出している加工用素材560のみ
を切削して、所定の形状にする。(図5(e)) この後、レジスト540を除去して、焼成処理を施して
障壁560Aを誘電体層550上に形成する。(図5
(f))
Here, the second method (sand blast method)
FIG. 5 shows an example of the barrier formation by the sand blast method, and the barrier formation method by the sand blast method will be further described. FIG.
As shown in (a), after the electrode wiring 530 is formed on one surface of the glass substrate 510 via the undercoat layer 520, the electrode wiring 530 is formed on the surface of the glass substrate 510 so as to cover the surface of the glass substrate 510.
Further, a dielectric layer 550 is formed. Next, the dielectric layer 5
After applying a processing material 560 made of a low-melting glass paste for forming a barrier over the entire surface on the top 50 (FIG. 5B), a photosensitive resist 540 resistant to sandblasting is applied on the processing material 560. Then, only a predetermined region of the resist 540 is exposed using a photomask having a pattern of a predetermined shape corresponding to the shape of a barrier to be formed, and is developed to form a predetermined region. Pattern into shape. (FIG. 5D) Then, the resist 540 is used as a mask when the processing material 560 is subjected to sandblasting, and sandblasting is performed, and only the processing material 560 exposed from the mask is cut into a predetermined shape. I do. (FIG. 5E) Thereafter, the resist 540 is removed and a baking process is performed to form a barrier 560A on the dielectric layer 550. (FIG. 5
(F))

【0006】第2の方法によるPDPに使用する背面板
となるガラス基板への障壁形成においては、ガラス基板
上に塗膜された障壁形成用材料をサンドブラストに耐性
のあるマスクで覆い、複数本のノズルからガラスビーズ
等の研磨砂を高圧空気にて吹きつけ、マスクから露出し
た部分を選択的に切削して障壁を形成していた。通常、
図6に示すような、支持するシャフト611を介してブ
ラストノズル610が処理室605内に入れられ、シャ
フト611を処理室605の天井691に設けられたス
リット695に沿い移動させることにより、ブラストノ
ズル位置を移動させるサンドブラスト処理装置を用い
て、各種サイズの処理基板をサンドブラスト処理してい
た。このようなサンドブラスト処理装置においては、切
削効率が高いことは重要で、従来、研磨砂の雰囲気の水
分(湿気)等による凝集による切削効率の低下を避ける
為、研磨砂を加熱した状態で使用し、これにより切削効
率の低下を防ぐ方法が採られていた。しかし、量産性の
面から、より切削効率の良い方法が求められていた。一
方、研磨砂に対するレジストの耐磨耗性にも問題があ
り、この対応が求められていた。
In forming a barrier on a glass substrate serving as a back plate used in a PDP by the second method, a barrier-forming material coated on the glass substrate is covered with a sandblast-resistant mask to form a plurality of barriers. Polishing sand such as glass beads was blown from a nozzle with high-pressure air, and a portion exposed from the mask was selectively cut to form a barrier. Normal,
As shown in FIG. 6, a blast nozzle 610 is inserted into the processing chamber 605 via a supporting shaft 611, and the blast nozzle 610 is moved along a slit 695 provided in a ceiling 691 of the processing chamber 605. A processing substrate of various sizes has been subjected to sandblasting using a sandblasting apparatus that moves the position. In such a sandblasting apparatus, it is important that the cutting efficiency is high. Conventionally, in order to avoid a decrease in the cutting efficiency due to agglomeration due to moisture (moisture) in the atmosphere of the polishing sand, the polishing sand is used in a heated state. Thus, a method for preventing a reduction in cutting efficiency has been adopted. However, from the viewpoint of mass productivity, a method with higher cutting efficiency has been demanded. On the other hand, there is also a problem with the abrasion resistance of the resist against polishing sand, and this measure has been demanded.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、PDP
に使用する背面板の障壁形成をサンドブラスト法により
行う場合、量産性の面から、より切削効率の良いサンド
ブラスト処理方法が求められ、且つ、研磨砂に対するレ
ジストの耐磨耗性の向上が求められていた。本発明は、
これに対応するもので、処理面側に加工用素材を設け、
更にその上に所定形状のレジストからなるマスクを設け
た処理基板に対する、サンドブラスト処理方法におい
て、切削効率が良く、研磨砂に対するレジストからなる
マスクの耐磨耗性を向上ができるサンドブラスト処理方
法を提供しようとするものである。
As described above, the PDP
When forming a barrier of the back plate used for sandblasting by a sandblasting method, a sandblasting method with higher cutting efficiency is required from the viewpoint of mass productivity, and an improvement in the abrasion resistance of the resist against polishing sand is required. Was. The present invention
In response to this, a processing material is provided on the processing surface side,
Further, in a sand blasting method for a processing substrate provided with a mask made of a resist of a predetermined shape, a sand blasting method capable of improving the cutting efficiency and improving the abrasion resistance of the mask made of the resist against abrasive sand is provided. It is assumed that.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のサンドブラスト
処理装置は、処理面側に加工用素材を設け、更にその上
に所定形状のレジストからなるサンドブラスト処理に耐
性のあるマスクを設けた処理基板に対して、サンドブラ
スト処理を行う装置であって、処理室内において、ブラ
ストノズル位置を移動させ、且つ、処理基板に対し、処
理基板の処理面側に設けられた前記マスクを介して、高
圧空気により研磨砂をブラストノズルから吹き付けて、
処理基板上の加工用素材を選択的に切削除去するサンド
ブラスト処理部と、サンドブラスト処理を行う際に、サ
ンドブラスト処理部に、処理基板を加熱した状態で送り
込む加熱部とを備えていることを特徴とするものであ
る。そして、上記において、処理基板がプラズマディス
プレイ用の基板で、加工用素材が障壁形成用等の低融点
ガラスペーストからなることを特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a sand blasting apparatus for processing a substrate having a processing material provided on a processing surface side and a mask having a resist having a predetermined shape, which is resistant to sand blasting. On the other hand, it is an apparatus for performing a sand blasting process, in which a blast nozzle position is moved in a processing chamber, and a processing substrate is polished by high-pressure air through the mask provided on a processing surface side of the processing substrate. Spray the sand from the blast nozzle,
A sand blast processing unit that selectively cuts and removes a processing material on a processing substrate, and a heating unit that sends the processing substrate in a heated state to the sand blast processing unit when performing sand blast processing, Is what you do. In the above, the processing substrate is a substrate for a plasma display, and the processing material is a low-melting glass paste for forming a barrier or the like.

