JP2000003788A - Organic electroluminescent element - Google Patents

Organic electroluminescent element

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JP2000003788A
JP2000003788A JP10168237A JP16823798A JP2000003788A JP 2000003788 A JP2000003788 A JP 2000003788A JP 10168237 A JP10168237 A JP 10168237A JP 16823798 A JP16823798 A JP 16823798A JP 2000003788 A JP2000003788 A JP 2000003788A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain high heat resistance, further improved blue luminescence with excellent color purity and improved stability by using specified compound having hydrogen or an arbitrary substitutional group as a luminescent layer and having a high melting point aromatic ring. SOLUTION: An organic electroluminescent element is formed by holding a luminescent layer and an electron hole transport layer by an anode and a cathode on a substrate. In the luminescent layer, compound having a structure shown by formula I is included. In the formula I, X1, X2 are hydrogen or an arbitrary substitutional group each aromatic ring may be substituted by an arbitrary substitutional group. As compound shown by the formula I, for example it is preferable that a compound shown by formula II is used. In the formula II, X1, X2 represent alkyl groups, aromatic hydrocarbon ring groups and aromatic heterocyclic ring groups, each of which independently may have hydrogen atoms and a substitutional group. R1 to R8 represent hydrogen atoms, halogen atoms, alkyl groups and alkenyl groups. It is preferably that a hole inhibiting layer made of metallic complex styryl compound be provided between this luminescent layer and the cathode.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子に
関するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光
層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to a thin film device which emits light by applying an electric field to a light emitting layer made of an organic compound.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200 V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a thin film type electroluminescent (EL) element, Zn, which is a group II-VI compound semiconductor of an inorganic material, is used.
In general, S, CaS, SrS, and the like are doped with Mn or a rare earth element (Eu, Ce, Tb, Sm, or the like) which is a luminescence center. However, EL devices manufactured from the above inorganic materials include: 1) AC drive is required (50-1000 Hz), 2) High drive voltage (up to 200 V), 3) Full color is difficult (especially blue), 4) Peripheral drive circuit is expensive. I have.

【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と8−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設け
た有機電界発光素子の開発(Appl. Phys. Lett., 51
巻, 913 頁,1987年)により、従来のアントラセン等の
単結晶を用いたEL素子と比較して発光効率の大幅な改
善がなされている。また、例えば、8−ヒドロキシキノ
リンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン
等のレーザ用蛍光色素をドープすること(J. Appl. Phy
s.,65巻,3610頁,1989年)で、発光効率の向上や発光
波長の変換等も行われている。上記の様な低分子材料を
用いた電界発光素子の他にも、発光層の材料として、ポ
リ(p-フェニレンビニレン)、ポリ[2-メトキシ-5-(2-
エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポ
リ(3-アルキルチオフェン)等の高分子材料を用いた電
界発光素子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高分
子に低分子の発光材料と電子移動材料を混合した素子の
開発も行われている。
However, in recent years, in order to improve the above problems,
Development of EL devices using organic thin films has been started. In particular, in order to enhance the luminous efficiency, the type of the electrode was optimized for the purpose of improving the efficiency of carrier injection from the electrode, and a hole transport layer composed of an aromatic diamine and a luminescent layer composed of an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline were used. Of an organic electroluminescent device provided with an electrode (Appl. Phys. Lett., 51
Vol., Pp. 913, 1987), the luminous efficiency has been greatly improved as compared with a conventional EL device using a single crystal such as anthracene. For example, doping a fluorescent dye for laser such as coumarin using an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline as a host material (J. Appl. Phy.
s., 65, p. 3610, 1989), the improvement of luminous efficiency, conversion of luminous wavelength, and the like are also performed. In addition to the electroluminescent device using a low molecular material as described above, poly (p-phenylenevinylene) and poly [2-methoxy-5- (2-
Development of electroluminescent devices using polymer materials such as [ethylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene] and poly (3-alkylthiophene), and light-emitting materials and electron-transfer materials of polymers such as polyvinylcarbazole with low molecular weight The development of the element which mixed is.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】有機電界発光素子をフ
ラットパネル・ディスプレイ等の表示素子に応用するた
めには、素子の信頼性を十分に確保する必要がある。し
かしながら、従来の有機電界発光素子では耐熱性が不十
分であり、素子の環境温度やプロセス温度の上昇により
電流−電圧特性が高電圧側にシフトしたり、素子駆動時
の局所的なジュール発熱により寿命が低下したり、非発
光部分(ダークスポット)の発生及び増加等の劣化が避
けられなかった。また、青色発光素子に関しては、8−
ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体を用いた緑色発
光素子と比較して、さらに素子の安定性が劣っているの
が現状である。
In order to apply an organic electroluminescent device to a display device such as a flat panel display, it is necessary to ensure sufficient reliability of the device. However, the heat resistance of the conventional organic electroluminescent device is insufficient, and the current-voltage characteristic shifts to a higher voltage side due to an increase in the ambient temperature or process temperature of the device, or local Joule heat generated when the device is driven. Deterioration such as shortening of service life and generation and increase of non-light emitting portions (dark spots) was inevitable. As for the blue light emitting element, 8-
At present, the stability of the device is further inferior to that of a green light-emitting device using an aluminum complex of hydroxyquinoline.

【0005】上記の素子劣化の主原因は、有機層の薄膜
形状の劣化である。この薄膜形状の劣化は、素子駆動時
の発熱等による有機非晶質薄膜の結晶化(または凝集)
等に起因すると考えられている。この耐熱性の低さは材
料のガラス転移温度(以下Tgと略す)の低さに由来する
と考えられる。Tgは一般的に融点と直線相関がある。ま
た、青色発光素子に関しては、パイ電子共役を拡げられ
ないとい制約から、発光層に用いられる化合物には、分
子量が小さく融点及びTgが低いものが多い。また、化学
的にも十分安定とは言えないのが現状である。
The main cause of the above-mentioned element deterioration is deterioration of the thin film shape of the organic layer. This deterioration of the thin film shape is caused by crystallization (or aggregation) of the organic amorphous thin film due to heat generated during driving of the element.
It is thought to be caused by such factors. This low heat resistance is considered to be due to the low glass transition temperature (hereinafter abbreviated as Tg) of the material. Tg generally has a linear correlation with the melting point. Further, with respect to the blue light-emitting element, many compounds used in the light-emitting layer have a small molecular weight and a low melting point and a low Tg due to the restriction that the pi electron conjugation cannot be expanded. At present, it is not sufficiently stable chemically.

【0006】これまで、青色有機電界発光素子に用いら
れた化合物としては、アントラセン、テトラフェニルブ
タジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ジスチ
リルベンゼン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アゾメ
チン亜鉛錯体、ベンズアゾール金属錯体(特開平8− 8
1472号公報)、混合配位子型アルミニウム錯体(J.SID,
5 巻, 11頁, 1997年)、N,N'- ジフェニル-N,N'-(3-
メチルフェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン、ポ
リビニルカルバゾール、1,2,4-トリアゾール誘導体、ア
ミノピレン二量体、ジスチリルビフェニル誘導体(App
l. Phys.Lett., 67 巻,3853頁,1995年)、シロール誘
導体等が報告されている。上記の青色発光材料のなか
で、素子特性がよく検討されている代表的化合物を以下
に示す:
[0006] Compounds that have been used in blue organic electroluminescent devices so far include anthracene, tetraphenylbutadiene, pentaphenylcyclopentadiene, distyrylbenzene derivative, oxadiazole derivative, azomethine zinc complex, benzazole metal complex (particularly). Kaihei 8-8
No. 1472), mixed ligand type aluminum complex (J.SID,
5, p. 11, 1997), N, N'-diphenyl-N, N '-(3-
Methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, polyvinylcarbazole, 1,2,4-triazole derivative, aminopyrene dimer, distyrylbiphenyl derivative (App
l. Phys. Lett., vol. 67, p. 3853, 1995), silole derivatives and the like. Among the above blue light-emitting materials, representative compounds whose device characteristics are well studied are shown below:

【0007】[0007]

【化3】 Embedded image

【0008】[0008]

【化4】 Embedded image

【0009】[0009]

