JP2000011318A

JP2000011318A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000011318A
Application number: JP10175676A
Authority: JP
Inventors: Minoru Hasegawa; 実長谷川; Yoshinori Otsuka; 善徳大塚
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-06-23
Filing date: 1998-06-23
Publication date: 2000-01-14

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関し、上
部磁極の先端部、及び、上部磁極の後方部の先端部側の
領域の形状を精度良く形成する。【解決手段】上部磁極の後方部８の少なくとも上部磁
極の先端部３側の領域において、コイル被覆絶縁層６と
上部磁極の後方部８との間に非磁性層７を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関し、特に、コンピュータの外部記憶装
置として用いられるハードディスクドライブ（ＨＤＤ）
等の磁気記録装置或いは磁気テープ装置等における複合
型薄膜磁気ヘッドを構成する誘導型薄膜磁気ヘッドの上
部磁極構造及びその製造方法に特徴のある薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年のハードディスク装置等の小型化，
大容量化による需要の高まりに伴い、高密度磁気記録が
可能なハードディスク装置等の研究開発が急速に進めら
れているが、この様なハードディスク装置の高密度化に
伴い、記録ヘッド、即ち、磁気ヘッドの高性能化が要請
されており、この様な要請に応えるものとして、再生ヘ
ッドとしては記録媒体の速度に依存せず、小型ディスク
に対しても適用でき、且つ、高い出力が得られる磁気抵
抗効果素子を用いたＭＲ（磁気抵抗）ヘッドが注目され
ている。

【０００３】また、高記録密度を実現するためには、線
記録密度とトラック密度を向上させる必要があるが、そ
のためには、記録ヘッドとしては、高い周波数まで記録
でき、且つ、隣接するトラックとのクロストーク等の原
因となる記録にじみの少ないヘッドが要求されることに
なる。

【０００４】近年、この様な高性能化の要請に応えるヘ
ッドとして、ＭＲヘッドと誘導型の薄膜磁気ヘッドとを
複合化した複合型薄膜磁気ヘッドが開発されており、記
録ヘッドの記録ギャップと再生ヘッドの再生ギャップを
それぞれ最適化することによって、記録特性の向上と、
再生分解能の向上を共に実現しようとしている。

【０００５】ここで、図６を参照して、従来の複合型薄
膜磁気ヘッドの概略的構成を説明する。なお、図６
（ａ）は記録媒体に対する対向面側の断面図であり、ま
た、図６（ｂ）は図６（ａ）の一点鎖線に沿った断面図
であり、さらに、図６（ｃ）は上部磁極の平面図であ
る。図６（ａ）及び（ｂ）参照まず、基板４１上に、ＮｉＦｅ合金等からなる下部シー
ルド層４２を設け、Ａｌ₂Ｏ₃等のギャップスペーサ層
４３を介してＮｉＦｅ，Ｔｉ，ＣｏＺｒＭｏの積層構造
等からなる磁気抵抗効果素子層４４を設けて所定の形状
にパターニングしたのち、磁気抵抗効果素子層４４の両
端にＡｕ等からなる導電膜を堆積させて素子電極４５を
形成する。

【０００６】次いで、再び、Ａｌ₂Ｏ₃等のギャップス
ペーサ層４６を介してＮｉＦｅ合金等からなる上部シー
ルド層を兼ねる下部磁極層４７を設け、その上にＡｌ₂
Ｏ₃等からなるギャップ層４８を設けたのち、レジスト
等の下部絶縁層４９を介して所定パターンのコイル層５
０を形成し、次いで、レジスト等からなる上部絶縁膜５
１を被覆し、この上部絶縁層５１を介して先端部５３及
び後方部５４からなる上部磁極５２を設けることによっ
て磁気抵抗効果素子層４４を利用した再生用ＭＲヘッド
と、記録用の誘導型の薄膜磁気ヘッドとを複合化した複
合型薄膜磁気ヘッドが得られる。なお、上部電極５２は
後方部５３の後端部において下部磁極層４７と接合して
おり、コイル層５０は、この接合部を回るようにパター
ニングされている。

【０００７】図６（ｃ）参照この場合の上部磁極５２は、記録時におけるトラック幅
を決めるための幅細の先端部５３と、より多くの磁束を
流すために幅方向を広く形成した後方部５４とからな
り、メッキベース層（図示せず）を介してレジストマス
クを用いた電解メッキ法によって選択的に形成される
が、このメッキ法による製造方法には、全体を１回でメ
ッキする方法と、先端部５３と後方部５４とを分けてメ
ッキする方法があるので、以下において各々の製造工程
を説明する。