【0009】本発明のサンドブラスト処理方法は、処理
面側に加工用素材を設け、更にその上に所定形状のレジ
ストからなるサンドブラスト処理に耐性のあるマスクを
設けた処理基板に対する、サンドブラスト処理方法であ
って、サンドブラスト処理を行う際に、サンドブラスト
処理部に、処理基板を加熱した状態で送り込むことを特
徴とするものである。そして、上記において、処理基板
がプラズマディスプレイ用の基板で、加工用素材が障壁
形成用等の低融点ガラスペーストからなることを特徴と
するものである。尚、ここでいう加熱とは、加工用素材
(切削層)の水分が減少し、加熱しない場合に比べ、切
削効率を上げることができるような加熱処理で、且つ、
レジストを軟化させて、レジストからなるマスクの耐磨
耗性を向上させる加熱処理である。
The sand blasting method of the present invention is a sand blasting method for a processing substrate provided with a processing material on a processing surface side and further provided with a mask made of a resist having a predetermined shape and resistant to sand blasting. When performing the sand blasting process, the processing substrate is fed into the sand blasting processing section in a heated state. In the above, the processing substrate is a substrate for a plasma display, and the processing material is a low-melting glass paste for forming a barrier or the like. Here, the heating is a heating treatment in which the water content of the working material (cutting layer) is reduced and cutting efficiency can be increased as compared with the case where no heating is performed.
This is a heat treatment for softening the resist and improving the wear resistance of the resist mask.