【化5】 Embedded image

【0010】ジスチリルビフェニル誘導体(B−1)
は、蛍光強度が強く素子に用いた時にもエキサイプレッ
クスを形成せず、青色発光が報告されているが(Appl.
Phys.Lett., 67巻,3853頁,1995年)、薄膜状態でのイ
オン化ポテンシャルが 5.9eVと高く、正孔輸送層から正
孔が注入しにくく、また、ELスペクトルでは 480nm付
近に発光極大を有するブロードなピークを示し、青色の
色純度がよくないとう問題がある。この色純度はドーピ
ングを行っても改善されていない。ビス(2-メチル-8-
キノリノラト)(p-フェニルフェノラト)アルミニウム
錯体(B−2)も青色の色純度が不十分で、ペリレンを
ドープすることで色純度は改善されるものの、駆動時の
安定性が実用レベルには達していない(特開平5−1983
77号公報)。芳香族ジアミンであるN,N'- ジフェニル-
N,N'-(3-メチルフェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジ
アミン(通常TPDと呼ばれる)(B−3)は、正孔阻
止層としてのトリアゾール誘導体と組み合わせた時に 4
64nmに発光ピークを有するELスペクトルを示すが(Jp
n. J. Appl. Phys., 32 巻,L917頁,1993年)、TPD
のTgは63℃と低いために結晶化等の熱的不安定性を有す
る。
Distyrylbiphenyl derivative (B-1)
Has a strong fluorescence intensity and does not form an exciplex even when used in a device, and has been reported to emit blue light (Appl.
Phys. Lett., Vol. 67, p. 3853, 1995), the ionization potential in a thin film state is as high as 5.9 eV, it is difficult for holes to be injected from the hole transport layer, and in the EL spectrum, the emission maximum is around 480 nm. And has a problem that the blue color purity is not good. This color purity is not improved by doping. Bis (2-methyl-8-
The quinolinolato) (p-phenylphenolato) aluminum complex (B-2) also has insufficient blue color purity, and although the color purity is improved by doping with perylene, the driving stability is reduced to a practical level. Not reached (JP-A-5-1983)
No. 77 gazette). N, N'-diphenyl- which is an aromatic diamine
N, N '-(3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (usually referred to as TPD) (B-3), when combined with a triazole derivative as a hole blocking layer Four
An EL spectrum having an emission peak at 64 nm is shown (Jp
n. J. Appl. Phys., 32, L917, 1993), TPD
Has a thermal instability such as crystallization because its Tg is as low as 63 ° C.

【0011】上述の理由から、有機電界発光素子は実用
化に向けて、素子の耐熱性さらには青色発光の色純度に
大きな問題を抱えているのが実状である。有機電界発光
素子の耐熱性と駆動特性が不安定で、青色純度が改善さ
れないことは、フルカラー化を目指すフラットパネル・
ディスプレイ等の表示素子として望ましくない特性であ
る。本発明者は上記実状に鑑み、高い耐熱性を有し、さ
らには、色純度のよい青色発光を示す有機電界発光素子
を提供することを目的として鋭意検討した結果、有機電
界発光素子に特定の化合物を用いることで、上記課題を
解決することができることを見い出し、本発明を完成す
るに至った。
For the reasons described above, the organic electroluminescent device has a serious problem in terms of the heat resistance of the device and the color purity of blue light emission for practical use. The fact that the heat resistance and driving characteristics of the organic electroluminescent device are unstable and the blue purity is not improved is the reason that flat panels and
This is an undesirable characteristic for a display element such as a display. In view of the above situation, the present inventor has a high heat resistance, furthermore, as a result of intensive study for the purpose of providing an organic electroluminescent element that emits blue light with good color purity, as a result specific to the organic electroluminescent element It has been found that the above problems can be solved by using a compound, and the present invention has been completed.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の要旨
は、一般式(I)
That is, the gist of the present invention is that of the general formula (I)

【0013】[0013]

【化6】 Embedded image

【0014】(X1 、X2 は水素または任意の置換基で
あり、各芳香族環は任意の置換基で置換されていてもよ
い。)で表される構造を有する化合物を含有することを
特徴とする、有機電界発光素子に存する。以下、本発明
の有機電界発光素子について、図面を参照しながら説明
する。図1は本発明に用いられる一般的な有機電界発光
素子の構造例を模式的に示す断面図であり、1は基板、
2は陽極、4は正孔輸送層、5は発光層、7は電子輸送
層、8は陰極を各々表わす。
(X 1 and X 2 are hydrogen or an optional substituent, and each aromatic ring may be substituted with an optional substituent.) The feature resides in an organic electroluminescent device. Hereinafter, the organic electroluminescent device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of a general organic electroluminescent element used in the present invention.
2 represents an anode, 4 represents a hole transport layer, 5 represents a light emitting layer, 7 represents an electron transport layer, and 8 represents a cathode.

【0015】基板1は有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、通常石英やガラスの板、金属板や金属箔、
合成樹脂フィルムやシートなどが用いられる。特にガラ
ス板や、例えばポリエステル、ポリメタクリレート、ポ
リカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の
フィルムやシートが好ましい。合成樹脂の基板を使用す
る場合には、ガスバリア性に留意する必要があり、基板
のガスバリヤ性が小さすぎると、基板を通過した外気に
より有機電界発光素子が劣化することがあるので好まし
くない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻
密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する
方法も好ましい方法の一つである。
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent device and is usually made of a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil,
Synthetic resin films and sheets are used. In particular, a glass plate or a film or sheet of a transparent synthetic resin such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, and polysulfone is preferable. When using a substrate made of a synthetic resin, it is necessary to pay attention to the gas barrier property. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air passing through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate to secure gas barrier properties is also a preferable method.

【0016】基板1上には陽極2が設けられるが、陽極
2は正孔輸送層への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケ
ル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/また
はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロ
ゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ(3-メ
チルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導
電性高分子などにより構成される。陽極2の形成は通
常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる
ことが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅など
の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒
子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバイン
ダー樹脂溶液に分散し、基板1上に塗布することにより
陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子
の場合は電解重合により直接基板1上に薄膜を形成した
り、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成す
ることもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,
1992年)。陽極2は異なる物質で積層して形成すること
も可能である。陽極2の厚みは、必要とする透明性によ
り異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過
率を、通常、60%以上、好ましくは80%以上とすること
が望ましく、この場合、厚みは、通常、5〜1000nm、 好
ましくは10〜500nm 程度である。不透明でよい場合は陽
極2は基板1と同一でもよい。また、さらには上記の陽
極2の上に異なる導電材料を積層することも可能であ
る。
An anode 2 is provided on a substrate 1, and the anode 2 plays a role of injecting holes into a hole transport layer. This anode is usually made of a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, and platinum; a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin; a metal halide such as copper iodide; carbon black; (3-methylthiophene), conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline. Usually, the formation of the anode 2 is often performed by a sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like. In the case of fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, or conductive polymer fine powder, they are dispersed in a suitable binder resin solution and To form the anode 2. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be formed directly on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the conductive polymer can be applied on the substrate 1 to form the anode 2 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711,
1992). The anode 2 can be formed by laminating different materials. The thickness of the anode 2 depends on the required transparency. When transparency is required, the transmittance of visible light is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness is usually 5 to 1000 nm, preferably 10 to 10 nm. It is about 500 nm. If opaque, the anode 2 may be the same as the substrate 1. Further, it is also possible to laminate a different conductive material on the anode 2.

【0017】陽極2の上には正孔輸送層4が設けられ
る。正孔輸送層の材料に要求される条件としては、陽極
からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効
率よく輸送することができる材料であることが必要であ
る。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可
視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大
きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製
造時や使用時に発生しにくいことが要求される。上記の
一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素
子にはさらに耐熱性が要求される。従って、Tgとして85
℃以上の値を有する材料が望ましい。
On the anode 2, a hole transport layer 4 is provided. As a condition required for the material of the hole transport layer, it is necessary that the material has a high hole injection efficiency from the anode and can efficiently transport the injected holes. For that purpose, the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities serving as traps are unlikely to be generated during production or use. Required. In addition to the above general requirements, when considering applications for in-vehicle display, the element is required to have further heat resistance. Therefore, Tg is 85
A material having a value of at least C is desirable.

【0018】このような正孔輸送層の材料としては、例
えば、1,1-ビス(4-ジ-p- トリルアミノフェニル)シク
ロヘキサン、4,4'- ビス[N-(1-ナフチル)-N- フェニ
ルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミ
ンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した
芳香族アミン(特開平5−234681号公報)、トリフェニ
ルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香
族トリアミン(米国特許第4,923,774 号)、N,N'- ジフ
ェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)ビフェニル-4,
4'-ジアミン等、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数
個置換した化合物、スチリル構造を有する芳香族ジアミ
ン(特開平4−290851号公報)、チオフェン基で芳香族
3級アミンユニットを連結したもの(特開平4−304466
号公報)、スターバースト型芳香族トリアミン(特開平
4−308688号公報)、フルオレン基で3級アミンを連結
したもの(特開平5− 25473号公報)、トリアミン化合
物(特開平5−239455号公報)、ビスジピリジルアミノ
ビフェニル、N,N,N-トリフェニルアミン誘導体(特開平
6−1972号公報)、フェノキサジン構造を有する芳香族
ジアミン(特開平7−138562号公報)、ジアミノフェニ
ルフェナントリジン誘導体(特開平7−252474号公
報)、シラザン化合物(米国特許第 4,950,950号公
報)、シラナミン誘導体(特開平6− 49079号公報)、
ホスファミン誘導体(特開平6− 25659号公報)等が挙
げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、
必要に応じて、各々、混合して用いてもよい。
Examples of the material for such a hole transport layer include 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane and 4,4′-bis [N- (1-naphthyl)- Aromatic amines containing two or more tertiary amines represented by [N-phenylamino] biphenyl and having two or more condensed aromatic rings substituted by nitrogen atoms (JP-A-5-234681); An aromatic triamine having a starburst structure as a derivative (US Pat. No. 4,923,774), N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) biphenyl-4,
Compounds in which a pyrenyl group is substituted with a plurality of aromatic diamino groups, such as 4'-diamine, aromatic diamines having a styryl structure (JP-A-4-290851), and aromatic tertiary amine units linked by a thiophene group (JP-A-4-304466)
JP-A-5-239455), a starburst type aromatic triamine (JP-A-4-308688), a tertiary amine linked by a fluorene group (JP-A-5-25473), and a triamine compound (JP-A-5-239455) ), Bisdipyridylaminobiphenyl, N, N, N-triphenylamine derivatives (JP-A-6-1972), aromatic diamines having a phenoxazine structure (JP-A-7-138562), diaminophenylphenanthridine Derivatives (JP-A-7-252474), silazane compounds (US Pat. No. 4,950,950), silanamine derivatives (JP-A-6-49079),
And phosphamine derivatives (JP-A-6-25659). These compounds may be used alone,
If necessary, they may be mixed and used.

