JP2000022041A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2000022041A JP2000022041A JP10204310A JP20431098A JP2000022041A JP 2000022041 A JP2000022041 A JP 2000022041A JP 10204310 A JP10204310 A JP 10204310A JP 20431098 A JP20431098 A JP 20431098A JP 2000022041 A JP2000022041 A JP 2000022041A
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- Japan
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- lead
- semiconductor device
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- semiconductor chip
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性高く実装でき、また樹脂封止後にリ−
ドの外端をパッケージの大きさと略同じに切断する際パ
ッケージにカケやクラックの不良を生ぜず、さらに熱放
散性が良好な小型化された半導体装置を得る。 【解決手段】 ディプレスしたパッドに半導体チップが
搭載され、半導体チップの端子とパッドの周りに形成し
たリ−ドが電気的に接続され、これらを樹脂封止しパッ
ケージとした半導体装置において、前記リ−ド3の外端
はパッケージ5側面から外に出て且つパッケージ外形と
近似の位置にあり、該リ−ド3の外端部3a下面がパッ
ケージ面5aから露出しているとともにパッケージ面5
aより引き込み、さらにパッケージ5の側面は前記リ−
ド3の外端突出部がストレ−ト5bで中間からパッケー
ジ中央側に傾斜5cしている。
ドの外端をパッケージの大きさと略同じに切断する際パ
ッケージにカケやクラックの不良を生ぜず、さらに熱放
散性が良好な小型化された半導体装置を得る。 【解決手段】 ディプレスしたパッドに半導体チップが
搭載され、半導体チップの端子とパッドの周りに形成し
たリ−ドが電気的に接続され、これらを樹脂封止しパッ
ケージとした半導体装置において、前記リ−ド3の外端
はパッケージ5側面から外に出て且つパッケージ外形と
近似の位置にあり、該リ−ド3の外端部3a下面がパッ
ケージ面5aから露出しているとともにパッケージ面5
aより引き込み、さらにパッケージ5の側面は前記リ−
ド3の外端突出部がストレ−ト5bで中間からパッケー
ジ中央側に傾斜5cしている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】半導体装置は高密度化とともに小型化、
薄型化を要請され、これに呼応し入出力ピン数は多くな
りリ−ド間隔、リ−ド幅とも微細になっている。
薄型化を要請され、これに呼応し入出力ピン数は多くな
りリ−ド間隔、リ−ド幅とも微細になっている。
【0003】リードの微細化により半導体装置は製造過
程あるいは取扱い時において、弱い外力をうけてもリ−
ド変形が起こり易くなっている。リ−ド変形はマザ−基
板等に実装する際に実装不良を生じさせ、また酷いとき
には短絡させるのでこれを防止しなければならない。
程あるいは取扱い時において、弱い外力をうけてもリ−
ド変形が起こり易くなっている。リ−ド変形はマザ−基
板等に実装する際に実装不良を生じさせ、また酷いとき
には短絡させるのでこれを防止しなければならない。
【0004】リ−ド変形を無くし、且つ実装面積を小さ
くできる半導体装置パッケージ構造として、半導体装置
パッケージから出るリ−ドをガルウィング状やJベンド
状に成形せずに、リ−ドがパッケージから短く突出させ
るものの、そのリ−ド外端下面はパッケージ面と同位置
あるいはパッケージ面から突出させた半導体装置が提案
されている。これはリ−ドの変形を減らし、また実装密
度を高める等それ相応の効果がある。
くできる半導体装置パッケージ構造として、半導体装置
パッケージから出るリ−ドをガルウィング状やJベンド
状に成形せずに、リ−ドがパッケージから短く突出させ
るものの、そのリ−ド外端下面はパッケージ面と同位置
あるいはパッケージ面から突出させた半導体装置が提案
されている。これはリ−ドの変形を減らし、また実装密
度を高める等それ相応の効果がある。
【0005】
【この発明が解決しようとする課題】しかし、マザ−基
板等へ信頼性高く実装することが難しく、また樹脂封止
後に、リ−ドの外端をパッケージの大きさと略同じに切
断する際、パッケージにカケやクラックを生じ易い問題
がある。
板等へ信頼性高く実装することが難しく、また樹脂封止
後に、リ−ドの外端をパッケージの大きさと略同じに切
断する際、パッケージにカケやクラックを生じ易い問題
がある。
【0006】また、半導体チップは高集積度化され、半
