JP2000007427A - 高膨張性及び低誘電率を有するガラスセラミックス焼結体 - Google Patents
高膨張性及び低誘電率を有するガラスセラミックス焼結体Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
- C03C2214/04—Particles; Flakes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
- C03C2214/20—Glass-ceramics matrix
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機樹脂系の回路基板に実装可能で，且つ高
膨張性及び低誘電率を有するガラスセラミックス焼結体
を提供する。 【解決手段】 ホウケイ酸アルミガラス５０〜７０重量
％と，フィラーを５０〜３０重量％とを有するガラスセ
ラミックス焼結体である。ホウケイ酸アルミガラスは，
ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａＯのグループから選ばれる１種
又は２種以上を２０〜７０重量％含有する。
膨張性及び低誘電率を有するガラスセラミックス焼結体
を提供する。 【解決手段】 ホウケイ酸アルミガラス５０〜７０重量
％と，フィラーを５０〜３０重量％とを有するガラスセ
ラミックス焼結体である。ホウケイ酸アルミガラスは，
ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａＯのグループから選ばれる１種
又は２種以上を２０〜７０重量％含有する。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，高膨張性及び低誘電率を有する
ガラスセラミックス焼結体に関する。
ガラスセラミックス焼結体に関する。
【０００２】
【従来技術】近年，配線板として，導体抵抗の小さいＣ
ｕ，Ａｇ，Ａｕなどの導体を配線層とし，これらと同時
焼成が可能な絶縁基板が用いられている。その具体例と
して，ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系などのガラス
とフィラーとからなるガラスセラミックスがある（特開
平９−１２９７８２号公報，特開平９−１６９５６８号
公報，特開平９−２０８２９９号公報）。また，絶縁基
板として用いられるガラスセラミックスは，ワイヤーボ
ンディングの際の位置を定めるためにコントラストをつ
ける目的として，あるいは外観向上のために，着色化す
ることがあった。
ｕ，Ａｇ，Ａｕなどの導体を配線層とし，これらと同時
焼成が可能な絶縁基板が用いられている。その具体例と
して，ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系などのガラス
とフィラーとからなるガラスセラミックスがある（特開
平９−１２９７８２号公報，特開平９−１６９５６８号
公報，特開平９−２０８２９９号公報）。また，絶縁基
板として用いられるガラスセラミックスは，ワイヤーボ
ンディングの際の位置を定めるためにコントラストをつ
ける目的として，あるいは外観向上のために，着色化す
ることがあった。
【０００３】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記従来のガ
ラスセラミックスでは，有機樹脂系の外部電気回路基板
に実装した場合，熱膨張係数の差に起因する熱応力によ
り，熱疲労，クラックが発生し，電気的な不良を起こす
などの問題があった。
ラスセラミックスでは，有機樹脂系の外部電気回路基板
に実装した場合，熱膨張係数の差に起因する熱応力によ
り，熱疲労，クラックが発生し，電気的な不良を起こす
などの問題があった。
【０００４】また，絶縁基板は，その比誘電率が高い場
合には電気信号の遅れ，ノイズの発生が生じるため，比
誘電率は低いことが望まれている。また，誘電損失が大
きい場合には，エネルギーロスによる熱発生量が大きく
なることから，誘電損失も低いことが要求されている。
しかし，上記従来のガラスセラミックスでは，１ＭＨｚ
の測定周波数において，比誘電率が８〜１０とかなり高
い傾向にある。
合には電気信号の遅れ，ノイズの発生が生じるため，比
誘電率は低いことが望まれている。また，誘電損失が大
きい場合には，エネルギーロスによる熱発生量が大きく
なることから，誘電損失も低いことが要求されている。
しかし，上記従来のガラスセラミックスでは，１ＭＨｚ
の測定周波数において，比誘電率が８〜１０とかなり高
