ITGE990020A1 - Vaporizzatore a microplasma pulsato. - Google Patents
Vaporizzatore a microplasma pulsato.Info
- Publication number
- ITGE990020A1 ITGE990020A1 IT1999GE000020A ITGE990020A ITGE990020A1 IT GE990020 A1 ITGE990020 A1 IT GE990020A1 IT 1999GE000020 A IT1999GE000020 A IT 1999GE000020A IT GE990020 A ITGE990020 A IT GE990020A IT GE990020 A1 ITGE990020 A1 IT GE990020A1
- Authority
- IT
- Italy
- Prior art keywords
- cathode
- vaporizer
- cavity
- anode
- gas
- Prior art date
Links
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 title claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011343 solid material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 14
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 11
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/14—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes using electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Description
DESCRIZIONE del brevetto per invenzione industriale avente per titolo: “Vaporizzatore a microplasma pulsato”
TESTO DELLA DESCRIZIONE
La presente invenzione riguarda un vaporizzatore a microplasma pulsato per processi di ablazione di materiali solidi mediante il quale sia possibile ottenere un fascio supersonico di nanoparticelle costituite dal materiale ablato.
L'ablazione, come noto, è la rimozione di atomi superficiali da un solido a seguito del trasferimento localizzato su una regione di esso di un impulso di energia ed ha come risultato la vaporizzazione locale di tale regione in condizioni adiabatiche, ossia senza che il materiale raggiunga la sua temperatura di ebollizione. Dal punto di vista applicativo la localizzazione del processo di ablazione consente trattamenti superficiali (litografia, taglio, foratura, incisione di pattern o altro) di elevata precisione; inoltre essendo i soli atomi di superficie soggetti ad ablazione, l'estrazione del materiale dal solido avviene senza correre il rischio di eventuali rifusioni del materiale soggetto ad ablazione. L'adiabaticità del processo consente inoltre di vaporizzare materiali altamente refrattari, quali grafite, molibdeno, tungsteno. Questo aspetto risulta particolarmente importante per la sintesi in fase gassosa di nanoparticelle appartenenti ad una vasta gamma di materiali: metalli, ossidi, carbonio, carburi, nitruri. Una sorgente o vaporizzatore per la produzione di nanoparticelle funziona causando la condensazione del vapore ottenuto per ablazione, entro un bagno termico costituito generalmente da gas inerte. La miscela di nanoparticelle e gas inerte può essere fatta espandere in uscita dalla sorgente, dando origine ad un fascio molecolare supersonico.
Nella tecnica nota i canali attraverso i quali l'impulso di energia che determina l'ablazione è trasferito al solido sono il bombardamento ionico e lirraggiamento laser. Le sorgenti note di nanoparticelle a vaporizzazione laser (LVS) sfruttano il fenomeno dell'ablazione: un impulso laser (ad esempio ad eccimeri) incide sul bersaglio e ne vaporizza una piccola porzione. Tuttavia questi tipi di laser per vaporizzazione possono funzionare solo virtualmente con qualsiasi tipo di materiale, inoltre l'intensità dell'energia trasferita è spesso non sufficiente per una qualsivoglia applicazione, a ciò si aggiunga che detti laser per vaporizzazione, di per sé, sono sistemi molto costosi, poco efficienti e difficilmente scalabili.
Per quanto riguarda il bombardamento ionico invece vengono utilizzate in maniera nota delle sorgenti di vaporizzazione ad arco elettrico pulsato (PACIS), nelle quali l'ablazione del materiale solido avviene a seguito di una scarica elettrica innescata tra gli elettrodi dell'arco. Tuttavia questo sistema non si presenta stabile e necessita inoltre di una frequente manutenzione.