【0019】上記の化合物以外に、正孔輸送層4の材料
として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン、ポリフ
ォスファゼン(特開平5−310949号公報)、ポリアミド
(特開平5−310949号公報)、ポリビニルトリフェニル
アミン(特開平7− 53953号公報)、トリフェニルアミ
ン骨格を有する高分子(特開平4−133065号公報)、芳
香族アミンを含有するポリメタクリレート等の高分子材
料が挙げられる。
In addition to the above compounds, materials for the hole transport layer 4 include polyvinyl carbazole, polysilane, polyphosphazene (JP-A-5-310949), polyamide (JP-A-5-310949), and polyvinyl triphenyl. Polymer materials such as amines (JP-A-7-53953), polymers having a triphenylamine skeleton (JP-A-4-1303065), and polymethacrylates containing aromatic amines are exemplified.

【0020】上記の正孔輸送材料を塗布法あるいは真空
蒸着法により前記陽極2上に積層することにより正孔輸
送層4を形成する。塗布法の場合は、正孔輸送材料を1
種または2種以上と、必要により正孔のトラップになら
ないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添
加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法など
の方法により陽極2上に塗布し、乾燥して正孔輸送層3b
を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バ
インダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させる
ので、少ない方が望ましく、通常、50重量%以下が好
ましい。
The hole transport layer 4 is formed by laminating the above hole transport material on the anode 2 by a coating method or a vacuum evaporation method. In the case of the coating method, one hole transport material is used.
A seed or two or more, and if necessary, an additive such as a binder resin or a coatability improver that does not trap holes are added and dissolved to prepare a coating solution, and the solution is formed on the anode 2 by a method such as spin coating. To the hole transport layer 3b
To form Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, and polyester. If the amount of the binder resin is large, the hole mobility is reduced, so that a small amount is desirable, and usually 50% by weight or less is preferable.

【0021】真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真
空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当
な真空ポンプで10-4Pa程度にまで排気した後、ルツボを
加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合っ
て置かれた、陽極が形成された基板1上に正孔輸送層4
を形成させる。正孔輸送層4の膜厚は、通常、10〜300n
m 、好ましくは30〜100nm である。この様に薄い膜を一
様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いら
れる。正孔輸送層4の上に発光層5が形成される。
In the case of the vacuum evaporation method, the hole transporting material is put into a crucible installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 -4 Pa by a suitable vacuum pump, and then the crucible is heated. Then, the hole transport material is evaporated, and the hole transport layer 4 is formed on the substrate 1 on which the anode is formed, which is placed facing the crucible.
Is formed. The thickness of the hole transport layer 4 is usually 10 to 300 n
m, preferably 30-100 nm. In order to uniformly form such a thin film, generally, a vacuum deposition method is often used. The light emitting layer 5 is formed on the hole transport layer 4.

【0022】本発明の有機電界発光素子は、発光層とし
て前記一般式(I)で表わされる構造を有する化合物を
含有することを特徴とする。本発明においては、高融点
を有する化合物を発光層に用いることで、素子の耐熱性
を改善すると同時に青色発光を可能とした。前記一般式
(I)で表わされる構造を有する化合物は、パイ電子共
役系の拡がりを抑えて青色領域での強い蛍光発光を可能
とし、同時に、剛直な平面構造を導入することにより二
量体形成による濃度消光を抑制し、さらには、高い融
点、従って、高いTgを有し、安定な青色純度の高い発光
素子の作製を可能とした。
The organic electroluminescent device of the present invention is characterized in that the light emitting layer contains a compound having a structure represented by the general formula (I). In the present invention, by using a compound having a high melting point for the light-emitting layer, the heat resistance of the device is improved and blue light emission is enabled. The compound having the structure represented by the general formula (I) enables strong fluorescence in the blue region by suppressing the spread of the pi-electron conjugated system, and at the same time, forms a dimer by introducing a rigid planar structure. Quenching due to concentration, and furthermore, it is possible to produce a stable light-emitting element having a high melting point and thus a high Tg and having a stable and high blue purity.

【0023】前記一般式(I)で表される構造を有する
化合物の中でも、特に下記一般式(II)
Among the compounds having the structure represented by the above general formula (I), in particular, the following general formula (II)

【0024】[0024]

【化7】 Embedded image

【0025】で表される化合物が好ましい。一般式(I
I)において、X1 及びX2 は、好ましくは、各々独立
して水素原子;置換基を有していてもよいメチル基、エ
チル基等の炭素数1〜6のアルキル基;置換基を有して
いてもよいフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ア
ントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、等の芳香
族炭化水素環基;置換基を有していてもよいピリジル
基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル基、チエ
ニル等の芳香族複素環基を示す。前記置換基としてはフ
ッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭
素数1〜6のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素
数1〜6のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エト
キシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキシ
基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基、アセチル基等のアシル基、トリフルオロメチル基等
のハロアルキル基、シアノ基を示す。前記置換基として
は、特に好ましくは、メチル基、フェニル基、メトキシ
基が挙げられる。
The compound represented by the following formula is preferred. General formula (I
In I), X 1 and X 2 are preferably each independently a hydrogen atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group or an ethyl group which may have a substituent; Optionally substituted phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, phenanthryl group, pyrenyl group, etc. aromatic hydrocarbon ring group; optionally substituted pyridyl group, triazyl group, pyrazyl group, And an aromatic heterocyclic group such as a quinoxalyl group and a thienyl group. Examples of the substituent include a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group; an alkenyl group such as a vinyl group;
C1-C6 alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; C1-C6 alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group; aryloxy groups such as phenoxy group and benzyloxy group; dimethylamino group , A dialkylamino group such as a diethylamino group, an acyl group such as an acetyl group, a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group, and a cyano group. Particularly preferred examples of the substituent include a methyl group, a phenyl group and a methoxy group.

【0026】前記一般式(I)において、R1 〜R
8 は、好ましくは、各々独立して水素原子;フッ素原子
等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜
6のアルキル基;シクロヘキシル基;ベンジル基、フェ
ネチル基等のアラルキル基;ビニル基等のアルケニル
基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の
炭素数1〜6のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、
エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキ
シ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメ
チルアミノ基;ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等
のハロアルキル基;シアノ基;フェニル基、ビフェニル
基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピ
レニル基等の芳香族炭化水素環基;カルバゾリル基、ピ
リジル基、トリアジル基、ピラジル基、キノキサリル
基、チエニル基等の芳香族複素環基を示す。これらはい
ずれも、更に置換されていても良いが、中でも芳香族炭
化水素基および芳香族複素環基は、置換基を有していて
も、特性の良い化合物が得られる。
In the general formula (I), R 1 to R
8 is preferably each independently a hydrogen atom; a halogen atom such as a fluorine atom;
6 alkyl groups; cyclohexyl groups; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group; alkenyl groups such as vinyl group; alkoxycarbonyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group;
An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as an ethoxy group; an aryloxy group such as a phenoxy group and a benzyloxy group; a dimethylamino group; a dialkylamino group such as a diethylamino group; an acyl group such as an acetyl group; Haloalkyl group; cyano group; aromatic hydrocarbon ring group such as phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, phenanthryl group, pyrenyl group; carbazolyl group, pyridyl group, triazyl group, pyrazyl group, quinoxalyl group, thienyl group, etc. Represents an aromatic heterocyclic group. Any of these may be further substituted. Among them, even if the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group have a substituent, a compound having good characteristics can be obtained.