導体装置は信号処理伝送の高速化のために温度の上昇が
高くなるが、この熱の放散性が必ずしも十分でない。
導体装置は信号処理伝送の高速化のために温度の上昇が
高くなるが、この熱の放散性が必ずしも十分でない。
【0007】本発明はこのような問題がなく、実装を信
頼性高く行え、パッケージにクラックやカケ等の不良を
生ぜず、また熱放散性が良好で、小型化、薄型化された
半導体装置を得ることを目的とする。
頼性高く行え、パッケージにクラックやカケ等の不良を
生ぜず、また熱放散性が良好で、小型化、薄型化された
半導体装置を得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、ディプ
レスしたパッドに半導体チップが搭載され、該半導体チ
ップの端子と前記パッドの周りに形成したリ−ドが電気
的に接続され、これらを樹脂封止しパッケージとした半
導体装置において、前記リ−ドの外端はパッケージ側面
からパッケージ外に出て且つパッケージ外形と近似の位
置にあり、該リ−ドの外端部下面がパッケージ面から露
出しているとともにパッケージ面より引き込んでいるこ
とを特徴とする半導体装置にある。また、パッケージの
側面は前記リ−ドの外端突出部が垂直状なストレ−トで
中間からパッケージ中央側に傾斜しているところにあ
る。
レスしたパッドに半導体チップが搭載され、該半導体チ
ップの端子と前記パッドの周りに形成したリ−ドが電気
的に接続され、これらを樹脂封止しパッケージとした半
導体装置において、前記リ−ドの外端はパッケージ側面
からパッケージ外に出て且つパッケージ外形と近似の位
置にあり、該リ−ドの外端部下面がパッケージ面から露
出しているとともにパッケージ面より引き込んでいるこ
とを特徴とする半導体装置にある。また、パッケージの
側面は前記リ−ドの外端突出部が垂直状なストレ−トで
中間からパッケージ中央側に傾斜しているところにあ
る。
【0009】さらに他の要旨は前記パッドの周りに形成
したリ−ドは、パッドの2側面方向に、又はパッドの4
側面方向に外端部をそれぞれ配している半導体装置にあ
る。
したリ−ドは、パッドの2側面方向に、又はパッドの4
側面方向に外端部をそれぞれ配している半導体装置にあ
る。
【0010】また、他の要旨は、前記半導体チップを搭
載したパッドがパッケージから露出している半導体装置
にある。さらに前記半導体チップが高熱伝導Agペ−ス
トを介してパッドに搭載されパッケージ内に封止されて
いる半導体装置にある。
載したパッドがパッケージから露出している半導体装置
にある。さらに前記半導体チップが高熱伝導Agペ−ス
トを介してパッドに搭載されパッケージ内に封止されて
いる半導体装置にある。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の1実施例について図面を
参照して説明する。図1はパッドの周りに形成したリ−
ドが2側面方向に外端部を配した半導体装置の側断面
図、図2は前記リ−ド外端部を配した側からみた前記半
導体装置の側面図、図3は前記半導体装置の底面図、図
4は前記半導体装置の製造に用いたリードフレームであ
る。
参照して説明する。図1はパッドの周りに形成したリ−
ドが2側面方向に外端部を配した半導体装置の側断面
図、図2は前記リ−ド外端部を配した側からみた前記半
導体装置の側面図、図3は前記半導体装置の底面図、図
4は前記半導体装置の製造に用いたリードフレームであ
る。
【0012】図面において、1はパッドで、半導体チッ
プ2が接着材を介して搭載されている。前記パッド1の
周りにはリ−ド3が形成され、この実施例ではパッド1
の2側面方向にリ−ド3の外端部3aが配されている半
導体装置である。
プ2が接着材を介して搭載されている。前記パッド1の
周りにはリ−ド3が形成され、この実施例ではパッド1
の2側面方向にリ−ド3の外端部3aが配されている半
導体装置である。
【0013】リード3は前記半導体チップ2の端子とボ
ンディングワイヤ−4を介して電気的に接続されてい
る。5は樹脂にて前記パッド1、半導体チップ2、リー
ド3、及び、ボンディングワイヤ−4を封止したパッケ
ージである。
ンディングワイヤ−4を介して電気的に接続されてい
る。5は樹脂にて前記パッド1、半導体チップ2、リー
ド3、及び、ボンディングワイヤ−4を封止したパッケ
ージである。
【0014】ところで前記リ−ド3はパッケージ5側面
より外端がパッケージ外形より僅かに大きく突出してい
る。該リ−ド3の外端部3aの下面がパッケージ5の底
面より露出していて、外部接続端子の役目を果たすよう
になっている。またリ−ド3の外端部3aはパッケージ
5の底面5aよりパッケージ側に引き込んでいて、半田
によりマザ−基板に実装の際、溶融半田をリ−ド全幅へ
広がらせ信頼性を高く接合させる。該リ−ド3の外端部
3aの引っ込みは、パッケージ5の中央部より端部を小
さくすることが好ましい。また前記端部はパッケージ底
面5aと同じにしてもよい。
より外端がパッケージ外形より僅かに大きく突出してい