Lo scopo della presente invenzione è pertanto la realizzazione di un vaporizzatore che superi gli inconvenienti dei sistemi noti citati precedentemente, possieda caratteristiche quali stabilità e intensità, cruciali in campo applicativo, ed inoltre sia costruttivamente semplice ed economico. Secondo la presente invenzione come canale di trasferimento di energia è possibile utilizzare un microplasma pulsato, grazie al quale l'estrazione del materiale dal bersaglio solido avviene a seguito dell'interazione tra un denso plasma localizzato e la superficie solida. La produzione di nanoparticelle come conseguenza dell'ablazione a microplasma pulsato è estremamente efficiente e garantisce al vaporizzatore che implementa tale processo, flussi con intensità di alcuni ordini di grandezza superiori alle note sorgenti LVS. Inoltre la stabilità, in termini di intervallo di tempo nel quale i parametri di lavoro sono garantiti, è comparabile alle sorgenti LVS più stabili, dunque risulta molto maggiore della stabilità delle sorgenti PACIS.
L'oggetto della presente invenzione è pertanto un vaporizzatore a microplasma pulsato comprendente:
• un corpo, preferibilmente in materiale ceramico, posizionato in una prima camera ad alto vuoto e nel quale è ricavata una cavità;
• dei mezzi di alimentazione di un flusso di gas all’ interno di detta cavità;
• almeno un anodo ed almeno un catodo parzialmente inseriti all’interno di detta cavità, essendo il catodo costituito dal materiale da vaporizzare e posizionato in modo da intercettare detto flusso di gas ed essendo detto flusso di gas ionizzato mediante l'applicazione di un'adeguata tensione a detti anodo e catodo; e
• un ugello di efflusso di un fascio di particelle costituite dal materiale vaporizzato dal catodo.
Secondo un aspetto della presente invenzione i mezzi di alimentazione del flusso di gas comprendono una valvola regolata da un controller mediante la quale è possibile alimentare il flusso di gas ad impulsi di tempo prestabilito all’ interno della cavità, ottenendo perciò al momento della scarica di tensione agli elettrodi una disomogeneità del gas la quale determina il confinamento della scarica elettrica e di conseguenza dell’erosione, alla porzione di catodo direttamente esposta al flusso di gas. La disomogeneità del gas essendo determinata appunto dall'iniezione pulsata del gas nella cavità del corpo, e producendo essa di conseguenza il confinamento del plasma prodotto dalla scarica alla porzione di gas più prossima all'ugello.
Questa limitazione della regione di catodo erosa o vaporizzata presenta anche l'importante vantaggio di impedire la formazione di depositi anodici che comprometterebbero il funzionamento della scarica nel tempo. Detta regione può essere infatti mantenuta rispetto all’anodo in posizione tale da impedire che quest’ultimo sia esposto al materiale vaporizzato.
Ulteriori caratteristiche e vantaggi del vaporizzatore a microplasma pulsato secondo la presente invenzione verranno meglio compresi nel corso della seguente descrizione di una sua forma esecutiva preferita, considerata a titolo esemplificativo e non limitativo e riferita ai disegni allegati, nei quali:
• la Fig. 1 è diagramma schematico che illustra il vaporizzatore a microplasma pulsato secondo l'invenzione e i mezzi atti al suo funzionamento;
• la Fig. 2 illustra una vista in prospettiva parzialmente in sezione di un forma esecutiva del vaporizzatore secondo l'invenzione; e
• la Fig. 3 illustra una vista in prospettiva parzialmente in sezione di una variante esecutiva del vaporizzatore secondo l'invenzione.