【０００８】まず、図７及び図８を参照して、１回メッ
キによる薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する。なお、
各図における右側の図は、左側の図における一点鎖線に
沿った概略的断面図であり、また、説明を簡単にするた
めに、下部磁極層４７以下のＭＲヘッド側の製造工程及
び構造の説明及び図示は省略し、また、磁気ヘッドの後
部の構成の図示も省略する。図７（ａ）参照まず、ＮｉＦｅ合金からなる下部磁極層４７上に、スパ
ッタリング法によってＡｌ₂Ｏ₃を堆積させてギャップ
層４８としたのち、レジストからなる下部絶縁層４９を
介して導電体膜を設け、パターニングすることによって
上部磁極５２と下部磁極層４７との接続部（図示せず）
を複数回巻く平面スパイラル状のコイル層５０を形成
し、次いで、レジストからなる上部絶縁層５１を形成し
てコイルを被覆したのち、上部磁極５２と下部磁極層４
７との接続部が露出するようにパターニングし、次い
で、Ｔｉ層及びＮｉＦｅ層からメッキベース層５５をス
パッタリング法によって順次全面に成膜する。なお、こ
の場合のギャップ層４８の厚さが、磁気ギャップの間
隔、即ち、記録ギャップ長となる。

【０００９】図７（ｂ）参照次いで、全面にレジスト層を塗布したのち、露光・現像
することによって先端部５３及び後方部５４からなる上
部磁極を形成するための開口部パターンを有するレジス
トマスク５６を形成し、次いで、ＮｉＦｅ合金を電解メ
ッキすることによって、先端部５３及び後方部５４から
なる上部磁極を形成する。

【００１０】図８（ｃ）参照次いで、レジストマスク５６を除去する。図８（ｄ）参照次いで、レジストマスク５６の除去により露出した先端
部５３及び後方部５４からなる上部磁極以外の領域にお
けるメッキベース層５５をＡｒイオンを用いたイオンミ
リング法によって除去する。

【００１１】以降の工程は図示を省略するが、全面にＡ
ｌ₂Ｏ₃からなる保護膜を設け、基板４１を切断し、上
部磁極の先端部５３の長さ、即ち、ギャップ深さを調整
するために研削、研磨等を行う等のスライダー加工を行
うことにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００１２】しかし、この１回メッキによる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法においては、上部磁極の先端部５３の後
方部５４との結合部近傍においてコア幅が拡がってしま
うという問題があるので、この事情を図９を参照して説
明する。なお、図９（ａ）は、図７（ｂ）におけるレジ
ストマスク５６を形成するための露光工程を示す図であ
り、また、図９（ｂ）は、現像の結果得られるレジスト
マスク５６の開口部パターン６０を示す図である。

【００１３】図９（ａ）参照上部磁極を形成するためのレジストマスク５６を形成す
るために、レジスト層５７を露光光５８で選択的に露光
する際に、上部絶縁層５１及び下部絶縁層４９の側面に
よって形成される段差部において、露光光５８はメッキ
ベース層５５によって反射され、この反射光５９が不所
望な方向に拡がってレジスト層５７を露光することにな
る。

【００１４】図９（ｂ）参照図に示すように、現像によって得られる開口部パターン
６０は、先端部５３と後方部５４の結合部近傍におい
て、二点鎖線で示す所期の形状より拡がり、拡大部６１
が形成され、その結果、先端部５３のコア幅が拡がるこ
とになる。特に、段差部における上部磁極５２の形状は
幅細の先端部５３から幅広の後方部５４へ移行するテー
パ状であるため、先端部５３に対する露光量より大幅に
露光量が多くなり、この多量の露光光５８による反射光
５９も多くなるので、拡大部６１が形成される。なお、
先端部５３を形成する領域及び段差部においてはレジス
ト層５７の厚さが、上部絶縁層５１の頂部の上のレジス
ト層５７の厚さより厚くなるので、反射光５９を考慮し
ない場合にも所期の設計値より拡がることになる。