い傾向にある。
【０００５】本発明はかかる従来の問題点に鑑み，有機
樹脂系の回路基板に実装可能で，且つ高膨張性及び低誘
電率を有するガラスセラミックス焼結体を提供しようと
するものである。
樹脂系の回路基板に実装可能で，且つ高膨張性及び低誘
電率を有するガラスセラミックス焼結体を提供しようと
するものである。
【０００６】
【課題の解決手段】本発明は，ホウケイ酸アルミガラス
５０〜７０重量％と，フィラーを５０〜３０重量％とを
有するガラスセラミックス焼結体であって，上記ホウケ
イ酸アルミガラスは，ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａＯのグル
ープから選ばれる１種又は２種以上を２０〜７０重量％
含有することを特徴とする高膨張性及び低誘電率を有す
るガラスセラミックス焼結体である。
５０〜７０重量％と，フィラーを５０〜３０重量％とを
有するガラスセラミックス焼結体であって，上記ホウケ
イ酸アルミガラスは，ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａＯのグル
ープから選ばれる１種又は２種以上を２０〜７０重量％
含有することを特徴とする高膨張性及び低誘電率を有す
るガラスセラミックス焼結体である。
【０００７】本発明において最も注目すべきことは，ホ
ウケイ酸アルミガラスは，ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａＯの
グループから選ばれる１種又は２種以上を２０〜７０％
（重量％を意味する。以下，同様）含有することであ
る。
ウケイ酸アルミガラスは，ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａＯの
グループから選ばれる１種又は２種以上を２０〜７０％
（重量％を意味する。以下，同様）含有することであ
る。
【０００８】かかる特定の組成を有するホウケイ酸アル
ミガラスとフィラーとからなる混合物を焼成すると，珪
酸バリウム，珪酸ストロンチウム，珪酸カルシウムなど
のアルカリ土類珪酸塩が析出する。このため，有機樹脂
系基板と同程度の熱膨張係数を有するガラスセラミック
ス焼結体が得られる。従って，本発明により得られたガ
ラスセラミックス焼結体は，有機樹脂系基板に対して実
装することができる。また，この場合，実装面に熱膨張
差による熱応力は発生せず，実装面で熱疲労によるクラ
ックが発生することはない。また，本発明のガラスセラ
ミックス焼結体は，比誘電率が低く，また誘電損失も低
い。そのため，電気信号の伝達速度が速く，ノイズの発
生を防止することができる。また，熱発生量も少ない。
ミガラスとフィラーとからなる混合物を焼成すると，珪
酸バリウム，珪酸ストロンチウム，珪酸カルシウムなど
のアルカリ土類珪酸塩が析出する。このため，有機樹脂
系基板と同程度の熱膨張係数を有するガラスセラミック
ス焼結体が得られる。従って，本発明により得られたガ
ラスセラミックス焼結体は，有機樹脂系基板に対して実
装することができる。また，この場合，実装面に熱膨張
差による熱応力は発生せず，実装面で熱疲労によるクラ
ックが発生することはない。また，本発明のガラスセラ
ミックス焼結体は，比誘電率が低く，また誘電損失も低
い。そのため，電気信号の伝達速度が速く，ノイズの発
生を防止することができる。また，熱発生量も少ない。
【０００９】次に，本発明について詳細に説明する。本
発明のガラスセラミックス焼結体は，ホウケイ酸アルミ
ガラス５０〜７０％と，フィラー５０〜３０％とからな
る。ホウケイ酸アルミガラスが５０％未満の場合，又は
フィラーが５０％を超える場合には，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ
などの導体と同時焼成を行ったときに，焼成体が緻密化
しにくく，吸水性が生じる等の不具合が生じる。また，
ホウケイ酸アルミガラスが７０％を超える場合，又はフ
ィラーが３０％未満の場合には，ガラスの一部が溶融し
てしまい，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕなどの導体パターンと同時
焼成したときに導体パターンがその形状を維持すること
ができない場合がある。
発明のガラスセラミックス焼結体は，ホウケイ酸アルミ
ガラス５０〜７０％と，フィラー５０〜３０％とからな
る。ホウケイ酸アルミガラスが５０％未満の場合，又は
フィラーが５０％を超える場合には，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ
などの導体と同時焼成を行ったときに，焼成体が緻密化
しにくく，吸水性が生じる等の不具合が生じる。また，
ホウケイ酸アルミガラスが７０％を超える場合，又はフ
ィラーが３０％未満の場合には，ガラスの一部が溶融し
てしまい，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕなどの導体パターンと同時
焼成したときに導体パターンがその形状を維持すること
ができない場合がある。
【００１０】ホウケイ酸アルミガラスは，ＢａＯ，Ｓｒ
Ｏ及びＣａＯのグループから選ばれる１種又は２種以上
を２０〜７０％含有している。２０％未満の場合には，
フィラーと混合し，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕなどの導体と同時
焼成を行ったときガラスセラミックス焼結体が緻密化し
にくくなり，吸水性が生じる等の不具合が発生する可能
性がある。また，７０％を超える場合には，フィラーと
混合し，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ等の導体と同時焼成をした場
合には，ガラスが溶融しやすくなるため導体パターンが
その形状を維持することができなくなる等の問題が生じ
る。
Ｏ及びＣａＯのグループから選ばれる１種又は２種以上
を２０〜７０％含有している。２０％未満の場合には，
フィラーと混合し，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕなどの導体と同時
焼成を行ったときガラスセラミックス焼結体が緻密化し
にくくなり，吸水性が生じる等の不具合が発生する可能
性がある。また，７０％を超える場合には，フィラーと
混合し，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ等の導体と同時焼成をした場
合には，ガラスが溶融しやすくなるため導体パターンが
その形状を維持することができなくなる等の問題が生じ
る。
【００１１】更に，ホウケイ酸アルミガラスは，Ｂａ
Ｏ，ＳｒＯ及びＣａＯのグループから選ばれる１種又は
２種以上を２５〜５５％含有していることが望ましい。
これにより，ガラスセラミックス焼結体の熱膨張係数
を，更に樹脂基板に近似させることができ，樹脂基板へ
の実装がしやすくなる。
Ｏ，ＳｒＯ及びＣａＯのグループから選ばれる１種又は
２種以上を２５〜５５％含有していることが望ましい。
これにより，ガラスセラミックス焼結体の熱膨張係数
を，更に樹脂基板に近似させることができ，樹脂基板へ
の実装がしやすくなる。
【００１２】また，ガラスセラミックス焼結体に含まれ
ているホウケイ酸アルミガラスは，上記ＢａＯ，ＳｒＯ
及びＣａＯのグループから選ばれる１種又は２種以上を
含む他，必須成分としてＳｉＯ２，Ｂ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ
３を含有している。また，Ｋ ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，Ｌｉ
２Ｏ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＴｉＯ２，Ｐ２Ｏ５，Ｂｉ２Ｏ
３等の１種以上を含んでいても良い。
ているホウケイ酸アルミガラスは，上記ＢａＯ，ＳｒＯ
及びＣａＯのグループから選ばれる１種又は２種以上を
含む他，必須成分としてＳｉＯ２，Ｂ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ
３を含有している。また，Ｋ ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，Ｌｉ
２Ｏ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＴｉＯ２，Ｐ２Ｏ５，Ｂｉ２Ｏ
３等の１種以上を含んでいても良い。
【００１３】また，ホウケイ酸アルミガラスは，熱膨張
係数が６〜１５ｐｐｍ／℃であることが好ましい。６ｐ
ｐｍ／℃未満の場合には，フィラーと混合し焼成したガ
ラスセラミックス焼結体の熱膨張係数を有機樹脂系基板
の熱膨張係数に近づけることができず，有機樹脂系基板
に実装したときに実装面で熱応力によるクラックが発生
するおそれがある。１５ｐｐｍ／℃を超える場合には，
フィラーと混合し焼成したガラスセラミックス焼結体の
熱膨張係数が有機樹脂系基板の熱膨張係数よりも大きく
なる可能性があり，結果として熱応力によるクラックが
発生するおそれがある。