【0027】前記置換基としてはフッ素原子等のハロゲ
ン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキ
ル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基等の炭素数1〜6のアルコキ
シカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1
〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基
などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基等のジアルキルアミノ基、アセチル基等のアシ
ル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基、シア
ノ基を示す。前記置換基としては、特に好ましくは、メ
チル基、フェニル基、メトキシ基が挙げられる。尚、R
1 とR2 、R3 とR4 、R5 とR6 またはR7 とR
8 は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。
この場合、形成される環としては、好ましくは、ナフタ
レン環、アントラセン環が挙げられる。一般式(I)で
表される構造を有する化合物は、例えば、下記一般式
(II)で表される化合
The substituent includes a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group; an alkenyl group such as a vinyl group; and a carbon atom such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group. 6 to 6 alkoxycarbonyl groups; a methoxy group, an ethoxy group, etc., having 1 carbon atom
Aryloxy groups such as phenoxy group and benzyloxy group; dialkylamino groups such as dimethylamino group and diethylamino group; acyl groups such as acetyl group; haloalkyl groups such as trifluoromethyl group; and cyano group. . Particularly preferred examples of the substituent include a methyl group, a phenyl group and a methoxy group. Note that R
1 and R 2 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 or R 7 and R
8 may be taken together to form a ring.
In this case, the formed ring preferably includes a naphthalene ring and an anthracene ring. The compound having the structure represented by the general formula (I) is, for example, a compound represented by the following general formula (II)

【0028】[0028]

【化8】 Embedded image

【0029】物をJ. Org. Chem., 55 巻,4190頁(1990
年)に示される方法に従って合成した後、Annales de C
himie, 4巻、365 −426 頁、1959年に示される光酸化反
応により一般式(I)で表わされる構造を有する化合物
を得る。前記一般式(I)で表わされる構造を有する化
合物の好ましい具体例を以下に示すが、これらに限定す
るものではない。
The product was prepared using the method described in J. Org. Chem., 55, 4190 (1990).
Year), and then the Anales de C
A compound having a structure represented by the general formula (I) is obtained by a photooxidation reaction shown in himie, 4, 365-426, 1959. Preferred specific examples of the compound having the structure represented by the general formula (I) are shown below, but are not limited thereto.

【0030】[0030]

【化9】 Embedded image

【0031】[0031]

【化10】 Embedded image

【0032】[0032]

【化11】 Embedded image

【0033】これらの化合物は、単独で用いてもよい
し、必要に応じて、各々、混合して用いてもよい。発光
層5の膜厚は、通常、10〜200 nm、好ましくは30〜100
nmである。発光層5は、正孔輸送層4と同様にして塗布
法あるいは真空蒸着法により正孔輸送層4上に積層する
ことにより形成されるが、塗布方の場合にはすでに薄膜
形成されている正孔輸送層を溶解させない溶媒を使用す
る必要がある。青色の発光効率を向上させると同時に色
純度を改善し、さらに素子の駆動寿命を改善するために
は、前記発光層材料をホスト材料として、蛍光色素をド
ープすることは有効な方法である。青色の蛍光を有する
ドープ色素として、ペリレン等の縮合多環芳香族環(特
開平5−198377号公報)、クマリン誘導体、ナフタル酸
イミド誘導体(特開平4−320486号公報)、芳香族アミ
ン誘導体(特開平8−199162号公報)等が挙げられる。
これらのドープ色素が、ホスト材料に含有される割合は
0.1〜10重量%の範囲にあることが好ましい。もちろ
ん、緑色や赤色発光を得るために、緑色蛍光色素や赤色
蛍光色素をドープすることも可能である。真空蒸着法で
上記のドーピングを行う方法としては、共蒸着による方
法と蒸着源を予め所定の濃度で混合しておく方法があ
る。
These compounds may be used alone or, if necessary, may be used as a mixture. The thickness of the light emitting layer 5 is usually 10 to 200 nm, preferably 30 to 100 nm.
nm. The light emitting layer 5 is formed by laminating on the hole transport layer 4 by a coating method or a vacuum evaporation method in the same manner as the hole transport layer 4. It is necessary to use a solvent that does not dissolve the hole transport layer. Doping a fluorescent dye with the light emitting layer material as a host material is an effective method for improving the luminous efficiency of blue light, improving the color purity, and further improving the driving life of the device. As doped dyes having blue fluorescence, condensed polycyclic aromatic rings such as perylene (JP-A-5-198377), coumarin derivatives, naphthalimide derivatives (JP-A-4-320486), and aromatic amine derivatives ( JP-A-8-199162).
The proportion of these doped dyes contained in the host material is
Preferably it is in the range of 0.1 to 10% by weight. Of course, in order to obtain green or red light emission, it is also possible to dope a green fluorescent dye or a red fluorescent dye. As a method of performing the above-mentioned doping by a vacuum evaporation method, there are a method of co-evaporation and a method of previously mixing an evaporation source at a predetermined concentration.

【0034】上記各ドーパントが発光層中にドープされ
る場合、発光層の膜厚方向において均一にドープされる
が、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。例
えば、正孔輸送層との界面近傍にのみドープしたり、逆
に、電子輸送層界面近傍にドープしてもよい。発光層5
の上には電子輸送層7が設けられる。電子輸送層7は、
電界を与えられた電極間において陰極から注入された電
子を効率よく発光層5の方向に輸送し、正孔との再結合
を効率よく行うことができる化合物より形成される。電
子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、陰
極8からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度
を有し注入された電子を効率よく輸送することができる
化合物であることが必要である。
When the above dopants are doped in the light emitting layer, they are uniformly doped in the thickness direction of the light emitting layer, but may have a concentration distribution in the film thickness direction. For example, doping may be performed only near the interface with the hole transport layer, or conversely, may be doped near the interface with the electron transport layer. Light emitting layer 5
The electron transport layer 7 is provided on the substrate. The electron transport layer 7
It is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 5 and efficiently performing recombination with holes. The electron transporting compound used in the electron transporting layer 7 is preferably a compound having high electron injection efficiency from the cathode 8 and having high electron mobility and capable of efficiently transporting injected electrons. is necessary.

【0035】このような条件を満たす材料としては、8
−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯
体(特開昭59−194393号公報)、10- ヒドロキシベンゾ
[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジ
スチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-または
5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金
属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミ
ダゾリルベンゼン(米国特許第 5,645,948号)、キノキ
サリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナント
ロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2-t-ブチル
-9,10-N,N'- ジシアノアントラキノンジイミン、n型水
素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化
亜鉛などが挙げられる。電子輸送層6の膜厚は、通常、
5 〜200nm 、好ましくは10〜100 nmである。
Materials satisfying such conditions include 8
Metal complexes such as aluminum complexes of -hydroxyquinoline (JP-A-59-194393), 10-hydroxybenzo
[h] quinoline metal complex, oxadiazole derivative, distyrylbiphenyl derivative, silole derivative, 3- or
5-hydroxyflavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound (JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459) Gazette), 2-t-butyl
-9,10-N, N′-dicyanoanthraquinone diimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type zinc selenide and the like. The thickness of the electron transport layer 6 is usually
It is 5 to 200 nm, preferably 10 to 100 nm.

【0036】電子輸送層7は、正孔輸送層4と同様にし
て塗布法あるいは真空蒸着法により発光層5上に積層さ
れるが、通常は、真空蒸着法が用いられる。陰極8は、
電子輸送層7に電子を注入する役割を果たす。陰極8と
して用いられる材料は、前記陽極2に使用される材料を
用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なう
には、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシ
ウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の
適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例と
しては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジ
ウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数
合金電極が挙げられる。さらに、陰極と発光層または電
子輸送層の界面にLiF 、MgF2、Li2O等の極薄絶縁膜(0.
1 〜5nm )を挿入することも、素子の効率を向上させる
有効な方法である(Appl. Phys. Lett., 70 巻,152
頁,1997年;特開平10− 74586号公報;IEEE Trans. El
ectron. Devices ,44巻,1245頁,1997年)。陰極8の
膜厚は通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属から
成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数
が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子
の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、
銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われ
る。
The electron transporting layer 7 is laminated on the light emitting layer 5 by a coating method or a vacuum evaporation method in the same manner as the hole transporting layer 4, but usually, a vacuum evaporation method is used. The cathode 8 is
It serves to inject electrons into the electron transport layer 7. As the material used for the cathode 8, the material used for the anode 2 can be used, but for efficient electron injection, a metal having a low work function is preferable, and tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include a low work function alloy electrode such as a magnesium-silver alloy, a magnesium-indium alloy, and an aluminum-lithium alloy. Further, an ultra-thin insulating film such as LiF, MgF 2 , or Li 2 O (0.
Insertion of 1 to 5 nm) is also an effective method for improving the efficiency of the device (Appl. Phys. Lett., Vol. 70, 152).
Page, 1997; JP-A-10-74586; IEEE Trans. El.
ectron. Devices, 44, 1245, 1997). The thickness of the cathode 8 is usually the same as that of the anode 2. In order to protect the cathode made of a low work function metal, further laminating a metal layer having a high work function and being stable to the atmosphere increases the stability of the device. For this purpose, aluminum,
Metals such as silver, copper, nickel, chromium, gold, and platinum are used.