る。該リ−ド3の外端部3aの下面がパッケージ5の底
面より露出していて、外部接続端子の役目を果たすよう
になっている。またリ−ド3の外端部3aはパッケージ
5の底面5aよりパッケージ側に引き込んでいて、半田
によりマザ−基板に実装の際、溶融半田をリ−ド全幅へ
広がらせ信頼性を高く接合させる。該リ−ド3の外端部
3aの引っ込みは、パッケージ5の中央部より端部を小
さくすることが好ましい。また前記端部はパッケージ底
面5aと同じにしてもよい。
【0015】パッケージ5は側面形状を図2に示すよう
にパッケージ側面からリ−ド3が外側に出る部分を含む
中間まで垂直状なストレ−ト5bとし、該中間から上方
はパッケージ中央側に傾斜5cしている。該側面形状に
したことにより、リ−ド3を樹脂封止しパッケージ5と
した後に、パッケージ5の外形と近似した所定長さに切
断する際、樹脂にクラック、カケ等の不良が生じるのが
防止される。また前記中間の高さはリ−ド3の厚みの2
倍以上とすることが前記クラックやカケを生じることな
くリ−ド3の外端をパッケージ5の外形と殆ど同じ長さ
に切断する上で好ましい。
にパッケージ側面からリ−ド3が外側に出る部分を含む
中間まで垂直状なストレ−ト5bとし、該中間から上方
はパッケージ中央側に傾斜5cしている。該側面形状に
したことにより、リ−ド3を樹脂封止しパッケージ5と
した後に、パッケージ5の外形と近似した所定長さに切
断する際、樹脂にクラック、カケ等の不良が生じるのが
防止される。また前記中間の高さはリ−ド3の厚みの2
倍以上とすることが前記クラックやカケを生じることな
くリ−ド3の外端をパッケージ5の外形と殆ど同じ長さ
に切断する上で好ましい。
【0016】またパッケージ5には前記半導体チップ2
を搭載したパッド1を図1に示すように封入した半導体
装置6としてもよいし、あるいは図5のように半導体チ
ップ2を搭載したパッド1がパッケージ5面に露出した
半導体装置6としてもよい。前記パッド1をパッケージ
5内に封入したものは放熱性が劣化するので、本発明で
はパッド1に半導体チップ2を高熱伝導Agペ−ストに
より接着し搭載させ放熱性を高めパッド1が露出したも
のと同等に熱を放散するようにしている。なお、パッド
1をパッケージ5から露出させたものでも高熱伝導Ag
ペ−ストを用いることもできる。
を搭載したパッド1を図1に示すように封入した半導体
装置6としてもよいし、あるいは図5のように半導体チ
ップ2を搭載したパッド1がパッケージ5面に露出した
半導体装置6としてもよい。前記パッド1をパッケージ
5内に封入したものは放熱性が劣化するので、本発明で
はパッド1に半導体チップ2を高熱伝導Agペ−ストに
より接着し搭載させ放熱性を高めパッド1が露出したも
のと同等に熱を放散するようにしている。なお、パッド
1をパッケージ5から露出させたものでも高熱伝導Ag
ペ−ストを用いることもできる。
【0017】前記実施例では、半導体装置6はパッド1
の2側面方向にリ−ド3の外端部を配したが、これに限
らず図6に他の半導体装置の側面図、図7に他の半導体
装置の底面図を示すようにパッドの4側面方向にリ−ド
3の外端部3aを配する半導体装置6にも同様に適用で
きる。
の2側面方向にリ−ド3の外端部を配したが、これに限
らず図6に他の半導体装置の側面図、図7に他の半導体
装置の底面図を示すようにパッドの4側面方向にリ−ド
3の外端部3aを配する半導体装置6にも同様に適用で
きる。
【0018】
【発明の効果】本発明は前記のように、外部接続端子の
役割を担うリ−ドの外端部下面がパッケージ面より若干
引き下がって露出しているので、例えばマザ−基板等に
半田にて接続する際、当該半田が溶融し表面張力で球状
化したのが前記引き下がり箇所に自然な形で入り込み信
頼性よく接合する。また、パッケージの側面は前記リ−
ドの外端が突出している部分はストレ−トでリ−ドと略
直交し中間から傾斜しているので、樹脂封止後に実装密
度を高めるためにパッケージ側面に出来るだけ近い位置
でリ−ドを切断する際、パッケージにカケやクラック等
の不良が発生し易いのを防止できる等の効果がある。
役割を担うリ−ドの外端部下面がパッケージ面より若干
引き下がって露出しているので、例えばマザ−基板等に
半田にて接続する際、当該半田が溶融し表面張力で球状
化したのが前記引き下がり箇所に自然な形で入り込み信
頼性よく接合する。また、パッケージの側面は前記リ−
ドの外端が突出している部分はストレ−トでリ−ドと略
直交し中間から傾斜しているので、樹脂封止後に実装密
度を高めるためにパッケージ側面に出来るだけ近い位置
でリ−ドを切断する際、パッケージにカケやクラック等
の不良が発生し易いのを防止できる等の効果がある。
【0019】また、半導体チップを搭載したパッドがパ
ッケージ面より露出させたものは、熱放散性がすぐれ、
前記パッドをパッケージ面より露出させないものは高熱
伝導Agぺ−ストを介して前記半導体チップを搭載して
いるので同様に熱放散性がすぐれる。
ッケージ面より露出させたものは、熱放散性がすぐれ、
前記パッドをパッケージ面より露出させないものは高熱