【0010】[0010]

【作用】本発明のサンドブラスト処理装置は、このよう
な構成にすることにより、処理面側に加工用素材を設
け、更にその上に所定形状のレジストからなるマスクを
設けた処理基板に対する、サンドブラスト処理方法にお
いて、切削効率が良く、研磨砂に対するレジストからな
るマスクの耐磨耗性を向上ができるサンドブラスト処理
装置の提供を可能としている。具体的には、処理室内に
おいて、ブラストノズル位置を移動させ、且つ、処理基
板に対し、処理基板の処理面側に設けられた前記マスク
を介して、高圧空気により研磨砂をブラストノズルから
吹き付けて、処理基板上の加工用素材を選択的に切削除
去するサンドブラスト処理部と、サンドブラスト処理を
行う際に、サンドブラスト処理部に、処理基板を加熱し
た状態で送り込む加熱部とを備えていることにより、こ
れを達成している。PDP用の基板の障壁形成等に用い
られる、支持するシャフトを介してブラストノズルが処
理室内に入れられ、シャフトを処理室の天井に設けられ
たスリットに沿い移動させる方式のサンドブラスト装置
にも、簡単に適用できる。特に、処理基板がプラズマデ
ィスプレイ用の基板で、加工用素材が障壁形成用等の低
融点ガラスペーストからなる場合には、有効で、結果、
PDP用の基板のサンドブラスト処理の量産、品質向上
が期待できる。
According to the sand blasting apparatus of the present invention having such a structure, a processing material is provided on the processing surface side, and a sand blast processing is performed on a processing substrate on which a mask made of a resist having a predetermined shape is further provided. According to the method, it is possible to provide a sand blasting apparatus capable of improving the cutting efficiency and improving the abrasion resistance of a mask made of a resist against abrasive sand. Specifically, in the processing chamber, the position of the blast nozzle is moved, and the processing substrate is blown with abrasive sand from the blast nozzle by high-pressure air through the mask provided on the processing surface side of the processing substrate. By providing a sand blast processing unit that selectively cuts and removes the processing material on the processing substrate, and a heating unit that sends the processing substrate in a heated state to the sand blast processing unit when performing the sand blast processing, This has been achieved. A blast nozzle is inserted into a processing chamber via a supporting shaft used for forming a barrier of a PDP substrate, etc., and a sand blasting apparatus in which the shaft is moved along a slit provided on a ceiling of the processing chamber is also easy. Applicable to In particular, when the processing substrate is a substrate for a plasma display and the processing material is made of a low-melting glass paste for forming a barrier or the like, it is effective.
Mass production and quality improvement of sandblasting of PDP substrates can be expected.

【0011】本発明のサンドブラスト処理方法は、この
ような構成にすることにより、切削効率が良く、研磨砂
に対するレジストからなるマスクの耐磨耗性を向上がで
きるサンドブラスト処理方法の提供を可能としている。
特に、処理基板がプラズマディスプレイ用の基板で、加
工用素材が障壁形成用等の低融点ガラスペーストからな
る場合には、有効である。
The sand blasting method of the present invention having such a structure makes it possible to provide a sand blasting method which has a high cutting efficiency and can improve the abrasion resistance of a mask made of a resist against abrasive sand. .
This is particularly effective when the processing substrate is a substrate for a plasma display and the processing material is a low-melting glass paste for forming a barrier or the like.