【００１５】この様な問題点を解決する方法が２回メッ
キによる薄膜磁気ヘッドの製造方法であるので、この製
造工程を図１０及び図１１を参照して説明する。なお、
各図における右側の図は、左側の図における一点鎖線に
沿った概略的断面図であり、また、説明を簡単にするた
めに、下部磁極層４７以下のＭＲヘッド側の製造工程及
び構造の説明及び図示は省略し、また、磁気ヘッドの後
部の構成の図示も省略する。図１０（ａ）参照まず、上記の１回メッキによる製造方法と同様に、Ｎｉ
Ｆｅ合金からなる下部磁極層４７上に、スパッタリング
法によってＡｌ₂Ｏ₃を堆積させてギャップ層４８とし
たのち、レジストからなる下部絶縁層４９を介して導電
体膜を設け、パターニングすることによって上部磁極５
２と下部磁極層４７との接続部（図示せず）を複数回巻
く平面スパイラル状のコイル層５０を形成し、次いで、
レジストからなる上部絶縁層５１を形成してコイルを被
覆したのち、上部磁極５２と下部磁極層４７との接続部
が露出するようにパターニングし、次いで、Ｔｉ層及び
ＮｉＦｅ層からメッキベース層５５をスパッタリング法
によって順次全面に成膜する。

【００１６】図１０（ｂ）参照次いで、全面にレジスト層を塗布したのち、露光・現像
することによって上部磁極の先端部５３を形成するため
の開口部パターンを有するレジストマスク６２を形成
し、次いで、ＮｉＦｅ合金を電解メッキすることによっ
て、上部磁極の先端部５３を形成する。

【００１７】図１１（ｃ）参照次いで、レジストマスク６２を除去したのち、全面に新
たにレジスト層を塗布し、露光・現像することによって
上部磁極の後方部５４を形成するための開口部パターン
を有するレジストマスク６３を形成し、次いで、同じく
ＮｉＦｅ合金を電解メッキすることによって、上部磁極
の後方部５４を形成する。

【００１８】図１１（ｄ）参照次いで、レジストマスク６３を除去したのち、レジスト
マスク６３の除去により露出した上部磁極の先端部５３
及び後方部５４以外の領域におけるメッキベース層５５
をＡｒイオンを用いたイオンミリング法によって除去す
る。

【００１９】以降の工程は、同じく図示を省略するが、
全面にＡｌ₂Ｏ₃からなる保護膜を設け、基板４１を切
断し、上部磁極の先端部５３の長さ、即ち、ギャップ深
さを調整するために研削、研磨等を行う等のスライダー
加工を行うことにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００２０】この２回メッキによる製造方法の場合に
は、１回目のメッキ工程において、一定の幅の幅細の先
端部５３のみ露光するので露光量が少なく、したがっ
て、段差部において不所望な反射は生じても、反射光５
９の量は少ないので、反射光５９による露光量は少な
く、したがって、拡大部６１の面積も小さくなるので、
パターン精度が向上する。

【００２１】また、この場合、レジストマスク５６を形
成するためのレジスト層の厚さは、段差部の中頃までレ
ジスト層として機能する厚さで良いので、レジスト層の
厚さを１回メッキによる製造方法の場合に比べて薄くす
ることができ、それによってもパターン精度を向上する
ことができる。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の２回メ
ッキによる製造方法の場合、上部磁極の後方部５４を形
成する際に、後方部５４の先端部５３寄りの部分の寸法
が不所望に大きくなって形状不良が生じ、この形状不良
によって、磁界の集束が十分にされずに発生磁場強度が
低下するという特性不良が発生するという問題があるの
で、この事情を図１２を参照して説明する。

【００２３】図１２（ａ）及び（ｂ）参照図１２は、図１１（ｃ）におけるレジストマスク６３を
形成するためのレジスト層６４の層厚分布の説明図であ
り、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示す平面図におけ
る一点鎖線に沿った要部断面図である。図１２（ｂ）か
ら明らかなように、上部磁極の先端部５３を予め設けた
領域近傍におけるレジスト層６４は、厚さｔの最厚部６
５となっており、この最厚部６５に所定パターンを形成
するためには露光量を増加させなければならないが、露
光量を増加させることによって、パターン精度が低下
し、且つ、反射光も増加することによって後方部５４の
先端部５３寄りの部分の寸法がより大きくなる。