Nel diagramma di Fig. 1 è illustrato schematicamente un vaporizzatore 1 a microplasma pulsato secondo la presente invenzione costituito da: un corpo 2, preferibilmente in materiale ceramico, nella quale è ricavata longitudinalmente una cavità 3, al cui interno sono inseriti trasversalmente un anodo 4 ed un catodo 5 costituito dal materiale da evaporare mediante ablazione. L'anodo 4 e il catodo 5 sono inseriti nella cavità 3 mediante relativi fori 24 e 25 ricavati sulle pareti di detto corpo e collegati mediante opportuni fili elettrici 401 e 501 ad un alimentatore 6 ad alta tensione e ad alta corrente. Sulla parte sinistra del corpo 1 , guardando la figura, è previsto un ugello 7 di alimentazione di un flusso 8 di gas distribuito dalla valvola 9 e prelevato mediante il condotto 801 da una bombola 10 di stoccaggio. Mentre sulla parte destra si ha un ugello 1 1 di efflusso di un fascio 12 di nanoparticelle prodotte dalla vaporizzazione e gas (come si chiarirà meglio in seguito). La valvola 9, che preleva a monte il gas in condizioni stazionarie è collegata ad un controller 13 per la regolazione dell'erogazione del flusso 8 di gas all'ugello 7 mediante impulsi di durata prestabilita. Il vaporizzatore 1 è racchiuso all'interno di una prima camera 14 mantenuta in regime di alto vuoto grazie all'utilizzo di una pompa 15 per vuoto. Posizionata adiacentemente alla prima camera 14 vi è una seconda camera 16, anch'essa mantenuta in regime di alto vuoto grazie alla pompa 15, la quale è separata dalla prima camera 14 da una parete 17 nella quale è ricavata un'apertura 171 per il passaggio del fascio 12 dalia prima alla seconda di dette camere. Nella camera 16 è inserito un manipolatore 18 che può essere impugnato e mosso dall’esterno della camera 16 ed è provvisto di un supporto 181 per un substrato 182 sul quale si desidera far depositare il fascio 12 di materiale evaporato per applicazioni, ad esempio, deposizione di film nanostrutturati.
Il funzionamento del vaporizzatore 1 è il seguente: mediante la valvola ad impulsi 9 il flusso 8 di gas viene iniettato nella cavità 3, essendo la durata di tali impulsi dell'ordine, ad esempio, del centinaio di microsecondi. Prima che il gas in espansione abbia raggiunto l'equilibrio all'interno della cavità 3 viene applicata una tensione ai due elettrodi, l'anodo 4 e il catodo 5, tra i quali la differenza di potenziale tipica è nel dominio da 500 a 2000 V. Il plasma generato dalla scarica elettrica prodotta in seguito all'applicazione di detta tensione vaporizza il catodo 5, erodendolo in una porzione ristretta e precisamente, come si può osservare dalla figura, dove il flusso 8 di gas incontra detto catodo 5. Tale vaporizzazione è ottenuta mediante ablazione, cioè senza che il materiale di cui detto catodo è costituito raggiunga la sua temperatura di ebollizione. Il materiale del catodo 5 così vaporizzato si raffredda a contatto con il gas ionizzato o plasma e condensa in particelle di dimensioni nanometriche, dando origine ad un fascio 12 di aggregati di nanoparticelle e gas. A questo punto la cavità 3 del corpo 2 si svuota della miscela di nanoparticelle e gas attraverso l'ugello 1 1 di uscita ed è quindi pronta per un ciclo successivo di iniezione di gas attraverso la valvola 9. Il volume esterno al vaporizzatore 1 , rappresentato dalla camera 14, è mantenuto in regime di alto vuoto mediante la pompa 15, pertanto il fascio 12 di nanoparticelle che fuoriesce dall'ugello 1 1 costituisce un getto molecolare e può essere utilizzato in fase gassosa oppure è possibile deporre dette nanoparticelle a strati direttamente sul substrato 182 posizionato nella camera 16, mediante il passaggio del fascio 12 attraverso l'apertura 171.