【0012】加熱処理する第1の理由は、処理基板を加
熱することにより、サンドブラスト加工する加工用素材
(切削層)の水分が減少し、加熱しない場合に比べ、切
削効率が向上するためである。通常、PDP用の基板
(背面板)の障壁形成用のペーストは、低融点ガラスフ
リット、フィラー(アルミナ、ジルコニア等)、顔料、
樹脂、溶剤からなり、処理基板上に塗布され、乾燥され
た後、水分を含むもので、これにより、サンドブラスト
処理における切削効率が低下する場合がある。また、第
2の理由は、レジストが軟化することによりマスクとし
ての耐磨耗性が向上するためである。PDP用の基板
(背面板)の作製においては、その障壁形成用等に用い
られるレジストは、ネガ型のアルカリ可溶の市販のドラ
イフィルムレジスト(例えば、東京応化工業株式会社製
のBF−603)が用いられる。尚、ドライフィルムレ
ジストは、通常、ベースフィルム上にレジストを形成
し、カバーフィルムにて覆った形態で市販されているも
ので、カバーフィルムを剥がし、レジスト部をベースフ
ィルムとともに処理基板のペースト側にラミネートして
使用するが、処理基板へのレジスト形成が、作業性の面
から有利で採られている。現像処理はベースフィルムを
剥がした状態で行う。この場合、レジストが軟化して、
耐磨耗性が向上する温度としては、特に、80°C〜1
00°Cが好ましい。尚、60°C〜180°Cでも効
果を得られる。
The first reason for performing the heat treatment is that by heating the processing substrate, the water content of the processing material (cutting layer) to be sandblasted is reduced, and the cutting efficiency is improved as compared with the case where no heating is performed. . Usually, the paste for forming the barrier of the substrate (back plate) for PDP is a low melting glass frit, a filler (alumina, zirconia, etc.), a pigment,
It is made of resin and solvent, applied on a processing substrate, dried, and then contains water, which may reduce the cutting efficiency in sandblasting. The second reason is that the softening of the resist improves the wear resistance as a mask. In the production of a substrate (back plate) for PDP, a resist used for forming a barrier thereof is a negative type alkali-soluble commercially available dry film resist (for example, BF-603 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.). Is used. Incidentally, the dry film resist is usually a commercially available form in which a resist is formed on a base film and covered with a cover film.The cover film is peeled off, and the resist portion is put together with the base film on the paste side of the processing substrate. Laminates are used, but resist formation on the processing substrate is advantageously employed from the viewpoint of workability. The development is performed with the base film removed. In this case, the resist softens,
The temperature at which the wear resistance is improved is, in particular, 80 ° C to 1 ° C.
00 ° C is preferred. The effect can be obtained even at 60 ° C to 180 ° C.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明のサンドブラスト処理装置
の実施の形態の1例を挙げ、図に基づいて説明する。図
1は本発明のサンドブラスト処理装置を簡略化して示し
た構成図で、図2はサンドブラスト処理部の概略断面図
で、図3は加熱部の概略図で、図4はパネルヒータの配
列の基板の関係を図示した図である。尚、図2(b)は
図2(a)のB1−B2側からみた図で、図3(a)は
図1のA0側からみた一部の透視図図で、図3(b)は
図3(a)C0側からみた一部透視図である。図1〜図
3中、100はサンドブラスト処理部、105は処理
室、110はブラストノズル、111はシャフト(研磨
砂配管でもある)、113はシャフト固定部、115は
シャフト搬送部、117は吹き出し口部、118は研磨
砂、120は搬送プレート、121はベアリング部、1
30はスライドウエイ、170は搬送ロール、180は
基板、190は処理室壁部、191は天井、195はス
リット、200は加熱部、205は処理室、210はパ
ネルヒーター、211はパネルヒータ保持部、220は
赤外線、230はモータ、271、272は搬送ロー
ル、290は処理室壁部である。本発明のサンドブラス
ト処理装置は、加工用素材が障壁形成用等の低融点ガラ
スペーストからなる、プラズマディスプレイ用の基板を
作製する際に用いられるサンドブラスト処理装置で、処
理面側の加工用素材上に所定形状のドライフィルムレジ
スト(例えば、東京応化工業株式会社製のBF−60
3)からなるサンドブラスト処理用マスクを設けた処理
基板に対して、サンドブラスト処理を行う装置である。
そして、処理基板に対し、処理基板の処理面側に設けら
れた前記マスクを介して、加工用素材を選択的に切削加
工するサンドブラスト処理部100と、サンドブラスト
処理を行う際に、サンドブラスト処理部100に、処理
基板180を加熱した状態で送り込む加熱部200とを
備えている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a sandblasting apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a simplified structural view of a sandblasting apparatus of the present invention, FIG. 2 is a schematic sectional view of a sandblasting section, FIG. 3 is a schematic view of a heating section, and FIG. FIG. 2B is a diagram viewed from the B1-B2 side in FIG. 2A, FIG. 3A is a perspective view of a part viewed from the A0 side in FIG. 1, and FIG. FIG. 3A is a partial perspective view seen from the C0 side. 1 to 3, reference numeral 100 denotes a sand blast processing unit, 105 denotes a processing chamber, 110 denotes a blast nozzle, 111 denotes a shaft (also a polishing sand pipe), 113 denotes a shaft fixing unit, 115 denotes a shaft transporting unit, and 117 denotes an outlet. Part, 118 is abrasive sand, 120 is a transport plate, 121 is a bearing part, 1
Reference numeral 30 denotes a slideway, 170 denotes a transport roll, 180 denotes a substrate, 190 denotes a processing chamber wall, 191 denotes a ceiling, 195 denotes a slit, 200 denotes a heating section, 205 denotes a processing chamber, 210 denotes a panel heater, and 211 denotes a panel heater holding section. , 220 is an infrared ray, 230 is a motor, 271 and 272 are transport rolls, and 290 is a processing chamber wall. The sand blast processing apparatus of the present invention is a sand blast processing apparatus used when manufacturing a substrate for a plasma display, in which a processing material is formed of a low-melting glass paste for forming a barrier, etc., on a processing material on a processing surface side. Dry film resist of predetermined shape (for example, BF-60 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
This is an apparatus for performing sandblasting on a processing substrate provided with the sandblasting mask according to 3).
Then, a sand blast processing unit 100 that selectively cuts a processing material through the mask provided on the processing surface side of the processing substrate, and a sand blast processing unit 100 that performs sand blast processing on the processing substrate. And a heating unit 200 for feeding the processing substrate 180 in a heated state.