【００２４】したがって、本発明は、上部磁極の先端
部、及び、上部磁極の後方部の先端部側の領域の形状を
精度良く形成することを目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１
（ａ）は、誘導型薄膜磁気ヘッドの要部断面図であり、
図において、符号１は下部磁極を、２はギャップ層を、
４はコイル下地絶縁層を、また、５はコイルを夫々表
す。図１参照（１）本発明は、薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁極の
後方部８の少なくとも上部磁極の先端部３側の領域にお
いて、コイル被覆絶縁層６と上部磁極の後方部８との間
に非磁性層７を設けたことを特徴とする。

【００２６】この様に、コイル被覆絶縁層６と上部磁極
の後方部８との間に非磁性層７を設けることによって、
上部磁極の後方部８を形成するためのフォトレジスト層
を平坦に形成することができ、それによって、上部磁極
の先端部３に起因するフォトレジスト層の膜厚部による
パターニング精度の低下を低減して、上部磁極の先端部
３、及び、上部磁極の後方部８の先端部３側の領域の形
状を精度良く形成することができる。なお、本発明にお
ける薄膜磁気ヘッドとは、誘導型の薄膜磁気ヘッド、及
び、誘導型の薄膜磁気ヘッドとＭＲヘッドとを積層した
複合型薄膜磁気ヘッドの両者を含むものである。

【００２７】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、非磁性層７として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、及び、樹脂系レジスト
の内のいずれかを用いたことを特徴とする。

【００２８】この様に、上部磁極の後方部８を形成する
ためのフォトレジスト層を平坦化するための非磁性層７
としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、及び、樹脂系レジストの内のいずれ
かを用いることが望ましく、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔの
金属からなる非磁性層７を用いた場合には他の材料を用
いた場合に比べて渦電流損失を低減することができ、ま
た、樹脂系レジストを用いた場合には他の材料を用いた
場合に比べてパターニング精度を向上することができ
る。

【００２９】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、上部磁極の先端部３を高飽和磁束密度
材料によって構成し、上部磁極の後方部８を低飽和磁束
密度材料によって構成することを特徴とする。

【００３０】一般に、高周波特性を向上するために飽和
磁束密度Ｂ_sの高い材料を用いることが必要となり、そ
のために高Ｂ_s軟磁性材料であるＮｉＦｅ合金を用いて
いるが、ＮｉＦｅ合金の場合には、Ｎｉ含有量が少ない
程ほど飽和磁束密度Ｂ_sになるが、メッキの表面が粗く
なりやすいので、記録時におけるトラック幅を決める幅
細の上部磁極の先端部３のみを高飽和磁束密度材料によ
って構成し、より多くの磁束を流すための幅広の上部磁
極の後方部８を表面が平滑な低飽和磁束密度材料によっ
て構成することによって素子特性を向上することができ
る。

【００３１】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、上部磁極の先端部３を高抵
抗材料によって構成し、上部磁極の後方部８を低抵抗材
料によって構成することを特徴とする。

【００３２】また、一般に、高周波になるに従って渦電
流による損失が大きくなり、表皮効果による記録磁界強
度の低下を招くことになるため、渦電流の発生を抑制す
るためには、比抵抗ρの大きな材料を用いることが必要
になるが、ＮｉＦｅ合金の場合には、Ｎｉ含有量が少な
い程ほど高比抵抗になるが、メッキの表面が粗くなりや
すいので、記録時におけるトラック幅を決める幅細の上
部磁極の先端部３のみを高比抵抗材料によって構成し、
より多くの磁束を流すための幅広の上部磁極の後方部８
を表面が平滑な低比抵抗材料によって構成することによ
って素子特性を向上することができる。

【００３３】（５）また、本発明は、薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、上部磁極の先端部３を形成する工
程、コイル被覆絶縁層６と上部磁極の後方部８の少なく
とも上部磁極の先端部３側の領域との間に挿入する非磁
性層７を形成する工程、及び、上部磁極の後方部８を形
成する工程とを含むことを特徴とする。

【００３４】この様に上部磁極の先端部３と上部磁極の
後方部８とを別工程で形成することによって上部磁極の
先端部３のコア幅の拡大を防止することができると共
に、上部磁極の先端部３と上部磁極の後方部８とを互い
に異なった材料で且つ異なった膜厚で形成することがで
き、その際、上部磁極の後方部８を形成する前に、非磁
性層７を形成することによって、上部磁極の先端部３に
起因する形状不良の発生を防止することができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】ここで、本発明の実施の形態の複
合型薄膜磁気ヘッドを図２乃至図５を参照して説明す
る。なお、図２乃至図４は複合型薄膜磁気ヘッドの製造
工程の説明図であり、各図における右側の図は、左側の
図における一点鎖線に沿った概略的断面図であり、また
図示を簡単にするために、下部磁極層１１以下のＭＲヘ
ッド側の構造及び磁気ヘッドの後部の構成の図示を省略
しており、図５において、ＭＲヘッド部を含んだ全体構
成を示し、ＭＲヘッドの製造工程の説明においては図５
の符号を引用する。