伝導Agぺ−ストを介して前記半導体チップを搭載して
いるので同様に熱放散性がすぐれる。
【図1】本発明の1実施例における半導体装置の断面を
示す図。
示す図。
【図2】本発明の1実施例における半導体装置の側面を
示す図。
示す図。
【図3】本発明の1実施例における半導体装置の底面を
示す図。
示す図。
【図4】本発明の1実施例の半導体装置に用いたリード
フレームを示す図。
フレームを示す図。
【図5】本発明の1実施例においてパッドをパッケージ
から露出させた半導体装置を示す図。
から露出させた半導体装置を示す図。
【図6】本発明の他の実施例における半導体装置の側面
を示す図。
を示す図。
【図7】本発明の他の実施例における半導体装置の底面
を示す図。
を示す図。
1 パッド 2 半導体チップ 3 リ−ド 4 ボンディングワイヤ− 5 パッケージ 6 半導体装置
Claims (6)
- 【請求項1】 ディプレスしたパッドに半導体チップが
搭載され、該半導体チップの端子と前記パッドの周りに
形成したリ−ドが電気的に接続され、これらを樹脂封止
しパッケージとした半導体装置において、前記リ−ドの
外端はパッケージ側面からパッケージ外に出て且つパッ
ケージ外形と近似の位置にあり、該リ−ドの外端部下面
がパッケージ面から露出しているとともにパッケージ面
より引き込んでいることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 ディプレスしたパッドに半導体チップが
搭載され、該半導体チップの端子と前記パッドの周りに
形成したリ−ドが電気的に接続され、これらを樹脂封止
しパッケージとした半導体装置において、前記リ−ドの
外端はパッケージ側面からパッケージ外に出て且つパッ
ケージ外形と近似の位置にあり、該リ−ドの外端部下面
がパッケージ面から露出しているとともにパッケージ面
より引き込み、パッケージの側面は前記リ−ドの外端突
出部がストレ−トで中間から傾斜していることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項3】 前記パッドの周りに形成したリ−ドが、
パッドの2側面方向に外端部を配したリ−ドであること
を特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装
置。 - 【請求項4】 前記パッドの周りに形成したリードが、
パッドの4側面方向に外端部を配したリ−ドであること
を特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装
置。 - 【請求項5】 前記半導体チップを搭載したパッドがパ
ッケージから露出していることを特徴とする請求項3ま
たは請求項4記載の半導体装置。 - 【請求項6】 前記半導体チップが高熱伝導Agペ−ス
トを介してパッドに搭載されパッケージ内に封止されて
いることを特徴とする請求項3または請求項4記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10204310A JP2000022041A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10204310A JP2000022041A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000022041A true JP2000022041A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16488375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10204310A Pending JP2000022041A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000022041A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020021476A (ko) * | 2000-09-15 | 2002-03-21 | 이중구 | 칩 스케일 반도체 팩키지 및, 그것의 제조 방법 |
-
1998
- 1998-07-03 JP JP10204310A patent/JP2000022041A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020021476A (ko) * | 2000-09-15 | 2002-03-21 | 이중구 | 칩 스케일 반도체 팩키지 및, 그것의 제조 방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040506 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041026 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050308 |