【0037】本発明において、一般式(I)で表される
構造を有する化合物を含む発光層を設けた素子の発光効
率と色純度をさらに高めるために、図2に示すように、
電子輸送層7と発光層5の間に正孔阻止層6を設けるこ
とは大変有効である。正孔阻止層6は、正孔輸送層から
移動してくる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割
と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に
輸送することができる化合物より形成される。正孔阻止
層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動
度が高く正孔移動度が低いこと、および、正孔を効率的
に発光層内に閉じこめるために、発光層のイオン化ポテ
ンシャルより大きいイオン化ポテンシャルの値を有する
か、発光層の光学的バンドギャップより大きい光学的バ
ンドギャップを有することが好ましい。正孔阻止層は正
孔と電子を発光層内に閉じこめて、発光効率を向上させ
る機能を有する。このような条件を満たす正孔阻止層材
料としては、以下の一般式(IV)で表わされる混合配位
子錯体、
In the present invention, in order to further increase the luminous efficiency and color purity of a device provided with a luminescent layer containing a compound having a structure represented by the general formula (I), as shown in FIG.
It is very effective to provide the hole blocking layer 6 between the electron transport layer 7 and the light emitting layer 5. The hole blocking layer 6 has a role of preventing holes moving from the hole transport layer from reaching the cathode, and a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode toward the light emitting layer. Formed. The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer are that the electron mobility is high and the hole mobility is low, and in order to efficiently confine holes in the light emitting layer, the ionization potential of the light emitting layer is It is preferable to have a large value of the ionization potential or an optical band gap larger than the optical band gap of the light emitting layer. The hole blocking layer has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer and improving luminous efficiency. As a hole blocking layer material satisfying such conditions, a mixed ligand complex represented by the following general formula (IV):

【0038】[0038]

【化12】 Embedded image

【0039】(式中、R9 〜R14は、水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、ア
リル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカ
ルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキル
スルホニル基、α−ハロアルキル基、水酸基、置換基を
有していてもよいアミド基、置換基を有していてもよい
芳香族炭化水素環基または置換基を有していてもよい芳
香族複素環基を表し、MはAl 原子またはGa 原子を示
し、Lは以下に示す一般式(IVa)、(IVb)、(IVc)のい
ずれかで表わされる。)
(Wherein R 9 to R 14 represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an allyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group , An alkylsulfonyl group, an α-haloalkyl group, a hydroxyl group, an amide group which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent or an aromatic which may have a substituent Represents a group heterocyclic group, M represents an Al atom or a Ga atom, and L is represented by any of the following general formulas (IVa), (IVb) and (IVc))

【0040】[0040]

【化13】 Embedded image

【0041】(式中、YはSi 、Ge 、Sn のいずれか
の原子を表し、Ar1〜Ar5は、置換基を有していてもよ
い芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表わ
す。) 以下の一般式(V)で表される二核金属錯体、
(Wherein, Y represents any atom of Si, Ge, and Sn, and Ar 1 to Ar 5 represent an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. A binuclear metal complex represented by the following general formula (V):

【0042】[0042]

【化14】 Embedded image

【0043】(式中、R9 〜R14は、水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、ア
リル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカ
ルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキル
スルホニル基、α−ハロアルキル基、水酸基、置換基を
有していてもよいアミド基、置換基を有していてもよい
芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、Mは
Al 原子またはGa 原子を示す。) 以下の一般式(VI)で示されるスチリル化合物、
(Wherein R 9 to R 14 represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an allyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group An alkylsulfonyl group, an α-haloalkyl group, a hydroxyl group, an amide group which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group, wherein M is An Al atom or a Ga atom.) A styryl compound represented by the following general formula (VI):

【0044】[0044]

【化15】 Embedded image

【0045】(式中、Zは置換基を有していてもよい2
価の芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、
Ar6〜Ar9は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水
素環基または芳香族複素環基を表す。) 以下の構造式で示される1,2,4-トリアゾール環を少なく
とも1個有する化合物、
(Wherein Z is an optionally substituted 2
Represents a divalent aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group,
Ar 6 to Ar 9 represent an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. A) a compound having at least one 1,2,4-triazole ring represented by the following structural formula:

【0046】[0046]

【化16】 Embedded image

【0047】以下の構造式で示されるフェナントロリン
環を少なくとも1個有する化合物が挙げられる。
Examples include compounds having at least one phenanthroline ring represented by the following structural formula.

【0048】[0048]

【化17】 Embedded image

【0049】前記一般式(IV)で示される混合配位子錯
体の具体例として、ビス(2-メチル-8- キノリノラト)
(フェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8- キノ
リノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム、ビス
(2-メチル-8- キノリノラト)(メタ−クレゾラト)ア
ルミニウム、ビス(2-メチル-8- キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8- キノ
リノラト)(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム、ビス(2-メチル-8- キノリノラト)(メタ−フェニ
ルフェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8- キノ
リノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム、ビス(2-メチル-8- キノリノラト)(2,3-ジメチル
フェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8- キノリ
ノラト)(2,6-ジメチルフェノラト)アルミニウム、ビ
ス(2-メチル-8- キノリノラト)(3,4-ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8- キノリノラ
ト)(3,5-ジメチルフェノラト)アルミニウム、ビス
(2-メチル-8- キノリノラト)(3,5-ジ-tert-ブチルフ
ェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8- キノリノ
ラト)(2,6-ジフェニルフェノラト)アルミニウム、ビ
ス(2-メチル-8- キノリノラト)(2,4,6-トリフェニル
フェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8-キノリ
ノラト)(2,4,6-トリメチルフェノラト)アルミニウ
ム、ビス(2-メチル-8- キノリノラト)(2,3,6-トリメ
チルフェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8- キ
ノリノラト)(2,3,5,6-テトラメチルフェノラト)アル
ミニウム、ビス(2-メチル-8- キノリノラト)(1-ナフ
トラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8- キノリノラ
ト)(2-ナフトラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8
- キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニ
ウム、ビス(2-メチル-8- キノリノラト)(トリフェニ
ルゲルマノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8-キ
ノリノラト)(トリス(4,4-ビフェニル)シラノラト)
アルミニウム、ビス(2,4-ジメチル-8- キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム、ビス
(2,4-ジメチル-8- キノリノラト)(パラ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム、ビス(2,4-ジメチル-8- キノ
リノラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム、ビス(2,4-ジメチル-8- キノリノラト)(3,5-ジメ
チルフェノラト)アルミニウム、ビス(2,4-ジメチル-8
- キノリノラト)(3,5-ジ-tert-ブチルフェノラト)ア
ルミニウム、ビス(2-メチル-4- エチル-8- キノリノラ
ト)(パラ−クレゾラト)アルミニウム、ビス(2-メチ
ル-4- メトキシ-8- キノリノラト)(パラ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-5- シアノ-8
- キノリノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウ
ム、ビス(2-メチル-6- トリフルオロメチル-8- キノリ
ノラト)(2-ナフトラト)アルミニウム、ビス(2-メチ
ル-8- キノリノラト)(フェノラト)ガリウム、ビス
(2-メチル-8- キノリノラト)(オルト−クレゾラト)
ガリウム、ビス(2-メチル-8- キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラトガリウム、ビス(2-メチル-8- キノ
リノラト)(1-ナフトラト)ガリウム、ビス(2-メチル
-8- キノリノラト)(2-ナフトラト)ガリウム、ビス
(2-メチル-8- キノリノラト)(トリフェニルシラノラ
ト)ガリウム、ビス(2-メチル-8- キノリノラト)(ト
リス(4,4-ビフェニル)シラノラト)ガリウム等が挙げ
られる。特に好ましくは、ビス(2-メチル-8- キノリノ
ラト)(2-ナフトラト)アルミニウム、ビス(2-メチル
-8- キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミ
ニウムが挙げられる。
As a specific example of the mixed ligand complex represented by the general formula (IV), bis (2-methyl-8-quinolinolato)
(Phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho-cresolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (meta-cresolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) ( Para-cresolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho-phenylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (meta-phenylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-) 8-quinolinolato) (para-phenylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,3-dimethylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,6-dimethyl Phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,4-dimethylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quino) Norat) (3,5-dimethylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-di-tert-butylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2 , 6-Diphenylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-triphenylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,6- Trimethylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,3,6-trimethylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,3,5,6-tetramethyl Phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (1-naphthrat) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2-naphthrat) aluminum, bis (2-methyl-8)
-Quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylgermanolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (tris (4,4-biphenyl) silanolato )
Aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato)
(Ortho-phenylphenolato) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (para-phenylphenolato) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (meta-phenylphenolato) aluminum , Bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenolato) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8
-Quinolinolato) (3,5-di-tert-butylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolato) (para-cresolato) aluminum, bis (2-methyl-4-methoxy-8) -Quinolinolato) (para-phenylphenolato) aluminum, bis (2-methyl-5-cyano-8)
-Quinolinolato) (ortho-cresolato) aluminum, bis (2-methyl-6-trifluoromethyl-8-quinolinolato) (2-naphthrat) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) gallium, bis ( 2-methyl-8-quinolinolato) (ortho-cresolate)
Gallium, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para-
Phenylphenolatogallium, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (1-naphthrat) gallium, bis (2-methyl)
-8-quinolinolato) (2-naphthrat) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (tris (4,4-biphenyl) silanolate Gallium). Particularly preferably, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2-naphthrat) aluminum, bis (2-methyl
-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum.