【００３６】図２（ａ）及び図５参照まず、図１０に示した従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製
造工程と同様に、Ａｌ ₂Ｏ₃・ＴｉＣからなる基板上
に、Ｎｉ₈₀Ｆｅ₂₀からなる下部シールド層３２を設け、
Ａｌ₂Ｏ₃からなるのギャップスペーサ層３３を介して
ＮｉＦｅ，Ｔｉ，ＣｏＺｒＭｏの積層構造からなる磁気
抵抗効果素子層３４を設けて所定の形状にパターニング
したのち、磁気抵抗効果素子層３４の両端にＡｕからな
る導電膜を堆積させて素子電極３５を形成し、次いで、
再び、Ａｌ₂Ｏ₃からなるギャップスペーサ層３６を介
してＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀からなる厚さが２．０〜４．０μｍ、
例えば、３．０μｍの上部シールド層を兼ねる下部磁極
層１１を形成する。

【００３７】次いで、下部磁極層１１上に、スパッタリ
ング法によって厚さ０．３〜０．６μｍ、例えば、０．
４μｍのＡｌ₂Ｏ₃を堆積させてギャップ層１２とした
のち、従来の工程と同様にレジストからなる下部絶縁層
１３を介して導電体膜を設け、パターニングすることに
よって上部磁極の後端と下部磁極層１１との接続部を複
数回巻く平面スパイラル状のコイル層１４を形成し、次
いで、レジストからなる上部絶縁層１５を形成してコイ
ル層１４を被覆したのち、メッキベース層１５となる、
厚さ５０〜１００Å、例えば、５０ÅのＴｉ層（図示せ
ず）、及び、厚さ１０００Å以下、例えば、５００Åの
Ｎｉ₅₀Ｆｅ₅₀をスパッタリング法によって順次成膜す
る。なお、この場合のギャップ層１２の厚さが、磁気ギ
ャップの間隔、即ち、記録ギャップ長となる。

【００３８】図２（ｂ）参照次いで、レジストを塗布し、露光・現像することによっ
て上部磁極先端部１８を形成するための開口部パターン
を有するレジストマスク１７を形成したのち、電解メッ
キを行うことによって、厚さ２．０〜４．０μｍ、例え
ば、３．０μｍで、幅Ｗ₁が０．５〜２．０μｍ、例え
ば、１．０μｍのＮｉ₄₀Ｆｅ₆₀からなる上部磁極先端部
１８を形成する。

【００３９】図３（ｃ）参照次いで、レジストマスク１８を除去し、露出したメッキ
ベース層１６をＡｒイオンを用いたイオンミリング法に
よって除去したのち、スパッタリング法を用いて上部絶
縁層１５上にＣｕ層からなる厚さが２．０〜４．０μ
ｍ、例えば、３．０μｍの非磁性層１９を選択的に形成
する。なお、この場合の非磁性層１９の厚さは、非磁性
層１９に隣接する上部磁極先端部１８の厚さとできる限
り等しい膜厚とするものであり、位置合わせ精度が要求
されるが、マスクスパッタリング法を用いて形成するこ
とが可能である。

【００４０】図３（ｄ）参照次いで、再び、メッキベース層２０となる、厚さ５０〜
１００Å、例えば、５０ÅのＴｉ層（図示せず）、及
び、厚さ１０００Å以下、例えば、５００ÅのＮｉ₅₀Ｆ
ｅ₅₀をスパッタリング法によって順次成膜する。

【００４１】図４（ｅ）参照次いで、レジストを塗布し、露光・現像することによっ
て上部磁極後方部２２を形成するための開口部パターン
を有するレジストマスク２１を形成したのち、電解メッ
キを行うことによって、厚さ３．０〜５．０μｍ、例え
ば、４．０μｍのＮｉ₅₀Ｆｅ₅₀からなる上部磁極後方部
２２を形成する。

