JP2000022219A - Ｌｅｄチップおよび該ｌｅｄチップを具備するｌｅｄランプ - Google Patents

Ｌｅｄチップおよび該ｌｅｄチップを具備するｌｅｄランプ

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Masaki Odawara
正樹 小田原
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Stanley Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のＬＥＤチップにおいては、高さ方向に
水平の断面の面積が発光面も底面も同一面積だあったの
で、ダイマウントを行なう際には大きな光量の損失を生
じる問題点を生じていた。 【解決手段】 本発明により、ＬＥＤチップ１の高さ方
向に水平の断面方向で、発光面１ａ寄りの断面積が底面
１ｂの断面積よりも大きく設定されているＬＥＤチップ
１としたことで、従来はダイボンドを行なうときに導電
性接着剤を用いるときには必ず失われるものとなってい
た光量を、底面の断面積を減少させることで減少させる
ことを可能とし課題を解決するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体による発光
素子である発光ダイオード（ＬＥＤ）に関するものであ
り、詳細には、その素子の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のＬＥＤチップ９０の構成
の例を示すものが図６であり、このＬＥＤチップ９０の
製造にあたっては、拡散などによりＰ−Ｎ接合が形成さ
れ電極付けが行なわれた半導体基板をカッターで縦横に
所定寸法に切断することで、個々のＬＥＤチップ９０を
得るものである。従って、このＬＥＤチップ９０の水平
方向の断面の断面積は、底面９０ａおよび発光面９０ｂ
を含む何れの部分においても、ほぼ同一のものとなって
いる。
【０００３】また、図７に示すものは、上記した従来の
ＬＥＤチップ９０を採用して形成されたＬＥＤランプ８
０であり、前記ＬＥＤチップ９０は底面９０ａで導電性
接着剤８２による接着などによりリードフレーム８１に
ダイボンドされ、配線が行なわれて樹脂ケース８３が設
けられ、ＬＥＤランプ８０とされるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来のＬＥＤチップ９０においては、ダイボンドを行
なうときの導電性接着剤８２と比較的に近い屈折率を有
しているものであるので、底面９０ａ方向に向かった光
は、この導電性接着剤８２に吸収されるものとなり、結
果として、ＬＥＤチップ９０からの光の取出し効率が低
下するという問題点を生じている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記した従来
の課題を解決するための具体的手段として、略直方体状
を成し底面側がダイボンド面、上面側が発光面とされる
ＬＥＤチップにおいて、このＬＥＤチップの高さ方向に
水平の断面方向で、発光面寄りの断面積が底面の断面積
よりも大きく設定されていることを特徴とするＬＥＤチ
ップを提供することで課題を解決するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を図に示す実施形
態に基づいて詳細に説明する。図１に符号１で示すもの
は本発明に係るＬＥＤチップであり、このＬＥＤチップ
１は全体としての形状は略直方体状であり、一方の面が
発光面１ａとされ、前記発光面１ａと対峙する他方の面
がダイボンドを行なうための底面１ｂとされるものであ
る点は従来例のものと同様である。
【０００７】ここで、本発明においては従来例でも説明
した、ダイボンドを行なった際の導電性接着剤による光
の吸収を少なくするべく、底面１ｂの面積の減少を図る
ものでありに、具体的には、ＰＮ接合（ＰＮジャンクシ
ョン）が形成され、表電極２および裏電極３が形成され
た半導体基板４（図２参照）からＬＥＤチップ１を切り
出す際の切断工程を二工程とするものである。
【０００８】先ず、第一の工程としては、図２に示すよ
うに、半導体基板４の裏電極が形成されている裏面側か
ら適宜な歯幅としたカッターＣＷ１で半導体基板４に対
し縦横に切込み溝４ａを設ける。このときに、切込み溝
４ａの深さＤは半導体基板４の厚さの略１／３程度と
し、前記したＰＮ接合に達することのないものとする。
尚、前記切込み溝４ａの幅Ｗの設定については、以下に
述べる第二の工程の項で説明する。
【０００９】続く、第二の工程として、本発明では図３
に示すように、第一の工程で設けられた切込み溝４ａの
溝幅Ｗの中心を、前記切込み溝４ａを設けたときのカッ
ターＣＷ１よりも歯幅が狭いカッターＣＷ２で切断を行
う。そして、このときにはカッターＣＷ２が半導体基板
４の発光面１ａまで達するものとして、個々のＬＥＤチ
ップ１を得るための分割を行なうものである。
【００１０】以上説明の工程のように切断を行なうこと