In Fig. 2 è illustrata una vista in scala maggiore del vaporizzatore 1 della presente invenzione, nella quale si può meglio apprezzare la posizione relativa del catodo 5 rispetto all'anodo 4 e l’incidenza del flusso 8 di gas direttamente su una porzione del catodo 5 che viene erosa a seguito dell'applicazione di una tensione tra detti anodo e catodo. Per funzionamenti prolungati nel tempo del vaporizzatore l’ablazione di materiale comporta la formazione di un cratere, a causa dell'evaporazione del materiale, nel punto in cui il flusso 8 intercetta il catodo 5, quindi secondo l'invenzione è previsto un sistema meccanico che permetta di ruotare il catodo 5 attorno al suo asse; tale sistema comprende un alberino 19 di supporto del catodo 5, rotante nella direzione della freccia A in un verso prestabilito grazie all'azionamento di un motore 20 elettrico, il cui albero 201 si accoppia mediante opportuni giunti 21 con detto alberino 19 di supporto. Grazie a tale sistema, quindi, è possibile prolungare il funzionamento del vaporizzatore 1 ed aumentare la quantità di materiale eroso, evitando la formazione di un cratere localizzato.
In Fig. 3 è illustrata una variante esecutiva del vaporizzatore 1 nella quale il catodo 5 attraversa tutto il corpo 1 e l'anodo 4 è posto lateralmente rispetto ad esso. In questa variante il catodo 5 viene rifornito in maniera continua mediante un sistema meccanico che ne consente la rotazione in direzione della freccia A e la traslazione in direzione della freccia B in due versi prestabiliti. Tale sistema comprende, una vite senza fine 22 che supporta il catodo 5 ed è azionata mediante il suo accoppiamento con una madrevite 23 messa in rotazione dall'alberino 19 attraverso una cinghia 24 di trasmissione. Il moto all'alberino 19 viene trasmesso mediante il motore 20 e i relativi mezzi di trasmissione descritti precedentemente. Con una configurazione di questo tipo, vantaggiosamente, l'ablazione di materiale avviene da una porzione del catodo 5 rinnovata in maniera continua, non si ha quindi la produzione di crateri o solchi profondi garantendo al vaporizzatore una maggiore stabilità e durata di funzionamento nel tempo.
Dalla descrizione precedente considerata a scopo esemplificativo e non limitativo emerge che il vaporizzatore a microplasma pulsato secondo la presente invenzione ben si adatta a tutte le applicazioni in cui sia necessario definire con precisione la regione dalla quale viene ablato il materiale. Tale vaporizzatore è inoltre caratterizzato da alta intensità, buona stabilità da impulso ad impulso di gas e si presta a configurazioni, come visto, in cui l'elettrodo negativo che viene vaporizzato viene rifornito in maniera continua. Il presente vaporizzatore permette inoltre di risolvere un tipico problema di altri tipi di sistemi noti quali il PACIS, vale a dire là formazione di un deposito nello spazio che separa i due elettrodi; tale deposito risulterebbe infatti dannoso dal momento che la sua dimensione crescerebbe fino a formare un corto circuito in seguito al quale il vaporizzatore smetterebbe di funzionare.
Claims (10)
- RIVENDICAZIONI 1. Vaporizzatore (1) a microplasma pulsato caratterizzato dal fatto che comprende: • un corpo (2) posizionato in una prima camera (14) ad alto vuoto e nel quale è ricavata una cavità (3); • dei mezzi (7, 9) di alimentazione di un flusso (8) di gas all'interno di detta cavità (3); • almeno un anodo (4) ed almeno un catodo (5) parzialmente inseriti al'interno di detta cavità (3), essendo il catodo (5) costituito dal materiale da vaporizzare e posizionato in modo da intercettare detto flusso (8) di gas ed essendo detto flusso (8) di gas ionizzato mediante l'applicazione di un'adeguata tensione a detti anodo e catodo; e • un ugello (1 1) di efflusso di un fascio (12) di particelle costituite dal materiale vaporizzato dal catodo (5).
- 2. Vaporizzatore (1 ) secondo la rivendicazione 1 , caratterizzato dal fatto che i mezzi (7, 9) di alimentazione del flusso di gas comprendono almeno una valvola (9) collegata ad almeno un controller (13) mediante la quale il flusso (8) di gas è rifornito ad impulsi di durata prestabilita ad un ugello (7) di alimentazione.