【００４２】図４（ｆ）参照次いで、レジストマスク２１を除去し、露出したメッキ
ベース層２０をＡｒイオンを用いたイオンミリング法に
よって除去することによって複合型薄膜磁気ヘッドの基
本構造が完成する。

【００４３】図５（ａ）及び（ｂ）参照図５（ａ）は上記の工程によって製造した複合型薄膜磁
気ヘッドの記録媒体に対する対向面側の要部断面図であ
り、また、図５（ｂ）は図５（ａ）の一点鎖線に沿った
断面図であり、図から明らかなように、上部磁極先端部
１８と上部磁極後方部２２とは、上部絶縁層１５の段差
部において接続する構造となり、また、上部磁極後方部
２２の下には上部磁極先端部１８と厚さがほぼ等しい非
磁性層１９が挿入された構造となる。

【００４４】以降の工程は図示を省略するが、従来の製
造工程と同様に、全面にＡｌ₂Ｏ₃からなる保護膜を設
け、基板３１を切断し、上部磁極先端部１８の長さ、即
ち、ギャップ深さを調整するために研削、研磨等を行う
等のスライダー加工を行うことにより、複合型薄膜磁気
ヘッドが完成する。

【００４５】なお、上部磁極としては、高周波特性を向
上するために飽和磁束密度Ｂ_sの高い材料を用いること
が必要となり、一方、高周波になるに従って渦電流によ
る損失が大きくなり、表皮効果による記録磁界強度の低
下を招くことになるため、渦電流の発生を抑制するため
に、比抵抗ρの大きな材料を用いることが必要となり、
そのために上部磁極先端部１８及び上部磁極後方部２２
として高Ｂ_s軟磁性材料であるＮｉＦｅ合金を用いてい
るが、ＮｉＦｅ合金はＮｉ含有量が低いほど高飽和磁束
密度、高比抵抗になり特性上は好ましいが、Ｎｉ含有量
が低いほどメッキ層の表面が粗くなるので、素子特性に
大きな影響を与える上部磁極先端部１８のみを高飽和磁
束密度、高比抵抗のＮｉ₄₀Ｆｅ₆₀で形成し、上部磁極後
方部２２を相対的に低飽和磁束密度、低比抵抗のＮｉ₅₀
Ｆｅ₅₀で形成している。

【００４６】この様に、本発明の実施の形態において
は、上部磁極を上部磁極先端部１８と上部磁極後方部２
２の２つに分けて２回メッキにより形成する際に、上部
磁極後方部２２とコイル層１４を被覆する上部絶縁層１
５との間に非磁性層１９を設けているので、上部磁極後
方部２２を形成するためのレジストマスク２１を形成す
る際のレジスト層を平坦に形成することができ、それに
よって、露光に伴う不所望な反射光を低減することがで
きるので、上部磁極後方部２２の形状不良を防止するこ
とができる。

【００４７】以上、本発明の実施の形態を説明してきた
が、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるもの
ではなく、各種の変更が可能であり、例えば、非磁性層
１９としてＣｕを用いているがＣｕに限られるものでは
なく、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等を用いても良いものであり、
この様な金属からなる非磁性層を用いることによって渦
電流損失を低減することができる。

【００４８】また、非磁性層１９は金属に限られるもの
ではなく、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等の無機
材料或いは、樹脂系レジストを用いても良いものであ
り、特に、樹脂系レジストを用いた場合には、図３
（ｃ）における非磁性層１９の形成工程が簡素化され、
パターニング精度が向上する。例えば、非磁性層１９を
形成するためにポジ型レジストを平坦に塗布したのち、
上部磁極先端部１８が露出する程度に表面を全面露光
し、次いで、非磁性層１９のパターンが残存するように
上部磁極先端部１８側を露光したのち、現像することに
よって、図３（ｃ）に示したパターンの非磁性層１９を
形成することができ、他の材料を用いた製造工程に比べ
て、位置合わせ精度が緩和される。

【００４９】また、上記の実施の形態の説明において
は、上部磁極先端部１８として、Ｎｉ ₄₀Ｆｅ₆₀を用い、
上部磁極後方部２２として、Ｎｉ₅₀Ｆｅ₅₀を用いている
が、この様な組成のＮｉＦｅ合金に限られるものではな
く、Ｎｉ₂₀Ｆｅ₈₀等の他の組成のＮｉＦｅ合金を用いて
も良いものであり、さらには、ＦｅＮｉＺｒ、ＣｏＮｉ
Ｆｅ等の他の高Ｂ_s軟磁性材料を用いても良いものであ
る。