【0014】加熱部200は、処理基板180の加工用
素材、マスク側を上側にして搬送ロール271上に処理
基板180を載せ、処理基板180の表裏に上下のパネ
ルヒーター210により赤外線220を照射し、加熱処
理を行うもので、図3に示すような構造をしている。搬
送ロール271はモータ230により駆動され回転す
る。尚、図3は全体を分かり易く示したもので、上側の
要部のみを透視して示してある。更に具体的には、図4
に示すように、加熱部200は、1枚が120mm□
で、200Wのパネルヒーター210を、基板進行方向
に7枚、基板の幅方向に11枚(合計77枚)を格子状
に20mm間隔をあけて並べているが、これは処理基板
の搬送速度や処理基板のサイズに合わたものである。処
理基板の搬送速度や処理基板のサイズに合わせ、使用す
るパネルヒーターの枚数やパネルヒーターの出力/1枚
を選択することが好ましい。
The heating section 200 places the processing substrate 180 on the transport roll 271 with the processing material of the processing substrate 180 and the mask side facing upward, and irradiates infrared rays 220 to the front and back of the processing substrate 180 with the upper and lower panel heaters 210. , And a heat treatment, and has a structure as shown in FIG. The transport roll 271 is driven and rotated by the motor 230. FIG. 3 shows the whole in an easy-to-understand manner, and shows only the main part on the upper side. More specifically, FIG.
As shown in FIG.
In this example, seven 200 W panel heaters 210 are arranged in a substrate traveling direction and eleven in a width direction of the substrate (a total of 77) are arranged in a grid pattern at an interval of 20 mm. It matches the size of the substrate. It is preferable to select the number of panel heaters to be used and the output of the panel heaters / sheet according to the transfer speed of the processing substrate and the size of the processing substrate.