【0050】前記一般式(V)で表わされる二核金属錯
体の具体例として、ビス(2-メチル-8- キノラト)アル
ミニウム- μ- オキソ−ビス−(2-メチル-8- キノリラ
ト)アルミニウム、ビス(2,4-ジメチル-8- キノラト)
アルミニウム- μ- オキソ−ビス−(2,4-ジメチル-8-
キノリラト)アルミニウム、ビス(4-エチル-2- メチル
-8- キノリノラト)アルミニウム- μ- オキソ−ビス−
(4-エチル-2- メチル-8- キノリノラト)アルミニウ
ム、ビス(2-メチル-4- メトキシキノリノラト)アルミ
ニウム- μ- オキソ−ビス−(2-メチル-4- メトキシキ
ノリノラト)アルミニウム、ビス(5-シアノ-2- メチル
-8- キノリノラト)アルミニウム- μ- オキソ−ビス−
(5-シアノ-2- メチル-8- キノリノラト)アルミニウ
ム、ビス(5-クロロ-2- メチル-8- キノリノラト)アル
ミニウム- μ- オキソ−ビス−(5-クロロ-2- メチル-8
- キノリノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-5- ト
リフルオロメチル-8- キノリノラト)アルミニウム- μ
- オキソ−ビス−(2-メチル-5- トリフルオロメチル-8
- キノリノラト)アルミニウム等が挙げられる。特に好
ましくは、ビス(2-メチル-8- キノラト)アルミニウム
- μ- オキソ−ビス−(2-メチル-8- キノリラト)アル
ミニウムが挙げられる。前記一般式(VI)で表わされる
スチリル化合物の具体例としては、従来の青色発光材料
で例示したジスチリルビフェニル化合物(B−1)が例
えば挙げられる。前記構造式で表わされる1,2,4-トリア
ゾール環を少なくとも1個有する化合物の具体例を以下
に示す。
Specific examples of the binuclear metal complex represented by the general formula (V) include bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum. Bis (2,4-dimethyl-8-quinolato)
Aluminum-μ-oxo-bis- (2,4-dimethyl-8-
Quinolilat) aluminum, bis (4-ethyl-2-methyl)
-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis-
(4-ethyl-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-4-methoxyquinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-4-methoxyquinolinolato) aluminum, Bis (5-cyano-2-methyl
-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis-
(5-cyano-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, bis (5-chloro-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (5-chloro-2-methyl-8)
-Quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum-μ
-Oxo-bis- (2-methyl-5-trifluoromethyl-8
-Quinolinolato) aluminum and the like. Particularly preferred is bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum
-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolylato) aluminum. Specific examples of the styryl compound represented by the general formula (VI) include a distyrylbiphenyl compound (B-1) exemplified as a conventional blue light-emitting material. Specific examples of the compound having at least one 1,2,4-triazole ring represented by the above structural formula are shown below.

【0051】[0051]

【化18】 Embedded image

【0052】前記構造式で表わされるフェナントロリン
環を少なくとも1個有する化合物の具体例を以下に示
す。
Specific examples of the compound having at least one phenanthroline ring represented by the above structural formula are shown below.

【0053】[0053]

【化19】 Embedded image

【0054】正孔阻止層6の膜厚は、通常、 0.3〜 100
nm、好ましくは 0.5〜10nmである。正孔阻止層も正孔輸
送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真
空蒸着法が用いられる。素子の駆動電圧の低下と駆動安
定性の向上を図るために、図3に示す様に、陽極2と正
孔輸送層4のコンタクトを向上させるために、陽極バッ
ファ層3を設けることが考えられる。陽極バッファ層に
用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコ
ンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、す
なわち、融点及びガラス転移温度が高く、融点としては
300℃以上、ガラス転移温度としては 100℃以上が要求
される。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極から
の正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙
げられる。この目的のために、これまでにポルフィリン
誘導体やフタロシアニン化合物(特開昭63−295695号公
報)、スターバスト型芳香族トリアミン(特開平4−30
8688号公報)、ヒドラゾン化合物、アルコキシ置換の芳
香族ジアミン誘導体、p-(9-アントリル)-N,N- ジ-p-
トリルアニリン、ポリチエニレンビニレンやポリ−p−
フェニレンビニレン、ポリアニリン等の有機化合物や、
スパッタ・カーボン膜や、バナジウム酸化物、ルテニウ
ム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物が報告され
ている。 上記陽極バッファ層材料としてよく使用され
る化合物としては、ポルフィリン化合物またはフタロシ
アニン化合物が挙げられる。これらの化合物は中心金属
を有していてもよいし、無金属のものでもよい。
The thickness of the hole blocking layer 6 is usually 0.3 to 100
nm, preferably 0.5 to 10 nm. The hole blocking layer can be formed in the same manner as the hole transporting layer, but usually, a vacuum evaporation method is used. It is conceivable to provide an anode buffer layer 3 to improve the contact between the anode 2 and the hole transport layer 4 as shown in FIG. 3 in order to reduce the drive voltage of the device and improve the drive stability. . The conditions required for the material used for the anode buffer layer are that a uniform thin film can be formed with good contact with the anode and thermally stable, that is, the melting point and the glass transition temperature are high.
300 ° C or higher and glass transition temperature of 100 ° C or higher are required. In addition, the ionization potential is low, holes can be easily injected from the anode, and the hole mobility is high. For this purpose, porphyrin derivatives and phthalocyanine compounds (JP-A-63-295695) and star-bust-type aromatic triamines (JP-A-4-3069) have been used.
No. 8688), a hydrazone compound, an alkoxy-substituted aromatic diamine derivative, p- (9-anthryl) -N, N-di-p-
Tolylaniline, polythienylenevinylene and poly-p-
Organic compounds such as phenylene vinylene and polyaniline,
Sputtered carbon films and metal oxides such as vanadium oxide, ruthenium oxide and molybdenum oxide have been reported. Examples of the compound often used as the material of the anode buffer layer include a porphyrin compound and a phthalocyanine compound. These compounds may have a central metal or may be non-metallic.

【0055】好ましいこれらの化合物の具体例として
は、以下の化合物が挙げられる: ポルフィン 5,10,15,20- テトラフェニル-21H,23H- ポルフィン 5,10,15,20- テトラフェニル-21H,23H- ポルフィンコバ
ルト(II) 5,10,15,20- テトラフェニル-21H,23H- ポルフィン銅
(II) 5,10,15,20- テトラフェニル-21H,23H- ポルフィン亜鉛
(II) 5,10,15,20- テトラフェニル-21H,23H- ポルフィンバナ
ジウム(IV)オキシド 5,10,15,20- テトラ(4-ピリジル)-21H,23H- ポルフィ
ン 29H,31H-フタロシアニン 銅(II)フタロシアニン 亜鉛(II)フタロシアニン チタンフタロシアニンオキシド マグネシウムフタロシアニン 鉛フタロシアニン 銅(II)4,4',4'',4'''-テトラアザ-29H,31H- フタロシ
アニン 陽極バッファ層の場合も、正孔輸送層と同様にして薄膜
形成可能であるが、無機物の場合には、さらに、スパッ
タ法や電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法が用いられ
る。
Specific examples of preferred such compounds include the following compounds: porphine 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphine 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphine cobalt (II) 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphine copper (II) 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphine zinc (II) 5,10 , 15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine vanadium (IV) oxide 5,10,15,20-tetra (4-pyridyl) -21H, 23H-porphine 29H, 31H-phthalocyanine Copper (II) phthalocyanine zinc ( II) Phthalocyanine Titanium phthalocyanine oxide Magnesium phthalocyanine Lead phthalocyanine Copper (II) 4,4 ', 4'',4'''-Tetraaza-29H, 31H-Phthalocyanine Thin films can be formed, but in the case of inorganic materials, Jitter method or an electron beam deposition method, a plasma CVD method is used.