【００５０】また、上記の実施の形態の説明において
は、非磁性層１９の後端が上部絶縁層１５の頂部の後端
とほぼ一致するようにしているが、この非磁性層１９は
少なくとも上部磁極後方部２２を形成する際のパターン
精度に影響する上部絶縁層１５の前方側の段差部を覆う
ように設ければ良いものであり、また、上部絶縁層１５
の後方側の段差部も覆うように設けても良いものであ
る。

【００５１】また、上記の実施の形態の説明において
は、誘導型の薄膜磁気ヘッドとＭＲヘッドとを積層した
複合型薄膜磁気ヘッドとして説明しているが、本発明は
複合型薄膜磁気ヘッドに限られるものではなく、単独の
誘導型の薄膜磁気ヘッドも対象とするものである。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、上部磁極を先端部と後
方部に分けて２回メッキで形成する際に、後方部形成す
る前に、先端部とほぼ同じ膜厚の非磁性層をコイル被覆
絶縁層上に設けているので、後方部を形成する際のレジ
ストマスクの露光工程において発生する不所望な反射光
を低減することができ、それによって、形状不良の発生
を防止することができるので、薄膜磁気ヘッドの高記録
密度化、低価格化に寄与し、ひいては、高性能ＨＤＤ装
置の普及に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の実施の形態の途中までの製造工程の説
明図である。

【図３】本発明の実施の形態の図２以降の途中までの製
造工程の説明図である。

【図４】本発明の実施の形態の図３以降の製造工程の説
明図である。

【図５】本発明の実施の形態の複合型薄膜磁気ヘッドの
概略的構成図である。

【図６】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの概略的構成図で
ある。

【図７】従来の一回メッキによる薄膜磁気ヘッドの途中
までの製造工程の説明図である。

【図８】従来の１回メッキによる薄膜磁気ヘッドの図７
以降の製造工程の説明図である。

【図９】従来の１回メッキによる薄膜磁気ヘッドの製造
方法の問題点の説明図である。

【図１０】従来の２回メッキによる薄膜磁気ヘッドの途
中までの製造工程の説明図である。

【図１１】従来の２回メッキによる薄膜磁気ヘッドの図
１０以降の製造工程の説明図である。

【図１２】従来の２回メッキによる薄膜磁気ヘッドの製
造方法の問題点の説明図である。

【符号の説明】

１下部磁極２ギャップ層３上部磁極の先端部４コイル下地絶縁層５コイル６コイル被覆絶縁層７非磁性層８上部磁極の後方部１１下部磁極層１２ギャップ層１３下部絶縁層１４コイル層１５上部絶縁層１６メッキベース層１７レジストマスク１８上部磁極先端部１９非磁性層２０メッキベース層２１レジストマスク２２上部磁極後方部３１基板３２下部シールド層３３ギャップスペーサ層３４磁気抵抗効果素子層３５素子電極３６ギャップスペーサ層４１基板４２下部シールド層４３ギャップスペーサ層４４磁気抵抗効果素子層４５素子電極４６ギャップスペーサ層４７下部磁極層４８ギャップ層４９下部絶縁層５０コイル層５１上部絶縁層５２上部磁極５３先端部５４後方部５５メッキベース層５６レジストマスク５７レジスト層５８露光光５９反射光６０開口部パターン６１拡大部６２レジストマスク６３レジストマスク６４レジスト層６５最厚部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上部磁極の後方部の少なくとも上部磁極
の先端部側の領域において、コイル被覆絶縁層と前記上
部磁極の後方部との間に非磁性層を設けたことを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】上記非磁性層として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、及び、
樹脂系レジストの内のいずれかを用いたことを特徴とす
る請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】上記上部磁極の先端部を高飽和磁束密度
材料によって構成し、上記上部磁極の後方部を低飽和磁
束密度材料によって構成することを特徴とする請求項１
または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】上記上部磁極の先端部を高抵抗材料によ
って構成し、上記上部磁極の後方部を低抵抗材料によっ
て構成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】上部磁極の先端部を形成する工程、コイ
ル被覆絶縁層と上部磁極の後方部の少なくとも前記上部
磁極の先端部側の領域との間に挿入する非磁性層を形成
する工程、及び、前記上部磁極の後方部を形成する工程
とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。