- 3. Vaporizzatore (1 ) secondo la rivendicazione 2, caratterizzato dal fatto che la durata di detti impulsi è dell'ordine dei microsecondi.
- 4. Vaporizzatore (1 ) secondo la rivendicazione 1 , caratterizzato dal fatto che il catodo (5) è affacciato al flusso (8) di gas.
- 5. Vaporizzatore (1 ) secondo la rivendicazione 4, caratterizzato dal fatto che comprende dei mezzi (19, 20, 21 201) per il supporto e la rotazione (A) del catodo attorno al suo asse.
- 6. Vaporizzatore ( 1) secondo la rivendicazione I , caratterizzato dal fatto che il catodo (5) attraversa tutta la cavità del corpo e l'anodo (4) si affaccia lateralmente in prossimità della superficie esterna del catodo (5).
- 7. Vaporizzatore (1 ) secondo la rivendicazione 6, caratterizzato dal fatto che comprende dei mezzi (20, 22, 23, 24) per il supporto, la rotazione (A) e la traslazione (B) del catodo (5).
- 8. Vaporizzatore ( 1 ) secondo la rivendicazione 1 , caratterizzato dal fatto che detta prima camera ( 14) ad alto vuoto comprende un manipolatore ( 18) impugnabile dall'esterno di detta camera (14) e provvisto di un substrato (182) sul quale si deposita il fascio (12) di materiale evaporato uscente dall'ugello (1 1 ) di efflusso.
- 9. Vaporizzatore (1 ) secondo la rivendicazione l , caratterizzato dal fatto che detto manipolatore (1 8) è posizionato in una seconda camera (16) ad alto vuoto adiacente alia prima camera ( 14) e separata da essa da una parete (17) nella quale è ricavata un'apertura (171) di uscita per detto fascio (12) di materiale evaporato.
- 10. Vaporizzatore (I ) secondo la rivendicazione 1 , caratterizzato dal fatto che detta tensione applicata all'anodo (4) e al catodo (5) è fornita da un alimentatore (6) ad alta tensione ed alta corrente.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT1999GE000020A IT1310029B1 (it) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | Vaporizzatore a microplasma pulsato. |
DE60033458T DE60033458T2 (de) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | Vorrichtung zum Gasflusssputtern |
ES00103783T ES2282065T3 (es) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | Aparato para la produccion de nanoparticulas mediante la vaporizacion de materiales solidos. |
PT00103783T PT1031639E (pt) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | Aparelho para vaporização de fluxo de gás |
DK00103783T DK1031639T3 (da) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | Anordning til gasströmssputtering |
AT00103783T ATE354686T1 (de) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | Vorrichtung zum gasflusssputtern |
EP00103783A EP1031639B1 (en) | 1999-02-26 | 2000-02-23 | Apparatus for gas flow sputtering |
US09/513,142 US6392188B1 (en) | 1999-02-26 | 2000-02-25 | Apparatus for production of nanosized particulate matter by vaporization of solid materials |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT1999GE000020A IT1310029B1 (it) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | Vaporizzatore a microplasma pulsato. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ITGE990020A1 true ITGE990020A1 (it) | 2000-08-26 |
IT1310029B1 IT1310029B1 (it) | 2002-02-05 |
Family
ID=11355260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