で、得られるＬＥＤチップ１の形状は、底面１ｂ側が内
側に入り込んだ段差形状となり、即ち、底面１ｂの面積
は、発光面１ａの面積よりも少ないものとなる。従っ
て、第一の工程で切込み溝４ａを設けるときに使用され
るカッターの歯幅、即ち、切込み溝４ａの溝幅Ｗを調整
することで、発光面１ａの面積に対する、底面１ｂの面
積の比率を自由に設定することができるものとなる。
【００１１】ここで、発明者によるこの発明を成すため
の試作、検討の結果について述べれば、確かに底面１ｂ
の面積は減じるほどにＬＥＤチップ１からの光量は増す
ものとなるが、例えばダイボンドを行なうときの強度、
作業性などを考慮するとあまりに小さくするのは得策で
はなく、発光面１ａに対し底面１ｂを５０％程度とする
のが好ましいものであり、この場合には略２５％の光量
の増加が得られるものであることが確認された。
【００１２】加えて、上記の構成としたことで、本発明
のＬＥＤチップ１においてはダイボンドによる光量変化
も少ないことが確認された。即ち、ダイボンドを行なう
ときに導電性接着剤の塗布量が過剰であると、その接着
剤がＬＥＤチップ１の側面に回り込み、これによっても
光量の損失を招くものとなっていた。その時の従来例の
回り込み量と光量低下の関係を示すものが図４の曲線Ｓ
である。
【００１３】これに対して、本発明のＬＥＤチップ１の
回り込み量と光量低下の関係を示すものが同じ図４の曲
線Ｔであり、両曲線Ｓ、Ｔを比較すると明らかに本発明
のＬＥＤチップ１が接着剤の回り込みに対し影響を受け
る割合が少なく、よって、ダイボンド工程における導電
性接着剤の塗布量などの管理も容易となる。
【００１４】図５に示すものは本発明のＬＥＤチップ１
を採用したＬＥＤランプ１０の例であり、例えばリード
フレーム１２、１３の一方に導電性接着剤１４によりダ
イボンドを行い、他方のリードフレームとに配線を行
い、しかる後に透明樹脂によるケース１５をモールデン
グで形成するという従来例のＬＥＤチップと何らに変わ
ることのない工程で組立が行なえるものである。
【００１５】そして、前記にも説明したようにＬＥＤチ
ップ１の光量が２５％増加したことと、導電性接着剤１
４の側面への回り込みに対しても光量低下の割合が減じ
たことで、本発明によれば、同一消費電力で確実に２５
％以上明るいＬＥＤランプ１０を提供可能とする。
【００１６】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、Ｌ
ＥＤチップの高さ方向に水平の断面方向で、発光面寄り
の断面積が底面の断面積よりも大きく設定されているＬ
ＥＤチップとしたことで、従来はダイボンドを行なうと
きに導電性接着剤を用いるときには必ず失われるものと
なっていた光量を、底面の断面積を減少させることで減
少させることを可能とし、ＬＥＤランプとして組立が行
なわれたときには、同一定格でより明るいものとするこ
とを可能とし、この種のＬＥＤランプの性能の向上に極
めて優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るＬＥＤチップの実施形態を示す
斜視図である。
【図２】 同じ実施形態における第一の切断工程を示す
説明図である。
【図３】 同じく第二の切断工程を示す説明図である。
【図４】 同じく本発明に係るＬＥＤチップのダイボン
ド条件による光量変化の特性を示すグラフである。
【図５】 同じく本発明に係るＬＥＤランプの実施形態
を示す断面図である。
【図６】 従来例のＬＥＤチップを示す斜視図である。
【図７】 従来例のＬＥＤランプを示す断面図である。
【符号の説明】
１……ＬＥＤチップ １ａ……発光面 １ｂ……底面 ２……表電極 ３……裏電極 ４……半導体基板 ４ａ……切込み溝 １０……ＬＥＤランプ １２、１３……リードフレーム １４……導電性接着剤 １５……ケース

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 略直方体状を成し底面側がダイボンド
    面、上面側が発光面とされるＬＥＤチップにおいて、こ
    のＬＥＤチップの高さ方向に水平の断面方向で、発光面
    寄りの断面積が底面の断面積よりも大きく設定されてい
    ることを特徴とするＬＥＤチップ。
  2. 【請求項２】 前記請求項１記載のＬＥＤチップを具備
    することを特徴とするＬＥＤランプ。
JP18888398A 1998-07-03 1998-07-03 Ｌｅｄチップおよび該ｌｅｄチップを具備するｌｅｄランプ Pending JP2000022219A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015119653A1 (de) * 2015-11-13 2017-05-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul für eine Videowand
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