【0015】サンドブラスト部100は、処理室内10
5において、ブラストノズル110位置を移動させ、且
つ、処理基板に対し、処理基板の処理面側に設けられた
前記マスクを介しを介して、高圧空気により研磨砂をブ
ラストノズルから吹き付けて、処理基板上の加工用素材
を選択的に切削除去するものである。サンドブラスト部
100は、図2(a)に示すように、ブラストノズル1
10部を、シャフト搬送部115に固定されたシャフト
111に支持して、処理室105内に吊り、且つ、シャ
フト111を処理室105の天井191に設けられたス
リット195に沿い移動させることにより、ブラストノ
ズル110を往復移動させるものである。図2(b)に
示すように、ブラストノズル110の下側に、吹き出し
口117を設け、研磨砂118を高圧エアーにより吹き
出して、処理基板180に当てて、加工用素材を選択的
に切削する。シャフト111は矢印B3(図2(b))
の方向に往復移動する。図2(a)中、搬送プレート1
20は、精密研磨されたベアリング121と一体で、シ
ャフト搬送部115を一体的に支持するもので、スライ
ドウエイ130に沿い移動することにより、シャフト搬
送部115に支持されたシャフト111をスリット19
5に沿い移動させるものである。また、スライドウエイ
130は、天井191に固定されているが、特にこれに
限定はされなく、他に固定しても良い。
The sandblasting section 100 is provided in the processing chamber 10.
5, the position of the blast nozzle 110 is moved, and polishing sand is blown from the blast nozzle with high-pressure air to the processing substrate through the mask provided on the processing surface side of the processing substrate. This is for selectively cutting and removing the above processing material. As shown in FIG. 2A, the sand blast unit 100
By supporting the ten parts on a shaft 111 fixed to the shaft transport unit 115, suspending the ten parts in the processing chamber 105, and moving the shaft 111 along a slit 195 provided in a ceiling 191 of the processing chamber 105, The blast nozzle 110 is reciprocated. As shown in FIG. 2B, a blowout port 117 is provided below the blast nozzle 110, and abrasive sand 118 is blown out by high-pressure air, and is applied to a processing substrate 180 to selectively cut a processing material. . The shaft 111 is indicated by an arrow B3 (FIG. 2B).
Reciprocate in the direction of. In FIG. 2A, the transport plate 1
Reference numeral 20 denotes an integral part of the precision polished bearing 121, which integrally supports the shaft transporting part 115. The shaft 111 supported by the shaft transporting part 115 is moved along the slideway 130 to form a slit 19.
It moves along 5. Further, the slideway 130 is fixed to the ceiling 191, but is not particularly limited thereto, and may be fixed to another.

【0016】尚、搬送ロール271、171は、それぞ
れ、各処理に合った速度で搬送できるように、それぞ
れ、独立して、その搬送速度が制御されるようになって
いる。
The transport speed of each of the transport rollers 271 and 171 is independently controlled so that the transport can be performed at a speed suitable for each process.