IT1999GE000020A IT1310029B1 (it) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | Vaporizzatore a microplasma pulsato. |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6392188B1 (it) |
EP (1) | EP1031639B1 (it) |
AT (1) | ATE354686T1 (it) |
DE (1) | DE60033458T2 (it) |
DK (1) | DK1031639T3 (it) |
ES (1) | ES2282065T3 (it) |
IT (1) | IT1310029B1 (it) |
PT (1) | PT1031639E (it) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6972115B1 (en) | 1999-09-03 | 2005-12-06 | American Inter-Metallics, Inc. | Apparatus and methods for the production of powders |
DE10061743A1 (de) * | 2000-01-17 | 2001-07-19 | Siemens Ag | Verfahren zur Verbesserung der optischen Trennung von Leuchtstoffschichten |
EP1416363A3 (en) * | 2002-10-31 | 2006-07-26 | eSpeed, Inc. | Keyboard for trading system |
US6965629B2 (en) * | 2003-09-24 | 2005-11-15 | Nanotechnologies, Inc. | Method and apparatus for initiating a pulsed arc discharge for nanopowder synthesis |
US7012214B2 (en) * | 2003-09-24 | 2006-03-14 | Nanotechnologies, Inc. | Nanopowder synthesis using pulsed arc discharge and applied magnetic field |
US7460225B2 (en) * | 2004-03-05 | 2008-12-02 | Vassili Karanassios | Miniaturized source devices for optical and mass spectrometry |
US20080006521A1 (en) * | 2004-06-07 | 2008-01-10 | Nanotechnologies, Inc. | Method for initiating a pulsed arc discharge for nanopowder synthesis |
JP3930495B2 (ja) * | 2004-06-16 | 2007-06-13 | 三菱重工業株式会社 | ニッケル超微粒子分散液体ナトリウムの製造方法、装置、液体ナトリウムの漏洩検出方法 |
US20110229579A1 (en) * | 2005-07-21 | 2011-09-22 | Roberta Carbone | Support Having Nanostructured Titanium Dioxide Film And Uses Thereof |
US20070272664A1 (en) * | 2005-08-04 | 2007-11-29 | Schroder Kurt A | Carbon and Metal Nanomaterial Composition and Synthesis |
EP1818110A1 (en) | 2006-02-14 | 2007-08-15 | The European Community, represented by the European Commission | Functionalised material and production thereof |
US7951276B2 (en) * | 2006-06-08 | 2011-05-31 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Cluster generator |
ATE518970T1 (de) * | 2008-02-01 | 2011-08-15 | Applied Materials Inc | Doppelbeschichtungsvorrichtung mit verbesserter trennplatte |
WO2010083852A1 (en) | 2009-01-26 | 2010-07-29 | Tethis S.R.L. | Functionalized microfluidic device for immunofluorescence |
TWI412052B (zh) * | 2009-07-14 | 2013-10-11 | Univ Nat Central | 以奈米粒子產生離子源之方法 |
RU2685564C1 (ru) * | 2018-01-09 | 2019-04-22 | Всеволод Германович Кизнер | Способ синтеза наночастиц металлов осаждением на пористый углеродный материал |
CN109759601A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-05-17 | 大连理工大学 | 激光蒸发多腔体金属/碳纳米粉体连续生产方法 |
DE102019135749B4 (de) * | 2019-12-23 | 2024-02-08 | Ri Research Instruments Gmbh | Lichtbogen-Beschichtungsanordnung und Verfahren |
CN115870096B (zh) * | 2023-03-04 | 2023-05-16 | 常州华福环境科技股份有限公司 | 一种袋式除尘器用吹扫电磁脉冲阀 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1356769A (en) * | 1973-03-27 | 1974-06-12 | Cit Alcatel | Apparatus and method for depositing thin layers on a substrate |
US3962062A (en) * | 1974-12-09 | 1976-06-08 | Northern Electric Company Limited | Sputtered dielectric thin films |
US4610718A (en) * | 1984-04-27 | 1986-09-09 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing ultra-fine particles |
DE3809734C1 (it) * | 1988-03-23 | 1989-05-03 | Helmut Prof. Dr. 7805 Boetzingen De Haberland | |
US5425231A (en) * | 1993-07-02 | 1995-06-20 | Burton; Rodney L. | Gas fed pulsed electric thruster |