【0056】以上の様にして形成される陽極バッファ層
3の膜厚は、通常、3 〜100nm 、好ましくは10〜50nmで
ある。尚、図1とは逆の構造、すなわち、基板上に陰極
8、電子輸送層7、発光層5、正孔輸送層4、陽極2の
順に積層することも可能であり、既述したように少なく
とも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機
電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図2
および図3に示した前記各層構成とは逆の構造に積層す
ることも可能である。本発明の有機電界発光素子によれ
ば、高い融点を有する特定の骨格を有する化合物を発光
層または正孔阻止層に用いているため、素子の耐熱性が
向上し、色純度のよい青色発光を得ることも可能とな
り、フルカラーあるいはマルチカラーの青色のサブ画素
として機能するばかりでなく、蛍光変換色素と組み合わ
せることによりフルカラー表示素子を作製することも可
能である(特開平3−152897号公報)。
The thickness of the anode buffer layer 3 formed as described above is usually 3 to 100 nm, preferably 10 to 50 nm. It is to be noted that the structure opposite to that of FIG. 1, that is, the cathode 8, the electron transporting layer 7, the light emitting layer 5, the hole transporting layer 4, and the anode 2 can be laminated on the substrate in this order. It is also possible to provide the organic electroluminescent device of the present invention between two substrates, at least one of which is highly transparent. Similarly, FIG.
And it is also possible to laminate | stack in the structure opposite to the said each layer structure shown in FIG. According to the organic electroluminescent device of the present invention, since a compound having a specific skeleton having a high melting point is used for the light emitting layer or the hole blocking layer, the heat resistance of the device is improved, and blue light emission with good color purity is obtained. It is possible not only to function as a full-color or multi-color blue sub-pixel, but also to produce a full-color display element by combining with a fluorescent conversion dye (Japanese Patent Laid-Open No. 3-152897).

【0057】[0057]

【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。 合成例1 化合物(3)の合成 ルブレン0.51g をDMF25mlに120 ℃に加熱して溶か
し、N-ブロモコハク酸イミド0.2gのDMF溶液を滴下
後、8時間120 ℃で加熱攪拌した。反応終了後、放冷
し、生じた白色沈殿をメタノールで洗浄し、乾燥後、昇
華精製を行い、0.27gの白色粉末を得た(収率54%)。
この化合物の質量分析を行ったところ、分子量が 530で
あり、さらにNMRスペクトルにより目的化合物である
ことを確認した。この化合物(3)の粉末試料について
セイコーインスツルメンツ(株)社製TG/DTA-320により
示差熱分析測定したところ、融点は 432℃と高い値を示
した。
EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to the description of the following examples unless it exceeds the gist. Synthesis Example 1 Synthesis of Compound (3) 0.51 g of rubrene was dissolved in 25 ml of DMF by heating at 120 ° C., and a DMF solution of 0.2 g of N-bromosuccinimide was added dropwise, followed by heating and stirring at 120 ° C. for 8 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was allowed to cool, and the resulting white precipitate was washed with methanol, dried, and purified by sublimation to obtain 0.27 g of a white powder (yield: 54%).
This compound was subjected to mass spectrometry. As a result, the compound was found to have a molecular weight of 530 and to be the target compound by NMR spectrum. The powder sample of the compound (3) was subjected to differential thermal analysis measurement using TG / DTA-320 manufactured by Seiko Instruments Inc., and as a result, the melting point was as high as 432 ° C.

【0058】参考例1 ガラス基板をアセトンで超音波洗浄、純水で水洗、イソ
プロピルアルコールで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、U
V/オゾン洗浄を行った後、真空蒸着装置内に設置し
て、装置内の真空度が2 ×10-6Torr以下になるまで油拡
散ポンプを用いて排気した。例示化合物(3)をセラミ
ックるつぼに入れ、るつぼの周囲のタンタル線ヒーター
で加熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度は、29
0 〜300 ℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は7 ×10
-7Torr(約9.3x10-5Pa)で、蒸着速度0.3nm/秒で膜厚7
3nmの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化
ポテンシャルを理研計器(株)製の紫外線電子分析装置
(AC−1)を用いて測定したところ、5.32eVの値を示
した。この蒸着膜を水銀ランプ(波長 350nm)で励起し
て測定した蛍光波長の極大は 430nmで、青紫色の蛍光で
あった。
Reference Example 1 A glass substrate was ultrasonically washed with acetone, washed with pure water, ultrasonically washed with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen, and dried.
After performing the V / ozone cleaning, the apparatus was set in a vacuum evaporation apparatus, and evacuated using an oil diffusion pump until the degree of vacuum in the apparatus became 2 × 10 −6 Torr or less. Exemplified compound (3) was placed in a ceramic crucible, and heated by a tantalum wire heater around the crucible to perform vapor deposition. The temperature of the crucible at this time is 29
Control was performed in the range of 0 to 300 ° C. Vacuum degree during evaporation is 7 × 10
-7 Torr (approximately 9.3 x 10 -5 Pa) at a deposition rate of 0.3 nm / sec.
A 3 nm uniform and transparent film was obtained. The ionization potential of this thin film sample was measured using an ultraviolet electron analyzer (AC-1) manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., and showed a value of 5.32 eV. The maximum of the fluorescence wavelength measured by exciting this vapor-deposited film with a mercury lamp (wavelength 350 nm) was 430 nm, which was blue-violet fluorescence.

【0059】実施例1 図2に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を 120nm堆積したもの(ジオマテ
ック社製;電子ビーム成膜品;シート抵抗15Ω)を通常
のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて 2
mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。
パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波
洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる
超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後
に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置し
た。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、
装置内の真空度が2×10-6Torr(約2.7 ×10-4Pa)以下
になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用
いて排気した。正孔輸送層4の材料として、下記に示す
構造式の4,4'- ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミ
ノ]ビフェニル(H−1)をセラミックるつぼに入れ、
るつぼの
Example 1 An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 2 was manufactured by the following method. A transparent conductive film of indium tin oxide (ITO) deposited on a glass substrate with a thickness of 120 nm (Geomatec Co., Ltd .; electron beam filmed product; sheet resistance of 15Ω) was fabricated using ordinary photolithography and hydrochloric acid etching.
An anode was formed by patterning into a stripe having a width of mm.
The patterned ITO substrate is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water cleaning with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally cleaned with ultraviolet and ozone, and placed in a vacuum evaporation apparatus. installed. After performing rough exhaust of the above device by an oil rotary pump,
Evacuation was performed using an oil diffusion pump equipped with a liquid nitrogen trap until the degree of vacuum in the apparatus became 2 × 10 −6 Torr (about 2.7 × 10 −4 Pa) or less. As a material of the hole transport layer 4, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (H-1) of the following structural formula was put in a ceramic crucible,
Crucible

【0060】[0060]

【化20】 Embedded image

【0061】周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着
を行った。この時のるつぼの温度は、255 〜270 ℃の範
囲で制御した。蒸着時の真空度は1.5 ×10-6Torr(約2.
0 ×10 -4Pa)で、蒸着速度0.4nm /秒で膜厚60nmの正孔
輸送層4を得た。次に、発光層5の材料として、例示化
合物(3)を上記正孔輸送層4の上に同様にして蒸着を
行なった。この時のるつぼの温度は290 〜295 ℃の範囲
で制御した。蒸着時の真空度は1.1 ×10-6Torr(約1.5
×10-4Pa)で、蒸着速度0.3nm /秒で、膜厚は30nmであ
った。次に、正孔阻止層6の材料として、下記に構造式
を示すビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフ
ェニルシラノラト)アルミニウム錯体(HB−1)を
Deposition by heating with a surrounding tantalum wire heater
Was done. The temperature of the crucible at this time is in the range of 255 to 270 ° C.
Controlled by the box. The degree of vacuum during evaporation is 1.5 × 10-6Torr (about 2.
0x10 -FourPa) at a deposition rate of 0.4 nm / sec and a hole thickness of 60 nm
Transport layer 4 was obtained. Next, the material of the light emitting layer 5 is exemplified.
The compound (3) is deposited on the hole transport layer 4 in the same manner.
Done. The temperature of the crucible at this time is in the range of 290 to 295 ° C.
Controlled by The degree of vacuum during evaporation is 1.1 × 10-6Torr (about 1.5
× 10-FourPa), a deposition rate of 0.3 nm / sec, and a film thickness of 30 nm.
Was. Next, as a material of the hole blocking layer 6, the following structural formula
(2-methyl-8-quinolinolato) (trif
Enyl silanolato) aluminum complex (HB-1)

【0062】[0062]

【化21】 Embedded image

【0063】発光層5の上に蒸着を行なった。正孔阻止
層形成時のるつぼの温度は 245℃とし、真空度は1.1 ×
10-6Torr(約1.5 ×10-4Pa)で、蒸着速度 0.2nm/秒
で、膜厚は20nmであった。E 続いて、電子輸送層7の材料として以下に示すアルミニ
ウムの8−ヒドリキシキノリン錯体(E−1)を上記正
孔阻止層の上に同様にして蒸着を行った。
The evaporation was performed on the light emitting layer 5. The temperature of the crucible when forming the hole blocking layer was 245 ° C, and the degree of vacuum was 1.1 ×
At 10 −6 Torr (about 1.5 × 10 −4 Pa), the deposition rate was 0.2 nm / sec, and the film thickness was 20 nm. E Subsequently, as a material of the electron transport layer 7, an 8-hydroxyquinoline complex of aluminum (E-1) shown below was vapor-deposited on the hole blocking layer in the same manner.