係数が６〜１５ｐｐｍ／℃であることが好ましい。６ｐ
ｐｍ／℃未満の場合には，フィラーと混合し焼成したガ
ラスセラミックス焼結体の熱膨張係数を有機樹脂系基板
の熱膨張係数に近づけることができず，有機樹脂系基板
に実装したときに実装面で熱応力によるクラックが発生
するおそれがある。１５ｐｐｍ／℃を超える場合には，
フィラーと混合し焼成したガラスセラミックス焼結体の
熱膨張係数が有機樹脂系基板の熱膨張係数よりも大きく
なる可能性があり，結果として熱応力によるクラックが
発生するおそれがある。
【００１４】フィラーとしては，アルミナ，シリカ，ム
ライト，マグネシア，フォルステライト，ペタライト，
ジルコニア，珪酸塩鉱物等を用いることができる。この
中，特にシリカを用いることが好ましい。これにより，
焼成過程においてアルカリ土類珪酸塩が析出しやすくな
り，焼成体の熱膨張率を高くすることができる。
ライト，マグネシア，フォルステライト，ペタライト，
ジルコニア，珪酸塩鉱物等を用いることができる。この
中，特にシリカを用いることが好ましい。これにより，
焼成過程においてアルカリ土類珪酸塩が析出しやすくな
り，焼成体の熱膨張率を高くすることができる。
【００１５】本発明のガラスセラミックス焼結体の熱膨
張係数は，８〜１８ｐｐｍ／℃であることが好ましい。
これにより，樹脂基板へ実装した場合にも，実装面に熱
膨張差に由来するクラックが発生するおそれは少ない。
一方，８ｐｐｍ／℃未満の場合，または１８ｐｐｍ／℃
を超える場合には，実装面にクラック発生のおそれが大
きい。更には，ガラスセラミックス焼結体の熱膨張係数
は９〜１４ｐｐｍ／℃であることが好ましい。これによ
り，樹脂基板に対する実装面にクラックが発生すること
を効果的に防止することができる。
張係数は，８〜１８ｐｐｍ／℃であることが好ましい。
これにより，樹脂基板へ実装した場合にも，実装面に熱
膨張差に由来するクラックが発生するおそれは少ない。
一方，８ｐｐｍ／℃未満の場合，または１８ｐｐｍ／℃
を超える場合には，実装面にクラック発生のおそれが大
きい。更には，ガラスセラミックス焼結体の熱膨張係数
は９〜１４ｐｐｍ／℃であることが好ましい。これによ
り，樹脂基板に対する実装面にクラックが発生すること
を効果的に防止することができる。
【００１６】また，ガラスセラミックス焼結体の１ＭＨ
ｚにおける比誘電率は，５〜７であることが好ましい。
５未満となるようなガラスセラミックス焼結体を得るこ
とは技術上困難である。また，７を超えるような大きい
値の場合には，電気信号の遅れが生じ易くノイズ発生の
原因になり得る。更に，電気信号の伝達速度に大きな遅
れを生じさせないためには，５〜６．５の範囲であるこ
とが望ましい。
ｚにおける比誘電率は，５〜７であることが好ましい。
５未満となるようなガラスセラミックス焼結体を得るこ
とは技術上困難である。また，７を超えるような大きい
値の場合には，電気信号の遅れが生じ易くノイズ発生の
原因になり得る。更に，電気信号の伝達速度に大きな遅
れを生じさせないためには，５〜６．５の範囲であるこ
とが望ましい。
【００１７】また，ガラスセラミックス焼結体は，誘電
損失が１５×１０−４以下であることが好ましい。１５
×１０−４を超える場合には，エネルギーロスにより熱
が発生することがある。
損失が１５×１０−４以下であることが好ましい。１５
×１０−４を超える場合には，エネルギーロスにより熱
が発生することがある。
【００１８】また，本発明のガラスセラミックス焼結体
は，着色剤を含有していてもよい。これにより，ガラス
セラミックス焼結体に着色を施すことができ，外観が向
上するとともに，ワイヤーボンディングの際に基板の位
置決めを容易にかつ正確に行うことができる。例えば，
着色剤として酸化コバルトを用いることにより青色，金
でピンク色，酸化クロムで緑色，酸化鉄・酸化マンガン
系混合粉末で褐色から黒色を発色させることができる。
は，着色剤を含有していてもよい。これにより，ガラス
セラミックス焼結体に着色を施すことができ，外観が向
上するとともに，ワイヤーボンディングの際に基板の位
置決めを容易にかつ正確に行うことができる。例えば，
着色剤として酸化コバルトを用いることにより青色，金
でピンク色，酸化クロムで緑色，酸化鉄・酸化マンガン
系混合粉末で褐色から黒色を発色させることができる。
【００１９】着色剤の添加量は，ホウケイ酸アルミガラ
ス及びフィラーの合計量１００重量部に対して，０．０
２〜１０重量部であることが好ましい。０．０２重量部
未満の場合には，充分な発色が生じないおそれがある。