【0017】次に、本発明のサンドブラスト処理方法の
実施の形態の1例を説明する。本例は、加工用素材が障
壁形成用等の低融点ガラスペーストからなるプラズマデ
ィスプレイ用の基板を、処理基板とするもので、図1に
示す装置を用いてその処理を実施するものである。以
下、図1〜図3に基づいて本例を説明する。同時に、こ
れを以て、図1に示す装置の動作説明にも代える。次い
で、本発明のサンドブラスト処理方法として、図1に示
す装置を用いて実施する1例を挙げる。先ず、処理基板
180を搬送ロール272側から加熱部200の処理室
205内へ搬送する。引き続き、処理基板180を搬送
ロール271しながら、処理室205内において、その
表裏面にパネルヒーター210により赤外線220を照
射して加熱する。処理基板180は、加熱部200の処
理室1205内に入れられ、搬送ロール271により搬
送されながら、サンドブラスト部100側に向かうが、
加熱部200の処理室205内において、上下に設けら
れた、赤外線220を照射するパネルヒーター210に
より、その表裏面から熱を受けて加熱される。次いで、
所定の温度に加熱された処理基板180は、サンドブラ
スト処理部100の処理室105へと搬送されて送り込
まれる。そして、搬送ロール171にて、所定の速度で
搬送されながら、その加工用素材が、ノズル110より
高圧エアーにより吹きだされる研磨砂118により、マ
スクを介して選択的に切削される。本例の場合は、処理
基板がPDP用の基板で、加工用素材が障壁形成用等の
低融点ガラスペーストからなり、サンドブラスト処理用
のマスクとして東京応化工業株式会社製のBF−603
ドライフィルムレジストを用いているため、サンドブラ
スト効率とマスクの耐磨耗製の面から、処理基板180
の加熱温度を80〜100°Cに抑えて行うが、加熱温
度としては、加熱しない場合に比べ、加熱により加工用
素材(切削層)の水分が減少し、且つ、マスクの耐磨耗
性の向上が見込まれる範囲の温度であれば、その効果が
期待できる。
Next, an example of an embodiment of the sandblasting method of the present invention will be described. In this example, a substrate for a plasma display made of a low-melting glass paste for forming a barrier or the like is used as a processing substrate, and the processing is performed using the apparatus shown in FIG. Hereinafter, this example will be described with reference to FIGS. At the same time, the description of the operation of the apparatus shown in FIG. Next, as an example of the sand blasting method of the present invention, an example of implementing the method using the apparatus shown in FIG. 1 will be described. First, the processing substrate 180 is transported from the transport roll 272 side into the processing chamber 205 of the heating unit 200. Subsequently, the front and back surfaces of the processing substrate 205 are irradiated with infrared rays 220 by the panel heater 210 and heated while the processing substrate 180 is being transported by the transfer roll 271. The processing substrate 180 is placed in the processing chamber 1205 of the heating unit 200 and heads toward the sandblasting unit 100 while being transported by the transport roll 271.
In the processing chamber 205 of the heating unit 200, the panel heaters 210 irradiating infrared rays 220 provided above and below receive heat from the front and back surfaces and are heated. Then
The processing substrate 180 heated to a predetermined temperature is transported and sent to the processing chamber 105 of the sandblast processing unit 100. Then, while being transported at a predetermined speed by the transport rolls 171, the processing material is selectively cut through a mask by abrasive sand 118 blown out from nozzles 110 by high-pressure air. In the case of this example, the processing substrate is a substrate for PDP, the processing material is a low melting point glass paste for forming a barrier or the like, and BF-603 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. is used as a mask for sandblasting.
Since a dry film resist is used, the processing substrate 180 is required in view of sandblasting efficiency and abrasion resistance of the mask.
The heating temperature is reduced to 80 to 100 ° C., but the heating temperature is lower than that in the case where no heating is performed. The effect can be expected if the temperature is within the range where improvement is expected.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明は、上記のように、処理面側に加
工用素材を設け、更にその上に所定形状のレジストから
なるマスクを設けた処理基板に対する、サンドブラスト
処理方法において、切削効率が良く、研磨砂に対するレ
ジストからなるマスクの耐磨耗性を向上ができるサンド
ブラスト処理方法の提供を可能とした。同時に、そのよ
うな処理を行うことができるサンドブラスト処理装置の
提供を可能とした。特に、PDPに使用する背面板の障
壁等をサンドブラスト法にて形成する際の、サンドブラ
スト処理装置に本発明を適用した場合には、特に有効で
ある。結果として、PDP用の基板の量産面、品質面に
も対応できるものとしている。
As described above, the present invention provides a sandblasting method for a processing substrate provided with a processing material on the processing surface side and further provided with a mask made of a resist having a predetermined shape. It is possible to provide a sandblasting method capable of improving the abrasion resistance of a mask made of a resist against polishing sand. At the same time, it has become possible to provide a sandblasting apparatus capable of performing such processing. In particular, it is particularly effective when the present invention is applied to a sandblasting apparatus when forming a barrier or the like of a back plate used for a PDP by a sandblasting method. As a result, it is possible to cope with mass production and quality of PDP substrates.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のサンドブラスト処理装置の実施の形態
の1例の概略構成図
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an example of an embodiment of a sandblasting apparatus of the present invention.

【図2】サンドブラスト処理部の概略図FIG. 2 is a schematic diagram of a sand blast processing unit.

【図3】加熱部の一部透視図FIG. 3 is a partial perspective view of a heating unit.

【図4】パネルヒーターを説明するための図FIG. 4 is a diagram for explaining a panel heater;

【図5】サンドブラスト処理による障壁の形成を説明す
るための図
FIG. 5 is a diagram for explaining formation of a barrier by sandblasting.

【図6】従来のサンドブラスト装置を説明するための図FIG. 6 is a view for explaining a conventional sandblasting apparatus.