【0064】[0064]

【化22】 Embedded image

【0065】この時のるつぼの温度は270 〜280 ℃の範
囲で制御した。蒸着時の真空度は9.0×10-7Torr(約1.2
x10-4Pa)で、蒸着速度0.3nm /秒で、膜厚は25nmであ
った。上記の正孔輸送層4から電子輸送層7を真空蒸着
する時の基板温度は室温に保持した。ここで、電子輸送
層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内
より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして 2
mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITO
ストライプとは直交するように素子に密着させて、別の
真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の
真空度が2×10-6Torr(約2.7 ×10-4Pa)以下になるま
で排気した。陰極8として、先ず、フッ化マグネシウム
(MgF2)をモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.1nm
/秒、真空度6.0 ×10-6Torr(約8.0 ×10-4Pa)で、1.
5nm の膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、アル
ミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸
着速度 0.4nm/秒、真空度1.0 ×10-5Torr(約1.3 ×10
-3Pa)で膜厚40nmのアルミニウム層を形成した。さら
に、その上に、陰極の導電性を高めるために銅を、同様
にモリブデンボートを用いて加熱して、蒸着速度 0.5nm
/秒、真空度8.0 ×10-6Torr(約1.1 ×10-3Pa)で膜厚
40nmの銅層を形成して陰極8を完成させた。以上の3層
型陰極8の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
At this time, the temperature of the crucible was controlled in the range of 270 to 280 ° C. The degree of vacuum during vapor deposition is 9.0 × 10 -7 Torr (about 1.2
x10 -4 Pa), the deposition rate was 0.3 nm / sec, and the film thickness was 25 nm. The substrate temperature during vacuum deposition of the electron transport layer 7 from the hole transport layer 4 was kept at room temperature. Here, the element on which the electron transport layer 7 was deposited was once taken out of the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and used as a mask for cathode deposition.
A mm-wide stripe-shaped shadow mask is
It is closely attached to the element so as to be perpendicular to the stripe, and placed in another vacuum evaporation apparatus, and the degree of vacuum in the apparatus is 2 × 10 −6 Torr (about 2.7 × 10 −4 Pa) in the same manner as for the organic layer. Evacuation was performed until the following. As the cathode 8, first, magnesium fluoride (MgF 2 ) was deposited using a molybdenum boat at a deposition rate of 0.1 nm.
/ S at a vacuum of 6.0 × 10 -6 Torr (approximately 8.0 × 10 -4 Pa).
A film was formed on the electron transport layer 7 to a thickness of 5 nm. Next, the aluminum was similarly heated by a molybdenum boat, and the deposition rate was 0.4 nm / sec and the degree of vacuum was 1.0 × 10 −5 Torr (about 1.3 × 10 5 Torr).
-3 Pa) to form an aluminum layer having a thickness of 40 nm. Furthermore, copper was further heated thereon using a molybdenum boat to increase the conductivity of the cathode, and the deposition rate was 0.5 nm.
/ Sec, vacuum at 8.0 × 10 -6 Torr (about 1.1 × 10 -3 Pa)
A cathode 8 was completed by forming a 40 nm copper layer. The substrate temperature during vapor deposition of the above three-layer cathode 8 was kept at room temperature.

【0066】以上の様にして、2mm ×2mm のサイズの発
光面積部分を有する有機電界発光素子を作製した。この
素子の発光特性を表−1に示す。表−1において、発光
輝度は250mA /cm2 の電流密度での値、発光効率は 100
cd/m2での値、輝度/電流は輝度−電流密度特性の傾き
を、電圧は 100cd/m2での値を各々示す。この素子は6
ヶ月間保存後も、駆動電圧の顕著な上昇はみられず、発
光効率や輝度の低下もなく、安定した素子の保存安定性
が得られた。温度60℃、湿度90%の条件で96時間保存し
ても。素子の発光特性は実用上となる劣化はみられなか
った。
As described above, an organic electroluminescent device having a light emitting area of 2 mm × 2 mm was manufactured. Table 1 shows the light emission characteristics of this device. In Table 1, the light emission luminance is a value at a current density of 250 mA / cm 2 , and the light emission efficiency is 100
The value at cd / m 2 , the luminance / current indicate the slope of the luminance-current density characteristic, and the voltage indicates the value at 100 cd / m 2 . This element is 6
Even after storage for months, no remarkable rise in drive voltage was observed, and there was no decrease in luminous efficiency or luminance, and stable storage stability of the device was obtained. Even when stored at a temperature of 60 ° C and a humidity of 90% for 96 hours. The light emission characteristics of the device did not deteriorate for practical use.

【0067】比較例1 発光層として、ジスチリルビフェニル誘導体(B−1)
を用いた他は実施例1と同様に素子を作製した。この素
子の発光特性を表−1に示す。青色純度は低下し、駆動
電圧の上昇もみられた。
Comparative Example 1 A distyrylbiphenyl derivative (B-1) was used as a light emitting layer.
A device was produced in the same manner as in Example 1, except that the device was used. Table 1 shows the light emission characteristics of this device. The blue purity decreased and the driving voltage increased.

【0068】[0068]

【表1】 [Table 1]

【0069】[0069]

【発明の効果】本発明の有機電界発光素子によれば、特
定の化合物を含有する発光層を有するために、青色発光
を達成でき、また安定性の向上した素子を得ることがで
きる。従って、本発明による有機電界発光素子はフラッ
トパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や
壁掛けテレビ)やマルチカラー表示素子、あるいは面発
光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光
源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、
表示板、標識灯への応用が考えられ、特に、高耐熱性が
要求される車載用、屋外用表示素子としては、その技術
的価値は大きいものである。
According to the organic electroluminescent device of the present invention, it is possible to achieve blue light emission and to obtain a device with improved stability, since it has a light emitting layer containing a specific compound. Accordingly, the organic electroluminescent device according to the present invention can be used as a flat panel display (for example, for an OA computer or a wall-mounted television), a multi-color display device, or a light source (for example, a light source of a copier, a liquid crystal display) utilizing a feature as a surface light emitter. And instrument backlight),
It can be applied to display boards and marker lights, and particularly has a great technical value as an in-vehicle or outdoor display element requiring high heat resistance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】有機電界発光素子の一例を示した模式断面図。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an organic electroluminescent device.

【図2】有機電界発光素子の別の例を示した模式断面
図。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing another example of the organic electroluminescent device.

【図3】有機電界発光素子の別の例を示した模式断面
図。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing another example of the organic electroluminescent device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 陽極 3 陽極バッファ層 4 正孔輸送層 5 発光層 6 正孔阻止層 7 電子輸送層 8 陰極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Anode buffer layer 4 Hole transport layer 5 Emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Cathode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/22 H05B 33/22 B ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/22 H05B 33/22 B

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (X1 、X2 は水素または任意の置換基であり、各芳香
族環は任意の置換基で置換されていてもよい。)で表さ
れる構造を有する化合物を含有することを特徴とする、
有機電界発光素子。
1. A compound of the general formula (I) (X 1 and X 2 are hydrogen or an optional substituent, and each aromatic ring may be substituted with an optional substituent.) ,
Organic electroluminescent device.
【請求項2】 一般式(I)で表される構造を有する化
合物が 【化2】 (式中、X1 及びX2 は、各々独立して、水素原子、あ
るいは置換基を有していてもよいアルキル基、芳香族炭
化水素環基または芳香族複素環基を示し、R1 〜R8
各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ラルキル基、アルケニル基、アリル基、シアノ基、アミ
ノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシ
ル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、α−ハロ
アルキル基、水酸基、アミド基、芳香族炭化水素環基ま
たは芳香族複素環基を表し、これらはいずれも、更に置
換されていてもよい。また、R1 とR2 、R3 とR4
5とR6 またはR7 とR8 は、それぞれ結合して環を
形成していてもよい。)であることを特徴とする、請求
項1記載の有機電界発光素子。
2. A compound having a structure represented by the general formula (I): (Wherein X 1 and X 2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and R 1 to R 8 is independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, an allyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, an alkylsulfonyl group, α- Represents a haloalkyl group, a hydroxyl group, an amide group, an aromatic hydrocarbon ring group, or an aromatic heterocyclic group, all of which may be further substituted, and R 1 and R 2 , R 3 and R 4 ,
R 5 and R 6 or R 7 and R 8 may be bonded to each other to form a ring. 2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein
【請求項3】 基板上に、陽極及び陰極により挟持され
た発光層を少なくとも含む有機電界発光素子であって、
該発光層が前記一般式(I)または(II)で表わされる
化合物を含有することを特徴とする、請求項1または2
記載の有機電界発光素子。
3. An organic electroluminescent device comprising at least a light emitting layer sandwiched between an anode and a cathode on a substrate,
The light-emitting layer contains a compound represented by the general formula (I) or (II).
The organic electroluminescent device according to claim 1.
【請求項4】 発光層と陰極の間に、金属錯体、スチリ
ル化合物、トリアゾール誘導体およびフェナントロリン
誘導体から選ばれる少なくとも1種の化合物を含有する
正孔阻止層が設けられることを特徴とする請求項3記載
の有機電界発光素子。
4. A hole blocking layer comprising at least one compound selected from a metal complex, a styryl compound, a triazole derivative and a phenanthroline derivative is provided between the light emitting layer and the cathode. The organic electroluminescent device according to claim 1.
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