また，１０重量部を超える場合には，ガラスセラミック
ス焼結体が多孔質体となり，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕなどの導
体と同時焼成をすることができなくなるおそれがある。
ス及びフィラーの合計量１００重量部に対して，０．０
２〜１０重量部であることが好ましい。０．０２重量部
未満の場合には，充分な発色が生じないおそれがある。
また，１０重量部を超える場合には，ガラスセラミック
ス焼結体が多孔質体となり，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕなどの導
体と同時焼成をすることができなくなるおそれがある。
【００２０】本発明のガラスセラミックス焼結体を製造
するにあたっては，ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａＯのグルー
プから選ばれる１種又は２種以上を２０〜７０重量％含
有するホウケイ酸アルミガラス粉末と，フィラー粉末と
を準備する。
するにあたっては，ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａＯのグルー
プから選ばれる１種又は２種以上を２０〜７０重量％含
有するホウケイ酸アルミガラス粉末と，フィラー粉末と
を準備する。
【００２１】次いで，上記ホウケイ酸アルミガラス粉末
５０〜７０％と，フィラー粉末５０〜３０％とを混合
し，適当な有機バインダーを添加し，これを任意な形状
に成形する。有機バインダーとしては，例えば，アクリ
ル，ワックスエマルジョン，ポリビニルアルコール，メ
チルセルロースなどを用いることができる。成形方法と
しては，ドクターブレード法，金型プレス法，押出法，
圧延法，スリップキャスト法などがある。成形体には，
導体ペーストをスクリーン印刷法などにより供給して導
体パターンを形成してもよい。導体ペーストとしては，
Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄの少なくとも１種以上の
金属粉末に有機バインダーを添加したものを用いること
ができる。また，上記成形体には，必要に応じてビアホ
ールの形成，積層を行ってもよい。
５０〜７０％と，フィラー粉末５０〜３０％とを混合
し，適当な有機バインダーを添加し，これを任意な形状
に成形する。有機バインダーとしては，例えば，アクリ
ル，ワックスエマルジョン，ポリビニルアルコール，メ
チルセルロースなどを用いることができる。成形方法と
しては，ドクターブレード法，金型プレス法，押出法，
圧延法，スリップキャスト法などがある。成形体には，
導体ペーストをスクリーン印刷法などにより供給して導
体パターンを形成してもよい。導体ペーストとしては，
Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄの少なくとも１種以上の
金属粉末に有機バインダーを添加したものを用いること
ができる。また，上記成形体には，必要に応じてビアホ
ールの形成，積層を行ってもよい。
【００２２】次いで，成形体を焼成する。焼成温度は１
０００℃以下であることが好ましい。特に８００〜９０
０℃であることが好ましい。８００℃未満の場合には，
焼成不十分で緻密体を得ることが困難となる。また，９
５０℃を超える場合には，Ａｇなどの導体パターンと同
時焼成したときに，導体の一部が溶融してパターンを維
持することができなくなるおそれがある。
０００℃以下であることが好ましい。特に８００〜９０
０℃であることが好ましい。８００℃未満の場合には，
焼成不十分で緻密体を得ることが困難となる。また，９
５０℃を超える場合には，Ａｇなどの導体パターンと同
時焼成したときに，導体の一部が溶融してパターンを維
持することができなくなるおそれがある。
【００２３】焼成雰囲気は，印刷された導体の種類に依
存する。例えば，Ａｇ，Ａｕを用いる場合には酸化雰囲
気，Ｃｕを用いる場合には中性雰囲気で焼成することが
好ましい。その理由は，Ａｇ，Ａｕは一般的な焼成雰囲
気である酸化雰囲気で焼成しても酸化されにくいが，Ｃ
ｕは容易に酸化され酸化銅となるため中性雰囲気とする
必要があるからである。
存する。例えば，Ａｇ，Ａｕを用いる場合には酸化雰囲
気，Ｃｕを用いる場合には中性雰囲気で焼成することが
好ましい。その理由は，Ａｇ，Ａｕは一般的な焼成雰囲
気である酸化雰囲気で焼成しても酸化されにくいが，Ｃ
ｕは容易に酸化され酸化銅となるため中性雰囲気とする
必要があるからである。
【００２４】本発明のガラスセラミックス焼結体には，
Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕなどの導体をパターン印刷してプリン
ト配線板として用いることができる。また，半導体搭載
用のパッケージにも用いることができる。
Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕなどの導体をパターン印刷してプリン
ト配線板として用いることができる。また，半導体搭載
用のパッケージにも用いることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】実施形態例１ 本発明の実施形態例にかかるガラスセラミックス焼結体
について，表１〜表３を用いて説明する。まず，本例に
おいては，ホウケイ酸アルミガラス粉末として，表１に
示す〜の組成からなる９種の粉末を準備した。
について，表１〜表３を用いて説明する。まず，本例に
おいては，ホウケイ酸アルミガラス粉末として，表１に
示す〜の組成からなる９種の粉末を準備した。
【００２６】
【表１】
【００２７】次いで，上記９種のホウケイ酸アルミガラ
ス粉末〜と，フィラーとしてのシリカ粉末及び珪酸
鉱物塩と，着色剤としてＦｅ−Ｍｎ系の粉末とを秤量し
た。この混合粉末をこのとき，各種配合比は表２，表３
に示すように変えた。これらの混合粉末を湿式混合し，
乾燥させ，その後有機バインダーを添加し，プレス成形
した。成形体を酸化雰囲気中で９５０℃にて焼成し，ガ
ラスセラミックス焼結体を得た。各種ガラスセラミック
ス焼結体の中，試料３〜７，１０〜１３，１６〜１８，
２０，２２，２４〜２６，２８〜３０は本発明品，試料
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ８，Ｃ９，Ｃ１４，Ｃ１５，Ｃ１９，Ｃ
２１，Ｃ２３，Ｃ２７は比較品とした。
ス粉末〜と，フィラーとしてのシリカ粉末及び珪酸
鉱物塩と，着色剤としてＦｅ−Ｍｎ系の粉末とを秤量し
た。この混合粉末をこのとき，各種配合比は表２，表３
に示すように変えた。これらの混合粉末を湿式混合し，
乾燥させ，その後有機バインダーを添加し，プレス成形
した。成形体を酸化雰囲気中で９５０℃にて焼成し，ガ
ラスセラミックス焼結体を得た。各種ガラスセラミック
ス焼結体の中，試料３〜７，１０〜１３，１６〜１８，
２０，２２，２４〜２６，２８〜３０は本発明品，試料
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ８，Ｃ９，Ｃ１４，Ｃ１５，Ｃ１９，Ｃ
２１，Ｃ２３，Ｃ２７は比較品とした。
【００２８】得られたガラスセラミックス焼結体の吸水
率，強度，１ＭＨｚにおける比誘電率，誘電損失をＪＩ
Ｓ規格及びＥＭＡＳ（日本電子材料工学会）に準じて測
定した。その結果を表２，表３に示した。また，焼成体
の状態についても示した。
率，強度，１ＭＨｚにおける比誘電率，誘電損失をＪＩ
Ｓ規格及びＥＭＡＳ（日本電子材料工学会）に準じて測
定した。その結果を表２，表３に示した。また，焼成体
の状態についても示した。
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【図１】
【００３１】上記の表より知れらるように，本発明品は
いずれも，吸水率０〜０．５％であり，緻密体であっ
た。強度は１７０ＭＰａ以上と高かった。また，比誘電
率６．１以下，誘電損失１０．６×１０−４以下と低
く，熱膨張係数は１０．２〜１２．３ｐｐｍ／℃の範囲
にあった。一方，比較品である試料Ｃ１，Ｃ２，Ｃ９，
Ｃ１５は，焼成体の一部が溶融してしまった。試料Ｃ
８，Ｃ１４，Ｃ１９，Ｃ２１，Ｃ２３，Ｃ２７は，吸水
率が高く多孔質体であった。
いずれも，吸水率０〜０．５％であり，緻密体であっ
た。強度は１７０ＭＰａ以上と高かった。また，比誘電
率６．１以下，誘電損失１０．６×１０−４以下と低
く，熱膨張係数は１０．２〜１２．３ｐｐｍ／℃の範囲
にあった。一方，比較品である試料Ｃ１，Ｃ２，Ｃ９，
Ｃ１５は，焼成体の一部が溶融してしまった。試料Ｃ
８，Ｃ１４，Ｃ１９，Ｃ２１，Ｃ２３，Ｃ２７は，吸水
率が高く多孔質体であった。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば，有機樹脂系の回路基板
に実装可能で，且つ高膨張性及び低誘電率を有するガラ
スセラミックス焼結体を提供することができる。
に実装可能で，且つ高膨張性及び低誘電率を有するガラ
スセラミックス焼結体を提供することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 ホウケイ酸アルミガラス５０〜７０重量