【図7】PDP基板を説明するための図FIG. 7 is a diagram illustrating a PDP substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 サンドブラスト装置 105 処理室 110 ブラストノズル 111 シャフト(研磨砂配管で
もある) 113 シャフト固定部 115 シャフト搬送部 117 吹き出し口部 118 研磨砂 120 搬送プレート 121 ベアリング 130 スライドウエイ 170 搬送ロール 180 基板 190 処理室壁部 191 天井 195 スリット 200 加熱部 205 処理室 210 パネルヒーター 211 パネルヒータ保持部 220 赤外線 230 モータ 271、272 搬送ロール 290 処理室壁部 605 処理室 610 ノズル 611 シャフト 613 シャフト固定部 615 シャフト搬送部 620 遮蔽部材 670 搬送ロール 680 ガラス基板(背面板) 690 サンドブラスト処理室壁
部 691 天井 695 スリット
REFERENCE SIGNS LIST 100 Sand blasting device 105 Processing chamber 110 Blast nozzle 111 Shaft (also a polishing sand pipe) 113 Shaft fixing part 115 Shaft conveying part 117 Blow-out part 118 Polishing sand 120 Transfer plate 121 Bearing 130 Slideway 170 Transfer roll 180 Substrate 190 Processing chamber wall Unit 191 Ceiling 195 Slit 200 Heating unit 205 Processing room 210 Panel heater 211 Panel heater holding unit 220 Infrared ray 230 Motor 271, 272 Conveyance roll 290 Processing room wall 605 Processing room 610 Nozzle 611 Shaft 613 Shaft fixing unit 615 Shaft conveying unit 620 Shielding Member 670 Conveyance roll 680 Glass substrate (back plate) 690 Sandblast processing chamber wall 691 Ceiling 695 Slit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理面側に加工用素材を設け、更にその
上に所定形状のレジストからなるサンドブラスト処理に
耐性のあるマスクを設けた処理基板に対して、サンドブ
ラスト処理を行う装置であって、処理室内において、ブ
ラストノズル位置を移動させ、且つ、処理基板に対し、
処理基板の処理面側に設けられた前記マスクを介して、
高圧空気により研磨砂をブラストノズルから吹き付け
て、処理基板上の加工用素材を選択的に切削除去するサ
ンドブラスト処理部と、サンドブラスト処理を行う際
に、サンドブラスト処理部に、処理基板を加熱した状態
で送り込む加熱部とを備えていることを特徴とするサン
ドブラスト処理装置。
1. An apparatus for performing a sandblasting process on a processing substrate provided with a processing material on a processing surface side and further provided with a mask made of a resist having a predetermined shape and resistant to sandblasting, In the processing chamber, the position of the blast nozzle is moved, and
Through the mask provided on the processing surface side of the processing substrate,
A high-pressure air blows abrasive sand from a blast nozzle to selectively cut and remove the processing material on the processing substrate.When performing the sand blasting process, the sand blast processing unit heats the processing substrate. A sand blasting apparatus, comprising: a heating unit for feeding in.
【請求項2】 請求項1において、処理基板がプラズマ
ディスプレイ用の基板で、加工用素材が障壁形成用等の
低融点ガラスペーストからなることを特徴とするサンド
ブラスト処理装置。
2. The sandblasting apparatus according to claim 1, wherein the processing substrate is a substrate for a plasma display, and the processing material is a low-melting glass paste for forming a barrier or the like.
【請求項3】 処理面側に加工用素材を設け、更にその
上に所定形状のレジストからなるサンドブラスト処理に
耐性のあるマスクを設けた処理基板に対する、サンドブ
ラスト処理方法であって、サンドブラスト処理を行う際
に、サンドブラスト処理部に、処理基板を加熱した状態
で送り込むことを特徴とするサンドブラスト処理方法。
3. A sandblasting method for a processing substrate provided with a processing material on a processing surface side and further provided with a mask made of a resist having a predetermined shape and resistant to sandblasting, wherein the sandblasting is performed. In this case, a sandblast processing method is characterized in that the processing substrate is fed into the sandblast processing section in a heated state.
【請求項4】 請求項3において、処理基板がプラズマ
ディスプレイ用の基板で、加工用素材が障壁形成用等の
低融点ガラスペーストからなることを特徴とするサンド
ブラスト処理方法。
4. The sandblasting method according to claim 3, wherein the processing substrate is a substrate for a plasma display, and the processing material is a low-melting glass paste for forming a barrier or the like.
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