US5537005A (en) * | 1994-05-13 | 1996-07-16 | Hughes Aircraft | High-current, low-pressure plasma-cathode electron gun |
US5587093A (en) * | 1995-06-02 | 1996-12-24 | Electric Propulsion Laboratory, Inc. | Safe potential arc channel enhanced arc head |
US5591313A (en) * | 1995-06-30 | 1997-01-07 | Tabco Technologies, Inc. | Apparatus and method for localized ion sputtering |
-
1999
- 1999-02-26 IT IT1999GE000020A patent/IT1310029B1/it active
-
2000
- 2000-02-23 ES ES00103783T patent/ES2282065T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-23 DE DE60033458T patent/DE60033458T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-23 AT AT00103783T patent/ATE354686T1/de active
- 2000-02-23 EP EP00103783A patent/EP1031639B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-23 DK DK00103783T patent/DK1031639T3/da active
- 2000-02-23 PT PT00103783T patent/PT1031639E/pt unknown
- 2000-02-25 US US09/513,142 patent/US6392188B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6392188B1 (en) | 2002-05-21 |
ES2282065T3 (es) | 2007-10-16 |
PT1031639E (pt) | 2007-05-31 |
IT1310029B1 (it) | 2002-02-05 |
DE60033458D1 (de) | 2007-04-05 |
EP1031639B1 (en) | 2007-02-21 |
DK1031639T3 (da) | 2007-06-18 |
DE60033458T2 (de) | 2007-10-31 |
ATE354686T1 (de) | 2007-03-15 |
EP1031639A1 (en) | 2000-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ITGE990020A1 (it) | Vaporizzatore a microplasma pulsato. | |
Barborini et al. | A pulsed microplasma source of high intensity supersonic carbon cluster beams | |
JP4045953B2 (ja) | 真空アーク蒸着装置 | |
WO1999012692A1 (en) | Controlled plasma arc cutting | |
EP2206138B1 (en) | Method for manufacturing a treated surface and vacuum plasma sources | |
JP2005322416A (ja) | 大気圧低温プラズマ装置と表面処理方法 | |
JP2007126754A (ja) | 真空アーク蒸着装置 | |
EP2482303B1 (en) | Deposition apparatus and methods | |
Cao et al. | A torch nozzle design to improve plasma spraying techniques | |
Tahara et al. | Applications of quasi-steady magneto-plasma-dynamic arcjets to ceramic coatings | |
KR20150020606A (ko) | 플라즈마를 생성하고 목표물에 전자 빔을 인도하기 위한 장치 | |
JP4448004B2 (ja) | 物品処理装置 | |
US20080271998A1 (en) | Device for Carbon Deposition | |
JP2000038649A (ja) | 成膜装置及び方法 | |
Tahara et al. | Material spraying using electromagnetically accelerated plasma | |
RU2063472C1 (ru) | Способ плазменной обработки деталей и устройство для его осуществления | |
Okumura et al. | Fine pattern etching of molybdenum thin film and silicon substrate by using atmospheric line-shaped microplasma source | |
KR100253723B1 (ko) | 진공 분위기를 형성하여 전극의 내구성을 높인 고온 직류 플라즈마 토취 | |
Tahara | Novel Materials Processing (MAPEES'04) S. Miyake (Ed.)© 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved MATERIAL COATING USING ELECTROMAGNETICALLY ACCELERATED PLASMA JET | |
Tahara et al. | PLASMA CHARACTERISTICS OF QUASI-STEADY MPD ARCJETS FOR MATERIAL PROCESSIING | |
JPH04221064A (ja) | 真空アーク発生装置並びに該装置を利用したイオンビーム発生装置 | |
Klimov et al. | Generation of homogeneous emission plasma in a discharge system with an extended hollow cathode | |
RU2008154C1 (ru) | Устройство для плазменной наплавки | |
JP2001040466A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
Sun et al. | Experimental investigation into the anode erosion phenomenon in a DC non-transferred arc plasma torch |