％と，フィラーを５０〜３０重量％とを有するガラスセ
ラミックス焼結体であって，上記ホウケイ酸アルミガラ
スは，ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣａＯのグループから選ばれ
る１種又は２種以上を２０〜７０重量％含有することを
特徴とする高膨張性及び低誘電率を有するガラスセラミ
ックス焼結体。 - 【請求項２】 請求項１において，上記ガラスセラミッ
クス焼結体の比誘電率は，５〜７であることを特徴とす
る高膨張性及び低誘電率を有するガラスセラミックス焼
結体。 - 【請求項３】 請求項１又は２において，上記ガラスセ
ラミックス焼結体の誘電損失は，１５×１０−４以下で
あることを特徴とする高膨張性及び低誘電率を有するガ
ラスセラミックス焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10182120A JP2000007427A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 高膨張性及び低誘電率を有するガラスセラミックス焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10182120A JP2000007427A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 高膨張性及び低誘電率を有するガラスセラミックス焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000007427A true JP2000007427A (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=16112689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10182120A Pending JP2000007427A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 高膨張性及び低誘電率を有するガラスセラミックス焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000007427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002047059A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-12 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた配線基板 |
| JP2013239260A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Fujitsu Ltd | イオン導電体及び二次電池 |
-
1998
- 1998-06-29 JP JP10182120A patent/JP2000007427A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002047059A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-12 | Kyocera Corp | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた配線基板 |
| JP4577956B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2010-11-10 | 京セラ株式会社 | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた配線基板 |
| JP2013239260A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Fujitsu Ltd | イオン導電体及び二次電池 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051014 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051025 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060228 |